KR101421446B1 - 플라즈마 검사 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 일측은 밀폐되고, 타측은 개방되어 가스 유입구가 형성되는 관 형상의 튜브를 구비하는 튜브부와, 상기 튜브의 외면에 1회 적어도 이상으로 권취되는 코일 및 상기 코일에 고주파 전원을 공급하는 RF전원을 구비하는 ICP부 및 상기 코일의 양측으로 상기 튜브의 외면에 위치하는 제 1 전극과 제 2 전극 및 상기 제 1 전극 및 제 2 전극에 저주파 전원을 공급하는 저주파전원을 구비하는 CCP부를 포함함으로써, 코일이 권취되는 코일 영역의 튜브 내벽에 금속 성분이 증착되는 것이 감소되어 튜브의 수명이 증가되는 플라즈마 검사 장치를 개시한다.

Description

플라즈마 검사 장치{Plasma Analyzer Apparatus}
본 발명은 플라즈마 검사 장치에 관한 것이다.
반도체, 평판 디스플레이 패널과 같은 제품의 제조 공정 및 제조 라인은 환경을 위해서 제조 공정에서 발생하는 각종 폐가스의 성분을 점검하는 것이 중요한 사항이 되고 있다. 상기 폐가스를 점검하는 장치로서 대표적으로 플라즈마를 이용한 플라즈마 검사 장치가 있다.
상기 플라즈마 검사 장치는 먼저 제조 라인에 연결된 튜브 내부로 공정에서 발생된 폐가스가 유입되고, 튜브 내부로 유입된 폐가스에 에너지를 공급하여 폐가스를 플라즈마 상태로 변화시킨다. 다음으로 상기 플라즈마 검사 장치는 플라즈마 상태로 된 가스 원자로부터 방출되는 광을 분석하여 성분 분석을 진행하게 된다. 상기 튜브 내의 폐가스를 플라즈마 상태로 변화시키는 대표적인 방법으로서, ICP(Inductively Coupled Plasma) 방식과 CCP(Capacitive Coupled Plasma) 방식이 이용되고 있다.
상기 ICP 방식은 튜브의 중앙 영역의 외부에 권취되는 코일에 고주파 전원을 공급하여 튜브 내부에 플라즈마를 형성하는 방식이다. 상기 CCP 방식은 튜브의 양측에 설치되는 전극에 저주파 전원을 공급하여 튜브 내부에 플라즈마를 형성하는 방식이다. 상기 ICP 방식은 고주파 전원을 이용하여 고밀도의 플라즈마 를 만들 수 있으므로 고진공 영역에서의 플라즈마 방전에 유리하다. 또한, 상기 CCP 방식은 저주파 전원을 이용하여 저밀도의 플라즈마를 만들게 되므로 저 진공 영역에서의 플라즈마 방전에 유리하다.
그러나, 상기 ICP 방식은 튜브 내부로 유입되는 폐가스에 금속 성분이 포함되어 있는 경우에 튜브의 내벽에 금속 성분이 증착되어 금속층이 형성되며, 특히 코일이 권취되는 영역의 튜브 내벽에 금속층이 형성된다. 상기 금속층은 튜브 내부의 방전 공간으로 전원이 공급되는 것을 차단하여 플라즈마 방전이 진행되지 않도록 한다. 따라서, 상기 ICP 방식은 튜브의 수명을 단축시킨다는 문제점이 있다. 한편, 상기 ICP 방식은 저 진공 영역도 플라즈마 방전이 원활하지만, CCP 방식은 고 진공 영역에서 플라즈마 방전이 원활하지 않은 측면이 있다.
