TWI549027B - 觸控面板及觸控顯示裝置 - Google Patents

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TWI549027B
TWI549027B TW103114484A TW103114484A TWI549027B TW I549027 B TWI549027 B TW I549027B TW 103114484 A TW103114484 A TW 103114484A TW 103114484 A TW103114484 A TW 103114484A TW I549027 B TWI549027 B TW I549027B
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Description

觸控面板及觸控顯示裝置
本發明係有關於觸控技術，且特別是有關於一種觸控面板及觸控顯示裝置。
近年來，觸控裝置已經被大量應用在各種電子產品中，例如手機、個人數位助理(PDA)或個人電腦等。觸控面板通常包括電阻型、電容型、聲波型、紅外線型等多種類型，其一般為矩形透明面板形式，並採用堆疊之方式設置於液晶顯示裝置之顯示面一側，並藉由軟性電路板等連接於液晶顯示裝置及相應之控制裝置，從而實現觸控功能。
藉由液晶顯示裝置與觸控面板相結合所形成的觸控顯示裝置，可讓用戶利用手或者其他物體接觸該觸控面板向該顯示裝置輸入訊息，而減少或者消除用戶對其他輸入設備(例如，鍵盤、滑鼠及遙控器等)之依賴，方便用戶之操作。
隨著應用的需求，近年來已發展出一種薄型化設計的觸控裝置，由於此種薄型化觸控裝置具有輕薄的優點，逐漸受到使用者的青睞。然而，此種薄型化觸控裝置的製程及結構仍具有相當的挑戰性。
本發明一實施例提供一種觸控面板，包括：基板， 具有一可視區及一遮光區；一遮光層，設置於該基板的該遮光區上，該遮光層具有一上表面及一第一傾斜側壁；一感測電極層，設置於該基板的該可視區上，且該感測電極層包括一電極由該可視區延伸至該遮光層上，其中，該電極在該遮光層的該上表面上具有一第一厚度，且該電極在該遮光層的該第一傾斜側壁上具有一第二厚度，該第二厚度小於該第一厚度。
本發明另一實施例提供一種觸控顯示裝置，包括：一顯示面板；一觸控面板，設置於該顯示面板上，該觸控面板包括：一基板，具有一可視區及一遮光區；一遮光層，設置於該基板的該遮光區上，該遮光層具有一上表面及一第一傾斜側壁；一感測電極層，設置於該基板的該可視區上，且該感測電極層包括一電極延伸至該遮光層上，其中，該電極在該遮光層的該上表面上具有一第一厚度，且該電極在該遮光層的該第一傾斜側壁上具有一第二厚度，該第二厚度小於該第一厚度。
為讓發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
V‧‧‧可視區
M‧‧‧遮光區
100、100a、100b、100c‧‧‧觸控裝置
110‧‧‧基板
130‧‧‧感測電極層
131‧‧‧電極部
131X‧‧‧第一電極
131Y‧‧‧第二電極
131Y’‧‧‧延伸的第二電極
131Z‧‧‧連接部
133‧‧‧跨接部
150‧‧‧信號引線層
120a、120b、120c‧‧‧遮光層
132‧‧‧絕緣部
111‧‧‧基板上表面
116‧‧‧基板上部側壁
117‧‧‧基板中部側壁
118‧‧‧基板下部側壁
W1‧‧‧第一寬度
W2‧‧‧第二寬度
113‧‧‧基板下表面
115‧‧‧基板側壁
700‧‧‧觸控顯示裝置
200‧‧‧顯示面板
H1‧‧‧第一厚度
H2‧‧‧第二厚度
H3‧‧‧第三厚度
301、501、601‧‧‧區域
123b、123c‧‧‧第二傾斜側壁
125‧‧‧上部傾斜側壁
127‧‧‧下部傾斜側壁
θ1‧‧‧第一角度
θ2‧‧‧第二角度
θ3‧‧‧第三角度
θ4‧‧‧第四角度
第1圖顯示在本發明一些實施例中之觸控面板的上視圖。
第2圖顯示在一些實施例中，觸控面板之可視區中的感測電極層的上視圖。
第3A至3E圖顯示在本發明一些實施例中形成觸控面板的各階段剖面圖。
第4圖顯示在第3B圖之區域301的局部放大圖。
第5A圖顯示在本發明另一些實施例中之觸控面板的剖面圖。
第5B圖則顯示在第5A圖所顯示的觸控面板的區域501的放大圖。
