TWI736649B - 雷射裝置、具上述裝置的雷射處理設備以及雷射裝置的預防汙染方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種雷射裝置、雷射處理設備以及雷射裝置的預防汙染方法,雷射裝置包含具有內部空間的殼體、用於通過雷射輻照所述殼體的內部的雷射單元、安裝在所述殼體中以便將吹掃氣體供應到所述殼體中的氣體供應單元、以及具備安裝在所述殼體中以便測量所述殼體內部多個位置處的氧濃度的主要氧濃度測量裝置的測量單元。本發明可通過精確調節雷射裝置內部的吹掃氣體的量來防止所述雷射裝置內部的透鏡或反射鏡的污染。
Description
本發明有關一種雷射裝置、具有所述雷射裝置的雷射處理設備、以及防止所述雷射裝置的污染的方法,並且更具體地說,有關雷射裝置、具有所述雷射裝置的雷射處理設備、以及防止所述雷射裝置的污染的方法,本發明能夠精確調節雷射裝置內部的內部吹掃氣體的量從而由此防止內部透鏡或反射鏡被污染。
當在製造半導體、平板顯示器(FPD)、光伏元件等等期間在高溫下沉積薄膜時,可能會引起以下問題:反應爐被熱化學反應污染或產生非所需化合物。因此,為在低溫下沉積薄膜,已使用雷射激發電漿化學氣相沉積方法。並且,由於基板的大小增大,因此在薄膜沉積之後執行退火時,變得難以確保均一性。因此,已經提供各種替代方案,且替代方案中的一者為通過使用雷
射的退火方法。
用於此過程的雷射處理設備包含反應腔室及安裝在反應腔室上方的雷射裝置。石英視窗提供於反應腔室的上部部分上,且從雷射裝置發射的雷射經由石英視窗通過,到達反應腔室內部的基板以及處理所述基板。在雷射裝置中,安裝用於發射雷射的多個透鏡及用於改變雷射的發射方向的反射鏡。在此情況下,將雷射裝置外部的外來物質引入到雷射裝置中且其可易於黏附到透鏡或反射鏡。黏附到透鏡及反射鏡的外來物質使透鏡及反射鏡的性能劣化且由此可降低雷射處理步驟的效率。
在相關技術中,將吹掃氣體供應到雷射裝置的殼體中以抑制外部污染源到所述殼體中的引入。然而,由於雷射裝置的大小變得更大,因此所述殼體內部的壓力對於每一位置可能變得非均一。因此,當所述殼體內部產生氣流或無法排放臭氧時,存在以下問題:污染物質吸附到安裝在所述殼體中的透鏡或反射鏡。因此,由於透鏡或反射鏡的使用壽命減小,且無法穩定發射雷射,因此雷射處理步驟的效率可降低且生產率可降低。
(專利文獻)KR2013-0071289 A。
本發明提供一種雷射裝置、雷射處理設備以及用於防止所述雷射裝置的污染的方法,本發明能夠精確調節殼體內部吹掃
氣體的量同時監視所述殼體內部的氧濃度及壓力。
本發明更提供一種雷射裝置、雷射處理設備、以及用於防止所述雷射裝置的污染的方法,其能夠抑制或防止外來物質黏附到安裝在所述殼體中的透鏡或反射鏡。
根據示例性實施例,雷射裝置包含:具有內部空間的殼體;用於藉由雷射輻照所述殼體內部的雷射單元;安裝在所述殼體中以便將吹掃氣體供應到所述殼體中的氣體供應單元;以及測量單元,具備主要氧濃度測量裝置,主要氧濃度測量裝置安裝在所述殼體中以便測量所述殼體內部多個位置處的氧濃度的。
所述測量單元可進一步包含安裝在所述殼體中以便測量所述殼體內部多個位置處的壓力的壓力測量裝置。
所述殼體的內部空間可被劃分成多個空間,及所述主要氧濃度測量裝置可包含:分別連接到經劃分內部空間及形成流體移動路徑的多個測量管線;分別安裝到所述多個測量管線及打開/關閉所述流體移動路徑的多個截流閥;連接到所述多個測量管線的主管線;以及連接到所述主管線及測量流體中的氧濃度的氧感測器。
所述雷射裝置可更包含安裝在所述殼體中以便排放所述殼體內部的吹掃氣體的排放單元。
所述雷射裝置可更包含根據所述殼體內部的氧濃度及壓力當中的至少任何一條資訊控制氣體供應單元及排放單元當中的至少任何一個的操作的控制單元。
氣體供應單元可包含:安裝在內部空間中及安置在所述殼體的延伸方向上的多個注入器;以及分別連接到所述多個注入器以便將吹掃氣體供應到注入器的多個供應管線。
所述注入器可包含擴散器。
注入器各自可包含:主體,其具有內部空間及形成在主體的下部部分中的開口;以及第一擴散板,其安裝到所述開口以便將所注入吹掃氣體擴散到內部空間中。
注入器各自可更包含第二擴散板,其安裝在所述主體中以便在主體中擴散吹掃氣體。
排放單元可包含:與注入器間隔開及連接到內部空間的多個吸入管線;以及連接到所述多個吸入管線的排放管線。
所述殼體可包含上部層部分及下部層部分,從所述多個吸入管線當中連接到上部層部分的吸入管線可連接到上部層部分的下部部分,及連接到下部層部分的吸入管線可連接到下部層部分的上部部分。
可更包含安裝在內部空間的至少一部分中及沿著雷射行進路徑安置的多個透鏡;以及安裝在所述殼體的內部空間中及調節雷射輻照方向的反射鏡,其中主要氧濃度測量裝置及壓力測量裝置可連接到安裝有透鏡或反射鏡的內部空間。
根據另一示例性實施例,雷射處理設備包含:在其中形成基板處理空間及具有形成於其上部表面上的發射視窗的腔室;支撐腔室內部的基板的載物台;以及雷射裝置,所述裝置位於腔
室上方及通過雷射輻照腔室內部的基板。
根據又一示例性實施例,雷射處理方法包含:將吹掃氣體供應到具有內部空間及形成雷射行進路徑的殼體中;測量所述殼體內部多個位置處的氧濃度;以及根據所述殼體內部的氧濃度調節所述殼體內部吹掃氣體的量。
多個位置處的氧濃度的測量可包含:選擇性地打開/關閉通過多個測量管線形成的流體移動路徑,所述多個測量管線分別連接到所述殼體中的所述多個位置及吸入流體;以及測量具有打開的移動路徑的被吸入到測量管線的流體的氧濃度。
根據所述殼體內部的氧濃度的所述殼體內部吹掃氣體的量的調節可包含:比較所測量氧濃度值與預定氧濃度設定範圍;以及在所測量氧濃度值大於預定氧濃度設定範圍時供應吹掃氣體,及在所測量氧濃度值小於預定氧濃度設定範圍時將所述殼體內部的吹掃氣體排放到外部。
