TW201734743A

TW201734743A - 透明積層體、靜電電容型輸入裝置及影像顯示裝置

Info

Publication number: TW201734743A
Application number: TW106124429A
Authority: TW
Inventors: 漢那慎一; 実藤竜二
Original assignee: 富士軟片股份有限公司
Priority date: 2012-07-03
Filing date: 2013-07-01
Publication date: 2017-10-01
Also published as: US20150109252A1; KR101736264B1; KR20160075853A; US9632639B2; TWI603249B; KR20150008918A; CN107092384A; CN104395867B; TW201403438A; CN107092384B; TWI641982B; JP2014010814A; KR101706692B1; WO2014007050A1; JP5901451B2; CN104395867A

Abstract

本發明提供一種不存在看到透明電極圖案的問題的透明積層體、具有該透明積層體的靜電電容型輸入裝置、及具備該靜電電容型輸入裝置作為構成要素的影像顯示裝置。本發明的透明積層體的特徵在於：於面內含有依序積層有以下構件的區域：透明基板、折射率為1.6～1.78且膜厚為55 nm～110 nm的第一透明膜、透明電極圖案、及折射率為1.6～1.78且膜厚為55 nm～110 nm的第二透明膜。

Description

透明積層體、靜電電容型輸入裝置及影像顯示裝置

本發明是有關於一種透明積層體、靜電電容型輸入裝置及影像顯示裝置。詳細而言，本發明是有關於一種能以靜電電容的變化的形式來偵測手指的接觸位置的靜電電容型輸入裝置及可用於其中的透明積層體、以及具備該靜電電容型輸入裝置作為構成要素的影像顯示裝置。

於行動電話、汽車導航（car navigation）、個人電腦（personal computer）、售票機、銀行的終端機等電子設備中，近年來有時於液晶裝置等的表面配置有輸入板（tablet）型的輸入裝置，一面參照液晶裝置的影像顯示區域中顯示的指示影像，一面使手指或觸控筆（touch pen）等與顯示該指示影像的部位接觸，由此可進行與指示影像對應的資訊的輸入。

此種輸入裝置（觸控面板）中有電阻膜型、靜電電容型等。然而，電阻膜型的輸入裝置由於為以膜與玻璃的兩片構造將膜下壓而使其短路（short）的構造，故有動作溫度範圍狹窄、或隨時間變化減弱的缺點。

相對於此，靜電電容型的輸入裝置有以下優點：只要僅於一片基板上形成透光性導電膜即可。該靜電電容型的輸入裝置中，例如有以下類型者：於相互交叉的方向上使電極圖案延伸，於手指等接觸時，檢測電極間的靜電電容變化而偵測輸入位置（例如參照下述專利文獻1～專利文獻3）。

於使用該些靜電電容型輸入裝置時，例如有以下視認性的問題：於光源反射眩光（reflected glare）時的稍許偏離正反射附近的位置，透明電極圖案醒目，美觀性欠佳等。相對於此，於專利文獻1中記載有：於基板上形成氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）圖案，僅於ITO圖案的上側交替積層包含SiO₂ 等低折射率介電材料的層、與包含Nb₂ O₅ 等高折射率介電材料的層，由此利用該些各層的光干涉效果，將透明電極圖案隱蔽（stealth），成為無色（neutral）的色調。於專利文獻2中記載有：於在基板上形成ITO圖案之前，僅於ITO圖案的下側積層SiO₂ 等的低折射率層與Nb₂ O₅ 等的高折射率層後形成ITO圖案，藉此可防止透明電極圖案形狀的顯現。於專利文獻3中記載有：於在基板上形成ITO圖案之前，僅於ITO圖案的下側積層SiO₂ 等的低折射率層與Nb₂ O₅ 等的高折射率層後形成ITO圖案，由此可使透明電極圖案或圖案彼此的交叉部不醒目。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2010-86684號公報 [專利文獻2]日本專利特開2010-152809號公報 [專利文獻3]日本專利特開2010-257492號公報

[發明所欲解決之課題] 相對於此，本發明者等人對該些專利文獻1～專利文獻3中記載的層構成進行了研究，結果得知，看到了透明電極圖案，依然無法完全解決看到透明電極圖案的問題。本發明所欲解決的課題在於提供一種不存在看到透明電極圖案的問題的透明積層體。 [解決課題之手段]

本發明者等人發現，藉由設定為使用兩片特定的折射率及膜厚的透明膜來夾持透明電極圖案的構成，可解決看到透明電極圖案的問題。作為用以解決上述課題的具體手段的本發明如下。

[1] 一種透明積層體，其特徵在於：於面內含有依序積層有下述構件的區域：透明基板、折射率為1.6～1.78且膜厚為55 nm～110 nm的第一透明膜、透明電極圖案、及折射率為1.6～1.78且膜厚為55 nm～110 nm的第二透明膜。 [2] 如[1]所記載的透明積層體，較佳為藉由第一透明膜及第二透明膜將透明電極圖案及未形成透明電極圖案的非圖案區域兩者連續地直接被覆、或介隔其他層而被覆。 [3] 如[1]或[2]所記載的透明積層體，較佳為第一透明膜及透明電極圖案相互鄰接。 [4] 如[1]至[3]中任一項所記載的透明積層體，較佳為透明電極圖案及第二透明膜相互鄰接。 [5] 如[1]至[4]中任一項所記載的透明積層體，較佳為於面內含有下述區域：於未形成透明電極圖案的非圖案區域的至少一部分上，依序積層有透明基板、第一透明膜及第二透明膜的區域。 [6] 如[5]所記載的透明積層體，較佳為於依序積層有透明基板、第一透明膜及第二透明膜的區域中，第一透明膜及第二透明膜相互鄰接。 [7] 如[1]至[6]中任一項所記載的透明積層體，較佳為於第二透明膜的與形成有透明電極圖案的表面為相反側的表面上，更形成有折射率為1.5～1.55的透明保護膜。 [8] 如[1]至[7]中任一項所記載的透明積層體，較佳為第一透明膜與第二透明膜是由相同的材料所構成。 [9] 如[1]至[8]中任一項所記載的透明積層體，較佳為透明基板是折射率為1.5～1.55的玻璃基板。 [10] 如[1]至[9]中任一項所記載的透明積層體，較佳為透明電極圖案是折射率為1.75～2.1的ITO膜。 [11] 如[1]至[10]中任一項所記載的透明積層體，較佳為第一透明膜及第二透明膜的至少一者為透明樹脂膜。 [12] 如[11]所記載的透明積層體，較佳為透明樹脂膜含有ZrO₂ 粒子及TiO₂ 粒子中的至少一者。 [13] 如[1]至[12]中任一項所記載的透明積層體，較佳為第一透明膜及第二透明膜的至少一者是將形成於暫時支撐體上的透明硬化性樹脂膜轉印至透明基板上製膜而成。 [14] 如[1]至[12]中任一項所記載的透明積層體，較佳為第一透明膜及第二透明膜的至少一者是藉由濺鍍所形成。 [15] 如[1]至[10]中任一項所記載的透明積層體，較佳為第一透明膜及第二透明膜的至少一者為藉由濺鍍所形成的SiO₂ 與Nb₂ O₅ 的混合膜。 [16] 如[1]至[15]中任一項所記載的透明積層體，較佳為透明電極圖案的端部具有30°以下的錐形狀。 [17] 如[1]至[16]中任一項所記載的透明積層體，較佳為於透明基板及第一透明膜之間含有折射率為1.5～1.52的第三透明膜。 [18] 一種靜電電容型輸入裝置，其特徵在於具有如[1]至[17]中任一項所記載的透明積層體。 [19] 一種影像顯示裝置，其特徵在於具備如[18]所記載的靜電電容型輸入裝置作為構成要素。 [發明的效果]

根據本發明，可提供一種不存在看到透明電極圖案的問題的透明積層體。

以下，對本發明的透明積層體、靜電電容型輸入裝置及影像顯示裝置加以說明。以下記載的構成要件的說明有時是根據本發明的具代表性的實施方式或具體例來進行，但本發明不限定於此種實施方式或具體例。再者，本說明書中使用「～」所表示的數值範圍，是指包含「～」的前後所記載的數值作為下限值及上限值的範圍。

[透明積層體] 本發明的透明積層體的特徵在於：於面內含有依序積層有下述構件的區域：透明基板、折射率為1.6～1.78且膜厚為55 nm～110 nm的第一透明膜、透明電極圖案、及折射率為1.6～1.78且膜厚為55 nm～110 nm的第二透明膜。藉由設定為此種構成，可消除看到透明電極圖案的問題，故可獲得美觀性佳的透明積層體。

＜透明積層體的構成＞於圖11中示出本發明的透明積層體的構成的一例。於圖11中，於面內含有依序積層有透明基板1、折射率為1.6～1.78且膜厚為55 nm～110 nm的第一透明膜11、透明電極圖案4、及折射率為1.6～1.78且膜厚為55 nm～110 nm的第二透明膜12的區域21。所謂面內是指相對於與透明積層體的透明基板平行的面而大致平行的方向。所謂於面內含有依序積層有透明基板、第一透明膜、透明電極圖案及第二透明膜的區域，是指關於依序積層有透明基板、第一透明膜、透明電極圖案及第二透明膜的區域的向與透明積層體的透明基板平行的面之正射影存在於與透明積層體的透明基板平行的面內。此處，於將本發明的透明積層體用於後述的靜電電容型輸入裝置中的情形時，有時透明電極圖案是於列方向與行方向的大致正交的2個方向上分別作為第一透明電極圖案及第二透明電極圖案而設置（例如參照圖3）。例如於圖3的構成中，本發明的透明積層體中的透明電極圖案可為第二透明電極圖案4，亦可為第一透明電極圖案3的墊（pad）部分3a。換言之，於以下的本發明的透明積層體的說明中，有時以「4」來代表性地表示透明電極圖案的符號，但本發明的透明積層體中的透明電極圖案不限定於用於本發明的靜電電容型輸入裝置中的第二透明電極圖案4，例如亦可用作第一透明電極圖案3的墊部分3a。

本發明的透明積層體較佳為含有未形成透明電極圖案的非圖案區域。本說明書中，所謂非圖案區域是指未形成透明電極圖案4的區域。於圖11中，示出本發明的透明積層體含有非圖案區域22的實施方式。本發明的透明積層體較佳為於面內含有以下區域：於未形成透明電極圖案的非圖案區域22至少一部上，依序積層有透明基板、第一透明膜及第二透明膜的區域。本發明的透明積層體較佳為於依序積層有透明基板、第一透明膜及第二透明膜的區域中，第一透明膜及第二透明膜相互鄰接。然而，於非圖案區域22的其他區域中，只要不違背本發明的主旨，則亦可將其他構件配置於任意位置，例如於將本發明的透明積層體用於後述的靜電電容型輸入裝置中的情形時，可積層圖1A中的遮罩層2或者絕緣層5或導電性要素6等。

