KR101706692B1 - 투명 적층체, 정전 용량형 입력 장치 및 화상 표시 장치 - Google Patents

투명 적층체, 정전 용량형 입력 장치 및 화상 표시 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 투명 전극 패턴이 시인되는 문제가 없는 투명 적층체, 상기 투명 적층체를 갖는 정전 용량형 입력 장치, 상기 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비하는 화상 표시 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 투명 적층체는 투명 기판, 굴절률 1.6~1.78이며 막 두께가 55~110㎚인 제 1 투명막, 투명 전극 패턴, 및 굴절률 1.6~1.78이며 막 두께가 55~110㎚인 제 2 투명막이 이 순서로 적층된 영역을 면 내에 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

투명 적층체, 정전 용량형 입력 장치 및 화상 표시 장치{TRANSPARENT LAYERED BODY, ELECTROSTATIC CAPACITANCE INPUT DEVICE, AND IMAGE DISPLAY DEVICE}
본 발명은 투명 적층체, 정전 용량형 입력 장치 및 화상 표시 장치에 관한 것이다. 상세하게는, 손가락의 접촉 위치를 정전 용량의 변화로서 검출 가능한 정전 용량형 입력 장치와 그것에 사용할 수 있는 투명 적층체, 및 상기 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 화상 표시 장치에 관한 것이다.
휴대전화, 카 내비게이션, 퍼스널 컴퓨터, 매표기, 은행의 단말 등의 전자 기기에서는, 최근 액정 장치 등의 표면에 태블릿형의 입력 장치가 배치되어 액정 장치의 화상 표시 영역에 표시된 지시 화상을 참조하면서 이 지시 화상이 표시되고 있는 개소에 손가락 또는 터치펜 등을 접촉함으로써 지시 화상에 대응하는 정보의 입력이 행해지는 것이 있다.
이와 같은 입력 장치(터치패널)에는 저항막형, 정전 용량형 등이 있다. 그러나, 저항막형의 입력 장치는 필름과 유리의 2매 구조로 필름을 압하하여 쇼트시키는 구조때문에 동작 온도 범위의 협소함이나 경시 변화에 약하다는 결점을 갖고 있다.
이에 대해서 정전 용량형 입력 장치는 간단하게 1매의 기판에 투광성 도전막을 형성하면 좋다는 이점이 있다. 이와 같은 정전 용량형 입력 장치에서는, 예를 들면 서로 교차하는 방향으로 전극 패턴을 연장시켜서 손가락 등이 접촉했을 때, 전극 사이의 정전 용량이 변화하는 것을 감지하여 입력 위치를 검출하는 타입의 것이 있다(예를 들면, 하기 특허문헌 1~3 참조).
이들 정전 용량형 입력 장치를 사용함에 있어서, 예를 들면 광원이 비칠 때의 정반사 근방으로부터 조금 떨어진 위치에 있어서 투명 전극 패턴이 눈에 띄어 겉보기가 우수하지 않은 등의 시인성의 문제가 있었다. 이에 대해서 특허문헌 1에서는 기판 상에 ITO 패턴을 형성하고, ITO 패턴의 상측에만 SiO2 등의 저굴절률 유전체 재료로 이루어지는 층과, Nb2O5 등의 고굴절률 유전체 재료로 이루어지는 층을 교대로 적층함으로써 그들 각 층에 의한 광 간섭 효과에 의해 투명 전극 패턴이 스텔스화되어 뉴트럴한 색조가 된다고 기재되어 있다.
특허문헌 2에서는 기판 상에 ITO 패턴을 형성하기 전에 ITO 패턴의 하측에만 SiO2 등의 저굴절률층과 Nb2O5 등의 고굴절률층을 적층하고 나서 ITO 패턴을 형성함으로써 투명 전극 패턴 형상이 나타나는 것을 방지할 수 있다고 기재되어 있다.
특허문헌 3에는 기판 상에 ITO 패턴을 형성하기 전에 ITO 패턴의 하측에만 SiO2 등의 저굴절률층과 Nb2O5 등의 고굴절률층을 적층하고 나서 ITO 패턴을 형성함으로써 투명 전극 패턴이나 패턴끼리의 교차부를 눈에 띄지 않게 할 수 있다고 기재되어 있다.
일본 특허 공개 2010-86684호 공보 일본 특허 공개 2010-152809호 공보 일본 특허 공개 2010-257492호 공보
이에 대해서 본 발명자들이 이들 특허문헌 1~3에 기재되어 있는 층 구성을 검토한 결과, 투명 전극 패턴이 시인되어 버려서 여전히 투명 전극 패턴이 시인되는 문제는 완전하게는 해결되어 있지 않은 것을 알았다.
본 발명이 해결하려는 과제는 투명 전극 패턴이 시인되는 문제가 없는 투명 적층체를 제공하는 것이다.
본 발명자들은 특정 굴절률 및 막 두께의 투명막을 2매 사용하여 투명 전극 패턴을 끼워 넣는 구성으로 함으로써 투명 전극 패턴이 시인되는 문제를 해결할 수 있는 것을 발견하기에 이르렀다.
상기 과제를 해결하기 위한 구체적인 수단인 본 발명은 이하와 같다.
[1] 투명 기판, 굴절률 1.6~1.78이며 막 두께가 55~110㎚인 제 1 투명막, 투명 전극 패턴, 및 굴절률 1.6~1.78이며 막 두께가 55~110㎚인 제 2 투명막이 이 순서로 적층된 영역을 면 내에 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 적층체.
[2] [1]에 기재된 투명 적층체는 제 1 투명막 및 제 2 투명막에 의해 투명 전극 패턴 및 투명 전극 패턴이 형성되어 있지 않은 비패턴 양쪽이 연속해서 직접 또는 다른 층을 통해서 피복된 것이 바람직하다.
[3] [1] 또는 [2]에 기재된 투명 적층체는 제 1 투명막 및 투명 전극 패턴이 서로 인접하고 있는 것이 바람직하다.
[4] [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 투명 적층체는 투명 전극 패턴 및 제 2 투명막이 서로 인접하고 있는 것이 바람직하다.
[5] [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 투명 적층체는 투명 전극 패턴이 형성되어 있지 않은 비패턴 영역의 적어도 일부에 투명 기판, 제 1 투명막 및 제 2 투명막이 이 순서로 적층된 영역을 면 내에 포함하는 것이 바람직하다.
[6] [5]에 기재된 투명 적층체는 투명 기판, 제 1 투명막 및 제 2 투명막이 이 순서로 적층된 영역에 있어서, 제 1 투명막 및 제 2 투명막이 서로 인접하고 있는 것이 바람직하다.
[7] [1] 내지 [6] 중 어느 하나에 기재된 투명 적층체는 제 2 투명막의 투명 전극 패턴이 형성된 표면과는 반대측의 표면 상에 굴절률 1.5~1.55의 투명 보호막이 더 형성된 것이 바람직하다.
[8] [1] 내지 [7] 중 어느 하나에 기재된 투명 적층체는 제 1 투명막과 제 2 투명막이 동일 재료로 구성된 것이 바람직하다.
[9] [1] 내지 [8] 중 어느 하나에 기재된 투명 적층체는 투명 기판이 굴절률 1.5~1.55의 유리 기판인 것이 바람직하다.
[10] [1] 내지 [9] 중 어느 하나에 기재된 투명 적층체는 투명 전극 패턴이 굴절률 1.75~2.1의 ITO막인 것이 바람직하다.
[11] [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 투명 적층체는 제 1 투명막 및 제 2 투명막 중 적어도 한쪽이 투명 수지막인 것이 바람직하다.
[12] [11]에 기재된 투명 적층체는 투명 수지막이 ZrO2 입자 및 TiO2 입자 중 적어도 한쪽을 갖는 것이 바람직하다.
[13] [1] 내지 [12] 중 어느 하나에 기재된 투명 적층체는 제 1 투명막 및 제 2 투명막 중 적어도 한쪽이 가지지체 상에 형성된 투명 경화성 수지막을 투명 기판 상에 전사하여 제막되어 이루어지는 것이 바람직하다.
[14] [1] 내지 [12] 중 어느 하나에 기재된 투명 적층체는 제 1 투명막 및 제 2 투명막 중 적어도 한쪽이 스퍼터에 의해 형성되어 이루어지는 것이 바람직하다.
[15] [1] 내지 [10] 중 어느 하나에 기재된 투명 적층체는 제 1 투명막 및 제 2 투명막 중 적어도 한쪽이 스퍼터에 의해 형성된 SiO2와 Nb2O5의 혼합막인 것이 바람직하다.
[16] [1] 내지 [15] 중 어느 하나에 기재된 투명 적층체는 투명 전극 패턴의 단부가 30° 이하의 테이퍼 형상을 갖는 것이 바람직하다.
[17] [1] 내지 [16] 중 어느 하나에 기재된 투명 적층체는 투명 기판 및 제 1 투명막 사이에 굴절률 1.5~1.52의 제 3 투명막을 포함하는 것이 바람직하다.
[18] [1] 내지 [17] 중 어느 하나에 기재된 투명 적층체를 갖는 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치.
[19] [18]에 기재된 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
(발명의 효과)
본 발명에 의하면 투명 전극 패턴이 시인되는 문제가 없는 투명 적층체를 제공할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 구성의 일례를 나타내는 단면 개략도이다.
도 1b는 본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 구성의 다른 일례를 나타내는 단면 개략도이다.
도 2는 본 발명에 있어서의 앞면판의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 3은 본 발명에 있어서의 투명 전극 패턴과 비패턴 영역의 관계의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 4는 개구부가 형성된 강화 처리 유리의 일례를 나타내는 상면도이다.
도 5는 마스크층이 형성된 앞면판의 일례를 나타내는 상면도이다.
도 6은 제 1 투명 전극 패턴이 형성된 앞면판의 일례를 나타내는 상면도이다.
도 7은 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴이 형성된 앞면판의 일례를 나타내는 상면도이다.
도 8은 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소가 형성된 앞면판의 일례를 나타내는 상면도이다.
도 9는 금속 나노와이어 단면을 나타내는 설명도이다.
도 10은 투명 전극 패턴의 단부의 테이퍼 형상의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 11은 본 발명의 투명 적층체의 구성의 일례를 나타내는 단면 개략도이다.
이하, 본 발명의 투명 적층체, 정전 용량형 입력 장치 및 화상 표시 장치에 대해서 설명한다. 이하에 기재하는 구성 요건의 설명은 본 발명의 대표적인 실시형태나 구체예에 의거하여 이루어지는 경우가 있지만, 본 발명은 그와 같은 실시형태나 구체예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 있어서 「~」을 사용하여 나타내어지는 수치 범위는 「~」의 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다.
[투명 적층체]
본 발명의 투명 적층체는 투명 기판, 굴절률 1.6~1.78이며 막 두께가 55~110㎚인 제 1 투명막, 투명 전극 패턴, 및 굴절률 1.6~1.78이며 막 두께가 55~110㎚인 제 2 투명막이 이 순서로 적층된 영역을 면 내에 포함하는 것을 특징으로 한다.
이와 같은 구성으로 함으로써 투명 전극 패턴이 시인된다는 문제가 해소되기 때문에 겉보기가 양호한 투명 적층체가 얻어진다.
<투명 적층체의 구성>
도 11에 본 발명의 투명 적층체의 구성의 일례를 나타낸다.
도 11에서는 투명 기판(1), 굴절률 1.6~1.78이며 막 두께가 55~110㎚인 제 1 투명막(11), 투명 전극 패턴(4), 및 굴절률 1.6~1.78이며 막 두께가 55~110㎚인 제 2 투명막(12)이 이 순서로 적층된 영역(21)을 면 내에 갖는다.
면 내란 투명 적층체의 투명 기판과 평행한 면에 대해서 대략 평행 방향을 의미한다. 투명 기판, 제 1 투명막, 투명 전극 패턴 및 제 2 투명막이 이 순서로 적층된 영역을 면 내에 포함한다란 투명 기판, 제 1 투명막, 투명 전극 패턴 및 제 2 투명막이 이 순서로 적층된 영역에 대한 투명 적층체의 투명 기판과 평행한 면으로의 정사영이 투명 적층체의 투명 기판과 평행한 면 내에 존재하는 것을 의미한다.
여기서, 본 발명의 투명 적층체를 후술하는 정전 용량형 입력 장치에 사용할 경우, 투명 전극 패턴은 행 방향과 열 방향의 대략 직교하는 2개의 방향으로 각각 제 1 투명 전극 패턴 및 제 2 투명 전극 패턴으로서 형성되는 경우가 있다(예를 들면, 도 3 참조). 예를 들면, 도 3의 구성에서는 본 발명의 투명 적층체에 있어서의 투명 전극 패턴은 제 2 투명 전극 패턴(4)이어도 좋고, 제 1 투명 전극 패턴(3)의 패드 부분(3a)이어도 좋다. 바꿔 말하면, 이하의 본 발명의 투명 적층체의 설명에서는 투명 전극 패턴의 부호를 「4」로 대표해서 나타내는 경우가 있지만, 본 발명의 투명 적층체에 있어서의 투명 전극 패턴은 본 발명의 정전 용량형 입력 장치에 있어서의 제 2 투명 전극 패턴(4)으로의 사용에 한정되는 것은 아니며, 예를 들면 제 1 투명 전극 패턴(3)의 패드 부분(3a)으로서 사용해도 좋다.
본 발명의 투명 적층체는 투명 전극 패턴이 형성되어 있지 않은 비패턴 영역을 포함하는 것이 바람직하다. 본 명세서 중, 비패턴 영역이란 투명 전극 패턴(4)이 형성되어 있지 않은 영역을 의미한다.
도 11에는 본 발명의 투명 적층체가 비패턴 영역(22)을 포함하는 실시형태가 나타내어져 있다.
본 발명의 투명 적층체는 투명 전극 패턴이 형성되어 있지 않은 비패턴 영역(22)의 적어도 일부에 투명 기판, 제 1 투명막 및 제 2 투명막이 이 순서로 적층된 영역을 면 내에 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 투명 적층체는 투명 기판, 제 1 투명막 및 제 2 투명막이 이 순서로 적층된 영역에 있어서 제 1 투명막 및 제 2 투명막이 서로 인접하고 있는 것이 바람직하다.
단, 비패턴 영역(22)의 그 밖의 영역에는 본 발명의 취지에 반하지 않는 한에 있어서 기타 부재를 임의의 위치에 배치해도 좋고, 예를 들면 본 발명의 투명 적층체를 후술하는 정전 용량형 입력 장치에 사용할 경우, 도 1a에 있어서의 마스크층(2)이나 절연층(5)이나 도전성 요소(6) 등을 적층할 수 있다.
본 발명의 투명 적층체는 투명 기판 및 제 1 투명막이 서로 인접하고 있는 것이 바람직하다.
도 11에는 투명 기판(1) 상에 인접하여 제 1 투명막(11)이 적층되어 있는 실시형태가 나타내어져 있다.
단, 본 발명의 취지에 반하지 않는 한에 있어서 투명 기판 및 제 1 투명막 사이에 제 3 투명막이 적층되어 있어도 좋다. 예를 들면, 본 발명의 투명 적층체는 투명 전극 패턴이 시인되기 어렵게 하는 관점으로부터 투명 기판 및 제 1 투명막 사이에 굴절률 1.5~1.52의 제 3 투명막(도 11에는 도시하지 않음)을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 투명 적층체는 투명 전극 패턴이 시인되기 어렵게 하는 관점으로부터 제 1 투명막의 두께가 55~110㎚이고, 60~110㎚인 것이 바람직하고, 70~90㎚인 것이 보다 바람직하다.
여기서, 제 1 투명막은 단층 구조이어도 좋고, 2층 이상의 적층 구조이어도 좋다. 제 1 투명막이 2층 이상의 적층 구조일 경우, 제 1 투명막의 막 두께란 전체 층의 합계 막 두께를 의미한다.
본 발명의 투명 적층체는 투명 전극 패턴이 시인되기 어렵게 하는 관점으로부터 제 1 투명막 및 투명 전극 패턴이 서로 인접하고 있는 것이 바람직하다.
도 11에는 제 1 투명막(11)의 일부의 영역 상에 인접하여 투명 전극 패턴(4)이 적층되어 있는 실시형태가 나타내어져 있다.
도 11에 나타내는 바와 같이, 투명 전극 패턴(4)의 단부는 그 형상에 특별히 제한은 없지만, 테이퍼 형상을 갖고 있어도 좋고, 예를 들면 투명 기판측의 면쪽이 투명 기판과 반대측의 면보다 넓은 것과 같은 테이퍼 형상을 갖고 있어도 좋다.
여기서, 투명 전극 패턴의 단부가 테이퍼 형상일 때의 투명 전극 패턴의 단부의 각도(이하, 테이퍼각이라 함)는 투명 전극 패턴이 시인되기 어렵게 하는 관점으로부터 30° 이하인 것이 바람직하고, 0.1~15°인 것이 보다 바람직하고, 0.5~5°인 것이 특히 바람직하다.
