KR101486716B1 - 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치 - Google Patents

셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101486716B1
KR101486716B1 KR20130056244A KR20130056244A KR101486716B1 KR 101486716 B1 KR101486716 B1 KR 101486716B1 KR 20130056244 A KR20130056244 A KR 20130056244A KR 20130056244 A KR20130056244 A KR 20130056244A KR 101486716 B1 KR101486716 B1 KR 101486716B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
window
temperature
self
plasma
plasma chamber
Prior art date
Application number
KR20130056244A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140136142A (ko
Inventor
차동호
남윤석
Original Assignee
주식회사 나노텍
한국산업기술대학교산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 나노텍, 한국산업기술대학교산학협력단 filed Critical 주식회사 나노텍
Priority to KR20130056244A priority Critical patent/KR101486716B1/ko
Publication of KR20140136142A publication Critical patent/KR20140136142A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101486716B1 publication Critical patent/KR101486716B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/02—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32522—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 셀프 플라즈마 챔버에 사용되는 윈도우의 오염을 억제하기 위한 장치에 관한 것으로서, 공정 챔버의 배기관과 연결되고, 상기 공정 챔버 내의 반응 가스를 인입시켜 플라즈마 상태로 만드는 셀프 플라즈마 챔버의 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치에 있어서, 상기 셀프 플라즈마 챔버의 윈도우 또는 플랜지에 설치되며, 상기 공정 챔버로부터 인입된 오염 유발 물질이 윈도우 및 플랜지에 축적되는 축적 반응이 억제되도록 윈도우 및 플랜지의 온도를 제어하는 온도제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 반응 가스의 종류에 따라 윈도우 또는 플랜지를 가열시켜 반응가스에 의한 오염물이 윈도우 및 플랜지에 축적되기 위한 축적 반응을 방해하여, 윈도우의 오염을 최소화시키는 이점이 있다.

Description

셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치{self plasma chamber contaminating delay apparatus}
본 발명은 셀프 플라즈마 챔버의 오염을 억제하기 위한 장치에 관한 것으로서, 반응 가스의 종류에 따라 윈도우만 또는 윈도우 및 플랜지를 가열시켜 반응가스에 의한 오염물이 축적되기 위한 축적 반응을 방해하여, 셀프 플라즈마 챔버의 오염을 최소화하기 위한 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치에 관한 것이다.
최근 전기, 전자 부품의 소형화, 고집적화에 따라, 반도체 웨이퍼 또는 액정 기판 등을 포함한 각종 기판 상층에 반도체, 금속, 산화물 등의 박막을 형성하고 부분적으로 그 박막을 식각하는 등의 공정을 반복적으로 수행하여 고집적 소자를 제조하는 기술이 활발하게 연구되고 있다.
이러한, 박막을 형성하는 공정으로 물리적, 화학적 다양한 증착법이 사용되고 있는데, 스파터링증착법(Sputtering), 펄스레이저증착법(PLD), 금속유기체증착법(MOD), 금속유기화학기상증착법(MOCVD), 화학기상증착법(CVD), 플라즈마-강화 화학기상증착법(PECVD), 원자층 증착법(ALD) 등과 같이 다양한 증착방법들이 알려져 있다.
이러한 증착 공정에 사용되는 플라즈마 장치는 박막 증착을 위한 반응 공간을 형성하는 공정 챔버(process chamber)가 필수적으로 포함되어 있으며, 통상 공정 챔버는 진공 상태를 유지하게 되고, 내부에는 박막 증착을 위한 기판 및 타겟 물질이 위치하게 된다.
한편, 이러한 반도체 박막 증착 공정 중에 수율(yield)을 향상시키기 위해서는 공정 중에 발생하는 사고를 미리 방지하고, 장비의 오동작 등을 사전에 방지하기 위해 공정의 상태를 실시간으로 모니터링하여 이상 상태 발생시 공정(process)을 중단시키는 등의 조치를 취하여 불량율을 낮춤으로써 공정을 최적화하는 것이 필요하다.