本發明可包含在將吹掃氣體供應到所述殼體中之後測量所述殼體中多個位置處的壓力;以及根據所述殼體內部的壓力調節所述殼體內部的吹掃氣體的量。
根據所述殼體內部的氧濃度的所述殼體內部吹掃氣體的量的調節可包含:比較測量壓力值與預設壓力設定範圍;以及在所測量壓力值小於預設壓力設定範圍時供應吹掃氣體,及在所測量壓力值大於預設壓力設定範圍時將所述殼體內部的吹掃氣體排放到外部。
使雷射通過的透鏡或調節雷射輻照方向的反射鏡可安裝在所述殼體的內部空間的至少一部分中,及所述殼體內部的氧濃度的測量或所述殼體內部的壓力的測量可包含測量安裝有透鏡或反射鏡的內部空間中的氧濃度或壓力。
10:腔室
15:發射視窗
20:載物台
100:雷射裝置
110:殼體
111:分區
110a:上部層部分
110b:下部層部分
120:透鏡
130:氣體供應單元
131:注入器
131a:主體
131b:第一擴散板
131c:第二擴散板
131d:彈性部件
132:供應管線
132a:支撐部件
140:測量單元
141:主要氧濃度測量裝置
141a:氧感測器
141b:測量管線
141c:主管線
141d:截流閥
142:壓力測量裝置
143:輔助氧濃度測量裝置
150:控制單元
151:收發部分
152:確定部分
153:控制部分
160:排放單元
161:吸入管線
162:排放管線
163:排放閥
180:反射鏡
190:雷射單元
S100、S200、S300:步驟
通過結合圖式進行的以下描述可更詳細地理解示例性實施例,其中:
圖1為根據示例性實施例的雷射處理設備的透視圖。
圖2為根據示例性實施例的雷射處理設備的橫截面圖。
圖3為說明根據示例性實施例的殼體的內部的橫截面透視圖。
圖4為說明根據示例性實施例的雷射處理設備的結構的視圖。
圖5為說明根據示例性實施例的注入器的操作的視圖。
圖6(a)至圖6(c)為說明根據示例性實施例的注入器的結構的視圖。
圖7為說明根據示例性實施例的雷射處理設備的污染防止方法的流程圖。
在下文中,將參考圖式詳細描述本發明的示例性實施例。然而,本發明可以不同的形式來體現,且不應解釋為限於本
文所闡述的實施例。而是,提供這些實施例以使得本發明將是透徹並且完整的,並且這些實施例將把本發明的範圍充分地傳達給所屬領域的技術人員。為詳細地描述本發明,可能會誇示圖式,且在所述圖式中,相同圖式標號指代相同元件。
圖1為根據示例性實施例的雷射處理設備的透視圖;圖2為根據示例性實施例的雷射處理設備的橫截面圖;圖3為說明根據示例性實施例的殼體的內部的橫截面透視圖;圖4為說明根據示例性實施例的雷射處理設備的結構的視圖;圖5為說明根據示例性實施例的注入器的操作的視圖;圖6(a)至圖6(c)為說明根據示例性實施例的注入器的結構的視圖;以及圖7為說明根據示例性實施例的雷射處理設備的污染防止方法的流程圖。
參考圖1及圖2,根據示例性實施例的雷射處理設備包含:其中形成有處理基板的空間及具有形成在其上部表面中的發射視窗15的腔室10;支撐腔室10內部的基板的載物台20;以及雷射裝置100,位於腔室10上方及經由發射視窗15藉由雷射輻照腔室內部的基板。
腔室10形成為具有內部空間的圓柱形形狀。舉例來說,腔室10的橫截面形狀可為矩形。腔室10經形成為具有具四個閉合側面的結構,且其中形成有用於處理基板的空間。
並且,發射視窗15可安裝在腔室10的上部表面上。發射視窗15可位於通過來自雷射裝置100的雷射輻照的部分下方。並且,腔室10還可與真空泵連接以供在內部空間中形成真空壓
力。然而,腔室10的結構及形狀並不限於此,而是可為多樣化的。
載物台20用於支撐腔室10內部的基板且可經可移動地安裝。舉例來說,當執行雷射處理步驟時,在確定基板的位置之後移動載物台20,且接著載物台20被移動且可將基板移動到通過雷射輻照的區域。因此,可藉由移動載物台20而藉由雷射輻照基板上的所需位置。替代地,在載物台20固定時,且在雷射裝置100移動時,可藉由雷射輻照基板上的所需位置。
參考圖3及圖4,雷射裝置100包含:具有內部空間的殼體110;用於藉由雷射輻照所述殼體110的內部的雷射單元190;經安裝以便將吹掃氣體供應到所述殼體110中的氣體供應單元130;以及測量單元,具備主要氧濃度測量單元140,主要氧濃度測量單元140安裝在所述殼體中以便測量所述殼體中多個位置處的氧濃度。
另外,雷射裝置100可進一步包含:排放單元160,安裝在所述殼體110中以便將所述殼體110中的吹掃氣體排放到外部;控制單元150,根據所述殼體110內部的氧濃度及壓力當中的任何一條資訊控制氣體供應單元130及排放單元160當中的至少一者的操作;多個透鏡120,安裝在所述殼體110的內部空間的至少一部分中及沿著雷射的行進路徑安置;以及反射鏡180,安裝在所述殼體110的內部空間中及調節發射雷射的方向。在此情況下,雷射裝置100可為透鏡120的長度大致為1500mm或大於1500mm及殼體110的長度為15m或大於15m的大尺寸裝備。
所述殼體110的內部空間可被劃分成多個,且所述殼體110的內部空間形成雷射行進通過的路徑。舉例來說,所述殼體110可包含:在前後方向上延伸及其中的空間被劃分成多個的上部層部分110a;以及在前後方向上延伸、具有被劃分成多個的空間、以及耦合到上部層部分110a的下部部分的下部層部分110b。舉例來說,上部層部分110a可具有被劃分成八個空間的內部空間及下部層部分110b可被劃分成兩個或多於兩個空間。
在所述殼體110內部,安裝多個分區111且所述殼體110的內部可被劃分成多個空間。分區111可經安置以便在前後方向上在上部層部分110a及下部層部分110b中與彼此間隔開。並且,可打開分區111的一部分,且雷射可經由分區的打開部分穿過內部空間。替代地,具有內部空間的多個模組可經耦合以形成一個殼體110。因此,所述殼體110的內部空間可被劃分成多個。在此情況下,所述殼體110的經劃分空間可與彼此連通。然而,所述殼體的結構及形狀並不限於此,而是可為多樣化的。
