KR20140136996A - 흑색 수지막, 정전 용량형 입력 장치 및 그들의 제조 방법 및 이것을 구비한 화상 표시 장치 - Google Patents

흑색 수지막, 정전 용량형 입력 장치 및 그들의 제조 방법 및 이것을 구비한 화상 표시 장치 Download PDF

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신이치 요시나리
히토시 나미카와
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Abstract

흑색 안료, 알칼리 가용성 고분자 화합물, 에틸렌성 불포화 결합 함유 화합물 및 광 중합개시제를 포함하고, 240℃ 80분의 가열을 행한 후 300℃ 30분의 가열을 더 행한 후의 벌크 강도가 100N/1.6㎜φ 이상인 흑색 수지막은 흑색 안료를 사용해서 높은 광학 농도로 한 경우이어도 가열 후의 벌크 강도가 높다.

Description

흑색 수지막, 정전 용량형 입력 장치 및 그들의 제조 방법 및 이것을 구비한 화상 표시 장치{BLACK RESIN FILM, CAPACITIVE INPUT DEVICE, PROCESSES FOR PRODUCING SAID FILM AND DEVICE, AND IMAGE DISPLAY DEVICE EQUIPPED THEREWITH}
본 발명은 흑색 안료를 사용해서 높은 광학 농도로 한 경우이어도 가열 후의 벌크 강도가 높은 흑색 수지막(가식재(加飾材)) 및 그 제조 방법, 그 흑색 수지막을 포함하고, 또한 손가락의 접촉 위치를 정전 용량의 변화로서 검출가능한 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 의해 얻어지는 정전 용량형 입력 장치, 및 상기 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 화상 표시 장치에 관한 것이다.
휴대전화, 카 네비게이션, 퍼스널 컴퓨터, 매표기, 은행의 단말 등의 전자기기에서는 최근 액정 장치 등의 표면에 타블렛형의 입력 장치가 배치되고, 액정 장치 화상 표시 영역에 표시된 지시 화상을 참조하면서 이 지시 화상이 표시되어 있는 개소에 손가락 또는 터치 펜 등을 접촉함으로써 지시 화상에 대응하는 정보의 입력을 행할 수 있다.
이러한 입력 장치(터치패널)에는 저항막형, 정전 용량형 등이 있다. 그러나, 저항막형의 입력 장치는 필름과 유리의 2매 구조로 필름을 압하하여 쇼트시키는 구조 때문에 동작 온도 범위의 좁음이나, 경시 변화에 약하다는 결점을 갖고 있다.
이것에 대하여, 정전 용량형 입력 장치는 단지 1매의 기판에 투광성 도전막을 형성하면 좋다는 이점이 있다. 이러한 정전 용량형 입력 장치에서는 예를 들면, 서로 교차하는 방향으로 전극 패턴을 연장시켜 손가락 등이 접촉했을 때, 전극 간의 정전 용량이 변화되는 것을 검지하여 입력 위치를 검출하는 타입의 것이 있다 (예를 들면, 하기 특허문헌 1 참조).
또한, 정전 용량형 입력 장치로서는 투광성 도전막의 양단에 동상, 동전위의 교류를 인가하고, 손가락이 접촉 또는 근접해서 커패시터가 형성될 때에 흐르는 미약 전류를 검지하여 입력 위치를 검출하는 타입의 것도 있다. 이러한 정전 용량형 입력 장치로서 복수의 패드 부분을 접속 부분을 통해 제 1 방향으로 연장해서 형성된 복수의 제 1 투명 전극 패턴과, 상기 제 1 투명 전극 패턴과 층간 절연층을 통해 전기적으로 절연되고, 제 1 방향에 교차하는 방향으로 연장되어 형성된 복수의 패드 부분으로 이루어지는 복수의 제 2 투명 전극 패턴을 구비한 정전 용량형 입력 장치가 개시되어 있다(예를 들면, 하기 특허문헌 2 참조).
또한, 전면판의 비접촉측 표면에 마스크층(바람직하게는 블랙층 또는 블랙 레지스트), 메탈 트레이스를 포함하는 센스 회로, 층간 절연층이 일체로 형성되어 있는 정전 용량형 터치패널이 개시되어 있다(예를 들면, 하기 특허문헌 3 참조). 이 문헌에서는 블랙층은 신호를 전송하기 위한 메탈 트레이스를 덮어 가리도록 배치되고, 메탈 트레이스는 기판 또는 렌즈 위에서 보았을 때 노출되지 않고 기판 또는 렌즈의 외관을 미화하기 위한 가식재로서 사용되고 있다. 상기 특허문헌 3에는 정전 용량형 터치패널은 전면판이 정전 용량형 입력 장치와 일체화되어 있기 때문에 박층/경량화가 가능해진다는 기재가 있지만 마스크층의 조성, 특히 블랙층인 가식재의 조성 등의 상세한 제조 방법에 대해서는 기재되어 있지 않다.
여기서, 일반적으로 메탈 트레이스를 포함하는 센스 회로 등의 FPS(플렉시블 프린트 배선판)의 배선에서는 마스크층은 감광성 수지 조성물을 사용한 레지스트로서 형성된다. 이러한 FPS용 레지스트로서는 예를 들면 특허문헌 4에 기재되어 있는 바와 같은 에칭 레지스트용 재료가 사용되고, 노광 및 현상하여 목적으로 하는 형상의 레지스트를 얻을 수 있다. 특허문헌 4에는 알칼리 가용성 아크릴계 수지와, 우레탄계 모노머와, 특정 광 중합개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물을 사용함으로써 저노광량으로도 고감도로 밀착성, 텐트막 강도가 우수한 감광성 엘리먼트가 얻어지는 것이 기재되어 있지만 흑색 안료를 포함하는 감광성 수지 조성물에 대해서는 기재가 없다.
한편, 특허문헌 5에는 컬러 필터용 차폐막으로서 알칼리 가용성 아크릴계 수지계 재료, 특정 가교제, 광산 발생제, 흑색 안료로 이루어지는 흑색 감광성 수지 조성물을 사용함으로써 광을 차단하는데 충분한 농도를 가지고, 표면 거칠기가 적고 막 강도가 높고 패턴의 결함이 없는 블랙 매트릭스를 가지는 컬러 필터를 제작할 수 있는 것이 기재되어 있다. 특허문헌 5에는 가교제로서는 메틸올화 요소, 요소 수지, 메틸올화 멜라민, 부틸올화 멜라민, 메틸올화 구아나민 또는 이들의 알킬 에테르만을 들 수 있고, 실시예에서도 아크릴로일기를 가지지 않고 N-메틸올기만을 갖는 NIKALAC MW-30M(Sanwa Chemical Co., Ltd. 제작)이 사용되고 있지만, 에틸렌성 불포화 결합을 포함하는 화합물에 대해서는 기재가 없었다. 또한, 광산 발생제를 사용하고 있으며 광 중합개시제에 대해서도 기재가 없었다.
일본 특허 공개 2007-122326호 공보 일본 특허 제 4506785호 공보 일본 특허 공개 2009-193587호 공보 일본 특허 공개 2002-23359호 공보 일본 특허 공개 평 10-282650호 공보
그러나, 본 발명자들은 특허문헌 4에 기재된 감광성 수지 조성물에 흑색 안료를 첨가해서 블랙 레지스트를 제작하고, 가식재를 형성한 결과, 흑색 안료를 첨가하면 충분한 노광이 곤란해지고, 노광 및 현상 후에 240℃ 80분의 가열을 행한 후 300℃ 30분의 가열을 더 행한 후의 벌크 강도가 악화되는 문제가 있는 것을 알 수 있었다.
또한, 본 발명자들은 특허문헌 5에 기재된 흑색 감광성 수지 조성물을 사용해서 가식재를 형성한 결과, 특허문헌 5에 기재된 흑색 감광성 수지 조성물도 노광 및 현상 후에 240℃ 80분의 가열을 행한 후 300℃ 30분의 가열을 더 행한 후의 벌크 강도가 악화되는 문제가 있는 것을 알 수 있었다.
이렇게 흑색 수지막의 벌크 강도가 낮은 상태가 되면 터치패널 외의 회로와 터치패널을 연결하기 위해 가식 흑색막 상에 부착된 배선이 무리한 힘을 가했을 때에 빠져버려 신뢰성의 저하로 이어지는 문제가 있었다.
본 발명이 해결하려고 하는 과제는 흑색 안료를 사용해서 높은 광학 농도로 한 경우이어도 가열 후의 벌크 강도가 높은 흑색 수지막 및 그 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은 특정한 조성의 흑색 안료를 포함하는 광 경화성 수지 조성물에 대하여 노광, 현상에 더불어 포스트 노광을 행함으로써 흑색 안료를 사용해서 높은 광학 농도로 한 경우이어도 가열 후의 벌크 강도가 높은 흑색 수지막이 얻어지는 것을 찾아내는데 이르렀다.
상기 과제를 해결하기 위한 구체적 수단인 본 발명은 이하와 같다.
[1] 흑색 안료, 알칼리 가용성 고분자 화합물, 에틸렌성 불포화 결합 함유 화합물 및 광 중합개시제를 포함하고, 240℃ 80분의 가열을 행한 후 300℃ 30분의 가열을 더 행한 후의 벌크 강도가 100N/1.6㎜φ 이상인 것을 특징으로 하는 흑색 수지막.
[2] [1]에 기재된 흑색 수지막은 막 두께가 1.5~5.0㎛인 것이 바람직하다.
[3] [1] 또는 [2]에 기재된 흑색 수지막은 240℃ 80분의 가열을 행한 후 300℃ 30분의 가열을 더 행한 후의 열 중량 감소율이 39.2% 이하인 것이 바람직하다.
[4] [1] 내지 [3] 중 어느 한 항에 기재된 흑색 수지막은 광 중합개시제가 α-아미노알킬페논계 화합물 또는 α-히드록시알킬페논계 화합물인 것이 바람직하다.
[5] [1] 내지 [4] 중 어느 한 항에 기재된 흑색 수지막은 측면의 테이퍼 각이 하기 식(1) 및 하기 식(2)을 만족하는 것이 바람직하다.
식(1)
θ1≤40°
[θ1은 흑색 수지막의 측면과 흑색 수지막의 높이를 4등분했을 때에 흑색 수지막의 기재측 표면으로부터 1/4 높이의 직선의 교점(C1) 및 흑색 수지막의 측면과 흑색 수지막의 높이를 4등분했을 때에 흑색 수지막의 기재측 표면으로부터 2/4 높이의 직선의 교점(C2)을 지나는 직선(l12)과 흑색 수지막의 저면의 연장선(lA)이 이루는 각 중 90°이하의 각을 나타낸다]
식(2)
θ2≤40°
[θ2는 흑색 수지막의 측면과 흑색 수지막의 높이를 4등분했을 때에 흑색 수지막의 기재측 표면으로부터 2/4 높이의 직선의 교점(C2) 및 흑색 수지막의 측면과 흑색 수지막의 높이를 4등분했을 때에 흑색 수지막의 기재측 표면으로부터 3/4 높이의 직선의 교점(C3)을 지나는 직선(l23)과, 흑색 수지막의 흑색 수지막의 상단면 중 흑색 수지막의 저면과 대략 평행한 부분의 연장선의 연장선(lB)이 이루는 각 중 90°이하의 각을 나타낸다]
[6] [1] 내지 [5] 중 어느 한 항에 기재된 흑색 수지막은 용제를 더 포함하는 것이 바람직하다.
[7] [6]에 기재된 흑색 수지막은 상기 용제로서 증발 속도가 아세트산 부틸의 200% 이상인 제 1 용제와, 증발 속도가 아세트산 부틸의 50% 이하인 제 2 용제를 포함하는 것이 바람직하다.
[8] [6] 또는 [7]에 기재된 흑색 수지막은 상기 용제로서 다가 알코올 유도체인 용제와, 케톤인 용제를 포함하는 것이 바람직하다.
[9] 흑색 안료, 알칼리 가용성 고분자 화합물, 에틸렌성 불포화 결합 함유 화합물 및 광 중합개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물을 기재 상에 적용하는 공정과, 상기 기재 상의 감광성 수지 조성물을 노광하는 공정과, 노광된 감광성 수지 조성물을 현상하는 공정과, 상기 현상 공정 후에 포스트 노광을 행하는 공정을 포함하고, 하기 조건(A) 또는 조건(B)을 만족하는 것을 특징으로 하는 흑색 수지막의 제조 방법.
조건(A): 상기 광 중합개시제는 α-아미노알킬페논계 화합물 또는 α-히드록시알킬페논계 화합물이다.
조건(B): 상기 현상 공정 후의 포스트 노광을 상기 감광성 수지 조성물의 상기 기재와 접하고 있는 측의 표면방향과 상기 투명 기재와 접하고 있지 않는 측의 표면방향의 양면으로부터 행한다.
[10] [9]에 기재된 흑색 수지막의 제조 방법은 상기 현상 공정 후의 포스트 노광의 노광량이 i선에서 1300mJ/㎠ 이상인 것이 바람직하다.
[11] [10]에 기재된 흑색 수지막의 제조 방법은 상기 기재가 투명 기재인 것이 바람직하다.
[12] [11]에 기재된 흑색 수지막의 제조 방법은 상기 투명 기재가 투명 절연성 기재인 것이 바람직하다.
[13] [9] 내지 [12] 중 어느 한 항에 기재된 흑색 수지막의 제조 방법은 상기 조건(A) 및 조건(B)을 모두 만족하는 것이 바람직하다.
[14] [9] 내지 [13] 중 어느 한 항에 기재된 흑색 수지막의 제조 방법은 가지지체 상에 상기 감광성 수지 조성물을 적층한 감광성 전사 필름으로부터 상기 감광성 수지 조성물을 상기 기재 상에 전사하는 것이 바람직하다.
[15] [9] 내지 [14] 중 어느 한 항에 기재된 흑색 수지막의 제조 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 흑색 수지막.
[16] [1] 내지 [8] 및 [15] 중 어느 한 항에 기재된 흑색 수지막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치용 가식재.
[17] [16]에 기재된 정전 용량형 입력 장치용 가식재를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치.
[18] 전면판과, 상기 전면판의 비접촉측에 적어도 하기 (1)~(4)의 요소를 갖는 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법으로서, 상기 (1)의 요소를 [9] 내지 [14] 중 어느 한 항에 기재된 흑색 수지막의 제조 방법으로 제조하는 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법.
(1) 가식재
(2) 복수의 패드 부분이 접속 부분을 통해 제 1 방향으로 연장되어 형성된 복수의 제 1 투명 전극 패턴
(3) 상기 제 1 투명 전극 패턴과 전기적으로 절연되고, 상기 제 1 방향에 교차하는 방향으로 연장되어 형성된 복수의 패드 부분으로 이루어지는 복수의 제 2 전극 패턴
(4) 상기 제 1 투명 전극 패턴과 상기 제 2 전극 패턴을 전기적으로 절연하는 절연층
[19] [18]에 있어서,
상기 정전 용량형 입력 장치는 (5) 상기 제 1 투명 전극 패턴 및 상기 제 2 전극 패턴 중 적어도 한쪽에 전기적으로 접속되고, 상기 제 1 투명 전극 패턴 및 상기 제 2 전극 패턴과는 다른 도전성 요소를 더 갖는 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법.
[20] [18] 또는 [19]에 있어서,
상기 제 2 전극 패턴은 투명 전극 패턴인 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법.
[21] [18] 내지 [20] 중 어느 하나에 기재된 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치.
[22] [17] 또는 [21]에 기재된 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
본 발명에 의하면 흑색 안료를 사용해서 높은 광학 농도로 한 경우이어도 가열 후의 벌크 강도가 높은 흑색 수지막 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명에 있어서의 전면판의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 3은 본 발명에 있어서의 제 1 투명 전극 패턴 및 제 2 투명 전극 패턴의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 4는 개구부가 형성된 강화 처리 유리의 일례를 나타내는 상면도이다.
도 5는 본 발명의 흑색 수지막(가식재)이 형성된 전면판의 일례를 나타내는 상면도이다.
도 6은 제 1 투명 전극 패턴이 형성된 전면판의 일례를 나타내는 상면도이다.
도 7은 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴이 형성된 전면판의 일례를 나타내는 상면도이다.
도 8은 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소가 형성된 전면판의 일례를 나타내는 상면도이다.
도 9는 흑색 수지막(가식재)의 벌크 강도의 평가를 나타내는 설명도이다.
도 10은 흑색 수지막(가식재)의 테이퍼 각을 나타내는 설명도이다.
도 11은 실시예 1의 흑색 수지막(가식재)의 SEM(주사형 전자현미경) 사진에 대하여 테이퍼 각을 구하기 위한 작도를 행한 결과를 나타내는 설명도이다.
이하, 본 발명의 흑색 수지막(본 발명의 정전 용량형 입력 장치용 가식재)과 그 제조 방법, 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법, 정전 용량형 입력 장치 및 화상 표시 장치에 대해서 설명한다.
[흑색 수지막]
본 발명의 흑색 수지막은 흑색 안료, 알칼리 가용성 고분자 화합물, 에틸렌성 불포화 결합 함유 화합물 및 광 중합개시제를 포함하고, 240℃ 80분의 가열을 행한 후 300℃ 30분의 가열을 더 행한 후의 벌크 강도가 100N/1.6㎜φ 이상인 것을 특징으로 한다.
이러한 구성으로 함으로써 흑색 안료를 사용해서 높은 광학 농도로 한 경우이어도 가열 후의 벌크 강도가 높은 흑색 수지막으로 할 수 있다.
이하, 본 발명의 흑색 수지막의 조성, 특성, 형상 및 본 발명의 흑색 수지막의 제조 방법에 대해서 설명한다.