第6A圖顯示在本發明另一些實施例中之觸控面板的剖面圖。
第6B圖則顯示在第6A圖所顯示的觸控面板的區域601的放大圖。
第7圖顯示顯示本發明一些實施例的觸控顯示裝置700
因本發明之不同特徵而提供數個不同的實施例。本發明中特定的元件及安排係為了簡化，但本發明並不以這些實施例為限。舉例而言，於第二元件上形成第一元件的描述可包括第一元件與第二元件直接接觸的實施例，亦包括具有額外的元件形成在第一元件與第二元件之間、使得第一元件與第二元件並未直接接觸的實施例。此外，為簡明起見，本發明在不同例子中以重複的元件符號及/或字母表示，但不代表所述各實施例及/或結構間具有特定的關係。
須注意的是，本案各種實施例之圖式均為簡化之示意圖，以強調本發明之特徵，因此圖中之元件尺寸並非完全依實際比例繪製。且本發明之實施例也可能包含圖中未顯示之元件。
第1圖顯示在本發明一些實施例中之觸控面板100的上視圖。觸控面板100包括基板110，基板110可為一基板，其具有可視區V及遮光區M，且遮光區M圍繞著可視區V的周邊。第2圖顯示在一些實施例中，基板110之可視區V中的感測電極層的上視 圖。感測電極層130可包括電極部131，且電極部131可包含複數個排列成列的第一電極131X、複數個排列成行的第二電極131Y以及複數個連接部131Z用以連接同一列上且相鄰的第一電極131X。感測電極層130還包括複數個跨接部133以及複數絕緣部132。複數個跨接部133可用以連接在同一行上且相鄰的第二電極131Y，而複數個絕緣部132可設置於連接部131Z與跨接部133之間，用以電性絕緣連接部131Z和跨接部133。
應了解的是，第2圖所示感測電極層130僅為舉例說明之用，並不用以限定第一電極131X、第二電極131Y等元件實際的數量和樣態，且第一電極131X和第二電極131Y的形狀亦不限定於圖示中的菱形或三角形形狀。亦即，在本發明一些其他實施例中，上述感測電極層之各元件也可具有其它圖案及形式，本發明之範疇並非以此為限。
第3A至3E圖顯示在本發明一些實施例中形成觸控面板100a的各階段剖面圖(以第2圖之A-A’剖線為例)。參照第3A圖，提供基板110。基板110具有可視區V及位於可視區V側邊的遮光區M。基板110可由透明絕緣材料所形成，如玻璃、乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚醚碸(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基(polyallylate)、聚碳酸酯(PC)、或其類似材料。基板110可為硬質基板或可撓式基板。基板110可為平面形狀、曲面形狀，或其他不規則形狀。
在基板110的遮光區M上形成遮光層120a。如第3A圖所示，遮光層120a在靠近可視區V的一側具有第一傾斜側壁121，且遮光層120a的上表面122與其第一傾斜側壁121之間具有第一角 度θ1。在一些實施例中，第一角度θ1介於135°至165°。當第一角度θ1太大時，可能導致遮光層120a延伸進入可視區V中，而影響到所形成裝置之顯示效能。另外，當第一角度θ1太大時，也可能造成遮光層120a在第一傾斜側壁121的部分厚度過薄，導致遮光層120a在靠近可視區V的部分發生漏光的現象。相反的，當第一角度θ1太小時，則可能會由於遮光層120a的上表面與其第一傾斜側壁121之間角度太陡，導致之後形成在其上的電極斷線。
在一些實施例中，遮光層120a的厚度介於1.25μm至1.55μm。形成第一遮光層120的方法可包括在基板110上塗佈遮光材料，再對此遮光材料進行圖案化以形成具有第一傾斜側壁121的遮光層120a。遮光材料進行圖案化的方法例如包括曝光跟顯影。遮光材料例如為由樹脂、顏料、感光劑和溶劑組成的有色光阻材料。在一些實施例中，利用黑色光阻材料以形成遮光層120a，例如聚亞醯胺或油墨材料。
參照第3B圖，在形成遮光層120a之後，在基板110的可視區V上形成電極部131。電極部131包含複數個排列成列的第一電極131X(第3B圖未顯示，參照第2圖)、複數個排列成行的第二電極131Y以及用以連接同一列上相鄰的第一電極131X的複數個連接部131Z。應注意的是，雖然第2圖與第3B圖的第一電極131X、第二電極131Y、連接部131Z等元件的數量不同，但第2圖與第3B圖僅為示例，並不用以限定第一電極131X、第二電極131Y、連接部131Z等元件的數量和樣態。