多個光學部件可安裝在所述殼體110中。舉例來說,光學部件可包含透鏡120及反射鏡180。透鏡120可提供多個及安裝在內部空間的部分中。透鏡120可安裝在雷射的行進路徑中及可調節雷射通過的特性。反射鏡180用於反射或折射雷射以由此在用戶的所需方向上發射雷射。
雷射單元190用於產生雷射。雷射單元190可安裝在所述殼體110內部或所述殼體110外部及可將雷射供應到所述殼體
110中。因此,當由雷射單元190產生的雷射沿著所述殼體的內部空間行進時,雷射可發射到基板上及可因此處理所述基板。
在此情況下,可能將所述殼體110外部的外來物質引入到所述殼體110中,及氣流產生於所述殼體110中。因此,所述殼體中的外來物質可能浮動及可能黏附到透鏡120或反射鏡180。這些外來物質使透鏡120或反射鏡180的性能劣化及可能因此降低雷射處理步驟的效率。因此,可將吹掃氣體供應到所述殼體110中以防止外來物質被引入到所述殼體110中及防止在所述殼體110中引起氣流。
氣體供應單元130用於將吹掃氣體供應到經劃分內部空間中的每一者中。氣體供應單元130包含:多個注入器131,安裝在內部空間中及沿著所述殼體110的延伸方向以一個管線形式安置;以及多個供應管線132,連接到所述多個注入器131中的每一者以便將吹掃氣體供應到注入器131。可使用N2氣體作為吹掃氣體。然而,可用氣體的種類不限於此及可為多樣化的。
參考圖5,安置在上部層部分110a的內部空間中的注入器131可相較於內部空間中的底部表面更接近於頂部地安置。因此,注入器131可從上部部分向下注入吹掃氣體。替代地,安裝在下部層部分110b的內部空間中的注入器131可相較於內部空間中的頂部更接近於底部表面地安置及可從下部部分向上供應吹掃氣體。
並且,注入器131提供多個及可安置在上部層部分110a
的延伸方向上或下部層部分110b的延伸方向上。舉例來說,所述多個注入器131可以規則間隔與彼此間隔開及可以管線形式安置。並且,所述多個注入器131可以內部空間被劃分成的數目提供,及可將吹掃氣體供應到經劃分空間中的每一者。因此,相較於在通過一個注入器131將吹掃氣體供應到所述殼體110中的情況下,吹掃氣體可更為迅速地填充到所述殼體110的整個內部中。並且,調節供應到經劃分空間中的每一者的吹掃氣體的量。及因此,可將均一量的吹掃氣體供應到整個內部空間。然而,所提供注入器131的數目及位置並不限於此,而是可為多樣化的。
供應到內部空間的吹掃氣體可防止外部外來物質被引入到所述殼體110中及可抑制或防止所述殼體110中的氣流。因此,可防止外來物質黏附到所述殼體110內部的透鏡120或反射鏡上。
並且,注入器131可為擴散器。所述擴散器用於防止吹掃氣體立即被排放,從而將吹掃氣體自然地供應到所述殼體110中,及由此藉由吹掃氣體填充所述殼體110內部。因此,可抑制或防止吹掃氣體立即被排放及由此產生氣流或改變流速。
在此情況下,排放單元160的吸入管線161可位於安裝在上部層部分110a中的注入器下方或位於安裝在下部層部分110b中的注入器131上方。因此,可將從上側注入的吹掃氣體吸入到下部吸入管線161中,及可將從下側注入的吹掃氣體吸入到上部吸入管線161中。因此,層流在內部空間中形成在豎直方向上及可用吹掃氣體均一地填充內部空間的整個區域。
並且,從注入器131注入的吹掃氣體的最大流速可以是大致250標準升分鐘(standard litters minute;slm)或小於250標準升分鐘。因此,可防止由於將太大量的吹掃氣體注入到所述殼體110的內部空間而引起的氣流。即,可設定從注入器131注入的吹掃氣體的最大流速,因此可調節吹掃氣體使得用吹掃氣體緩慢地填充所述殼體110內部。然而,從注入器131注入的吹掃氣體的最大流速不限於此,而是可根據所述殼體110的大小不同地變化。
參考圖6(a),注入器131可包含:形成存儲氣體的空間及具有打開的下部部分的主體131a;以及安裝在主體131a的開口上以便將所注入吹掃氣體擴散到內部空間中的第一擴散板131b。主體131a的上部部分連接到供應管線132及可支撐在所述殼體110內部的上側上。主體131a的下部部分可為打開的。因此,可在主體131a下方注入經由供應管線132引入到主體131a中的吹掃氣體。
可形成對應於主體131a的開口的形狀的第一擴散板131b及可形成小於開口的面積的第一擴散板131b。舉例來說,可形成呈圓盤形狀的第一擴散板131b。因此,間隙可形成於第一擴散板131b與主體131a的開口之間。第一擴散板131b可位於吹掃氣體的移動路徑上及可由此與從上到下注入的吹掃氣體發生衝突。因此,向下注入的吹掃氣體可與第一擴散板131b發生衝突及可水準地擴散,以及可經由第一擴散板131b與開口之間的間隙供應到所
述殼體110中。然而,第一擴散板131b的結構及形狀並不限於此,而是可為多樣化的。
替代地,如圖6(b)中所說明,注入器131可安置在主體131a內部及可進一步包含在主體131a內部擴散吹掃氣體的第二擴散板131c。第二擴散板131c可安置於連接到主體131a的供應管線132的部分與第一擴散板131b之間。可形成對應於主體131a的平面形狀的第二擴散板131c及第二擴散板131c可具備在豎直方向上穿過其的多個孔。因此,雖然供應到主體131a中的吹掃氣體可與第二擴散板131c發生衝突及在主體131a中擴散,但可經由第二擴散板131c中提供的所述孔向下供應吹掃氣體。
吹掃氣體可首先借助於第二擴散板131c在主體131a中擴散及其次可借助於第一擴散板131b在所述殼體110中擴散,由此供應吹掃氣體。因此,可防止立即注入吹掃氣體,及可用吹掃氣體緩慢地供應內部空間及用吹掃氣體緩慢地填充內部空間。因此,可防止由即刻供應到內部空間的吹掃氣體引起的氣流。