本發明的透明積層體較佳為透明基板及第一透明膜相互鄰接。於圖11中，示出於透明基板1上鄰接而積層有第一透明膜11的實施方式。然而，只要不違背本發明的主旨，則亦可於透明基板及第一透明膜之間積層有第三透明膜。例如，就不易看到透明電極圖案的觀點而言，本發明的透明積層體較佳為於透明基板及第一透明膜之間含有折射率為1.5～1.52的第三透明膜（圖11中未圖示）。

就不易看到透明電極圖案的觀點而言，本發明的透明積層體的第一透明膜的厚度為55 nm～110 nm，較佳為60 nm～110 nm，更佳為70 nm～90 nm。此處，第一透明膜可為單層構造，亦可為2層以上的積層構造。於第一透明膜為2層以上的積層構造的情形時，所謂第一透明膜的膜厚是指所有層的合計膜厚。

就不易看到透明電極圖案的觀點而言，本發明的透明積層體較佳為第一透明膜及透明電極圖案相互鄰接。於圖11中，示出於第一透明膜11的一部分區域上鄰接而積層有透明電極圖案4的實施方式。如圖11所示，透明電極圖案4的端部的形狀並無特別限制，亦可具有錐形狀，例如亦可具有透明基板側的面較與透明基板相反側的面更廣般的錐形狀。此處，就不易看到透明電極圖案的觀點而言，透明電極圖案的端部為錐形狀時的透明電極圖案的端部的角度（以下亦稱為錐角）較佳為30°以下，更佳為0.1°～15°，特佳為0.5°～5°。關於本說明書中的錐角的測定方法，可拍攝透明電極圖案的端部的顯微鏡照片，對該顯微鏡照片的錐部分作近似三角形，直接測定錐角而求出角度。於圖10中示出透明電極圖案的端部為錐形狀的情形的一例。圖10中的錐部分的近似三角形的底面為800 nm，高度（與底面大致平行的上底部分的膜厚）為40 nm，此時的錐角α為約3°。就不易看到透明電極圖案的觀點而言，錐部分的近似三角形的底面較佳為10 nm～3000 nm，更佳為100 nm～1500 nm，特佳為300 nm～1000 nm。再者，錐部分的近似三角形的高度的較佳範圍與透明電極圖案的膜厚的較佳範圍相同。

本發明的透明積層體較佳為於面內含有透明電極圖案及第二透明膜相互鄰接的區域。於圖11中示出以下實施方式：於依序積層有透明基板、第一透明膜、透明電極圖案及第二透明膜的區域21中，透明電極圖案及第二透明膜相互鄰接。

另外，本發明的透明積層體較佳為藉由第一透明膜及第二透明膜將透明電極圖案及未形成透明電極圖案的非圖案區域22兩者連續地直接被覆、或介隔其他層而被覆。此處，所謂「連續地」是指第一透明膜及第二透明膜並非圖案膜而為連續膜。即，就不易看到透明電極圖案的觀點而言，第一透明膜及第二透明膜較佳為不具有開口部。另外，相較於藉由第一透明膜及第二透明膜介隔其他層將透明電極圖案及非圖案區域22被覆的情況，更佳為藉由第一透明膜及第二透明膜將透明電極圖案及非圖案區域22直接被覆。介隔其他層而被覆的情形時的該「其他層」可列舉：後述的本發明的靜電電容型輸入裝置中所含的絕緣層5，或如後述的本發明的靜電電容型輸入裝置般含有2層以上的透明電極圖案的情形時，上述「其他層」可列舉第2層的透明電極圖案等。於圖11中示出以下實施方式：橫跨第一透明膜11上的未積層透明電極圖案4的區域與透明電極圖案4之上，與兩者分別鄰接而積層有第二透明膜12。另外，於透明電極圖案4的端部為錐形狀的情形時，較佳為第二透明膜12是沿著錐形狀（以與錐角相同的傾斜度）而積層。

就不易看到透明電極圖案的觀點而言，本發明的透明積層體的第二透明膜的厚度為55 nm～110 nm，較佳為60 nm～110 nm，更佳為70 nm～90 nm。此處，第二透明膜可為單層構造，亦可為2層以上的積層構造。於第二透明膜為2層以上的積層構造的情形時，所謂第二透明膜的膜厚是指所有層的合計膜厚。

本發明的透明積層體較佳為於第二透明膜的與形成有透明電極圖案的表面為相反側的表面上，更形成有折射率為1.5～1.55的透明保護膜。再者，透明保護膜7較佳為亦形成於非圖案區域的第二透明膜的表面上。於圖11中示出以下實施方式：於第二透明膜12的與形成有透明電極圖案的表面為相反側的表面上，積層有透明保護膜7。本發明的透明積層體較佳為透明保護膜的厚度為0.1 μm～10 μm，更佳為0.5 μm～5 μm，特佳為1 μm～3 μm。

＜透明積層體的材料＞（透明基板）就不易看到透明電極圖案的觀點而言，本發明的透明積層體較佳為透明基板是折射率為1.5～1.55的玻璃基板。透明基板的折射率特佳為1.5～1.52。透明基板包含玻璃基板等透光性基板，可使用康寧（Corning）公司的高麗拉玻璃（Gorilla glass）所代表的強化玻璃等。另外，透明基板可較佳地使用日本專利特開2010-86684號公報、日本專利特開2010-152809號公報及日本專利特開2010-257492號公報中所用的材料，將該些文獻的內容併入至本說明書中。

（第一透明膜）就不易看到透明電極圖案的觀點而言，本發明的透明積層體的第一透明膜的折射率為1.6～1.78，較佳為1.65～1.74。此處，第一透明膜可為單層構造，亦可為2層以上的積層構造。於第一透明膜為2層以上的積層構造的情形時，所謂第一透明膜的折射率是指所有層的折射率。只要滿足此種折射率的範圍，則第一透明膜的材料並無特別限制。

（1）透明樹脂膜本發明的透明積層體較佳為第一透明膜及第二透明膜的至少一者為透明樹脂膜。控制透明樹脂膜的折射率的方法並無特別限制，可單獨使用所需折射率的透明樹脂膜，或使用添加有金屬微粒子或金屬氧化物微粒子等微粒子的透明樹脂膜。

以調節折射率或光透射性為目的，透明樹脂膜中所用的樹脂組成物較佳為含有金屬氧化物粒子。金屬氧化物粒子由於透明性高、具有光透射性，故可獲得高折射率且透明性優異的正型感光性樹脂組成物。金屬氧化物粒子較佳為折射率高於包含除了該粒子以外的材料的樹脂組成物的折射率，具體而言，更佳為具有400 nm～750 nm的波長的光的折射率為1.50以上的粒子，進而佳為折射率為1.70以上的粒子，特佳為折射率為1.90以上的粒子。此處，所謂具有400 nm～750 nm的波長的光的折射率為1.50以上是指具有上述範圍的波長的光的平均折射率為1.50以上，無需使具有上述範圍的波長的所有光的折射率為1.50以上。另外，平均折射率為將對具有上述範圍的波長的各光之折射率的測定值的總和除以測定點的個數所得的值。

再者，金屬氧化物粒子的金屬中，亦包含硼（B）、矽（Si）、鍺（Ge）、砷（As）、銻（Sb）、碲（Te）等半金屬。作為光透射性且折射率高的金屬氧化物粒子較佳為含有鈹（Be）、鎂（Mg）、鈣（Ca）、鍶（Sr）、鋇（Ba）、鈧（Sc）、釔（Y）、鑭（La）、鈰（Ce）、釓（Gd）、鋱（Tb）、鏑（Dy）、鐿（Yb）、鑥（Lu）、鈦（Ti）、鋯（Zr）、鉿（Hf）、鈮（Nb）、鉬（Mo）、鎢（W）、鋅（Zn）、硼（B）、鋁（Al）、矽（Si）、鍺（Ge）、錫（Sn）、鉛（Pb）、銻（Sb）、鉍（Bi）、碲（Te）等原子的氧化物粒子，更佳為氧化鈦、鈦複合氧化物、氧化鋅、氧化鋯、銦/錫氧化物、銻/錫氧化物，進而佳為氧化鈦、鈦複合氧化物、氧化鋯，特佳為氧化鈦、氧化鋯，最佳為二氧化鈦。二氧化鈦較佳為折射率特別高的金紅石（rutile）型。該些金屬氧化物粒子亦可利用有機材料對表面進行處理以賦予分散穩定性。

就樹脂組成物的透明性的觀點而言，金屬氧化物粒子的平均一次粒徑較佳為1 nm～200 nm，特佳為3 nm～80 nm。此處，粒子的平均一次粒徑是指藉由電子顯微鏡對任意200個粒子的粒徑進行測定所得的算術平均值。另外，於粒子的形狀並非球形的情形時，將最長邊作為粒徑。

另外，金屬氧化物粒子可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。樹脂組成物中的金屬氧化物粒子的含量只要考慮藉由樹脂組成物所得的光學構件所要求的折射率、或光透射性等來適當決定即可，相對於樹脂組成物的所有固體成分，較佳為設定為5質量%～80質量%，更佳為設定為10質量%～70質量%。就將折射率控制於第一透明膜及第二透明膜的折射率的範圍內的觀點而言，本發明的透明積層體較佳為透明樹脂膜含有ZrO₂ 粒子及TiO₂ 粒子中的至少一者。

透明樹脂膜中所用的樹脂（黏合劑）或其他添加劑只要不違背本發明的主旨，則並無特別限制，可較佳地使用製造後述的本發明的靜電電容型輸入裝置時所用的感光性膜的感光性樹脂層中所用的樹脂或其他添加劑。

（2）無機膜本發明的透明積層體中，第一透明膜及第二透明膜亦可為無機膜。無機膜可使用日本專利特開2010-86684號公報、日本專利特開2010-152809號公報及日本專利特開2010-257492號公報等中所用的無機膜，就控制折射率的觀點而言，較佳為使用該些文獻中記載的低折射率材料與高折射率材料的積層構造的無機膜、或低折射率材料與高折射率材料的混合膜的無機膜。低折射率材料與高折射率材料可較佳地使用上述日本專利特開2010-86684號公報、日本專利特開2010-152809號公報及日本專利特開2010-257492號公報中所用的材料，將該些文獻的內容併入至本說明書中。本發明的透明積層體較佳為第一透明膜及第二透明膜的至少一者為SiO₂ 與Nb₂ O₅ 的混合膜，更佳為藉由濺鍍所形成的SiO₂ 與Nb₂ O₅ 的混合膜。

