KR102113266B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 피처리 기판을 수용하는 처리실, 상기 처리실 내에 수용되는 상기 피처리 기판과 마주하도록 배치되는 안테나 및 상기 안테나와 상기 처리실 사이에 구비되며, 적어도 일면에 전이금속산화물이 포함된 레이어가 형성된 윈도우를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Apparatus and Method for Processing Substrate}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유도 결합 플라즈마를 이용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
플라즈마를 이용하여 CVD(Chemical Vapor Deposition), 에칭(Etching) 등의 기판처리를 수행하는 장치에서는, 안테나를 포함한 장치에 고주파 전력을 인가하여 안테나 주변에 유도 전계를 형성시켜 플라즈마를 발생시키는 방식이 많이 적용되고 있다.
유도 전계를 이용한 플라즈마 처리 장치는 유도 전계를 발생시키기 위한 안테나, 안테나를 플라즈마로부터 보호하기 위한 윈도우가 필수적으로 사용된다.
그러나 플라즈마를 이용한 기판 처리 과정에서 발생하는 부산물들은 공정 중에 챔버 내에서 상대적으로 온도가 낮은 윈도우에 부착되어, 윈도우의 교체 주기가 짧아지거나, 윈도우에 부착되는 부산물을 제거하는 유지/보수가 필요하다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 플라즈마의 발생을 위한 유도 전계에 영향을 크게 주지 않으면서도, 윈도우에 부산물이 부착되는 현상을 감소시키는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 피처리 기판을 수용하는 처리실, 상기 처리실 내에 수용되는 상기 피처리 기판과 마주하도록 배치되는 안테나 및 상기 안테나와 상기 처리실 사이에 구비되며, 적어도 일면에 전이금속산화물이 포함된 레이어가 형성된 윈도우를 포함한다.
상기 레이어에 전력을 인가하는 가열 전원을 더 포함하고, 상기 레이어는 상기 가열 전원으로부터 전력을 인가받아 가열될 수 있다.
상기 레이어가 가열됨에 따라 상기 레이어의 열이 전도되어 상기 윈도우가 가열될 수 있다.
상기 전이금속산화물은 인듐주석산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 산화인듐아연(IZO, Indium Zinc Oxide), 알루미늄도핑산화아연(AZO, Al-doped zinc oxide), 산화아연(ZnO, zinc oxide) 및 불소도핑산화주석(FTO, F-doped Tin Oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 레이어는 상기 윈도우의 일면에 증착 형성될 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 피처리 기판을 수용하는 처리실, 상기 처리실 내에 수용되는 상기 피처리 기판과 마주하도록 배치되는 안테나, 상기 안테나와 상기 처리실 사이에 구비되는 윈도우 및 일면에 전이금속산화물이 포함된 레이어가 형성되고, 상기 레이어가 상기 윈도우의 저면에 접하도록 구비되는 윈도우 보호부재를 포함한다.
상기 레이어에 전력을 인가하는 가열 전원을 더 포함하고, 상기 레이어는 상기 가열 전원으로부터 전력을 인가받아 가열될 수 있다.
상기 레이어가 가열됨에 따라 상기 레이어의 열이 전도되어 상기 윈도우가 가열될 수 있다.
상기 전이금속산화물은 인듐주석산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 산화인듐아연(IZO, Indium Zinc Oxide), 알루미늄도핑산화아연(AZO, Al-doped zinc oxide), 산화아연(ZnO, zinc oxide) 및 불소도핑산화주석(FTO, F-doped Tin Oxide) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법은, 처리실 내에 기판을 진입시키는 단계, 상기 처리실과 안테나 사이에 구비되는 윈도우의 일면 상에 구비되는 전이금속산화물이 포함된 레이어에 전력을 인가하는 단계, 상기 레이어에 의해 상기 윈도우가 가열되는 단계 및 상기 안테나에 전력을 공급하여 상기 기판을 처리하는 단계를 포함한다.
상기 안테나에 전력을 공급하기 이전에 상기 레이어에 공급되던 전력을 차단하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예들에 의하면 적어도 다음과 같은 효과가 있다.
플라즈마의 발생을 위한 유도 전계에 영향을 크게 주지 않으면서도, 윈도우에 부산물이 부착되는 현상을 감소시킨다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 횡단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략도이다.