<조성>
본 발명의 흑색 수지막은 흑색 안료, 알칼리 가용성 고분자 화합물, 에틸렌성 불포화 결합 함유 화합물 및 광 중합개시제를 포함한다.
(흑색 안료)
본 발명의 흑색 수지막에 사용되는 흑색 안료로서는 본 발명의 취지에 반하지 않는 한에 있어서 특별히 제한은 없다. 또한, 본 발명의 흑색 수지막은 광학 농도가 2.0 이상인 것이 바람직하고, 2.5 이상인 것이 보다 바람직하고, 2.8 이상인 것이 특히 바람직하다. OD가 2.0보다 낮은 경우는 디스플레이로부터의 광 누설이 생길 가능성이 있다.
본 발명에 사용하는 흑색 안료로서는 공지의 흑색 안료(유기 안료, 무기 안료, 염료 등)를 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서는 흑색 안료이외에 적색, 청색, 녹색 등의 안료의 혼합물 등을 사용할 수 있다. 광학 농도의 측정은 SAKATA INX ENG. Co., Ltd. 제작의 BMT-1 투과 농도계에 의해 측정을 행했다.
광학 농도의 관점에서 흑색 안료로서는 예를 들면, 카본블랙, 티탄카본, 산화철, 산화 티탄, 흑연 등을 들 수 있고, 그 중에서도 카본블랙이 바람직하다.
상기 흑색 안료(바람직하게는 카본블랙)는 분산액으로서 사용하는 것이 바람직하다. 이 분산액은 상기 흑색 안료와 안료 분산제를 미리 혼합해서 얻어지는 조성물을 후술하는 유기용매(또는 비히클)에 첨가해서 분산시킴으로써 조제할 수 있다. 상기 비히클이란 도료가 액체 상태에 있을 때에 안료를 분산시키고 있는 매질의 부분을 말하고, 액상으로서 상기 흑색 안료와 결합하여 도막을 형성하는 성분(바인더)과, 이것을 용해 희석하는 성분(유기용매)을 포함한다.
상기 흑색 안료를 분산시킬 때에 사용하는 분산기로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면 아사쿠라 쿠니조 저, 「안료의 사전」, 제 1 판, Asakura Publishing Co., Ltd., 2000년, 438페이지에 기재되어 있는 니더, 롤 밀, 아트라이터, 슈퍼 밀, 디졸버, 호모믹서, 샌드 밀 등의 공지의 분산기를 들 수 있다. 또한, 그 문헌 310페이지 기재의 기계적 마쇄에 의해 마찰력을 이용해서 미분쇄해도 좋다.
본 발명에서 사용하는 흑색 안료는 분산 안정성의 관점에서 수 평균 입경 0.001㎛~0.1㎛의 것이 바람직하고, 0.01㎛~0.08㎛의 것이 더욱 바람직하다. 또한, 여기서 말하는 「입경」이란 입자의 전자현미경 사진 화상을 동면적의 원으로 했을 때의 직경을 말하고, 또한 「수 평균 입경」이란 다수의 입자에 대해서 상기 입경을 구하고, 이 100개 평균값을 말한다.
(알칼리 가용성 고분자 화합물)
상기 알칼리 가용성 고분자 화합물로서는 일본 특허 공개 2011-95716호 공보의 단락 [0025], 일본 특허 공개 2010-237589호 공보의 단락 [0033]~[0052]로 기재된 폴리머를 사용할 수 있다. 본 발명에서는 벤질메타크릴레이트/메타크릴산의 랜덤 공중합체를 바람직하게 사용할 수 있다.
(에틸렌성 불포화 결합 함유 화합물)
상기 에틸렌성 불포화 결합 함유 화합물로서는 일본 특허 제 4098550호의 단락 [0023]~[0024]에 기재된 중합성 화합물을 사용할 수 있다. 본 발명에서는 DPHA(디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트)를 바람직하게 사용할 수 있다.
(광 중합개시제)
상기 광 중합개시제로서는 일본 특허 공개 2011-95716호 공보에 기재된 [0031]~[0042]에 기재된 중합성 화합물을 사용할 수 있다.
그 중에서도 α-아미노알킬페논계 화합물, α-히드록시알킬페논계 화합물, 트리클로로메틸트리아진계 화합물, 옥심에스테르계 화합물을 바람직하게 들 수 있다.
본 발명의 흑색 수지막은 광 중합개시제가 α-아미노알킬페논계 화합물 또는 α-히드록시알킬페논계 화합물인 것이 가열 후의 벌크 강도를 높이는 관점에서 바람직하다.
본 발명의 흑색 수지막 중에 있어서의 상기 광 중합개시제의 상기 에틸렌성 불포화 결합 함유 화합물에 대한 질량비가 0.05~0.125인 것이 테이퍼 각 및 석출 억제의 관점에서 바람직하고, 0.070~0.100인 것이 더욱 바람직하다.
(첨가제)
본 발명의 흑색 수지막에는 첨가제를 더 사용해도 좋다. 상기 첨가제로서는 예를 들면, 일본 특허 제 4502784호 공보의 단락 [0017], 일본 특허 공개 2009-237362호 공보의 단락 [0060]~[0071]에 기재된 계면활성제나, 일본 특허 제 4502784호 공보의 단락 [0018]에 기재된 열 중합방지제, 또한 일본 특허 공개 2000-310706호 공보의 단락 [0058]~[0071]에 기재된 그 외의 첨가제를 들 수 있다.
(용제)
본 발명의 흑색 수지막은 용제를 더 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 흑색 수지막을 도포에 의해 제조한 경우에 포함되어 있어도 좋은 용제로서는 이하의 용제를 들 수 있다.
상기 용제로서는 통상 사용되는 용제를 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 구체적으로는 예를 들면, 에스테르류, 에테르류, 케톤류, 방향족 탄화수소류 등을 들 수 있다.
또한, US 2005/282073A1호 명세서의 단락번호 [0054], [0055]에 기재된 Solvent와 같은 메틸에틸케톤, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 시클로헥산온, 시클로헥산올, 메틸이소부틸케톤, 락트산 에틸 및 락트산 메틸 등도 본 발명에 있어서도 바람직하게 사용할 수 있다.
이들 용제 중, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 에틸셀로솔브아세테이트, 락트산 에틸, 아세트산 부틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 2-헵탄온, 시클로헥산온, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(에틸카르비톨아세테이트), 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트(부틸카르비톨아세테이트), 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 및 메틸에틸케톤 등이 본 발명에 있어서의 용제로서 바람직하게 사용된다. 이들의 용제는 1종 단독으로 또는 2종 이상 조합해서 사용해도 좋다.
또한 본 발명에 있어서는 필요에 따라 비점이 180℃~250℃인 유기용제를 사용할 수 있다. 이들의 고비점 용제로서는 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 3,5,5-트리메틸-2-시클로헥센-1-온, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜디아세테이트, 프로필렌글리콜-n-프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 2-에틸헥실아세테이트, 3-메톡시-3-메틸부틸아세테이트, γ-부티로락톤, 트리프로필렌글리콜메틸에틸아세테이트, 디프로필렌글리콜-n-부틸아세테이트, 프로필렌글리콜페닐에테르아세테이트, 1,3-부탄디올디아세테이트 등을 들 수 있다.
본 발명의 흑색 수지막은 상기 용제로서 증발 속도가 아세트산 부틸의 200% 이상인 제 1 용제와, 증발 속도가 아세트산 부틸의 50% 이하인 제 2 용제를 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 흑색 수지막은 상기 용제로서 다가 알코올 유도체인 용제와, 케톤인 용제를 포함하는 것이 바람직하다.
<특성>
(가열 후의 벌크 강도)
본 발명의 흑색 수지막은 240℃ 80분의 가열을 행한 후 300℃ 30분의 가열을 더 행한 후의 벌크 강도가 100N/1.6㎜φ 이상이다. 본 명세서 중에 있어서의 벌크 강도는 세바스찬법에 의해 측정한 값을 이용한다. 세바스찬법이란 도 9와 같이 수지막 상에 접착된 금속성 핀을 기판에 수직방향으로 인장하고, 박리할 때의 힘을 측정하는 실험법이며, 막의 벌크 강도나 접착력을 평가할 수 있다. 예를 들면, QUAD사 제작의 Romulus 등의 장치가 시판되고 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서 중에서는 도 9에 기재된 바와 같이 흑색 수지막(가식재)(32)의 표면에 저면의 직경 1.6㎜의 알루미늄제 핀(31)을 에폭시계 접착제에 의해 부착하고, 에폭시계 접착제가 경화한 후 알루미늄제 핀(31)을 흑색 수지막(32)에 대하여 수직방향(알루미늄제 핀의 박리방향(40))으로 인장하고, 알루미늄제 핀이 박리될 때의 최대 하중을 측정해서 구한다. 여기서는 에폭시계 접착제 부착 알루미늄제 핀(알루미늄제 접착제 부착 스태트 핀 2.7㎜, 형번 901106, QUAD사 제작)을 사용했다.
본 발명의 흑색 수지막은 240℃ 80분의 가열을 행한 후 300℃ 30분의 가열을 더 행한 후의 벌크 강도가 130N/1.6㎜φ 이상인 것이 바람직하고, 140N/1.6㎜φ 이상인 것이 보다 바람직하고, 150N/1.6㎜φ 이상인 것이 특히 바람직하고, 170N/1.6㎜φ 이상인 것이 보다 특히 바람직하다.
(가열 후의 열 중량 감소율)
본 발명의 흑색 수지막은 240℃ 80분의 가열을 행한 후 300℃ 30분의 가열을 더 행한 후의 열 중량 감소율이 39.2% 이하인 것이 바람직하고, 36.0% 이하인 것이 보다 바람직하다. 본 발명의 흑색 수지막은 상술의 바람직한 조성으로 했을 때에 이러한 범위로 열 중량 감소율을 제어함으로써 가열 후의 벌크 강도를 바람직한 범위로 제어하기 쉽다.
본 발명에 있어서의 흑색 수지막의 열 중량 감소율은 TGA를 사용해서 240℃ 80분의 가열을 행한 후 300℃ 30분의 가열을 더 행한 후에 측정한 값을 이용한다.
<형상>
(막 두께)
본 발명의 흑색 수지막은 막 두께가 1.5~5.0㎛인 것이 적절한 흑색 농도를 얻으면서 가열 후의 벌크 강도를 높이는 관점에서 바람직하고, 1.5~1.8㎛인 것이 보다 바람직하다.
(테이퍼 각)
본 발명의 흑색 수지막은 측면의 테이퍼 각이 하기 식(1) 및 하기 식(2)을 만족하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 흑색 수지막은 후술하는 본 발명의 흑색 수지막의 제조 방법에 있어서의 현상 공정 등에 의해 그 측면의 일부가 볼록 형상 또는 오목 형상의 곡면을 형성하고, 바람직하게는 볼록 형상의 곡면을 형성한다.
식(1)
θ1≤40°
[θ1은 흑색 수지막의 측면과 흑색 수지막의 높이를 4등분했을 때에 흑색 수지막의 기재측 표면으로부터 1/4 높이의 직선의 교점(C1) 및 흑색 수지막의 측면과 흑색 수지막의 높이를 4등분했을 때에 흑색 수지막의 기재측 표면으로부터 2/4 높이의 직선의 교점(C2)을 지나는 직선(l12)과 흑색 수지막의 저면의 연장선(lA)이 이루는 각 중 90°이하의 각을 나타낸다]
식(2)
θ2≤40°
[θ2는 흑색 수지막의 측면과 흑색 수지막의 높이를 4등분했을 때에 흑색 수지막의 기재측 표면으로부터 2/4 높이의 직선의 교점(C2) 및 흑색 수지막의 측면과 흑색 수지막의 높이를 4등분했을 때에 흑색 수지막의 기재측 표면으로부터 3/4 높이의 직선의 교점(C3)을 지나는 직선(l23)과 흑색 수지막의 흑색 수지막의 상단면 중 흑색 수지막의 저면과 대략 평행한 부분의 연장선의 연장선(lB)이 이루는 각 중 90°이하의 각을 나타낸다]
흑색 수지막의 측면의 테이퍼 각 중, θ1 및 θ2가 40°이하인 것이 바람직하다. θ1이 35°이하인 것이 보다 바람직하고, θ2가 35°인 것이 보다 바람직하다. 또한, θ1 및 θ2가 35°이하인 것이 특히 바람직하다.
본 발명에 있어서의 흑색 수지막의 측면의 테이퍼 각은 흑색 수지막(가식재)의 단면을 SEM을 사용하여 경사각 0도의 바로 옆에서 촬영하고, 얻어진 흑색 수지막(가식재)의 단면 사진으로부터 도 10에 따라 구한다. 상세한 것은 후술의 실시예 중에 있어서의 흑색 수지막(가식재)의 막 두께와 테이퍼 각의 평가란에 기재한다.
[흑색 수지막의 제조 방법]
본 발명의 흑색 수지막의 제조 방법(이하, 본 발명의 제조 방법이라고도 한다)은 흑색 안료, 알칼리 가용성 고분자 화합물, 에틸렌성 불포화 결합 함유 화합물 및 광 중합개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물을 기재 상에 적용하는 공정과, 상기 기재 상의 감광성 수지 조성물을 노광하는 공정과, 노광된 감광성 수지 조성물을 현상하는 공정과, 상기 현상 공정 후에 포스트 노광을 행하는 공정을 포함하고, 하기 조건(A) 또는 조건(B)을 만족하는 것을 특징으로 한다.
조건(A): 상기 광 중합개시제가 α-아미노알킬페논계 화합물 또는 α-히드록시알킬페논계 화합물이다.
조건(B): 상기 현상 공정 후의 포스트 노광을 상기 감광성 수지 조성물의 상기 기재와 접하고 있는 측의 표면방향과, 상기 투명 기재와 접하고 있지 않은 측의 표면방향의 양면으로부터 행한다.
특히 상기 조건(A) 또는 조건(B)을 만족함으로써 가열 후의 벌크 강도를 본 발명의 범위로 제어할 수 있다.
본 발명의 흑색 수지막의 제조 방법은 상기 조건(A) 및 조건(B)을 모두 만족하는 것이 가열 후의 벌크 강도를 보다 높이는 관점에서 바람직하다.
《감광성 수지 조성물을 기재 상에 적용하는 공정》
우선, 상기 감광성 수지 조성물을 기재 상에 적용하는 공정에 대해서 설명한다.
<기재>
본 발명의 흑색 수지막의 제조 방법은 상기 기재가 투명 기재(투광성 기판)인 것이 포스트 노광을 흑색 수지막의 양면으로부터 행할 수 있는 관점에서 바람직하다.
본 발명의 흑색 수지막의 제조 방법은 상기 투명 기재가 투명 절연성 기재인 것이 본 발명의 흑색 수지막을 정전 용량형 입력 장치의 전면판으로서 사용하는 관점으로부터 보다 바람직하다.
상기 기재는 유리 기판 등의 투광성 기판으로 구성되어 있는 것이 보다 바람직하고, 예를 들면 Corning사의 고릴라 유리로 대표되는 강화 유리 등을 사용할 수 있다.
<감광성 필름>
상기 감광성 수지 조성물을 기재 상에 적용하는 방법으로서는 특별히 제한은 없어 공지의 방법을 사용할 수 있고, 예를 들면 도포, 전사 등을 들 수 있다.
그 중에서도 본 발명의 흑색 수지막의 제조 방법은 가지지체 상에 상기 감광성 수지 조성물을 적층한 감광성 전사 필름으로부터 상기 감광성 수지 조성물을 상기 기재 상에 전사하는 것이 바람직하다.
가지지체에 광 경화성 수지층만을 형성한 드라이 필름 레지스트를 사용해서 가식재나 투명 전극 패턴을 형성하는 방법에서는 전면판 이면측에 설치하는 흑색 수지막(가식재)은 차광성이 필요함에도 불구하고 드라이 필름 라미네이트 시의 기포 때문에 광 누설이 생기거나, 차광성의 관점에서 일정한 두께(흑색층의 경우는 수 미크론)가 필요한 흑색 수지막(가식재)과 전면판 이면에 걸쳐 드라이 필름을 라미네이트하는 경우, 상기 흑색 수지막(가식재)의 두께 단차의 부분에 거품이 남거나 하는 문제가 있다. 본 발명의 흑색 수지막(가식재)의 제조 방법의 보다 바람직한 실시형태에서는 흑색 수지막(가식재)의 테이퍼 각을 작게 할 수 있고, 감광성 전사 필름을 사용한 경우이어도 기포의 발생을 억제할 수 있다.
본 발명의 제조 방법에 사용되는 상기 감광성 필름에 대해서 설명한다.
(광 경화성 수지층)
상기 감광성 필름은 그 용도에 따라 광 경화성 수지층에 첨가물을 첨가한다. 즉, 가식재의 형성에 상기 감광성 필름을 사용하는 경우에는 광 경화성 수지층에 본 발명의 흑색 수지막의 제조 방법에 사용되는 흑색 안료, 알칼리 가용성 고분자 화합물, 에틸렌성 불포화 결합 함유 화합물 및 광 중합개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물을 사용한다.
상기 감광성 필름의 광 경화성 수지층은 착색제, 첨가제 등이 더 사용되지만 이들에 한정된 것은 아니다.
흑색 안료를 포함하는 광 경화성 수지층의 층 두께는 다른 층과의 두께 차의 관점에서 0.5~10㎛가 바람직하고, 0.8~5㎛가 더욱 바람직하고, 1~3㎛가 특히 바람직하다. 상기 착색 감광성 수지 조성물의 고형분 중의 착색제의 함유율로서는 특별히 제한은 없지만 충분히 현상 시간을 단축하는 관점에서 15~70질량%인 것이 바람직하고, 20~60질량%인 것이 보다 바람직하고, 25~50질량%인 것이 더욱 바람직하다.