이를 위해, 종래에는 공정 챔버와 별도로 공정 챔버의 배기관에 연결되는 셀프 플라즈마 챔버를 마련하고, 이에 센서부를 설치하여 플라즈마 공정의 상태를 모니터링하였다.
이 경우 공정 챔버의 배기관에서 배출되는 탄소와 같은 비금속성 공정 물질과 텅스텐과 같은 금속성의 공정 물질들이 셀프 플라즈마 챔버의 내벽과 윈도우에 달라붙어 오염을 유발하곤 하였다. 또한, 이러한 오염 유발 물질은 셀프 플라즈마 챔버의 유전율을 변화시켜 플라즈마 방전이나 챔버의 특성에 영향을 초래하게 되었다.
이러한 내부 오염에 의해 셀프 플라즈마 챔버에서의 플라즈마 방전이 영향을 받고, 셀프 플라즈마 챔버 윈도우의 투과율이 저하되기 때문에 셀프 플라즈마 챔버를 이용한 신호 측정이 어려웠다. 이에 따라 정확한 오염도 측정값을 얻는 것이 불가능하고 실제로는 정상 상태인 때에도 이상 상태인 것으로 잘못 판단하는 경우도 발생한다. 또한, 셀프 플라즈마 챔버가 급속도로 오염되므로 수명이 단축된다는 문제가 있었다.
종래의 이러한 문제점을 해결하기 위한 기술로 대한민국특허청 등록특허공보 등록번호 10-0905128호 "셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 및 방법"가 있으며, 이는 셀프 플라즈마 챔버 윈도우에 오염 유발 물질들이 증착되는 것을 막기 위해 차단벽과 전자기장 발생부를 함께 설치하여 셀프 플라즈마 챔버의 내벽 또는 윈도우의 오염을 최소화하고자 한 것이다.
그러나, 오염이 심한 일부 공정에서는 이러한 차단벽이나 전자기장 발생부에 의하여도 셀프 플라즈마 챔버의 내벽을 비롯하여 플랜지나 윈도우의 오염 문제를 해소하기에는 미흡한 면이 있으며, 이에 따라 외부에서 모니터링시에도 정확한 모니터링의 어려움이 여전히 남아 있다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반응 가스의 종류에 따라 윈도우만 또는 윈도우 및 플랜지를 가열시켜 반응가스에 의한 오염물이 윈도우에 축적되기 위한 축적 반응을 방해하여, 윈도우의 오염을 최소화하기 위한 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치의 제공을 그 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 공정 챔버의 배기관과 연결되고, 상기 공정 챔버 내의 반응 가스를 인입시켜 플라즈마 상태로 만드는 셀프 플라즈마 챔버의 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치에 있어서, 상기 셀프 플라즈마 챔버의 윈도우에 설치되며, 상기 공정 챔버로부터 인입된 오염 유발 물질이 윈도우에 축적되는 축적 반응이 억제되도록 윈도우의 온도를 제어하는 온도제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치를 기술적 요지로 한다.
또한, 상기 온도제어수단은, 상기 윈도우를 가열시키는 온도상승부로 형성되며, 상기 온도상승부는, 상기 윈도우의 외표면에 접촉되어 윈도우의 온도를 상승시키는 히터부와, 상기 히터부의 온도를 측정하는 센서부 및 상기 히터부의 온도를 제어하고, 상기 센서부에 의해 측정된 온도에 따라 상기 히터부의 온도를 제어하는 제어부;로 구성되는 것이 바람직하다.
여기에서, 상기 온도상승부는, 상기 윈도우의 온도가 일정 온도 이상이 되면 상기 히터부를 단락시키는 온도 퓨즈가 더 형성되도록 하여, 윈도우의 과열을 방지하도록 하며, 상기 히터부는, 세라믹 히터 또는 PTC 히터를 사용하고, 이의 윈도우에의 열전달을 위해 전도띠가 윈도우 둘레를 따라 더 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 온도상승부는, 상기 윈도우의 내표면에서부터 상기 셀프 플라즈마 챔버에 생성되는 플라즈마 중심까지 전도대의 형태로 형성되어, 상기 플라즈마의 열이 전도되어 상기 윈도우의 온도를 상승시키는 것이 바람직하고, 상기 전도대는, 길이 방향으로 긴 탐침 형태로 형성되는 것이 바람직하며, 상기 전도대는, 석영, 세라믹 및 사파이어 중 어느 하나의 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
삭제
삭제
한편, 상기 온도제어수단은, 상기 셀프 플라즈마 챔버의 플랜지에 더 설치되며, 상기 공정 챔버로부터 인입된 오염 유발 물질이 플랜지 및 윈도우에 축적되는 축적 반응이 억제되도록 플랜지의 온도를 제어하는 온도제어수단을 구비하는 것이 바람직하다.