본 발명은 코일이 권취되는 영역의 튜브 내벽에 증착되는 금속 성분의 양을 감소시켜 튜브의 수명을 증가시킬 수 있는 플라즈마 검사 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 플라즈마 검사 장치는 일측이 밀폐되고, 타측이 개방되어 가스 유입구가 형성되는 관 형상의 튜브를 구비하는 튜브부와, 상기 튜브의 외면에 1회 적어도 이상으로 권취되는 코일 및 상기 코일에 고주파 전원을 공급하는 RF전원을 구비하는 ICP부 및 상기 코일의 양측으로 상기 튜브의 외면에 위치하는 제 1 전극와 제 2 전극 및 상기 제 1 전극 및 제 2 전극에 저주파 전원을 공급하는 저주파전원을 구비하는 CCP부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 튜브는 중앙 영역에 형성되는 코일 영역과 상기 코일 영역과 상기 밀폐된 일측 사이에 형성되는 제 1 전극 영역 및 상기 코일 영역과 가스 유입구의 사이에 형성되는 제 2 전극 영역을 구비하며, 상기 코일은 상기 튜브의 코일 영역의 외면에 권취되며, 상기 제 1 전극은 제 1 전극 영역의 외면에 원주 방향을 따라 소정 폭으로 형성되며, 상기 제 2 전극은 상기 제 2 전극 영역의 외면에 원주 방향을 따라 소정 폭으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 튜브의 가스 유입구와 상기 코일 사이에 위치한 상기 제 2 전극은 상기 제 1 전극보다 폭이 넓게 형성될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 플라즈마 검사 장치는 일측이 밀폐되고, 타측이 개방되어 가스 유입구가 형성되는 관 형상의 튜브를 구비하는 튜브부와, 상기 튜브의 외면에 1회 이상으로 권취되는 코일 및 상기 코일에 고주파 전원을 공급하는 RF전원을 구비하는 ICP부 및 상기 코일과 상기 가스 유입구 사이에서 상기 튜브의 외면에 형성되는 제 2 전극, 상기 제 2 전극에 저주파 전원을 공급하는 저주파 전원을 구비하는 CCP부를 포함하여 형성될 수 있다.
또한, 상기 저주파 전원은 하나의 전극이 상기 제 2 전극에 연결되고, 다른 하나의 전극이 반도체 공정 설비에 연결되도록 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 검사 장치는 코일이 권취되는 영역의 튜브 내벽에 증착되는 금속 성분의 양이 감소되어 튜브의 수명이 증가되는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 검사 장치는 고 진공 영역 또는 저 진공 영역 모두에서 플라즈마 방전이 진행될 수 있도록 하는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 검사 장치가 설치된 반도체 공정 설비를 간략하게 도시한 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 검사 장치의 정면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 검사 장치의 정면도이다.
이하에서 실시 예와 첨부한 도면을 통하여 본 발명의 플라즈마 검사 장치에 대하여 보다 구체적으로 설명한다.
먼저, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 검사 장치가 설치되는 반도체 공정 설비에 대하여 간략히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 검사 장치가 설치된 반도체 공정 설비를 간략하게 도시한 블록도이다.
상기 반도체 공성 설비는. 도 1을 참조하면, 공정 챔버(10)와 배기 라인(20) 및 진공 펌프(30)를 포함하여 형성된다. 상기 공정 챔버(10)는 증착, 식각과 같은 반도체 공정이 진행되는 챔버이며, 공정에 필요한 다양한 공정 가스가 별도의 가스 공급 라인(미도시)를 통하여 공급된다. 상기 배기 라인(20)은 진공 챔버(10)와 진공 펌프(30) 사이에 연결되며, 반도체 공정이 종료된 공정 챔버(10)로부터 폐가스가 배출되도록 한다. 상기 진공 펌프(30)는 배기 라인(20)을 통하여 배출되는 폐가스를 진공 흡입하여 스크러버(미도시) 또는 주 배기 라인(미도시)으로 배출한다.
상기 플라즈마 검사 장치(100)는 배기 라인(20)에 결합된다. 상기 플라즈마 검사 장치(100)는 배기 라인(20)을 통하여 배출되는 폐가스의 일부가 유입되도록 결합된다. 상기 플라즈마 검사 장치(100)는 유입되는 폐가스에 포함되어 있는 성분을 분석한다.
다음은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 검사 장치에 대하여 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 검사 장치의 정면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 검사 장치(100)는 튜브부(110), ICP부(120) 및 CCP부(130)를 포함한다. 또한, 상기 플라즈마 검사 장치(100)는 튜브 내부에서 발생되는 플라즈마 방전에 의하여 방출되는 광을 수신하는 광 수신부(미도시)와 성분 분석부(미도시)를 더 포함하여 형성될 수 있다.
상기 튜브부(110)는 튜브(111) 및 연결관(115)을 포함하여 형성된다. 상기 튜브부(110)는 튜브(111)가 배기 라인(20)에 연결되며, 배기 라인(20)의 폐가스가 튜브(111)의 내부로 유입되도록 형성된다.