본 명세서에서 말하는 전체 고형분이란 착색 감광성 수지 조성물로부터 용제 등을 제거한 불휘발 성분의 총 질량을 의미한다.
(가지지체)
가지지체로서는 가요성을 갖고, 가압 하 또는 가압 및 가열 하에서 현저한 변형, 수축 또는 연신이 생기지 않는 재료를 사용할 수 있다. 이러한 지지체의 예 로서 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 트리아세트산 셀룰로오스 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름 등을 들 수 있고, 그 중에서도 2축 연신 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 특히 바람직하다.
가지지체의 두께에는 특별히 제한은 없고, 5~200㎛의 범위가 일반적이며, 취급 용이함, 범용성 등의 점에서 특히 10~150㎛의 범위가 바람직하다.
또한, 가지지체는 투명이어도 좋고, 염료화 규소, 알루미나 졸, 크롬 염, 지르코늄 염 등을 함유하고 있어도 좋다.
또한, 본 발명의 가지지체에는 일본 특허 공개 2005-221726에 기재된 방법 등에 의해 도전성을 부여할 수 있다.
(열 가소성 수지층)
상기 감광성 필름은 가지지체와 광 경화성 수지층 사이에 열 가소성 수지층을 갖는 것이 바람직하다. 상기 열 가소성 수지층을 갖지 않는 감광성 필름을 사용해서 흑색 수지막(가식재) 등을 형성한 경우에 대하여 상기 열 가소성 수지층을 갖는 감광성 필름을 사용함으로써 광 경화성 수지층을 전사해서 형성한 흑색 수지막(가식재)에 기포가 발생하기 어려워져 화상 표시 장치 화상 불균일 등이 억제되어 우수한 표시 특성을 얻을 수 있다.
상기 감광성 필름은 가지지체와 착색 감광성 수지층 사이에 열 가소성 수지층이 형성되는 것이 바람직하다. 상기 열 가소성 수지층은 알칼리 가용성인 것이 바람직하다. 열 가소성 수지층은 하지 표면의 요철(이미 형성되어 있는 화상 등에 의한 요철 등도 포함한다)을 흡수할 수 있도록 쿠션재로서의 역할을 하는 것이며, 대상면의 요철에 따라 변형될 수 있는 성질을 갖고 있는 것이 바람직하다.
열 가소성 수지층은 일본 특허 공개 평 5-72724호 공보에 기재된 유기 고분자 물질을 성분으로서 포함하는 실시형태가 바람직하고, 브이카(Vicat)법〔구체적으로는 아메리카 재료 시험법 에이에스티엠디 ASTMD 1235에 의한 폴리머 연화점 측정법〕에 의한 연화점이 약 80℃ 이하인 유기 고분자 물질로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 실시형태가 특히 바람직하다.
구체적으로는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀, 에틸렌과 아세트산 비닐 또는 그 비누화물 등의 에틸렌 공중합체, 에틸렌과 아크릴산 에스테르 또는 그 비누화물의 공중합체, 폴리염화 비닐이나 염화 비닐과 아세트산 비닐 또는 그 비누화물 등의 염화 비닐 공중합체, 폴리염화 비닐리덴, 염화 비닐리덴 공중합체, 폴리스티렌, 스티렌과 (메타)아크릴산 에스테르 또는 그 비누화물 등의 스티렌 공중합체, 폴리비닐톨루엔, 비닐톨루엔과 (메타)아크릴산 에스테르 또는 그 비누화물 등의 비닐톨루엔 공중합체, 폴리(메타)아크릴산 에스테르, (메타)아크릴산 부틸과 아세트산 비닐 등의 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체, 아세트산 비닐 공중합체 나일론, 공중합 나일론, N-알콕시메틸화 나일론, N-디메틸아미노화 나일론 등의 폴리아미드 수지 등의 유기 고분자를 들 수 있다.
열 가소성 수지층의 층 두께는 3~30㎛가 바람직하다. 열 가소성 수지층의 층 두께가 3㎛ 미만인 경우에는 라미네이트 시의 추종성이 불충분하며, 하지 표면의 요철을 완전히 흡수할 수 없는 경우가 있다. 또한, 층 두께가 30㎛를 초과하는 경우에는 가지지체에의 열 가소성 수지층의 형성 시의 건조(용제 제거)에 부하가 걸리거나, 열 가소성 수지층의 현상에 시간을 필요로 하거나 하여 프로세스 적성을 악화시키는 경우가 있다. 상기 열 가소성 수지층의 층 두께로서는 4~25㎛가 더욱 바람직하고, 5~20㎛가 특히 바람직하다.
열 가소성 수지층은 열 가소성의 유기 고분자를 포함하는 조제액을 도포 등 하여 형성할 수 있고, 도포 등을 할 때에 사용하는 조제액은 용매를 사용하여 조제할 수 있다. 용매에는 그 층을 구성하는 고분자 성분을 용해할 수 있는 것이면 특별히 제한은 없고, 예를 들면 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, n-프로판올, 2-프로판올 등을 들 수 있다.
(열 가소성 수지층 및 광 경화성 수지층의 점도)
상기 열 가소성 수지층의 100℃에서 측정한 점도가 1000~10000Pa·sec인 영역에 있고, 광 경화성 수지층의 100℃에서 측정한 점도가 2000~50000Pa·sec의 영역에 있고, 또한 다음 식(A)을 만족하는 것이 바람직하다.
식(A): 열 가소성 수지층의 점도＜광 경화성 수지층의 점도
여기서, 각 층의 점도는 다음과 같이 해서 측정할 수 있다. 대기압 및 감압 건조에 의해 열 가소성 수지층 또는 광 경화성 수지층용 도포액으로부터 용제를 제거해서 측정 샘플로 하고, 예를 들면 측정기로서 Rheovibron(DD-III형: Baldwin Japan, Ltd. 제작)을 사용하고, 측정 개시 온도 50℃, 측정 종료 온도 150℃, 승온 속도 5℃/분 및 진동수 1㎐/deg의 조건에서 측정하여 100℃의 측정값을 사용할 수 있다.
(다른 층)
상기 감광성 필름에는 광 경화성 수지층과 열 가소성 수지층 사이에 중간층을 형성하거나, 또는 광 경화성 수지층의 표면에 보호 필름 등을 더 형성하거나 하여 바람직하게 구성할 수 있다.
상기 감광성 필름에는 복수층을 도포할 때 및 도포 후 보존할 때에 있어서의 성분의 혼합을 방지하는 목적으로 중간층을 형성하는 것이 바람직하다. 중간층으로서는 일본 특허 공개 평 5-72724호 공보에 「분리층」으로서 기재되어 있는 산소 차단 기능이 있는 산소 차단막이 바람직하고, 노광 시의 감도가 상승하고, 노광기의 시간 부하를 저감할 수 있어 생산성이 향상된다.
상기 중간층 및 보호 필름으로서는 일본 특허 공개 2006-259138호 공보의 단락 [0083]~[0087] 및 [0093]에 기재된 것을 적당히 사용할 수 있다.
(감광성 필름의 제작 방법)
상기 감광성 필름은 일본 특허 공개 2006-259138호 공보의 단락 [0094]~[0098]에 기재된 감광성 전사 재료의 제작 방법에 의거하여 제작할 수 있다.
구체적으로 중간층을 갖는 상기 감광성 필름을 형성하는 경우에는 가지지체 상에 열 가소성 유기 고분자와 함께 첨가제를 용해한 용해액(열 가소성 수지층용 도포액)을 도포하고, 건조시켜 열 가소성 수지층을 형성한 후, 이 열 가소성 수지층 상에 열 가소성 수지층을 용해하지 않는 용제에 수지나 첨가제를 첨가해서 조제한 조제액(중간층용 도포액)을 도포하고, 건조시켜 중간층을 적층하고, 이 중간층상에 중간층을 용해하지 않는 용제를 더 사용해서 조제한 착색 감광성 수지층용 도포액을 도포하고, 건조시켜 착색 감광성 수지층을 적층함으로써 바람직하게 제작할 수 있다.
<감광성 필름을 사용해서 가식재를 기판 상에 적용하는 방법>
본 발명의 흑색 수지막(가식재)을 상기 감광성 필름을 사용해서 기판 상에 적용하는 경우에 대해서 상기 감광성 필름을 사용한 패터닝 방법을 설명한다.
상기 가식재를 기판 상에 적용하는 방법은 상기 감광성 필름으로부터 상기 커버 필름을 제거하는 커버 필름 제거 공정과, 상기 커버 필름이 제거된 상기 감광성 전사 재료의 상기 감광성 수지층을 기재 상에 전사하는 전사 공정을 갖는 방법을 들 수 있다.
(전사 공정)
상기 전사 공정은 상기 커버 필름이 제거된 상기 감광성 필름의 상기 광 경화성 수지층을 기재 상에 전사하는 공정이다.
이 때, 상기 감광성 필름의 광 경화성 수지층을 기재에 라미네이트 후, 가지지체를 제거함으로써 행하는 방법이 바람직하다.
광 경화성 수지층의 기재 표면에의 전사(접합)은 광 경화성 수지층을 기재 표면에 포개어 가압, 가열함으로써 행해진다. 접합에는 라미네이터, 진공 라미네이터 및 보다 생산성을 높일 수 있는 오토 컷 라미네이터 등의 공지의 라미네이터를 사용할 수 있다.
<기재 상의 감광성 수지 조성물을 노광하는 공정>
본 발명의 흑색 수지막의 제조 방법은 상기 기재 상의 감광성 수지 조성물을 노광하는 공정을 포함한다.
본 발명의 흑색 수지막(가식재)을 상기 감광성 필름을 사용해서 기판 상에 적용한 경우, 상기 노광 공정은 기재 상에 전사된 상기 광 경화성 수지층을 노광하는 공정인 것이 바람직하다.
구체적으로는 상기 기재 상에 형성된 광 경화성 수지층의 상방에 소정의 마스크를 배치하고, 그 후, 그 마스크, 열 가소성 수지층 및 중간층을 통해 마스크 상방으로부터 노광하는 방법을 들 수 있다.
여기서, 상기 노광의 광원으로서는 광 경화성 수지층을 경화할 수 있는 파장 영역의 광(예를 들면, 365㎚, 405㎚ 등)을 조사할 수 있는 것이면 적당히 선정해서 사용할 수 있다. 구체적으로는 초고압 수은등, 고압 수은등, 메탈 할라이드 램프 등을 들 수 있다. 노광량으로서는 통상 5~200mJ/㎠ 정도이며, 바람직하게는 10~100mJ/㎠ 정도이다.
<현상 공정>
본 발명의 흑색 수지막의 제조 방법은 노광된 감광성 수지 조성물을 현상하는 공정을 포함한다.
상기 현상은 현상액을 사용하여 행할 수 있다. 상기 현상액으로서는 특별히 제약은 없고, 일본 특허 공개 평 5-72724호 공보에 기재된 것 등 공지의 현상액을 사용할 수 있다. 또한, 현상액은 광 경화성 수지층이 용해형의 현상 거동을 하는 것이 바람직하고, 예를 들면 pKa=7~13의 화합물을 0.05~5㏖/L의 농도로 포함하는 것이 바람직하지만 물과 혼화성을 갖는 유기용제를 소량 더 첨가해도 좋다. 물과 혼화성을 갖는 유기용제로서는 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 1-프로판올, 부탄올, 디아세톤알코올, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노-n-부틸에테르, 벤질알코올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥산온, ε-카프로락톤, γ-부티로락톤, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 헥사메틸포스포르아미드, 락트산 에틸, 락트산 메틸, ε-카프로락탐, N-메틸피롤리돈 등을 들 수 있다. 그 유기용제의 농도는 0.1질량%~30질량%가 바람직하다.
또한, 상기 현상액에는 공지의 계면활성제를 더 첨가할 수 있다. 계면활성제의 농도는 0.01질량%~10질량%가 바람직하다.
상기 현상의 방식으로서는 퍼들 현상, 샤워 현상, 샤워＆스핀 현상, 딥 현상 등 중 어느 것이어도 좋다. 여기서, 상기 샤워 현상에 대해서 설명하면 노광 후의 광 경화성 수지층에 현상액을 샤워에 의해 분무함으로써 미경화 부분을 제거할 수 있다. 또한, 열 가소성 수지층이나 중간층을 형성한 경우에는 현상 전에 광 경화성 수지층의 용해성이 낮은 알칼리성 액을 샤워 등에 의해 분무하여 열 가소성 수지층, 중간층 등을 제거해 두는 것이 바람직하다. 또한, 현상의 후에 세정제 등을 샤워에 의해 분무하고, 브러시 등으로 문지르면서 현상 잔사를 제거하는 것이 바람직하다. 현상액의 액 온도는 20℃~40℃가 바람직하고, 또한, 현상액의 pH는 8~13이 바람직하다.
<포스트 노광 공정>
본 발명의 흑색 수지막의 제조 방법은 상기 현상 공정 후에 포스트 노광을 행하는 공정을 포함한다.
본 발명의 흑색 수지막의 제조 방법은 상기 조건(A) 또는 상기 조건(B)을 만족하는 것을 특징으로 하지만, 상기 조건(A) 「상기 광 중합개시제가 α-아미노알킬페논계 화합물 또는 α-히드록시알킬페논계 화합물이다」를 만족하는 경우, 상기 포스트 노광 공정은 상기 감광성 수지 조성물의 상기 기재와 접하고 있는 측의 표면방향으로부터만 행해도, 상기 투명 기재와 접하고 있지 않은 측의 표면방향으로부터만 행해도, 양면 방향으로부터 행해도 좋다.
한편, 상기 조건(A) 「상기 광 중합개시제가 α-아미노알킬페논계 화합물 또는 α-히드록시알킬페논계 화합물이다」를 만족하는 않는 경우, 상기 포스트 노광 공정은 조건(B) 「상기 현상 공정 후의 포스트 노광을 상기 감광성 수지 조성물의 상기 기재와 접하고 있는 측의 표면방향과 상기 투명 기재와 접하고 있지 않은 측의 표면방향의 양면으로부터 행한다」를 만족시킬 필요가 있다.
본 발명의 흑색 수지막의 제조 방법에서는 상기 조건을 만족하도록 포스트 노광 공정을 행함으로써 얻어지는 흑색 수지막의 가열 후의 벌크 강도를 높일 수 있다.
본 발명의 흑색 수지막의 제조 방법은 상기 현상 공정 후의 포스트 노광의 노광량이 i선으로 1300mJ/㎠ 이상인 것이 바람직하고, 2000J/㎠ 이상인 것이 보다 바람직하다.
<그 외의 공정>
본 발명의 흑색 수지막의 제조 방법은 포스트 베이킹 공정 등 그 외의 공정을 갖고 있어도 좋다.
또한, 상기 노광 공정, 현상 공정 및 그 외의 공정의 예로서는 일본 특허 공개 2006-23696호 공보의 단락번호 [0035]~[0051]에 기재된 방법을 본 발명에 있어서도 바람직하게 사용할 수 있다.
또한, 패터닝 노광은 가지지체를 박리하고 나서 행해도 좋고, 가지지체를 박리하기 전에 노광하고, 그 후 가지지체를 박리해도 좋다. 마스크를 통한 노광이어도 좋고, 레이저 등을 사용한 디지털 노광이어도 좋다.
[정전 용량형 입력 장치와 그 제조 방법]
본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법(이하, 단지 「본 발명의 제조 방법」이라고 칭하는 경우가 있다)은 전면판과, 상기 전면판의 비접촉측에 적어도 하기 (1)~(4)의 요소를 갖고, 상기 (1)의 요소를 본 발명의 흑색 수지막의 제조 방법으로 제조하는 것을 특징으로 한다.
(1) 가식재
(2) 복수의 패드 부분이 접속 부분을 통해 제 1 방향으로 연장되어 형성된 복수의 제 1 투명 전극 패턴
(3) 상기 제 1 투명 전극 패턴과 전기적으로 절연되고, 상기 제 1 방향에 교차하는 방향으로 연장되어 형성된 복수의 패드 부분으로 이루어지는 복수의 제 2 전극 패턴
(4) 상기 제 1 투명 전극 패턴과 상기 제 2 전극 패턴을 전기적으로 절연하는 절연층
또한, 본 발명의 정전 용량형 입력 장치는 하기 (5)를 더 갖고 있어도 좋다.
(5) 상기 제 1 투명 전극 패턴 및 상기 제 2 전극 패턴 중 적어도 한쪽에 전기적으로 접속되고, 상기 제 1 투명 전극 패턴 및 상기 제 2 전극 패턴과는 다른 도전성 요소
또한, 본 발명의 정전 용량형 입력 장치는 제 2 전극 패턴이 투명 전극 패턴이어도 좋다. 또한, 본 명세서 중에 있어서 제 2 전극 패턴 대신에 제 2 투명 전극 패턴에 대해서 설명하는 경우가 있지만, 제 2 전극 패턴의 바람직한 실시형태도 제 2 투명 전극 패턴의 바람직한 실시형태와 동일하다.
<정전 용량형 입력 장치의 구성>
우선, 본 발명의 제조 방법에 의해 형성되는 본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 구성에 대해서 설명한다. 도 1은 본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 1에 있어서 정전 용량형 입력 장치(10)는 전면판(1)과, 가식재(2)와, 제 1 투명 전극 패턴(3)과, 제 2 투명 전극 패턴(4)과, 절연층(5)과, 도전성 요소(6)와, 투명 보호층(7)으로 구성되어 있다.