도 4는 도 3의 윈도우 보호 부재를 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
또한, 본 명세서에서 기술하는 실시예들은 본 발명의 이상적인 예시도인 단면도 및/또는 개략도들을 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 또한 본 발명에 도시된 각 도면에 있어서 각 구성 요소들은 설명의 편의를 고려하여 다소 확대 또는 축소되어 도시된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
이하, 본 발명의 실시예들 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 도면들을 참고하여 본 발명에 대하여 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략도이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 횡단면을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 챔버(10), 스테이지(30), 윈도우 지지 프레임(50), 윈도우(61, 62) 및 안테나(40)를 포함한다.
챔버(10)는 내부에 스테이지(30), 윈도우 지지 프레임(50), 윈도우(61, 62) 및 안테나(40)가 설치되는 공간이 형성된 밀폐 구조로 형성된다. 챔버(10)는 내벽이 양극 산화 처리된 알루미늄으로 이루어질 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 스테이지(30)는 챔버(10) 내부의 하부에 위치한다. 스테이지(30)는 챔버(10) 내부로 반입된 기판(S)을 지지하도록 구성되며, 플라즈마의 이온이 기판(S)으로 끌려 오도록, 바이어스용 고주파 전원(미도시)과 전기적으로 연결될 수 있다. 바이어스용 고주파 전원은 6MHz의 고주파 전력을 스테이지에 인가할 수 있다.
스테이지(30) 내에는 처리 중인 기판(S)의 온도를 제어하기 위해, 히터 및/또는 냉매 유로 등의 온도 조절 기구가 설치될 수 있다. 스테이지(30)의 상부면에는 기판(S)이 안착되며 공정 중에 기판(S)을 고정하는 정전척(미도시)기 설치될 수 있다.
한편, 챔버(10) 내부의 상부에는 윈도우 지지 프레임(50) 및 윈도우(61, 62)가 설치된다. 윈도우(61, 62)는 챔버(10) 내부의 공간을 상하로 구획할 수 있다. 윈도우(61, 62)를 기준으로 챔버(10) 내부의 하부 공간은 처리실(A)이 되고, 챔버(10) 내부의 상부 공간은 안테나실(B)이 된다.
따라서, 윈도우(61, 62)는 안테나실(B)의 바닥임과 동시에 처리실(A)의 천정이 될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 처리실(A)에는 스테이지(30)가 설치되고, 안테나실(B)에는 안테나(40)가 설치된다.
처리실(A)의 일측에는 처리실(A) 내부의 공기, 가스 등을 외부로 배기하는 배기홀(20)이 형성된다. 배기홀(20)은 챔버(10)를 관통하여 형성되고, 챔버(10) 외부에 구비되는 진공 펌프(미도시)와 연결될 수 있다. 진공 펌프의 작동에 의해 처리실(A) 내부는 진공 분위기로 형성될 수 있다.
또한, 처리실(A)의 타측에는 기판(S)이 출입하는 게이트(11)가 챔버(10)를 관통하여 형성된다. 기판(S)이 출입할 때에만 개방되고 공정 중에는 게이트(11)를 폐쇄할 수 있도록, 게이트(11)를 개폐하는 게이트 밸브(12)가 구비된다. 게이트 밸브(12)는 처리실(A) 내부가 진공 배기 될 때에 게이트(11)를 밀폐하여 처리실(A) 내부가 진공 분위기로 유지될 수 구성될 수 있다.
윈도우(61, 62)는 세라믹, 석영 등의 유전체로 이루어지거나, 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 같은 도전체로 이루어질 수 있다.
윈도우(61, 62)는 윈도우 지지 프레임(50)에 의해 지지되도록 설치될 수 있으며, 도 1에 도시된 바와 같이, 복수의 윈도우(61, 62)로 분할 구성될 수 있다.
안테나(40)는 윈도우(61, 62)의 상부에 설치된다.
안테나(40)는 고주파 전원(미도시)으로부터 고주파 전력을 공급받는다. 고주파 전원은 13.56MHz의 고주파 전력을 안테나 구조체로 공급할 수 있다. 고주파 전원으로부터 공급된 고주파 전력이 안테나(40)에 인가되면, 처리실(A) 내에 유도 전계가 생성되고, 유도 전계에 의해 처리실(A)로 공급된 처리 가스는 플라즈마화되어 처리실(A) 내에 플라즈마가 생성된다. 도 1에 도시되지는 않았지만, 챔버(10)에는 외부로부터 공급된 처리 가스를 처리 공간으로 전달하는 가스 유로 및 샤워 헤드가 설치될 수 있다.