（透明電極圖案）透明電極圖案的折射率較佳為1.75～2.1。透明電極圖案的材料並無特別限制，可使用公知的材料。例如可利用氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）或氧化銦鋅（Indium Zinc Oxide，IZO）等透光性的導電性金屬氧化膜來製作。此種金屬膜可列舉：ITO膜；鋁（Al）、鋅（Zn）、銅（Cu）、鐵（Fe）、鎳（Ni）、鉻（Cr）、鉬（Mo）等的金屬膜；SiO₂ 等的金屬氧化膜等。此時，可將各要素的膜厚設定為10 nm～200 nm。另外，藉由煅燒使非晶的ITO膜成為多晶的ITO膜，故亦可降低電阻。另外，第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4及後述的導電性要素6亦可使用感光性膜來製造，上述感光性膜具有使用導電性纖維的光硬化性樹脂層。此外，於藉由ITO等來形成第一導電性圖案等的情形時，可參考日本專利第4506785號公報的段落[0014]～段落[0016]等。其中，透明電極圖案較佳為ITO膜。本發明的透明積層體較佳為透明電極圖案是折射率為1.75～2.1的ITO膜。

（第二透明膜）本發明的透明積層體中，第二透明膜的折射率為1.6～1.78。第二透明膜的材料的較佳範圍與折射率等物性的較佳範圍與第一透明膜的該些較佳範圍相同。就光學均質性的觀點而言，本發明的透明積層體較佳為第一透明膜與第二透明膜是藉由相同的材料所構成。

（透明保護膜）透明保護膜的折射率較佳為1.5～1.55，更佳為1.5～1.52。透明保護膜的材料較佳為表面硬度、耐熱性高者，可使用公知的感光性矽氧烷樹脂材料、丙烯酸系樹脂材料等。

（第三透明膜）就接近透明基板的折射率、改善透明電極圖案的視認性的觀點而言，第三透明膜的折射率較佳為1.5～1.55，更佳為1.5～1.52。

＜透明積層體的製造方法＞（第一透明膜及第二透明膜的製膜）第一透明膜是於透明電極上直接製膜，或介隔第三透明膜等其他層而製膜。第二透明膜是於透明電極圖案上及非圖案區域中的第一透明膜上直接製膜，或介隔其他層而製膜。第一透明膜及第二透明膜的製膜方法並無特別限制，較佳為藉由轉印或濺鍍來製膜。其中，本發明的透明積層體中，較佳為第一透明膜及第二透明膜的至少一者是將形成於暫時支撐體上的透明硬化性樹脂膜轉印至透明基板上製膜而成，更佳為於轉印後進行硬化而製膜而成。轉印及硬化的方法可列舉：後述的本發明的靜電電容型輸入裝置的說明中的使用感光性膜的方法。於該情形時，較佳為藉由使金屬氧化物微粒子分散於感光性膜中的光硬化性樹脂層中，而將折射率調整至第一透明膜及第二透明膜的範圍內。

另一方面，於第一透明膜或第二透明膜為無機膜的情形時，較佳為藉由濺鍍所形成。即，本發明的透明積層體亦較佳為第一透明膜及第二透明膜的至少一者是藉由濺鍍所形成。濺鍍的方法可較佳地使用日本專利特開2010-86684號公報、日本專利特開2010-152809號公報及日本專利特開2010-257492號公報中所用的方法，將該些文獻的內容併入至本說明書中。

（透明電極圖案的製膜）透明電極圖案可使用後述的本發明的靜電電容型輸入裝置的說明中的第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4及其他導電性要素6的形成方法等，於第一透明膜上製膜，較佳為使用感光性膜的方法。

[靜電電容型輸入裝置] 本發明的靜電電容型輸入裝置的特徵在於具有本發明的透明積層體。本發明的靜電電容型輸入裝置含有：透明基板（以下，將本發明的透明積層體中的透明基板亦稱為前面板或基材）、折射率為1.6～1.78且膜厚為55 nm～110 nm的第一透明膜、透明電極圖案、及折射率為1.6～1.78且膜厚為55 nm～110 nm的第二透明膜。進而，靜電電容型輸入裝置較佳為於前面板的非接觸側具有下述（1）～（5）的要素。本發明的靜電電容型輸入裝置的製造方法並無限制，較佳為使用依序具有暫時支撐體及光硬化性樹脂層的感光性膜來形成（1）～（5）的要素的至少一個，更佳為使用依序具有暫時支撐體、熱塑性樹脂層及光硬化性樹脂層的感光性膜來形成（1）～（5）的要素的至少一個。（1）遮罩層（2）多個墊部分經由連接部分於第一方向上延伸而形成的多個第一透明電極圖案（3）與第一透明電極圖案電性絕緣、包含於與第一方向交叉的方向上延伸而形成的多個墊部分的多個第二透明電極圖案（4）將第一透明電極圖案與第二透明電極圖案加以電性絕緣的絕緣層（5）與第一透明電極圖案及第二透明電極圖案的至少一者電性連接、且與第一透明電極圖案及第二透明電極圖案不同的導電性要素本發明的靜電電容型輸入裝置更佳為以覆蓋（1）～（5）的要素全部或一部分的形式設置透明保護層，更佳為透明保護層為本發明的透明積層體中的透明保護層。另外，進而視需要亦可於遮罩層與透明基板（前面板）之間具有裝飾層以進行裝飾，例如較佳為設置白色的裝飾層。本發明的靜電電容型輸入裝置即便為含有此種多種構件的情形，亦可使由第一透明膜及第二透明膜所夾持的透明電極圖案不醒目，可改善視認性的問題。

《靜電電容型輸入裝置的構成與製造方法》＜構成＞首先，對本發明的靜電電容型輸入裝置的較佳構成與構成裝置的各構件的製造方法一併加以說明。圖1A為表示本發明的靜電電容型輸入裝置的較佳構成的剖面圖。於圖1A中示出以下實施方式：靜電電容型輸入裝置10包含透明基板（前面板）1、遮罩層2、第一透明膜11、第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4、絕緣層5、導電性要素6、第二透明膜12及透明保護層7。另外，表示後述的圖3中的X-X'剖面的圖1B亦同樣為表示本發明的靜電電容型輸入裝置的較佳構成的剖面圖。於圖1B中示出以下實施方式：靜電電容型輸入裝置10包含透明基板（前面板）1、第一透明膜11、第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4、第二透明膜12及透明保護層7。

透明基板（前面板）1可使用作為本發明的透明積層體中的透明電極圖案的材料而列舉者。另外，於圖1A中，將前面板1的設有各要素的一側稱為非接觸面。於本發明的靜電電容型輸入裝置10中，使手指等接觸前面板1的接觸面（非接觸面的相反面）等而進行輸入。

另外，於前面板1的非接觸面上設有遮罩層2。遮罩層2為形成於觸控面板前面板的非接觸側的顯示區域周圍的邊緣狀的圖案，是為了看不到拖曳配線（drag-about wiring）等而形成。於本發明的靜電電容型輸入裝置10中，如圖2所示，以覆蓋前面板1的一部分區域（於圖2中為輸入面以外的區域）的方式設有遮罩層2。進而，於前面板1中，可如圖2所示般於一部分中設置開口部8。於開口部8中，可設置藉由按壓來進行操作的機械開關。

於前面板1的接觸面上形成有以下構件：多個墊部分經由連接部分於第一方向上延伸而形成的多個第一透明電極圖案3；與第一透明電極圖案3電性絕緣、且包含於與第一方向交叉的方向上延伸而形成的多個墊部分的多個第二透明電極圖案4；以及將第一透明電極圖案3與第二透明電極圖案4加以電性絕緣的絕緣層5。第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4及後述的導電性要素6可使用作為本發明的透明積層體中的透明電極圖案的材料而列舉者，較佳為ITO膜。

另外，第一透明電極圖案3及第二透明電極圖案4的至少一者可橫跨前面板1的非接觸面及遮罩層2的與前面板1為相反側的面兩者的區域而設置。於圖1A中示出以下的圖：橫跨前面板1的非接觸面及遮罩層2的與前面板1為相反側的面兩者的區域而設有第二透明電極圖案。如此，即便為橫跨需要一定厚度的遮罩層與前面板背面來積層感光性膜的情形，藉由使用後述的具有特定的層構成的感光性膜，即便不使用真空積層機等昂貴的設備，亦可利用簡單的步驟於遮罩部分邊界進行不產生泡的積層。

使用圖3對第一透明電極圖案3及第二透明電極圖案4加以說明。圖3為表示本發明的第一透明電極圖案及第二透明電極圖案的一例的說明圖。如圖3所示，第一透明電極圖案3是墊部分3a經由連接部分3b於第一方向上延伸而形成。另外，第二透明電極圖案4是藉由絕緣層5而與第一透明電極圖案3電性絕緣，且是藉由在與第一方向交叉的方向（圖3中的第二方向）上延伸而形成的多個墊部分所構成。此處，於形成第一透明電極圖案3的情形時，可一體地製作墊部分3a與連接部分3b，亦可僅製作連接部分3b，且一體地製作墊部分3a與第二透明電極圖案4（圖案化）。於一體地製作墊部分3a與第二透明電極圖案4（圖案化）的情形時，如圖3所示，將連接部分3b的一部分與墊部分3a的一部分連結，且以藉由絕緣層5將第一透明電極圖案3與第二透明電極圖案4加以電性絕緣的方式形成各層。另外，圖3中的未形成第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4或後述的導電性要素6的區域相當於本發明的透明積層體中的非圖案區域22。

於圖1A中，於遮罩層2的與前面板1為相反側的面側設有導電性要素6。導電性要素6為電性連接於第一透明電極圖案3及第二透明電極圖案4的至少一者、且與第一透明電極圖案3及第二透明電極圖案4不同的要素。於圖1A中，示出將導電性要素6連接於第二透明電極圖案4的圖。

另外，於圖1A中，以覆蓋各構成要素全部的方式設有透明保護層7。透明保護層7亦能以覆蓋各構成要素的僅一部分的方式構成。絕緣層5與透明保護層7可為相同的材料，亦可為不同的材料。構成絕緣層5與透明保護層7的材料可較佳地使用作為本發明的透明積層體中的透明保護層的材料而列舉者。