상기 과제 해결 수단에 의해 본 발명은 반응 가스의 종류에 따라 윈도우를 가열시켜 반응가스에 의한 오염물이 윈도우에 축적되기 위한 축적 반응을 방해하여, 윈도우는 기본이며, 플랜지도 동일하게 가열시켜 셀프 플라즈마 챔버 내부 및 플랜지까지 오염물의 축적을 억제시키는 효과가 있다.
이에 의해 윈도우 및 플랜지의 오염을 최소화하여 플랜지 및 윈도우의 교체 주기를 늘리게 되어 생산단가를 절감시키고, 모니터링 영역이 오염되지 않아 정확한 모니터링이 가능하여 공정의 재현성 및 공정 제품의 고품위를 유지할 수 있게 되는 효과가 있다.
도 1 - 종래의 셀프 플라즈마 챔버에 대한 모식도.
도 2 - 본 발명에 따라 윈도우 가열에 의한 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치의 주요부에 대한 모식도.
도 3 - 본 발명에 따라 윈도우 및 플랜지 가열에 의한 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치의 주요부에 대한 모식도.
도 4 - 본 발명의 다른 실시예에 따라 윈도우 가열에 의한 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치의 주요부에 대한 모식도.
도 6 - 본 발명의 실시예에 따른 플랜지의 오염 상태를 나타낸 도.
도 8 및 도 9 - 본 발명의 실시예에 따른 윈도우의 오염 상태를 나타낸 도.
본 발명은 공정 챔버의 배기관과 연결되고, 상기 공정 챔버 내의 반응 가스를 인입시켜 플라즈마 상태로 만드는 셀프 플라즈마 챔버에 있어서, 모니터링을 위한 셀프 플라즈마 챔버의 일단에 설치된 윈도우 또는 윈도우의 대향된 위치에 형성된 플랜지의 온도도 조절하여, 윈도우 및 플랜지를 포함하는 셀프 플라즈마 챔버의 오염을 최소화하여 정확한 모니터링이 가능하도록 한 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치에 관한 것이다.
특히, 윈도우에 축적되는 오염물의 축적 반응을 최소화시키도록 반응 가스의 종류에 따라 윈도우를 가열시켜 윈도우에 오염물이 달라붙지 않도록 하여 윈도우의 오염을 억제하여 정확한 모니터링이 가능하도록 하였으며, 이에 더불어 플랜지의 온도도 조절하여 플랜지의 오염을 억제함으로써, 셀프 플라즈마 챔버 전체적으로 오염을 억제시키는 것이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명하고자 한다.
도 1은 종래의 셀프 플라즈마 챔버에 대한 모식도이고, 도 2는 본 발명에 따라 윈도우 가열에 의한 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치의 주요부에 대한 모식도이고, 도 3은 본 발명에 따라 윈도우 및 플랜지 가열에 의한 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치의 주요부에 대한 모식도이고, 도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따라 윈도우 가열에 의한 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치의 주요부에 대한 모식도이고, 도 6은 본 발명의 실시예에 따른 플랜지의 오염 상태를 나타낸 도이며, 도 8 및 도 9는 본 발명의 실시예에 따른 윈도우의 오염 상태를 나타낸 도이다.
삭제
먼저, 윈도우(40)의 온도를 제어하는 경우로, 공정 챔버(10)의 배기관(20)과 연결되고, 상기 공정 챔버(10) 내의 반응 가스를 인입시켜 플라즈마 상태로 만드는 셀프 플라즈마 챔버(30)의 윈도우(40) 오염을 억제시키고자 하는 것으로서, 공정 챔버(10), 배기관(20) 및 셀프 플라즈마 챔버(30)로 이루어진 구성의 윈도우(40) 온도를 조절하여 윈도우(40)의 오염을 억제시키고자 하는 것이다.