플라즈마 처리 과정에서 발생되는 부산물들은 처리실(A) 내에서 상대적으로 온도가 낮은 윈도우(61, 62)에 부착되는 경향이 있다. 이를 방지하기 위해 윈도우(61, 62)의 온도를 높여줄 필요가 있다.
종래에는 윈도우(61, 62)의 온도를 높이기 위해 윈도우(61, 62)를 지지하는 윈도우 지지 프레임(50)을 가열하여 윈도우(61, 62)의 온도를 높이는 방식으로 부산물이 윈도우(61, 62)에 부착되는 것을 방지하였다.
그러나 위와 같은 종래의 방식은, 윈도우 지지 프레임(50)이 윈도우(61, 62)의 가장자리를 지지하는 구조로 인해, 윈도우(61, 62)가 전체적으로 고르게 가열되지 않아 윈도우(61, 62)의 중앙부가 가장자리에 비해 상대적으로 온도가 낮게 가열되었고, 이로 인해 부산물들이 윈도우(61, 62)의 중앙부에 부착되거나, 윈도우(61, 62)의 중앙부까지 필요한 온도가 가열하기 위해 주변부를 과도하게 가열할 필요가 있었다.
이를 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 일면 상에 윈도우(61, 62)를 가열할 수 있는 레이어(61a, 62a)가 형성된 윈도우(61, 62)를 포함한다.
레이어(61a, 62a)는 안테나(40)에서 발생한 유도 전계에 영향을 크게 미치지 않는 재료로 형성되어, 유도 전계의 일부를 차폐하거나 처리실(A)에서 발생하는 플라즈마의 형성에 악영향을 주지 않도록 구성되는 것이 바람직하다.
이를 위해, 레이어(61a, 62a)에는 자화율이 낮은 전이금속산화물이 포함될 수 있다. 예를 들어, 레이어(61a, 62a)는 인듐주석산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 산화인듐아연(IZO, Indium Zinc Oxide), 알루미늄도핑산화아연(AZO, Al-doped zinc oxide), 산화아연(ZnO, zinc oxide) 및 불소도핑산화주석(FTO, F-doped Tin Oxide) 중 적어도 하나를 포함하여 구성될 수 있다.
레이어(61a, 62a)는 윈도우(61, 62)의 일면에 증착되는 방식으로 형성될 수 있다. 보다 구체적으로 레이어(61a, 62a)는 윈도우(61, 62)의 상면에 증착 형성될 수 있다. 실시예에 따라, 레이어(61a, 62a)는 윈도우(61, 62)의 하면에 증착 형성될 수도 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 레이어(61a, 62a, 63a, 64a)는 가열 전원(71 ~ 74)과 전기적으로 연결된다. 가열 전원(71 ~ 74)으로는 DC 전원이 사용될 수 있다.
레이어(61a, 62a, 63a, 64a)는 가열 전원(71 ~ 74)으로부터 전력이 인가되면 발열하고, 레이어(61a, 62a, 63a, 64a)의 열이 윈도우(61 ~ 64)로 전도되어 윈도우(61 ~ 64)가 가열된다.
대면적 기판을 처리하는 경우, 도 2에 도시된 바와 같이, 윈도우(61 ~ 64)가 복수 개로 분할되어 설치될 수 있다. 도 2에는 4개의 윈도우(61 ~ 64)가 설치되는 예를 도시하였으나, 윈도우의 설치 개수는 실시예에 따라 변형될 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 각 윈도우(61 ~ 64)는 일면에 레이어(61a, 62a, 63a, 64a)가 형성된 것이 사용될 수 있다. 그리고 레이어(61a, 62a, 63a, 64a)는 각각 독립적으로 가열 전원(71 ~ 74)과 연결될 수 있다. 이 경우, 각 윈도우(61 ~ 64)의 가열 온도는 개별적으로 조절될 수 있다.
예를 들어, 이전 공정에서 다른 윈도우(62 ~ 64) 보다 제1 윈도우(61)에 부착된 부산물이 많은 경우, 다음 공정에서는 제1 윈도우(61)의 온도가 더 높은 상태에서 유지되도록 제1 윈도우(61)의 레이어(61a)에 인가되는 가열 전원(71)의 파워를 향상시키거나, 가열 전원(71)으로부터 전력이 인가되는 시간을 늘릴 수 있다.