전면판(1)은 본 발명의 흑색 수지막의 제조 방법에 있어서의 상기 기재를 사용할 수 있다. 또한, 도 1에 있어서 전면층(1)의 각 요소가 형성되어 있는 측을 비접촉면이라고 칭한다. 본 발명의 정전 용량형 입력 장치(10)에 있어서는 전면판(1)의 접촉면(비접촉면의 반대면)에 손가락 등을 접촉 등을 시켜 입력이 행해진다. 이하, 전면판을 「기재」라고 칭하는 경우가 있다.
또한, 전면판(1)의 비접촉면 상에는 가식재(2)가 설치되어 있다. 가식재(2)는 터치패널 전면판의 비접촉측에 형성된 표시 영역 주위의 액자 형상의 패턴이며, 인회 배선 등이 보이지 않도록 하기 위해 형성된다.
본 발명의 정전 용량형 입력 장치(10)에는 도 2에 나타낸 바와 같이 전면판(1)의 일부 영역(도 2에 있어서는 입력면 이외의 영역)을 덮도록 가식재(2)가 설치되어 있다. 전면판(1)에는 도 2에 나타낸 바와 같이 일부에 개구부(8)를 설치할 수 있다. 개구부(8)에는 압박에 의한 메카니컬한 스위치를 설치할 수 있다.
전면판(1)의 접촉면에는 복수의 패드 부분이 접속 부분을 통해 제 1 방향으로 연장되어 형성된 복수의 제 1 투명 전극 패턴(3)과, 제 1 투명 전극 패턴(3)과 전기적으로 절연되고, 제 1 방향에 교차하는 방향으로 연장되어 형성된 복수의 패드 부분으로 이루어지는 복수의 제 2 투명 전극 패턴(4)과, 제 1 투명 전극 패턴(3)과 제 2 투명 전극 패턴(4)을 전기적으로 절연하는 절연층(5)이 형성되어 있다. 상기 제 1 투명 전극 패턴(3)과, 제 2 투명 전극 패턴(4)과, 후술하는 도전성 요소(6)는 예를 들면, ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투광성의 도전성 금속 산화막으로 제작할 수 있다. 이러한 금속막으로서는 ITO 막; Al, Zn, Cu, Fe, Ni, Cr, Mo 등의 금속막; SiO2 등의 금속 산화막 등을 들 수 있다. 이 때, 각 요소의 막 두께는 10~200㎚로 할 수 있다. 또한, 소성에 의해 어모퍼스의 ITO 막을 다결정의 ITO 막으로 하기 때문에 전기적 저항을 저감할 수도 있다. 또한, 상기 제 1 투명 전극 패턴(3)과, 제 2 투명 전극 패턴(4)과, 후술하는 도전성 요소(6)는 후술의 도전성 섬유를 사용한 광 경화성 수지층을 갖는 감광성 필름을 사용해서 제조할 수도 있다. 그 외, ITO 등에 의해 제 1 투명 전극 패턴 등을 형성하는 경우에는 일본 특허 제 4506785호 공보의 단락 [0014]~[0016] 등을 참고로 할 수 있다.
또한, 제 1 투명 전극 패턴(3) 및 제 2 투명 전극 패턴(4) 중 적어도 한쪽은 전면판(1)의 비접촉면 및 가식재(2)의 전면판(1)과는 반대측 면의 양쪽 영역에 걸쳐 설치할 수 있다. 도 1에 있어서는 제 2 투명 전극 패턴이 전면판(1)의 비접촉면 및 가식재(2)의 전면판(1)과는 반대측 면의 양쪽 영역에 걸쳐 설치되어 있는 도면이 나타내어져 있다. 이렇게, 일정한 두께가 필요한 가식재와 전면판 이면에 걸쳐 감광성 필름을 라미네이트하는 경우이어도 본 발명의 특정한 층 구성을 갖는 감광성 필름을 사용함으로써 진공 라미네이터 등의 고가의 설비를 사용하지 않아도 간단한 공정으로 마스크 부분 경계에 거품의 발생이 없는 라미네이트가 가능해진다.
도 3을 이용하여 제 1 투명 전극 패턴(3) 및 제 2 투명 전극 패턴(4)에 대해서 설명한다. 도 3은 본 발명에 있어서의 제 1 투명 전극 패턴 및 제 2 투명 전극 패턴의 일례를 나타내는 설명도이다. 도 3에 나타낸 바와 같이 제 1 투명 전극 패턴(3)은 패드 부분(3a)이 접속 부분(3b)을 통해 제 1 방향으로 연장되어 형성되어 있다. 또한, 제 2 투명 전극 패턴(4)은 제 1 투명 전극 패턴(3)과 절연층(5)에 의해 전기적으로 절연되어 있고, 제 1 방향에 교차하는 방향(도 3에 있어서의 제 2 방향)으로 연장되어 형성된 복수의 패드 부분으로 구성되어 있다. 여기서, 제 1 투명 전극 패턴(3)을 형성하는 경우, 상기 패드 부분(3a)과 접속 부분(3b)을 일체로 하여 제작해도 좋고, 접속 부분(3b)만을 제작하고, 패드 부분(3a)과 제 2 투명 전극 패턴(4)을 일체로 하여 제작(패터닝)해도 좋다. 패드 부분(3a)과 제 2 투명 전극 패턴(4)을 일체로 하여 제작(패터닝)하는 경우, 도 3에 나타낸 바와 같이 접속 부분(3b)의 일부와 패드 부분(3a)의 일부가 연결되고, 또한 절연층(5)에 의해 제 1 투명 전극 패턴(3)과 제 2 투명 전극 패턴(4)이 전기적으로 절연되도록 각층이 형성된다.
도 1에 있어서, 가식재(2)의 전면판(1)과는 반대측의 면측에는 도전성 요소(6)가 형성되어 있다. 도전성 요소(6)는 제 1 투명 전극 패턴(3) 및 제 2 투명 전극 패턴(4) 중 적어도 한쪽에 전기적으로 접속되고, 또한 제 1 투명 전극 패턴(3) 및 제 2 투명 전극 패턴(4)과는 다른 요소이다. 도 1에 있어서는 도전성 요소(6)가 제 2 투명 전극 패턴(4)에 접속되어 있는 도면이 나타내어져 있다.
또한, 도 1에 있어서는 각 구성 요소 모두를 덮도록 투명 보호층(7)이 설치되어 있다. 투명 보호층(7)은 각 구성 요소의 일부만을 덮도록 구성되어 있어도 좋다. 절연층(5)과 투명 보호층(7)은 동일 재료이어도 좋고, 다른 재료이어도 좋다. 절연층(5)과 투명 보호층(7)을 구성하는 재료로서는 표면 경도, 내열성이 높은 것이 바람직하고, 공지의 감광성 실록산 수지 재료, 아크릴 수지 재료 등이 사용된다.
본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법에서는 상기 (1)~(5)의 요소 중 적어도 하나를 가지지체와, 열 가소성 수지층과, 광 경화성 수지층을 이 순서로로 갖는 감광성 필름을 사용해서 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 제조 방법에 있어서는 가식재(2)와, 제 1 투명 전극 패턴(3)과, 제 2 투명 전극 패턴(4)과, 절연층(5)과, 도전성 요소(6)와, 필요에 따라 투명 보호층(7) 중 적어도 한 요소가 가지지체 상에 상기 감광성 수지 조성물을 적층한 감광성 필름을 사용해서 형성되는 것이 바람직하고, 가지지체와, 열 가소성 수지층과, 광 경화성 수지층을 이 순서로 갖는 감광성 필름을 사용해서 형성되는 것이 보다 바람직하다.
상기 가식재(2), 절연층(5) 및 투명 보호층(7)은 상기 감광성 필름을 사용해서 광 경화성 수지층을 전면판(1)에 전사함으로써 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 가식재(2)를 형성하는 경우에는 상기 광 경화성 수지층으로서 흑색 광 경화성 수지층을 갖는 상기 감광성 필름을 사용하고, 상기 전면판(1)의 표면에 상기 흑색 광 경화성 수지층을 전사함으로써 형성할 수 있다. 절연층(5)을 형성하는 경우에는 상기 광 경화성 수지층으로서 절연성의 광 경화성 수지층을 갖는 상기 감광성 필름을 사용하고, 제 1 투명 전극 패턴이 형성된 상기 전면판(1)의 표면에 상기 광 경화성 수지층을 전사함으로써 형성할 수 있다. 투명 보호층(7)을 형성하는 경우에는 상기 광 경화성 수지층으로서 투명한 광 경화성 수지층을 갖는 상기 감광성 필름을 사용하고, 각 요소가 형성된 상기 전면판(1)의 표면에 상기 광 경화성 수지층을 전사함으로써 형성할 수 있다.
상기 가식재(2) 등을 상기 감광성 필름을 사용해서 형성하면 개구부를 갖는 기판(전면판)에서도 개구 부분으로부터 레지스트 성분의 누설이 없고, 특히 전면판의 경계 끝까지 차광 패턴을 형성할 필요가 있는 가식재에서의 유리 단부로부터의 레지스트 성분의 밀려 나옴이 없기 때문에 기판 이면측을 오염시킬 일 없이 간략한 공정으로 박층/경량화의 메리트가 있는 터치패널의 제조가 가능해진다.
또한, 차광성이 필요한 가식재(2)의 형성에 광 경화성 수지층과 가지지체 사이에 열 가소성 수지층을 갖는 특정한 층 구성을 갖는 본 발명에 있어서의 감광성 필름을 사용함으로써 감광성 필름 라미네이트 시의 기포 발생을 방지하여 광 누설이 없는 고품위의 가식재(2) 등을 형성할 수 있다.
상기 제 1 투명 전극 패턴(3), 제 2 투명 전극 패턴(4) 및 도전성 요소(6)는 에칭 처리 또는 도전성 광 경화성 수지층을 갖는 감광성 필름을 사용해서 형성할 수 있다.
에칭 처리에 의해 상기 제 1 투명 전극 패턴(3), 제 2 투명 전극 패턴(4) 및 다른 도전 요소(6)를 형성하는 경우, 우선 가식재(2) 등이 형성된 전면판(1)의 비접촉면 상에 ITO 등의 투명 전극층을 스퍼터링함으로써 형성하는 것이 바람직하다. 이어서, 상기 투명 전극층 상에 상기 광 경화성 수지층으로서 에칭용 광 경화성 수지층을 갖는 상기 감광성 필름을 사용해서 노광·현상에 의해 에칭 패턴을 형성하는 것이 바람직하다. 그 후, 투명 전극층을 에칭해서 투명 전극을 패터닝하고, 에칭 패턴을 제거함으로써 제 1 투명 전극 패턴(3) 등을 형성할 수 있다.
도전성 광 경화성 수지층을 갖는 상기 감광성 필름을 사용하고, 상기 제 1 투명 전극 패턴(3), 제 2 투명 전극 패턴(4) 및 다른 도전 요소(6)를 형성하는 경우, 상기 전면판(1)의 표면에 상기 도전성 광 경화성 수지층을 전사함으로써 형성할 수 있다.
상기 제 1 투명 전극 패턴(3) 등을 상기 도전성 광 경화성 수지층을 갖는 감광성 필름을 사용해서 형성하면 개구부를 갖는 기판(전면판)에서도 개구 부분으로부터 레지스트 성분의 누설이 없고, 기판 이면측을 오염시킬 일 없이 간략한 공정으로 박층/경량화의 메리트가 있는 터치패널의 제조가 가능해진다.
또한, 제 1 투명 전극 패턴(3) 등의 형성에 도전성 광 경화성 수지층과 가지지체 사이에 열 가소성 수지층을 갖는 특정한 층 구성을 갖는 상기 감광성 필름을 사용함으로써 감광성 필름 라미네이트 시의 기포 발생을 방지하고, 도전성이 우수하여 저항이 적은 제 1 투명 전극 패턴(3), 제 2 투명 전극 패턴(4) 및 다른 도전 요소(6)를 형성할 수 있다.
본 발명의 제조 방법의 과정에서 형성되는 실시형태의 예로서 도 4~8의 실시형태를 들 수 있다. 도 4는 개구부(8)가 형성된 강화 처리 유리(11)의 일례를 나타내는 상면도이다. 도 5는 가식재(2)가 형성된 전면판의 일례를 나타내는 상면도이다. 도 6은 제 1 투명 전극 패턴(3)이 형성된 전면판의 일례를 나타내는 상면도이다. 도 7은 제 1 투명 전극 패턴(3)과 제 2 투명 전극 패턴(4)이 형성된 전면판의 일례를 나타내는 상면도이다. 도 8은 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소(6)가 형성된 전면판의 일례를 나타내는 상면도이다. 이들은 상기 설명을 구체화한 예를 나타내는 것이며, 본 발명의 범위는 이들의 도면에 의해 한정적으로 해석되는 일은 없다.
(도전성 광 경화성 수지층(도전성 섬유))
상기 도전성 광 경화성 수지층을 적층한 감광성 필름을 투명 전극 패턴 또는 다른 도전성 요소의 형성에 사용하는 경우에는 이하의 도전성 섬유 등을 광 경화성 수지층에 사용할 수 있다.
도전성 섬유의 구조로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적당히 선택할 수 있지만 중실구조 및 중공구조 중 어느 하나가 바람직하다.
여기서, 중실구조의 섬유를 「와이어」라고 칭하는 경우가 있고, 중공구조의 섬유를 「튜브」라고 칭하는 경우가 있다. 또한, 평균 단축 길이가 5㎚~1,000㎚이며, 평균 장축 길이가 1㎛~100㎛인 도전성 섬유를 「나노와이어」라고 칭하는 경우가 있다.
또한, 평균 단축 길이가 1㎚~1,000㎚, 평균 장축 길이가 0.1㎛~1,000㎛이며, 중공구조를 가지는 도전성 섬유를 「나노튜브」라고 칭하는 경우가 있다.
상기 도전성 섬유의 재료로서는 도전성을 갖고 있으면 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적당히 선택할 수 있지만, 금속 및 카본 중 적어도 어느 하나가 바람직하고, 이들 중에서도 상기 도전성 섬유는 금속 나노와이어, 금속 나노튜브 및 카본 나노튜브 중 적어도 어느 하나가 특히 바람직하다.
-금속 나노와이어-
--금속--
상기 금속 나노와이어의 재료로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면 장주기율표(IUPAC 1991)의 제 4 주기, 제 5 주기 및 제 6 주기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속이 바람직하고, 제 2 족~제 14 족으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속이 보다 바람직하고, 제 2 족, 제 8 족, 제 9 족, 제 10 족, 제 11 족, 제 12 족, 제 13 족 및 제 14 족으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속이 더욱 바람직하고, 주성분으로서 포함하는 것이 특히 바람직하다.
상기 금속으로서는 예를 들면, 구리, 은, 금, 백금, 팔라듐, 니켈, 주석, 코발트, 로듐, 이리듐, 철, 루테늄, 오스뮴, 망간, 몰리브덴, 텅스텐, 니오브, 탄탈, 티탄, 비스무트, 안티몬, 납, 이들의 합금 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 도전성이 우수한 점에서 은을 주로 함유하는 것, 또는 은과 은 이외의 금속의 합금을 함유하는 것이 바람직하다.
상기 은을 주로 함유하는 것이란 금속 나노와이어 중에 은을 50질량% 이상, 바람직하게는 90질량% 이상 함유하는 것을 의미한다.
상기 은과의 합금으로 사용하는 금속으로서는 백금, 오스뮴, 팔라듐 및 이리듐 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.
--형상--
상기 금속 나노와이어의 형상으로서는 특별히 제한은 없고, 목적에 따라 적당히 선택할 수 있고, 예를 들면 원주상, 직육면체 형상, 단면이 다각형이 되는 주상 등 임의의 형상을 취할 수 있지만, 높은 투명성이 필요로 되는 용도에서는 원주장, 단면의 다각형의 각이 둥글게 되어 있는 단면 형상이 바람직하다.
상기 금속 나노와이어의 단면 형상은 기재 상에 금속 나노와이어 수 분산액을 도포하고, 단면을 투과형 전자현미경(TEM)으로 관찰함으로써 조사할 수 있다.
도전성 광 경화성 수지층의 층 두께는 도포액의 안정성이나 도포 시의 건조나 패터닝 시의 현상 시간 등의 프로세스 적성의 관점에서 0.1~20㎛가 바람직하고, 0.5~18㎛가 더욱 바람직하고, 1~15㎛가 특히 바람직하다. 상기 도전성 광 경화성 수지층의 전체 고형분에 대한 상기 도전성 섬유의 함유량은 도전성과 도포액의 안정성의 관점에서 0.01~50질량%가 바람직하고, 0.05~30질량%가 더욱 바람직하고, 0.1~20질량%가 특히 바람직하다.
또한, 상기 감광성 필름을 사용해서 절연층을 형성하는 경우, 광 경화성 수지층의 층 두께는 절연성 유지의 관점에서 0.1~5㎛가 바람직하고, 0.3~3㎛가 더욱 바람직하고, 0.5~2㎛가 특히 바람직하다.
상기 감광성 필름을 사용해서 투명 보호층을 형성하는 경우, 광 경화성 수지층의 층 두께는 충분한 표면 보호능을 발휘시키는 관점에서 0.5~10㎛가 바람직하고, 0.8~5㎛가 더욱 바람직하고, 1~3㎛가 특히 바람직하다.
<정전 용량형 입력 장치의 제조 방법>
상술한 바와 같이 본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법은 가식재와, 제 1 투명 전극 패턴과, 제 2 투명 전극 패턴과, 절연층과, 도전성 요소와, 필요에 따라 투명 보호층 중 적어도 한 요소가 가지지체와, 열 가소성 수지층과, 광 경화성 수지층을 이 순서로 갖는 상기 감광성 필름을 사용해서 형성되는 것이 바람직하다.