＜製造方法＞於本發明的製造方法中，較佳為遮罩層2、第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4、絕緣層5、導電性要素6及視需要的透明保護層7的至少一個要素是使用感光性膜（以下亦稱為感光性轉印材料）來形成，上述感光性膜依序具有暫時支撐體及光硬化性樹脂層。遮罩層2、絕緣層5及透明保護層7可藉由使用感光性膜將光硬化性樹脂層轉印至前面板1上而形成。例如於形成黑色的遮罩層2的情形時，可藉由以下方式來形成：使用具有黑色光硬化性樹脂層作為光硬化性樹脂層的感光性膜，將黑色光硬化性樹脂層轉印至前面板1的表面上。於形成絕緣層5的情形時，可藉由以下方式來形成：使用具有絕緣性的光硬化性樹脂層作為光硬化性樹脂層的感光性膜，將光硬化性樹脂層轉印至形成有第一透明電極圖案的前面板1的表面上。於形成透明保護層7的情形時，可藉由以下方式來形成：使用具有透明的光硬化性樹脂層作為光硬化性樹脂層的感光性膜，將光硬化性樹脂層轉印至形成有各要素的前面板1的表面上。

若使用感光性膜來形成遮罩層2等，則即便為具有開口部的基板（前面板），亦不會自開口部分漏出阻劑成分，尤其不會於遮罩層（該遮罩層必須將遮光圖案最大限度地形成至前面板的邊界為止）中自玻璃端滲出阻劑成分，故不會污染基板背側，可利用簡便的步驟來製造具有薄層/輕量化的優點（merit）的觸控面板。進而，於形成需要遮光性的遮罩層2時，藉由使用在光硬化性樹脂層與暫時支撐體之間具有熱塑性樹脂層的具有特定的層構成的感光性膜，可防止感光性膜積層時的氣泡產生，形成並無漏光的高品質的遮罩層2等。

第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4及導電性要素6可使用蝕刻處理或具有導電性光硬化性樹脂層的感光性膜來形成。於藉由蝕刻處理來形成第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4及其他導電性要素6的情形時，首先於形成有遮罩層2等的前面板1的非接觸面上，藉由濺鍍來形成ITO等的透明電極層。繼而，於透明電極層上使用具有蝕刻用光硬化性樹脂層作為光硬化性樹脂層的感光性膜，藉由曝光、顯影來形成蝕刻圖案。其後，對透明電極層進行蝕刻而將透明電極圖案化，去除蝕刻圖案，藉此可形成第一透明電極圖案3等。

於使用具有導電性光硬化性樹脂層的感光性膜來形成第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4及其他導電性要素6的情形時，可藉由將導電性光硬化性樹脂層轉印至前面板1的表面上而形成。若使用具有導電性光硬化性樹脂層的感光性膜來形成第一透明電極圖案3等，則即便為具有開口部的基板（前面板），亦不會自開口部分漏出阻劑成分，不會污染基板背側，可利用簡便的步驟來製造具有薄層/輕量化的優點的觸控面板。進而，於形成第一透明電極圖案3等時，藉由使用在導電性光硬化性樹脂層與暫時支撐體之間具有熱塑性樹脂層的具有特定的層構成的感光性膜，可防止感光性膜積層時的氣泡產生，形成導電性優異且電阻小的第一透明電極圖案3、第二透明電極圖案4及其他導電性要素6。

於製造本發明的靜電電容型輸入裝置的過程中所形成的態樣例可列舉圖4～圖8的態樣。圖4為表示形成有開口部8的強化處理玻璃11的一例的俯視圖。圖5為表示形成有遮罩層2的前面板的一例的俯視圖。圖6為表示形成有第一透明電極圖案3的前面板的一例的俯視圖。圖7為表示形成有第一透明電極圖案3及第二透明電極圖案4的前面板的一例的俯視圖。圖8為表示形成有與第一透明電極圖案及第二透明電極圖案不同的其他導電性要素6的前面板的一例的俯視圖。該些圖表示上述說明的具體例，本發明的範圍不受該些圖式的限定性解釋。

《使用感光性膜的各構件的製造方法》繼而，對製造本發明的靜電電容型輸入裝置時可較佳地使用的感光性膜加以說明。感光性膜較佳為具有暫時支撐體及光硬化性樹脂層，且於暫時支撐體與光硬化性樹脂層之間具有熱塑性樹脂層。若使用具有熱塑性樹脂層的感光性膜來形成遮罩層等，則轉印光硬化性樹脂層所形成的要素中不易產生氣泡，影像顯示裝置中不易產生影像不均等，可獲得優異的顯示特性。感光性膜可為負型材料，亦可為正型材料。

＜暫時支撐體＞暫時支撐體可使用具有可撓性，且於加壓下或者加壓及加熱下不產生明顯的變形、收縮或伸長的材料。此種支撐體的例子可列舉聚對苯二甲酸乙二酯膜、三乙酸纖維素膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜等，其中特佳為雙軸延伸聚對苯二甲酸乙二酯膜。

暫時支撐體的厚度並無特別限制，通常為5 μm～200 μm的範圍，就操作容易程度、通用性等方面而言，特佳為10 μm～150 μm的範圍。另外，暫時支撐體可為透明，亦可含有染料化矽、氧化鋁溶膠（alumina sol）、鉻鹽、鋯鹽等。另外，可藉由日本專利特開2005-221726號公報中記載的方法等對暫時支撐體賦予導電性。

＜熱塑性樹脂層＞感光性膜較佳為於暫時支撐體與著色感光性樹脂層之間設有熱塑性樹脂層。熱塑性樹脂層較佳為鹼可溶性。熱塑性樹脂層以可吸收基底表面的凹凸（亦包含由已形成的影像等所致的凹凸等）的方式發揮作為緩衝（cushion）材料的作用，較佳為具有可根據對象面的凹凸而變形的性質。

熱塑性樹脂層較佳為含有日本專利特開平5-72724號公報中記載的有機高分子物質作為成分的態樣，特佳為含有選自藉由維卡（Vicat）法[具體而言是指美國材料試驗法-美國材料試驗學會（American Society for Testing Material，ASTM）D1235的聚合物軟化點測定法]所得的軟化點為約80℃以下的有機高分子物質中的至少一種的態樣。

具體可列舉：聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴；乙烯與乙酸乙烯酯或其皂化物等的乙烯共聚物；乙烯與丙烯酸酯或其皂化物的共聚物；聚氯乙烯或氯乙烯與乙酸乙烯酯或其皂化物等的氯乙烯共聚物；聚偏二氯乙烯、偏二氯乙烯共聚物；聚苯乙烯、苯乙烯與(甲基)丙烯酸酯或其皂化物等的苯乙烯共聚物；聚乙烯基甲苯、乙烯基甲苯與(甲基)丙烯酸酯或其皂化物等的乙烯基甲苯共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸丁酯與乙酸乙烯酯等的(甲基)丙烯酸酯共聚物；乙酸乙烯酯共聚物尼龍、共聚合尼龍、N-烷氧基甲基化尼龍、N-二甲基胺基化尼龍等聚醯胺樹脂等有機高分子。

熱塑性樹脂層的層厚較佳為3 μm～30 μm。於熱塑性樹脂層的層厚小於3 μm的情形時，有時積層時的追隨性不充分，無法完全吸收基底表面的凹凸。另外，於層厚超過30 μm的情形時，有時對在暫時支撐體上形成熱塑性樹脂層時的乾燥（溶劑去除）施加負荷，或熱塑性樹脂層的顯影需要時間，或使製程適性劣化。熱塑性樹脂層的層厚更佳為4 μm～25 μm，特佳為5 μm～20 μm。

熱塑性樹脂層可塗佈含有熱塑性的有機高分子的製備液等而形成，塗佈等時所用的製備液可使用溶劑來製備。溶劑只要可溶解構成該層的高分子成分則並無特別限制，例如可列舉：甲基乙基酮、環己酮、丙二醇單甲醚乙酸酯、正丙醇、2-丙醇等。

＜光硬化性樹脂層＞感光性膜可根據其用途而於光硬化性樹脂層中添加添加物。即，於形成遮罩層時使用感光性膜的情形時，使光硬化性樹脂層中含有著色劑。另外，於感光性膜具有導電性光硬化性樹脂層的情形時，使光硬化性樹脂層中含有導電性纖維等。

於感光性膜為負型材料的情形時，較佳為於光硬化性樹脂層含有鹼可溶性樹脂、聚合性化合物、聚合起始劑或聚合起始系統(Polymerization Initiation system)。進而，可使用著色劑、添加劑等，但不限定於此。

感光性膜中所含的鹼可溶性樹脂可使用日本專利特開2011-95716號公報的段落[0025]、日本專利特開2010-237589號公報的段落[0033]～段落[0052]中記載的聚合物。聚合性化合物可使用日本專利第4098550號的段落[0023]～段落[0024]中記載的聚合性化合物。聚合起始劑或聚合起始系統可使用日本專利特開2011-95716號公報中記載的[0031]～[0042]中記載的聚合性化合物。

（導電性光硬化性樹脂層（導電性纖維））於將積層有導電性光硬化性樹脂層的感光性膜用於形成透明電極圖案、或其他導電性要素的情形時，可將以下的導電性纖維等用於光硬化性樹脂層中。

導電性纖維的結構並無特別限制，可根據目的來適當選擇，較佳為實心結構及空心結構的任一種。此處，有時將實心結構的纖維稱為「線（wire）」，有時將空心結構的纖維稱為「管（tube）」。另外，有時將平均短軸長度為5 nm～1,000 nm、且平均長軸長度為1 μm～100 μm的導電性纖維稱為「奈米線」。另外，有時將平均短軸長度為1 nm～1,000 nm、平均長軸長度為0.1 μm～1,000 μm、且具有空心結構的導電性纖維稱為「奈米管」。導電性纖維的材料只要具有導電性，則並無特別限制，可根據目的而適當選擇，較佳為金屬及碳的至少任一種，該等中，導電性纖維特佳為金屬奈米線、金屬奈米管及碳奈米管的至少任一種。

-金屬奈米線- --金屬-- 金屬奈米線的材料並無特別限制，例如較佳為選自由長週期表（國際純水與應用化學聯盟（International Union of Pure and Applied Chemistry，IUPAC）1991）的第4週期、第5週期及第6週期所組成的群組中的至少一種金屬，更佳為選自第2族～第14族中的至少一種金屬，進而佳為選自第2族、第8族、第9族、第10族、第11族、第12族、第13族及第14族中的至少一種金屬，特佳為作為主成分而含有。