替代地,如圖6(c)中所說明,可進一步提供可在豎直方向上拉伸/可在豎直方向上收縮的彈性部件131d。所述彈性部件131d可具有連接到主體131a內部的頂部表面的一端及連接到第一擴散板131b的另一端且可支撐第一擴散板131b。在此情況下,可形成大小等於或大於主體131a的開口的面積的第一擴散板131b及可借助於彈性部件131d向上移動及向下移動第一擴散板131b。因此,當彈性部件收縮時,第一擴散板131b可覆蓋開口;
及當彈性部件拉伸時,第一擴散板131b向下移動及所述開口可為打開的。
當供應到主體131a中的吹掃氣體的量增大時,主體131a內部的壓力可增大及向下推動第一擴散板131b。因此,當主體131a的開口打開時,吹掃氣體可經由主體131a與第一擴散板131b之間的間隙供應到所述殼體110的內部空間。因此,在預定壓力或大於預定壓力的情況下僅吹掃氣體可通過使用彈性部件131d的彈力供應到所述殼體110中。另外,由於在向下推動第一擴散板131b時注入吹掃氣體,因此在豎直方向上注入的流動速度降低,及由此可在水準擴散時注入。
然而,注入器131的結構不限於此,而是多樣化的,及主體131a、第一擴散板131b、第二擴散板131c以及彈性部件131d的各種組合可為可能的。並且,注入器131的安裝位置及吹掃氣體的注入方向可為多樣化的。
供應管線132可以所提供注入器131的數目提供多個,及連接到注入器131中的每一者。供應管線132可用以將吹掃氣體供應到注入器131。供應管線132可形成吹掃氣體移動通過的路徑及可具有連接到存儲有吹掃氣體的存儲槽的一端及穿過所述殼體110及連接到所述殼體110內部的注入器131的另一端。
並且,供應管線132可支撐所述殼體110的內部空間中的注入器131。供應管線132可穿過所述殼體的壁體。在此情況下,供應管線132可穿過耦合到所述殼體110的頂部的支撐部件
132a及可借助於所述支撐部件132a而固定。因此,供應管線132可穩定支撐注入器131。然而,支撐注入器131的方法不限於此,而是可為多樣化的。
另外,流速計及閥還可個別地安裝到所述多個供應管線132中的每一者。因此,當通過流速計測量供應到所述殼體110的內部空間的吹掃氣體的量時,還可通過控制所述閥精確調節供應到所述殼體110的吹掃氣體的量。在此情況下,由於所述殼體110內部的吹掃氣體可排放到外部,因此供應到所述殼體110的內部空間的吹掃氣體的量及實際上存在於內部空間中的吹掃氣體的量還可不同。
測量單元140用於測量所述殼體110內部多個位置處的氧濃度或壓力。即,當所述殼體110中吹掃氣體的量增大時,內部空間中的氧濃度降低及壓力增大。相反地,當所述殼體110中吹掃氣體的量減小時,內部空間中的氧濃度增大及壓力減小。因此,供應到所述殼體110中或排放到外部的吹掃氣體的量可通過測量內部空間中的氧濃度或壓力而調節。因此,合適的量的吹掃氣體可存在於所述殼體110中。
測量單元140包含主要氧濃度測量裝置141,其安裝在所述殼體110中以便測量所述殼體110內部多個位置處的氧濃度;及所述測量單元可進一步包含輔助氧濃度測量裝置143及壓力測量裝置142。
主要氧濃度測量裝置141用於測量所述殼體110的經劃
分空間的至少一部分的氧濃度。所述主要氧濃度測量裝置141包含:分別連接到經劃分空間及形成流體移動路徑的多個測量管線141b;分別安裝在所述多個測量管線141b中及打開/關閉所述流體移動路徑的多個截流閥141d;連接到所述多個測量管線141b的主管線141c;以及連接到主管線141c及測量流體中的氧濃度的氧感測器141a。
測量管線141b形成流體移動路徑。因此,可引入連接到測量管線141b的內部空間內部的流體及在測量管線141b中移動流體。測量管線141b提供有多個且其可分別連接到內部空間的至少一部分。舉例來說,測量管線141b可連接到安裝有透鏡120或反射鏡180的內部空間。即,為了防止外來物質黏附到透鏡120或反射鏡180,需要精確調節供應到安裝有透鏡120或反射鏡180的內部空間的吹掃氣體的量或排放到外部的吹掃氣體的量。因此,可監視安裝有透鏡120或反射鏡180的內部空間中的氧濃度。
截止閥141d可打開/關閉通過測量管線141b形成的氣體移動路徑。因此,使用截止閥,僅可將內部空間的所需位置中的流體引導到氧感測器141a的側面。因此,可選擇性地測量不同區域的氧濃度。
舉例來說,所述殼體110的內部被劃分成10個空間,且提供四個測量管線141b及其分別連接到安裝有透鏡120或反射鏡180的四個空間。在此情況下,當測量四個空間當中的第一空間的氧濃度時,可打開連接到第一空間的測量管線141b的截流閥
141d,及可關閉連接到第二空間到第四空間的測量管線141b的截流閥141d。因此,僅第一空間中的流體可經由測量管線141b移動到氧感測器141a。並且,當依序執行此過程時,可分別確定第一空間、第二空間、第三空間以及第四空間中的氧濃度。
主管線141c形成流體移動路徑及連接到所述多個測量管線141b。因此,經由測量管線141b引入的流體可被引導到氧感測器141a。
氧感測器141a可連接到主管線141c。因此,經由主管線141c引入的流體中的氧濃度可通過使用氧感測器141a測量,及可通過從所述多個測量管線141b當中僅選擇任何一個而將所述流體移動到氧感測器141a。因此,可個別地通過一個氧感測器141a測量所述多個經劃分空間中的氧濃度。因此,由於使用一個氧感測器141a,因此可促進裝備的維護。
在此情況下,主管線141c可連接到泵(未繪示),及氧感測器141a可定位於所述泵與測量管線141b之間。因此,當所述泵將吸入力提供到主管線141c時,內部空間中的流體可經由測量管線141b移動到氧感測器141a的側面。