본 명세서 중에 있어서의 테이퍼각의 측정 방법은 투명 전극 패턴의 단부의 현미경 사진을 촬영하고, 그 현미경 사진의 테이퍼 부분을 삼각형에 근사하여 테이퍼각를 직접 측정하여 구할 수 있다.
도 10에 투명 전극 패턴의 단부가 테이퍼 형상일 경우의 일례를 나타낸다. 도 10에 있어서의 테이퍼 부분을 근사한 삼각형은 저면이 800㎚이며 높이(저면과 대략 평행한 상저 부분에 있어서의 막 두께)가 40㎚이며, 이 때의 테이퍼각(α)은 약 3°이다. 테이퍼 부분을 근사한 삼각형의 저면은 투명 전극 패턴이 시인되기 어렵게 하는 관점으로부터 10~3000㎚인 것이 바람직하고, 100~1500㎚인 것이 보다 바람직하고, 300~1000㎚인 것이 특히 바람직하다. 또한, 테이퍼 부분을 근사한 삼각형의 높이의 바람직한 범위는 투명 전극 패턴의 막 두께의 바람직한 범위와 마찬가지이다.
본 발명의 투명 적층체는 투명 전극 패턴 및 제 2 투명막이 서로 인접하고 있는 영역을 면 내에 포함하는 것이 바람직하다.
도 11에는 투명 기판, 제 1 투명막, 투명 전극 패턴 및 제 2 투명막이 이 순서로 적층된 영역(21)에 있어서 투명 전극 패턴 및 제 2 투명막이 서로 인접하고 있는 실시형태가 나타내어져 있다.
또한, 본 발명의 투명 적층체는 제 1 투명막 및 제 2 투명막에 의해 투명 전극 패턴 및 투명 전극 패턴이 형성되어 있지 않은 비패턴 영역(22) 양쪽이 연속해서 직접 또는 다른 층을 통해서 피복된 것이 바람직하다.
여기서, 「연속해서」란 제 1 투명막 및 제 2 투명막이 패턴막이 아니라 연속막인 것을 의미한다. 즉, 제 1 투명막 및 제 2 투명막은 개구부를 갖고 있지 않는 것이 투명 전극 패턴이 시인되기 어렵게 하는 관점으로부터 바람직하다.
또한, 제 1 투명막 및 제 2 투명막에 의해 투명 전극 패턴 및 비패턴 영역(22)이 다른 층을 통해서 피복되는 것보다 직접 피복되는 것이 바람직하다. 다른 층을 통해서 피복될 경우에 있어서의 상기 「다른 층」으로서는 후술하는 본 발명의 정전 용량형 입력 장치에 포함되는 절연층(5)이나 후술하는 본 발명의 정전 용량형 입력 장치와 같이 투명 전극 패턴이 2층 이상 포함될 경우에는 2층째의 투명 전극 패턴 등을 들 수 있다.
도 11에는 제 1 투명막(11) 상의 투명 전극 패턴(4)이 적층되어 있지 않은 영역과 투명 전극 패턴(4) 상에 걸쳐서 양쪽과 각각 인접하여 제 2 투명막(12)이 적층되어 있는 실시형태가 나타내어져 있다.
또한, 투명 전극 패턴(4)의 단부가 테이퍼 형상일 경우에는 테이퍼 형상을 따라(테이퍼각과 동일한 경사로) 제 2 투명막(12)이 적층되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 투명 적층체는 투명 전극 패턴이 시인되기 어렵게 하는 관점으로부터 제 2 투명막의 두께가 55~110㎚이며, 60~110㎚인 것이 바람직하고, 70~90㎚인 것이 보다 바람직하다.
여기서, 제 2 투명막은 단층 구조이어도 좋고, 2층 이상의 적층 구조이어도 좋다. 제 2 투명막이 2층 이상의 적층 구조일 경우, 제 1 투명막의 막 두께란 전체 층의 합계 막 두께를 의미한다.
본 발명의 투명 적층체는 제 2 투명막의 투명 전극 패턴이 형성된 표면과는 반대측의 표면 상에 굴절률 1.5~1.55의 투명 보호막이 더 형성된 것이 바람직하다. 또한, 투명 보호막(7)은 비패턴 영역의 제 2 투명막의 표면 상에도 형성되는 것이 바람직하다.
도 11에서는 제 2 투명막(12)의 투명 전극 패턴이 형성된 표면과는 반대측의 표면 상에 투명 보호막(7)이 적층된 실시형태가 나타내어져 있다.
본 발명의 투명 적층체는 투명 보호막의 두께가 0.1~10㎛인 것이 바람직하고, 0.5~5㎛인 것이 보다 바람직하고, 1~3㎛인 것이 특히 바람직하다.
<투명 적층체의 재료>
(투명 기판)
본 발명의 투명 적층체는 투명 전극 패턴이 시인되기 어렵게 하는 관점으로부터 투명 기판이 굴절률 1.5~1.55의 유리 기판인 것이 바람직하다. 투명 기판의 굴절률은 1.5~1.52인 것이 특히 바람직하다.
투명 기판은 유리 기판 등의 투광성 기판으로 구성되어 있고, Corning Incorporated의 고릴라 유리로 대표되는 강화 유리 등을 사용할 수 있다. 또한, 투명 기판으로서는 일본 특허 공개 2010-86684호 공보, 일본 특허 공개 2010-152809호 공보 및 일본 특허 공개 2010-257492호 공보에 사용되어 있는 재료를 바람직하게 사용할 수 있고, 이들 문헌의 내용은 본 명세서 중에 포함된다.
(제 1 투명막)
본 발명의 투명 적층체는 투명 전극 패턴이 시인되기 어렵게 하는 관점으로부터 제 1 투명막의 굴절률이 1.6~1.78이고, 1.65~1.74인 것이 바람직하다. 여기서, 제 1 투명막은 단층 구조이어도 좋고, 2층 이상의 적층 구조이어도 좋다. 제 1 투명막이 2층 이상의 적층 구조일 경우, 제 1 투명막의 굴절률이란 전체 층의 굴절률을 의미한다.
이와 같은 굴절률의 범위를 만족시키는 한에 있어서 제 1 투명막의 재료는 특별히 제한되지 않는다.
(1) 투명 수지막
본 발명의 투명 적층체는 제 1 투명막 및 제 2 투명막 중 적어도 한쪽이 투명 수지막인 것이 바람직하다.
투명 수지막의 굴절률을 제어하는 방법으로서는 특별히 제한은 없지만, 소망의 굴절률의 투명 수지막을 단독으로 사용하거나, 금속 미립자나 금속 산화물 미립자 등의 미립자를 첨가한 투명 수지막을 사용하거나 할 수 있다.
투명 수지막에 사용되는 수지 조성물은 굴절률이나 광 투과성을 조절하는 것을 목적으로 해서 금속 산화물 입자를 함유하는 것이 바람직하다. 금속 산화물 입자는 투명성이 높아 광 투과성을 갖기 때문에 고굴절률이며 투명성이 우수한 포지티브형 감광성 수지 조성물이 얻어진다.
금속 산화물 입자는 상기 입자를 제외한 재료로 이루어지는 수지 조성물의 굴절률보다 굴절률이 높은 것이 바람직하고, 구체적으로는 400~750㎚의 파장을 갖는 광에 있어서의 굴절률이 1.50 이상인 입자가 보다 바람직하고, 굴절률이 1.70 이상인 입자가 더욱 바람직하고, 1.90 이상인 입자가 특히 바람직하다.
여기서, 400~750㎚의 파장을 갖는 광에 있어서의 굴절률이 1.50 이상이란 상기 범위의 파장을 갖는 광에 있어서의 평균 굴절률이 1.50 이상인 것을 의미하고, 상기 범위의 파장을 갖는 모든 광에 있어서의 굴절률이 1.50 이상일 것을 요하지 않는다. 또한, 평균 굴절률은 상기 범위의 파장을 갖는 각 광에 대한 굴절률의 측정값의 총합을 측정점의 수로 나눈 값이다.
또한, 금속 산화물 입자의 금속에는 B, Si, Ge, As, Sb, Te 등의 반금속도 포함되는 것으로 한다.
광 투과성이며 굴절률이 높은 금속 산화물 입자로서는 Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, La, Ce, Gd, Tb, Dy, Yb, Lu, Ti, Zr, Hf, Nb, Mo, W, Zn, B, Al, Si, Ge, Sn, Pb, Sb, Bi, Te 등의 원자를 포함하는 산화물 입자가 바람직하고, 산화 티탄, 티탄 복합 산화물, 산화 아연, 산화 지르코늄, 인듐/주석 산화물, 안티몬/주석 산화물이 보다 바람직하고, 산화 티탄, 티탄 복합 산화물, 산화 지르코늄이 더욱 바람직하고, 산화 티탄, 산화 지르코늄이 특히 바람직하다. 이산화 티탄으로서는 특히 굴절률이 높은 루틸형이 바람직하다. 이들 금속 산화물 입자는 분산 안정성 부여를 위해서 표면을 유기 재료로 처리할 수도 있다.
수지 조성물의 투명성의 관점으로부터 금속 산화물 입자의 평균 1차 입자 지름은 1~200㎚가 바람직하고, 3~80㎚가 특히 바람직하다. 여기서 입자의 평균 1차 입자 지름은 전자 현미경에 의해 임의의 입자 200개의 입자 지름을 측정하여 그 산술 평균을 말한다. 또한, 입자의 형상이 구형이 아닐 경우에는 가장 긴 변을 지름으로 한다.
또한, 금속 산화물 입자는 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.
수지 조성물에 있어서의 금속 산화물 입자의 함유량은 수지 조성물에 의해 얻어지는 광학 부재에 요구되는 굴절률이나 광 투과성 등을 고려하여 적당하게 결정하면 좋지만, 수지 조성물의 전체 고형분에 대해서 5~80질량%로 하는 것이 바람직하고, 10~70질량%로 하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 투명 적층체는 투명 수지막이 ZrO2 입자 및 TiO2 입자 중 적어도 한쪽을 갖는 것이 제 1 투명막 및 제 2 투명막의 굴절률의 범위로 굴절률을 제어하는 관점으로부터 바람직하다.
투명 수지막에 사용되는 수지(바인더)나 그 밖의 첨가제로서는 본 발명의 취지에 반하지 않는 한에 있어서 특별히 제한은 없고, 후술하는 본 발명의 정전 용량형 입력 장치를 제조할 때에 사용되는 감광성 필름의 감광성 수지층에 사용되는 수지나 그 밖의 첨가제를 바람직하게 사용할 수 있다.
(2) 무기막
본 발명의 투명 적층체는 제 1 투명막 및 제 2 투명막이 무기막이어도 좋다.
무기막으로서는 일본 특허 공개 2010-86684호 공보, 일본 특허 공개 2010-152809호 공보 및 일본 특허 공개 2010-257492호 공보 등에 사용되어 있는 무기막을 사용할 수 있고, 이들 문헌에 기재되어 있는 저굴절률 재료와 고굴절률 재료의 적층 구조의 무기막이나 저굴절률 재료와 고굴절률 재료의 혼합막의 무기막을 사용하는 것이 굴절률을 제어하는 관점으로부터 바람직하다. 저굴절률 재료와 고굴절률 재료는 상기 일본 특허 공개 2010-86684호 공보, 일본 특허 공개 2010-152809호 공보 및 일본 특허 공개 2010-257492호 공보에 사용되어 있는 재료를 바람직하게 사용할 수 있고, 이들 문헌의 내용은 본 명세서 중에 포함된다.
본 발명의 투명 적층체는 제 1 투명막 및 제 2 투명막 중 적어도 한쪽이 SiO2와 Nb2O5의 혼합막인 것이 바람직하고, 스퍼터에 의해 형성된 SiO2와 Nb2O5의 혼합막인 것이 보다 바람직하다.
(투명 전극 패턴)
투명 전극 패턴의 굴절률은 1.75~2.1인 것이 바람직하다.
투명 전극 패턴의 재료는 특별히 제한되는 일은 없고, 공지의 재료를 사용할 수 있다. 예를 들면, ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투광성의 도전성 금속 산화막으로 제작할 수 있다. 이와 같은 금속막으로서는 ITO막; Al, Zn, Cu, Fe, Ni, Cr, Mo 등의 금속막; SiO2 등의 금속 산화막 등을 들 수 있다. 이 때, 각 요소의 막 두께는 10~200㎚로 할 수 있다. 또한, 소성에 의해 아모르퍼스의 ITO막을 다결정의 ITO막으로 하기 위해서 전기적 저항을 저감할 수도 있다. 또한, 제 1 투명 전극 패턴(3)과 제 2 투명 전극 패턴(4)과 후술하는 도전성 요소(6)는 도전성 섬유를 사용한 광 경화성 수지층을 갖는 감광성 필름을 사용하여 제조할 수도 있다. 그 밖에 ITO 등에 의해 제 1 도전성 패턴 등을 형성할 경우에는 일본 특허 제 4506785호 공보의 단락 [0014]~[0016] 등을 참고로 할 수 있다. 그 중에서도 투명 전극 패턴은 ITO막인 것이 바람직하다.
본 발명의 투명 적층체는 투명 전극 패턴이 굴절률 1.75~2.1의 ITO막인 것이 바람직하다.
(제 2 투명막)
본 발명의 투명 적층체는 제 2 투명막의 굴절률이 1.6~1.78이다.
제 2 투명막의 재료의 바람직한 범위와 굴절률 등의 물성의 바람직한 범위는 제 1 투명막의 그들의 바람직한 범위와 마찬가지이다.
본 발명의 투명 적층체는 제 1 투명막과 제 2 투명막이 동일 재료에 의해 구성된 것이 광학적 균질성의 관점으로부터 바람직하다.
(투명 보호막)
투명 보호막의 굴절률은 1.5~1.55인 것이 바람직하고, 1.5~1.52인 것이 보다 바람직하다.
투명 보호막의 재료로서는 표면 경도, 내열성이 높은 것이 바람직하고, 공지의 감광성 실록산 수지 재료, 아크릴 수지 재료 등이 사용된다.
(제 3 투명막)
제 3 투명막의 굴절률은 1.5~1.55인 것이 투명 기판의 굴절률에 근접하여 투명 전극 패턴의 시인성을 개선하는 관점으로부터 바람직하고, 1.5~1.52인 것이 보다 바람직하다.
<투명 적층체의 제조 방법>
(제 1 투명막 및 제 2 투명막의 제막)
제 1 투명막은 투명 전극 상에 직접 또는 제 3 투명막 등의 다른 층을 통해서 제막된다.
제 2 투명막은 투명 전극 패턴 상과 비패턴 영역에서는 제 1 투명막 상에 직접 또는 다른 층을 통해서 제막된다.
제 1 투명막 및 제 2 투명막의 제막 방법으로서는 특별히 제한은 없지만, 전사 또는 스퍼터에 의해 제막하는 것이 바람직하다.
그 중에서도 본 발명의 투명 적층체는 제 1 투명막 및 제 2 투명막 중 적어도 한쪽이 가지지체 상에 형성된 투명 경화성 수지막을 투명 기판 상에 전사하여 제막되어서 이루어지는 것이 바람직하고, 전사 후에 경화하여 제막되어서 이루어지는 것이 보다 바람직하다. 전사 및 경화의 방법으로서는 후술하는 본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 설명에 있어서의 감광성 필름을 사용하는 방법을 들 수 있다. 그 경우에는 감광성 필름 중의 광 경화성 수지층에 금속 산화물 미립자를 분산시킴으로써 제 1 투명막 및 제 2 투명막의 범위로 굴절률을 조정하는 것이 바람직하다.
한편, 제 1 투명막 또는 제 2 투명막이 무기막일 경우에는 스퍼터가 의해 형성되어 이루어지는 것이 바람직하다. 즉, 본 발명의 투명 적층체는 제 1 투명막 및 제 2 투명막 중 적어도 한쪽이 스퍼터에 의해 형성되어 이루어지는 것도 바람직하다.
스퍼터의 방법으로서는 일본 특허 공개 2010-86684호 공보, 일본 특허 공개 2010-152809호 공보 및 일본 특허 공개 2010-257492호 공보에 사용되어 있는 방법을 바람직하게 사용할 수 있고, 이들 문헌의 내용은 본 명세서 중에 포함된다.
(투명 전극 패턴의 제막)
투명 전극 패턴은 후술하는 본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 설명에 있어서의 제 1 투명 전극 패턴(3), 제 2 투명 전극 패턴(4) 및 다른 도전 요소(6)의 형성 방법 등을 사용하여 제 1 투명막 상에 제막할 수 있고, 감광성 필름을 사용하는 방법이 바람직하다.
