KR20190116668A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20190116668A
KR20190116668A KR1020180039598A KR20180039598A KR20190116668A KR 20190116668 A KR20190116668 A KR 20190116668A KR 1020180039598 A KR1020180039598 A KR 1020180039598A KR 20180039598 A KR20180039598 A KR 20180039598A KR 20190116668 A KR20190116668 A KR 20190116668A
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hole
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KR1020180039598A
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송정일
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 뷰포트를 구비한 기판 처리 장치에 관한 것으로, 뷰포트 설치를 위해 라이너에 형성된 홀에 차단캡을 제공함으로써, 라이너와 뷰포트 사이의 틈으로 플라즈마가 유입되는 것을 방지하는 뷰포트를 구비한 기판 처리 장치를 제공한다.

Description

기판 처리 장치{substrate processing apparatus}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중에는, 식각 공정, 증착 공정 또는 어닐 공정 등과 같이 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 다양한 공정이 진행된다. 이와 같은 플라즈마 처리 공정은 공정챔버 내부에 공급된 공정 가스로부터 플라즈마를 발생하고 이들 플라즈마를 기판에 반응시켜 기판을 처리한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 일반적으로 사용되는 플라즈마 처리 장치는, 공정챔버 일측에 작업자가 플라즈마의 상태를 육안으로 확인하기 위한 뷰포트(1)를 가진다. 또한, 뷰포트(1)의 일측에는 발광 분석법을 이용한 EPD(End Point Eetection) 장비와 같은 각종 광학 계측장치(2)가 장착된다.
도 2에는 일반적으로 사용되는 플라즈마 처리 장치의 요부 단면도가 도시되었다. 도 2에 도시된 바와 같이, 공정챔버의 내벽(3)에 포트홀(4)이 형성되고, 내벽(3) 내측에 위치되는 라이너(5)에 포트홀(4)과 연통되도록 홀(6)이 형성된다. 포트홀(4)에 라이너(5)와 연계되도록 포트라이너(7)가 제공되고, 포트라이너(7) 단부에 윈도우(8)가 장착된다.
그러나, 도 2에 도시된 바와 같이 구성되는 일반적인 뷰포트(1) 구성에 의하면, 플라즈마가 라이너(5)와 포트라이너(7) 사이의 틈으로 유입됨에 따라, 공정챔버의 내벽(3)이 플라즈마와 반응될 수 있다. 공정챔버의 내벽(3)이 플라즈마와 반응할 경우, 공정챔버 내벽(3)의 내구도가 낮아지고, 궁극적으로 공정챔버 내벽(3)에 의도치 않은 홀이 발생되, 플라즈마가 공정챔버 밖으로 유출될 수도 있다.
또한, 플라즈마와 내벽(3)의 반응물이 기판 또는 윈도우(8)에 증착됨에 따라 기판의 성능이 저하되거나, 윈도우(8)의 가시성을 약화시키는 원인이 된다. 따라서, 내벽(3) 및 윈도우(8)의 교체를 발생시키는 바, 기판 처리 장치 유지보수(메인터넌스) 효율의 감소 원인이 된다. 윈도우(8)의 가시성이 약화되는 바, 뷰포트(1)를 통한 광학 계측장치(2)의 측정치 오류가 커진다.
또한, 공정챔버 내벽(3) 내부 공간 중 뷰포트(1) 인근의 플라즈마의 밀도가 다른 영역에 비해 낮아지는, 플라즈마의 균일도 하락을 초래하는 바, 기판의 플라즈마 처리의 비 균일성을 발생시키게 되고, 발생된 플라즈마의 분포가 설계와 상이해짐에 따라 이상방전이 발생될 수 있다.
대한민국 등록특허공보 제10-1348001호(2013.12.27.)