輔助氧濃度測量裝置143提供多個及用於測量所述殼體110的內部空間中的氧濃度。輔助氧濃度測量裝置143可安裝在所述殼體110內部或可安裝在外部以與所述殼體110內部連通。此輔助氧濃度測量裝置143用以測量所述殼體110內部的氧濃度及確定操作員是否可進入所述殼體110。因此,輔助氧濃度測量裝置
143可相較於氧感測器141a更為粗略地測量氧濃度及可僅確定操作員是否可進入。即,可確定內部空間中的氧濃度是否為人可進入所述空間的此種程度。
輔助氧濃度測量裝置143可以經劃分內部空間的數目提供多個;還可安裝在相應經劃分內部空間中;以及還可僅安裝在經劃分空間當中的選定部分中。舉例來說,輔助氧濃度測量裝置143還可僅安裝在操作員應進入以執行工作的內部空間中。然而,輔助氧濃度測量裝置143測量氧濃度的位置並不限於此,而是可為多樣化的。
壓力測量裝置142提供多個及用於測量所述殼體110的內部空間中的壓力。壓力測量裝置142可安裝在所述殼體110內部或可安裝在外部以與所述殼體110的內部連通。
壓力測量裝置142可以經劃分內部空間的數目提供多個;還可安裝在相應經劃分內部空間中;以及還可僅安裝在經劃分空間當中的選定部分中。舉例來說,壓力測量裝置142可測量內部空間中安裝有透鏡120或反射鏡的區域的內壓。當供應到內部空間的吹掃氣體的量增大時,壓力增大;及當吹掃氣體的量減小時,壓力減小。因此,可經由內部空間的所測量壓力值間接確定存在於內部空間中的吹掃氣體的量。然而,壓力測量裝置142測量壓力的位置並不限於此,而是可為多樣化的。
因而,測量單元140測量所述殼體110內部的氧濃度及壓力,及可間接確定所述殼體110的內部空間中(具體地說,安
裝有透鏡120或反射鏡180的區域中)吹掃氣體的量。因此,當監視安裝有透鏡120或反射鏡180的部分中的氧濃度或壓力時,可調節供應到內部空間或排放到外部的吹掃氣體的量。
排放單元160用於排放所述殼體110中的吹掃氣體。排放單元160可包含:多個吸入管線161,在豎直方向上與注入器131間隔開及連接到內部空間;排放管線162,連接到所述多個吸入管線161;以及排放閥163,安裝在吸入管線161或排放管線162當中的至少任何一個中。
吸入管線161形成流體移動路徑。吸入管線161可提供多個及可吸入多個位置處的吹掃氣體。舉例來說,可提供多達所提供注入器131的數目的吸入管線161,及吸入管線161可位於對應於注入器131的位置的注入器上方或下方。即,從所述多個吸入管線161當中連接到上部層部分110a的吸入管線161可連接到上部層部分110a的下部部分,及連接到下部層部分110b的吸入管線161可連接到下部層部分110b的上部部分。因此,層流在內部空間中形成在豎直方向上及可用吹掃氣體均一地填充內部空間的整個區域。然而,吸入管線吸入氣體的位置並不限於此,而是可為多樣化的。
並且,所述多個吸入管線161可在上部層部分110a或下部層部分110b的延伸方向上以一個管線形式安置。舉例來說,所述多個吸入管線161可以規則間隔與彼此間隔開。並且,所述多個吸入管線161可提供在多個經劃分內部空間中及可將吹掃氣體
分別供應到內部空間。因此,相較於在通過一個吸入管線161排放所述殼體110中的吹掃氣體的情況下,吹掃氣體可更為迅速地排放到所述殼體110外部。並且,可通過調節從內部空間中的每一者排放的吹掃氣體的量精確地控制內部空間內部吹掃氣體的量。
替代地,可提供多達內部空間中所提供透鏡120或反射鏡180的數目的吸入管線161,及吸入管線161還可排放具備透鏡120或反射鏡180的內部空間中的流體。因此,可有效地防止由迅速調節具備透鏡120或反射鏡180的內部空間內部的吹掃氣體的量而引起氣流。然而,所提供吸入管線161的數目並不限於此,而是可為多樣化的。
排放管線162可形成流體移動路徑及可連接到所述多個吸入管線161。因此,可經由排放管線162將吸入到吸入管線161中的流體排放到外部。排放管線162可定位於上部層部分110a與下部層部分110b之間。因此,可減小連接到排放管線162的所述多個吸入管線161的長度。即,由於排放管線162定位於連接到上部層部分110a的吸入管線161與連接到下部層部分110b的吸入管線161之間,因此可減小吸入管線161的總長度及可改進空間可用性。
排放閥163被安裝到吸入管線161及排放管線162當中的任何一個及用於打開/關閉流體移動路徑。舉例來說,排放閥163可安裝到排放管線162。因此,當排放閥163的操作經控制時,
可吸入流體或可通過同時打開/關閉所述多個吸入管線161阻止流體的吸入。替代地,排放閥可提供多個及還可提供到所述多個吸入管線161中的每一者。因此,可針對每一經劃分空間獨立地控制是否吸入流體。通過控制排放閥163的操作,可控制吸入所述殼體110的內部空間中的吹掃氣體的時序及持續時間。
並且,可將流速計安裝到吸入管線161或排放管線162。因此,排放到所述殼體110外部的流體的量可通過測量吸入到吸入管線161或排放管線162中的氣體的量而精確調節。
控制單元150用於根據所述殼體110內部的氧濃度及壓力當中的至少任何一個而控制氣體供應單元130及排放單元160當中的至少任何一個的操作。即,控制單元150用於維持所述殼體110內部吹掃氣體的量。
控制單元150可包含:收發部分151,連接到測量單元140;確定部分152,連接到所述收發部分151及確定來自測量單元140的所測量值是否偏離預設值;以及控制部分153,連接到所述確定部分152及控制氣體供應單元130及排放單元160的操作。
收發部分151連接到氧感測器141a及壓力測量裝置142且可接收關於所述殼體110內部的氧濃度及壓力的資訊。收發部分151可將此類資訊收發到確定部分152。並且,收發部分151還可連接到輔助氧濃度測量裝置143。
確定部分152用於比較從收發部分151接收的氧濃度值與預定氧濃度設定範圍。舉例來說,預定氧濃度設定範圍可以是
