JPH06260687A - ガス処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 セラミックスヒータの抵抗発熱線の端子部の
腐食やショートを防止し、また熱電対の測定値を安定化
し、これにより安定した成膜処理やエッチング処理など
を行うこと。 【構成】 セラミックス体３の中にセラミックスと近似
した熱膨張率を有する金属管５２を埋設してその端部を
露出すると共に、この端部とシースワイヤ５の拡径部５
１とをろう付けにより接合し、これにより端子部４１を
処理室２内の雰囲気から隔離する。また金属管５２を埋
設せずにセラミックス体３の表面部にろう付けにより接
合してもよいし、金属管５３内を不活性ガスあるいは、
減圧雰囲気とすれば端子部の酸化が抑えられる。またセ
ラミックス体３の中に埋設された金属管５３の中にシー
ス熱電対７の先端部を密入してろう付けし測定部７０を
処理室２内の雰囲気から隔離して、レスポンスが真空度
に影響されないようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ガス処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造工程では、シリコンなどの半
導体ウエハ（以下「ウエハ」という）上に集積回路を形
成するために、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）やスパッタリングなどの成膜
処理が行われる。このような成膜処理では薄膜をウエハ
上に均一に処理するためにウエハの全面を所定の温度に
均一に加熱維持することが重要な技術となっている。

【０００３】ウエハを加熱する方法としては大別してヒ
ータによる加熱とランプなどのエネルギー線を用いる方
法とがあり、このうち例えばセラミックスヒータを用い
た成膜処理装置は従来次のように構成されている。図７
は従来装置を示す図であり、真空チャンバよりなる処理
室の下部には、ウエハ載置台を兼用するセラミックス体
１が配置され、このセラミックス体１の中には例えばＷ
（タングステン）などの抵抗発熱線１１が埋設されてい
る。この抵抗発熱線１１の両端部は端子部１２を介し
て、セラミックス体１の外から配線された例えば銅より
なる給電線１３に接続されており、この給電線１３はス
テンレスなどよりなるシースワイヤ１４に囲まれて処理
室の壁１５の外に引き出されている。

【０００４】またセラミックス体１の中には、通常シー
ス熱電対と呼ばれる熱電対ユニット１６が挿入され、こ
れによりセラミックス体１の温度制御が行われる。この
シース熱電対１６は、例えば熱電対をステンレスなどよ
りなるシースワイヤの中に収納して構成され、セラミッ
クス体１の下部に例えば穴１７を形成してこの穴１７の
中に挿入されている。

【０００５】このような成膜処理装置では、処理室内を
所定の真空度にして成膜ガスを供給すると共に、抵抗発
熱線１１に給電線１３を介して給電することによりセラ
ミックス体１を加熱し、シース熱電対１６の温度検出値
にもとずいてセラミックス体１の温度、つまりウエハ１
８の温度を一定になるようにコントロールして成膜を行
っている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで給電線１２を
覆っているシースワイヤ１４は金属であるため、セラミ
ックス体１とは熱膨脹率が大きく異なり、成膜処理の温
度は例えば６００℃〜７００℃もの高温であることから
シースワイヤ１４とセラミックス体１とを接合したとし
ても割れが起きやすく、これらを接合することが非常に
困難である。このため端子部１２は露出していて処理室
１０の中の雰囲気と接触することとなるが、成膜ガスと
してはハロゲン化ガスを用いることが多いので、気相反
応により腐食性の強いハロゲンガスが生成され、しかも
プロセス中は高温となってハロゲンガスの腐食性が極め
て強くなるため、端子部１２が腐食し、その寿命が短か
った。また端子部１２の腐食の問題の他にも端子部１２
間に導電性のある膜が付着してショートを起こすことが
あった。この結果抵抗発熱線１１に安定して電力を供給
することができなくなってセラミツク体１の温度即ちウ
エハ１８の温度が不安定になり、膜厚の面内均一性が悪
くなるなど所定の成膜処理が行えないことがあった。

【０００７】そこでセラミックス体１の裏側に不活性ガ
スをバックサイドガスとして流し、これにより端子部１
２と反応生成ガスとの接触を避けると共に、端子部１２
間の膜付けを防止することも行われているが、この場合
バックサイドガスの流量を可成り大きくしないと効果が
ないためウエハ表面のガスの流れに影響を与え、成膜処
理が不安定になおそれがある。