또한, 도 1에 도시된 바와 같이, 기본적으로 공정 챔버(10), 배기관(20) 및 셀프 플라즈마 챔버(30) 외에, 공정 챔버(10)로부터 인입된 오염 유발 물질이 셀프 플라즈마 챔버(30)의 윈도우(40)로 향하는 직선 경로에서 벗어나도록 전자기장을 발생시키는 전자기장 발생부와, 상기 셀프 플라즈마 챔버(30)로부터의 광신호가 윈도우(40)에 도달할 수 있도록 중앙에 관통공을 포함하며, 상기 발생된 전자기장에 의해 직선 경로에서 벗어난 오염 유발 물질이 상기 셀프 플라즈마 챔버(30)의 윈도우(40)까지 도달하는 것을 차단하기 위한 적어도 하나의 차단벽을 더 포함하는 오염 방지 장치에도 적용할 수 있도록 한 것이다.
즉, 셀프 플라즈마 챔버(30)만 형성된 경우의 그 일단에 형성된 윈도우(40) 또는 셀프 플라즈마 챔버(30)에 오염 방지 장치(전자기장 발생부 및 차단벽)가 더 형성된 경우에는 오염 방지 장치 일단에 형성된 윈도우(40)의 온도를 조절하여 오염 유발 물질의 윈도우(40) 축적 반응이 억제되도록 한 것이다.
따라서, 상기 윈도우(40)의 온도를 제어하기 위한 온도제어수단이 필요하게 된다.
상기 온도제어수단은 반응 가스의 종류에 따라 윈도우(40)를 가열시키는 것이다.
먼저, 윈도우(40)를 가열시키고자 하는 경우에는 도 2(a)에 도시된 바와 같이, 온도상승부(100)가 필요하게 되며, 상기 온도상승부(100)는 상기 윈도우(40)의 외표면에 접촉되어 윈도우(40)의 온도를 상승시키는 히터부(110)와, 상기 히터부(110)의 온도를 측정하는 센서부(120) 및 상기 히터부(110)의 온도를 제어하고, 상기 센서부(120)에 의해 측정된 온도에 따라 상기 히터부(110)의 온도를 제어하는 제어부(130)로 크게 구성된다.
상기 히터부(110)는 윈도우(40)의 외표면에 접촉되어 윈도우(40)의 온도를 상승시키게 되며, 세라믹 히터 또는 PTC 히터로 형성된다. 이러한 히터가 윈도우(40)에 직접 접촉되어 윈도우(40)에 열을 전달하여 윈도우(40) 온도를 상승시키게 된다.
또한, 도 2(b)에 도시된 바와 같이 윈도우(40) 둘레를 따라 원형띠 형태의 금속 전도띠(150)가 추가로 형성되어, 세라믹 히터 또는 PTC 히터에 의한 열을 금속 전도띠(150)를 매개로 하여 윈도우(40)에 전도될 수 있도록 형성된다.
이는 세라믹 히터나 PTC 히터를 윈도우(40)의 형태에 따라 가공하는 것보다 금속을 가공하는 것이 더욱 편리하므로, 윈도우(40)에 최대의 열을 전달하면서, 모니터링 영역에 방행되지 않도록 윈도우(40) 테두리를 따라 전도띠(150)를 형성하여 세라믹 히터 또는 PTC 히터의 열을 윈도우(40)에 전달할 수 있도록 한 것이다.
여기에서, 상기 PTC(Positive Temperature Coefficient) 히터는 온도가 상승되면 저항값도 상승되는 정온도 특성을 가지는 소자로, 어떤 온도에 도달하면 상전이(相轉移)에 의해 온도가 상승함에 따라 급격히 저항값이 증가하는 성질을 갖는 것으로 알려져 있으며, 이에 의해 주위 온도의 변화에 따라 발열량이 자동적으로 증감되는 특성을 가지고 있어, 특정 온도에 규격화하여 제조되고 나면 규격 온도보다 높게는 상승되지 않게 된다.