如第3B圖所示，電極部131更包括延伸的第二電極131Y’，且延伸的第二電極131Y’由基板110的可視區V上延伸至 遮光層120a上。此外，延伸的第二電極131Y’在第一傾斜側壁121上的厚度小於其在遮光層120a的上表面122及可視區V上的厚度。
遮光層120a及延伸的第二電極131Y’的詳細結構可更進一步的參照第4圖。第4圖顯示在第3B圖之區域301的局部放大圖。如第4圖所示，延伸的第二電極131Y’在遮光層120a的上表面122上具有第一厚度H1，在遮光層120的第一傾斜側壁121上具有第二厚度H2，且在基板110的可視區V上具有第三厚度H3。在一些實施例中，第一厚度H1等於第三厚度H3，且第二厚度H2小於第一厚度H1及第三厚度H3。
在一些實施例中，第二厚度H2對第一厚度H1的比例介於0.6至0.9。藉由在遮光層120a的第一傾斜側壁121上形成厚度較薄的延伸的第二電極131Y’，可降低可視區V及遮光區M交界的反射亮度不均(mura)的問題。因此，若第二厚度H2對第一厚度H1的比例太大(兩者厚度相差太小或相同)，則無法有效降低亮度不均的現象。然而，若第二厚度H2對第一厚度H1的比例太小(兩者厚度相差太大)，則可能會導致延伸的第二電極131Y’容易斷線的問題。
在一些實施例中，延伸的第二電極131Y’在遮光層120的上表面122上的第一厚度H1介於50nm至70nm。在一些實施例中，延伸的第二電極131Y’在遮光層120的第一傾斜側壁121上的第二厚度H2介於30nm至63nm。在一些實施例中，延伸的第二電極131Y’在基板110的可視區V上具有第三厚度H3介於50nm至70nm。
如第4圖所示，遮光層120a的邊緣及基板110的邊緣可具有第一長度W1。在一些實施例中，第一寬度W1介於150μm至300μm。
電極部131的形成方法例如為全面性的沉積透明導電材料層，而後再利用微影、蝕刻製程將透明導電材料層圖案化，以形成第一電極131X、第二電極131Y、連接部131Z以及延伸的第二電極131Y’。沉積製程包括濺鍍(sputtering)、物理氣相沉積法(PVD)、化學氣相沉積法(CVD)或其他合適的製程。微影圖案化製程包括光阻塗佈(例如，旋轉塗佈)、軟烘烤(soft baking)、罩幕對準(mask aligning)、曝光(exposure)、曝光後烘烤(post-exposure baking)、顯影光阻、沖洗、乾燥(例如，硬烘烤)、其他合適的製程及/或上述製程之組合。蝕刻製程包括乾式蝕刻(dry etching)、濕式蝕刻(wet etching)及/或其他的蝕刻方法(例如，反應離子蝕刻(reactive ion etching))。
如前述，在以蝕刻圖案化透明導電材料層以形成延伸的第二電極131Y’時，可藉由調整蝕刻條件，使得所形成的延伸的第二電極131Y’在遮光層120a的第一傾斜側壁121上具有較薄的厚度，而在遮光層120a的上表面122及可視區V上具有較厚的厚度。
形成電極部131的透明導電材料例如為氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化鎘錫(cadmium tin oxide,CTO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide,AZO)、氧化銦錫鋅(indium tin zinc oxide,ITZO)、氧化鋅(zinc oxide)、氧化鎘(cadmium oxide,CdO)、氧化鉿(hafnium oxide,HfO)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide,InGaZnO)、氧化銦鎵鋅鎂(indium gallium zinc magnesium oxide,InGaZnMgO)、氧化銦鎵鎂(indium gallium magnesium oxide,InGaMgO)、氧化銦鎵鋁(indium gallium aluminum oxide,InGaAlO)或上述之組合。