[정전 용량형 입력 장치]
본 발명의 정전 용량형 입력 장치는 본 발명의 투명 적층체를 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 정전 용량형 입력 장치는 투명 기판(이하, 본 발명의 투명 적층체에 있어서의 투명 기판을 앞면판이나 기재라고도 함)과, 굴절률 1.6~1.78이며 막 두께가 55~110㎚인 제 1 투명막, 투명 전극 패턴, 및 굴절률 1.6~1.78이며 막 두께가 55~110㎚인 제 2 투명막을 포함한다.
또한, 정전 용량형 입력 장치는 앞면판의 비접촉측에 하기 (1)~(5)의 요소를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법에 제한은 없지만, (1)~(5)의 요소 중 적어도 하나를 가지지체와 광 경화성 수지층을 이 순서로 갖는 감광성 필름을 사용하여 형성하는 것이 바람직하고, 가지지체와 열 가소성 수지층과 광 경화성 수지층을 이 순서로 갖는 감광성 필름을 사용하여 형성하는 것이 보다 바람직하다.
(1) 마스크층
(2) 복수의 패드 부분이 접속 부분을 통해서 제 1 방향으로 연장되어 형성된 복수의 제 1 투명 전극 패턴
(3) 제 1 투명 전극 패턴과 전기적으로 절연되고, 제 1 방향으로 교차하는 방향으로 연장되어 형성된 복수의 패드 부분으로 이루어지는 복수의 제 2 투명 전극 패턴
(4) 제 1 투명 전극 패턴과 제 2 투명 전극 패턴을 전기적으로 절연하는 절연층
(5) 제 1 투명 전극 패턴 및 제 2 투명 전극 패턴 중 적어도 한쪽에 전기적으로 접속되고, 제 1 투명 전극 패턴 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소
본 발명의 정전 용량형 입력 장치는 (1)~(5)의 요소 모두 또는 일부를 덮도록 투명 보호층을 더 설치하는 것이 바람직하고, 투명 보호층이 본 발명의 투명 적층체에 있어서의 투명 보호층인 것이 보다 바람직하다.
또한, 필요에 따라서 마스크층과 투명 기판(앞면판) 사이에 가식을 위해서 가식층을 갖고 있어도 좋으며, 예를 들면 백색의 가식층을 설치하는 것이 바람직하다.
본 발명의 정전 용량형 입력 장치는 이와 같은 여러 가지 부재를 포함할 경우에도 제 1 투명막 및 제 2 투명막에 의해 끼워진 투명 전극 패턴을 눈에 띄지 않게 할 수 있어 시인성의 문제를 개선할 수 있다.
《정전 용량형 입력 장치의 구성과 제조 방법》
<구성>
우선, 본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 바람직한 구성에 대해서 장치를 구성하는 각 부재의 제조 방법과 함께 설명한다. 도 1a는 본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 바람직한 구성을 나타내는 단면도이다. 도 1a에 있어서 정전 용량형 입력 장치(10)는 투명 기판(앞면판)(1)과, 마스크층(2)과, 제 1 투명막(11)과, 제 1 투명 전극 패턴(3)과, 제 2 투명 전극 패턴(4)과, 절연층(5)과, 도전성 요소(6)와, 제 2 투명막(12)과, 투명 보호층(7)으로 구성되어 있는 실시형태가 나타내어져 있다.
또한, 후술하는 도 3에 있어서의 X-X' 단면을 나타낸 도 1b도 마찬가지로 본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 바람직한 구성을 나타내는 단면도이다. 도 1b에 있어서 정전 용량형 입력 장치(10)는 투명 기판(앞면판)(1)과, 제 1 투명막(11)과, 제 1 투명 전극 패턴(3)과, 제 2 투명 전극 패턴(4)과, 제 2 투명막(12)과, 투명 보호층(7)으로 구성되어 있는 실시형태가 나타내어져 있다.
투명 기판(앞면판)(1)은 본 발명의 투명 적층체에 있어서의 투명 전극 패턴의 재료로서 든 것을 사용할 수 있다. 또한, 도 1a에 있어서 앞면판(1)의 각 요소가 설치되어 있는 측을 비접촉면이라 칭한다. 본 발명의 정전 용량형 입력 장치(10)에 있어서는 앞면판(1)의 접촉면(비접촉면의 반대면)에 손가락 등을 접촉시키는 등 하여 입력이 행해진다.
또한, 앞면판(1)의 비접촉면 상에는 마스크층(2)이 설치되어 있다. 마스크층(2)은 터치패널 앞면판의 비접촉측에 형성된 표시 영역 주위의 액자 형상의 패턴이며, 배색(配索) 배선 등이 보이지 않도록 하기 위해서 형성된다.
본 발명의 정전 용량형 입력 장치(10)에는 도 2에 나타내는 바와 같이 앞면판(1)의 일부의 영역(도 2에 있어서는 입력면 이외의 영역)을 덮도록 마스크층(2)이 설치되어 있다. 또한, 앞면판(1)에는 도 2에 나타내는 바와 같이 일부에 개구부(8)를 형성할 수 있다. 개구부(8)에는 가압에 의한 메커니컬한 스위치를 설치할 수 있다.
앞면판(1)의 접촉면에는 복수의 패드 부분이 접속 부분을 통해서 제 1 방향으로 연장되어 형성된 복수의 제 1 투명 전극 패턴(3)과, 제 1 투명 전극 패턴(3)과 전기적으로 절연되고 제 1 방향으로 교차하는 방향으로 연장되어 형성된 복수의 패드 부분으로 이루어지는 복수의 제 2 투명 전극 패턴(4)과, 제 1 투명 전극 패턴(3)과 제 2 투명 전극 패턴(4)을 전기적으로 절연하는 절연층(5)이 형성되어 있다. 제 1 투명 전극 패턴(3)과, 제 2 투명 전극 패턴(4)과, 후술하는 도전성 요소(6)는 본 발명의 투명 적층체에 있어서의 투명 전극 패턴의 재료로서 든 것을 사용할 수 있고, ITO막인 것이 바람직하다.
또한, 제 1 투명 전극 패턴(3) 및 제 2 투명 전극 패턴(4) 중 적어도 한쪽은 앞면판(1)의 비접촉면 및 마스크층(2)의 앞면판(1)과는 반대측 면의 양쪽의 영역에 걸쳐서 설치할 수 있다. 도 1a에 있어서는 제 2 투명 전극 패턴이 앞면판(1)의 비접촉면 및 마스크층(2)의 앞면판(1)과는 반대측 면의 양쪽의 영역에 걸쳐서 설치되어 있는 도면이 나타내어져 있다. 이와 같이 일정 두께가 필요한 마스크층과 앞면판 이면에 걸쳐서 감광성 필름을 라미네이팅하는 경우에도 후술하는 특정 층 구성을 갖는 감광성 필름을 사용함으로써 진공 라미네이터 등의 고가의 설비를 사용하지 않아도 간단한 공정으로 마스크 부분 경계에 기포의 발생이 없는 라미네이팅이 가능해진다.
도 3을 사용하여 제 1 투명 전극 패턴(3) 및 제 2 투명 전극 패턴(4)에 대해서 설명한다. 도 3은 본 발명에 있어서의 제 1 투명 전극 패턴 및 제 2 투명 전극 패턴의 일례를 나타내는 설명도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이 제 1 투명 전극 패턴(3)은 패드 부분(3a)이 접속 부분(3b)을 통해서 제 1 방향으로 연장되어 형성되어 있다. 또한, 제 2 투명 전극 패턴(4)은 제 1 투명 전극 패턴(3)과 절연층(5)에 의해 전기적으로 절연되어 있고, 제 1 방향으로 교차하는 방향(도 3에 있어서의 제 2 방향)으로 연장되어 형성된 복수의 패드 부분으로 구성되어 있다. 여기서, 제 1 투명 전극 패턴(3)을 형성할 경우, 패드 부분(3a)과 접속 부분(3b)을 일체로 해서 제작해도 좋고, 접속 부분(3b)만을 제작하고, 패드 부분(3a)과 제 2 투명 전극 패턴(4)을 일체로 해서 제작(패터닝)해도 좋다. 패드 부분(3a)과 제 2 투명 전극 패턴(4)를 일체로 해서 제작(패터닝)할 경우, 도 3에 나타내는 바와 같이 접속 부분(3b)의 일부와 패드 부분(3a)의 일부가 연결되고, 또한 절연층(5)에 의해 제 1 투명 전극 패턴(3)과 제 2 투명 전극 패턴(4)이 전기적으로 절연되도록 각 층이 형성된다.
또한, 도 3에 있어서의 제 1 투명 전극 패턴(3)이나 제 2 투명 전극 패턴(4)이나 후술하는 도전성 요소(6)가 형성되어 있지 않은 영역이 본 발명의 투명 적층체에 있어서의 비패턴 영역(22)에 상당한다.
도 1a에 있어서 마스크층(2)의 앞면판(1)과는 반대측의 면측에는 도전성 요소(6)가 설치되어 있다. 도전성 요소(6)는 제 1 투명 전극 패턴(3) 및 제 2 투명 전극 패턴(4) 중 적어도 한쪽에 전기적으로 접속되고, 또한 제 1 투명 전극 패턴(3) 및 제 2 투명 전극 패턴(4)과는 다른 요소이다. 도 1a에 있어서는 도전성 요소(6)가 제 2 투명 전극 패턴(4)에 접속되어 있는 도면이 나타내어져 있다.
또한, 도 1a에 있어서는 각 구성 요소 전체를 덮도록 투명 보호층(7)이 설치되어 있다. 투명 보호층(7)은 각 구성 요소의 일부만을 덮도록 구성되어 있어도 좋다. 절연층(5)과 투명 보호층(7)은 동일 재료이어도 좋고, 다른 재료이어도 좋다. 절연층(5)과 투명 보호층(7)을 구성하는 재료로서는 본 발명의 투명 적층체에 있어서의 투명 보호층의 재료로서 든 것을 바람직하게 사용할 수 있다.
<제조 방법>
본 발명의 제조 방법에 있어서는 마스크층(2)과, 제 1 투명 전극 패턴(3)과, 제 2 투명 전극 패턴(4)과, 절연층(5)과, 도전성 요소(6)와, 필요에 따라서 투명 보호층(7) 중 적어도 하나의 요소가 가지지체와 광 경화성 수지층을 이 순서로 갖는 감광성 필름(이하, 감광성 전사 재료라고도 함)을 사용하여 형성되는 것이 바람직하다.
마스크층(2), 절연층(5) 및 투명 보호층(7)은 감광성 필름을 사용하여 광 경화성 수지층을 앞면판(1)에 전사함으로써 형성할 수 있다. 예를 들면, 흑색의 마스크층(2)을 형성할 경우에는 광 경화성 수지층으로서 흑색 광 경화성 수지층을 갖는 감광성 필름을 사용하여 앞면판(1)의 표면에 흑색 광 경화성 수지층을 전사함으로써 형성할 수 있다. 절연층(5)을 형성할 경우에는 광 경화성 수지층으로서 절연성의 광 경화성 수지층을 갖는 감광성 필름을 사용하여 제 1 투명 전극 패턴이 형성된 앞면판(1)의 표면에 광 경화성 수지층을 전사함으로써 형성할 수 있다. 투명 보호층(7)을 형성할 경우에는 광 경화성 수지층으로서 투명한 광 경화성 수지층을 갖는 감광성 필름을 사용하여 각 요소가 형성된 앞면판(1)의 표면에 광 경화성 수지층을 전사함으로써 형성할 수 있다.
마스크층(2) 등을 감광성 필름을 사용하여 형성하면 개구부를 갖는 기판(앞면판)에서도 개구 부분으로부터 레지스트 성분의 누설이 없고, 특히 앞면판의 최대한의 경계까지 차광 패턴을 형성할 필요가 있는 마스크층에서의 유리 끝으로부터의 레지스트 성분의 누출이 없기 때문에 기판 이면측을 오염시키는 일 없이 간략한 공정으로 박층/경량화의 메리트가 있는 터치패널의 제조가 가능해진다.
또한, 차광성이 필요한 마스크층(2)의 형성에 광 경화성 수지층과 가지지체 사이에 열 가소성 수지층을 갖는 특정 층 구성을 갖는 감광성 필름을 사용함으로써 감광성 필름 라미네이팅시의 기포 발생을 방지하고, 광 누설이 없는 고품위의 마스크층(2) 등을 형성할 수 있다.
제 1 투명 전극 패턴(3), 제 2 투명 전극 패턴(4) 및 도전성 요소(6)는 에칭 처리 또는 도전성 광 경화성 수지층을 갖는 감광성 필름을 사용하여 형성할 수 있다.
에칭 처리에 의해 제 1 투명 전극 패턴(3), 제 2 투명 전극 패턴(4) 및 다른 도전 요소(6)를 형성할 경우, 우선 마스크층(2) 등이 형성된 앞면판(1)의 비접촉면 상에 ITO 등의 투명 전극층을 스퍼터링에 의해 형성한다. 이어서, 투명 전극층 상에 광 경화성 수지층으로서 에칭용 광 경화성 수지층을 갖는 감광성 필름을 사용하여 노광·현상에 의해 에칭 패턴을 형성한다. 그 후, 투명 전극층을 에칭하여 투명 전극을 패터닝하고, 에칭 패턴을 제거함으로써 제 1 투명 전극 패턴(3) 등을 형성할 수 있다.
도전성 광 경화성 수지층을 갖는 감광성 필름을 사용하여 제 1 투명 전극 패턴(3), 제 2 투명 전극 패턴(4) 및 다른 도전 요소(6)를 형성할 경우, 앞면판(1)의 표면에 도전성 광 경화성 수지층을 전사함으로써 형성할 수 있다.
제 1 투명 전극 패턴(3) 등을 도전성 광 경화성 수지층을 갖는 감광성 필름을 사용하여 형성하면 개구부를 갖는 기판(앞면판)에서도 개구 부분으로부터 레지스트 성분의 누설이 없어 기판 이면측을 오염시키는 일 없이 간략한 공정으로 박층/경량화의 메리트가 있는 터치패널의 제조가 가능해진다.
또한, 제 1 투명 전극 패턴(3) 등의 형성에 도전성 광 경화성 수지층과 가지지체 사이에 열 가소성 수지층을 갖는 특정 층 구성을 갖는 감광성 필름을 사용함으로써 감광성 필름 라미네이팅시의 기포 발생을 방지하고, 도전성이 우수하여 저항이 적은 제 1 투명 전극 패턴(3), 제 2 투명 전극 패턴(4) 및 다른 도전 요소(6)를 형성할 수 있다.
본 발명의 정전 용량형 입력 장치를 제조하는 과정에서 형성되는 실시형태의 예로서 도 4~8의 실시형태를 들 수 있다. 도 4는 개구부(8)가 형성된 강화 처리 유리(11)의 일례를 나타내는 상면도이다. 도 5는 마스크층(2)이 형성된 앞면판의 일례를 나타내는 상면도이다. 도 6은 제 1 투명 전극 패턴(3)이 형성된 앞면판의 일례를 나타내는 상면도이다. 도 7은 제 1 투명 전극 패턴(3)과 제 2 투명 전극 패턴(4)이 형성된 앞면판의 일례를 나타내는 상면도이다. 도 8은 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소(6)가 형성된 앞면판의 일례를 나타내는 상면도이다. 이들은 상기 설명을 구체화한 예를 나타내는 것이며, 본 발명의 범위는 이들 도면에 의해 한정적으로 해석되는 일은 없다.
《감광성 필름을 사용하는 각 부재의 제조 방법》
이어서, 본 발명의 정전 용량형 입력 장치를 제조할 때에 바람직하게 사용되는 감광성 필름에 대해서 설명한다. 감광성 필름은 가지지체와 광 경화성 수지층을 갖고, 가지지체와 광 경화성 수지층 사이에 열 가소성 수지층을 갖는 것이 바람직하다. 열 가소성 수지층을 갖는 감광성 필름을 사용하여 마스크층 등을 형성하면 광 경화성 수지층을 전사하여 형성한 요소에 기포가 발생하기 어려워지고, 화상 표시 장치에 화상 얼룩 등이 발생하기 어려워져서 우수한 표시 특성을 얻을 수 있다.
감광성 필름은 네거티브형 재료이어도 좋고, 포지티브형 재료이어도 좋다.
<가지지체>
가지지체로서는 가요성을 갖고, 가압 하, 또는 가압 및 가열 하에서 현저한 변형, 수축 또는 신장이 발생하지 않는 재료를 사용할 수 있다. 이와 같은 지지체의 예로서 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 트리아세트산 셀룰로오스 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름 등을 들 수 있고, 그 중에서도 2축 연신 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 특히 바람직하다.
가지지체의 두께에는 특별히 제한은 없고, 5~200㎛의 범위가 일반적이며, 취급 용이성, 범용성 등의 점에서 특히 10~150㎛의 범위가 바람직하다.
또한, 가지지체는 투명해도 좋고, 염료화 규소, 알루미나졸, 크롬염, 지르코늄염 등을 함유하고 있어도 좋다.