【０００８】一方シース熱電対についても次のような問
題がある。即ちウエハ１８を載置台（セラミックス体）
１の上に載置した後、処理ガスを処理室内に導入する前
の処理室１０内の圧力は例えば数ミリＴｏｒｒ程度であ
り、処理時の圧力は数百ミリＴｏｒｒ程度である。ここ
で数ミリＴｏｒｒの圧力のときには主に輻射熱により熱
が伝わり、数百ミリＴｏｒｒの圧力のときにはガス分子
による熱伝導も大きく寄与するため、熱電対のレスポン
スは処理ガスを導入する前よりも導入した後の方が早く
なる。従って例えば温度コントローラ側で処理時の熱電
対のレスポンス分を考慮して制御したとしても、処理ガ
スの導入により圧力が大きく変化したときに温度がオー
バーシュートしてしまうなど成膜初期時の温度が不安定
になることがあった。この場合処理時間が短いと、初期
の温度不安定の状態が成膜に大きく影響を及ぼし、この
結果安定した成膜処理が行えないという欠点がある。

【０００９】このように従来のセラミックスヒータを用
いて例えば成膜処理を行う場合、正確な温度制御ができ
なくなって成膜処理が不安定になり、特に今後パターン
の微細化が進むことからデバイスの特性に悪影響を与
え、歩留まりが低下するなどの問題がある。

【００１０】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は、被処理体に対して安定した
処理を行うことのできるガス処理装置を提供することに
ある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、セラ
ミックス体の中に抵抗発熱体を内蔵してなるセラミック
スヒータを気密な処理室の中に配置し、給電線の一端を
端子部を介して抵抗発熱体に接続すると共に他端側を前
記処理室の外に配線してなるガス処理装置において、前
記端子部と給電線とを金属管の中に当該金属管とは絶縁
された状態で収納し、この金属管の一端側をセラミック
ス体の中に埋設すると共に他端側を処理室の壁部に気密
に接合して端子部及び給電線を処理室内の雰囲気から隔
離し、前記金属管の少なくともセラミックス体に埋設さ
れる部分は、セラミックス体に近似した熱膨脹率を有す
るものであることを特徴とする。

【００１２】請求項２の発明は、セラミックス体の中に
抵抗発熱体を内蔵してなるセラミックスヒータを気密な
処理室の中に配置し、給電線の一端を端子部を介して抵
抗発熱体に接続すると共に他端側を前記処理室の外に配
線してなるガス処理装置において、前記端子部と給電線
とをセラミックス管の中に収納し、このセラミックス管
の一端側をセラミックス体と一体的に接合すると共に他
端側を処理室の壁部に気密に接合して端子部及び給電線
を処理室内の雰囲気から隔離したことを特徴とする。

【００１３】請求項３の発明は、セラミックス体の中に
抵抗発熱体を内蔵してなるセラミックスヒータを気密な
処理室の中に配置し、給電線の一端を端子部を介して抵
抗発熱体に接続すると共に他端側を前記処理室の外に配
線してなるガス処理装置において、一端側が前記セラミ
ックス体に近似した熱膨張率を有する金属により構成さ
れた金属管の中に、前記端子部と給電線とを当該金属管
とは絶縁された状態で収納し、この金属管の一端側をセ
ラミックス体に気密に接合すると共に他端側を処理室の
壁部に気密に接合して端子部及び給電線を処理室内の雰
囲気から隔離したことを特徴とする。

【００１４】請求項４の発明は、請求項１、２または３
記載の発明において、金属管またはセラミックス管の中
を減圧雰囲気または不活性ガス雰囲気にしたことを特徴
とする。

【００１５】請求項５の発明は、加熱部により被処理体
を加熱しながら処理室内で減圧雰囲気においてガス処理
を行うと共に、加熱温度を熱電対の測定値にもとずいて
制御するガス処理装置において、前記熱電対の測定部を
処理室内の雰囲気から隔離したことを特徴とする。

【００１６】請求項６の発明は、請求項５記載の発明に
おいて、熱電対の測定部はガス雰囲気の中に置かれてい
ることを特徴とする。

【００１７】

【作用】請求項１〜請求項３の発明によれば、抵抗発熱
体の端子部は処理室の雰囲気から隔離されるので腐食性
のガスが処理ガスとして用いられたりあるいは反応時に
生成されても、端子部の腐食が防止され、また端子部間
が成膜ガスの付着によりショートするといったことも防
止できる。更に請求項４の発明のように金属管あるいは
セラミックス管内を減圧雰囲気または不活性ガス雰囲気
とすれば、端子部の酸化を抑制できる。