본 발명은 플라즈마가 라이너와 포트라이너 사이로 침투되는 것을 방지할 수 있는 뷰포트가 구비된 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 플라즈마에 의한 공정챔버의 내벽과 윈도우의 손상을 최소화함으로써, 유지보수(메인터넌스) 효율을 극대화할 수 있는 뷰포트가 구비된 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 플라즈마를 통한 기판의 처리 균일도를 향상시킬 수 있는 뷰포트가 구비된 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 의하면, 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 공정 챔버와, 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지유닛과, 처리 공간 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과, 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스와, 처리 공간 내에서 공정 챔버의 내벽에 인접하게 배치되는 링 형상의 라이너와, 처리 공간 내의 플라즈마 상태를 확인하는 모니터링 유닛을 포함하되, 모니터링 유닛은, 공정 챔버의 벽면에 설치된 뷰포트와, 뷰포트의 대향되는 위치에서 형성된 라이너의 홀에 삽입된 차단캡과, 뷰포트를 통해 처리 공간으로 광을 조사하여 처리 공간 내부 상태를 검출하도록 공정 챔버의 외측에 배치되는 검출기를 포함하며, 차단캡은, 광이 투과되는 재질로 제공된다.
상기 차단캡은 라이너에 결합되도록 제공될 수 있다.
상기 라이너의 홀에는 나사산이 형성되고, 차단캡은 그 외측면에 라이너에 형성된 나사산과 결합되는 나사산이 형성될 수 있다.
상기 차단캡은, 석영(Quartz) 또는 사파이어일 수 있다.
상기 뷰포트는, 공정챔버의 벽면에 형성된 포트홀과, 포트홀의 내벽과 인접하게 배치된 링 형상의 포트라이너와, 포트라이너의 외측에 포트라이너와 인접하게 배치된 윈도우를 포함할 수 있다.
상기 차단캡은, 라이너의 홀에 삽입되는 제1 부분과, 제1 부분으로부터 뷰포트를 향하는 방향으로 연장되고, 홀의 외측에 배치되는 제2 부분을 포함할 수 있다.
본 발명의 일실시예에 의하면, 라이너의 홀에 차단캡이 제공됨에 따라, 라이너 및 포트라이너의 틈이 차단캡에 의해 플라즈마로부터 차단되고, 플라즈마가 라이너와 포트라이너의 틈으로 유입됨에 따라 발생가능한 공정챔버 내벽의 플라즈마 반응을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 의하면, 공정챔버 내벽의 플라즈마 반응이 방지되므로, 공정챔버의 데미지가 극소화되고, 윈도우에 반응부산물이 증착되지 않게 됨에 따라, 기판 처리 장치의 유지보수(메인터넌스) 효율이 극대화된다.
또한, 윈도우의 가시성이 유지되므로, 뷰포트를 통한 플라즈마 육안 검사가 원활히 수행되며, 뷰포트를 통해 계측하는 광학 계측장치의 계측오차가 극소화된다.
또한, 라이너의 홀에 차단캡이 제공됨에 따라, 포트라이너로의 플라즈마 유입이 차단되고, 공정 챔버 내부 공간의 플라즈마 밀도 분포가 더 균일해 지므로, 기판의 플라즈마 처리 균일도가 향상되고, 발생된 플라즈마의 분포가 설계에 더 근접해지므로 이상방전과 같은 이상현상 발생이 방지된다.
도 1은 일반적인 플라즈마 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 일반적인 플라즈마 기판 처리 장치의 요부 확대 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 장치의 요부 확대 단면도이다.
도 5는 도 3의 기판 처리 장치에 구비된 차단캡의 측면도이다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것으로 해석돼서는 안 된다.
본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 위해 과장 또는 축소되었다.
이하에서는 첨부된 도면을 참고하여, 본 발명에 따른 일실시예의 기판 처리 장치에 관하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이고, 도 4는 도 3의 기판 처리 장치의 요부 확대 단면도이고, 도 5는 도 3의 기판 처리 장치에 구비된 차단캡의 측면도이다.
도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예의 기판 처리 장치는, 공정챔버(100)와, 지지유닛(200)과, 가스 공급 유닛(300)과, 플라즈마 소스(400)와, 라이너(500)와, 모니터링 유닛(600)을 포함한다.