통상적으로 공정 챔버(10) 내부의 온도는 500℃~600℃이며, 공정 챔버(10)로부터 인입된 반응 가스의 플라즈마는 120℃~150℃의 온도를 가지게 된다. 이러한 플라즈마 속에 오염 유발 물질이 포함되게 되며, 오염 유발 물질은 특정 온도에서 뭉치거나 결합하여 셀프 플라즈마 챔버(30) 내벽 및 윈도우(40)에 축적되게 된다.
따라서, 본 발명은 윈도우(40)의 온도를 상승시켜 오염 유발 물질이 윈도우(40)에 축적되는 축적 반응이 일어나지 않도록 하는 것이다. 이러한 오염 유발 물질은 공정 챔버(10)의 반응 가스의 종류에 따라 달라지게 되므로, 반응 가스의 종류에 따라 윈도우(40)의 온도를 적절히 조절하여야 한다.
일반적으로 상기 플라즈마의 온도는 120℃~150℃로 알려져 있으며, 본 발명에 따른 윈도우(40)는 이 온도와 동일하거나 약간 높게 조절하여야 한다. 이 경우에, 플라즈마 속에 포함된 오염 유발 물질의 축적 반응이 일어나지 않고 플라즈마화되거나 계속 가스 상태로 머물다가 배기되게 되므로, 윈도우(40)에 오염 유발 물질의 축적이 이루어지지 않게 되는 것이다.
더불어, 오염 유발 물질의 축적 반응이 일어나지 않기 때문에 윈도우(40)뿐만 아니라, 셀프 플라즈마 챔버(30) 내부 및 공정 챔버(10)와의 연결구인 플랜지에도 오염 유발 물질의 축적이 일어나지 않게 된다. 즉, 셀프 플라즈마 챔버(30)의 일측에 결합된 윈도우(40)의 오염이 되지 않는 것과 동일한 원리로 셀프 플라즈마 챔버(30)의 타측에 결합된 플랜지에도 오염이 되지 않은 현상이 발생하게 된다.
이와 같이 윈도우(40)의 온도를 상승시킴에 의해 오염 유발 물질의 축적 반응을 억제시키게 되는데, 반응 가스의 종류에 따라 축적 반응에 필요한 온도가 달라지게 된다.
이에 대한 메카니즘을 설명하면, 먼저 실험적으로 공정 챔버(10)에서의 증착 공정 후에 발생된 중간생성물(byproduct)이 파우더(powder)가 많거나 점성이 많은 경우(B2H6, WF6, NH3, DCS), 플라즈마의 온도보다 낮은 곳 즉 윈도우(40)에 축적이 집중적으로 이루어지게 된다. 따라서, 윈도우(40)의 온도를 상승시켜 줌으로써, 표면 온도를 높여 마찰 계수를 낮추어 주며 이를 통해 윈도우(40)에의 파우더의 축적을 최소화시키게 되는 것이다.
또한, 반응 가스에 포함된 오염 유발 물질의 축적 반응이 발열 반응이라면 윈도우(40)의 온도를 내려주면 축적 반응이 일어나게 되므로, 윈도우(40)의 온도를 올려 주어 발열 반응이 일어나지 않도록 하는 것이다.
따라서, 반응 가스의 종류에 따라 윈도우(40)의 온도를 조절하게 되면 윈도우(40)에 축적되는 오염물의 발생을 최대한 억제할 수 있게 되는 것이다.
이와 같이 상기 온도상승부(100)의 히터부(110)는 윈도우(40)의 외표면에 접촉되어 윈도우(40)의 온도를 상승시키는 역할을 하게 되며, 상기 온도상승부(100)에는 히터부(110)의 온도를 측정하는 센서부(120)와, 상기 히터부(110)의 온도를 제어하고, 상기 센서부(120)에 의해 측정된 온도에 따라 상기 히터부(110)의 온도를 제어하는 제어부(130)가 더 포함되어 형성된다.