【００１８】また請求項５の発明によれば熱電対の測定
部は処理室内の雰囲気と隔離されているので、測定部の
レスポンスが処理室２内の圧力の変化に影響を受けずに
安定した温度制御を行うことができる。更に請求項６の
発明によれば熱電対の測定部がガス雰囲気に置かれてい
るので温度制御のレスポンスが高く、高精度な温度管理
が可能となる。

【００１９】

【実施例】図１は本発明のガス処理装置をＣＶＤ装置に
適用した実施例の要部を示す図、図２はこの実施例の全
体構成を示す図である。図２において２は被処理体に対
してＣＶＤを行うための気密にシールされた処理室であ
り、この処理室２の上部には、例えばＴｉＣｌ₄ ガス及
びＮＨ₃ ガスを当該処理室２の中に供給するためのガス
供給部２１が配設されている。

【００２０】また前記処理室２の底部には排気管２２が
接続されており、図示しない真空ポンプにより処理室２
内を所定の真空度に維持できるようになっている。前記
処理室２の側壁には、図示しないロードロック室との間
を開閉するためのゲートバルブＧ１、Ｇ２が設けられて
いる。

【００２１】前記処理室２の底部には、前記ガス供給部
２１と対向するようにセラミックスヒータ３０が設けら
れ、このセラミックスヒータ３０はウエハ載置台を兼用
する、例えば窒化アルミニウム（ＡＩＮ）、窒化シリコ
ン（ＳｉＮ）あるいは酸化アルミニウム（ＡＩ₂ Ｏ₃ ）
などからなるセラミックス体３を備えている。このセラ
ミックス体（ウエハ載置台）３は、中心部にて支持ロッ
ド３１を介して処理室２の底面に固定支持されると共
に、周縁部付近にて、処理室２の底面に下端が固定され
た支持ロッド３２の上端に固定されずに支持されてい
る。このようにセラミックス体３の周縁部が支持ロッド
３２にフリーな状態で支持させている理由は、セラミッ
クス体３の熱変形を吸収するためである。

【００２２】そして前記セラミックス体３の中には、例
えばタングステン（Ｗ）、モリブテン（Ｍｏ）、タンタ
ル（Ｔａ）あるいはニッケルークロム合金（Ｎｉ−Ｃ
ｒ）などよりなる抵抗発熱線３３が埋設されており、こ
の抵抗発熱線３３の両端は、端子部４１を介して給電線
４に接続されている。この端子部４１及びこれを取りま
く構造に関して説明すると、給電線４は線径が例えば
０．５〜３ｍｍの銅（Ｃｕ）線よりなり、例えばＳＵＳ
３１６やインコネルあるいはハステロイなどの金属管よ
りなるシースワイヤ５に覆われている。

【００２３】このシースワイヤ５の下端は、処理室２の
底壁部２ａに例えば底面のフランジ２３に気密に接合さ
れ、内部の給電線４はこのフランジ２３及び処理室２の
底壁部２ａを通って外部の図示しない電源に接続されて
いる。前記シースワイヤ５の上端部には、拡径部５１が
形成されており、例えば拡径部５１の径及び肉厚は、夫
々６〜１２ｍｍ及び、０．５〜２ｍｍの大きさとされ、
それ以外のシースワイヤ５の径は１〜６ｍｍの大きさと
される。一方前記セラミックス体３の中には、例えば長
さが５〜１０ｍｍである金属管５２が埋設されており、
この金属管５２としては、セラミックスと一緒に焼結可
能な金属、例えばセラミックスと膨脹率が近似したタン
グステンやモリブテンなどが用いられる。また金属管５
２の下端は後述のようにシースワイヤ５と係合されるの
で露出していることが必要であるが、例えば焼結成型時
の容易さの点からすれば金属管５２の下端面はセラミッ
クス体３の下面と同じ高さであることが好ましい。

【００２４】前記金属管５２の下端とシースワイヤ５の
上端（拡径部５１の上端）とは、例えば金（Ａｕ）やニ
ッケルなどのロー材５０を用いて互にろう付けされ、互
の接合面積を大きくとるために、例えば金属管５２の下
端とシースワイヤの上端とは互に係合する段状の形状に
作られている。