金屬例如可列舉：銅、銀、金、鉑、鈀、鎳、錫、鈷、銠、銥（iridium）、鐵、釕、鋨、錳、鉬、鎢、鈮、鉭、鈦、鉍、銻、鉛、該等的合金等。該等中，就導電性優異的方面而言，較佳為主要含有銀者、或含有銀與銀以外的金屬的合金者。所謂主要含有銀是指於金屬奈米線中含有50質量%以上、較佳為90質量%以上的銀。以與銀的合金的形式使用的金屬可列舉鉑、鋨、鈀及銥等。該等可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

-形狀- 金屬奈米線的形狀並無特別限制，可根據目的而適當選擇，例如可採用圓柱狀、長方體狀、剖面成為多角形的柱狀等任意形狀，但於需要高透明性的用途中，較佳為圓柱狀、剖面的多角形的角圓化的剖面形狀。金屬奈米線的剖面形狀可藉由以下方式來研究：於基材上塗佈金屬奈米線水分散液，利用穿透式電子顯微鏡（Transmission Electron Microscope，TEM）對剖面進行觀察。所謂金屬奈米線的剖面的角是指將剖面的各邊延長，與自相鄰的邊所作的垂線相交的點的周邊部。另外，所謂「剖面的各邊」是設定為將該些相鄰的角與角連結的直線。於該情形時，將「剖面的外周長度」相對於「剖面的各邊」的合計長度之比例設定為銳利度。例如於如圖9所示般的金屬奈米線剖面中，銳利度能以由實線所示的剖面的外周長度與由虛線所示的五角形的外周長度之比例來表示。將該銳利度為75%以下的剖面形狀定義為圓角的剖面形狀。銳利度較佳為60%以下，更佳為50%以下。若銳利度超過75%，則有時可能因電子局部存在於該角中、電漿子（plasmon）吸收增加，故殘留黃色等而透明性劣化。另外，有時圖案的邊緣部的直線性下降，產生粗糙。銳利度的下限較佳為30%，更佳為40%。

--平均短軸長度及平均長軸長度-- 金屬奈米線的平均短軸長度（有時亦稱為「平均短軸徑」、「平均直徑」）較佳為150 nm以下，更佳為1 nm～40 nm，進而佳為10 nm～40 nm，特佳為15 nm～35 nm。若平均短軸長度小於1 nm，則有時耐氧化性劣化，耐久性變差，若平均短軸長度超過150 nm，則有時產生由金屬奈米線所引起的散射，無法獲得充分的透明性。關於金屬奈米線的平均短軸長度，使用穿透式電子顯微鏡（Transmission Electron Microscopy，TEM；日本電子（股）製造，JEM-2000FX）觀察300個金屬奈米線，根據其平均值來求出金屬奈米線的平均短軸長度。再者，關於金屬奈米線的短軸並非圓形的情形時的短軸長度，將最長者作為短軸長度。

金屬奈米線的平均長軸長度（有時亦稱為「平均長度」）較佳為1 μm～40 μm，更佳為3 μm～35 μm，進而佳為5 μm～30 μm。若平均長軸長度小於1 μm，則有時難以形成緻密的網路（network），無法獲得充分的導電性，若平均長軸長度超過40 μm，則有時金屬奈米線過長而於製造時纏繞，於製造過程中產生凝聚物。關於金屬奈米線的平均長軸長度，例如使用穿透式電子顯微鏡（TEM；日本電子（股）製造，JEM-2000FX）觀察300個金屬奈米線，根據其平均值來求出金屬奈米線的平均長軸長度。再者，於金屬奈米線彎曲的情形時，考慮以該金屬奈米線為弧的圓，將根據其半徑及曲率所算出的值作為長軸長度。

就塗佈液的穩定性或塗佈時的乾燥或圖案化時的顯影時間等製程適性的觀點而言，導電性光硬化性樹脂層的層厚較佳為0.1 μm～20 μm，進而佳為0.5 μm～18 μm，特佳為1 μm～15 μm。就導電性與塗佈液的穩定性的觀點而言，導電性纖維相對於導電性光硬化性樹脂層的所有固體成分之含量較佳為0.01質量%～50質量%，進而佳為0.05質量%～30質量%，特佳為0.1質量%～20質量%。

（遮罩層（著色劑））另外，於使用感光性膜作為遮罩層的情形時，可於光硬化性樹脂層中使用著色劑。本發明中所用的著色劑可較佳地使用公知的著色劑（有機顏料、無機顏料、染料等）。另外，於本發明中，除了黑色著色劑以外，可使用紅色、藍色、綠色等的顏料的混合物等。

於使用光硬化性樹脂層作為黑色的遮罩層的情形時，就光學濃度的觀點而言，較佳為含有黑色著色劑。黑色著色劑例如可列舉碳黑、鈦碳、氧化鐵、氧化鈦、石墨等，其中較佳為碳黑。

於使用光硬化性樹脂層作為白色的遮罩層的情形時，可使用日本專利特開2005-7765公報的段落[0015]或段落[0114]中記載的白色顏料。為了用作其他顏色的遮罩層，亦可混合使用日本專利第4546276號公報的段落[0183]～段落[0185]等中記載的顏料或染料。具體而言，可較佳地使用日本專利特開2005-17716號公報的段落編號[0038]～段落編號[0054]中記載的顏料及染料、日本專利特開2004-361447號公報的段落編號[0068]～段落編號[0072]中記載的顏料、日本專利特開2005-17521號公報的段落編號[0080]～段落編號[0088]中記載的著色劑等。

著色劑（較佳為顏料、更佳為碳黑）理想的是作為分散液使用。該分散液可藉由以下方式製備：將預先混合著色劑與顏料分散劑所得的組成物添加至後述的有機溶劑（或媒劑（vehicle））中並使其分散。所謂媒劑（vehicle）是指於塗料處於液體狀態時使顏料分散的媒質的部分，包含為液狀且與顏料鍵結而形成塗膜的成分（黏合劑）、及將其溶解稀釋的成分（有機溶劑）。使顏料分散時所使用的分散機並無特別限制，例如可列舉：朝倉邦造著的「顏料的事典」（第一版，朝倉書店，2000年，438項）中記載的捏合機、輥磨機、磨碎機（attritor）、超級磨機（super mill）、溶解器（dissolver）、均質機、砂磨機等公知的分散機。進而，亦可藉由該文獻310頁中記載的機械磨碎利用摩擦力來進行微粉碎。

就分散穩定性的觀點而言，本發明中所用的著色劑較佳為數量平均粒徑為0.001 μm～0.1 μm者，更佳為數量平均粒徑為0.01 μm～0.08 μm者。另外，此處所謂「粒徑」，是指將粒子的電子顯微鏡照片影像設定為等面積的圓時的直徑，另外，所謂「數量平均粒徑」，是對多個粒子求出粒徑，是指100個該粒徑的平均值。

就與他層的厚度差的觀點而言，含有著色劑的光硬化性樹脂層的層厚較佳為0.5 μm～10 μm，進而佳為0.8 μm～5 μm，特佳為1 μm～3 μm。著色感光性樹脂組成物的固體成分中的著色劑的含有率並無特別限制，就充分縮短顯影時間的觀點而言，較佳為15質量%～70質量%，更佳為20質量%～60質量%，進而佳為25質量%～50質量%。本說明書中所謂所有固體成分，是指自著色感光性樹脂組成物中除去溶劑等的不揮發成分的總質量。

另外，於使用感光性膜來形成絕緣層的情形時，就維持絕緣性的觀點而言，光硬化性樹脂層的層厚較佳為0.1 μm～5 μm，進而佳為0.3 μm～3 μm，特佳為0.5 μm～2 μm。

於使用感光性膜來形成透明保護層的情形時，就發揮充分的表面保護能力的觀點而言，光硬化性樹脂層的層厚較佳為0.1 μm～10 μm，進而佳為0.5 μm～5 μm，特佳為1 μm～3 μm。

＜添加劑＞進而，光硬化性樹脂層亦可使用添加劑。添加劑例如可列舉：日本專利第4502784號公報的段落[0017]、日本專利特開2009-237362號公報的段落[0060]～段落[0071]中記載的界面活性劑，或日本專利第4502784號公報的段落[0018]中記載的熱聚合抑制劑，進而可列舉日本專利特開2000-310706號公報的段落[0058]～段落[0071]中記載的其他添加劑。另外，藉由塗佈來製造感光性膜時的溶劑可使用日本專利特開2011-95716號公報的段落[0043]～段落[0044]中記載的溶劑。

以上，以感光性膜為負型材料的情形為中心進行了說明，但感光性膜亦可為正型材料。於感光性膜為正型材料的情形時，光硬化性樹脂層中例如可使用日本專利特開2005-221726號公報中記載的材料等，但不限定於此。

＜熱塑性樹脂層及光硬化性樹脂層的黏度＞熱塑性樹脂層的於100℃下測定的黏度在1000 Pa·sec～10000 Pa·sec的區域內，光硬化性樹脂層的於100℃下測定的黏度在2000 Pa·sec～50000 Pa·sec的區域內，較佳為進而滿足下式（A）。式（A）：熱塑性樹脂層的黏度＜光硬化性樹脂層的黏度

此處，各層的黏度可如以下方式測定。藉由大氣壓及減壓乾燥自熱塑性樹脂層或光硬化性樹脂層用塗佈液中去除溶劑而製成測定樣品，例如使用維布隆（Vibron）（DD-III型：東洋鮑德溫（Toyo Baldwin）（股）製造）作為測定器，於測定開始溫度為50℃、測定結束溫度為150℃、升溫速度為5℃/min及頻率為1 Hz/deg的條件下測定，可使用100℃的測定值。

＜其他層＞於感光性膜中，可於光硬化性樹脂層與熱塑性樹脂層之間設置中間層、或於光硬化性樹脂層的表面更設置保護膜等而較佳地構成。

感光性膜中，以防止塗佈多層時及塗佈後的保存時的成分混合為目的，較佳為設置中間層。中間層較佳為日本專利特開平5-72724號公報中作為「分離層」而記載的具有氧阻斷功能的氧阻斷膜，曝光時的感度提高，可減少曝光機的時間負荷，生產性提高。

中間層及保護膜可適當地使用日本專利特開2006-259138號公報的段落[0083]～段落[0087]及段落[0093]中記載者。

＜感光性膜的製作方法＞感光性膜可依據日本專利特開2006-259138號公報的段落[0094]～段落[0098]中記載的感光性轉印材料的製作方法來製作。具體而言，於形成具有中間層的感光性膜的情形時，可藉由以下方式較佳地製作：於暫時支撐體上塗佈溶解有熱塑性的有機高分子與添加劑的溶解液（熱塑性樹脂層用塗佈液），加以乾燥而設置熱塑性樹脂層後，於該熱塑性樹脂層上塗佈於不溶解熱塑性樹脂層的溶劑中添加樹脂或添加劑而製備的製備液（中間層用塗佈液），加以乾燥而積層中間層，於該中間層上進一步塗佈使用不溶解中間層的溶劑而製備的著色感光性樹脂層用塗佈液，加以乾燥而積層著色感光性樹脂層。