상기 센서부(120)는 공지된 온도 센서로 형성되며, 상기 히터부(110)의 온도를 전달하여 온도값을 측정하게 되며, 그 측정된 온도값을 상기 제어부(130)에 전달하면, 상기 제어부(130)는 설정된 온도 이상이거나 이하인 경우 저항 변화로 펄스 폭을 제어하여 온도를 PTC 설계온도 낮은 온도로 조절하게 된다. 펄스 폭 제어 신호를 히터부(110)에 전달하면 히터부(110)가 원하는 온도 값으로 윈도우(40)를 가열시키게 되는 것이다.
여기에서, 상기 온도상승부(100)에는 상기 윈도우(40)의 온도가 일정 온도 이상이 되면 상기 히터부(110)를 단락시키는 온도 퓨즈(temperature fuse)(140)가 더 형성되어, 윈도우(40)가 과열되는 것을 방지하고 전체 시스템이 안정적으로 작동되도록 한 것이다.
본 발명에 따른 또 다른 실시예로 상기 온도상승부(100)가 상기 윈도우(40)의 내표면에서부터 상기 셀프 플라즈마 챔버(30)에 생성되는 플라즈마 중심까지 전도대(160)의 형태로 형성되어, 플라즈마에서 발생되는 온도의 일부가 전도대(160)를 따라 열이 전도되어 윈도우(40)에 전달되게 된다. 이때 전도대(160)의 길이, 플라즈마와의 거리를 조절하면 윈도우(40)에 원하는 온도를 전달 할수 있게 된다
상기 전도대(160)의 형태는 도 4에 도시된 바와 같이, 윈도우(40)의 내표면에서 셀프 플라즈마 챔버(30)에 생성된 플라즈마 중심까지의 길이로 길이 방향으로 길게 형성된 탐침 형태로 형성되어, 플라즈마의 온도인 120℃~150℃에 의해 전도대(160)를 따라 열이 전도되어 윈도우(40)에 전달되게 된다.
상기 전도대(160)는 셀프 플라즈마 챔버(30) 내의 플라즈마에 전기적 영향을 미치지 않도록 석영, 세라믹 및 사파이어 재질로 형성되는 것이 바람직하다. 일반적으로 셀프 플라즈마 챔버(30) 내부는 10-3torr에서 수 Torr 범위의 진공 상태를 유지하게 되므로 챔버 내부의 기체밀도가 매우 낮아서 전도대(160)가 금속으로 형성되지 않아도 열이 충분히 전도대 (160)외부로 빼앗기지 않고 전도되어 윈도우(40)에 도달하게 되어 윈도우(40)의 온도를 상승시키게 되는 것이다.
여기에서 상기 전도대(160)는 윈도우(40)의 모니터링 영역에 방해되지 않도록 윈도우(40)의 중심 영역이 아닌 가쪽으로 형성되며, 윈도우(40) 내표면에 접착되거나 윈도우(40)와 일체로 가공되어 형성된다.
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
상기에서는 윈도우(40)에 온도제어수단을 형성한 경우에 대해 설명하였으나, 도 3에 도시한 바와 같이, 셀프 플라즈마 챔버에서 윈도우(40) 반대측에 형성된 플랜지(50)에도 온도제어수단을 더 형성할 수 있으며, 이에 의해 셀프 플라즈마 챔버(30)의 윈도우(40) 및 플랜지(50)의 오염을 방지하여 셀프 플라즈마 챔버 전체의 오염을 지연시키고 억제할 수 있도록 한 것이다.
상기 플랜지(50)에 설치된 온도제어수단은 상기 윈도우(40)에 설치된 구성 및 작용, 효과가 동일하여 상세한 설명은 생략하기로 한다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 실험 데이타에 대해서 설명하고 그 작용 효과에 대해 설명하고자 한다.