상기 튜브(111)는 가스 유입구(112), 코일 영역(113)과 제 1 전극영역(114a) 및 제 2 전극 영역(114b)을 포함하여 형성된다. 한편, 상기 코일 영역(113)과 제 1 전극영역(114a) 및 제 2 전극 영역(114b)은 튜브(111)에서 명시적으로 구분되는 영역은 아니며, 이하에서 설명하는 ICP부(120)와 CCP부(130)의 전원이 공급되는 영역이며, 내벽에 폐가스의 금속 성분이 다른 영역에 비하여 상대적으로 많이 증착되는 영역을 의미한다.
상기 튜브(111)는 관 형상이며, 일측에 가스 유입구(112)가 형성되고 타측이 밀폐된 구조로 형성된다. 상기 튜브(111)는 사파이어, 세라믹 또는 유리와 같은 유전체로 형성될 수 있다. 상기 튜브(111)는 내부에서 플라즈마 방전이 진행되어 가스 유입구(112)를 통해 유입된 폐가스가 플라즈마 상태로 변환될 수 있는 공간을 제공한다.
상기 가스 유입구(112)는 튜브(111)의 내부가 배기 라인(20)의 내부와 연결되도록 한다. 따라서, 상기 가스 유입구(112)는 배기 라인(20)의 내부를 흐르는 폐가스가 튜브(111)의 내부로 유입되도록 한다.
상기 코일 영역(113)은 ICP부(120)에 의하여 고주파 전원이 공급되는 튜브의 영역이다. 즉, 상기 튜브(111)는 ICP부(120)로부터 공급되는 고주파 전원에 의하여 코일 영역(113)을 중심으로 고밀도의 플라즈마가 형성된다. 따라서, 상기 코일 영역(113)은 ICP부(120)에 의하여 내벽에 폐가스의 금속 성분이 증착되는 튜브(111)의 영역을 의미한다. 상기 코일 영역(113)은 바람직하게는 튜브(111)의 축 방향을 기준으로 중앙 영역에 형성되며, 중앙 영역에서 타측 또는 일측으로 치우쳐 형성될 수 있다.
상기 제 1 전극 영역(114a)과 제 2 전극 영역(114b)은 CCP부(130)에 의하여 저주파 전원이 공급되는 영역이다. 즉, 상기 튜브(111)는 CCP부(130)로부터 공급되는 저주파 전원에 의하여 제 1 전극 영역(114a)과 제 2 전극 영역(114b) 사이에 저밀도의 플라즈마가 형성된다. 따라서, 상기 제 1 전극 영역(114a)과 제 2 전극 영역(114b)은 내벽에 CCP부(130)에 의하여 폐가스의 금속 성분이 증착되는 영역을 의미한다. 상기 제 1 전극 영역(114a)과 제 2 전극 영역(114b)은 각각 코일 영역(113)의 양측에 형성된다. 보다 구체적으로는 상기 제 1 전극 영역(114a)은 튜브(111)의 밀폐된 일측과 코일 영역(113) 사이에 형성된다. 또한, 상기 제 2 전극 영역(114b)는 코일 영역(113)과 가스 유입구(112) 사이에 형성된다.
상기 연결관(115)은 양측이 개방되고, 내부가 중공인 관 형상으로 형성되며, 바람직하게는 내경이 튜브(111)의 내경과 같거나 큰 직경을 가지도록 형성된다. 상기 연결관(115)은 일측이 배기 라인(20)에 연결되며, 타측이 튜브(111)의 가스 유입구(112)가 형성된 일측에 결합된다. 상기 연결관(115)은 내부식성이 높은 스테인레스 스틸과 같은 금속 재질로 형성된다. 상기 연결관(115)은 튜브(111)를 배기 라인(20)에 결합시킨다. 상기 연결관(115)은 튜브(111)의 내부가 배기 라인(20)의 내부와 연결되는 통로를 제공하게 된다. 따라서, 상기 연결관(115)은 배기 라인(20)을 통하여 배출되는 폐가스가 튜브(111)의 내부로 유입되도록 한다. 한편, 상기 연결관(115)은 반도체 공정 설비의 배기 라인(20)과 일체로 형성될 수 있다. 또한, 상기 튜브(111)가 직접 배기 라인(20)에 연결되는 경우에 생략될 수 있다.
상기 ICP부(120)는 코일(121) 및 RF전원(122)을 포함하여 형성된다. 상기 ICP부(120)는 코일(121)이 RF전원(122)으로부터 고주파 전원을 공급받아 튜브(111)의 코일 영역(113)을 중심으로 플라즈마를 형성하게 된다. 특히, 상기 ICP부(120)는 고밀도 플라즈마를 형성하게 되며, 고 진공 영역에서 플라즈마 방전이 가능하게 한다.