상기 가식재, 절연층 및 투명 보호층이나, 도전성 광 경화성 수지층을 사용한 경우의 제 1 투명 전극 패턴, 제 2 투명 전극 패턴 및 도전성 요소 등의 영구 재를 상기 감광성 필름을 사용해서 형성하는 경우, 감광성 필름은 기재에 라미네이트된 후, 필요한 패턴 모양으로 노광되고, 네가티브형 재료의 경우는 비노광 부분, 포지티브형 재료의 경우는 노광 부분을 현상 처리해서 제거함으로써 패턴을 얻을 수 있다. 이 때, 현상은 열 가소성 수지층과 광 경화성층을 별도의 액으로 현상 제거해도 좋고, 동일한 액으로 제거해도 좋다. 필요에 따라 브러시나 고압 제트 등의 공지의 현상 설비를 조합해도 좋다. 현상 후 필요에 따라 포스트 노광, 포스트 베이킹을 행해도 좋다.
또한, 후의 전사 공정에 있어서의 라미네이트에 의한 감광성 수지층의 밀착성을 높이기 위해서 미리 기재(전면판)의 비접촉면에 표면 처리를 실시할 수 있다. 상기 표면 처리로서는 실란 화합물을 사용한 표면 처리(실란 커플링 처리)를 실시하는 것이 바람직하다. 실란 커플링제로서는 감광성 수지와 상호작용하는 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면, 실란 커플링액(N-β(아미노에틸) γ-아미노프로필트리메톡시실란 0.3질량% 수용액, 상품명: KBM 603, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 제작)을 샤워에 의해 20초간 분무하고, 순수 샤워 세정한다. 이 후, 가열에 의해 반응시킨다. 가열조를 사용해도 좋고, 라미네이터의 기판 예비 가열로도 반응을 촉진할 수 있다.
또한, 상기 감광성 필름을 리프트 오프재로서 사용하여 제 1 투명 전극 패턴, 제 2 투명 전극 패턴 및 그 외의 도전성 부재를 형성할 수도 있다. 이 경우, 상기 감광성 필름을 사용해서 패터닝한 후에 기재 전체면에 투명 도전층을 형성한 후, 퇴적된 투명 도전층마다 상기 광 경화성 수지층의 용해 제거를 행함으로써 소망의 투명 도전층 패턴을 얻을 수 있다(리프트 오프법).
(에칭 레지스트로서 상기 감광성 필름을 사용한 경우)
상기 감광성 필름을 에칭 레지스트(에칭 패턴)로서 사용하는 경우에도 상기 방법과 동일하게 하여 레지스트 패턴을 얻을 수 있다. 상기 에칭은 일본 특허 공개 2010-152155공보의 단락 [0048]~[0054] 등에 기재된 공지의 방법으로 에칭, 레지스트 박리를 적용할 수 있다.
예를 들면, 에칭의 방법으로서는 일반적으로 행해지고 있는, 에칭액에 침지하는 웨트 에칭법을 들 수 있다. 웨트 에칭에 사용되는 에칭액은 에칭의 대상에 맞춰서 산성 타입 또는 알칼리성 타입의 것을 적당히 선택하면 좋다. 산성 타입의 에칭액으로서는 염산, 황산, 불산, 인산 등의 산성 성분 단독의 수용액, 산성 성분과 염화 제 2 철, 불화 암모늄, 과망간산 칼륨 등의 염의 혼합 수용액 등이 예시된다. 산성 성분은 복수의 산성 성분을 조합한 것을 사용해도 좋다. 또한, 알칼리성 타입의 에칭액으로서는 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 암모니아, 유기 아민, 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드와 같은 유기 아민의 염 등의 알칼리 성분 단독의 수용액, 알칼리 성분과 과망간산 칼륨 등의 염의 혼합 수용액 등이 예시된다. 알칼리 성분은 복수의 알칼리 성분을 조합한 것을 사용해도 좋다.
에칭액의 온도는 특별히 한정되지 않지만, 45℃ 이하인 것이 바람직하다. 본 발명에서 에칭 마스크(에칭 패턴)로서 사용되는 수지 패턴은 상술한 광 경화성 수지층을 사용해서 형성됨으로써 이러한 온도 영역에 있어서의 산성 및 알칼리성 에칭액에 대하여 특히 우수한 내성을 발휘한다. 따라서, 에칭 공정 중에 수지 패턴이 박리되는 것이 방지되어 수지 패턴이 존재하지 않는 부분이 선택적으로 에칭된다.
상기 에칭 후, 라인 오염을 방지하기 위해 필요에 따라 세정 공정·건조 공정을 행해도 좋다. 세정 공정에 대해서는 예를 들면, 상온에서 순수에 의해 10~300초간 기재를 세정해서 행하고, 건조 공정에 대해서는 에어 블로우를 사용하고, 에어 블로우압(0.1~5㎏/㎠ 정도)을 적당히 조정해서 행하면 좋다.
이어서, 수지 패턴의 박리 방법으로서는 특별히 한정되지 않지만 예를 들면, 30~80℃, 바람직하게는 50~80℃에서 교반 중의 박리액에 기재를 5~30분간 침지하는 방법을 들 수 있다. 본 발명에서 에칭 마스크로서 사용되는 수지 패턴은 상술한 바와 같이 45℃ 이하에 있어서 우수한 약액 내성을 나타내는 것이지만 약액 온도가 50℃ 이상이 되면 알칼리성 박리액에 의해 팽윤되는 성질을 나타낸다. 이러한 성질에 의해 50~80℃의 박리액을 사용해서 박리 공정을 행하면 공정 시간이 단축되고, 수지 패턴의 박리 잔사가 적어진다는 이점이 있다. 즉, 상기 에칭 공정과 박리 공정 사이에서 약액 온도에 차를 둠으로써 본 발명에서 에칭 마스크로서 사용되는 수지 패턴은 에칭 공정에 있어서 양호한 약액 내성을 발휘하는 한편, 박리 공정에 있어서 양호한 박리성을 나타내게 되어 약액 내성과 박리성이라는 상반되는 특성을 양쪽 모두 만족할 수 있다.
박리액으로서는 예를 들면, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨 등의 무기 알칼리 성분이나, 제 3 급 아민, 제 4 급 암모늄 염 등의 유기 알칼리 성분을 물, 디메틸술폭시드, N-메틸피롤리돈, 또는 이들의 혼합 용액에 용해시킨 것을 들 수 있다. 상기 박리액을 사용하여 스프레이법, 샤워법, 퍼들법 등에 의해 박리해도 좋다.
[정전 용량형 입력 장치 및 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 화상 표시 장치]
본 발명의 제조 방법에 의해 얻어지는 정전 용량형 입력 장치 및 상기 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 화상 표시 장치는 『최신 터치패널 기술』(2009년 7월 6일 발행 Techno Times Co., Ltd.), 미타니 유지 감수, "터치패널의 기술과 개발", CMC Publishing Co., Ltd.(2004, 12), FPD International 2009 Forum T-11 강연 텍스트북, Cypress Semiconductor Corporation Application note AN2292 등에 개시되어 있는 구성을 적용할 수 있다.
(실시예)
이하, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 구체적으로 설명한다.
이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 순서 등은 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 한 적당히 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예에 의해 한정적으로 해석되어야 하는 것은 아니다. 또한, 특별히 언급되지 않는 한,「%」 및 「부」는 질량 기준이다.
[실시예 1]
《흑색 수지막(가식재)의 형성》
<가식재 형성용 감광성 필름 1의 조제>
두께 75㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 가지지체 상에 슬릿 형상 노즐을 사용하여 하기 처방 H1로 이루어지는 열 가소성 수지층용 도포액을 도포, 건조시켰다. 이어서, 하기 처방 P1로 이루어지는 중간층용 도포액을 도포, 건조시켰다. 하기 처방 K1로 이루어지는 가식재용 블랙 레지스트를 더 도포, 건조시켰다. 이렇게 하여 가지지체 상에 건조 막 두께가 15.1㎛인 열 가소성 수지층과, 건조 막 두께가 1.6㎛인 중간층과, 광학 농도가 3.35가 되도록 건조 막 두께가 2.0㎛인 가식재용 블랙 레지스트를 형성하고, 최후에 보호 필름(두께 12㎛ 폴리프로필렌 필름)을 압착했다. 이렇게 해서 가지지체와, 열 가소성 수지층과, 중간층(산소 차단 막)과, 가식재용 블랙 레지스트가 일체가 된 전사 재료를 제작하고, 샘플명을 가식재 형성용 감광성 필름 1로 했다.
(열 가소성 수지층용 도포액: 처방 H1)
·메탄올 : 11.1질량부
·프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 : 6.36질량부
·메틸에틸케톤 : 52.4질량부
·메틸메타크릴레이트/2-에틸헥실아크릴레이트/벤질메타크릴레이트/메타크릴산 공중합체(공중합 조성비(몰비)=55/11.7/4.5/28.8, 분자량=10만, Tg≒70℃)
: 5.83질량부
·스티렌/아크릴산 공중합체(공중합 조성비(몰비)=63/37, 중량 평균 분자량=1만, Tg≒100℃) : 13.6질량부
·모노머 1(상품명: BPE-500, SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO., LTD. 제작)
: 9.1질량부
·불소계 폴리머 : 0.54질량부
상기 불소계 폴리머는 C6F13CH2CH2OCOCH=CH2 40부와, H(OCH(CH3)CH2) 7OCOCH=CH2 55부와, H(OCHCH2)7OCOCH=CH2 5부의 공중합체로 중량 평균 분자량 3만, 메틸에틸케톤 30질량% 용액이다(상품명: Megafac F780F, DIC Corporation 제작)
또한, 열 가소성 수지층용 도포액 H1의 용제 제거 후의 120℃의 점도는 1500Pa·sec이었다.
(중간층용 도포액: 처방 P1)
·폴리비닐알코올 : 32.2질량부
(상품명: PVA205, KURARAY CO., LTD. 제작, 비누화도=88%, 중합도 550)
·폴리비닐피롤리돈 : 14.9질량부
(상품명: K-30, ISP Japan Co., Ltd. 제작)
·증류수 : 524질량부
·메탄올 : 429질량부
(가식재용 블랙 레지스트의 조성: 처방 K1)
·K 안료 분산물 1(하기 조성) 204.2부
·R 안료 분산물 1(하기 조성) 62.36부
·MMPGAc(Daicel Chemical Industries, Ltd. 제작) 159.1부
·메틸에틸케톤(Tonen Chemical Corporation 제작) 351.3부
·시클로헥산온 87.90부
·바인더 2(벤질메타크릴레이트/메타크릴산=78/22몰비의 랜덤 공중합체, 중량 평균 분자량 3.8만) 86.83부
·DPHA(디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, Nippon Kayaku Co., Ltd. 제작)의 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 용액(76질량%) 45.24부
·광 중합개시제 1(하기 구조) 2.578부
·페노티아진(Tokyo Chemical Industry Co., Ltd. 제작) 0.04744부
·계면활성제(상품명: Megafac F780, Dainippon Ink And Chemicals, Inc. 제작) 0.4840부
또한, 가식재용 블랙 레지스트 K1의 용제 제거 후의 100℃의 점도는 10000Pa·sec이었다.
Figure pct00001
(K 안료 분산물 1의 조성)
·카본블랙(상품명: Nipex 35, Degussa AG 제작) :13.1질량%
·하기 분산제 1 :0.65질량%
·바인더 1(벤질메타크릴레이트/메타크릴산 =72/28몰비의 랜덤 공중합물, 중량 평균 분자량 3.7만) :6.72질량%
·프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 :79.53질량%
Figure pct00002
-R 안료 분산물 1의 조성-
·안료(C. I. 피그먼트 레드 177) :18질량%
·바인더 1(벤질메타크릴레이트/메타크릴산 =72/28몰비의 랜덤 공중합물, 중량 평균 분자량 3.7만) :12질량%
·프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 :70질량%
<흑색 수지막(가식재)의 형성>
이어서, 개구부(15㎜Φ)가 형성된 강화 처리 유리(300㎜×400㎜×0.7㎜)에 25℃로 조정한 유리 세정제액을 샤워에 의해 20초간 분무하면서 나일론모를 갖는 회전 브러시로 세정하고, 순수 샤워 세정 후, 실란 커플링액(N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란 0.3질량% 수용액, 상품명: KBM603, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 제작)을 샤워에 의해 20초간 분무하고, 순수 샤워 세정했다. 이 기재를 기재 예비 가열 장치에서 140℃ 2분간 가열했다. 얻어진 실란 커플링 처리 유리 기재에 상술로부터 얻어진 가식재 형성용 감광성 필름 1로부터 커버 필름을 제거하고, 제거 후에 노출된 가식재용 블랙 레지스트의 표면과 상기 실란 커플링 처리 유리 기재의 표면이 접하도록 포개고, 라미네이터(Hitachi Industries Co., Ltd. 제작(Lamic II형))를 사용하고, 상기 140℃에서 가열한 기재에 고무 롤러 온도 130℃, 선압 100N/㎝, 반송 속도 2.2m/분으로 라미네이트했다. 계속해서 폴리에틸렌테레프탈레이트의 가지지체를 열 가소성 수지층과의 계면에서 박리하여 가지지체를 제거했다. 가지지체를 박리 후, 초고압 수은등을 갖는 프록시미티형 노광기(Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co., Ltd. 제작)에서 기재와 노광 마스크(액자 패턴을 갖는 석영 노광 마스크)를 수직으로 세운 상태로 노광 마스크 면과 그 가식재용 블랙 레지스트 사이의 거리를 200㎛로 설정하고, 노광량 70mJ/㎠(i선)으로 패턴 노광했다.
이어서, 트리에탄올아민계 현상액(트리에탄올아민 30질량% 함유, 상품명: T-PD2(FUJIFILM Corporation 제작)를 순수로 10배로 희석한 액)를 33℃에서 60초간 플랫 노즐 압력 0.1㎫로 샤워 현상하여 열 가소성 수지층과 중간층을 제거했다. 계속해서, 이 유리 기재의 상면에 에어를 블로잉하여 액체 제거한 후, 순수를 샤워에 의해 10초간 분무하고, 순수 샤워 세정하고, 에어를 블로잉하여 기재 상의 액 축적을 줄였다
그 후, 탄산 나트륨/탄산 수소 나트륨계 현상액(상품명: T-CD1(FUJIFILM Corporation 제작)을 순수로 5배로 희석한 액)을 사용하여 32℃에서 샤워압을 0.1㎫로 설정하여 45초 현상하고, 순수로 세정했다.
계속해서, 계면활성제 함유 세정액(상품명: T-SD3(FUJIFILM Corporation 제작)을 순수로 10배로 희석한 액)을 사용해서 33℃에서 20초간 콘형 노즐 압력 0.1㎫으로 샤워로 블로잉하여 더 부드러운 나일론모를 갖는 회전 브러시에 의해 형성된 패턴 상을 문질러 잔사 제거를 행했다. 또한, 초고압 세장 노즐로 9.8㎫의 압력으로 초순수를 분사해서 잔사 제거를 행한다.
이어서 대기 하에서 노광량 1300mJ/㎠으로 가식재용 블랙 레지스트의 표면측과 가식재용 블랙 레지스트의 이면측에 접하는 기판측의 양면으로부터 포스트 노광을 행하고, 240℃ 80분간 포스트 베이킹 처리를 더 행하여 광학 농도 3.35, 막 두께 1.8㎛의 흑색 수지막(가식재)이 실란 커플링 처리 유리 기재 상에 형성된 전면판을 얻었다. 얻어진 흑색 수지막(가식재)을 실시예 1의 흑색 수지막(가식재)으로 했다.
<흑색 수지막(가식재)의 열 중량 감소율의 평가>
실시예 1의 흑색 수지막을 실란 커플링 처리 유리 기재로부터 면도칼 등에 의해 실란 커플링 처리 유리 기판으로부터 깎아내어 분말 상의 샘플로 했다. 얻어진 분말상 샘플은 약 6㎎을 TGA(TG-DTA 6200 Seiko Instruments Inc. 제작)에 의해 300℃, 30분 가열 후의 중량 감소율을 측정했다.
(흑색 수지막(가식재)의 가열 후의 벌크 강도의 측정)
제작한 흑색 수지막(가식재)의 막 강도는 세바스찬법에 의해 측정을 행했다.
구체적으로는 제작한 흑색 수지막(가식재)이 형성된 전면판의 흑색 수지막의 표면에 저면의 직경 1.6㎜의 알루미늄제 핀을 에폭시계 접착제에 의해 부착했다. 여기서, 에폭시계 접착제 부착 알루미늄제 핀(알루미늄제 접착제 부착 스태트 핀 2.7㎜, 형번 901106, QUAD사 제작)을 사용했다.
또한, 도 9에 있어서의 흑색 수지막과 알루미늄제 핀의 접착 부분(33)은 알루미늄제 핀(31)의 저면의 직경과 마찬가지로 직경 1.6㎜이었다.
에폭시계 접착제가 경화한 후, 알루미늄제 핀을 흑색 수지막에 대하여 수직방향으로 인장하여 알루미늄제 핀이 박리될 때의 최대 하중을 측정했다.
얻어진 결과를 하기 표 1에 기재했다.
(흑색 수지막(가식재)의 막 두께의 측정, 테이퍼 각의 평가)
얻어진 흑색 수지막(가식재)의 단면을 SEM을 사용하여 경사각 0°의 바로 옆에서 촬영했다. 얻어진 흑색 수지막(가식재)의 단면 사진으로부터 흑색 수지막(가식재)의 테이퍼 각을 구하기 위해 이하의 순서 및 도 10에 따라 작도했다.
(순서 1) 얻어진 흑색 수지막(가식재)의 단면 사진에 흑색 수지막의 측면의 윤곽(21C)을 그었다.