大致0.1%到大致1%。當所述殼體110內部的氧濃度小於大致0.1%時,過多量的吹掃氣體供應到所述殼體110中及內壓狀態由此增大。因此,當所述殼體110內部的吹掃氣體由於所述殼體的內壓變得太過高於外部壓力而排放到外部時可能引起氣流。因此,透鏡120或反射鏡可能易於被沿著氣流移動的外來物質污染。
相反地,當所述殼體110內部的氧濃度超過大致1%時,過少量的吹掃氣體供應到所述殼體110中及內壓狀態由此降低。因此,所述殼體110的內壓變得小於外部壓力,及外部氣體可引入到所述殼體110中。因此,透鏡120或反射鏡可能易於被所引入氣體中的外來物質污染。
因而,當氧濃度過高或過低時,所述殼體110內部的透鏡120或反射鏡可能被污染。因此,氧濃度設定範圍可選定為大致0.1%到大致1%,使得所述殼體110內部的氧濃度經調節在大致0.1%到大致1%的範圍內。在此情況下,通過確定部分152比較的氧濃度值可為由氧感測器141a所測量的值。
並且,確定部分152可比較由輔助氧濃度測量裝置143所測量的氧濃度值是否為大致18%。即,為了確定操作員是否可進入所述殼體110,可比較空氣中的一般氧濃度與所測量值。因此,當由輔助氧濃度測量裝置143所測量的氧濃度小於大致18%時,可確定由於氧氣不夠操作員不可進入;及當由輔助氧濃度測量裝置143所測量的氧濃度等於或大於大致18%時,可確定操作員可進入。
並且,確定部分152用於比較從收發部分151接收的壓力值與預定壓力設定範圍。舉例來說,壓力設定範圍可以是大致30Pa到大致100Pa。當所述殼體110內部的壓力小於大致30Pa時,過多量的吹掃氣體供應到所述殼體110中,及內壓狀態由此增大。因此,當所述殼體110內部的吹掃氣體由於所述殼體110的內壓變得太過高於外部壓力而排放到外部時可能引起氣流。因此,透鏡120或反射鏡可能易於被沿著氣流移動的外來物質污染。
相反地,當所述殼體110內部的壓力超過大致100Pa時,過少量的吹掃氣體供應到所述殼體110中及內壓狀態由此降低。因此,所述殼體110的內壓變得小於外部壓力,及外部氣體可引入到所述殼體110中。因此,透鏡120或反射鏡可能易於被所引入氣體中的外來物質污染。
因而,當所述殼體110內部的壓力過高或過低時,所述殼體110內部的透鏡120或反射鏡可被污染。因此,壓力設定範圍可選定為大致20Pa到大致100Pa,使得所述殼體110內部的壓力經調節在大致20Pa到大致100Pa的範圍內。
在此情況下,確定部分152可比較在內部空間中在彼此不同的位置處通過所述多個壓力測量裝置142所測量的壓力值的平均值與壓力設定範圍。替代地,將藉由所述多個壓力測量裝置142所測量的壓力值當中的最小壓力值與壓力設定範圍的下限值相比較,或還可將最高壓力值與壓力設定範圍的上限值相比較。然而,從所述多個所測量壓力值當中選擇待與壓力設定範圍相比
較的值的方法不限於此,而是可為多樣化的。
控制部分153可根據確定部分152的確定來控制氣體供應單元130或排放單元160的操作。即,控制部分153可連接到提供到供應管線132的閥及排放閥163及可由此打開/關閉氣體移動路徑。舉例來說,當氧濃度小於大致0.1%或壓力超過大致100Pa時,可關閉提供到供應管線132的閥及排放閥163。因此,由於大量供應到所述殼體110中的吹掃氣體或所述殼體110內部的吹掃氣體被排放到外部,因此所述殼體110內部的吹掃氣體的量可減小。因此,所述殼體110內部的氧濃度或壓力增大及所述殼體110內部的濃度或壓力可維持在設定範圍內。
相反地,當氧濃度超過大致1%或壓力小於大致30Pa時,可打開提供到供應管線132的閥或可關閉排放閥163。因此,由於供應到所述殼體110中的吹掃氣體的量增大或從所述殼體110內部排放的吹掃氣體的量減小,因此所述殼體110內部吹掃氣體的量可增大。因此,所述殼體110內部的氧濃度或壓力減小及所述殼體110內部的濃度或壓力可維持在設定範圍內。
並且,控制部分153可在由輔助氧濃度測量裝置143所測量的值小於18%時將禁止進入信號發射給操作員;及在由輔助氧濃度測量裝置143所測量的值不低於大致18%時可發射允許進入信號。舉例來說,當所述所測量值小於大致18%時,可啟動告警音,或可產生紅光;及當所述所測量值不低於18%時,可產生綠光。因此,操作員可經由由控制部分153產生的聽覺或視覺通
知而確定是否進入所述殼體110。然而,通過控制部分153產生信號的方法不限於此,而是可為多樣化的。
因而,由於通過使用例如氧濃度值及壓力值等多個變數來監視所述殼體110內部吹掃氣體的量,因此可執行精確測量。並且,即使氧感測器141a或壓力測量裝置143當中的任何一個損壞,也可通過使用其它變數來測量及調節所述殼體110內部吹掃氣體的量。因此,維持所述殼體110內部吹掃氣體的量及可在那裡防止氣流的出現。因此,可抑制或防止透鏡120或反射鏡被通過氣流移動的外來物質污染。
在下文中,將詳細地描述根據示例性實施例的污染防止方法。
參考圖7,根據示例性實施例的污染防止方法包含:將吹掃氣體供應到具有內部空間及形成雷射行進路徑的殼體中(步驟S100);測量所述殼體內部多個位置處的氧濃度(步驟S200);以及根據所述殼體內部的氧濃度調節所述殼體內部吹掃氣體的量(步驟S300)。
當執行雷射處理步驟時,外部外來物質可能被引入到殼體110中及可由此易於黏附到透鏡120或反射鏡。黏附到透鏡120或反射鏡的外來物質使透鏡及反射鏡的性能劣化及可能由此降低雷射處理步驟的效率。因此,防止通過將吹掃氣體供應到所述殼體110中而引入外來物質。然而,存在以下問題:供應到所述殼體110中的吹掃氣體的量並未經精確控制;及因此,在所述殼體
110內部引起氣流;以及外來物質在通過氣流移動時黏附到透鏡120或反射鏡。因此,可在精確監視所述殼體110內部吹掃氣體的量時調節吹掃氣體的量以免引起氣流。