또한, 가지지체에는 일본 특허 공개 2005-221726호 공보에 기재된 방법 등에 의해 도전성을 부여할 수 있다.
<열 가소성 수지층>
감광성 필름은 가지지체와 착색 감광성 수지층 사이에 열 가소성 수지층이 설치되는 것이 바람직하다. 열 가소성 수지층은 알칼리 가용성인 것이 바람직하다. 열 가소성 수지층은 하지 표면의 요철(이미 형성되어 있는 화상 등에 의한 요철 등도 포함)을 흡수할 수 있도록 쿠션재로서의 역할을 담당하는 것이며, 대상면의 요철에 따라서 변형할 수 있는 성질을 갖고 있는 것이 바람직하다.
열 가소성 수지층은 일본 특허 공개 평 5-72724호 공보에 기재된 유기 고분자 물질을 성분으로서 포함하는 실시형태가 바람직하고, 비캇(Vicat)법(구체적으로는 미국 재료 시험법 에이에스티엠디 ASTMD 1235에 의한 폴리머 연화점 측정법)에 의한 연화점이 약 80℃ 이하인 유기 고분자 물질로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 실시형태가 특히 바람직하다.
구체적으로는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀, 에틸렌과 아세트산 비닐 또는 그 비누화물 등의 에틸렌 공중합체, 에틸렌과 아크릴산 에스테르 또는 그 비누화물의 공중합체, 폴리염화 비닐이나 염화 비닐과 아세트산 비닐 또는 그 비누화물 등의 염화 비닐 공중합체, 폴리염화 비닐리덴, 염화 비닐리덴 공중합체, 폴리스티렌, 스티렌과 (메타)아크릴산 에스테르 또는 그 비누화물 등의 스티렌 공중합체, 폴리비닐톨루엔, 비닐톨루엔과 (메타)아크릴산 에스테르 또는 그 비누화물 등의 비닐톨루엔 공중합체, 폴리(메타)아크릴산 에스테르, (메타)아크릴산 부틸과 아세트산 비닐 등의 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체, 아세트산 비닐 공중합체 나일론, 공중합 나일론, N-알콕시메틸화 나일론, N-디메틸아미노화 나일론 등의 폴리아미드 수지 등의 유기 고분자를 들 수 있다.
열 가소성 수지층의 층 두께는 3~30㎛가 바람직하다. 열 가소성 수지층의 층 두께가 3㎛ 미만일 경우에는 라미네이팅시의 추종성이 불충분하여 하지 표면의 요철을 완전하게 흡수할 수 없는 경우가 있다. 또한, 층 두께가 30㎛를 초과할 경우에는 가지지체로의 열 가소성 수지층의 형성시의 건조(용제 제거)에 부하가 가해지거나 열 가소성 수지층의 현상에 시간을 요하거나 하여 프로세스 적성을 악화시키는 경우가 있다. 열 가소성 수지층의 층 두께로서는 4~25㎛가 더욱 바람직하고, 5~20㎛가 특히 바람직하다.
열 가소성 수지층은 열 가소성 유기 고분자를 포함하는 조제액을 도포 등 하여 형성할 수 있고, 도포시 등 사용하는 조제액은 용매를 사용하여 조제할 수 있다. 용매에는 상기 층을 구성하는 고분자 성분을 용해할 수 있는 것이면 특별히 제한 없고, 예를 들면 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, n-프로판올, 2-프로판올 등을 들 수 있다.
<광 경화성 수지층>
감광성 필름은 그 용도에 따라서 광 경화성 수지층에 첨가물을 첨가한다. 즉, 마스크층의 형성에 감광성 필름을 사용할 경우에는 광 경화성 수지층에 착색제를 함유시킨다. 또한, 감광성 필름이 도전성 광 경화성 수지층을 갖는 경우에는 광 경화성 수지층에 도전성 섬유 등이 함유된다.
감광성 필름이 네거티브형 재료일 경우, 광 경화성 수지층에는 알칼리 가용성 수지, 중합성 화합물, 중합개시제 또는 중합개시계를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 착색제, 첨가제 등이 사용되지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
감광성 필름에 포함되는 알칼리 가용성 수지로서는 일본 특허 공개 2011-95716호 공보의 단락 [0025], 일본 특허 공개 2010-237589호 공보의 단락 [0033]~[0052]에 기재된 폴리머를 사용할 수 있다.
중합성 화합물로서는 일본 특허 제 4098550호의 단락 [0023]~[0024]에 기재된 중합성 화합물을 사용할 수 있다.
중합개시제 또는 중합개시계로서는 일본 특허 공개 2011-95716호 공보에 기재된 [0031]~[0042]에 기재된 중합성 화합물을 사용할 수 있다.
(도전성 광 경화성 수지층(도전성 섬유))
도전성 광 경화성 수지층을 적층한 감광성 필름을 투명 전극 패턴 또는 별도의 도전성 요소의 형성에 사용할 경우에는 이하의 도전성 섬유 등을 광 경화성 수지층에 사용할 수 있다.
도전성 섬유의 구조로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당하게 선택할 수 있지만, 중실 구조 및 중공 구조 중 어느 하나가 바람직하다.
여기서, 중실 구조의 섬유를 「와이어」라 칭하는 경우가 있고, 중공 구조의 섬유를 「튜브」라 칭하는 경우가 있다. 또한, 평균 단축 길이가 5㎚~1,000㎚이며 평균 장축 길이가 1㎛~100㎛인 도전성 섬유를 「나노와이어」라 칭하는 경우가 있다.
또한, 평균 단축 길이가 1㎚~1,000㎚, 평균 장축 길이가 0.1㎛~1,000㎛이며, 중공 구조를 갖는 도전성 섬유를 「나노튜브」라 칭하는 경우가 있다.
도전성 섬유의 재료로서는 도전성을 갖고 있으면 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당하게 선택할 수 있지만, 금속 및 카본 중 적어도 중 어느 하나가 바람직하고, 이들 중에서도 도전성 섬유는 금속 나노와이어, 금속 나노튜브 및 카본 나노튜브 중 적어도 중 어느 하나가 특히 바람직하다.
-금속 나노와이어-
--금속--
금속 나노와이어의 재료로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면 장주기율표(IU㎩C 1991)의 제 4 주기, 제 5 주기 및 제 6 주기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속이 바람직하고, 제 2 족~제 14족으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속이 보다 바람직하고, 제 2 족, 제 8 족, 제 9 족, 제 10 족, 제 11 족, 제 12 족, 제 13 족 및 제 14 족으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속이 더욱 바람직하고, 주성분으로서 포함하는 것이 특히 바람직하다.
금속으로서는, 예를 들면 구리, 은, 금, 백금, 바나듐, 니켈, 주석, 코발트, 로듐, 이리듐, 철, 루테늄, 오스뮴, 망간, 몰리브덴, 텅스텐, 니오븀, 탄탈, 티탄, 비스무트, 안티몬, 납, 이들의 합금 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 도전성이 우수한 점에서 은을 주로 함유하는 것 또는 은과 은 이외의 금속의 합금을 함유하는 것이 바람직하다.
은을 주로 함유한다란 금속 나노와이어 중에 은을 50질량% 이상, 바람직하게는 90질량% 이상 함유하는 것을 의미한다.
은과의 합금에서 사용하는 금속으로서는 백금, 오스뮴, 바나듐 및 이리듐 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.
-형상-
금속 나노와이어의 형상으로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라서 적당하게 선택할 수 있고, 예를 들면 원기둥 형상, 직육면체 형상, 단면이 다각형이 되는 기둥 형상 등 임의의 형상을 취할 수 있지만, 높은 투명성이 필요시 되는 용도에서는 원기둥 형상, 단면의 다각형의 각이 둥근 단면 형상이 바람직하다.
금속 나노와이어의 단면 형상은 기재 상에 금속 나노와이어 수분산액을 도포하고, 단면을 투과형 전자 현미경(TEM)으로 관찰함으로써 조사할 수 있다.
금속 나노와이어의 단면의 각이란 단면의 각 변을 연장하여 인접한 변으로부터 내려진 수선과 교차하는 점의 주변부를 의미한다. 또한, 「단면의 각 변」이란 이들 인접한 각과 각을 연결한 직선으로 한다. 이 경우, 「단면의 각 변」의 합계 길이에 대한 「단면의 외주 길이」와의 비율을 예리도(銳利度)로 했다. 예리도는, 예를 들면 도 9에 나타내는 바와 같은 금속 나노와이어 단면에서는 실선으로 나타낸 단면의 외주 길이와 점선으로 나타낸 오각형의 외주 길이의 비율로 나타낼 수 있다. 이 예리도가 75% 이하인 단면 형상을 각의 둥근 단면 형상이라 정의한다. 예리도는 60% 이하가 바람직하고, 50% 이하가 보다 바람직하다. 예리도가 75%를 초과하면 상기 각에 전자가 국재하고, 플라즈몬 흡수가 증가하기 때문인지 황색미가 남는 등 하여 투명성이 악화되어 버리는 경우가 있다. 또한, 패턴의 엣지부의 직선성이 저하되어 흔들림이 발생해 버리는 경우가 있다. 예리도의 하한은 30%가 바람직하고, 40%가 보다 바람직하다.
--평균 단축 길이 지름 및 평균 장축 길이 --
금속 나노와이어의 평균 단축 길이(「평균 단축 지름」, 「평균 지름」이라 칭하는 경우가 있음)로서는 150㎚ 이하가 바람직하고, 1㎚~40㎚가 보다 바람직하고, 10㎚~40㎚가 더욱 바람직하고, 15㎚~35㎚가 특히 바람직하다.
평균 단축 길이가 1㎚ 미만이면 내산화성이 악화되고, 내구성이 악화되는 경우가 있고, 150㎚를 초과하면 금속 나노와이어에 기인하는 산란이 발생하여 충분한 투명성을 얻을 수 없는 경우가 있다.
금속 나노와이어의 평균 단축 길이는 투과형 전자 현미경(TEM; JEOL Ltd.제, JEM-2000FX)을 사용하여 300개의 금속 나노와이어를 관찰하고, 그 평균값으로부터 금속 나노와이어의 평균 단축 길이를 구했다. 또한, 금속 나노와이어의 단축이 원형이 아닐 경우의 단축 길이는 가장 긴 것을 단축 길이로 했다.
금속 나노와이어의 평균 장축 길이(「평균 길이」라 칭하는 경우가 있음)로서는 1㎛~40㎛가 바람직하고, 3㎛~35㎛가 보다 바람직하고, 5㎛~30㎛가 더욱 바람직하다.
평균 장축 길이가 1㎛ 미만이면 긴밀한 네트워크를 형성하는 것이 어렵고, 충분한 도전성을 얻을 수 없는 경우가 있고, 40㎛를 초과하면 금속 나노와이어가 지나치게 길어서 제조시에 얽혀서 제조 과정에서 응집물이 발생해버리는 경우가 있다.
금속 나노와이어의 평균 장축 길이는, 예를 들면 투과형 전자 현미경(TEM; JEOL Ltd.제, JEM-2000FX)을 사용하여 300개의 금속 나노와이어를 관찰하고, 그 평균값으로부터 금속 나노와이어의 평균 장축 길이를 구했다. 또한, 금속 나노와이어가 구부러져 있는 경우, 그것을 호로 하는 원을 고려하여 그 반경 및 곡률로부터 산출되는 값을 장축 길이로 했다.
도전성 광 경화성 수지층의 층 두께는 도포액의 안정성이나 도포시의 건조나 패터닝시의 현상 시간 등의 프로세스 적성의 관점으로부터 0.1~20㎛가 바람직하고, 0.5~18㎛가 더욱 바람직하고, 1~15㎛가 특히 바람직하다. 도전성 광 경화성 수지층의 전체 고형분에 대한 도전성 섬유의 함유량은 도전성과 도포액의 안정성의 관점으로부터 0.01~50질량%가 바람직하고, 0.05~30질량%가 더욱 바람직하고, 0.1~20질량%가 특히 바람직하다.
(마스크층(착색제))
또한, 감광성 필름을 마스크층으로서 사용할 경우에는 광 경화성 수지층에 착색제를 사용할 수 있다. 본 발명에 사용하는 착색제로서는 공지의 착색제(유기 안료, 무기 안료, 염료 등)를 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서는 흑색 착색제 이외에 적색, 청색, 녹색 등의 안료의 혼합물 등을 사용할 수 있다.
광 경화성 수지층을 흑색 마스크층으로서 사용할 경우에는 광학 농도의 관점으로부터 흑색 착색제를 포함하는 것이 바람직하다. 흑색 착색제로서는, 예를 들면 카본 블랙, 티탄 카본, 산화 철, 산화 티탄, 흑연 등을 들 수 있고, 그 중에서도 카본 블랙이 바람직하다.
광 경화성 수지층을 백색의 마스크층으로서 사용할 경우에는 일본 특허 공개 2005-7765 공보의 단락 [0015]나 [0114]에 기재된 화이트 안료를 사용할 수 있다. 그 밖의 색의 마스크층으로서 사용하기 위해서는 일본 특허 제 4546276호 공보의 단락 [0183]~[0185] 등에 기재된 안료 또는 염료를 혼합하여 사용해도 좋다. 구체적으로는 일본 특허 공개 2005-17716호 공보의 단락번호 [0038]~[0054]에 기재된 안료 및 염료, 일본 특허 공개 2004-361447호 공보의 단락번호 [0068]~[0072]에 기재된 안료, 일본 특허 공개 2005-17521호 공보의 단락번호 [0080]~[0088]에 기재된 착색제 등을 적합하게 사용할 수 있다.
착색제(바람직하게는 안료, 보다 바람직하게는 카본 블랙)는 분산액으로서 사용하는 것이 바람직하다. 이 분산액은 착색제와 안료분산제를 미리 혼합하여 얻어지는 조성물을 후술하는 유기 용매(또는 비히클)에 첨가하여 분산시킴으로써 조제할 수 있다. 비히클이란 도료가 액체 상태에 있을 때에 안료를 분산시키고 있는 매질 부분을 말하고, 액상이며 안료와 결합하여 도포막을 형성하는 성분(바인더)과 이것을 용해 희석하는 성분(유기 용매)을 포함한다.
안료를 분산시킬 때에 사용하는 분산기로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면 아사쿠라 쿠니조 저, 「안료의 사전」, 제 1 판, Asakura Publishing Co., Ltd., 2000년, 438쪽에 기재되어 있는 니더, 롤밀, 아토라이더, 슈퍼밀, 디졸버, 호모믹서, 샌드밀 등의 공지의 분산기를 들 수 있다. 또한, 상기 문헌 310쪽에 기재된 기계적 마쇄에 의해 마찰력을 이용하여 미분쇄해도 좋다.
본 발명에서 사용하는 착색제는 분산 안정성의 관점으로부터 수 평균 입경 0.001㎛~0.1㎛의 것이 바람직하고, 0.01㎛~0.08㎛의 것이 더욱 바람직하다. 또한, 여기서 말하는 「입경」이란 입자의 전자 현미경 사진 화상을 동 면적의 원으로 했을 때의 직경을 말하고, 또한 「수 평균 입경」이란 다수의 입자에 대한 입경을 구하고, 이 100개 평균값을 말한다.
착색제를 포함하는 광 경화성 수지층의 층 두께는 타층과의 두께 차이의 관점으로부터 0.5~10㎛가 바람직하고, 0.8~5㎛가 더욱 바람직하고, 1~3㎛가 특히 바람직하다. 착색 감광성 수지 조성물의 고형분 중의 착색제의 함유율로서는 특별히 제한은 없지만, 충분하게 현상 시간을 단축하는 관점으로부터 15~70질량%인 것이 바람직하고, 20~60질량%인 것이 보다 바람직하고, 25~50질량%인 것이 더욱 바람직하다.
본 명세서에서 말하는 전체 고형분이란 착색 감광성 수지 조성물로부터 용제 등을 제외한 비휘발 성분의 총 질량을 의미한다.
또한, 감광성 필름을 사용하여 절연층을 형성할 경우, 광 경화성 수지층의 층 두께는 절연성의 유지의 관점으로부터 0.1~5㎛가 바람직하고, 0.3~3㎛가 더욱 바람직하고, 0.5~2㎛가 특히 바람직하다.
감광성 필름을 사용하여 투명 보호층을 형성할 경우, 광 경화성 수지층의 층 두께는 충분한 표면 보호능을 발휘시키는 관점으로부터 0.1~10㎛가 바람직하고, 0.5~5㎛가 더욱 바람직하고, 1~3㎛가 특히 바람직하다.
<첨가제>
또한, 광 경화성 수지층은 첨가제를 사용해도 좋다. 첨가제로서는, 예를 들면 일본 특허 제 4502784호 공보의 단락 [0017], 일본 특허 공개 2009-237362호 공보의 단락 [0060]~[0071]에 기재된 계면활성제나 일본 특허 제 4502784호 공보의 단락 [0018]에 기재된 열중합 방지제, 또한 일본 특허 공개 2000-310706호 공보의 단락 [0058]~[0071]에 기재된 기타 첨가제를 들 수 있다.