상기 코일(121)은 튜브(111)의 외면에 1회 이상으로 권취되며, 튜브(111)의 코일 영역(113)에 대응되는 외면에 권취된다. 상기 코일(121)은 폐가스의 분석을 위하여 필요한 영역에 플라즈마가 형성되도록 적정한 회수로 권취된다. 또한, 상기 튜브(111)의 코일 영역(113)으로 유입된 폐가스는 코일(121)로부터 에너지를 공급받아 플라즈마 상태로 된다.
상기 RF전원(122)은 코일(121)과 전기적으로 연결된다. 상기 RF전원(122)은 튜브(110) 내부에서 플라즈마 방전에 필요한 고주파 전원을 코일(121)에 공급한다.
상기 CCP부(130)는 제 1 전극(131a), 제 2 전극(131b) 및 저주파 전원(132)을 포함하여 형성된다. 상기 ICP부(130)는 제 1 전극(131a)과 제 2 전극(131b)이 저주파 전원(132)으로부터 저주파 전원을 공급받아, 튜브(111) 내부에서 제 1 전극(131a)과 제 2 전극(131b)의 사이 영역에 플라즈마를 형성하게 된다. 특히, 상기 CCP부(130)는 저밀도 플라즈마를 형성하게 되며, 저 진공 영역에서 플라즈마 형성이 가능하게 한다.
한편, 상기 CCP부(130)는 제 1 전극 영역(114a)과 제 2 전극 영역(114b)의 튜브 내벽에 폐가스의 금속 성분이 증착되도록 하여, 코일 영역(113)의 튜브 내벽에 증착되는 금속 성분의 양을 감소시키게 된다.
상기 제 1 전극(131a)은 구리 또는 니켈과 같은 도전성 금속으로 소정 두께로 형성된다. 상기 제 1 전극(131a)은 튜브(110)의 밀폐된 일측과 코일(121) 사이에 위치되며, 튜브(111)의 외면에 원주 방향을 따라 소정 폭으로 형성된다. 상기 제 1 전극(131a)은 튜브(111)의 제 1 전극 영역(114a)을 형성하게 된다. 즉, 상기 제 1 전극 영역(114a)은 제 1 전극(131a)이 위치하는 튜브(111)의 영역으로 형성된다. 상기 제 1 전극(131a)은 저주파 전원(132)의 어느 하나의 전극과 전기적으로 연결된다.
상기 제 2 전극(131b)은 구리 또는 니켈과 같은 도전성 금속으로 소정 두께로 형성된다. 상기 제 2 전극(131b)은 튜브(111)의 가스 유입구(112)와 코일(121) 사이에 위치되며, 튜브(111)의 외면에 원주 방향을 따라 소정 폭으로 형성된다. 상기 제 2 전극(131b)은 튜브(111)의 제 2 전극 영역(114b)을 형성하게 된다. 즉, 상기 제 2 전극 영역(114b)은 제 2 전극(131b)이 위치하는 튜브(111)의 영역으로 형성된다. 상기 제 2 전극(131b)은 바람직하게는 제 1 전극(131a)보다 큰 폭으로 형성되어 제 1전극(131a)보다 큰 면적을 가지도록 형성된다. 따라서, 상기 제 2 전극(131b)은 제 2 전극 영역(114b)이 제 1 전극 영역(114a)보다 큰 폭을 가지도록 형성되며, 폐가스에 포함되어 있는 금속 성분이 증착될 수 있는 면적을 상대적으로 넓게 제공하게 된다.
상기 제 2 전극 영역(114b)은 가스 유입구(112)에 가까운 위치에 위치하게 되므로 폐가스가 코일 영역(113)보다 먼저 통과하게 된다. 따라서. 상기 폐가스에 포함되어 있는 금속 성분은 제 2 전극 영역(114b)에 먼저 증착되어 포집되며, 코일 영역(113)에 증착되는 양이 감소된다. 또한, 상기 제 1 전극 영역(114b)은 코일 영역(113)을 통과한 폐가스에 포함되어 있는 금속 성분이 증착된다. 한편, 상기 제 1 전극 영역(114a)과 제 2 전극 영역(114b)의 튜브 내벽에 금속 성분이 증착되어 형성되는 금속층은 전극 역할을 하게 되어 플라즈마 방전 영역에 전력을 공급하는 작용을 하게 된다.