首先,吹掃氣體可供應到安裝在所述殼體110中的多個注入器131。注入器131可將所供應吹掃氣體注入到所述殼體110中。由於從多個位置供應吹掃氣體,因此雖然殼體110的內部容積較大,但吹掃氣體可作為整體均一地供應,及可用吹掃氣體迅速填充所述殼體110內部。因此,可防止外部外來物質被引入到所述殼體110中。
隨後,在多個位置處測量所述殼體110內部的氧濃度,及可比較所測量氧濃度值與預設氧濃度設定範圍。選擇性地關閉通過多個測量管線141b(其連接到所述殼體110的多個位置及吸入流體)形成的流體移動路徑,及可依序測量具有打開的移動路徑的被吸入到測量管線141b中的流體的氧濃度。
舉例來說,為了測量氧濃度,可僅打開所述多個測量管線141b當中連接到待測量的內部空間的測量管線141b,及可關閉其它測量管線141b。另外,可測量引入到打開的測量管線141b中的流體的氧濃度。接著,當測量管線141b當中的一個測量管線打開及其它測量管線141b關閉時,可依序測量連接到測量管線141b的內部空間的氧濃度。
接著,可確定所測量氧濃度值是否偏離氧濃度設定範圍。舉例來說,預定氧濃度設定範圍可以是大致0.1%到大致1%。
當氧濃度值大於氧濃度設定範圍時,確定所述殼體110內部吹掃氣體的量較小,可防止吹掃氣體被排放到外部同時防止吹掃氣體被供應到所述殼體110中。相反地,當氧濃度值小於氧濃度設定範圍時,確定所述殼體110內部吹掃氣體的量較大,吹掃氣體可被排放到外部或可防止吹掃氣體被供應到所述殼體110中。即,測量所述殼體110中的氧濃度,及調節供應到所述殼體110中的吹掃氣體的量及排放到所述殼體110外部的吹掃氣體的量當中的至少任何一個,因此所述殼體110內部吹掃氣體的量可經調節為恒定的。
並且,確定部分152可比較吸入在所述多個測量管線141b中的流體的氧濃度值的平均值與氧濃度設定範圍。替代地,將通過所述多個測量裝置141b所測量的氧濃度值當中的最小壓力值與氧濃度設定範圍的下限值相比較,或還可將最高壓力值與氧濃度設定範圍的上限值相比較。然而,從所述多個所測量氧濃度值當中選擇待與氧濃度設定範圍相比較的值的方法不限於此,而是可為多樣化的。
同時,填充所述殼體110的內部或將所述殼體110內部的吹掃氣體排放到外部可花費長的時間。因此,當將吹掃氣體供應到所述殼體110中時,可針對預定時間測量氧濃度或可在預定時間之後測量氧濃度。舉例來說,當測量氧濃度等於或大於大致0.1%的狀態持續大致24小時時,產生告警信號;及當超過大致1%的狀態持續五個小時或大於五個小時時,可調節所述殼體110內
部吹掃氣體的量。因此,可對應於所述殼體110內部的整個狀態而調節所述殼體110內部吹掃氣體的量。
並且,可在多個位置處測量所述殼體110內部的壓力,及可比較所測量壓力值與預設壓力設定範圍。因此,可確定所測量壓力值是否偏離壓力設定範圍。可在測量所述殼體110內部的氧濃度之前或在測量所述殼體110內部的氧濃度之後執行測量所述殼體110內部的壓力的工序。
舉例來說,壓力設定範圍可以是大致30Pa到大致100Pa。當所測量壓力值小於氧濃度設定範圍時,確定所述殼體110內部吹掃氣體的量較大,所述殼體110內部的吹掃氣體可被排放到外部或可防止吹掃氣體被供應到所述殼體110中。相反地,當所測量壓力值大於壓力設定範圍時,確定所述殼體110內部吹掃氣體的量較小,可防止吹掃氣體被排放到外部同時防止吹掃氣體被供應到所述殼體110中。即,測量所述殼體110內部的壓力,及調節供應到所述殼體110中的吹掃氣體的量及排放到所述殼體110外部的吹掃氣體的量當中的至少任何一個,因此所述殼體110內部吹掃氣體的量可經調節為恒定的。
在此情況下,確定部分152可比較在內部空間中在彼此不同的位置處已經通過所述多個壓力測量裝置142所測量的壓力值的平均值與壓力設定範圍。替代地,將通過所述多個壓力測量裝置142所測量的壓力值當中的最小壓力值與壓力設定範圍的下限值相比較,或還可將最高壓力值與壓力設定範圍的上限值相比
較。然而,從所述多個所測量壓力值當中選擇待與壓力設定範圍相比較的值的方法不限於此,而是可為多樣化的。
同時,使雷射通過的透鏡120或調節雷射的輻照方向的反射鏡180可安裝在內部空間的至少一部分中。在此情況下,可僅測量安裝有透鏡120或反射鏡180的區域中的氧濃度,或可僅測量安裝有透鏡120或反射鏡180的區域中的壓力。因此,可監視安裝有透鏡120或反射鏡180的內部空間的狀態,及因此,可有效地防止外來物質黏附到透鏡120或反射鏡180。
因而,可在多個位置處測量雷射裝置的所述殼體110內部的氧濃度及壓力。因此,根據所述殼體內部的氧濃度及壓力,可精確調節供應到所述殼體110中的吹掃氣體的量或排放到所述殼體110外部的吹掃氣體的量。因此,可抑制或防止所述殼體110內部氣流的產生及歸因於未經排放的臭氧而使污染物黏附到所述殼體中的透鏡或反射鏡。
另外,可通過防止透鏡120或反射鏡180的污染而防止透鏡120或反射鏡180的性能及使用壽命的劣化。因此,可防止雷射處理步驟的效率的劣化,及可促進裝備的維護。
根據示例性實施例,可在多個位置處測量雷射裝置的殼體內部的氧濃度及壓力。因此,回應於所述殼體內部的氧濃度及壓力,可精確調節供應到所述殼體中的吹掃氣體的量或排放到所述殼體外部的吹掃氣體的量。因此,可抑制或防止所述殼體中氣流的產生及歸因於未經排放的臭氧而使污染物黏附到所述殼體中
的透鏡或反射鏡。
並且,防止透鏡或反射鏡的污染,及因此,可防止透鏡或反射鏡的性能及使用壽命的劣化。因此,可防止雷射處理步驟的效率的劣化及可促進裝備的維護是有可能的。
雖然已在本發明的詳細描述中描述了特定實施例,但可在本發明的範圍內進行各種修改。因此,本發明的範圍不應限於上文描述的實施例,而是由上文闡述的等效物以及權利要求書來確定。
110:殼體
130:氣體供應單元
131:注入器
132:供應管線
140:測量單元
141:主要氧濃度測量裝置