在形成電極部131之後，在電極部131的各連接部131Z上方形成絕緣部132，如第3C圖所示。形成絕緣部132的方法可包括形成絕緣材料層，例如為光阻層，再利用微影或印刷製程將此絕緣材料層圖案化，以形成絕緣部132。形成絕緣部132的絕緣材料可為有機或無機的絕緣材料，例如為聚亞醯胺(polyimide)、環氧樹脂、氧化矽、氮化矽等材料。
而後，在絕緣部132上形成跨接部133，如第3D圖所示。形成跨接部133的材料包括金屬導線、透明導電材料或上述之組合。金屬導線包括銅(Cu)、銀(Ag)、鋁(Al)或上述之組合。透明導電材料包括氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide,IZO)、氧化鎘錫(cadmium tin oxide,CTO)、氧化鋁鋅(aluminum zinc oxide,AZO)、氧化銦錫鋅(indium tin zinc oxide,ITZO)、氧化鋅(zinc oxide)、氧化鎘(cadmium oxide,CdO)、氧化鉿(hafnium oxide,HfO)、氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide,InGaZnO)、氧化銦鎵鋅鎂(indium gallium zinc magnesium oxide,InGaZnMgO)、氧化銦鎵鎂(indium gallium magnesium oxide,InGaMgO)、氧化銦鎵鋁(indium gallium aluminum oxide,InGaAlO)或上述之組合。在一些實施例中，利用微影與蝕刻製程或者印刷製程形成跨接部133。
此外，更進一步的在遮光層120a上之延伸的第二電極131Y’上形成信號引線層150，如第3D圖所示。信號引線層150與導電部131Y’電性連接。形成信號引線層150的材料例如為銀、鋁等金屬材料、銦錫氧化物(ITO)等透明導電材料、或前述之組合。 在一些實施例中，利用金屬材料形成信號引線層150，以達到較佳的導電性。可藉由微影與蝕刻製程或者印刷製程形成信號引線層150。在一些實施例中，在同一製程中，利用相同材料形成跨接部133與信號引線層150，例如為金屬材料。亦即，跨接部133與信號引線層150可同時形成，藉以減少製程步驟及花費。
在一些實施例中，在形成跨接部133及信號引線層150之後，對基板110進行磨邊製程。藉由磨邊製程研磨基板110邊緣的尖角，使得基板110邊緣呈鈍角，以降低基板110在後續組裝製程中破裂的風險。在一些實施例中，基板110被研磨後而形成的導角部分具有第二寬度W2，例如介於120μm至180μm。
如第3E圖所示，基板110具有基板上表面111、基板下表面113及基板側壁115，且在進行磨邊製程之後，基板側壁115包括斜率不同的基板上部側壁116、基板中部側壁117及基板下部側壁118。在一些實施例中，基板上表面111及基板上部側壁116之間的角度介於145°至155°。在一些實施例中，基板下表面113及基板下部側壁118之間的角度介於145°至155°。
如前述，遮光層120a具有第一傾斜側壁121，其可避免延伸至其上的延伸的第二電極131Y’的斷線。此外，延伸的第二電極131Y’在遮光層120a的第一傾斜側壁121的厚度小於在遮光層120a上表面122的厚度，可改善可視區V及遮光區M交界的反射亮度不均(mura)的問題。
第5A圖顯示在本發明另一些實施例中之觸控面板100b的剖面圖。第5A圖所示之觸控面板100b與第3E圖所示的觸控面板100a相似，然而觸控面板100b的遮光層120b除了具有第一傾 斜側壁121之外，更具有第二傾斜側壁123b。
遮光層120b的形成方法及材料可與第3A圖之遮光層120a相似。例如，在基板110上塗佈遮光材料，再對此遮光材料進行圖案化以形成具有第一傾斜側壁121及第二傾斜側壁123b的遮光層120b。第一傾斜側壁121位於遮光層120b靠近可視區V的一側，而第二傾斜側壁123b位於遮光層120b遠離可視區V的相對側。在形成遮光層120b之後，可形成如第3E圖所示的感測電極層130，其中延伸的第二電極131Y’由可視區V延伸至遮光層120b上，且延伸的第二電極131Y’在遮光層120b的第一傾斜側壁121上的厚度小於其在遮光層120b上表面122上的厚度。此外，觸控面板100b也包括與觸控面板100a相同或相似各種元件，且其製程方法及材料也與觸控面板100a相同或相似，故在此不贅述。