상기 저주파 전원(132)은 제 1 전극(131a)과 제 2 전극(131b)에 전기적으로 연결된다. 상기 저주파 전원(132)은 플라즈마 방전에 필요한 저주파 전원을 제 1 전극(131a)과 제 2 전극(131b)에 공급하게 된다. 상기 저주파 전원(132)은 100kHz 이하의 저주파 전원을 공급한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 검사 장치(100)는 ICP부(120)의 코일(121)에 고주파 전원이 공급되며, CCP부(130)의 제 1 전극(131a)과 제 2 전극(131b)에 저주파 전원이 공급된다. 즉, 상기 ICP부(120)는 튜브(111)의 내부에서 코일 영역(113)을 중심으로 플라즈마 방전을 진행하게 된다. 또한, 상기 CCP부(130)는 제 1 전극 영역(114a)과 제 2 전극 영역(114b) 사이의 영역에서 플라즈마 방전을 진행한다. 상기 제 2 전극(131b)은 폐가스에 포함되어 있는 금속 성분이 코일 영역(113)보다 제 2 전극 영역(114b)의 튜브(111) 내벽에 먼저 증착되도록 한다. 또한, 상기 제 1 전극(131a)도 제 1 전극 영역(114a)의 튜브(111) 내벽에 금속 성분이 증착되도록 한다. 따라서, 상기 제 1 전극(131a)과 제 2 전극(131b)은 코일 영역(113)에 금속 성분이 증착되는 양을 감소시키게 되며, ICP부(120)의 수명을 연장하게 된다. 또한, 상기 CCP부(130)는 ICP(120)에 의하여 방전이 이루어지는 영역의 외부 영역에서 방전 유지가 가능하도록 한다.
또한, 상기 ICP부(120)는 상기 설명한 바와 같이 고진공 영역의 플라즈마 방전에 용이하고, CCP부(130)는 저진공 영역의 플라즈마 방전에 용이하다. 상기 플라즈마 검사 장치(100)는 ICP부(120)와 CCP부(130)가 동시에 또는 선택적으로 구동될 수 있으므로, 고진공 영역과 저진공 영역에서 플라즈마 방전이 가능하게 된다. 또한, 상기 코일 영역(113)은 ICP부(120)과 CCP부(130)에 의하여 동시에 플라즈마 방전이 진행되는 경우에 플라즈마 밀도(plasma density)의 확보가 용이해진다.
다음으로 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 검사 장치에 대하여 설명하기로 한다. 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 검사 장치의 정면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 플라즈마 검사 장치(200)는 튜브(210), ICP부(120) 및 CCP부(230)를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 플라즈마 검사 장치(200)는 도 2에 따른 플라즈마 검사 장치(100)와 비교해서 튜브(210) 및 CCP부(230)의 일부 구성이 상이하게 형성된다. 그러므로 이하의 설명에서 상기 플라즈마 검사 장치(200)는 튜브(210) 및 CCP부(230)의 차이가 있는 구성을 중심으로 설명한다. 또한, 상기 플라즈마 검사 장치(200)는 튜브(210) 및 CCP부(230)의 상이한 구성을 제외한 구성요소에 대하여는 도 2에 따른 플라즈마 검사 장치(100)와 동일한 도면부호를 부여하고 구체적인 설명을 생략하도록 한다.
상기 튜브부(210)는 튜브(211)와 연결관(115)을 포함하여 형성된다.
상기 튜브(211)는 가스 유입구(112), 코일 영역(113) 및 제 2 전극 영역(114b)을 포함하여 형성된다. 상기 튜브(211)는 CCP부(230)에 의한 폐가스의 금속 성분이 증착되는 제 2 전극 영역(114b)만을 구비하며, 도 2의 실시예에 따른 튜브(111)에 형성되는 제 1 전극 영역(114a)을 구비하지 않는다.
상기 연결관(115)은 반도체 공정 설비의 접지(GND)에 전기적으로 연결되도록 형성된다. 상기 연결관(115)은 전극으로서의 역할도 함께 가지게 된다.
상기 CCP부(230)는 제 2 전극(131b) 및 저주파 전원(232)을 포함하여 형성된다. 상기 CCP부(230)는 제 2 전극(131b)이 저주파 전원(232)으로부터 저주파 전원을 공급받아, 튜브(211) 내부에서 제 2 전극(131b)과 가스 유입구(112) 사이의 영역에 플라즈마를 형성하게 된다.
상기 제 2 전극(131b)은 튜브(211)의 가스 유입구(112)와 코일(121) 사이에 위치되며, 튜브(211)의 외면에 원주 방향을 따라 소정 폭으로 형성된다.