141a:氧感測器
141b:測量管線
141c:主管線
141d:截流閥
142:壓力測量裝置
143:輔助氧濃度測量裝置
150:控制單元
151:收發部分
152:確定部分
153:控制部分
160:排放單元
161:吸入管線
162:排放管線
163:排放閥
Claims (19)
- 一種雷射裝置,包括:殼體,其具有被劃分成多個空間的內部空間;雷射單元,其經配置以藉由雷射輻照所述殼體內部;氣體供應單元,其安裝在所述殼體中以便將吹掃氣體供應到所述殼體中;以及測量單元,其具備主要氧濃度測量裝置,所述主要氧濃度測量裝置安裝在所述殼體中以便測量所述殼體內部多個位置處的氧濃度,其中所述主要氧濃度測量裝置包括:多個測量管線,其分別連接到多個經劃分的所述空間且形成流體移動路徑;主管線,其能夠選擇性地連接到所述多個測量管線中的任一者;以及氧感測器,其連接到所述主管線且測量流體中的氧濃度。
- 如申請專利範圍第1項所述的雷射裝置,其中所述測量單元更包括壓力測量裝置,所述壓力測量裝置安裝在所述殼體中以便測量所述殼體內部多個位置處的壓力。
- 如申請專利範圍第2項所述的雷射裝置,其中所述主要氧濃度測量裝置更包括:多個截流閥,其分別安裝到所述多個測量管線且打開/關閉所述流體移動路徑。
- 如申請專利範圍第2項所述的雷射裝置,更包括排放單元,所述排放單元安裝在所述殼體上以便排放所述殼體內部的所述吹掃氣體。
- 如申請專利範圍第4項所述的雷射裝置,更包括控制單元,所述控制單元根據所述殼體內部的氧濃度以及壓力當中的至少任何一條資訊來控制所述氣體供應單元以及所述排放單元當中的至少任何一個的操作。
- 如申請專利範圍第4項所述的雷射裝置,其中所述氣體供應單元包括:多個注入器,其安裝在所述內部空間中且安置在所述殼體的延伸方向上;以及多個供應管線,其分別連接到所述多個注入器以便將所述吹掃氣體供應到所述注入器。
- 如申請專利範圍第6項所述的雷射裝置,其中所述注入器包括擴散器。
- 如申請專利範圍第7項所述的雷射裝置,其中所述注入器各自包括:主體,其具有內部空間以及形成在所述主體的下部部分中的開口;以及第一擴散板,其安裝到所述開口以便將所注入的所述吹掃氣體擴散到所述內部空間中。
- 如申請專利範圍第8項所述的雷射裝置,其中所述注入器各自更包括第二擴散板,所述第二擴散板安裝在所述主體中以便擴散所述主體中的所述吹掃氣體。
- 如申請專利範圍第6項所述的雷射裝置,其中所述排放單元包括:多個吸入管線,其與所述注入器間隔開且連接到所述內部空間;以及排放管線,其連接到所述多個吸入管線。
- 如申請專利範圍第10項所述的雷射裝置,其中所述殼體包括上部層部分以及下部層部分,在所述多個吸入管線當中連接到所述上部層部分的所述吸入管線連接到所述上部層部分的下部部分,且連接到所述下部層部分的所述吸入管線連接到所述下部層部分的上部部分。
- 如申請專利範圍第2項到第11項中任一項所述的雷射裝置,更包括:多個透鏡,其安裝在所述內部空間的至少一部分中且沿著雷射行進路徑安置;反射鏡,其安裝在所述殼體的所述內部空間中且調節雷射輻照方向,其中所述主要氧濃度測量裝置以及所述壓力測量裝置連接到安裝有所述透鏡或所述反射鏡的所述內部空間。
- 一種雷射處理設備,其包括:腔室,在所述腔室中形成有基板處理空間且所述腔室具有形成於所述腔室上部表面上的發射視窗;載物台,其支撐所述腔室內部的基板;以及 如申請專利範圍第1項到第11項中任一項所述的雷射裝置,所述雷射裝置位於所述腔室上方且藉由雷射輻照所述腔室內部的所述基板。
- 一種用於雷射裝置的污染防止方法,包括:將吹掃氣體供應到具有內部空間且形成雷射行進路徑的殼體中;對所述殼體內部多個位置處的氧濃度進行測量;以及根據所述殼體內部的所述氧濃度來對所述殼體內部吹掃氣體的量進行調節,其中在所述多個位置處的所述氧濃度的測量包括:從連接至所述殼體的所述多個位置的多個測量管線中選擇任何一個測量管線,並將選定的所述測量管線連接到安裝有氧感測器的主管線;以及通過將吸入到所述多個測量管線中的選定的所述測量管線中的流體移動到所述氧感測器來測量所述流體的氧濃度。
- 如申請專利範圍第14項所述的用於雷射裝置的污染防止方法,其中從所述多個測量管線中選擇任何一個測量管線連接到所述主管線包括:選擇性地打開/關閉藉由所述多個測量管線形成的流體移動路徑。
- 如申請專利範圍第14項所述的用於雷射裝置的污染防止方法,其中根據所述殼體內部的所述氧濃度對所述殼體內部所述吹掃氣體的量的所述調節包括:比較所測量氧濃度值與預定氧濃度設定範圍;以及 在所述所測量氧濃度值大於所述預定氧濃度設定範圍時供應所述吹掃氣體,以及在所述所測量氧濃度值小於所述預定氧濃度設定範圍時將所述殼體內部的所述吹掃氣體排放到外部。
- 如申請專利範圍第14項所述的用於雷射裝置的污染防止方法,包括:在供應所述吹掃氣體到所述殼體中之後對在所述殼體中多個位置處的壓力進行測量;以及根據所述殼體內部的所述壓力來對所述殼體內部所述吹掃氣體的量進行調節。
- 如申請專利範圍第17項所述的用於雷射裝置的污染防止方法,其中根據所述殼體內部的所述氧濃度對所述殼體內部所述吹掃氣體的量的所述調節包括:比較所測量壓力值與預設壓力設定範圍;以及在所述所測量壓力值小於所述預設壓力設定範圍時供應所述吹掃氣體,以及在所述所測量壓力值大於所述預設壓力設定範圍時將所述殼體內部的所述吹掃氣體排放到所述外部。
- 如申請專利範圍第17項或第18項所述的用於雷射裝置的污染防止方法,其中將使雷射通過的透鏡或調節雷射輻照方向的反射鏡安裝在所述殼體的所述內部空間的至少一部分中,以及對所述殼體內部的所述氧濃度的所述測量或對所述殼體內部的所述壓力的所述測量包括測量安裝有所述透鏡或所述反射鏡的所述內部空間中的氧濃度或壓力。
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