【００２５】前記セラミックス体３における金属管５２
で囲まれた部分には、タングステンやモリブテンなどか
らなり、中央にネジ穴を有する、例えば３〜５ｍｍの径
の円柱状の接続体４２が埋設されている。この接続体４
２には、給電線４の先端が例えば金やニッケルなどのろ
う材によりろう付けして接続され、これにより給電線４
は接続体４２を介して抵抗発熱線３３に電気的に接続さ
れることとなる。なおこの接続を強固なものにするため
この例ではネジ４３を接続体４２に螺合させることによ
り給電線４を接続体４２に押し付けている。

【００２６】前記シースワイヤ５の中には、シースワイ
ヤ５と給電線４とを絶縁するために、例えば酸化マグネ
シウム（ＭｇＯ）の粉体よりなる絶縁体６が充填されて
いる。ただしシースワイヤ５の上端部においては、絶縁
性の仕切り板６１により、絶縁体６と仕切られた空間が
形成され、この空間には例えば酸化マグネシウムよりな
る絶縁リング６２がシースワイヤ５と同心円状に設けら
れている。

【００２７】そして前記セラミックス体３の中にはシー
ス熱電対７の先端部が投入され、その測定部７０が処理
室２内の雰囲気と隔離されている。このシース熱電対７
に関して詳しく述べると、シース熱電対７は、ＳＵＳ３
１６、インコネルあるいはハステロイなどの金属管より
なるシースワイヤ７１内に熱電対７２が収容されてお
り、シースワイヤ７１の中には、熱電対７２との絶縁を
図るために例えば酸化マグネシウムなどの粉状の絶縁体
７２ａが充填されている。

【００２８】一方前記セラミックス体３の下面側には、
例えば外径が３〜５ｍｍの金属管７３がセラミックス体
３の下面側に埋設されており、この金属管７３の中にシ
ース熱電対７の先端部が密入されて、丸形の先端と金属
管７３及びセラミックス体３との間には隙間Ｓが形成さ
れると共に、シースワイヤ７１の外周面と金属管７３の
内周面とが例えば金やニッケルなどのろう材７４により
ろう付けされる。

【００２９】前記金属管７３としては、セラミックスと
一緒に焼結可能な金属、例えばセラミックスと熱膨脹率
が近似したタングステンやモリブデンなどが用いられ
る。このような構造は、例えばタングステンなどからな
る円柱体をセラミックス体３の中に埋め込んでセラミッ
クス体３と共に焼結すると共に、この円柱体の中心部分
にシースワイヤ７１に相当する径の穴を例えば放電加工
により形成し、この穴の中にシース熱電対７を密入し、
ろう付けすることにより得られる。またこのシース熱電
対７は、処理室２の外に引き出されて図示しない温度制
御手段に接続される。この例ではシース熱電対７は２個
所に設けられているが、その数は１個であっても３個以
上であってもよい。

【００３０】なお上述実施例において、セラミックス体
３に埋め込まれる金属管は合金よりなるものであっても
よいし、ろう材については銀、クロムあるいは銅などを
用いてもよい。

【００３１】次に上述実施例の作用について述べる。先
ず被処理体であるウエハ１８をゲートバルブＧ１を介し
て図示しない搬送手段により処理室２内に導入し、載置
台即ちセラミックス体３の上に載置すると共に、図示し
ない電源部から給電線４を介して抵抗発熱線３３に給電
してセラミックス体３を加熱し、これによりウエハ１８
を所定温度に加熱する。一方ガス供給部２１を介して処
理室２内に処理ガス例えばＴｉＣｌ₄ ガスとＮＨ₃ ガス
とを所定の流量で導入し、図示しない真空ポンプにより
排気管２２を介して排気することにより処理室２内を所
定の真空度に維持する。

【００３２】そして熱電対７の測定部７０がセラミック
ス体３から前記隙間Ｓを通して伝熱される熱に応じた温
度を検出し、図示しない温度制御部に温度測定値が入力
されて抵抗発熱線３３の電力制御つまりウエハ１８の温
度制御が行われる。

【００３３】このような実施例によれば、抵抗発熱線３
３の端子部４１及びシース熱電対７に関して次のような
効果がある。即ちセラミックス体３に埋設された金属管
５２とシースワイヤ５とがろう付けにより接合されてい
るので端子部４１が処理室２内の雰囲気から隔離され、
このため腐食性のガスが処理ガスとして用いられたり、
あるいは反応時に生成されても端子部４１の腐食が防止
されるし、また端子部４１間が成膜ガスの付着によりシ
ョートするといったことも防止できる。