<윈도우 및 플랜지를 가열시키는 경우>
-공정 챔버에서 이루어지는 공정 : Metal CVD 공정
-증착하고자 하는 목적 물질 : Tungsten Nitride(WN)
-반응 가스 : B2H6
-윈도우 및 플랜지의 온도는 150℃로 유지
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 플랜지의 오염 상태를 나타낸 도이며, 도 6(a)는 윈도우 및 플랜지의 온도를 상승시키지 않은 종래의 경우, 도 6(b)는 본 발명에 따라 윈도우 및 플랜지의 온도를 상승시킨 경우이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 윈도우 및 플랜지의 온도를 상승시키지 않은 경우(100℃)에는 플랜지에 파우더 축적 현상이 나타났지만, 윈도우 및 플랜지의 온도를 상승시킨 경우(150℃)에는 파우더 축적 현상이 현저히 없어짐을 확인할 수 있었다.
도 8은 이에 따른 윈도우의 오염 상태를 나타낸 것으로서, 도 8(a)는 윈도우 및 플랜지의 온도를 상승시키지 않은 종래의 경우, 도 8(b)는 본 발명에 따라 윈도우 및 플랜지의 온도를 상승시킨 경우이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 플랜지의 오염 상태와 동일하게 윈도우 및 플랜지의 온도를 상승시키지 않은 경우(도 8(a))에는 윈도우의 오염이 발생함을 확인할 수 있으며, 윈도우 및 플랜지의 온도를 상승시킨 경우(도 8(b))에는 윈도우의 오염 현상이 현저히 없어짐을 확인할 수 있었다.
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
도 9에 도시된 바와 같이, 플랜지의 오염 상태와 동일하게 윈도우 및 플랜지의 온도를 상승시키지 않은 경우(도 9(a))에는 윈도우의 오염이 발생함을 확인할 수 있으며, 윈도우 및 플랜지의 온도를 상승시킨 경우(도 9(b))에는 윈도우의 오염 현상이 현저히 없어짐을 확인할 수 있었다.
이와 같이 반응 가스의 종류에 따라 윈도우만 또는 윈도우 및 플랜지를 가열시켜 반응가스에 의한 오염물이 셀프 플라즈마 챔버의 윈도우 및 플랜지에 축적되기 위한 축적 반응을 방해하여, 윈도우는 기본이며, 그 외 셀프 플라즈마 챔버 내부 및 플랜지까지 오염물의 축적이 억제되도록 하여, 오염을 최소화하였으며, 이에 따라 윈도우 및 플랜지, 셀프 플라즈마 챔버의 교체 주기가 길어지게 되어 경제적이면서 생산적이고, 모니터링 영역이 오염되지 않아 정확한 모니터링이 가능하여 공정의 재현성 및 공정 제품의 고품위를 유지할 수 있게 되는 것이다.
10 : 공정 챔버 20 : 배기관
30 : 셀프 플라즈마 챔버 40 : 윈도우
50 : 플랜지 100 : 온도상승부
110 : 히터부 120 : 센서부
130 : 제어부 140 : 온도 퓨즈
150 : 전도띠 160 : 전도대

Claims (13)

  1. 공정 챔버의 배기관과 연결되고, 상기 공정 챔버 내의 반응 가스를 인입시켜 플라즈마 상태로 만드는 셀프 플라즈마 챔버의 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치에 있어서,
    상기 셀프 플라즈마 챔버의 윈도우에 설치되며, 상기 공정 챔버로부터 인입된 오염 유발 물질이 윈도우에 축적되는 축적 반응이 억제되도록 윈도우의 온도를 제어하는 온도제어수단을 구비하되,
    상기 온도제어수단은 상기 윈도우를 가열시키는 온도상승부로 형성되며,
    상기 온도상승부는,
    상기 윈도우의 외표면에 접촉되어 윈도우의 온도를 상승시키며, 세라믹 히터 또는 PTC 히터로 형성되어, 상기 세라믹 히터 또는 PTC 히터의 열을 전달하기 위한 전도띠가 윈도우 둘레를 따라 형성된 히터부;
    상기 히터부의 온도를 측정하는 센서부; 및
    상기 히터부의 온도를 제어하고, 상기 센서부에 의해 측정된 온도에 따라 상기 히터부의 온도를 제어하는 제어부;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1항에 있어서, 상기 온도상승부는,
    상기 윈도우의 온도가 일정 온도 이상이 되면 상기 히터부를 단락시키는 온도 퓨즈가 더 형성된 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 공정 챔버의 배기관과 연결되고, 상기 공정 챔버 내의 반응 가스를 인입시켜 플라즈마 상태로 만드는 셀프 플라즈마 챔버의 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치에 있어서,
    상기 셀프 플라즈마 챔버의 윈도우에 설치되며, 상기 공정 챔버로부터 인입된 오염 유발 물질이 윈도우에 축적되는 축적 반응이 억제되도록 윈도우의 온도를 제어하는 온도제어수단을 구비하되,
    상기 온도제어수단은 상기 윈도우를 가열시키는 온도상승부로 형성되며,
    상기 온도상승부는,
    상기 윈도우의 내표면에서부터 상기 셀프 플라즈마 챔버에 생성되는 플라즈마 중심까지 전도대의 형태로 형성되어, 상기 플라즈마의 열이 전도되어 상기 윈도우의 온도를 상승시키는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 전도대는,
    길이 방향으로 긴 탐침 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치.