《本發明的靜電電容型輸入裝置的製造方法》如上所述，本發明的靜電電容型輸入裝置的製造方法較佳為遮罩層、第一透明電極圖案、第二透明電極圖案、絕緣層、導電性要素及視需要的透明保護層的至少一個要素是使用感光性膜而形成，上述感光性膜依序具有暫時支撐體、熱塑性樹脂層及光硬化性樹脂層。

於使用感光性膜來形成遮罩層、絕緣層及透明保護層、或使用導電性光硬化性樹脂層的情形時的第一透明電極圖案、第二透明電極圖案及導電性要素等永久材料的情形時，感光性膜是積層於基材上後，以必要的圖案狀進行曝光，負型材料的情況下對非曝光部分進行顯影處理並加以去除，正型材料的情況下對曝光部分進行顯影處理並加以去除，由此可獲得圖案。此時，顯影時可利用各不相同的溶液將熱塑性樹脂層與光硬化性層顯影去除，亦可利用相同的溶液加以去除。視需要，亦可組合毛刷或高壓噴射等公知的顯影設備。顯影後，視需要亦可進行後曝光、後烘烤。

另外，為了提高其後的轉印步驟中的由積層所得的感光性樹脂層的密接性，可預先對基材（前面板）的非接觸面實施表面處理。作為表面處理，較佳為實施使用矽烷化合物的表面處理（矽烷偶合處理）。矽烷偶合劑較佳為具有與感光性樹脂相互作用的官能基者。例如藉由噴淋（shower）來噴附矽烷偶合液（N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷的0.3質量%水溶液，商品名：KBM603，信越化學（股）製造）20秒鐘，並進行純水噴淋清洗。其後，藉由加熱進行反應。亦可使用加熱槽，藉由積層機的基板預熱亦可促進反應。

另外，亦可使用感光性膜作為舉離材料（lift-off material），形成第一透明電極層、第二透明電極層及其他導電性構件。於該情形時，使用感光性膜進行圖案化後，於基材整個面上形成透明導電層後，連同所堆積的透明導電層一併來進行光硬化性樹脂層的溶解去除，藉此可獲得所需的透明導電層圖案（舉離法）。

（使用感光性膜來形成永久材料的情形）關於使用感光性膜來形成遮罩層、絕緣層、透明保護層、第一透明膜、第二透明膜等永久材料的情形，以形成遮罩層（黑色）的方法為例，對使用感光性膜的圖案化方法加以說明。

形成遮罩層的方法可列舉包括以下步驟的方法：蓋膜去除步驟，自感光性膜中去除蓋膜；轉印步驟，將去除了蓋膜的感光性轉印材料的感光性樹脂層轉印至基材上；曝光步驟，對經轉印至基材上的感光性樹脂層進行曝光；以及顯影步驟，對經曝光的感光性樹脂層進行顯影而獲得圖案影像。

-轉印步驟- 轉印步驟為將去除了蓋膜的感光性膜的光硬化性樹脂層轉印至基材上的步驟。此時，較佳為藉由以下方式來進行操作的方法：於基材上積層感光性膜的光硬化性樹脂層後，去除暫時支撐體。光硬化性樹脂層對基材表面的轉印（貼合）可藉由將光硬化性樹脂層重疊於基材表面上後進行加壓、加熱來進行。貼合時，可使用積層機、真空積層機及可進一步提高生產性的自動切割積層機（auto-cut laminator）等公知的積層機。

-曝光步驟、顯影步驟及其他步驟- 作為曝光步驟、顯影步驟及其他步驟的例子，亦可將日本專利特開2006-23696號公報的段落編號[0035]～段落編號[0051]中記載的方法較佳地用於本發明中。

曝光步驟為對經轉印至基材上的光硬化性樹脂層進行曝光的步驟。具體可列舉以下方法：於形成於基材上的光硬化性樹脂層的上方配置既定的遮罩，其後隔著該遮罩、熱塑性樹脂層及中間層自遮罩上方進行曝光。此處，曝光的光源只要可照射能使光硬化性樹脂層硬化的波長範圍的光（例如365 nm、405 nm等），則可適當選擇使用。具體可列舉：超高壓水銀燈、高壓水銀燈、金屬鹵化物燈等。曝光量通常為5 mJ/cm² ～200 mJ/cm² 左右，較佳為10 mJ/cm² ～100 mJ/cm² 左右。

顯影步驟為對經曝光的光硬化性樹脂層進行顯影的步驟。顯影可使用顯影液來進行。顯影液並無特別限制，可使用日本專利特開平5-72724號公報中記載者等公知的顯影液。另外，顯影液較佳為進行光硬化性樹脂層溶解型的顯影行為者，例如顯影液較佳為以0.05 mol/L～5 mol/L的濃度而含有pKa=7～13的化合物者，亦可進一步少量添加與水具有混合性的有機溶劑。與水具有混合性的有機溶劑可列舉：甲醇、乙醇、2-丙醇、1-丙醇、丁醇、二丙酮醇、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單正丁醚、苄醇、丙酮、甲基乙基酮、環己酮、ε-己內酯、γ-丁內酯、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、六甲基磷醯胺、乳酸乙酯、乳酸甲酯、ε-己內醯胺、N-甲基吡咯烷酮等。該有機溶劑的濃度較佳為0.1質量%～30質量%。另外，顯影液中，可進一步添加公知的界面活性劑。界面活性劑的濃度較佳為0.01質量%～10質量%。

上述顯影的方式可為浸置顯影、噴淋顯影、噴淋及旋轉顯影、浸漬顯影等的任一種。此處，若對噴淋顯影加以說明，則可藉由噴淋對曝光後的光硬化性樹脂層噴附顯影液，藉此去除未硬化部分。另外，於設有熱塑性樹脂層或中間層的情形時，較佳為於顯影前藉由噴淋等來噴附光硬化性樹脂層的溶解性低的鹼性溶液，預先去除熱塑性樹脂層、中間層等。另外，較佳為於顯影後藉由噴淋來噴附清洗劑等，一面以毛刷等進行摩擦一面去除顯影殘渣。顯影液的溶液溫度較佳為20℃～40℃，另外，顯影液的pH值較佳為8～13。

靜電電容型輸入裝置的製造方法亦可具有後曝光步驟、後烘烤步驟等其他步驟。

另外，圖案化曝光可剝離暫時支撐體後進行，亦可於剝離暫時支撐體之前進行曝光，其後剝離暫時支撐體。可為隔著遮罩的曝光，亦可為使用雷射等的數位曝光（digital exposure）。

（使用感光性膜作為蝕刻阻劑的情形）於使用感光性膜作為蝕刻阻劑（蝕刻圖案）的情形時，可與前述方法同樣地獲得阻劑圖案。蝕刻可藉由日本專利特開2010-152155公報的段落[0048]～段落[0054]等中記載的公知的方法來應用蝕刻、阻劑剝離。

例如，蝕刻的方法可列舉通常所進行的浸漬於蝕刻液中的濕式蝕刻法。濕式蝕刻中所用的蝕刻液只要根據蝕刻的對象來適當選擇酸性類型或鹼性類型者即可。酸性類型的蝕刻液可例示：鹽酸、硫酸、氫氟酸、磷酸等酸性成分單獨的水溶液，酸性成分與氯化鐵、氟化銨、過錳酸鉀等鹽的混合水溶液等。酸性成分亦可使用將多種酸性成分組合而成者。另外，鹼性類型的蝕刻液可例示：氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、有機胺、四甲基氫氧化銨般的有機胺的鹽等鹼成分單獨的水溶液，鹼成分與過錳酸鉀等的鹽的混合水溶液等。鹼成分亦可使用將多種鹼成分組合而成者。

蝕刻液的溫度並無特別限定，較佳為45℃以下。本發明中被用作蝕刻遮罩（蝕刻圖案）的樹脂圖案是使用上述光硬化性樹脂層所形成，由此對此種溫度範圍的酸性及鹼性的蝕刻液發揮特別優異的耐受性。因此，可防止於蝕刻步驟中樹脂圖案剝離的情況，將不存在樹脂圖案的部分選擇性地蝕刻。蝕刻後，為了防止線（line）污染，視需要亦可進行清洗步驟、乾燥步驟。關於清洗步驟，例如是於常溫下藉由純水將基材清洗10秒鐘～300秒鐘而進行，關於乾燥步驟，只要使用鼓風（air blow）並適當調整鼓風壓（0.1 kg/cm² ～5 kg/cm² 左右）來進行即可。

繼而，樹脂圖案的剝離方法並無特別限定，例如可列舉以下方法：於30℃～80℃、較佳為50℃～80℃下將基材於攪拌中的剝離液中浸漬5分鐘～30分鐘。如上所述，本發明中被用作蝕刻遮罩的樹脂圖案於45℃以下顯示出優異的耐化學藥液性，但若化學藥液溫度達到50℃以上，則顯示出藉由鹼性的剝離液而膨潤的性質。根據此種性質，若使用50℃～80℃的剝離液來進行剝離步驟，則有縮短步驟時間、樹脂圖案的剝離殘渣變少的優點。即，藉由在蝕刻步驟與剝離步驟之間設置化學藥液溫度的差，本發明中被用作蝕刻遮罩的樹脂圖案於蝕刻步驟中發揮良好的耐化學藥液性，另一方面，於剝離步驟中顯示出良好的剝離性，由此可同時滿足耐化學藥液性與剝離性這兩種相背的特性。

剝離液例如可列舉：使氫氧化鈉、氫氧化鉀等無機鹼成分或三級胺、四級銨鹽等有機鹼成分溶解於水、二甲基亞碸、N-甲基吡咯烷酮或該等的混合溶液中而成者。使用前述的剝離液，藉由噴霧法、噴淋法、浸置法等進行剝離。

[具備靜電電容型輸入裝置作為構成要素的影像顯示裝置] 本發明的影像顯示裝置的特徵在於：具備本發明的靜電電容型輸入裝置作為構成要素。本發明的靜電電容型輸入裝置、及具備該靜電電容型輸入裝置作為構成要素的影像顯示裝置可應用『最新觸控面板技術』（2009年7月6日發行，技術時代（Techno-Times）（股））、三谷雄二監修的“觸控面板的技術與開發”（CMC出版（2004, 12））、平板顯示器（Flat Panel Display，FPD）國際2009論壇T-11（International 2009 Forum T-11）演講課本、賽普拉斯半導體公司（Cypress Semiconductor Corporation）應用附註（application note）AN2292等中揭示的構成。