【００３４】そしてこのような接合構造では、金属管５
２の熱膨脹率がセラミックス体３と近似しているのでセ
ラミックス体３が割れたりこれらの間に隙間が生じたり
することもない。またろう付けにより金属管５２とろう
材５０とが合金化し、またシースワイヤ５とろう材５０
とが合金化するので、金属管５２とシースワイヤ５との
接合部分に界面がなくなり、この接合部にて両金属の熱
膨脹率の差に伴う熱応力が吸収され、この結果割れなど
が起こることもなくシースワイヤ５はセラミックス体３
の下面側から外れない。

【００３５】またシース熱電対７の測定部７０は処理室
２内の雰囲気と隔離されているため、測定部７０のレス
ポンスが処理室２内の圧力の変化に影響を受けることが
ない。従って処理ガスの導入時に処理室２内の圧力が大
きく変化しても測定値が安定するので安定した温度制御
を行うことができる。なお前記隙間Ｓはろう付け時の例
えば１０００℃以上の温度条件下で形成されるため、成
膜時に高圧になることはない。

【００３６】このように抵抗発熱線３３の端子部４１に
おける腐食やショートがなく、また熱電対の測定部７４
のレスポンスも安定していることから、安定した成膜処
理を行うことができる。

【００３７】以上において、本発明は、図３に示すよう
に、セラミックスと熱膨脹率が近似した一本の金属管８
の先端部をセラミックス体３の中に埋設し、この金属管
８の中に既述した端子部４１を設けるようにしてもよい
し、このような金属管８を用いる代わりにセラミックス
で作ったセラミックス管の先端をセラミックス体３に一
体的に焼結成形してもよい。セラミックス管を用いる場
合には、その他端部に接合されるフランジは例えばセラ
ミックスと熱膨張率が近似した金属を用いればよい。

【００３８】そしてまたシース熱電対７については、上
述実施例のように隙間Ｓを形成する代わりに、この隙間
Ｓを図４に示すようにろう材７４で封入してもよいし、
あるいはまた金属管７３を用いずにシース熱電対７の先
端部を直接セラミックス体３に埋め込んでもよい。更に
またシース熱電対７は、セラミックスヒータに限らずラ
ンプなどの加熱部を用いる場合にも測定部を処理室内の
雰囲気から隔離する構造を採用することによって同様の
効果が得られる。

【００３９】ここで更に他の実施例について図５を参照
しながら説明する。先ずこの実施例の給電線に係る構造
に関して述べると、セラミックス体３の下面には金属管
５３の一端側（上端側）が気密に接合されている。この
金属管５３は、成形ベローズなどと呼ばれているステン
レス製あるいはハステロイ、インコネルベローズ体より
なるフレキシブルチューブ５４を備え、このフレキシブ
ルチューブ５４の一端（上端）にはステンレス製のエン
ドピース５５が固着され、更にエンドピース５５の一端
（上端）には、セラミックス体３に近似した熱膨張率を
有する金属例えばモリブデンよりなるリング体５６がろ
う材５０によりろう付けされている。

【００４０】前記リング体５６の下端部は外周面を縮径
化した縮径段部として構成され、この縮径段部にエンド
ピース５５の上端部が嵌合している。そしてエンドピー
ス５５の内周面にはリング体５６に嵌合している部位か
ら下方に向かうにつれて次第に内径が小さくなるように
傾斜した傾斜面５５ａが形成されている。前記リング体
５６の上端部は内周面を拡径化した拡径段部として構成
される一方、セラミックス体３の下面にはリング状に溝
５７が形成され、前記拡径段部が溝５７の内周面に嵌合
されかつろう材５０によりろう付けされている。

【００４１】このような接合構造によれば、セラミック
ス体３の破損を防止できる。即ち仮にエンドピース５５
をセラミックス体３に直接接合すると、熱膨張率が大き
く異なるのでセラミックスが引張力を受け、セラミック
スは引張力に弱いので破損のおそれがあるが、リング体
５６はセラミックスと熱膨張率が近似しているのでセラ
ミックスには大きな引張力が作用しない。またエンドピ
ース５５はリング体５６よりも熱膨張率が大きく、仮に
エンドピース５５における接合端部の肉厚が大きいと変
形が起こらず破壊のおそれがあるが、その肉厚を小さく
してあるため変形が起こり、破壊が防止される。なおエ
ンドピース５５の下端部はフレキシブルチューブ５４と
の接合（溶接）にある程度の厚さが必要なため、エンド
ピース５５の内面は傾斜面５５ａとなっている。