공정 챔버(100)는 내부에 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간(101)을 제공한다. 공정 챔버(100)는 금속 재질로 제공된다. 일 예로 공정 챔버(100)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 공정 챔버(100)는 접지될 수 있다. 공정 챔버(100)의 바닥면에는 배기홀(미도시)이 형성된다. 배기홀은 배기 라인(미도시)과 연결된다. 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 공정 챔버(100)의 내부 공간에 머무르는 공정 가스는 배기 라인을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 공정 챔버(100)의 내부는 소정 압력으로 감압된다.
챔버(100)의 일측벽에는 기판이 출입하는 반입구(미도시)가 형성된다. 반입구는 기판(W)이 공정 챔버(100) 내부로 출입할 수 있는 통로로 제공된다. 반입구는 공정 챔버(100) 외부에 위치하는 도어(미도시)에 의해 개폐된다.
지지유닛(200)은, 정전척(210), 전극판(220), 리프트핀(미도시)을 포함한다. 정전척(210)은 유전판(211) 및 전극(212)을 포함한다. 유전판(211)은 지지유닛(200)의 가장 상단에 위치되며, 기판(W)은 유전판(211) 상에 놓인다.
유전판(211)은 세라믹으로 제공된다. 유전판(211)의 상면에는 복수의 돌기가 제공된다. 유전판(211)에 제공된 복수의 돌기는 기판(W)이 유전판(211) 상에 놓일 때 기판(W)과 유전판(211) 사이에 열전달 가스가 유동하는 공간을 제공한다. 돌기는 링 형상으로 제공되고, 공간은 돌기들에 의해 복수의 영역으로 구획될 수 있다.
전극(212)은 유전판(211) 내부에 위치된다. 전극(212)에는 직류 전원이 인가되면, 이에 따라, 기판(W)은 정전기력에 의해 정전척(210) 상에 흡착된다.
전극판(220)은 정전척(210)의 아래에 위치된다. 전극판(220)은 접지되거나 고주파전원(V1)이 연결될 수 있다.
전극판(220) 내부에는 냉각수가 흐르는 냉매유로가 제공된다. 냉각수는 공정 진행 중 또는 이후에 기판(W)이 설정 온도를 유지하도록 한다.
전극판(220)의 주연부에는 포커스링(미도시)이 장착된다. 포커스링은 전극판(220) 주연부 상측에 존재하는 공정가스를 기판(W)으로 유도한다.
리프트 핀은 기판(W)을 반송하는 반송 로봇(미도시)과 지지 유닛(200) 간에 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. 지지 유닛(200) 내에는 핀홀(미도시)이 형성되고, 리프트핀은 핀홀을 따라 승하강 가능하도록 제공된다.
가스 공급 유닛(300)은 공정 챔버(100) 내부에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급 노즐(310), 가스 공급 라인(320), 그리고 가스 저장부(330)를 포함한다.
가스 공급 노즐(310)은 공정 챔버(100)의 상면 중앙부에 설치된다. 가스 공급 노즐(310)의 저면에는 분사구가 형성된다. 분사구는 공정 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급한다.
가스 공급 라인(320)은 가스 공급 노즐(310)과 가스 저장부(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(330)에 저장된 공정 가스를 가스 공급 노즐(310)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 밸브(321)가 설치된다. 밸브(321)는 가스 공급 라인(320)을 개폐하며, 가스 공급 라인(320)을 통해 공급되는 공정 가스의 유량을 조절한다.
플라즈마 소스(400)는 공정 챔버(100) 내에 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기 시킨다. 플라즈마 소스(400)로 용량 결합형 플라즈마(CCP: capacitively coupled plasma)가 사용된다.
용량 결합형 플라즈마는 공정 챔버(100)의 내부에 상부 전극 및 하부 전극을 포함할 수 있다. 상부 전극 및 하부 전극은 공정 챔버(100)의 내부에서 서로 평행하게 상하로 배치될 수 있다.
양 전극 중 어느 하나의 전극은 고주파 전력을 인가하고, 다른 전극은 접지될 수 있다. 양 전극 간의 공간에는 전자기장이 형성되고, 이 공간에 공급되는 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다.