또한, 감광성 필름을 도포에 의해 제조할 때의 용제로서는 일본 특허 공개 2011-95716호 공보의 단락 [0043]~[0044]에 기재된 용제를 사용할 수 있다.
이상, 감광성 필름이 네거티브형 재료일 경우를 중심으로 설명했지만, 감광성 필름은 포지티브형 재료이어도 좋다. 감광성 필름이 포지티브형 재료일 경우, 광 경화성 수지층에, 예를 들면 일본 특허 공개 2005-221726호 공보에 기재된 재료 등이 사용되지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
<열 가소성 수지층 및 광 경화성 수지층의 점도>
열 가소성 수지층의 100℃에서 측정한 점도가 1000~10000㎩·초의 영역에 있고, 광 경화성 수지층의 100℃에서 측정한 점도가 2000~50000㎩·초의 영역에 있고, 또한 다음 식(A)을 만족시키는 것이 바람직하다.
식(A): 열 가소성 수지층의 점도<광 경화성 수지층의 점도
여기서, 각 층의 점도는 다음과 같이 하여 측정할 수 있다. 대기압 및 감압 건조에 의해 열 가소성 수지층 또는 광 경화성 수지층용 도포액으로부터 용제를 제거하여 측정 샘플로 하고, 예를 들면 측정기로서 바이브론(DD-Ⅲ형: BALDWIN JAPAN LTD.제)을 사용하여 측정 개시 온도 50℃, 측정 종료 온도 150℃, 승온 속도 5℃/분 및 진동수 1㎐/deg의 조건에서 측정하고, 100℃의 측정값을 사용할 수 있다.
<다른 층>
감광성 필름에는 광 경화성 수지층과 열 가소성 수지층 사이에 중간층을 설치하거나 또는 광 경화성 수지층의 표면에 보호 필름 등을 더 설치하거나 하여 적합하게 구성할 수 있다.
감광성 필름에는 복수층을 도포할 때 및 도포 후의 보존시에 있어서의 성분의 혼합을 방지하는 목적으로 중간층을 설치하는 것이 바람직하다. 중간층으로서는 일본 특허 공개 평 5-72724호 공보에 「분리층」으로서 기재되어 있는 산소 차단 기능이 있는 산소 차단막이 바람직하고, 노광시의 감도가 증가하여 노광기의 시간 부하를 저감할 수 있어 생산성이 향상된다.
중간층 및 보호 필름으로서는 일본 특허 공개 2006-259138호 공보의 단락 [0083]~[0087] 및 [0093]에 기재된 것을 적당하게 사용할 수 있다.
<감광성 필름의 제작 방법>
감광성 필름은 일본 특허 공개 2006-259138호 공보의 단락 [0094]~[0098]에 기재된 감광성 전사 재료의 제작 방법에 준하여 제작할 수 있다.
구체적으로 중간층을 갖는 감광성 필름을 형성할 경우에는 가지지체 상에 열 가소성의 유기 고분자와 함께 첨가제를 용해한 용해액(열 가소성 수지층용 도포액)을 도포하고, 건조시켜서 열 가소성 수지층을 설치한 후, 이 열 가소성 수지층 상에 열 가소성 수지층을 용해하지 않는 용제에 수지나 첨가제를 첨가하여 조제한 조제액(중간층용 도포액)을 도포하고, 건조시켜서 중간층을 적층하고, 이 중간층 상에 중간층을 용해하지 않는 용제를 사용하여 조제한 착색 감광성 수지층용 도포액을 더 도포하고, 건조시켜서 착색 감광성 수지층을 적층함으로써 적합하게 제작할 수 있다.
《본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법》
상술한 바와 같이 본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법은 마스크층과 제 1 투명 전극 패턴과 제 2 투명 전극 패턴과 절연층과 도전성 요소와 필요에 따라서 투명 보호층 중 적어도 하나의 요소가 가지지체와 열 가소성 수지층과 광 경화성 수지층을 이 순서로 갖는 감광성 필름을 사용하여 형성되는 것이 바람직하다.
마스크층, 절연층 및 투명 보호층이나 도전성 광 경화성 수지층을 사용했을 경우의 제 1 투명 전극 패턴, 제 2 투명 전극 패턴 및 도전성 요소 등의 영구재를 감광성 필름을 사용하여 형성할 경우, 감광성 필름은 기재에 라미네이팅된 후, 필요한 패턴 형상으로 노광되고, 네거티브형 재료의 경우에는 비노광 부분, 포지티브형 재료의 경우에는 노광 부분을 현상 처리하여 제거함으로써 패턴을 얻을 수 있다. 이 때, 현상은 열 가소성 수지층과 광 경화성층을 별개의 액으로 현상 제거해도 좋고, 동일한 액으로 제거해도 좋다. 필요에 따라서 브러쉬나 고압 제트 등의 공지의 현상 설비를 조합해도 좋다. 현상 후, 필요에 따라서 포스트노광, 포스트베이킹을 행해도 좋다.
또한, 이후의 전사 공정에 있어서의 라미네이팅에 의한 감광성 수지층의 밀착성을 높이기 위해서 미리 기재(앞면판)의 비접촉면에 표면 처리를 실시할 수 있다. 표면 처리로서는 실란 화합물을 사용한 표면 처리(실란 커플링 처리)를 실시하는 것이 바람직하다. 실란 커플링제로서는 감광성 수지와 상호 작용하는 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면, 실란 커플링액(N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란 0.3질량% 수용액, 상품명: KBM603, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.제)을 샤워에 의해 20초간 블로잉하고, 순수 샤워 세정한다. 이 후, 가열에 의해 반응시킨다. 가열조를 사용해도 좋고, 라미네이터의 기판 예비 가열로도 반응을 촉진할 수 있다.
또한, 감광성 필름을 리프트오프재로서 사용하여 제 1 투명 전극층, 제 2 투명 전극층 및 기타 도전성 부재를 형성할 수도 있다. 이 경우, 감광성 필름을 사용하여 패터닝한 후에 기재 전체 면에 투명 도전층을 형성한 후, 퇴적된 투명 도전층째 광 경화성 수지층의 용해 제거를 행함으로써 소망의 투명 도전층 패턴을 얻을 수 있다(리프트오프법).
(영구재를 감광성 필름을 사용하여 형성할 경우)
마스크층, 절연층, 투명 보호층, 제 1 투명막, 제 2 투명막 등의 영구재를 감광성 필름을 사용하여 형성할 경우에 대해서 마스크층(흑색)을 형성하는 방법을 예로 하여 감광성 필름을 사용한 패터닝 방법을 설명한다.
마스크층을 형성하는 방법은 감광성 필름으로부터 커버 필름을 제거하는 커버 필름 제거 공정과, 커버 필름이 제거된 감광성 전사 재료의 감광성 수지층을 기재 상에 전사하는 전사 공정과, 기재 상에 전사된 감광성 수지층을 노광하는 노광 공정과, 노광된 감광성 수지층을 현상하여 패턴 화상을 얻는 현상 공정을 갖는 방법을 들 수 있다.
-전사 공정-
전사 공정은 커버 필름이 제거된 감광성 필름의 광 경화성 수지층을 기재 상에 전사하는 공정이다.
이 때, 감광성 필름의 광 경화성 수지층을 기재에 라미네이팅한 후, 가지지체를 제거함으로써 행하는 방법이 바람직하다.
광 경화성 수지층의 기재 표면으로의 전사(접합)는 광 경화성 수지층을 기재 표면에 포개어 가압, 가열함으로써 행해진다. 접합에는 라미네이터, 진공 라미네이터 및 보다 생산성을 높일 수 있는 오토컷 라미네이터 등의 공지의 라미네이터를 사용할 수 있다.
-노광 공정, 현상 공정 및 기타 공정-
노광 공정, 현상 공정 및 기타 공정의 예로서는 일본 특허 공개 2006-23696호 공보의 단락번호 [0035]~[0051]에 기재된 방법을 본 발명에 있어서도 적합하게 사용할 수 있다.
노광 공정은 기재 상에 전사된 광 경화성 수지층을 노광하는 공정이다.
구체적으로는 기재 상에 형성된 광 경화성 수지층의 상방에 소정의 마스크를 배치하고, 그 후 상기 마스크, 열 가소성 수지층 및 중간층을 통해서 마스크 상방으로부터 노광하는 방법을 들 수 있다.
여기서, 노광의 광원으로서는 광 경화성 수지층을 경화할 수 있는 파장 영역의 광(예를 들면 365㎚, 405㎚ 등)을 조사할 수 있는 것이면 적당하게 선정하여 사용할 수 있다. 구체적으로는 초고압 수은등, 고압 수은등, 메탈할라이드 램프 등을 들 수 있다. 노광량으로서는 통상 5~200mJ/㎠ 정도이며, 바람직하게는 10~100mJ/㎠ 정도이다.
현상 공정은 노광된 광 경화성 수지층을 현상하는 공정이다.
현상은 현상액을 사용하여 행할 수 있다. 현상액으로서는 특별히 제약은 없고, 일본 특허 공개 평 5-72724호 공보에 기재된 것 등, 공지의 현상액을 사용할 수 있다. 또한, 현상액은 광 경화성 수지층이 용해형의 현상 거동을 하는 것이 바람직하고, 예를 들면 pKa=7~13의 화합물을 0.05~5몰/ℓ의 농도로 포함하는 것이 바람직하지만, 물과 혼화성을 갖는 유기 용제를 소량 더 첨가해도 좋다. 물과 혼화성을 갖는 유기 용제로서는 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 1-프로판올, 부탄올, 디아세톤알코올, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 벤질알코올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, ε-카프로락톤, γ-부티로락톤, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 헥사메틸포스포아미드, 락트산 에틸, 락트산 메틸, ε-카프로락탐, N-메틸피롤리돈 등을 들 수 있다. 상기 유기 용제의 농도는 0.1질량%~30질량%가 바람직하다. 또한, 현상액에는 공지의 계면활성제를 더 첨가할 수 있다. 계면활성제의 농도는 0.01질량%~10질량%가 바람직하다.
상기 현상의 방식으로서는 퍼들 현상, 샤워 현상, 샤워&스핀 현상, 딥 현상 등 중 어느 것이어도 좋다. 여기서, 샤워 현상에 대해서 설명하면 노광 후의 광 경화성 수지층에 현상액을 샤워에 의해 블로잉함으로써 미경화 부분을 제거할 수 있다. 또한, 열 가소성 수지층이나 중간층을 설치했을 경우에는 현상 전에 광 경화성 수지층의 용해성이 낮은 알칼리성 액을 샤워 등에 의해 블로잉하고, 열 가소성 수지층, 중간층 등을 제거해 두는 것이 바람직하다. 또한, 현상 후에 세정제 등을 샤워에 의해 블로잉하고, 브러쉬 등으로 문지르면서 현상 잔사를 제거하는 것이 바람직하다. 현상액의 액 온도는 20℃~40℃가 바람직하고, 또한 현상액의 pH는 8~13이 바람직하다.
정전 용량형 입력 장치의 제조 방법은 포스트노광 공정, 포스트베이킹 공정등 그 밖의 공정을 갖고 있어도 좋다.
또한, 패터닝 노광은 가지지체를 박리하고 나서 행해도 좋고, 가지지체를 박리하기 전에 노광하고, 그 후에 가지지체를 박리해도 좋다. 마스크를 통한 노광이어도 좋고, 레이저 등을 사용한 디지털 노광이어도 좋다.
(에칭 레지스트로서 감광성 필름을 사용했을 경우)
감광성 필름을 에칭 레지스트(에칭 패턴)로서 사용할 경우에도 방법과 마찬가지로 해서 레지스트 패턴을 얻을 수 있다. 에칭은 일본 특허 공개 2010-152155 공보의 단락 [0048]~[0054] 등에 기재된 공지의 방법으로 에칭, 레지스트 박리를 적용할 수 있다.
예를 들면, 에칭의 방법으로서는 일반적으로 행해지고 있는 에칭액에 침지하는 습식 에칭법을 들 수 있다. 습식 에칭에 사용되는 에칭액은 에칭의 대상과 함께 산성 타입 또는 알칼리성 타입의 것을 적당하게 선택하면 좋다. 산성 타입의 에칭액으로서는 염산, 황산, 불산, 인산 등의 산성 성분 단독의 수용액, 산성 성분과 염화 제이철, 불화 암모늄, 과망간산 칼륨 등의 염의 혼합 수용액 등이 예시된다. 산성 성분은 복수의 산성 성분을 조합한 것을 사용해도 좋다. 또한, 알칼리성 타입의 에칭액으로서는 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 암모니아, 유기 아민, 테트라메틸암모늄히드록시드와 같은 유기 아민의 염 등의 알칼리 성분 단독의 수용액, 알칼리 성분과 과망간산 칼륨 등의 염의 혼합 수용액 등이 예시된다. 알칼리 성분은 복수의 알칼리 성분을 조합한 것을 사용해도 좋다.
에칭액의 온도는 특별히 한정되지 않지만, 45℃ 이하인 것이 바람직하다. 본 발명에서 에칭 마스크(에칭 패턴)로서 사용되는 수지 패턴은 상술한 광 경화성 수지층을 사용하여 형성됨으로써 이와 같은 온도 영역에 있어서의 산성 및 알칼리성의 에칭액에 대해서 특히 우수한 내성을 발휘한다. 따라서, 에칭 공정 중에 수지 패턴이 박리되는 것이 방지되어 수지 패턴의 존재하지 않는 부분이 선택적으로 에칭되게 된다.
에칭 후, 라인 오염을 방지하기 위해서 필요에 따라서 세정 공정·건조 공정을 행해도 좋다. 세정 공정에 대해서는, 예를 들면 상온에서 순수에 의해 10~300초간 기재를 세정하여 행하고, 건조 공정에 대해서는 에어블로우를 사용하여 에어블로우압(0.1~5㎏/㎠ 정도)을 적당하게 조정하여 행하면 좋다.
이어서, 수지 패턴의 박리 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 30~80℃, 바람직하게는 50~80℃에서 교반 중의 박리액에 기재를 5~30분간 침지하는 방법을 들 수 있다. 본 발명에서 에칭 마스크로서 사용되는 수지 패턴은 상술한 바와 같이 45℃ 이하에 있어서 우수한 약액 내성을 나타내는 것이지만, 약액 온도가 50℃ 이상이 되면 알칼리성의 박리액에 의해 팽윤하는 성질을 나타낸다. 이와 같은 성질에 의해 50~80℃의 박리액을 사용하여 박리 공정을 행하면 공정 시간이 단축되어 수지 패턴의 박리 잔사가 적어진다는 이점이 있다. 즉, 에칭 공정과 박리공정 사이에서 약액 온도에 차를 설정함으로써 본 발명에서 에칭 마스크로서 사용되는 수지 패턴은 에칭 공정에 있어서 양호한 약액 내성을 발휘하는 한편, 박리 공정에 있어서 양호한 박리성을 나타내는 것이 되어 약액 내성과 박리성이라는 상반되는 특성을 양쪽 모두 만족시킬 수 있다.
박리액으로서는, 예를 들면 수산화 나트륨, 수산화 칼륨 등의 무기 알칼리 성분이나 제 3 급 아민, 제 4 급 암모늄염 등의 유기 알칼리 성분을 물, 디메틸술폭시드, N-메틸피롤리돈 또는 이들의 혼합 용액에 용해시킨 것을 들 수 있다. 상기 박리액을 사용하여 스프레이법, 샤워법, 퍼들법 등에 의해 박리해도 좋다.
[정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 화상 표시 장치]
본 발명의 화상 표시 장치는 본 발명의 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 정전 용량형 입력 장치 및 상기 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 화상 표시 장치는 『최신 터치패널 기술』(2009년 7월 6일 발행 테크노타임즈사), 미타니 유우지 감수, "터치패널의 기술과 개발", CMC Publishing CO., LTD.(2004, 12), FPD International 2009 Forum T-11 강연 텍스트북, Cypress Semiconductor Corporation 어플리케이션 노트 AN2292 등에 개시되어 있는 구성을 적용할 수 있다.
실시예
이하에 실시예를 들어서 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 순서 등은 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한 적당하게 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 특별히 언급하지 않는 한 「부」, 「%」는 질량 기준이다.
[실시예 1~11 및 비교예 1~15: 투명 적층체의 제조]
<제 1 투명막의 형성>
굴절률 1.5 또는 1.51의 유리제 투명 기판 상에 하기 표 1 중에 나타내는 굴절률, 막 두께를 갖는 제 1 투명막을 하기에 기재하는 방법에 의해 제막했다.