[實施例] 以下，列舉實施例對本發明加以更具體說明。以下實施例中所示的材料、使用量、比例、處理內容、處理順序等只要不偏離本發明的主旨，則可適當變更。因此，本發明的範圍不限定於以下所示的具體例。再者，只要無特別說明，則「份」、「%」為質量基準。

[實施例1～實施例11及比較例1～比較例15：透明積層體的製造] ＜第一透明膜的形成＞於折射率為1.5或1.51的玻璃製透明基板上，藉由下述所記載的方法來製作具有下述表1中所示的折射率、膜厚的第一透明膜。

[表1]

旋轉塗佈：透明膜-1、透明膜-2、透明膜-5～透明膜-15及透明膜-19～透明膜-21的製膜藉由旋轉塗佈（使用三笠股份有限公司（MIKASA Co., LTD）製造的三笠旋塗機（MIKASA SPINCOATER）1H-D7；1000 rpm），將藉由下述表2中記載的組成所製備的透明硬化性組成物用的材料-1～材料-9旋轉塗佈於玻璃製透明基板上。於100℃下進行120秒鐘的前加熱（預烘烤）後，利用具有超高壓水銀燈的近接式曝光機（日立高科技電子工程（Hitachi Hightech Electronic Engineering）（股）製造）以50 mJ/cm² 的i射線對塗佈面的整個面進行曝光。繼而，於230℃下進行60分鐘的後加熱（後烘烤），獲得於玻璃製透明基板上積層有上述表1所示的第一透明膜的基板。再者，下述表2及下述通式（1）中，「%」、「wt%」均表示質量%。

[表2]

通式（1）

（2）濺鍍製膜：透明膜-3、透明膜-17及透明膜-18的製膜藉由薄膜形成裝置依照下述順序來製膜，上述薄膜形成裝置具備：配設於真空腔室內的玻璃製透明基板、於與該基板相對向的同一平面上的同一圓周上的位置上分別配設的作為濺鍍靶的SiO₂ 靶及Nb₂ O₅ 靶、對各靶施加電力的電源、及於與靶相對向的位置上旋轉的基板旋轉機構。首先，設置玻璃製透明基板後，藉由高真空泵將真空腔室內排氣至既定的壓力（例如7×10^-5 Pa）為止。打開所有的閥後，自SiO₂ 靶用的氣體導入口導入Ar氣體直至真空計中總壓力達到4×10^-1 Pa為止，進而，繼續自氣體導入口導入O₂ 氣體直至壓力達到5×10^-1 Pa為止。然後，自交流電源施加300 W的交流電力，於SiO₂ 靶的SiO₂ 上產生電漿。繼而，自Nb₂ O₅ 靶的氣體導入口導入Ar氣體直至真空計中壓力達到7×10^-1 Pa為止。繼續自氣體導入口導入O₂ 氣體直至壓力達到1.0 Pa為止。然後，自直流電源施加300 W的直流電力，於Nb₂ O₅ 靶上產生電漿。繼而，根據混合膜的折射率分別如下述表3所示般設定自各施加電力對SiO₂ 靶施加的施加電力、及對Nb₂ O₅ 靶施加的施加電力後，將SiO₂ 靶及Nb₂ O₅ 靶正上方的各擋板（shutter）同時開閉約60分鐘，獲得於玻璃製透明基板上積層有如下述表3所示般調整了折射率及膜厚的第一透明膜的基板。

[表3]

（3）積層製膜：透明膜-4及透明膜-16的製膜 [轉印材料的製備] 於厚度為75 μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜暫時支撐體上，使用狹縫狀噴嘴來塗佈包含下述配方H1的熱塑性樹脂層用塗佈液，並加以乾燥。繼而，塗佈包含下述配方P1的中間層用塗佈液，並加以乾燥。進而，塗佈藉由上述表2中記載的組成所製備的透明硬化性組成物用的材料-1或材料-6，並加以乾燥。如此而於暫時支撐體上設置乾燥膜厚為15.1 μm的熱塑性樹脂層、乾燥膜厚為1.6 μm的中間層、及成為上述表1中的乾燥膜厚的透明硬化性樹脂層，最後壓接保護膜（厚度為12 μm的聚丙烯膜）。如此而製作暫時支撐體、熱塑性樹脂層、中間層（氧阻斷膜）及透明硬化性樹脂層成一體的轉印材料。

（熱塑性樹脂層用塗佈液：配方H1） ·甲醇：11.1質量份 ·丙二醇單甲醚乙酸酯：6.36質量份 ·甲基乙基酮：52.4質量份 ·甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸-2-乙基己酯/甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸共聚物（共聚合組成比（莫耳比）=55/11.7/4.5/28.8，分子量=10萬，Tg≒70℃）：5.83質量份 ·苯乙烯/丙烯酸共聚物（共聚合組成比（莫耳比）=63/37，重量平均分子量=1萬，Tg≒100℃）：13.6質量份 ·單體1（商品名：BPE-500，新中村化學工業（股）製造）：9.1質量份 ·氟系聚合物：0.54質量份上述氟系聚合物為C₆ F₁₃ CH₂ CH₂ OCOCH=CH₂ 40份、H(OCH(CH₃ )CH₂ )₇ OCOCH=CH₂ 55份及H(OCHCH₂ )₇ OCOCH=CH₂ 5份的共聚物，重量平均分子量為3萬，為甲基乙基酮的30質量%溶液（商品名：美佳法（Megafac）F780F，大日本油墨化學工業（股）製造）

（中間層用塗佈液：配方P1） ·聚乙烯醇：32.2質量份（商品名：PVA205，可樂麗（Kuraray）（股）製造，皂化度=88%，聚合度為550） ·聚乙烯基吡咯烷酮：14.9質量份（商品名：K-30，日本ISP（ISP Japan）（股）製造） ·蒸餾水：524質量份 ·甲醇：429質量份

[透明膜的形成] 將透明硬化性樹脂層於與PET暫時支撐體的界面上剝離後，與熱塑性樹脂及中間層一併轉印至玻璃製透明基板上。繼而，使用具有超高壓水銀燈的近接式曝光機（日立高科技電子工程（Hitachi Hightech Electronic Engineering）（股）製造），自熱塑性樹脂層側利用i射線以40 mJ/cm² 進行整個面曝光。然後，於30℃下，於扁平噴嘴（flat nozzle）壓力為0.04 MPa的條件下將三乙醇胺系顯影液（含有30%的三乙醇胺，以純水將商品名：T-PD2（富士膠片（股）製造）稀釋至10倍（以T-PD2 1份與純水9份的比例混合）所得的溶液）噴淋顯影60秒鐘，將熱塑性樹脂及中間層去除。繼而，對該玻璃製透明基板的上表面（透明硬化性樹脂層側）吹附空氣而去除液體後，藉由噴淋來噴附純水10秒鐘，進行純水噴淋清洗，吹附空氣來減少玻璃製透明基板上的滴液。繼而，對基板於230℃下進行60分鐘加熱處理（後烘烤），獲得於玻璃製透明基板上積層有上述表1所示的第一透明膜的基板。

＜透明電極圖案的形成＞ [實施例1中所用的透明電極層的形成] 於實施例1中，將於玻璃製透明基板上積層有第一透明膜的基板導入至真空腔室內，使用SnO₂ 含有率為10質量%的ITO靶（銦：錫=95：5（莫耳比）），藉由直流（Direct Current，DC）磁控濺鍍（條件：基材的溫度為250℃、氬氣壓為0.13 Pa、氧氣壓為0.01 Pa）來形成厚度為40 nm、折射率為1.82的ITO薄膜，獲得形成有透明電極層的前面板。ITO薄膜的表面電阻為80 Ω/□。

[蝕刻用感光性膜E1的製備] 於厚度為75 μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜暫時支撐體上，使用狹縫狀噴嘴來塗佈包含上述配方H1的熱塑性樹脂層用塗佈液，並加以乾燥。繼而，塗佈包含上述配方P1的中間層用塗佈液，並加以乾燥。進而，塗佈蝕刻用光硬化性樹脂層用塗佈液（配方E1），並加以乾燥。如此而獲得於暫時支撐體上包含乾燥膜厚為15.1 μm的熱塑性樹脂層、乾燥膜厚為1.6 μm的中間層、及膜厚為2.0 μm的蝕刻用光硬化性樹脂層的積層體，最後壓接保護膜（厚度為12 μm的聚丙烯膜）。如此而製作暫時支撐體、熱塑性樹脂層、中間層（氧阻斷膜）及透明硬化性樹脂層成一體的轉印材料。

（蝕刻用光硬化性樹脂層用塗佈液：配方E1） ·甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯/甲基丙烯酸共聚物（共聚物組成（質量%）：31/40/29，質量平均分子量為60000，酸值為163 mgKOH/g）：16質量份 ·單體1（商品名：BPE-500，新中村化學工業（股）製造）：5.6質量份 ·六亞甲基二異氰酸酯的四環氧乙烷單甲基丙烯酸酯0.5莫耳加成物：7質量份 ·作為於分子中具有一個聚合性基的化合物的環己烷二甲醇單丙烯酸酯：2.8質量份 ·2-氯-N-丁基吖啶：0.42質量份 ·2,2-雙(鄰氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基聯咪唑：2.17質量份 ·孔雀綠草酸鹽：0.02質量份 ·隱色結晶紫：0.26質量份 ·吩噻嗪：0.013質量份 ·界面活性劑（商品名：美佳法（Megafac）F-780F，大日本油墨（股）製造）：0.03質量份 ·甲基乙基酮：40質量份 ·1-甲氧基-2-丙醇：20質量份再者，蝕刻用光硬化性樹脂層用塗佈液E1的溶劑去除後的於100℃下的黏度為2500 Pa·sec。