이 플라즈마를 이용하여 기판 처리 공정이 수행된다. 일 예에 의하면, 상부 전극은 샤워 헤드(410)로 제공되고, 하부 전극은 전극판(220)으로 제공될 수 있다. 하부 전극에는 고주파 전력이 인가되고, 상부 전극은 접지될 수 있다. 이와 달리, 상부 전극과 하부 전극에 모두 고주파 전력이 인가될 수 있다. 이로 인하여 상부 전극과 하부 전극 사이에 전자기장이 발생된다. 발생된 전자기장은 공정 챔버(100) 내부로 제공된 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기 시킨다.
플라즈마 소스(400)는 공정 챔버(100) 내부에서 지지 유닛(200)의 상부에 위치한다. 플라즈마 소스(400)는 지지 유닛(200)과 대향하도록 위치한다.
플라즈마 소스(400)은 샤워 헤드(410), 가스 분사판(420) 그리고 지지부(430)를 포함한다. 샤워 헤드(410)는 챔버(100)의 상면에서 하부로 일정거리 이격되어 위치한다. 가스 분사판(410)과 챔버(100)의 상면은 그 사이에 일정한 공간이 형성된다. 샤워 헤드(410)는 두께가 일정한 판 형상으로 제공될 수 있다.
샤워 헤드(410)의 저면은 플라즈마에 의한 아크 발생을 방지하기 위하여 그 표면이 양극화 처리될 수 있다. 샤워 헤드(410)의 단면은 지지 유닛(200)와 동일한 형상과 단면적을 가지도록 제공될 수 있다. 샤워 헤드(410)는 복수개의 분사홀(411)을 포함한다. 분사홀(411)은 샤워 헤드(410)의 상면과 하면을 수직 방향으로 관통한다. 샤워 헤드(410)는 금속 재질을 포함한다.
가스 분사판(420)은 샤워 헤드(410)의 상면에 위치한다. 가스 분사판(420)은 챔버(100)의 상면에서 일정거리 이격되어 위치한다. 가스 분사판(420)은 두께가 일정한 판 형상으로 제공될 수 있다. 가스 분사판(420)에는 분사홀(421)이 제공된다.
분사홀(421)은 가스 분사판(420)의 상면과 하면을 수직 방향으로 관통한다. 분사홀(421)은 샤워헤드(410)의 분사홀(411)과 대향되게 위치한다. 가스 분사판(420)은 금속 재질을 포함할 수 있다.
샤워 헤드(410)는 상부전원(V2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상부전원(V2)은 고주파 전원으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 샤워 헤드(410)은 전기적으로 접지될 수도 있다.
지지부(430)는 샤워 헤드(410)와 가스 분사판(420)의 측부를 지지한다. 지지부(430)는, 챔버(100)의 내부면과 샤워 헤드(410) 및 가스 분사판(420)의 측부와 연결된다. 지지부(430)는 비금속 재질을 포함할 수 있다.
라이너(500)는, 공정챔버(100) 내부에 제공된다. 라이너(500)는 상면 및 하면이 개방된 내부 공간을 가진다. 라이너(500)는 링 형상으로 제공될 수 있다. 라이너(500)는 공정챔버(100)의 내측면에 상응하는 반경을 가질 수 있다. 라이너(500)는 공정챔버(100)의 내측면을 따라 제공된다.
라이너(500)는 공정챔버(100)와 동일한 재질로 제공될 수 있다. 라이너(500)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 라이너(500)의 상단에는 지지 링(510)이 형성된다. 라이너(500)의 측부에는 후설할 모니터링 유닛(600)과 연통되는 홀(520)이 복수개 제공된다.
지지 링(510)은 링 형상의 판으로 제공되며, 라이너(500)의 둘레를 따라 라이너(500)의 외측으로 돌출된다. 지지 링(510)은 공정챔버(100)의 상단에 놓이며, 라이너(500)를 지지한다.