Figure 112014123664179-pct00001
(1) 스핀 도포: 투명막-1, 2, 5~15 및 19~21의 제막
하기 표 2에 기재하는 조성에 의해 조제한 투명 경화성 조성물용의 재료-1~재료-9를 스핀 도포(MIKASA Co., LTD제의 MIKASA SPINCOATER 1H-D7을 사용; 1000rpm)에 의해 유리제 투명 기판 상에 스핀 도포했다. 100℃, 120초간의 전가열(프리베이킹)을 행한 후, 초고압 수은등을 갖는 프록시미터형 노광기(Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co., Ltd.제)에서 i선 50mJ/㎠로 도포면에 전체 면에 노광을 행했다. 이어서, 230℃, 60분간의 후가열(포스트베이킹)을 행하고, 유리제 투명 기판 상에 상기 표 1에 나타내는 제 1 투명막이 적층된 기판을 얻었다. 또한, 하기 표 2 및 하기 일반식(1) 중, 「%」, 「wt%」는 모두 질량%를 나타낸다.
Figure 112014123784745-pct00019
일반식(1)
Figure 112014123664179-pct00003
(2) 스퍼터 제막: 투명막-3, 17 및 18의 제막
진공 챔버 내에 배치된 유리제 투명 기판과, 이 기판에 대향하는 동일 평면 상의 동일 원주상 위치에 각각 배치된 스퍼터링 타겟인 SiO2 타겟과 Nb2O5 타겟, 각 타겟에 전력을 인가하는 전원과, 타겟에 대향하는 위치에서 회전하는 기판 회전 기구를 구비한 박막 형성 장치에 의해 하기의 순서에 따라서 제막했다.
우선, 유리제 투명 기판을 세팅한 후, 소정의 압력(예를 들면, 7×10-5㎩)까지 진공 챔버 내를 고진공 펌프로 배기했다. 전체 밸브를 연 후, Ar 가스를 SiO2 타겟용 가스 도입구로부터 진공계에 있어서 총 압력이 4×10-1㎩이 될 때까지 도입하고, 이어서 O2 가스를 가스 도입구로부터 압력 5×10-1㎩이 될 때까지 더 도입했다. 이어서, 교류 전원으로부터 300W의 교류 전력을 인가하여 SiO2 타겟의 SiO2 상에 플라즈마를 발생시켰다. 이어서, Ar 가스를 Nb2O5 타겟의 가스 도입구로부터 진공계에 있어서 압력이 7×10-1㎩이 될 때까지 도입했다. 이어서, O2 가스를 가스 도입구로부터 압력이 1.0㎩이 될 때까지 도입했다. 이어서, 직류 전원으로부터 300w의 직류 전력을 인가하여 Nb2O5 타겟 상에 플라즈마를 발생시켰다. 그리고, 각 인가 전력으로부터 SiO2 타겟에 인가하는 인가 전력과 Nb2O5 타겟에 인가하는 인가 전력을 혼합막의 굴절률에 따라서 각각 하기 표 3에 나타내는 바와 같이 설정한 후에 SiO2 타겟 및 Nb2O5 타겟 직상의 각 셔터를 동시에 약 60분 개폐함으로써 유리제 투명 기판 상에 하기 표 3에 나타내는 바와 같이 굴절률과 막 두께를 조정한 제 1 투명막이 적층된 기판을 얻었다.
Figure 112014123664179-pct00004
(3) 라미네이트 제막: 투명막-4 및 16의 제막
[전사 재료의 조제]
두께 75㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 가지지체 상에 슬릿 형상 노즐을 사용하여 하기 처방 H1로 이루어지는 열 가소성 수지층용 도포액을 도포, 건조시켰다. 이어서, 하기 처방 P1로 이루어지는 중간층용 도포액을 도포, 건조시켰다. 또한, 상기 표 2에 기재된 조성에 의해 조제한 투명 경화성 조성물용의 재료-1 또는 재료-6을 도포, 건조시켰다. 이와 같이 하여 가지지체 상에 건조막 두께가 15.1㎛인 열 가소성 수지층과, 건조 막 두께가 1.6㎛인 중간층과, 상기 표 1 중의 건조막 두께가 되도록 투명 경화성 수지층을 설치하고, 최후에 보호 필름(두께 12㎛ 폴리프로필렌 필름)을 압착했다. 이렇게 해서 가지지체와 열 가소성 수지층과 중간층(산소 차단막)과 투명 경화성 수지층이 일체가 된 전사 재료를 제작했다.
(열 가소성 수지층용 도포액: 처방 H1)
·메탄올 : 11.1질량부
·프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 : 6.36질량부
·메틸에틸케톤 : 52.4질량부
·메틸메타크릴레이트/2-에틸헥실아크릴레이트/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체(공중합 조성비(몰비)=55/11.7/4.5/28.8, 분자량=10만, Tg≒70℃)
: 5.83질량부
·스티렌/아크릴산 공중합체(공중합 조성비(몰비)=63/37, 중량 평균 분자량=1만, Tg≒100℃) : 13.6질량부
·모노머 1(상품명: BPE-500, SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO., LTD.제)
: 9.1질량부
·불소계 폴리머 : 0.54질량부
상기 불소계 폴리머는 C6F13CH2CH2OCOCH=CH2 40부와 H(OCH(CH3)CH2)7OCOCH=CH2 55부와 H(OCHCH2)7OCOCH=CH2 5부의 공중합체이며, 중량 평균 분자량 3만, 메틸에틸케톤 30질량% 용액이다(상품명: Megaface F780F, Dainippon Ink & Chemicals, Inc.제).
(중간층용 도포액: 처방 P1)
·폴리비닐알코올 : 32.2질량부
(상품명: PVA205, KURARAY CO., LTD.제, 비누화도=88%, 중합도 550)
·폴리비닐피롤리돈 : 14.9질량부
(상품명: K-30, ISP Japan Co., Ltd.제)
·증류수 : 524질량부
·메탄올 : 429질량부
[투명막의 형성]
유리제 투명 기판 상에 투명 경화성 수지층을 PET 가지지체와의 계면에서 박리한 후, 열 가소성 수지 및 중간층과 함께 전사했다.
이어서, 초고압 수은등을 갖는 프록시미터형 노광기(Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co., Ltd.제)를 사용하여 열 가소성 수지층측으로부터 i선, 40mJ/㎠로 전면 노광했다. 이어서, 트리에탄올아민계 현상액(트리에탄올아민 30% 함유, 상품명: T-PD2(FUJIFILM Corporation제)를 순수로 10배(T-PD2 1부와 순수 9부의 비율로 혼합)로 희석한 액)을 30℃에서 60초간, 플랫 노즐 압력 0.04㎫에서 샤워 현상하여 열 가소성 수지와 중간층을 제거했다. 이어서, 이 유리제 투명 기판의 상면(투명 경화성 수지층측)에 에어를 블로잉하여 액을 제거한 후, 순수를 샤워에 의해 10초간 블로잉하고, 순수 샤워 세정하고, 에어를 블로잉하여 유리제 투명 기판 상의 액 고임을 감소시켰다. 이어서, 기판을 230℃ 하에서 60분간 가열 처리(포스트베이킹)를 행하여 유리제 투명 기판 상에 상기 표 1에 나타내는 제 1 투명막이 적층된 기판을 얻었다.
<투명 전극 패턴의 형성>
[실시예 1에서 사용한 투명 전극층의 형성]
실시예 1에서는 유리제 투명 기판 상에 제 1 투명막이 적층된 기판을 진공 챔버 내에 도입하고, SnO2 함유율이 10질량%인 ITO 타겟(인듐:주석=95:5(몰비))을 사용하여 DC 마그네트론 스퍼터링(조건: 기재의 온도 250℃, 아르곤압 0.13㎩, 산소압 0.01㎩)에 의해 두께 40㎚, 굴절률 1.82의 ITO 박막을 형성하여 투명 전극층을 형성한 앞면판을 얻었다. ITO 박막의 표면 저항은 80Ω/□이었다.
[에칭용 감광성 필름 E1의 조제]
두께 75㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 가지지체 상에 슬릿 형상 노즐을 사용하여 상기 처방 H1로 이루어지는 열 가소성 수지층용 도포액을 도포, 건조시켰다. 이어서, 상술한 처방 P1로 이루어지는 중간층용 도포액을 도포, 건조시켰다. 또한, 에칭용 광 경화성 수지층용 도포액: 처방 E1을 도포, 건조시켰다. 이와 같이 하여 가지지체 상에 건조 막 두께가 15.1㎛인 열 가소성 수지층과, 건조 막 두께가 1.6㎛인 중간층과, 막 두께 2.0㎛ 에칭용 광 경화성 수지층으로 이루어지는 적층체를 얻고, 최후에 보호 필름(두께 12㎛ 폴리프로필렌 필름)을 압착했다. 이렇게 해서 가지지체와 열 가소성 수지층과 중간층(산소 차단막)과 투명 경화성 수지층이 일체가 된 전사 재료를 제작했다.
(에칭용 광 경화성 수지층용 도포액: 처방 E1)
·메틸메타크릴레이트/스티렌/메타크릴산 공중합체
(공중합체 조성(질량%): 31/40/29, 질량 평균 분자량 60000, 산가 163㎎KOH/g) : 16질량부
·모노머 1(상품명: BPE-500, SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO., LTD.제)
: 5.6질량부
·헥사메틸렌디이소시아네이트의 테트라에틸렌옥시드모노메타크릴레이트 0.5몰 부가물 : 7질량부
·분자 중에 중합성 기를 1개 갖는 화합물로서의 시클로헥산디메탄올모노아크릴레이트 : 2.8질량부
·2-클로로-N-부틸아크리돈 : 0.42질량부
·2,2-비스(o-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸
: 2.17질량부
·말라카이트 그린 옥살산 염 : 0.02질량부
·류코 크리스탈 바이올렛 : 0.26질량부
·페노티아진 : 0.013질량부
·계면활성제(상품명: Megaface F-780F, Dainippon Ink & Chemicals, Inc.제) : 0.03질량부
·메틸에틸케톤 : 40질량부
·1-메톡시-2-프로판올 : 20질량부
또한, 에칭용 광 경화성 수지층용 도포액 E1의 용제 제거 후의 100℃의 점도는 2500㎩·초이었다.
[투명 전극 패턴의 형성]
투명 전극층을 형성한 앞면판을 세정하고, 보호 필름을 제거한 에칭용 감광성 필름 E1을 라미네이팅했다(기재 온도: 130℃, 고무 롤러 온도 120℃, 선압 100N/㎝, 반송 속도 2.2m/분). 가지지체를 박리 후, 노광 마스크(투명 전극 패턴을 갖는 석영 노광 마스크)면과 상기 에칭용 광 경화성 수지층 사이의 거리를 200㎛로 설정하고, 노광량 50mJ/㎠(i선)로 패턴 노광했다.
이어서, 트리에탄올아민계 현상액(트리에탄올아민 30질량% 함유, 상품명: T-PD2(FUJIFILM Corporation제)를 순수로 10배로 희석한 액)을 25℃에서 100초간, 계면활성제 함유 세정액(상품명: T-SD3(FUJIFILM Corporation제)을 순수로 10배로 희석한 액)을 사용하여 33℃에서 20초간 처리하고, 회전 브러쉬, 초고압 세정 노즐로 잔사 제거를 행하고, 130℃ 30분간의 포스트베이킹 처리를 더 행하여 투명 전극층과 에칭용 광 경화성 수지층 패턴을 형성한 앞면판을 얻었다.
투명 전극층과 에칭용 광 경화성 수지층 패턴을 형성한 앞면판을 ITO 에첸트(염산, 염화 칼륨 수용액. 액온 30℃)를 넣은 에칭조에 침지하여 100초 처리하고, 에칭용 광 경화성 수지층으로 덮여 있지 않은 노출된 영역의 투명 전극층을 용해 제거하여 에칭용 광 경화성 수지층 패턴이 부착된 투명 전극층 패턴 부착 앞면판을 얻었다.
이어서, 에칭용 광 경화성 수지층 패턴이 부착된 투명 전극층 패턴 부착 앞면판을 레지스트 박리액(N-메틸-2-피롤리돈, 모노에탄올아민, 계면활성제(상품명: Surfynol465, Air Products and Chemicals, Inc.제) 액온 45℃)를 넣은 레지스트 박리조에 침지하여 200초 처리하고, 에칭용 광 경화성 수지층을 제거하여 유리제 투명 기판 상에 제 1 투명막 및 투명 전극 패턴을 형성한 기판을 얻었다.
투명 전극 패턴의 단부를 Pt 코팅(약 20㎚ 두께)에 의해 도전성 부여 및 표면 보호를 행한 후, FEI Company제 Nova200형 FIB/SEM 복합기를 사용하여 투명 전극 패턴 단부의 형상 관찰(2차 전자상, 가속 전압 20㎸)을 행했다.
실시예 1에서 형성한 ITO 패턴은 도 10과 같은 테이퍼 형상이 되어 있고, 테이퍼각(α)=약 3°이었다.
기타 실시예 및 비교예에서는 하기 표 4에 기재된 굴절률과 막 두께가 되도록 사용한 투명 전극층을 실시예 1과 마찬가지로 하여 유리제 투명 기판 상에 제 1 투명막 및 투명 전극 패턴을 형성한 기판을 얻었다.
<제 2 투명막의 형성>
유리제 투명 기판 상에 제 1 투명막 및 투명 전극 패턴을 형성한 기판 상에 상기 표 1 중에 나타내는 굴절률, 막 두께를 갖는 제 2 투명막을 제 1 투명막의 형성과 마찬가지의 방법에 의해 제막했다.
이렇게 해서 유리제 투명 기판 상에 제 1 투명막, 투명 전극 패턴 및 제 2 투명막을 형성한 기판을 얻었다.
<투명 보호막의 형성>
(투명 보호막-A의 형성 방법)
일본 특허 공개 2012-78528호 공보의 실시예 1에 기재된 감광성 수지층용 도포액 처방 1을 사용하여 동 공보의 [0103]~[0113]의 방법에 따라 이렇게 해서 가지지체와 열 가소성 수지층과 중간층과 감광성 수지층이 일체가 된 감광성 전사 필름을 작성했다.
유리제 투명 기판 상에 제 1 투명막, 투명 전극 패턴 및 제 2 투명막을 형성한 기판 상에 작성한 감광성 전사 필름의 감광성 수지층을 PET 가지지체와의 계면에서 박리한 후, 열 가소성 수지 및 중간층과 함께 전사했다(층 형성 공정).
이어서, 초고압 수은등을 갖는 프록시미터형 노광기(Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co., Ltd.제)를 사용하여 열 가소성 수지층측으로부터 i선, 40mJ/㎠로 전면 노광했다. 이어서, 트리에탄올아민계 현상액(트리에탄올아민 30% 함유, 상품명: T-PD2(FUJIFILM Corporation제)을 순수로 10배(T-PD2 1부와 순수 9부의 비율로 혼합)로 희석한 액)을 30℃에서 60초간, 플랫 노즐 압력 0.04㎫로 샤워 현상하여 열 가소성 수지와 중간층을 제거했다. 이어서, 이 유리제 투명 기판의 상면(감광성 수지층측)에 에어를 블로잉하여 액을 제거한 후, 순수를 샤워에 의해 10초간 블로잉하여 순수 샤워 세정하고, 에어를 블로잉하여 유리제 투명 기판상의 액 고임을 감소시켰다. 이어서, 기판을 230℃ 하에서 60분간 가열 처리(포스트베이킹)를 행하여 유리제 투명 기판 상에 제 1 투명막, 투명 전극 패턴 및 제 2 투명막을 형성한 기판 상에 하기 표 4에 나타내는 굴절률 및 막 두께의 투명 보호막이 적층된 각 실시예 및 비교예의 투명 적층체를 얻었다.
감광성 수지층용 도포액 처방을 하기와 같이 변경한 것 이외에는 모두 투명 보호막-A의 형성 방법과 마찬가지로 하여 유리제 투명 기판 상에 제 1 투명막, 투명 전극 패턴 및 제 2 투명막을 형성한 기판 상에 하기의 투명 보호막-B~투명 보호막-E가 적층된 각 실시예 및 비교예의 투명 적층체를 얻었다.
투명 보호막-B: 일본 특허 공개 2012-78528호 공보의 실시예 3에 기재된 조성물
투명 보호막-C: 일본 특허 공개 2012-78528호 공보의 실시예 25에 기재된 조성물
투명 보호막-D: 일본 특허 공개 2012-78528호 공보의 실시예 26에 기재된 조성물
투명 보호막-E: 일본 특허 공개 2012-78528호 공보의 실시예 27에 기재된 조성물
하기 표 4에 각 투명 보호막의 굴절률 및 막 두께를 나타냈다.
<투명 전극 패턴의 시인성의 평가>
유리제 투명 기판 상에 제 1 투명막, 투명 전극 패턴, 제 2 투명막 및 투명 보호막을 순서대로 적층시킨 투명 적층체를 투명 접착 테이프(3M Company제, 상품명, OCA 테이프 8171CL)를 통해서 투명 적층체와 흑색 PET재와 접착시켜서 기판 전체를 차광했다.