(순서 2) 흑색 수지막이 형성되는 윤곽 가운데 흑색 수지막의 상단면 중 흑색 수지막의 저면과 대략 평행한 부분(21B)을 결정하여 그 연장선(lB)을 그었다.
(순서 3) 흑색 수지막의 상단면 중 흑색 수지막의 저면과 대략 평행한 부분(21B)의 임의인 점 B로부터 직선(lB)의 수선을 흑색 수지막의 저면(기재 표면)을 직선(lA)을 향해 긋고, 그 직선(lA)과의 교점을 A로 했다. 이 수선 중 선분 AB의 길이를 측정하고, 직선(lA)과 직선(lB) 사이의 거리 h를 구했다. 이것을 흑색 수지막의 막 두께(h)로서 하기 표 1에 기재했다.
(순서 4) 막 두께(h)를 4등분하고, 흑색 수지막의 저면으로부터 순서대로 직선(lA)에 평행한 직선(l1, l2 및 l3)을 그었다.
(순서 5) 색 수지막의 측면의 윤곽(21C)과 직선(l1, l2 및 l3) 각각의 교점을 C1, C2 및 C3으로 하고, C1 및 C2를 잇는 직선(l12)과, C2 및 C3을 잇는 직선(l23)을 그었다.
이상의 순서에 따라 실시예 1의 흑색 수지막에 대해서 테이퍼 각을 구하기 위한 작도를 한 결과를 도 11에 나타냈다. 도 11로부터 하기 식(1) 및 (2)에 따라 직선(l12)과 흑색 수지막의 저면의 연장선(lA)이 이루는 각 중 90°이하의 각(θ1)과, 직선(l23)과 흑색 수지막의 흑색 수지막의 상단면 중 흑색 수지막의 저면과 거의 평행한 부분의 연장선의 연장선(lB)이 이루는 각 중 90°이하의 각(θ2)을 구했다.
식(1)
θ1≤40°
[θ1은 흑색 수지막의 측면과 흑색 수지막의 높이를 4등분했을 때에 흑색 수지막의 기재측 표면으로부터 1/4 높이의 직선의 교점(C1) 및 흑색 수지막의 측면과 흑색 수지막의 높이를 4등분했을 때에 흑색 수지막의 기재측 표면으로부터 2/4 높이의 직선의 교점(C2)을 지나는 직선(l12)과, 흑색 수지막의 저면의 연장선(lA)이 이루는 각 중 90°이하의 각을 나타낸다]
식(2)
θ2≤40°
[θ2는 흑색 수지막의 측면과 흑색 수지막의 높이를 4등분했을 때에 흑색 수지막의 기재측 표면으로부터 2/4 높이의 직선의 교점(C2) 및 흑색 수지막의 측면과 흑색 수지막의 높이를 4등분했을 때에 흑색 수지막의 기재측 표면으로부터 3/4 높이의 직선의 교점(C3)을 지나는 직선(l23)과, 흑색 수지막의 흑색 수지막의 상단면 중 흑색 수지막의 저면과 거의 평행한 부분의 연장선의 연장선(lB)이 이루는 각 중 90°이하의 각을 나타낸다]
얻어진 θ1 및 θ2로부터 이하의 기준에 따라 테이퍼 각을 평가했다.
○: θ1 및 θ2 중 큰 각이 35°이하.
△: θ1 및 θ2 중 큰 각이 35°를 초과하고 40°이하.
×: θ1 및 θ2 중 큰 각이 40°를 초과한다.
얻어진 평가 결과를 하기 표 1에 기재했다.
《제 1 투명 전극 패턴의 형성》
<투명 전극층의 형성>
가식재가 형성된 전면판을 진공 챔버 내에 도입하고, SnO2 함유율이 10질량%인 ITO 타겟(인듐:주석=95:5(몰비))을 사용하고, DC 마그네트론 스퍼터링(조건: 기재의 온도 250℃, 아르곤압 0.13Pa, 산소압 0.01Pa)에 의해 두께 40㎚의 ITO 박막을 형성하고, 가식재 상에 투명 전극층을 형성한 전면판을 얻었다. ITO 박막의 표면 저항은 80Ω/□이었다.
<에칭용 감광성 필름 E1의 조제>
상기 가식재 형성용 감광성 필름 1의 조제에 있어서 가식재용 블랙 레지스트 K1을 하기 처방 E1로 이루어지는 에칭용 광 경화성 수지층용 도포액으로 대신한 이외는 가식재 형성용 감광성 필름 1의 조제와 동일하게 하여 에칭용 감광성 필름 E1을 얻었다(에칭용 광 경화성 수지층의 막 두께는 2.0㎛이었다).
(에칭용 광 경화성 수지층용 도포액: 처방 E1)
·메틸메타크릴레이트/스티렌/메타크릴산 공중합체(공중합체 조성(질량%): 31/40/29, 질량 평균 분자량 60000, 산가 163㎎KOH/g) :16질량부
·모노머 1(상품명: BPE-500, SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO., LTD. 제작)
:5.6질량부
·헥사메틸렌디이소시아네이트의 테트라에틸렌옥시드모노메타크릴레이트 0.5몰 부가물 :7질량부
·분자 중에 중합성 기를 1개 갖는 화합물로서의 시클로헥산디메탄올모노아크릴레이트 :2.8질량부
·2-클로로-N-부틸아크리돈 :0.42질량부
·2,2-비스(o-클로로페닐)-4,4',5,5'-테트라페닐비이미다졸 :2.17질량부
·말라카이트 그린 옥살산 염 :0.02질량부
·로이코 크리스탈 바이올렛 :0.26질량부
·페노티아진 :0.013질량부
·계면활성제(상품명: Megafac F-780F, Dainippon Ink And Chemicals, Inc. 제작)
:0.03질량부
·메틸에틸케톤 :40질량부
·1-메톡시-2-프로판올 :20질량부
또한, 에칭용 광 경화성 수지층용 도포액 E1의 용제 제거 후의 100℃의 점도는 2500Pa·sec이었다.
<제 1 투명 전극 패턴의 형성>
가식재의 형성과 동일하게 하여 투명 전극층을 형성한 전면판을 세정하고, 커버 필름을 제거한 에칭용 감광성 필름 E1을 라미네이트했다(기재 온도: 130℃, 고무 롤러 온도 120℃, 선압 100N/㎝, 반송 속도 2.2m/분). 가지지체를 박리 후, 노광 마스크(투명 전극 패턴을 갖는 석영 노광 마스크)면과 그 에칭용 광 경화성 수지층 사이의 거리를 200㎛로 설정하여 노광량 50mJ/㎠(i선)으로 패턴 노광했다.
이어서, 트리에탄올아민계 현상액(트리에탄올아민 30질량% 함유, 상품명: T-PD2(FUJIFILM Corporation 제작)를 순수로 10배로 희석한 액)을 25℃에서 100초간, 계면활성제 함유 세정액(상품명:T-SD3(FUJIFILM Corporation제)을 순수로 10배에 희석한 액)을 사용하여 33℃에서 20초간 처리하고, 회전 브러시, 초고압 세정 노즐로 잔사 제거를 행하고, 130℃ 30분간의 포스트 베이킹 처리를 더 행하여 투명 전극층과 에칭용 광 경화성 수지층 패턴을 형성한 전면판을 얻었다.
투명 전극층과 에칭용 광 경화성 수지층 패턴을 형성한 전면판을 ITO 에천트(염산, 염화 칼륨 수용액. 액 온도 30℃)를 넣은 에칭조에 침지하여 100초 처리하고, 에칭용 광 경화성 수지층으로 덮어져 있지 않은 노출된 영역의 투명 전극층을 용해 제거하여 에칭용 광 경화성 수지층 패턴이 부착된 투명 전극층 패턴 부착 전면판을 얻었다.
이어서, 에칭용 광 경화성 수지층 패턴이 부착된 투명 전극층 패턴 부착 전면판을 레지스트 박리액(N-메틸-2-피롤리돈, 모노에탄올아민, 계면활성제(상품명: Surfynol 465, Air Products 제작) 액 온도 45℃)를 넣은 레지스트 박리조에 침지하여 200초 처리하고, 에칭용 광 경화성 수지층을 제거하여 가식재와 제 1 투명 전극 패턴을 형성한 전면판을 얻었다.
《절연층의 형성》
<절연층 형성용 감광성 필름 W1의 조제>
가식재 형성용 감광성 필름 1의 조제에 있어서 가식재용 블랙 레지스트 K1을 하기 처방 W1로 이루어지는 절연층용 광 경화성 수지층용 도포액으로 대신한 이외는 가식재 형성용 감광성 필름 1의 조제와 동일하게 하여 절연층 형성용 감광성 필름 W1을 얻었다(절연층용 광 경화성 수지층의 막 두께는 1.4㎛).
(절연층 형성용 도포액: 처방 W1)
·바인더 3(시클로헥실메타크릴레이트(a)/메틸메타크릴레이트(b)/메타크릴산 공중합체(c)의 글리시딜메타크릴레이트 부가물(d)(조성(질량%): a/b/c/d=46/1/10/43, 질량 평균 분자량: 36000, 산가 66㎎KOH/g)의 1-메톡시-2-프로판올, 메틸에틸케톤 용액(고형분: 45%))
:12.5질량부
·DPHA(디펜타에리스리톨헥사아크릴레이트, Nippon Kayaku Co., Ltd. 제작)의 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 용액(76질량%)
:1.4질량부
·우레탄계 모노머(상품명: NK Oligo UA-32P, SHIN-NAKAMURA CHEMICAL CO., LTD. 제작: 불휘발분 75%, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트: 25%) :0.68질량부
·트리펜타에리스리톨옥타아크릴레이트(상품명: V#802, OSAKA ORGANIC CHEMICAL INDUSTRY LTD. 제작) :1.8질량부
·디에틸티옥산톤 :0.17질량부
·2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부탄온(상품명: Irgacure 379, BASF 제작) :0.17질량부
·분산제(상품명: Solsperse 20000, Avecia 제작) :0.19질량부
·계면활성제(상품명:Megafac F-780F, DIC Corporation 제작)
:0.05질량부
·메틸에틸케톤 :23.3질량부
·MMPGAc(Daicel Chemical Industries, Ltd. 제작) :59.8질량부
또한, 절연층 형성용 도포액 W1의 용제 제거 후의 100℃의 점도는 4000Pa·sec이었다.
가식재의 형성과 동일하게 하여 상기 제 1 투명 전극 패턴 부착 전면판을 세정, 실란 커플링 처리하고, 커버 필름을 제거한 절연층 형성용 감광성 필름 W1을 라미네이트했다(기재 온도: 100℃, 고무 롤러 온도 120℃, 선압 100N/㎝, 반송 속도 2.3m/분). 가지지체를 박리 후, 노광 마스크(절연층용 패턴을 갖는 석영 노광 마스크)면과 그 에칭용 광 경화성 수지층 사이의 거리를 100㎛로 설정하고, 노광량 30mJ/㎠(i선)으로 패턴 노광했다.
이어서, 트리에탄올아민계 현상액(트리에탄올아민 30질량% 함유, 상품명: T-PD2(FUJIFILM Corporation 제작)을 순수로 10배로 희석한 액)을 33℃에서 60초간, 탄산 나트륨/탄산 수소 나트륨계 현상액(상품명: T-CD1(FUJIFILM Corporation 제작)을 순수로 5배로 희석한 액)을 25℃에서 50초간, 계면활성제 함유 세정액(상품명: T-SD3(FUJIFILM Corporation 제작)을 순수로 10배로 희석한 액)을 사용하여 33℃에서 20초간 처리하고, 회전 브러시, 초고압 세정 노즐로 잔사 제거를 행하고, 230℃ 60분간 포스트 베이킹 처리를 더 행하여 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴을 형성한 전면판을 얻었다.
《제 2 투명 전극 패턴의 형성》
<투명 전극층의 형성>
상기 제 1 투명 전극 패턴의 형성과 동일하게 하여 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴을 형성한 전면판을 DC 마그네트론 스퍼터링 처리하고(조건: 기재의 온도 50℃, 아르곤압 0.13Pa, 산소압 0.01Pa), 두께 80㎚의 ITO 박막을 형성하여 투명 전극층을 형성한 전면판을 얻었다. ITO 박막의 표면 저항은 110Ω/□이었다.
제 1 투명 전극 패턴의 형성의 형성과 동일하게 하여 에칭용 감광성 필름 E1을 사용하고, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 투명 전극층, 에칭용 광 경화성 수지층 패턴을 형성한 전면판을 얻었다(포스트 베이킹 처리; 130℃ 30분간).
제 1 투명 전극 패턴의 형성의 형성과 동일하게 하여 에칭하고(30℃ 50초간), 에칭용 광 경화성 수지층을 제거(45℃ 200초간)함으로써 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴을 형성한 전면판을 얻었다.
《제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소의 형성》
상기 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴의 형성과 동일하게 하여 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴을 형성한 전면판을 DC 마그네트론 스퍼터링 처리하여 두께 200㎚의 알루미늄(Al) 박막을 형성한 전면판을 얻었다.
상기 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴의 형성과 동일하게 하여 에칭용 감광성 필름 E1을 사용하여 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 에칭용 광 경화성 수지층 패턴을 형성한 전면판을 얻었다(포스트 베이킹 처리; 130℃ 30분간).
제 1 투명 전극 패턴의 형성의 형성과 동일하게 하여 에칭하고(30℃ 50초간), 에칭용 광 경화성 수지층을 제거(45℃ 200초간)함으로써 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소를 형성한 전면판을 얻었다.
《투명 보호층의 형성》
절연층의 형성과 동일하게 하여 상기 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소까지 형성한 전면판에 커버 필름을 제거한 절연층 형성용 감광성 필름 W1을 라미네이트하고, 가지지체를 박리 후, 노광 마스크를 통하지 않고 노광량 50mJ/㎠(i선)으로 전면 노광하고, 현상, 포스트 노광(1000mJ/㎠), 포스트 베이킹 처리를 행하여 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소 모두를 덮도록 절연층(투명 보호층)을 적층한 전면판(1)을 얻었다.
《화상 표시 장치(터치패널)의 제작》
일본 특허 공개 2009-47936 공보에 기재된 방법으로 제조한 액정 표시 소자에 앞서 제조한 전면판(1)을 접합하고, 공지의 방법으로 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 화상 표시 장치 1을 제작했다.
《전면판(1) 및 화상 표시 장치 1의 평가》
상술한 각 공정에 있어서 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소를 형성한 전면판(1)은 개구부 및 이면에 오염이 없어 세정이 용이하고, 또한 다른 부재의 오염의 문제가 없었다.
또한, 가식재에는 핀홀이 없어 광 차폐성이 우수했다.
그리고, 제 1 투명 전극 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 및 이들과는 다른 도전성 요소의 각각의 도전성에는 문제가 없고, 한편 제 1 투명 전극 패턴과 제 2 투명 전극 패턴 사이에서는 절연성을 갖고 있었다.
또한, 투명 보호층에도 기포 등의 결함이 없고, 표시 특성이 우수한 화상 표시 장치가 얻어졌다.
[비교예 1]
《흑색 수지막(가식재)의 제작》
실시예 1과 동일하게 해서 형성한 가식재 형성용 감광성 필름 1을 사용하고, 포스트 노광을 가식재용 블랙 레지스트의 표면측으로부터만 행한 이외는 실시예 1과 동일하게 해서 광학 농도 3.35, 막 두께 1.8㎛의 흑색 수지막(가식재)이 실란 커플링 처리 유리 기재 상에 형성된 전면판을 얻었다. 얻어진 흑색 수지막(가식재)을 비교예 1의 흑색 수지막(가식재)으로 했다.
얻어진 비교예 1의 흑색 수지막(가식재)에 대해서 실시예 1과 마찬가지로 평가를 행한 결과를 하기 표 1에 기재했다.
《화상 표시 장치(터치패널)의 제작》
상기에서 제조한 비교예 1의 흑색 수지막(가식재)이 실란 커플링 처리 유리 기재 상에 형성된 전면판을 사용한 이외는 실시예 1과 동일하게 해서 비교예 1의 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소 모두를 덮도록 절연층(투명 보호층)을 적층한 전면판 C1을 얻었다.
일본 특허 공개 2009-47936 공보에 기재된 방법으로 제조한 액정 표시 소자에 앞서 제조한 전면판 C1을 접합하고, 공지의 방법으로 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 비교예 1의 화상 표시 장치 C1을 제작했다.
《전면판 및 화상 표시 장치 C1의 평가》
상술의 각 공정에 있어서 비교예 1의 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소를 형성한 전면판(1)은 개구부 및 이면에 오염이 없어 세정이 용이하고, 또한 다른 부재의 오염의 문제가 없었다.
또한, 비교예 1의 가식재에는 핀홀이 없어 광 차폐성이 우수했다.
그리고, 제 1 투명 전극 패턴, 제 2 투명 전극 패턴 및 이들과는 다른 도전성 요소의 각각의 도전성에는 문제가 없고, 한편 제 1 투명 전극 패턴과 제 2 투명 전극 패턴 사이에서는 절연성을 갖고 있었다.
또한, 투명 보호층에도 기포 등의 결함이 없고, 표시 특성이 우수한 화상 표시 장치가 얻어졌다.
[비교예 2]
《흑색 수지막(가식재)의 제작》
실시예 1과 동일하게 해서 형성한 가식재 형성용 감광성 필름 1을 사용하고, 포스트 노광을 가식재용 블랙 레지스트의 이면측에 접하는 기판측으로부터만 행한 이외는 실시예 1과 동일하게 해서 광학 농도 3.35, 막 두께 1.8㎛의 흑색 수지막(가식재)이 실란 커플링 처리 유리 기재 상에 형성된 전면판을 얻었다. 얻어진 흑색 수지막(가식재)을 비교예 2의 흑색 수지막(가식재)으로 했다.