상기 저주파 전원(232)은 제 2 전극(113b)과 연결관(115)에 전기적으로 연결되며, 제 2 전극(113b)에 플라즈마 형성에 필요한 저주파 전원을 공급한다. 또한, 상기 저주파 전원(232)은 연결관(115) 및 반도체 공정 설비의 접지(GND)에 함께 연결될 수 있다.
상기 플라즈마 검사 장치(200)의 ICP부(120)는 RF전원(122)에 의하여 코일(121)에 고주파 전원이 공급되며 튜브(211)의 코일 영역(112)의 내부에 플라즈마를 형성한다. 상기 ICP부(120)는 코일 영역(112)을 중심으로 폐가스의 성분 분석에 필요한 플라즈마를 형성한다. 한편, 상기 CCP부(230)는 저주파 전원(232)이 제 2 전극(131b)과 연결관(115)과 전기적으로 연결되므로 튜브(211)의 코일 영역(112)이 아닌 제 2 전극 영역(114b)과 가스 유입구(112) 사이의 영역에 플라즈마를 형성하게 된다. 보다 구체적으로는 상기 저주파 전원(232)은 제 2 전극(113b)과 접지(GND)에 연결된 연결관(115)에 전기적으로 연결되며 제 2 전극(113b)과 연결관(115) 사이에 전압차가 형성되도록 한다. 상기 전압차는 튜브(211) 내부의 제 2 전극(113b)과 연결관(115) 사이에 전기장을 형성되며, 전기장을 지나가는 폐가스의 플라즈마 방전이 일어나도록 한다. 따라서, 상기 CCP부(230)는 폐가스에 포함되어 있는 금속 성분이 제 2 전극 영역(114b)에 증착되도록 한다. 즉, 상기 폐가스는 튜브(211)의 가스 유입구(112)로 유입되면서 제 2 전극(113b)과 가스 유입구(112) 사이에서 플라즈마 상태로 변환된다. 상기 폐가스에 포함되어 있는 금속 성분은 먼저 제 2 전극 영역에 증착되고 다음으로 코일 영역(112)에 증착된다. 따라서, 상기 코일 영역(112)은 상대적으로 적은 양의 금속 성분이 증착된다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정 또는 변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.
100, 200 : 플라즈마 검사 장치 110, 210 : 튜브부
120 : ICP부 130, 230 : CCP부

Claims (5)

  1. 일측은 밀폐되고, 타측은 개방되어 가스 유입구가 형성되는 관 형상의 튜브를 구비하는 튜브부;
    상기 튜브의 외면에 1회 적어도 이상으로 권취되는 코일 및 상기 코일에 고주파 전원을 공급하는 RF전원을 구비하는 ICP부; 및
    상기 코일의 양측으로 상기 튜브의 외면에 위치하는 제 1 전극과 제 2 전극 및 상기 제 1 전극 및 제 2 전극에 저주파 전원을 공급하는 저주파전원을 구비하는 CCP부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 검사 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 튜브는 중앙 영역에 형성되는 코일 영역과 상기 코일 영역과 상기 밀폐된 일측 사이에 형성되는 제 1 전극 영역 및 상기 코일 영역과 가스 유입구의 사이에 형성되는 제 2 전극 영역을 구비하며,
    상기 코일은 상기 튜브의 코일 영역의 외면에 권취되며, 상기 제 1 전극은 제 1 전극 영역의 외면에 원주 방향을 따라 소정 폭으로 형성되며, 상기 제 2 전극은 상기 제 2 전극 영역의 외면에 원주 방향을 따라 소정 폭으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 검사 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 튜브의 가스 유입구와 상기 코일 사이에 위치한 상기 제 2 전극은 상기 제 1 전극보다 폭이 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 검사 장치.
  4. 일측은 밀폐되고, 타측은 개방되어 가스 유입구가 형성되는 관 형상의 튜브를 구비하는 튜브부;
    상기 튜브의 외면에 1회 이상으로 권취되는 코일 및 상기 코일에 고주파 전원을 공급하는 RF전원을 구비하는 ICP부; 및
    상기 코일과 상기 가스 유입구 사이에서 상기 튜브의 외면에 형성되는 제 2 전극 및 상기 제 2 전극에 저주파 전원을 공급하는 저주파 전원을 구비하는 CCP부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 검사 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 저주파 전원은 하나의 전극이 상기 제 2 전극에 연결되고, 다른 하나의 전극이 반도체 공정 설비에 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 검사 장치.
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