라이너(500)는 공정챔버(100)의 내벽을 보호한다. 예를 들면, 공정 가스가 여기되는 과정에서 공정챔버(100) 내부에는 아크(Arc) 방전이 발생될 수 있다. 아크 방전은 주변 장치들을 손상시킨다. 라이너(500)는 공정챔버(100)의 내부 벽면을 보호하여 공정챔버(100)의 내벽이 아크 방전으로 손상되는 것을 방지한다. 또한, 기판 처리 공정 중에 발생한 반응 부산물이 공정챔버(100)의 내벽에 증착되는 것을 방지한다.
라이너(500)는 공정챔버(100)에 비하여 비용이 저렴하고, 교체가 용이하다. 따라서, 아크 방전으로 라이너(500)가 손상될 경우, 작업자는 새로운 라이너(500)로 교체할 수 있다.
모니터링 유닛(600)은 처리공간(101)에 존재하는 플라즈마 상태를 확인하기 위해서 공정챔버(100)에 제공된다. 모니터링 유닛은(600)은, 뷰포트(610)와, 차단캡(620)과, 검출기(630)을 포함한다.
뷰포트(610)는, 공정챔버(100)의 벽면에 설치된다. 뷰포트(610)는, 포트홀(611)과, 포트라이너(612)와, 윈도우(613)을 포함한다.
포트홀(611)은 라이너(500)의 홀(520)과 연통될 수 있도록 제공된다. 포트홀(611)의 내경은 홀(520)의 내경과 동일하게 제공된다. 포트라이너(612)는 포트홀(611)의 내벽에 인접하게 제공된다. 포트라이너(612)는 링 형태로 제공된다. 포트라이너(612)는 포트홀(611)과 동심을 이루도록 포트홀(611)의 내부에 위치된다. 포트라이너(612)는 라이너(500)와 동일한 재질로 제공될 수 있다.
윈도우(613)는, 포트라이너(612)의 외측에 포트라이너(612)와 인접하게 배치된다. 윈도우(613)는, 포트홀(611) 및 포트라이너(612)의 동심 상에 그 중심이 위치되도록 포트라이너(612)에 밀착되도록 제공된다. 윈도우(613)는 원형 판재 형태로 제공되며, 투명 소재로 제공된다. 석영, 사파이어, 유리, 플라스틱이 윈도우(613)의 소재로 활용 가능하다.
차단캡(620)은 라이너(500)의 홀(520)에 장착된다. 차단캡(620)은 플라즈마에 의한 변형이 적고, 투명성이 높은 석영 또는 사파이어로 제작된다. 차단캡(620)의 외주 및 홀(520)의 내주에는 각각 나사산이 제공된다. 차단캡(620)은, 외주에 제공된 나사산이 홀(520)의 내주에 제공된 나사산과 결합되므로써, 홀(520)에 위치 고정된다.
차단캡(620)은, 제1 부분(621)과, 제2 부분(622)을 포함한다. 제1 부분(621)은, 라이너(500)의 홀(520)에 삽입된다. 제2 부분(622)은, 제1 부분(621)으로부터 포트홀(611)을 향하는 방향으로 연장되고, 홀(520)의 외측에 배치된다.
제1 부분(621)의 외주에는 홀(520)의 내주에 형성된 나사산과 결합되는 나사산이 형성된다. 제1 부분(621)에 의해 차단캡(620)이 홀(520)에 위치 고정된다. 제2 부분(622)은 포트라이너(612)와 밀착된다.
제1 부분(621) 및 제2 부분(622)에 의해서 차단캡(620)에 의한 홀(520)의 기밀성이 극대화된다. 특히, 제2 부분은(622)는 라이너(500)와 포트라이너(612) 사이의 틈을 커버하며 포트라이너(612)와 밀착되므로, 플라즈마가 제1 부분(621)을 통과하게 되더라도, 플라즈마가 라이너(500)와 포트라이너(612)의 틈으로 유입되는 것을 방지함과 동시에, 포트라이너(612) 내부로 플라즈마 또는 플라즈마 반응부산물이 유입되는 것을 방지하게 된다.