  9. 제 7항에 있어서, 상기 전도대는,
    석영, 세라믹 및 사파이어 중 어느 하나의 재질로 형성되는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제 1항, 제4항, 제7항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 온도제어수단은,
    상기 셀프 플라즈마 챔버의 플랜지에 더 설치되며, 상기 공정 챔버로부터 인입된 오염 유발 물질이 플랜지 및 윈도우에 축적되는 축적 반응이 억제되도록 플랜지의 온도를 제어하는 온도제어수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치.
KR20130056244A 2013-05-20 2013-05-20 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치 KR101486716B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130056244A KR101486716B1 (ko) 2013-05-20 2013-05-20 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130056244A KR101486716B1 (ko) 2013-05-20 2013-05-20 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140136142A KR20140136142A (ko) 2014-11-28
KR101486716B1 true KR101486716B1 (ko) 2015-01-28

Family

ID=52456475

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20130056244A KR101486716B1 (ko) 2013-05-20 2013-05-20 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101486716B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102113266B1 (ko) * 2018-08-21 2020-05-21 인베니아 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09199487A (ja) * 1995-11-16 1997-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及び装置
KR100905128B1 (ko) 2008-07-29 2009-06-30 주식회사 나노텍 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치 및 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09199487A (ja) * 1995-11-16 1997-07-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及び装置
KR100905128B1 (ko) 2008-07-29 2009-06-30 주식회사 나노텍 셀프 플라즈마 챔버의 오염 방지 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140136142A (ko) 2014-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10720349B2 (en) Temperature measurement in multi-zone heater
US10510567B2 (en) Integrated substrate temperature measurement on high temperature ceramic heater
US11024522B2 (en) Virtual sensor for spatially resolved wafer temperature control
US20060275933A1 (en) Thermally conductive ceramic tipped contact thermocouple
US9297705B2 (en) Smart temperature measuring device
US20080251104A1 (en) Systems and Methods for Determination of Endpoint of Chamber Cleaning Processes
US20200273678A1 (en) Methods and systems for focus ring thickness determinations and feedback control
US10636630B2 (en) Processing chamber and method with thermal control
US10818481B2 (en) Smart device fabrication via precision patterning
KR101486716B1 (ko) 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치
CN111096080A (zh) 等离子体异常判定方法、半导体器件的制造方法、以及基板处理装置
US20210280399A1 (en) Capacitive sensors and capacitive sensing locations for plasma chamber condition monitoring
KR20220149743A (ko) 플라즈마 챔버 상태 모니터링을 위한 용량성 감지 데이터 통합
KR20180112794A (ko) 전도성 층들이 매립된 세라믹 샤워헤드
KR20020077124A (ko) 반도체 장치의 제조 방법
EP2540863A1 (en) Cvd processing method and cvd device using said method
KR20210149872A (ko) 저온 바이어스가능 기판 지지부
JPH06260687A (ja) ガス処理装置
KR20060059317A (ko) 박막 가공 장치
JP2004119788A (ja) 半導体製造装置
KR20060084927A (ko) 스파이크형 열전대

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180118

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181206

Year of fee payment: 5