얻어진 비교예 2의 흑색 수지막(가식재)에 대해서 실시예 1과 마찬가지로 평가를 행한 결과를 하기 표 1에 기재했다.
《화상 표시 장치(터치패널)의 제작》
상기에서 제조한 비교예 2의 흑색 수지막(가식재)이 실란 커플링 처리 유리 기재 상에 형성된 전면판을 사용한 이외는 실시예 1과 동일하게 해서 비교예 2의 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소 모두를 덮도록 절연층(투명 보호층)을 적층한 전면판 C2를 얻었다.
일본 특허 공개 2009-47936 공보에 기재된 방법으로 제조한 액정 표시 소자에 앞서 제조한 전면판 C2를 접합하고, 공지의 방법으로 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 비교예 2의 화상 표시 장치 C2를 제작했다.
《전면판 및 화상 표시 장치 C2의 평가》
상술의 각 공정에 있어서 비교예 2의 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소를 형성한 전면판(1)은 개구부 및 이면에 오염이 없어 세정이 용이하고, 또한 다른 부재의 오염의 문제가 없었다.
또한, 비교예 2의 가식재에는 핀홀이 없어 광 차폐성이 우수했다.
그리고, 제 1 투명 전극 패턴, 제 2 투명 전극 패턴 및 이들과는 다른 도전성 요소의 각각의 도전성에는 문제가 없고, 한편 제 1 투명 전극 패턴과 제 2 투명 전극 패턴 사이에서는 절연성을 갖고 있었다.
또한, 투명 보호층에도 기포 등의 결함이 없고, 표시 특성이 우수한 화상 표시 장치가 얻어졌다.
[비교예 3]
《흑색 수지막(가식재)의 제작》
실시예 1과 동일하게 해서 형성한 가식재 형성용 감광성 필름 1을 사용하고, 포스트 노광을 행하지 않은 이외는 실시예 1과 동일하게 해서 광학 농도 3.35, 막 두께 1.8㎛의 흑색 수지막(가식재)이 실란 커플링 처리 유리 기재 상에 형성된 전면판을 얻었다. 얻어진 흑색 수지막(가식재)을 비교예 3의 흑색 수지막(가식재)으로 했다.
얻어진 비교예 3의 흑색 수지막(가식재)에 대해서 실시예 1과 마찬가지로 평가를 행한 결과를 하기 표 1에 기재했다.
《화상 표시 장치(터치패널)의 제작》
상기에서 제조한 비교예 3의 흑색 수지막(가식재)이 실란 커플링 처리 유리 기재 상에 형성된 전면판을 사용한 이외는 실시예 1과 동일하게 해서 비교예 3의 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소 모두를 덮도록 절연층(투명 보호층)을 적층한 전면판 C3을 얻었다.
일본 특허 공개 2009-47936 공보에 기재된 방법으로 제조한 액정 표시 소자에 앞서 제조한 전면판 C3을 접합하고, 공지의 방법으로 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 비교예 3의 화상 표시 장치 C3을 제작했다.
《전면판 및 화상 표시 장치 C3의 평가》
상술의 각 공정에 있어서 비교예 3의 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소를 형성한 전면판(1)은 개구부 및 이면에 오염이 없어 세정이 용이하고, 또한 다른 부재의 오염의 문제가 없었다.
또한, 비교예 3의 가식재에는 핀홀이 없어 광 차폐성이 우수했다.
그리고, 제 1 투명 전극 패턴, 제 2 투명 전극 패턴 및 이들과는 다른 도전성 요소 각각의 도전성에는 문제가 없고, 한편 제 1 투명 전극 패턴과 제 2 투명 전극 패턴 사이에서는 절연성을 갖고 있었다.
또한, 투명 보호층에도 기포 등의 결함이 없고, 표시 특성이 우수한 화상 표시 장치가 얻어졌다.
[실시예 2]
《흑색 수지막(가식재)의 제작》
<가식재 형성용 감광성 필름 2의 조제>
가식재 형성용 감광성 필름 1의 조제에 있어서 가식재용 블랙 레지스트 K1의 처방의 광 중합개시제 1을 하기 광 중합개시제 2로 변경한 이외는 동일한 처방인 가식재용 블랙 레지스트 K2로 대신한 이외는 가식재 형성용 감광성 필름 1의 조제와 동일하게 하여 가식재 형성용 감광성 필름 2를 얻었다.
Figure pct00003
<흑색 수지막(가식재)의 형성>
가식재 형성용 감광성 필름 2를 사용한 이외는 실시예 1과 동일하게 해서 광학 농도 3.35, 막 두께 1.8㎛의 흑색 수지막(가식재)이 실란 커플링 처리 유리 기재 상에 형성된 전면판을 얻었다. 얻어진 흑색 수지막(가식재)을 실시예 2의 흑색 수지막(가식재)으로 했다.
얻어진 실시예 2의 흑색 수지막(가식재)에 대해서 실시예 1과 마찬가지로 평가를 행한 결과를 하기 표 1에 기재했다.
《화상 표시 장치(터치패널)의 제작》
상기에서 제조한 실시예 2의 흑색 수지막(가식재)이 실란 커플링 처리 유리 기재 상에 형성된 전면판을 사용한 이외는 실시예 1과 동일하게 하여 실시예 2의 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소 모두를 덮도록 절연층(투명 보호층)을 적층한 전면판 2를 얻었다.
일본 특허 공개 2009-47936 공보에 기재된 방법으로 제조한 액정 표시 소자에 앞서 제조한 전면판 2를 접합하고, 공지의 방법으로 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 실시예 2의 화상 표시 장치 2를 제작했다.
《전면판 및 화상 표시 장치 2의 평가》
상술의 각 공정에 있어서 실시예 2의 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소를 형성한 전면판(1)은 개구부 및 이면에 오염이 없어 세정이 용이하고, 또한 다른 부재의 오염의 문제가 없었다.
또한, 실시예 2의 가식재에는 핀홀이 없어 광 차폐성이 우수했다.
그리고, 제 1 투명 전극 패턴, 제 2 투명 전극 패턴 및 이들과는 다른 도전성 요소 각각의 도전성에는 문제가 없고, 한편 제 1 투명 전극 패턴과 제 2 투명 전극 패턴 사이에서는 절연성을 갖고 있었다.
또한, 투명 보호층에도 기포 등의 결함이 없고, 표시 특성이 우수한 화상 표시 장치가 얻어졌다.
[실시예 3]
실시예 2와 동일하게 해서 형성한 가식재 형성용 감광성 필름 2를 사용하고, 포스트 노광을 가식재용 블랙 레지스트의 표면측으로부터만 행한 이외는 실시예 2와 동일하게 해서 광학 농도 3.35, 막 두께 1.8㎛의 흑색 수지막(가식재)이 실란 커플링 처리 유리 기재 상에 형성된 전면판을 얻었다. 얻어진 흑색 수지막(가식재)을 실시예 3의 흑색 수지막(가식재)으로 했다.
얻어진 실시예 3의 흑색 수지막(가식재)에 대해서 실시예 1과 마찬가지로 평가를 행한 결과를 하기 표 1에 기재했다.
《화상 표시 장치(터치패널)의 제작》
상기에서 제조한 실시예 3의 흑색 수지막(가식재)이 실란 커플링 처리 유리 기재 상에 형성된 전면판을 사용한 이외는 실시예 1과 동일하게 해서 실시예 3의 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소 모두를 덮도록 절연층(투명 보호층)을 적층한 전면판 3을 얻었다.
일본 특허 공개 2009-47936 공보에 기재된 방법으로 제조한 액정 표시 소자에 앞서 제조한 전면판 3을 접합하고, 공지의 방법으로 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 실시예 3의 화상 표시 장치 3을 제작했다.
《전면판 및 화상 표시 장치 3의 평가》
상술의 각 공정에 있어서 실시예 3의 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소를 형성한 전면판(1)은 개구부 및 이면에 오염이 없어 세정이 용이하고, 또한 다른 부재의 오염의 문제가 없었다.
또한, 실시예 3의 가식재에는 핀홀이 없어 광 차폐성이 우수했다.
그리고, 제 1 투명 전극 패턴, 제 2 투명 전극 패턴 및 이들과는 다른 도전성 요소 각각의 도전성에는 문제가 없고, 한편 제 1 투명 전극 패턴과 제 2 투명 전극 패턴 사이에서는 절연성을 갖고 있었다.
또한, 투명 보호층에도 기포 등의 결함이 없고, 표시 특성이 우수한 화상 표시 장치가 얻어졌다.
[실시예 4]
《흑색 수지막(가식재)의 제작》
실시예 2와 동일하게 해서 형성한 가식재 형성용 감광성 필름 2를 사용하고, 포스트 노광을 가식재용 블랙 레지스트의 이면측에 접하는 기판측으로부터만 행한 이외는 실시예 1과 동일하게 해서 광학 농도 3.35, 막 두께 1.8㎛의 흑색 수지막(가식재)이 실란 커플링 처리 유리 기재 상에 형성된 전면판을 얻었다. 얻어진 흑색 수지막(가식재)을 실시예 4의 흑색 수지막(가식재)으로 했다.
얻어진 실시예 4의 흑색 수지막(가식재)에 대해서 실시예 1과 마찬가지로 평가를 행한 결과를 하기 표 1에 기재했다.
《화상 표시 장치(터치패널)의 제작》
상기에서 제조한 실시예 4의 흑색 수지막(가식재)이 실란 커플링 처리 유리 기재 상에 형성된 전면판을 사용한 이외는 실시예 1과 동일하게 해서 실시예 4의 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소 모두를 덮도록 절연층(투명 보호층)을 적층한 전면판 4를 얻었다.
일본 특허 공개 2009-47936 공보에 기재된 방법으로 제조한 액정 표시 소자에 앞서 제조한 전면판 4를 접합하고, 공지의 방법으로 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 실시예 4의 화상 표시 장치 4를 제작했다.
《전면판 및 화상 표시 장치 4의 평가》
상술의 각 공정에 있어서 실시예 4의 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소를 형성한 전면판(1)은 개구부 및 이면에 오염이 없어 세정이 용이하고, 또한 다른 부재의 오염의 문제가 없었다.
또한, 실시예 4의 가식재에는 핀홀이 없어 광 차폐성이 우수했다.
그리고, 제 1 투명 전극 패턴, 제 2 투명 전극 패턴 및 이들과는 다른 도전성 요소의 각각의 도전성에는 문제가 없고, 한편 제 1 투명 전극 패턴과 제 2 투명 전극 패턴 사이에서는 절연성을 갖고 있었다.
또한, 투명 보호층에도 기포 등의 결함이 없고, 표시 특성이 우수한 화상 표시 장치가 얻어졌다.
[실시예 5]
《흑색 수지막(가식재)의 제작》
<가식재 형성용 감광성 필름 3의 조제>
가식재 형성용 감광성 필름 1의 조제에 있어서 가식재용 블랙 레지스트 K1의 처방의 광 중합개시제 1을 하기 광 중합개시제 3으로 변경한 이외는 동일한 처방인 가식재용 블랙 레지스트 K2로 대신한 이외는 가식재 형성용 감광성 필름 1의 조제와 동일하게 해서 가식재 형성용 감광성 필름 3을 얻었다.
Figure pct00004
<흑색 수지막(가식재)의 형성>
가식재 형성용 감광성 필름 3을 사용한 이외는 실시예 1과 동일하게 해서 광학 농도 3.35, 막 두께 1.8㎛의 흑색 수지막(가식재)이 실란 커플링 처리 유리 기재 상에 형성된 전면판을 얻었다. 얻어진 흑색 수지막(가식재)을 실시예 5의 흑색 수지막(가식재)으로 했다.
얻어진 실시예 5의 흑색 수지막(가식재)에 대해서 실시예 1과 마찬가지로 평가를 행한 결과를 하기 표 1에 기재했다.
《화상 표시 장치(터치패널)의 제작》
상기에서 제조한 실시예 5의 흑색 수지막(가식재)이 실란 커플링 처리 유리 기재 상에 형성된 전면판을 사용한 이외는 실시예 1과 동일하게 해서 실시예 5의 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소 모두를 덮도록 절연층(투명 보호층)을 적층한 전면판 5를 얻었다.
일본 특허 공개 2009-47936 공보에 기재된 방법으로 제조한 액정 표시 소자에 앞서 제조한 전면판 5를 접합하고, 공지의 방법으로 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 실시예 5의 화상 표시 장치 5를 제작했다.
《전면판 및 화상 표시 장치 5의 평가》
상술의 각 공정에 있어서 실시예 5의 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소를 형성한 전면판(1)은 개구부 및 이면에 오염이 없어 세정이 용이하고, 또한 다른 부재의 오염의 문제가 없었다.
또한, 실시예 5의 가식재에는 핀홀이 없어 광 차폐성이 우수했다.
그리고, 제 1 투명 전극 패턴, 제 2 투명 전극 패턴 및 이들과는 다른 도전성 요소의 각각의 도전성에는 문제가 없고, 한편 제 1 투명 전극 패턴과 제 2 투명 전극 패턴 사이에서는 절연성을 갖고 있었다.
또한, 투명 보호층에도 기포 등의 결함이 없고, 표시 특성이 우수한 화상 표시 장치가 얻어졌다.
[실시예 6]
《흑색 수지막(가식재)의 제작》
<가식재 형성용 감광성 필름 4의 조제>
가식재 형성용 감광성 필름 1의 조제에 있어서 가식재용 블랙 레지스트 K1의 처방의 광 중합개시제 1을 하기 광 중합개시제 4로 변경한 이외는 동일한 처방인 가식재용 블랙 레지스트 K2로 대신한 이외는 가식재 형성용 감광성 필름 1의 조제와 동일하게 해서 가식재 형성용 감광성 필름 4를 얻었다.
Figure pct00005
<흑색 수지막(가식재)의 형성>
가식재 형성용 감광성 필름 4를 사용한 이외는 실시예 1과 동일하게 해서 광학 농도 3.35, 막 두께 1.8㎛의 흑색 수지막(가식재)이 실란 커플링 처리 유리 기재 상에 형성된 전면판을 얻었다. 얻어진 흑색 수지막(가식재)을 실시예 6의 흑색 수지막(가식재)으로 했다.
얻어진 실시예 6의 흑색 수지막(가식재)에 대해서 실시예 1과 마찬가지로 평가를 행한 결과를 하기 표 1에 기재했다.
《화상 표시 장치(터치패널)의 제작》
상기에서 제조한 실시예 6의 흑색 수지막(가식재)이 실란 커플링 처리 유리 기재 상에 형성된 전면판을 사용한 이외는 실시예 1과 동일하게 해서 실시예 6의 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소 모두를 덮도록 절연층(투명 보호층)을 적층한 전면판 6을 얻었다.
일본 특허 공개 2009-47936 공보에 기재된 방법으로 제조한 액정 표시 소자에 앞서 제조한 전면판 6을 접합하고, 공지의 방법으로 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 실시예 6의 화상 표시 장치 6을 제작했다.
《전면판 및 화상 표시 장치 6의 평가》
상술의 각 공정에 있어서 실시예 6의 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소를 형성한 전면판(1)은 개구부 및 이면에 오염이 없어 세정이 용이하고, 또한 다른 부재의 오염의 문제가 없었다.
또한, 실시예 6의 가식재에는 핀홀이 없어 광 차폐성이 우수했다.
그리고, 제 1 투명 전극 패턴, 제 2 투명 전극 패턴 및 이들과는 다른 도전성 요소의 각각의 도전성에는 문제가 없고, 한편 제 1 투명 전극 패턴과 제 2 투명 전극 패턴 사이에서는 절연성을 갖고 있었다.
또한, 투명 보호층에도 기포 등의 결함이 없고, 표시 특성이 우수한 화상 표시 장치가 얻어졌다.
[실시예 7]
《흑색 수지막(가식재)의 제작》
<가식재 형성용 감광성 필름 5의 조제>
가식재 형성용 감광성 필름 1의 조제에 있어서 가식재용 블랙 레지스트 K1의 건조 막 두께가 2.8㎛가 되도록 바꾼 이외는 가식재 형성용 감광성 필름 1의 조제와 동일하게 해서 가식재 형성용 감광성 필름 5를 얻었다.
<흑색 수지막(가식재)의 형성>
가식재 형성용 감광성 필름 5를 사용한 이외는 실시예 1과 동일하게 해서 광학 농도 4.65, 막 두께 2.5㎛의 흑색 수지막(가식재)이 실란 커플링 처리 유리 기재 상에 형성된 전면판을 얻었다. 얻어진 흑색 수지막(가식재)을 실시예 7의 흑색 수지막(가식재)으로 했다.
얻어진 실시예 7의 흑색 수지막(가식재)에 대해서 실시예 1과 마찬가지로 평가를 행한 결과를 하기 표 1에 기재했다.
《화상 표시 장치(터치패널)의 제작》
상기에서 제조한 실시예 7의 흑색 수지막(가식재)이 실란 커플링 처리 유리 기재 상에 형성된 전면판을 사용한 이외는 실시예 1과 동일하게 해서 실시예 7의 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소 모두를 덮도록 절연층(투명 보호층)을 적층한 전면판 7을 얻었다.
일본 특허 공개 2009-47936 공보에 기재된 방법으로 제조한 액정 표시 소자에 앞서 제조한 전면판 7을 접합하고, 공지의 방법으로 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 실시예 7의 화상 표시 장치 7을 제작했다.
《전면판 및 화상 표시 장치 7의 평가》
상술의 각 공정에 있어서 실시예 7의 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소를 형성한 전면판(1)은 개구부 및 이면에 오염이 없어 세정이 용이하고, 또한 다른 부재의 오염의 문제가 없었다.