위와 같은 본 발명의 일실시예에 따르면, 라이너(500)의 홀(520)에 차단캡(620)이 제공됨에 따라, 라이너(500) 및 포트라이너(612)의 틈이 차단캡(620)에 의해 플라즈마로부터 차단되고, 플라즈마가 라이너(500)와 포트라이너(612)의 틈으로 유입됨에 따라 발생가능한 공정챔버(100) 내벽의 플라즈마 반응을 방지할 수 있다.
또한, 공정챔버(100) 내벽의 플라즈마 반응이 방지되므로, 공정챔버(100)의 데미지가 극소화되고, 윈도우(613)에 반응부산물이 증착되지 않게 됨에 따라, 기판 처리 장치의 유지보수(메인터넌스) 효율이 극대화된다.
또한, 윈도우(613)의 가시성이 유지되므로, 뷰포트(610)를 통한 플라즈마 육안 검사가 원활히 수행되며, 뷰포트(610)를 통해 계측하는 광학 계측장치의 계측오차가 극소화된다.
또한, 라이너(500)의 홀(520)에 차단캡(620)이 제공됨에 따라, 포트라이너(612)로의 플라즈마 유입이 차단되고, 공정 챔버(100) 내부 공간의 플라즈마 밀도 분포가 더 균일해 지므로, 기판의 플라즈마 처리 균일도가 향상되고, 발생된 플라즈마의 분포가 설계에 더 근접해지므로 이상방전과 같은 이상현상 발생이 방지된다.
이상 상세한 설명은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장비를 바탕으로 상세히 설명하였다. 그러나 본 발명은 상술한 예에 한정되지 않으며, 기판을 처리하는 모든 장치에 적용 가능하다.
100: 공정챔버 200: 지지유닛
300: 가스 공급 유닛 400: 플라즈마 소스
500: 라이너 510: 지지 링
520: 홀 600: 모니터링 유닛
610: 뷰포트 611: 포트홀
612: 포트라이너 613: 윈도우
620: 차단캡 621: 제1 부분
622: 제2 부분 630: 검출기

Claims (6)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 공정 챔버와;
    상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 지지유닛과;
    상기 처리 공간 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 소스와;
    상기 처리 공간 내에서 상기 공정 챔버의 내벽에 인접하게 배치되는 링 형상의 라이너와;
    상기 처리 공간 내의 플라즈마 상태를 확인하는 모니터링 유닛을 포함하되,
    상기 모니터링 유닛은,
    상기 공정 챔버의 벽면에 설치된 뷰포트와;
    상기 뷰포트와 대향되는 위치에서 형성된 상기 라이너의 홀에 삽입된 차단캡;
    상기 뷰포트를 통해 상기 처리 공간으로 광을 조사하여 상기 처리 공간 내부 상태를 검출하도록 상기 공정 챔버의 외측에 배치되는 검출기를 포함하며,
    상기 차단캡은, 상기 광이 투과되는 재질로 제공되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 차단캡은 상기 라이너에 결합되도록 제공되는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 라이너의 홀에는 나사산이 형성되고, 상기 차단캡은 그 외측면에 상기 라이너에 형성된 나사산과 결합되는 나사산이 형성된 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 차단캡은, 석영(Quartz) 또는 사파이어인 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 뷰포트는,
    상기 공정챔버의 벽면에 형성된 포트홀과;
    상기 포트홀의 내벽과 인접하게 배치된 링 형상의 포트라이너와;
    상기 포트라이너의 외측에 상기 포트라이너와 인접하게 배치된 윈도우를 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 차단캡은,
    상기 라이너의 홀에 삽입되는 제1 부분과;
    상기 제1 부분으로부터 상기 뷰포트를 향하는 방향으로 연장되고, 상기 홀의 외측에 배치되는 제2 부분을 포함하는 기판 처리 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101348001B1 (ko) 2012-08-23 2014-01-09 고려대학교 산학협력단 플라즈마 뷰포트 식각 장치

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