第5B圖則顯示在第5A圖所顯示的觸控面板100b的區域501的放大圖。類似於第3E圖，觸控面板100b的基板110經過磨邊製程後，其基板側壁115包括斜率各不相同的基板上部側壁116、基板中部側壁117及基板下部側壁118。在一些實施例中，基板110被研磨後而形成的導角部分具有第二寬度W2，例如介於120μm至180μm。此外，在一些實施例中，此磨邊製程完全研磨掉基板的上表面111未被遮光層120b覆蓋的邊緣部分，使得遮光層120b的邊緣與基板的上表面111的邊緣對齊，故可降低觸控面板的漏光。另外，如第5B圖所示，由於在此實施例中研磨製程並未研磨到遮光層120b的第二傾斜側壁123，故第二傾斜側壁123與基板上部側壁116具有不同的斜率。
更詳細而言，遮光層120b具有上表面122、第一傾斜 側壁121及第二傾斜側壁123b，且遮光層120b的上表面122及第一傾斜側壁121之間具有第一角度θ1，上表面122及第二傾斜側壁123b之間具有第二角度θ2。在一些實施例中，第一角度θ1與第二角度θ2相同。在一些實施例中，第二角度θ2介於135°至165°。
如前述，遮光層120b也具有第一傾斜側壁121，故可避免延伸至其上的延伸的第二電極131Y’的斷線。此外，延伸的第二電極131Y’在遮光層120b的第一傾斜側壁121的厚度小於在遮光層120b上表面122的厚度，可改善可視區V及遮光區M交界的反射亮度不均(mura)的問題。此外，遮光層120b更具有第二傾斜側壁123b延伸至接近基板110邊緣的部分，故可減少觸控面板100b邊緣的漏光。因此，在形成第5A及5B圖所示實施例之觸控面板100b時，可不形成二次油墨層即可以避免觸控面板100b邊緣的漏光，故可減少製程的複雜性並降低製造成本。另外，第二傾斜側壁123b也可作為基板110的保護層，降低基板110在後續磨邊或組裝製程中破裂的風險。
第6A圖顯示在本發明另一些實施例中之觸控面板100c的剖面圖。第6A圖所示之觸控面板100c與第5A圖所示的觸控面板100c相似，然而觸控面板100c的遮光層120c的第二傾斜側壁123c具有第三角度θ3。
遮光層120c的形成方法及材料可與第5A圖之遮光層120b相似。例如，在基板110上塗佈遮光材料，再對此遮光材料進行圖案化以形成具有第一傾斜側壁121及第二傾斜側壁的遮光層(相同於第5A圖之遮光層120b)。而後，在基板110的研磨製程中，更進一步的研磨遮光層120b的第二傾斜側壁的底部，使得第二傾 斜側壁123c具有斜率不同的上部傾斜側壁125及下部傾斜側壁127。此外，遮光層120c的下部傾斜側壁127的斜率與基板上部側壁116的斜率相同。
應注意的是，觸控面板100c也包括如第3E圖所示的感測電極層130等結構，其中延伸的第二電極131Y’由可視區V延伸至遮光層120c上，且延伸的第二電極131Y’在遮光層120c的第一傾斜側壁121上的厚度小於其在遮光層120c上表面122上的厚度。此外，觸控面板100b也包括與觸控面板100a相同或相似各種元件，且其製程方法及材料也與觸控面板100a相同或相似，故在此不贅述。
第6B圖則顯示在第6A圖所顯示的觸控面板100c的區域601的放大圖。如第6B圖所示，經過磨邊製程後，遮光層120c具有上表面122、第一傾斜側壁121及第二傾斜側壁123c的上部傾斜側壁125及下部傾斜側壁127。遮光層120b的上表面122及第一傾斜側壁121之間具有第一角度θ1，上表面122及第二傾斜側壁123c之間具有第二角度θ2，上部傾斜側壁125及下部傾斜側壁127之間具有第三角度θ3，下部傾斜側壁127及基板110的上表面111之間具有第四角度θ4。在一些實施例中，第三角度θ3小於180，例如介於130°至170°。在一些實施例中，第四角度θ4介於25°至35°。
如前述，遮光層120c也具有第一傾斜側壁121及第二傾斜側壁123c，故也可避免延伸至其上的延伸的第二電極131Y’的斷線，並改善可視區V及遮光區M交界的反射亮度不均(mura)的問題。