투명 전극 패턴 시인성은 암실에 있어서 형광등(광원)과 작성한 기판을 유리면측으로부터 광을 입사시켜서 유리 표면으로부터의 반사광을 비스듬하게 육안으로 관찰함으로써 행했다.
《평가 기준》
A ITO 패턴이 전혀 보이지 않는다.
B ITO 패턴이 조금 보이지만, 거의 보이지 않는다.
C ITO 패턴이 잘 보인다.
얻어진 결과를 하기 표 4에 기재했다.
Figure 112014123784745-pct00020
상기 표 4로부터 본 발명의 투명 적층체는 투명 전극 패턴이 시인되는 문제가 없는 것을 알았다.
한편, 제 1 투명막과 제 2 투명막의 굴절률이 본 발명에서 규정하는 범위의 하한값을 밑도는 비교예 1 및 3~6의 투명 적층체는 투명 전극 패턴이 시인되는 문제가 있었다.
제 1 투명막과 제 2 투명막의 굴절률이 본 발명에서 규정하는 범위의 하한값을 밑돌고, 또한 제 1 투명막과 제 2 투명막의 막 두께가 본 발명에서 규정하는 범위의 상한값을 웃도는 비교예 2의 투명 적층체는 투명 전극 패턴이 시인되는 문제가 있었다.
제 1 투명막과 제 2 투명막의 막 두께가 본 발명에서 규정하는 범위의 하한값을 밑도는 비교예 7 및 9의 투명 적층체는 투명 전극 패턴이 시인되는 문제가 있었다.
제 1 투명막과 제 2 투명막의 막 두께가 본 발명에서 규정하는 범위의 상한값을 웃도는 비교예 8 및 10의 투명 적층체는 투명 전극 패턴이 시인되는 문제가 있었다.
제 1 투명막과 제 2 투명막의 굴절률이 본 발명에서 규정하는 범위의 상한값을 웃도는 비교예 11의 투명 적층체는 투명 전극 패턴이 시인되는 문제가 있었다.
제 2 투명막이 설치되어 있지 않은 비교예 15의 투명 적층체는 투명 전극 패턴이 시인되는 문제가 있었다.
또한, 실시예 1의 투명 적층체의 제조에 있어서 투명 기판과 동일한 굴절률의 제 3 투명막을 설치한 후, 그 위에 제 1 투명막을 제막한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 투명 적층체를 제조한 경우에도 마찬가지로 투명 전극 패턴이 시인되는 문제가 없는 것을 확인했다.
[실시예 101~111, 비교예 101~115: 정전 용량형 입력 장치의 제조]
《마스크층의 형성》
[마스크층 형성용 감광성 필름 K1의 조제]
두께 75㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 가지지체 상에 슬릿 형상 노즐을 사용하여 상술한 처방 H1로 이루어지는 열 가소성 수지층용 도포액을 도포, 건조시켰다. 이어서, 상술한 처방 P1로 이루어지는 중간층용 도포액을 도포, 건조시켰다. 또한, 하기 처방 K1로 이루어지는 흑색 광 경화성 수지층용 도포액을 도포, 건조시켰다. 이와 같이 하여 가지지체 상에 건조막 두께가 15.1㎛인 열 가소성 수지층과, 건조 막 두께가 1.6㎛인 중간층과, 광학 농도가 4.0이 되도록 건조막 두께가 2.2㎛인 흑색 광 경화성 수지층을 설치하고, 최후에 보호 필름(두께 12㎛ 폴리프로필렌 필름)을 압착했다. 이렇게 해서 가지지체와 열 가소성 수지층과 중간층(산소 차단막)과 흑색 광 경화성 수지층이 일체가 된 전사 재료를 제작하여 샘플 이름을 마스크층 형성용 감광성 필름 K1로 했다.
(흑색 광 경화성 수지층용 도포액: 처방 K1)
·K 안료 분산물 1 : 31.2질량부
·R 안료 분산물 1(하기 조성) : 3.3질량부
·MMPGAc(Daicel Corporation제) : 6.2질량부
·메틸에틸케톤(Tonen Chemical Corporation제) : 34.0질량부
·시클로헥산온(Kanto Denka Kogyo Co., Ltd.제) : 8.5질량부
·바인더 2(벤질메타크릴레이트/메타크릴산=78/22몰비의 랜덤 공중합물, 중량 평균 분자량 3.8만) : 10.8질량부
·페노티아진(Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.제) : 0.01질량부
·DPHA(디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, Nippon Kayaku Co., Ltd.제)의 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 용액(76질량%)
: 5.5질량부
·2,4-비스(트리클로로메틸)-6-[4'-N,N-비스(에톡시카르보닐메틸)아미노-3'-브로모페닐]-s-트리아진 : 0.4질량부
·계면활성제(상품명: Megaface F-780F, Dainippon Ink & Chemicals, Inc.제) : 0.1질량부
또한, 흑색 광 경화성 수지층용 도포액 K1의 용제 제거 후의 100℃의 점도는 10000㎩·초이었다.
(K 안료 분산물 1의 조성)
·카본 블랙(상품명: Nipex35, Evonik Degussa GmbH제) : 13.1질량%
·하기 분산제 1 : 0.65질량%
·바인더 1(벤질메타크릴레이트/메타크릴산=72/28몰비의 랜덤 공중합물, 중량 평균 분자량 3.7만) : 6.72질량%
·프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트 : 79.53질량%
Figure 112014123664179-pct00006
-R 안료 분산물 1의 조성-
·안료(C. I. 피그먼트 레드 177) : 18질량%
·바인더 1(벤질메타크릴레이트/메타크릴산=72/28몰비의 랜덤 공중합물, 중량 평균 분자량 3.7만) : 12질량%
·프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 : 70질량%
[마스크층의 형성]
이어서, 개구부(15㎜Φ)가 형성된 강화 처리 유리(300㎜×400㎜×0.7㎜)에 25℃로 조정한 유리 세정제를 샤워에 의해 20초간 블로잉하면서 나일론모를 갖는 회전 브러쉬로 세정하고, 순수 샤워 세정 후, 실란 커플링액(N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란 0.3질량% 수용액, 상품명: KBM603, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.제)을 샤워에 의해 20초간 블로잉하여 순수 샤워 세정했다. 이 기재를 기재 예비 가열 장치에서 140℃ 2분간 가열했다. 얻어진 실란 커플링 처리 유리 기재에 상기 얻어진 마스크층 형성용 감광성 필름 K1로부터 커버 필름을 제거하고, 제거 후에 노출된 흑색 광 경화성 수지층의 표면과 실란 커플링 처리 유리 기재의 표면이 접하도록 겹치고, 라미네이터(Hitachi Industries Co., Ltd.제(Lamic Ⅱ형))를 사용하여 140℃에서 가열한 기재에 고무 롤러 온도 130℃, 선압 100N/㎝, 반송 속도 2.2m/분으로 라미네이팅했다. 이어서, 폴리에틸렌테레프탈레이트의 가지지체를 열 가소성 수지층과의 계면에서 박리하여 가지지체를 제거했다. 가지지체를 박리 후, 초고압 수은등을 갖는 프록시미터형 노광기(Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co., Ltd.제)로 기재와 노광 마스크(액자 패턴을 갖는 석영 노광 마스크)를 수직으로 세운 상태에서 노광 마스크면과 상기 흑색 광 경화성 수지층 사이의 거리를 200㎛로 설정하고, 노광량 70mJ/㎠(i선)로 패턴 노광했다.
이어서, 트리에탄올아민계 현상액(트리에탄올아민 30질량% 함유, 상품명: T-PD2(FUJIFILM Corporation제)을 순수로 10배로 희석한 액)을 33℃에서 60초간, 플랫 노즐 압력 0.1㎫에서 샤워 현상하여 열 가소성 수지층과 중간층을 제거했다. 이어서, 이 유리 기재의 상면에 에어를 블로잉하여 액을 제거한 후, 순수를 샤워에 의해 10초간 블로잉하여 순수 샤워 세정하고, 에어를 블로잉하여 기재 상의 액 고임을 감소시켰다.
그 후, 탄산 나트륨/탄산 수소나트륨계 현상액(상품명: T-CD1(FUJIFILM Corporation제)을 순수로 5배로 희석한 액)을 사용하여 32℃에서 샤워압을 0.1㎫로 설정하고, 45초 현상하여 순수로 세정했다.
이어서, 계면활성제 함유 세정액(상품명: T-SD3(FUJIFILM Corporation제)을 순수로 10배로 희석한 액)을 사용하여 33℃에서 20초간, 콘형 노즐 압력 0.1㎫에서 샤워로 블로잉하고, 부드러운 나일론모를 갖는 회전 브러쉬에 의해 상기 형성된 패턴상을 문질러서 잔사 제거를 더 행했다. 또한, 초고압 세정 노즐로 9.8㎫의 압력으로 초순수를 분사하여 잔사 제거를 행하고,
이어서 대기 하에서 노광량 1300mJ/㎠로 포스트노광을 행하고, 240℃ 80분간의 포스트베이킹 처리를 더 행하여 광학 농도 4.0, 막 두께 2.0㎛의 마스크층이 형성된 앞면판을 얻었다.
《제 1 투명막》
마스크층이 형성된 앞면판에 대해서 실시예 1~11 및 비교예 1~15와 마찬가지로 하여 제 1 투명막을 제막했다.
《제 1 투명 전극 패턴의 형성》
[투명 전극층의 형성]
마스크층 및 제 1 투명막이 형성된 앞면판을 진공 챔버 내에 도입하고, SnO2 함유율이 10질량%인 ITO 타겟(인듐:주석=95:5(몰비))을 사용하여 DC 마그네트론 스퍼터링(조건: 기재의 온도 250℃, 아르곤압 0.13㎩, 산소압 0.01㎩)에 의해 두께 40㎚의 ITO 박막을 형성하여 투명 전극층을 형성한 앞면판을 얻었다. ITO 박막의 표면 저항은 80Ω/□이었다.
[에칭용 감광성 필름 E1의 조제]
마스크층 형성용 감광성 필름 K1의 조제에 있어서 흑색 광 경화성 수지층용 도포액을 하기 처방 E1로 이루어지는 에칭용 광 경화성 수지층용 도포액으로 대신한 것 이외에는 마스크층 형성용 감광성 필름 K1의 조제와 마찬가지로 하여 에칭용 감광성 필름 E1을 얻었다(에칭용 광 경화성 수지층의 막 두께는 2.0㎛이었다).
(에칭용 광 경화성 수지층용 도포액: 처방 E1)
·메틸메타크릴레이트/스티렌/메타크릴산 공중합체
(공중합체 조성(질량%): 31/40/29, 질량 평균 분자량 60000, 산가 163㎎KOH/g) : 16질량부
·모노머 1(상품명: BPE-500, SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO., LTD.제)
: 5.6질량부
·헥사메틸렌디이소시아네이트의 테트라에틸렌옥시드모노메타크릴레이트 0.5몰 부가물 : 7질량부
·분자 중에 중합성 기를 1개 갖는 화합물로서의 시클로헥산디메탄올모노아크릴레이트 : 2.8질량부
·2-클로로-N-부틸아크리돈 : 0.42질량부
·2,2-비스(o-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸 : 2.17질량부
·말라카이트 그린 옥살산 염 : 0.02질량부
·류코 크리스탈 바이올렛 : 0.26질량부
·페노티아진 : 0.013질량부
·계면활성제(상품명: Megaface F-780F, Dainippon Ink & Chemicals, Inc.제) : 0.03질량부
·메틸에틸케톤 : 40질량부
·1-메톡시-2-프로판올 : 20질량부
또한, 에칭용 광 경화성 수지층용 도포액 E1의 용제 제거 후의 100℃의 점도는 2500㎩·초이었다.
[제 1 투명 전극 패턴의 형성]
마스크층의 형성과 마찬가지로 하여 마스크층, 제 1 투명막, 투명 전극층을 형성한 앞면판을 세정하고, 커버 필름을 제거한 에칭용 감광성 필름 E1을 라미네이팅했다(기재 온도: 130℃, 고무 롤러 온도 120℃, 선압 100N/㎝, 반송 속도 2.2m/분). 가지지체를 박리 후, 노광 마스크(투명 전극 패턴을 갖는 석영 노광 마스크)면과 상기 에칭용 광 경화성 수지층 사이의 거리를 200㎛로 설정하고, 노광량 50mJ/㎠(i선)로 패턴 노광했다.
이어서, 트리에탄올아민계 현상액(트리에탄올아민 30질량% 함유, 상품명: T-PD2(FUJIFILM Corporation제)을 순수로 10배로 희석한 액)을 25℃에서 100초간, 계면활성제 함유 세정액(상품명: T-SD3(FUJIFILM Corporation제)을 순수로 10배로 희석한 액)을 사용하여 33℃에서 20초간 처리하고, 회전 브러쉬, 초고압 세정 노즐로 잔사 제거를 행하고, 130℃ 30분간의 포스트베이킹 처리를 더 행하여 투명 전극층과 에칭용 광 경화성 수지층 패턴을 형성한 앞면판을 얻었다.
투명 전극층과 에칭용 광 경화성 수지층 패턴을 형성한 앞면판을 ITO 에천트(염산, 염화 칼륨 수용액. 액온 30℃)를 넣은 에칭조에 침지하고, 100초 처리하여 에칭용 광 경화성 수지층으로 덮여 있지 않은 노출된 영역의 투명 전극층을 용해 제거하고, 에칭용 광 경화성 수지층 패턴이 부착된 투명 전극층 패턴 부착 앞면판을 얻었다.
이어서, 에칭용 광 경화성 수지층 패턴이 부착된 투명 전극층 패턴 부착 앞면판을 레지스트 박리액(N-메틸-2-피롤리돈, 모노에탄올아민, 계면활성제(상품명: Surfynol465, Air Products and Chemicals, Inc.제) 액온 45℃)를 넣은 레지스트 박리조에 침지하여 200초 처리하고, 에칭용 광 경화성 수지층을 제거하여 마스크층, 제 1 투명막 및 제 1 투명 전극 패턴을 형성한 앞면판을 얻었다.
《절연층의 형성》
[절연층 형성용 감광성 필름 W1의 조제]
마스크층 형성용 감광성 필름 K1의 조제에 있어서 흑색 광 경화성 수지층용 도포액을 하기 처방 W1로 이루어지는 절연층용 광 경화성 수지층용 도포액으로 대신한 것 이외에는 마스크층 형성용 감광성 필름 K1의 조제와 마찬가지로 하여 절연층 형성용 감광성 필름 W1을 얻었다(절연층용 광 경화성 수지층의 막 두께는 1.4㎛).
(절연층 형성용 도포액: 처방 W1)
·바인더 3(시클로헥실메타크릴레이트(a)/메틸메타크릴레이트(b)/메타크릴산 공중합체(c)의 글리시딜메타크릴레이트 부가물(d)(조성(질량%): a/b/c/d=46/1/10/43, 질량 평균 분자량: 36000, 산가 66㎎KOH/g)의 1-메톡시-2-프로판올, 메틸에틸케톤 용액(고형분: 45%)) : 12.5질량부
·DPHA(디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, Nippon Kayaku Co., Ltd.제)의 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 용액(76질량%) : 1.4질량부
·우레탄계 모노머(상품명: NK 올리고 UA-32P, SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO., LTD.제: 불휘발분 75%, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트: 25%)
: 0.68질량부
·트리펜타에리스리톨옥타아크릴레이트(상품명: V#802, OSAKA ORGANIC CHEMICAL INDUSTRY LTD.제) : 1.8질량부
·디에틸티옥산톤 : 0.17질량부
·2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부탄온(상품명: Irgacure379, BASF Ltd.제) : 0.17질량부
·분산제(상품명: Solsperse20000, Avecia Limited제) : 0.19질량부
·계면활성제(상품명: Megaface F-780F, Dainippon Ink & Chemicals, Inc.제) : 0.05질량부
·메틸에틸케톤 : 23.3질량부
·MMPGAc(Daicel Corporation제) : 59.8질량부
또한, 절연층 형성용 도포액 W1의 용제 제거 후의 100℃의 점도는 4000㎩·초이었다.
마스크층의 형성과 마찬가지로 하여 마스크층, 제 1 투명막, 제 1 투명 전극 패턴 부착 앞면판을 세정, 실란 커플링 처리하여 커버 필름을 제거한 절연층 형성용 감광성 필름 W1을 라미네이팅했다(기재 온도: 100℃, 고무 롤러 온도 120℃, 선압 100N/㎝, 반송 속도 2.3m/분). 가지지체를 박리 후, 노광 마스크(절연층용 패턴을 갖는 석영 노광 마스크)면과 상기 에칭용 광 경화성 수지층 사이의 거리를 100㎛로 설정하고, 노광량 30mJ/㎠(i선)로 패턴 노광했다.