【００４２】一方前記金属管５３の中には、例えばセラ
ミックスなどの繊維よりなる耐熱性を有した絶縁チュー
ブ４５で被覆された例えばモリブデンよりなる給電線４
４が挿通されている。前記セラミックス体３の下面側に
は、セラミックス体に近似した熱膨張率を有する金属、
例えばモリブデンよりなる端子部４５が埋設されてお
り、前記給電線４４の上端部の露出端が端子部４５の中
央の孔の中に挿入され、ろう材５０により端子部４５に
ろう付けされており、これにより抵抗発熱線３３は端子
部４５を介して給電線４４に接続されることとなる。

【００４３】次に図５に示す熱電対に係る構造に関して
述べると、この例では図１の実施例と同様のシース熱電
対７が用いられ、このシース熱電対７の先端部がセラミ
ックス体３の下面の凹部７６内に挿入されると共に、シ
ース熱電対７は、給電線４４に関して述べたと同様の金
属管５３の中に挿通されている。

【００４４】前記金属管５３のフレキシブルチューブ５
４は図６に示すように処理室２の底壁２ａを挟んで分割
されており、処理室２の外のフレキシブルチューブ５４
は、処理室２とは別個に設けられた気密なチャンバ９に
気密に接続されている。なお図中２５はフレキシブルチ
ューブ５４の端部に接続されるフランジ部である。前記
フレキシブルチューブ５４の内部空間は、前記エンドピ
ースの端部側から処理室２の底壁２ａ及びチャンバ９の
壁部を介してチャンバ９内に連通しており、また絶縁チ
ューブ４５で覆われた給電線４４及び熱電対７２はチャ
ンバ９内を通った後夫々図示しない電源及び測温器へ引
き回わされる。

【００４５】前記チャンバ９には排気管９１及びガス供
給管９２が接続されており、排気管９１及びガス供給管
は、夫々バルブＶ１、Ｖ２例えばニューマチックバルブ
を介して図示しない真空ポンプ及び不活性ガス例えばＨ
ｅガスの供給源に接続されている。

【００４６】このような実施例においては、チャンバ９
及び金属管５３内を真空引きした後例えばＨｅガスを大
気圧になるように内部に充填している。従ってこの実施
例においても先述の実施例と同様に抵抗発熱線３３の端
子部における腐食やショートのおそれがないし、また熱
電対の測定部のレスポンスも安定しているという効果が
得られるが、更に給電線４４や端子部４５の酸化を防止
できる上、不活性ガスによって熱が運ばれるので熱電対
の測定部のレスポンスが早く、温度制御のレスポンスを
高めることができる。ただし不活性ガスとしてはＨｅガ
スに限らず、Ａｒガス、Ｎ₂ ガスなどであってもよい
し、不活性ガスを封入することなく真空雰囲気としても
よい。また万一セラミックス体３が破壊した場合などに
対応するためチャンバ９内の圧力を圧力計９３により監
視し、この圧力値が急変したとき、例えば急減したとき
に制御部９４によりバルブＶ１、Ｖ２を閉じて系外と遮
断し、処理室２内の有毒ガスが系外に流出するのを防止
している。そしてこの実施例では、そしてまたフレキシ
ブルチューブ５４をシース材として用いているので金属
管５３の長さ調節を行うことができ、従って金属管の長
さ寸法と設置位置との関係を厳密に合わせなくてよいた
め設置性が良い。

【００４７】なお被処理体としてはウエハに限られるも
のではないし、またガス処理についても成膜処理に限ら
ずエッチング処理などであってもよい。

【００４８】

【発明の効果】請求項１及び請求項３の発明によれば、
セラミックスヒータの抵抗発熱体の端子部が処理室内の
雰囲気から隔離されているため、腐食やショートが起こ
ることがなく、このため安定した温度制御を行うことが
でき、安定したガス処理を行うことができる。そして端
子部と給電線とを囲む金属管において、少なくともセラ
ミックス体に埋設されている部分あるいは接合部分はセ
ラミックス体の熱膨脹率に近似しているので、セラミッ
クス体が割れたり金属管との間に隙間が生じたりするこ
ともない。