실시예에 따라서는 각 윈도우(61 ~ 64)가 하나의 가열 전원(71 ~ 74)에 직렬 또는 병렬로 연결되도록 구성될 수도 있다.
도 1 및 도 2에는 레이어(61a, 62a, 63a, 64a)가 윈도우(61 ~ 64)의 일면에만 형성된 예를 도시하였으나, 실시예에 따라 레이어(61a, 62a, 63a, 64a)는 윈도우(61 ~ 64)의 상면과 하면에 각각 형성될 수 있다.
이 경우, 가열 전원은 윈도우(61 ~ 64)의 상면에 형성된 레이어와 하면에 형성된 레이어에 각각 연결된다. 예를 들어, 제1 윈도우(61)의 상면에 형성된 레이어와 하면에 형성된 레이어는 제1 가열 전원(71)에 병렬 연결될 수 있다. 또는, 제1 윈도우(61)의 상면에 형성된 레이어와 하면에 형성된 레이어는 각각 서로 다른 가열 전원에 연결되어 독립적으로 온도가 제어될 수도 있다.
이하에서는, 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치에 대해 설명한다. 설명의 편의를 위하여 전술한 실시예와 유사한 부분은 동일한 도면부호를 사용하고, 전술한 실시예와 공통되는 부분은 그 설명을 생략한다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략도이고, 도 4는 도 3의 윈도우 보호 부재를 도시한 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(2)는, 전술한 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)와 달리, 윈도우(261, 262)에 레이어가 형성되지 않는다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(2)는 윈도우(261, 262)의 저면에 접하도록 구비되는 윈도우 보호부재(281, 282)를 더 포함한다. 윈도우 보호부재(281, 282)는 처리실(A) 내에서 기판(S)이 처리되는 동안 발생하는 부산물이 윈도우(261, 262)에 부착되는 것을 방지하고, 처리실(A)에 생성된 플라즈마에 의해 윈도우(261, 262)에 데미지가 가해지는 것을 방지한다.
윈도우 보호부재(281, 282)는 윈도우(261, 262)에 쉽게 탈착 가능하게 구비되어, 부산물이 일정량 이상 부착되거나, 플라즈마에 의해 데미지를 받은 경우, 교체된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치(2)에 사용되는 윈도우 보호부재(281, 282)는 일면에 레이어(281a)가 형성된다.
전술한 바와 같이, 레이어(281a)는 인듐주석산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 산화인듐아연(IZO, Indium Zinc Oxide), 알루미늄도핑산화아연(AZO, Al-doped zinc oxide), 산화아연(ZnO, zinc oxide), 불소도핑산화주석(FTO, F-doped Tin Oxide) 등의 자화율이 낮은 전이금속산화물을 포함하여 구성될 수 있으며, 윈도우 보호부재(281, 282)의 일면에 증착 형성될 수 있다.
레이어(281a)가 증착된 윈도우 보호부재(281, 282)의 일면은 윈도우(261, 262)의 저면(하부면)과 접하는 면이 되는 것이 바람직하다.
레이어(281a)는 윈도우 보호부재(281, 282)마다 형성될 수 있으며, 가열 전원(71 ~ 74)과 전기적으로 연결된다. 레이어(281a)는 가열 전원(71 ~ 74)으로부터 전력이 인가되면 발열하고, 레이어(281a)의 열이 윈도우(261, 262)로 전도되어 윈도우(261, 262)가 가열된다.
각 윈도우(261, 262)는 일면에 레이어(281a)가 형성된 것이 사용될 수 있다. 그리고 레이어는 각각 독립적으로 가열 전원(71 ~ 74)과 연결될 수 있다. 이 경우, 각 윈도우(261, 262)의 가열 온도는 개별적으로 조절될 수 있다.
이하에서는, 상술한 기판 처리 장치(1, 2)를 이용한 기판 처리 방법에 대해 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법은, 피처리 기판을 진입시키는 단계(S11), 레이어에 전력을 인가하는 단계(S12), 윈도우를 가열하는 단계(S13), 레이어에 공급되는 전력을 차단하는 단계(S14), 안테나에 전력을 공급하는 단계(S15) 및 피처리 기판을 처리하는 단계(S16)를 포함한다.
피처리 기판을 진입시키는 단계(S11)에서는 피처리 기판(S)을 챔버(10)의 처리실(A)로 반입한다. 피처리 기판(S)은 로봇암 등에 이송 장치(미도시)에 의해 챔버(10)의 게이트(11)를 통과하여 처리실(A) 내로 반입된 후, 스테이지(30)에 안착된다. 스테이지(30)에 피처리 기판(S)이 안착된 이후, 정전척 등에 의해 피처리 기판(S)은 스테이지(30) 상에 고정된다.