이어서, 트리에탄올아민계 현상액(트리에탄올아민 30질량% 함유, 상품명: T-PD2(FUJIFILM Corporation제)을 순수로 10배로 희석한 액)을 33℃에서 60초간, 탄산 나트륨/탄산 수소나트륨계 현상액(상품명: T-CD1(FUJIFILM Corporation제)을 순수로 5배로 희석한 액)을 25℃에서 50초간, 계면활성제 함유 세정액(상품명: T-SD3(FUJIFILM Corporation제)을 순수로 10배로 희석한 액)을 사용하여 33℃에서 20초간 처리하고, 회전 브러쉬, 초고압 세정 노즐로 잔사 제거를 행하고, 230℃ 60분간의 포스트베이킹 처리를 더 행하여 마스크층, 제 1 투명막, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴을 형성한 앞면판을 얻었다.
《제 2 투명 전극 패턴의 형성》
[투명 전극층의 형성]
제 1 투명 전극 패턴의 형성과 마찬가지로 하여 마스크층, 제 1 투명막, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴을 형성한 앞면판을 DC 마그네트론 스퍼터링 처리하고(조건: 기재의 온도 50℃, 아르곤압 0.13㎩, 산소압 0.01㎩), 두께 80㎚의 ITO 박막을 형성하여 투명 전극층을 형성한 앞면판을 얻었다. ITO 박막의 표면 저항은 110Ω/□이었다.
제 1 투명 전극 패턴의 형성의 형성과 마찬가지로 하여 에칭용 감광성 필름 E1을 사용하여 마스크층, 제 1 투명막, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 투명 전극층, 에칭용 광 경화성 수지층 패턴을 형성한 앞면판을 얻었다(포스트베이킹 처리; 130℃ 30분간).
또한, 제 1 투명 전극 패턴의 형성의 형성과 마찬가지로 하여 에칭(30℃ 50초간), 에칭용 광 경화성 수지층을 제거(45℃ 200초간)함으로써 마스크층, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴을 형성한 앞면판을 얻었다.
《제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소의 형성》
제 1 및 제 2 투명 전극 패턴의 형성과 마찬가지로 하여 마스크층, 제 1 투명막, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴을 형성한 앞면판을 DC 마그네트론 스퍼터링 처리하여 두께 200㎚의 알루미늄(Al) 박막을 형성한 앞면판을 얻었다.
제 1 및 제 2 투명 전극 패턴의 형성과 마찬가지로 하여 에칭용 감광성 필름 E1을 사용하여 마스크층, 제 1 투명막, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 에칭용 광 경화성 수지층 패턴을 형성한 앞면판을 얻었다(포스트베이킹 처리; 130℃ 30분간).
또한, 제 1 투명 전극 패턴의 형성의 형성과 마찬가지로 하여 에칭(30℃ 50초간), 에칭용 광 경화성 수지층을 제거(45℃ 200초간)함으로써 마스크층, 제 1 투명막, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소를 형성한 앞면판을 얻었다.
《제 2 투명막》
마스크층, 제 1 투명막, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소가 형성된 앞면판에 대해서 실시예 1~11 및 비교예 1~15와 마찬가지로 하여 제 2 투명막을 제막했다.
《투명 보호층의 형성》
절연층의 형성과 마찬가지로 하여 제 2 투명막까지 형성한 앞면판에 커버 필름을 제거한 절연층 형성용 감광성 필름 W1을 라미네이팅하고, 가지지체를 박리 후, 노광 마스크를 통하지 않고 노광량 50mJ/㎠(i선)로 전면 노광하고, 현상, 포스트노광(1000mJ/㎠), 포스트베이킹 처리를 행하여 마스크층, 제 1 투명막, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소 및 제 2 투명막 모두를 덮도록 절연층(투명 보호층)을 적층한 실시예 101~111 및 비교예 101~115의 정전 용량형 입력 장치(앞면판)를 얻었다.
《화상 표시 장치(터치패널)의 제작》
일본 특허 공개 2009-47936 공보에 기재된 방법으로 제조한 액정 표시 소자에 앞서 제조한 실시예 101~111 및 비교예 101~115의 앞면판을 접합하고, 공지의 방법으로 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 실시예 101~111 및 비교예 101~115의 화상 표시 장치를 제작했다.
《앞면판 및 화상 표시 장치의 평가》
실시예 101~111의 정전 용량형 입력 장치 및 화상 표시 장치는 투명 전극 패턴이 시인되는 문제가 없었다.
상술한 각 공정에 있어서, 마스크층, 제 1 투명막, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소 및 제 2 투명막을 형성한 앞면판(1)은 개구부 및 이면에 오염이 없고, 세정이 용이하고, 또한 다른 부재의 오염의 문제가 없었다.
또한, 마스크층에는 핀홀이 없어 광차폐성이 우수했다.
그리고, 제 1 투명 전극 패턴, 제 2 투명 전극 패턴 및 이들과는 다른 도전성 요소의 각각의 도전성에는 문제가 없고, 한편 제 1 투명 전극 패턴과 제 2 투명 전극 패턴 사이에서는 절연성을 갖고 있었다.
또한, 투명 보호층에도 기포 등의 결함이 없어 표시 특성이 우수한 화상 표시 장치가 얻어졌다.
1 : 투명 기판(앞면판) 2 : 마스크층
3 : 투명 전극 패턴(제 1 투명 전극 패턴)
3a : 패드 부분 3b : 접속 부분
4 : 투명 전극 패턴(제 2 투명 전극 패턴)
5 : 절연층 6 : 도전성 요소
7 : 투명 보호층 8 : 개구부
10 : 정전 용량형 입력 장치 11 : 제 1 투명막
12 : 제 2 투명막 13 : 투명 적층체
21 : 투명 기판, 굴절률 1.6~1.78이며 막 두께가 55~110㎚인 제 1 투명막, 투명 전극 패턴 및 굴절률 1.6~1.78이며 막 두께가 55~110㎚인 제 2 투명막이 이 순서로 적층된 영역
22 : 비패턴 영역 α : 테이퍼각

Claims (19)

  1. 투명 기판,
    굴절률 1.6~1.78이며 막 두께가 55~110㎚인 제 1 투명막,
    투명 전극 패턴, 및
    굴절률 1.6~1.78이며 막 두께가 55~110㎚인 제 2 투명막이 이 순서로 적층된 영역을 면 내에 포함하고,
    상기 제 1 투명막 및 상기 투명 전극 패턴은 서로 인접하고 있는 것을 특징으로 하는 투명 적층체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 투명막 및 상기 제 2 투명막에 의해 상기 투명 전극 패턴 및 상기 투명 전극 패턴이 형성되어 있지 않은 비패턴 영역 양쪽이 연속해서 직접 또는 다른 층을 통해서 피복된 것을 특징으로 하는 투명 적층체.
  3. 삭제
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 투명 전극 패턴 및 상기 제 2 투명막은 서로 인접하고 있는 것을 특징으로 하는 투명 적층체.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 투명 전극 패턴이 형성되어 있지 않은 비패턴 영역의 적어도 일부에 상기 투명 기판, 상기 제 1 투명막 및 상기 제 2 투명막이 이 순서로 적층된 영역을 면 내에 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 적층체.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 투명 기판, 상기 제 1 투명막 및 상기 제 2 투명막이 이 순서로 적층된 영역에 있어서, 상기 제 1 투명막 및 상기 제 2 투명막은 서로 인접하고 있는 것을 특징으로 하는 투명 적층체.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 투명막의 상기 투명 전극 패턴이 형성된 표면과는 반대측의 표면 상에 굴절률 1.5~1.55의 투명 보호막이 더 형성된 것을 특징으로 하는 투명 적층체.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 투명막과 제 2 투명막은 동일 재료로 구성된 것을 특징으로 하는 투명 적층체.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 투명 기판은 굴절률 1.5~1.55의 유리 기판인 것을 특징으로 하는 투명 적층체.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 투명 전극 패턴은 굴절률 1.75~2.1의 ITO막인 것을 특징으로 하는 투명 적층체.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 투명막 및 상기 제 2 투명막 중 적어도 한쪽은 투명 수지막인 것을 특징으로 하는 투명 적층체.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 투명 수지막은 ZrO2 입자 및 TiO2 입자 중 적어도 한쪽을 갖는 것을 특징으로 하는 투명 적층체.
  13. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 투명막 및 상기 제 2 투명막 중 적어도 한쪽은 가지지체 상에 형성된 투명 경화성 수지막을 상기 투명 기판 상에 전사하여 제막되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 적층체.
  14. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 투명막 및 상기 제 2 투명막 중 적어도 한쪽은 스퍼터에 의해 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명 적층체.
  15. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 투명막 및 상기 제 2 투명막 중 적어도 한쪽은 스퍼터에 의해 형성된 SiO2와 Nb2O5의 혼합막인 것을 특징으로 하는 투명 적층체.
  16. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 투명 전극 패턴의 단부는 30° 이하의 테이퍼 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 투명 적층체.
  17. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 투명 기판 및 상기 제 1 투명막 사이에 굴절률 1.5~1.52의 제 3 투명막을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 적층체.
  18. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 투명 적층체를 갖는 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치.
  19. 제 18 항에 기재된 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9844898B2 (en) 2011-09-30 2017-12-19 Apple Inc. Mirror feature in devices
US9477354B2 (en) * 2012-11-16 2016-10-25 3M Innovative Properties Company Conductive trace hiding materials, articles, and methods
JP5922008B2 (ja) * 2012-11-30 2016-05-24 富士フイルム株式会社 転写フィルムおよび透明積層体、それらの製造方法、静電容量型入力装置ならびに画像表示装置
WO2014200868A2 (en) 2013-06-09 2014-12-18 Apple Inc. Laser-formed features
US9790126B2 (en) 2013-09-05 2017-10-17 Apple Inc. Opaque color stack for electronic device
US9727178B2 (en) 2013-09-05 2017-08-08 Apple Inc. Opaque white coating with non-conductive mirror
US9629271B1 (en) 2013-09-30 2017-04-18 Apple Inc. Laser texturing of a surface
CN106029365B (zh) * 2014-02-19 2018-01-26 富士胶片株式会社 转印薄膜、转印薄膜的制造方法、透明层叠体、透明层叠体的制造方法、静电电容型输入装置及图像显示装置
JP6206262B2 (ja) * 2014-03-11 2017-10-04 コニカミノルタ株式会社 透明導電体、その製造方法及び導電性ペースト
JP6225053B2 (ja) * 2014-03-20 2017-11-01 富士フイルム株式会社 感光性積層体、転写材料、パターン化された感光性積層体及びその製造方法、タッチパネル、並びに画像表示装置
KR101896976B1 (ko) 2014-07-15 2018-10-04 후지필름 가부시키가이샤 적층 재료의 제조 방법, 적층 재료, 투명 적층체의 제조 방법, 투명 적층체, 정전 용량형 입력 장치 및 화상 표시 장치
JP2016057982A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 デクセリアルズ株式会社 電極配線の形成方法、構造体、及びタッチパネル
JP6352204B2 (ja) * 2015-02-18 2018-07-04 富士フイルム株式会社 透明導電部材用積層体、転写材料、透明導電部材、タッチパネル及びその製造方法、並びに、タッチパネル表示装置
JP6554165B2 (ja) 2015-03-12 2019-07-31 富士フイルム株式会社 転写フィルム、透明積層体、静電容量型入力装置および画像表示装置
JP6730793B2 (ja) * 2015-09-29 2020-07-29 富士フイルム株式会社 転写フィルム、静電容量型入力装置の電極保護膜、積層体および静電容量型入力装置
JP6584357B2 (ja) 2016-03-30 2019-10-02 富士フイルム株式会社 転写フィルム、静電容量型入力装置の電極保護膜、積層体および静電容量型入力装置
CN106201071B (zh) * 2016-06-29 2019-06-07 京东方科技集团股份有限公司 触控基板及其制作方法、触控显示装置
KR101779906B1 (ko) 2016-07-21 2017-09-19 동우 화인켐 주식회사 필름 터치 센서
WO2018045484A1 (en) 2016-09-06 2018-03-15 Apple Inc. Laser bleach marking of an anodized surface
TWI772401B (zh) * 2017-04-06 2022-08-01 日商富士軟片股份有限公司 觸控感測器以及觸控感測器的製造方法
CN111095182A (zh) * 2017-09-29 2020-05-01 富士胶片株式会社 触摸传感器及触摸传感器的制造方法以及图像显示装置
JP6450048B1 (ja) * 2018-02-14 2019-01-09 住友化学株式会社 積層体
US10919326B2 (en) 2018-07-03 2021-02-16 Apple Inc. Controlled ablation and surface modification for marking an electronic device
US11200386B2 (en) 2018-09-27 2021-12-14 Apple Inc. Electronic card having an electronic interface
US11571766B2 (en) 2018-12-10 2023-02-07 Apple Inc. Laser marking of an electronic device through a cover
CN109491545B (zh) * 2018-12-19 2020-12-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触摸屏组件及电子设备
CN109581716B (zh) * 2019-01-24 2021-11-23 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板和掩膜板
US11299421B2 (en) 2019-05-13 2022-04-12 Apple Inc. Electronic device enclosure with a glass member having an internal encoded marking
JP7161067B2 (ja) * 2019-10-18 2022-10-25 富士フイルム株式会社 透明積層体、画像表示装置
CN110735121B (zh) * 2019-11-21 2022-03-29 江苏北方湖光光电有限公司 一种基于磁控溅射的非常规折射率混合薄膜制备方法
JP6865867B2 (ja) * 2020-01-09 2021-04-28 富士フイルム株式会社 転写フィルムおよび透明積層体、それらの製造方法、静電容量型入力装置ならびに画像表示装置
US11830736B2 (en) * 2021-02-18 2023-11-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multi-layer photo etching mask including organic and inorganic materials

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010231186A (ja) * 2009-03-04 2010-10-14 Sony Corp 表示装置
JP2012081663A (ja) * 2010-10-12 2012-04-26 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電基材及びタッチパネル

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100466020C (zh) * 2004-03-10 2009-03-04 住友大阪水泥股份有限公司 透明层叠体
US7586479B2 (en) * 2004-06-10 2009-09-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device and driving method thereof
KR101054343B1 (ko) * 2004-06-10 2011-08-04 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
CN100552606C (zh) * 2005-05-26 2009-10-21 郡是株式会社 透明平面体和透明接触开关
EP1892609A4 (en) * 2005-05-26 2013-03-27 Gunze Kk TRANSPARENT PLANAR BODY AND TRANSPARENT TOUCH SWITCH
JP2007260972A (ja) * 2006-03-27 2007-10-11 Fujifilm Corp フィルム積層体、並びにその製造方法、それを用いた光学補償フィルム、偏光板、偏光板保護フィルム、および液晶表示装置
EP2218960A4 (en) * 2008-03-07 2011-01-19 Sharp Kk LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHTING DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
JP4888589B2 (ja) 2008-03-25 2012-02-29 ソニー株式会社 静電容量型入力装置、入力機能付き表示装置および電子機器
JP2010079734A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Casio Computer Co Ltd 静電容量型タッチパネル
JP2010086684A (ja) 2008-09-30 2010-04-15 Kuramoto Seisakusho Co Ltd 透明導電配線膜付き光学薄膜
JP5213694B2 (ja) 2008-12-26 2013-06-19 Ｓｍｋ株式会社 透明なパネル体及びタッチパネル
JP2010160670A (ja) * 2009-01-08 2010-07-22 Seiko Epson Corp タッチパネルの製造方法、タッチパネル、表示装置、及び電子機器
JP4844692B2 (ja) * 2009-10-19 2011-12-28 東洋紡績株式会社 透明導電性積層フィルム
KR20110061422A (ko) * 2009-12-01 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 정전용량 터치 패널
JP5604899B2 (ja) * 2010-02-18 2014-10-15 東洋紡株式会社 積層フィルムおよびそれを用いた透明導電性積層フィルム、透明導電性積層シート並びにタッチパネル
JP2011186717A (ja) * 2010-03-08 2011-09-22 Daiwa Sangyo:Kk 静電容量型タッチパネルとその製造方法
JP6056480B2 (ja) * 2010-05-12 2017-01-11 大日本印刷株式会社 光学積層体、光学積層体の製造方法、偏光板及び画像表示装置
JP5846473B2 (ja) * 2010-09-21 2016-01-20 大日本印刷株式会社 表示用前面板、表示用前面板の製造方法、表示装置および表示装置の製造方法
JP5742151B2 (ja) * 2010-09-27 2015-07-01 凸版印刷株式会社 機能性基板とその製造方法及び該機能性基板を含むタッチパネル
CN103270477B (zh) * 2010-10-26 2016-11-09 日产化学工业株式会社 触控面板
JP5782719B2 (ja) * 2011-01-19 2015-09-24 デクセリアルズ株式会社 透明導電性素子、入力装置、および表示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010231186A (ja) * 2009-03-04 2010-10-14 Sony Corp 表示装置
JP2012081663A (ja) * 2010-10-12 2012-04-26 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電基材及びタッチパネル

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