【００４９】請求項２の発明によれば、請求項１の発明
と同様の効果が得られ、またセラミックス管を用いてい
るのでセラミックス体との間で熱応力による割れなどが
起こらない。そして請求項４の発明のように金属管ある
いはセラミックス管内を減圧雰囲気または不活性ガス雰
囲気とすれば、端子部の酸化を抑制できる。

【００５０】請求項５の発明によれば、熱電対の測定部
が処理室内の雰囲気と隔離されているため、測定時のレ
スポンスが圧力の大きさに影響しないので、熱電対の測
定値が安定し、この結果安定したガス処理を行うことが
でき、更に請求項６の発明によれば温度制御のレスポン
スが高くなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の要部を示す断面図である。

【図２】本発明の実施例の全体構成を示す断面図であ
る。

【図３】本発明の他の実施例の要部を示す断面図であ
る。

【図４】本発明の更に他の実施例の要部を示す断面図で
ある。

【図５】本発明の更にまた他の実施例の要部を示す断面
図である。

【図６】図５の実施例の全体構成を示す概略図である。

【図７】従来の成膜処理装置に用いられたセラミックヒ
ータを示す断面図である。

【符号の説明】

２ 処理室 ３ セラミックス体 ４１ 端子部 ４、４４ 給電線 ５ 金属管であるシースワイヤ ５０ ろう材 ５２ 金属管 ５４ フレキシブルチューブ ７ シース熱電対 ７２ 熱電対 ７３ 金属管 ７４ 測定部 ９ 気密なチャンバ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 セラミックス体の中に抵抗発熱体を内蔵
   してなるセラミックスヒータを気密な処理室の中に配置
   し、給電線の一端を端子部を介して抵抗発熱体に接続す
   ると共に他端側を前記処理室の外に配線してなるガス処
   理装置において、 前記端子部と給電線とを金属管の中に当該金属管とは絶
   縁された状態で収納し、この金属管の一端側をセラミッ
   クス体の中に埋設すると共に他端側を処理室の壁部に気
   密に接合して端子部及び給電線を処理室内の雰囲気から
   隔離し、前記金属管の少なくともセラミックス体に埋設
   される部分は、セラミックス体に近似した熱膨脹率を有
   するものであることを特徴とするガス処理装置。
2. 【請求項２】 セラミックス体の中に抵抗発熱体を内蔵
   してなるセラミックスヒータを気密な処理室の中に配置
   し、給電線の一端を端子部に介して抵抗発熱体に接続す
   ると共に他端側を前記処理室の外に配線してなるガス処
   理装置において、 前記端子部と給電線とをセラミックス管の中に収納し、
   このセラミックス管の一端側をセラミックス体と一体的
   に接合すると共に他端側を処理室の壁部に気密に接合し
   て端子部及び給電線を処理室内の雰囲気から隔離したこ
   とを特徴とするガス処理装置。
3. 【請求項３】 セラミックス体の中に抵抗発熱体を内蔵
   してなるセラミックスヒータを気密な処理室の中に配置
   し、給電線の一端を端子部を介して抵抗発熱体に接続す
   ると共に他端側を前記処理室の外に配線してなるガス処
   理装置において、 一端側が前記セラミックス体に近似した熱膨張率を有す
   る金属により構成された金属管の中に、前記端子部と給
   電線とを当該金属管とは絶縁された状態で収納し、この
   金属管の一端側をセラミックス体に気密に接合すると共
   に他端側を処理室の壁部に気密に接合して端子部及び給
   電線を処理室内の雰囲気から隔離したことを特徴とする
   ガス処理装置。
4. 【請求項４】 金属管またはセラミックス管の中を減圧
   雰囲気または不活性ガス雰囲気にしたことを特徴とする
   請求項１、２または３記載のガス処理装置。
5. 【請求項５】 加熱部により被処理体を加熱しながら処
   理室内で減圧雰囲気においてガス処理を行うと共に、加
   熱温度を熱電対の測定値にもとずいて制御するガス処理
   装置において、 前記熱電対の測定部を処理室内の雰囲気から隔離したこ
   とを特徴とするガス処理装置。
6. 【請求項６】 熱電対の測定部はガス雰囲気の中に置か
   れていることを特徴とする請求項５記載のガス処理装
   置。