한편, 피처리 기판(S)이 스테이지(30)에 안착되고, 피처리 기판(S)을 처리실(A) 내로 반입한 이송 장치가 게이트(11)를 통해 챔버(10)의 외부로 반출되면, 게이트 밸브(12)는 게이트(11)를 폐쇄한다.
게이트(11)가 폐쇄된 이후에는 배기홀(20)을 통해 처리실(A) 내부가 진공 배기되어 진공 분위기가 된다.
레이어에 전력을 인가하는 단계(S12)에서는 가열 전원(71 ~ 74)을 이용해 레이어(61a, 62a, 63a, 64a, 218a)에 전력을 공급한다.
윈도우를 가열하는 단계(S13)는 윈도우(61 ~ 64, 261, 262)가 미리 설정한 온도에 도달할 때까지 진행될 수 있다. 기판 처리 장치(1, 2)는 윈도우(61 ~ 64, 261, 262)의 온도를 측정하는 온도 센서(미도시)를 포함할 수 있으며, 온도 센서의 측정값에 따라 가열 전원(71 ~ 74)이 제어되어, 윈도우(61 ~ 64, 261, 262)가 미리 설정된 온도까지 가열되면 가열 전원(71 ~ 74)은 윈도우(61 ~ 64, 261, 262)에 공급되는 전력을 차단할 수 있다(S14). 윈도우(61 ~ 64, 261, 262)에 공급되던 전력이 차단되더라도 윈도우(61 ~ 64, 261, 262)는 일정 시간 동안 가열된 상태를 유지한다.
또는, 윈도우를 가열하는 단계(S13)는 미리 설정한 시간 동안 진행될 수 있다. 가열 전원(71 ~ 74)은 일정 시간 동안 윈도우(61 ~ 64, 261, 262)에 전력을 공급하여 윈도우(61 ~ 64, 261, 262)가 가열되도록 한 후, 일정 시간이 경과하면 윈도우(61 ~ 64, 261, 262)에 공급되는 전력을 차단할 수 있다(S14).
레이어에 전력을 인가하는 단계(S12) 및 윈도우를 가열하는 단계(S13)는 피처리 기판을 진입시키는 단계(S11)와 동시에 진행되거나, 피처리 기판을 진입시키는 단계(S11) 이전에 진행되거나, 피처리 기판을 진입시키는 단계(S11) 이후에 진행될 수 있다. 다만, 처리실(A) 내에 플라즈마가 발생하기 이전에 윈도우(61 ~ 64, 261, 262)가 충분히 가열될 수 있도록 윈도우를 가열하는 단계(S13)는 피처리 기판을 진입시키는 단계(S11)와 동시에 진행되거나, 피처리 기판을 진입시키는 단계(S11) 이전에 진행되는 것이 바람직하다.
안테나에 전력을 공급하는 단계(S15)에서는 안테나(40)에 고주파 전력을 인가한다. 안테나(40)에 인가된 고주파 전력에 의해 처리실(A) 내에는 유도 전계가 생성되고, 처리실(A)로 공급된 처리 가스는 유도 전계에 의해 플라즈마화되어 처리실(A) 내에 플라즈마가 생성된다.
윈도우에 공급되는 전력을 차단하는 단계(S14)는 안테나에 전력을 공급하는 단계(S15) 이전에 진행되는 것이 바람직하다.
피처리 기판을 처리하는 단계(S16)에서는 처리실(A) 내에 발생한 플라즈마를 이용해 피처리 기판(S)을 처리한다. 예를 들어, 피처리 기판을 처리하는 단계(S16)에서는 플라즈마를 이용해 피처리 기판(S)에 대한 에칭 처리가 진행될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 장치(1, 2)는 윈도우(61 ~ 64, 261, 262)에 부산물이 잘 부착되지 않으므로, 피처리 기판(S)이 처리되는 중에 발생되는 부산물은 윈도우(61 ~ 64, 261, 262)에 잘 부착되지 않고, 상대적으로 온도가 낮은 배기홀(20) 측으로 이동하여 챔버(10) 외부로 배출된다.