第7圖顯示顯示本發明一些實施例的觸控顯示裝置 700，觸控顯示裝置包括觸控面板100與顯示面板200。觸控面板100可為前述之觸控面板100a、100b及100c。顯示面板200例如為液晶顯示面板(Liquid Crystal Display；LCD)或有機發光二極體顯示面板(organic light-emitting diode；OLED)。在一些實施例中，液晶顯示面板(LCD)包括薄膜電晶體基板與相對設置之彩色濾光片基板，其中薄膜電晶體基板尚包括薄膜電晶體結構、畫素電極、掃描線與資料線等結構。在一些實施例中，有機發光二極體顯示面板(OLED)包括陰極層、有機發光二極體層、陽極層、薄膜電晶體層、下基板、及上基板等結構層，其中有機發光二極體層包括電洞傳輸子層(hole transporting layer,HTL)、一發光層(emitting layer)及電子傳輸子層(electron transporting layer,HTL)。
雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100a‧‧‧觸控面板
110‧‧‧基板
150‧‧‧信號引線層
131Y’‧‧‧延伸的第二電極
133‧‧‧跨接部
132‧‧‧絕緣部
120a‧‧‧遮光層
111‧‧‧基板上表面
116‧‧‧基板上部側壁
117‧‧‧基板中部側壁
118‧‧‧基板下部側壁
W1‧‧‧第一寬度
W2‧‧‧第二寬度
113‧‧‧基板下表面
131Z‧‧‧連接部
131Y‧‧‧第二電極
115‧‧‧基板側壁
121‧‧‧第一傾斜側壁

Claims (10)

  1. 一種觸控面板，包括：一基板，具有一可視區及一遮光區；一遮光層，設置於該基板的該遮光區上，該遮光層具有一上表面及一第一傾斜側壁；一感測電極層，設置於該基板的該可視區上，且該感測電極層包括一電極由該可視區延伸至該遮光層上，其中，該電極在該遮光層的該上表面上具有一第一厚度，且該電極在該遮光層的該第一傾斜側壁上具有一第二厚度，該第二厚度小於該第一厚度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該第二厚度對該第一厚度的比例介於0.6至0.9。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該遮光層的該上表面與該第一傾斜側壁之間具有一第一角度，該第一角度介於135°至165°。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該遮光層具有一第二傾斜側壁，且該第一傾斜側壁位於該遮光層靠近該可視區的一側，而該第二傾斜側壁位於該遮光層遠離該可視區的一相對側。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之觸控面板，其中該第二傾斜側壁與該遮光層的該上表面之間具有一第二角度，該第二角度介於135°至165°。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之觸控面板，其中該第二傾斜側壁包括一上部傾斜側壁及一下部傾斜側壁，該上部傾斜側壁及該下部傾斜側壁之間具有一第三角度，該第三角度小角度介於130°至170°。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之觸控面板，其中該下部傾斜側壁與該基板的一基板上表面之間有一第四夾角，該第四夾角介於25°至35°。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該基板具有一基板上表面及一基板側壁，該基板側壁包括一基板上部側壁、一基板中部側壁及一基板下部側壁，且該基板上部側壁、該基板中部側壁及該基板下部側壁的斜率皆不同。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之觸控面板，其中該基板上部側壁與該基板上表面之間的夾角介於145°至155°。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之觸控面板，其中該基板具有一基板上表面及一基板側壁，該基板側壁包括一基板上部側壁、一基板中部側壁及一基板下部側壁，且該遮光層的該第二傾斜側壁的該下部側壁的斜率與該基板上部側壁的斜率相同。
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