또한, 실시예 7의 가식재에는 핀홀이 없어 광 차폐성이 우수했다.
그리고, 제 1 투명 전극 패턴, 제 2 투명 전극 패턴 및 이들과는 다른 도전성 요소의 각각의 도전성에는 문제가 없고, 한편 제 1 투명 전극 패턴과 제 2 투명 전극 패턴 사이에서는 절연성을 갖고 있었다.
또한, 투명 보호층에도 기포 등의 결함이 없고, 표시 특성이 우수한 화상 표시 장치가 얻어졌다.
[실시예 8]
《흑색 수지막(가식재)의 제작》
<가식재 형성용 감광성 필름 6의 조제>
가식재 형성용 감광성 필름 1의 조제에 있어서 가식재용 블랙 레지스트 K1의 건조 막 두께가 1.45㎛가 되도록 바꾼 이외는 가식재 형성용 감광성 필름 1의 조제와 동일하게 해서 가식재 형성용 감광성 필름 6을 얻었다.
<흑색 수지막(가식재)의 형성>
가식재 형성용 감광성 필름 6을 사용한 이외는 실시예 1과 동일하게 해서 광학 농도 2.42, 막 두께 1.3㎛의 흑색 수지막(가식재)이 실란 커플링 처리 유리 기재 상에 형성된 전면판을 얻었다. 얻어진 흑색 수지막(가식재)을 실시예 8의 흑색 수지막(가식재)으로 했다.
얻어진 실시예 8의 흑색 수지막(가식재)에 대해서 실시예 1과 마찬가지로 평가를 행한 결과를 하기 표 1에 기재했다.
《화상 표시 장치(터치패널)의 제작》
상기에서 제조한 실시예 8의 흑색 수지막(가식재)이 실란 커플링 처리 유리 기재 상에 형성된 전면판을 사용한 이외는 실시예 1과 동일하게 해서 실시예 8의 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소 모두를 덮도록 절연층(투명 보호층)을 적층한 전면판 8을 얻었다.
일본 특허 공개 2009-47936 공보에 기재된 방법으로 제조한 액정 표시 소자에 앞서 제조한 전면판 8을 접합하고, 공지의 방법으로 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 실시예 8의 화상 표시 장치 8을 제작했다.
《전면판 및 화상 표시 장치 8의 평가》
상술의 각 공정에 있어서 실시예 8의 가식재, 제 1 투명 전극 패턴, 절연층 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 제 1 및 제 2 투명 전극 패턴과는 다른 도전성 요소를 형성한 전면판(1)은 개구부 및 이면에 오염이 없어 세정이 용이하고, 또한 다른 부재의 오염의 문제가 없었다.
또한, 실시예 8의 가식재에는 핀홀이 없어 광 차폐성이 우수했다.
그리고, 제 1 투명 전극 패턴, 제 2 투명 전극 패턴, 및 이들과는 다른 도전성 요소 각각의 도전성에는 문제가 없고, 한편 제 1 투명 전극 패턴과 제 2 투명 전극 패턴 사이에서는 절연성을 갖고 있었다.
또한, 투명 보호층에도 기포 등의 결함이 없고, 표시 특성이 우수한 화상 표시 장치가 얻어졌다.
Figure pct00006
상기 표 1로부터, 본 발명에서 규정하는 조건(A) 또는 (B)를 만족하는 본 발명의 흑색 수지막(가식재)의 제조 방법에서 얻어진 본 발명의 흑색 수지막은 흑색 안료를 사용해서 높은 광학 농도로 한 경우이어도 가열 후의 벌크 강도가 높은 것을 알 수 있었다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시형태의 실시예 2~8의 흑색 수지막은 테이퍼 각도 양호하며, 본 발명에서 규정하는 조건(A) 및 (B)를 만족하는 본 발명의 보다 바람직한 실시형태의 실시예 2~4 및 6~8의 흑색 수지막은 테이퍼 각이 보다 양호한 것을 알 수 있었다.
한편, 비교예 1 및 2로부터, 광 중합개시제로서 트리클로로메틸트리아진계 화합물을 사용한 경우에 편면으로부터만 포스트 노광하고, 본 발명에서 규정하는 조건(A)도 (B)도 만족하지 않는 방법으로 제조한 비교예 1 및 2의 흑색 수지막은 모두 가열 후의 벌크 강도가 나쁜 것을 알 수 있었다.
비교예 3으로부터, 포스트 노광을 전혀 행하지 않고 제조한 흑색 수지막(가식재)은 가열 후의 벌크 강도가 나쁜 것을 알 수 있었다.
또한, 이상과 같이 본 발명의 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법에 의하면 박층/경량화의 메리트가 있는 정전 용량형 입력 장치를 간단한 공정으로 고품위로 제조가능하게 할 수 있었다. 이 때문에, 본 발명의 제조 방법으로 제조한 정전 용량형 입력 장치 및 그것을 사용한 화상 표시 장치는 고품위인 것을 알 수 있었다.
또한, 테이퍼 각도 양호한 바람직한 실시형태의 실시예 2~8의 흑색 수지막을 사용하면 얻어진 정전 용량형 입력 장치 및 그것을 사용한 화상 표시 장치는 테이퍼 부분을 가로지르는 회로의 단선이 적어지기 때문에 터치패널의 신뢰성의 관점에서 보다 우수한 것을 알 수 있었다.
1 전면판
2 가식재
3 제 1 투명 전극 패턴
3a 패드 부분
3b 접속 부분
4 제 2 투명 전극 패턴
5 절연층
6 도전성 요소
7 투명 보호층
8 개구부
10 정전 용량형 입력 장치
11 강화 처리 유리
12 다른 도전성 요소
20 기재(전면판 또는 강화 처리 유리이어도 좋다)
21 흑색 수지막
21A 흑색 수지막의 기재측 표면
21B 흑색 수지막의 기재와는 반대측의 상면 중 기재 표면과 대략 평행한 부분
21C 흑색 수지막의 측면
h 흑색 수지막의 높이
l1 흑색 수지막의 높이를 4등분했을 때에 흑색 수지막의 기재측 표면으로부터 1/4 높이의 직선
l2 흑색 수지막의 높이를 4등분했을 때에 흑색 수지막의 기재측 표면으로부터 2/4 높이의 직선
l3 흑색 수지막의 높이를 4등분했을 때에 흑색 수지막의 기재측 표면으로부터 3/4 높이의 직선
C1 흑색 수지막의 측면과 l1의 교점
C2 흑색 수지막의 측면과 l2의 교점
C3 흑색 수지막의 측면과 l3의 교점
l12 C1과 C2를 지나는 직선
l23 C2와 C3을 지나는 직선
lA 흑색 수지막의 저면(기재측 표면)의 연장선
lB 흑색 수지막의 상단면(기재와는 반대측의 면) 중 흑색 수지막의 저면(또는 기재 표면)과 대략 평행한 부분의 연장선
θ1 l12와 lA가 이루는 각 중 90°이하의 각
θ2 l23과 lB가 이루는 각 중 90°이하의 각
31 알루미늄제 핀
32 흑색 수지막
33 흑색 수지막과 알루미늄제 핀의 접착 부분
40 알루미늄제 핀의 박리방향
D31 흑색 수지막과 알루미늄제 핀의 접착 부분에 있어서의 알루미늄 제 핀의 직경
C 제 1 방향
D 제 2 방향

Claims (13)

  1. 흑색 안료, 알칼리 가용성 고분자 화합물, 에틸렌성 불포화 결합 함유 화합물 및 광 중합개시제를 포함하는 감광성 수지 조성물을 기재 상에 적용하는 공정과,
    상기 기재 상의 감광성 수지 조성물을 노광하는 공정과,
    노광된 감광성 수지 조성물을 현상하는 공정과,
    상기 현상 공정 후에 포스트 노광을 행하는 공정을 포함하고, 하기 조건(A) 또는 조건(B)을 만족하고,
    상기 현상 공정 후의 포스트 노광의 노광량이 i선으로 1300mJ/㎠ 이상인 것을 특징으로 하는 흑색 수지막의 제조 방법.
    조건(A): 상기 광 중합개시제는 α-아미노알킬페논계 화합물 또는 α-히드록시알킬페논계 화합물이다.
    조건(B): 상기 현상 공정 후의 포스트 노광을 상기 감광성 수지 조성물의 상기 기재와 접하고 있는 측의 표면방향과 상기 투명 기재와 접하고 있지 않는 측의 표면방향의 양면으로부터 행한다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재는 투명 기재인 것을 특징으로 하는 흑색 수지막의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 투명 기재는 투명 절연성 기재인 것을 특징으로 하는 흑색 수지막의 제조 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조건(A) 및 조건(B)을 모두 만족하는 것을 특징으로 하는 흑색 수지막의 제조 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    가지지체 상에 상기 감광성 수지 조성물을 적층한 감광성 전사 필름으로부터 상기 감광성 수지 조성물을 상기 기재 상에 전사하는 것을 특징으로 하는 흑색 수지막의 제조 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 흑색 수지막의 제조 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 흑색 수지막.
  7. 제 6 항에 기재된 흑색 수지막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치용 가식재.
  8. 제 7 항에 기재된 정전 용량형 입력 장치용 가식재를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치.
  9. 전면판과, 상기 전면판의 비접촉측에 적어도 하기 (1)~(4)의 요소를 갖는 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법으로서, 상기 (1)의 요소를 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 흑색 수지막의 제조 방법으로 제조하는 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법.
    (1) 가식재
    (2) 복수의 패드 부분이 접속 부분을 통해 제 1 방향으로 연장되어 형성된 복수의 제 1 투명 전극 패턴
    (3) 상기 제 1 투명 전극 패턴과 전기적으로 절연되고, 상기 제 1 방향에 교차하는 방향으로 연장되어 형성된 복수의 패드 부분으로 이루어지는 복수의 제 2 전극 패턴
    (4) 상기 제 1 투명 전극 패턴과 상기 제 2 전극 패턴을 전기적으로 절연하는 절연층
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 정전 용량형 입력 장치는 (5) 상기 제 1 투명 전극 패턴 및 상기 제 2 전극 패턴 중 적어도 한쪽에 전기적으로 접속되고, 상기 제 1 투명 전극 패턴 및 상기 제 2 전극 패턴과는 다른 도전성 요소를 더 갖는 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 제 2 전극 패턴은 투명 전극 패턴인 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법.
  12. 제 9 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 정전 용량형 입력 장치의 제조 방법으로 제조된 것을 특징으로 하는 정전 용량형 입력 장치.
  13. 제 8 항 또는 제 12 항에 기재된 정전 용량형 입력 장치를 구성 요소로서 구비한 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200100751A (ko) * 2018-03-13 2020-08-26 후지필름 가부시키가이샤 경화막의 제조 방법, 고체 촬상 소자의 제조 방법
WO2022145851A1 (ko) * 2020-12-28 2022-07-07 동우 화인켐 주식회사 원도우 적층체 및 그 제조 방법

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI613945B (zh) * 2013-03-22 2018-02-01 Ｌｇ化學股份有限公司 導電圖案層合板及包含其之電子裝置
WO2015136733A1 (ja) * 2014-03-14 2015-09-17 シャープ株式会社 光学素子及び表示装置
JP6361191B2 (ja) * 2014-03-14 2018-07-25 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びタッチパネルの製造方法
JP6390143B2 (ja) * 2014-04-08 2018-09-19 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 黒色組成物、黒色塗膜、および積層体
TWI549027B (zh) * 2014-04-22 2016-09-11 群創光電股份有限公司 觸控面板及觸控顯示裝置
JP6331790B2 (ja) * 2014-07-10 2018-05-30 凸版印刷株式会社 カラーフィルタ基板、カラーフィルタ基板の製造方法、及び、これを用いた表示装置
JP6577176B2 (ja) * 2014-10-14 2019-09-18 旭化成株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物及び転写材料
JP6230559B2 (ja) 2014-12-03 2017-11-15 富士フイルム株式会社 転写フィルム、フィルムセンサーの製造方法、フィルムセンサー、前面板一体型センサーおよび画像表示装置
WO2016088609A1 (ja) * 2014-12-03 2016-06-09 富士フイルム株式会社 転写フィルム、フィルムセンサーの製造方法、フィルムセンサー、前面板一体型センサーおよび画像表示装置
TWI564761B (zh) * 2015-01-16 2017-01-01 友達光電股份有限公司 觸控電極層
WO2017056530A1 (ja) * 2015-09-28 2017-04-06 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びタッチパネルの製造方法
KR102103325B1 (ko) * 2015-10-26 2020-04-22 후지필름 가부시키가이샤 전사 필름, 필름 센서의 제조 방법, 필름 센서, 전면판 일체형 센서 및 화상 표시 장치
JP6646451B2 (ja) * 2016-01-14 2020-02-14 株式会社ジャパンディスプレイ カバー部材及びこれを備えた表示装置
WO2017209193A1 (ja) * 2016-05-31 2017-12-07 富士フイルム株式会社 転写フィルム、加飾パターン及びタッチパネル
CN109154774B (zh) * 2016-05-31 2022-05-13 富士胶片株式会社 感光性树脂组合物、转印膜、装饰图案、触摸面板及图案的制造方法
JP6824261B2 (ja) * 2016-05-31 2021-02-03 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、転写フィルム、加飾パターン、及びタッチパネル
SG11201901883TA (en) * 2016-09-30 2019-04-29 Fujifilm Corp Pattern forming method, method for manufacturing electronic device, and actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition
KR101759571B1 (ko) * 2017-04-10 2017-07-19 영창케미칼 주식회사 Euv용 감광성 포토레지스트 미세패턴 형성용 현상액 조성물
KR20200120845A (ko) * 2019-04-12 2020-10-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0915857A (ja) * 1995-06-29 1997-01-17 Hitachi Chem Co Ltd 着色画像形成材料、これを用いた感光液、感光性エレメント及びカラーフィルタの製造法
JP3896631B2 (ja) 1997-04-01 2007-03-22 凸版印刷株式会社 黒色感光性樹脂組成物及びこれを用いたカラーフィルタの製造方法
JP2002023359A (ja) 2000-07-06 2002-01-23 Nichigo Morton Co Ltd 感光性樹脂組成物およびそれを用いた感光性エレメント
JP4291638B2 (ja) * 2003-07-29 2009-07-08 富士フイルム株式会社 アルカリ可溶性ポリマー及びそれを用いた平版印刷版原版
TWI378282B (en) * 2005-02-28 2012-12-01 Fujifilm Corp Liquid crystal display
JP2007015147A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 凸版印刷用感光性積層印刷原版の製造方法、凸版印刷用感光性積層印刷原版、および凸版印刷版の製造方法
JP2007122326A (ja) * 2005-10-27 2007-05-17 Alps Electric Co Ltd 入力装置および前記入力装置を使用した電子機器
JP2008134583A (ja) * 2006-10-30 2008-06-12 Fujifilm Corp カラーフィルタ、液晶表示装置およびその製造に用いられる硬化性組成物
EP2116527A4 (en) * 2007-01-23 2011-09-14 Fujifilm Corp OXIME COMPOUND, PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, COLOR FILTER, METHOD FOR MANUFACTURING THE COLOR FILTER, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT
CN101657414A (zh) * 2007-01-23 2010-02-24 富士胶片株式会社 肟化合物、感光性组合物、滤色片及其制造方法以及液晶显示元件
JP5045747B2 (ja) * 2007-05-29 2012-10-10 旭硝子株式会社 感光性組成物、隔壁、ブラックマトリックス
WO2008149776A1 (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Asahi Glass Company, Limited 隔壁と画素が形成された基板を製造する方法
JP4506785B2 (ja) 2007-06-14 2010-07-21 エプソンイメージングデバイス株式会社 静電容量型入力装置
WO2009078407A1 (ja) * 2007-12-19 2009-06-25 Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. 着色組成物、カラーフィルタの製造方法およびカラーフィルタ
TWM348999U (en) 2008-02-18 2009-01-11 Tpk Touch Solutions Inc Capacitive touch panel
JP2010000434A (ja) * 2008-06-19 2010-01-07 Jsr Corp タッチパネルの製造方法
JP5577659B2 (ja) * 2008-09-18 2014-08-27 東レ株式会社 感光性黒色樹脂組成物、樹脂ブラックマトリクス基板、カラーフィルター基板および液晶表示装置
JP5376446B2 (ja) * 2009-07-24 2013-12-25 株式会社ジャパンディスプレイ 静電容量型入力装置および入力機能付き表示装置
WO2011040083A1 (ja) * 2009-09-29 2011-04-07 富士フイルム株式会社 着色感光性樹脂組成物、カラーフィルター、および液晶表示装置
JP2011158741A (ja) * 2010-02-02 2011-08-18 Seiko Epson Corp カラーフィルターの製造方法、カラーフィルター、画像表示装置および電子機器
JP5585147B2 (ja) * 2010-03-23 2014-09-10 凸版印刷株式会社 ベゼル加飾物
EP2725423B1 (en) * 2011-06-24 2021-09-01 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Negative-type photosensitive resin composition, pattern forming method, cured film, insulating film, and color filter
CN102929454A (zh) * 2011-08-12 2013-02-13 宸鸿科技(厦门)有限公司 电容式触控面板及降低其金属导体可见度的方法
JP5955787B2 (ja) * 2012-06-20 2016-07-20 富士フイルム株式会社 転写フィルム、静電容量型入力装置の製造方法および静電容量型入力装置、並びに、これを備えた画像表示装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200100751A (ko) * 2018-03-13 2020-08-26 후지필름 가부시키가이샤 경화막의 제조 방법, 고체 촬상 소자의 제조 방법
WO2022145851A1 (ko) * 2020-12-28 2022-07-07 동우 화인켐 주식회사 원도우 적층체 및 그 제조 방법

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