또한, 윈도우(61 ~ 64, 261, 262)에 부산물이 잘 부착되지 않으므로 윈도우(61 ~ 64, 261, 262)의 유지 보수가 보다 용이해지고, 윈도우(61 ~ 64, 261, 262)에 부착되었던 부산물이 공정 중에 기판(S) 측으로 낙하하며 발생되는 악영향도 감소된다.
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
1: 기판 처리 장치 10: 챔버
11: 게이트 12: 게이트 밸브
20: 배기홀 30: 스테이지
40: 안테나 50: 윈도우 지지 프레임
61 ~ 64, 261, 262: 윈도우 61a ~ 64a, 281a: 레이어
71 ~ 74: 가열 전원 281, 282: 윈도우 보호 부재
A: 처리실 B: 안테나실
S: 피처리 기판

Claims (11)

  1. 피처리 기판을 수용하는 처리실;
    상기 처리실 내에 수용되는 상기 피처리 기판과 마주하도록 배치되는 안테나; 및
    상기 안테나와 상기 처리실 사이에 구비되며, 적어도 일면에 전이금속산화물이 포함된 레이어가 증착 형성된 윈도우;를 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 레이어에 전력을 인가하는 가열 전원을 더 포함하고,
    상기 레이어는 상기 가열 전원으로부터 전력을 인가받아 가열되는, 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 레이어가 가열됨에 따라 상기 레이어의 열이 전도되어 상기 윈도우가 가열되는, 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 전이금속산화물은 인듐주석산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 산화인듐아연(IZO, Indium Zinc Oxide), 알루미늄도핑산화아연(AZO, Al-doped zinc oxide), 산화아연(ZnO, zinc oxide) 및 불소도핑산화주석(FTO, F-doped Tin Oxide) 중 적어도 하나를 포함하는, 기판 처리 장치.
  5. 삭제
  6. 피처리 기판을 수용하는 처리실;
    상기 처리실 내에 수용되는 상기 피처리 기판과 마주하도록 배치되는 안테나;
    상기 안테나와 상기 처리실 사이에 구비되는 윈도우; 및
    일면에 전이금속산화물이 포함된 레이어가 증착 형성되고, 상기 레이어가 상기 윈도우의 저면에 접하도록 구비되는 윈도우 보호부재를 포함하는, 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 레이어에 전력을 인가하는 가열 전원을 더 포함하고,
    상기 레이어는 상기 가열 전원으로부터 전력을 인가받아 가열되는, 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 레이어가 가열됨에 따라 상기 레이어의 열이 전도되어 상기 윈도우가 가열되는, 기판 처리 장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 전이금속산화물은 인듐주석산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 산화인듐아연(IZO, Indium Zinc Oxide), 알루미늄도핑산화아연(AZO, Al-doped zinc oxide), 산화아연(ZnO, zinc oxide) 및 불소도핑산화주석(FTO, F-doped Tin Oxide) 중 적어도 하나를 포함하는, 기판 처리 장치.
  10. 처리실 내에 기판을 진입시키는 단계;
    상기 처리실과 안테나 사이에 구비되는 윈도우의 일면 상에 증착 형성된 전이금속산화물이 포함된 레이어에 전력을 인가하는 단계;
    상기 레이어에 의해 상기 윈도우가 가열되는 단계; 및
    상기 안테나에 전력을 공급하여 상기 기판을 처리하는 단계를 포함하는, 기판 처리 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 안테나에 전력을 공급하기 이전에 상기 레이어에 공급되던 전력을 차단하는 단계를 더 포함하는, 기판 처리 방법.
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JP4672113B2 (ja) * 2000-07-07 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 誘導結合プラズマ処理装置
JP4905381B2 (ja) * 2007-02-27 2012-03-28 東京エレクトロン株式会社 被処理体の熱処理装置及び熱処理方法
KR101358780B1 (ko) * 2007-07-20 2014-02-04 최대규 히터가 설치된 유도 결합 플라즈마 소스를 구비한 플라즈마반응기
KR101459724B1 (ko) * 2013-03-21 2014-11-12 서울과학기술대학교 산학협력단 탄화규소와 전기 전도성 성분이 함유된 히터용 조성물 및 히터
KR101486716B1 (ko) * 2013-05-20 2015-01-28 주식회사 나노텍 셀프 플라즈마 챔버 오염 억제 장치
KR101543696B1 (ko) * 2013-10-31 2015-08-12 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR101734371B1 (ko) * 2015-08-12 2017-05-15 한국세라믹기술원 원적외선 히터 소자 제조방법

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