[透明電極圖案的形成] 將形成有透明電極層的前面板清洗，積層去除了保護膜的蝕刻用感光性膜E1（基材溫度：130℃，橡膠輥溫度為120℃，線壓為100 N/cm，搬送速度為2.2 m/min）。剝離暫時支撐體後，將曝光遮罩（具有透明電極圖案的石英曝光遮罩）面與該蝕刻用光硬化性樹脂層之間的距離設定為200 μm，以50 mJ/cm² 的曝光量（i射線）進行圖案曝光。繼而，使用三乙醇胺系顯影液（含有30質量%的三乙醇胺，以純水將商品名：T-PD2（富士膠片（股）製造）稀釋至10倍所得的溶液）於25℃下處理100秒鐘，使用含有界面活性劑的清洗液（以純水將商品名：T-SD3（富士膠片（股）製造）稀釋至10倍所得的溶液）於33℃下處理20秒鐘，利用旋轉刷、超高壓清洗噴嘴進行殘渣去除，進而於130℃下進行30分鐘的後烘烤處理，獲得形成有透明電極層及蝕刻用光硬化性樹脂層圖案的前面板。將形成有透明電極層及蝕刻用光硬化性樹脂層圖案的前面板浸漬於放入有ITO蝕刻劑（鹽酸、氯化鉀水溶液。液溫為30℃）的蝕刻槽中，處理100秒鐘，將未由蝕刻用光硬化性樹脂層覆蓋的露出區域的透明電極層溶解去除，獲得附有蝕刻用光硬化性樹脂層圖案的帶有透明電極層圖案的前面板。繼而，將附有蝕刻用光硬化性樹脂層圖案的帶有透明電極層圖案的前面板浸漬於放入有阻劑剝離液（N-甲基-2-吡咯烷酮、單乙醇胺、界面活性劑（商品名：莎菲諾（Surfynol）465，空氣產品（Air Products）製造）液溫為45℃）的阻劑剝離槽中，處理200秒鐘，將蝕刻用光硬化性樹脂層去除，獲得於玻璃製透明基板上形成有第一透明膜及透明電極圖案的基板。

藉由鉑（Pt）塗佈（約20 nm厚）對透明電極圖案的端部進行導電性賦予及表面保護後，使用FEI製造的諾瓦（Nova）200型聚焦離子束/掃描式電子顯微鏡（Focussed Ion Beam/Scanning Electron Microscopes，FIB/SEM）複合機，進行透明電極圖案端部的形狀觀察（二次電子像，加速電壓為20 kV）。實施例1中形成的ITO圖案成為如圖10般的錐形狀，錐角α=約3°。

於其他實施例及比較例中，對於以成為下述表4中記載的折射率及膜厚的方式使用的透明電極層，與實施例1同樣地獲得於玻璃製透明基板上形成有第一透明膜及透明電極圖案的基板。

＜第二透明膜的形成＞於在玻璃製透明基板上形成有第一透明膜及透明電極圖案的基板上，藉由與第一透明膜的形成相同的方法，來製造具有上述表1中所示的折射率、膜厚的第二透明膜。如此而獲得於玻璃製透明基板上形成有第一透明膜、透明電極圖案及第二透明膜的基板。

＜透明保護膜的形成＞（透明保護膜-A的形成方法）使用日本專利特開2012-78528號公報的實施例1中記載的感光性樹脂層用塗佈液配方1，依照該公報的[0103]～[0113]的方法，如此而製作暫時支撐體、熱塑性樹脂層、中間層及感光性樹脂層成一體的感光性轉印膜。將所製作的感光性轉印膜的感光性樹脂層自與PET暫時支撐體的界面上剝離後，與熱塑性樹脂及中間層一併轉印至在玻璃製透明基板上形成有第一透明膜、透明電極圖案及第二透明膜的基板上（層形成步驟）。繼而，使用具有超高壓水銀燈的近接式曝光機（日立高科技電子工程（Hitachi Hightech Electronic Engineering）（股）製造），自熱塑性樹脂層側利用i射線以40 mJ/cm² 進行整個面曝光。繼而，於30C下、於扁平噴嘴壓力為0.04 MPa的條件下，將三乙醇胺系顯影液（含有30%的三乙醇胺，以純水將商品名：T-PD2（富士膠片（股）製造）稀釋至10倍（以T-PD2 1份與純水9份的比例混合）所得的溶液）噴淋顯影60秒鐘，將熱塑性樹脂及中間層去除。繼而，對該玻璃製透明基板的上表面（感光性樹脂層側）吹附空氣而去除液體後，藉由噴淋來噴附純水10秒鐘，進行純水噴淋清洗，吹附空氣來減少玻璃製透明基板上的滴液。繼而，對基板於230℃下進行60分鐘加熱處理（後烘烤），獲得各實施例及比較例的透明積層體，該些透明積層體是於在玻璃製透明基板上形成有第一透明膜、透明電極圖案及第二透明膜的基板上，積層有下述表4所示的折射率及膜厚的透明保護膜而成。

除了如下述般變更感光性樹脂層用塗佈液配方的以外，全部與透明保護膜-A的形成方法同樣地獲得各實施例及比較例的透明積層體，該些透明積層體是於在玻璃製透明基板上形成有第一透明膜、透明電極圖案及第二透明膜的基板上，積層有下述透明保護膜-B～透明保護膜-E而成。透明保護膜-B：日本專利特開2012-78528號公報的實施例3中記載的組成物透明保護膜-C：日本專利特開2012-78528號公報的實施例25中記載的組成物透明保護膜-D：日本專利特開2012-78528號公報的實施例26中記載的組成物透明保護膜-E：日本專利特開2012-78528號公報的實施例27中記載的組成物於下述表4中示出各透明保護膜的折射率及膜厚。

＜透明電極圖案的視認性的評價＞對於在玻璃製透明基板上依序積層有第一透明膜、透明電極圖案、第二透明膜及透明保護膜的透明積層體，經由透明膠帶（3M公司製造，商品名，光學透明膠帶（Optical Clear Adhesive Tape，OCA Tape）8171CL）使透明積層體與黑色聚對苯二甲酸乙二酯（Polyethylene terephthalate，PET）材料黏接，將基板總體遮光。透明電極圖案視認性是藉由以下方式來進行：於暗室內，使用螢光燈（光源）及所製作的基板，自玻璃面側使光入射，自傾斜方向目測觀察來自玻璃表面的反射光。《評價基準》 A：完全看不到ITO圖案。 B：稍許可見ITO圖案，但幾乎看不到。 C：ITO圖案清晰可見。將所得的結果記載於下述表4中。

[表4] [表4(續)]

由上述表4得知，本發明的透明積層體不存在看到透明電極圖案的問題。另一方面，第一透明膜及第二透明膜的折射率低於本發明所規定的範圍的下限值的比較例1及比較例3～比較例6的透明積層體，有看到透明電極圖案的問題。第一透明膜及第二透明膜的折射率低於本發明所規定的範圍的下限值、且第一透明膜及第二透明膜的膜厚超過本發明所規定的範圍的上限值的比較例2的透明積層體，有看到透明電極圖案的問題。第一透明膜及第二透明膜的膜厚低於本發明所規定的範圍的下限值的比較例7及比較例9的透明積層體，有看到透明電極圖案的問題。第一透明膜及第二透明膜的膜厚超過本發明所規定的範圍的上限值的比較例8及比較例10的透明積層體，有看到透明電極圖案的問題。第一透明膜及第二透明膜的折射率超過本發明所規定的範圍的上限值的比較例11的透明積層體，有看到透明電極圖案的問題。未設置第二透明膜的比較例15的透明積層體有看到透明電極圖案的問題。進而確認到，於實施例1的透明積層體的製造中，除了設置折射率與透明基板相同的第三透明膜後於其上製作第一透明膜以外，與實施例1同樣地製造透明積層體的情形時，亦同樣不存在看到透明電極圖案的問題。

[實施例101～實施例111、比較例101～比較例115：靜電電容型輸入裝置的製造] 《遮罩層的形成》 [遮罩層形成用感光性膜K1的製備] 於厚度為75 μm的聚對苯二甲酸乙二酯膜暫時支撐體上，使用狹縫狀噴嘴來塗佈包含上述配方H1的熱塑性樹脂層用塗佈液，並加以乾燥。繼而，塗佈包含上述配方P1的中間層用塗佈液，並加以乾燥。繼而，塗佈包含下述配方K1的黑色光硬化性樹脂層用塗佈液，並加以乾燥。如此而於暫時支撐體上設置乾燥膜厚為15.1 μm的熱塑性樹脂層、乾燥膜厚為1.6 μm的中間層、及以光學濃度成為4.0的方式設置的乾燥膜厚為2.2 μm的黑色光硬化性樹脂層，最後壓接保護膜（厚度為12 μm的聚丙烯膜）。如此而製作暫時支撐體、熱塑性樹脂層、中間層（氧阻斷膜）及黑色光硬化性樹脂層成一體的轉印材料，將樣品名設定為遮罩層形成用感光性膜K1。

（黑色光硬化性樹脂層用塗佈液：配方K1） ·K顏料分散物1 ：31.2質量份 ·R顏料分散物1（下述組成）：3.3質量份 ·MMPGAc（大賽璐（Daicel）化學（股）製造）：6.2質量份 ·甲基乙基酮（東燃化學（股）製造）：34.0質量份 ·環己酮（關東電化工業（股）製造）：8.5質量份 ·黏合劑2（甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸=78/22莫耳比的無規共聚物，重量平均分子量為3.8萬）：10.8質量份 ·吩噻嗪（東京化成（股）製造）：0.01質量份 ·DPHA（二季戊四醇六丙烯酸酯，日本化藥（股）製造）的丙二醇單甲醚乙酸酯溶液（76質量%）：5.5質量份 ·2,4-雙(三氯甲基)-6-[4'-(N,N-雙(乙氧基羰基甲基)胺基-3'-溴苯基]-均三嗪：0.4質量份 ·界面活性劑（商品名：美佳法（Megafac）F-780F，大日本油墨（股）製造）：0.1質量份再者，黑色光硬化性樹脂層用塗佈液K1的溶劑去除後的於100℃下的黏度為10000 Pa·sec。

（K顏料分散物1的組成） ·碳黑（商品名：尼派克（Nipex）35，德固賽（Degussa）公司製造）：13.1質量% ·下述分散劑1 ：0.65質量% ·黏合劑1（甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸=72/28莫耳比的無規共聚物，重量平均分子量為3.7萬）：6.72質量% ·丙二醇單甲醚乙酸酯：79.53質量%

-R顏料分散物1的組成- ·顏料（顏色索引（Color Index，C.I.）顏料紅177）：18質量% ·黏合劑1（甲基丙烯酸苄酯/甲基丙烯酸=72/28莫耳比的無規共聚物，重量平均分子量為3.7萬）：12質量% ·丙二醇單甲醚乙酸酯：70質量%

[遮罩層的形成] 繼而，對於形成有開口部（15 mm Φ）的強化處理玻璃（300 mm×400 mm×0.7 mm），一面藉由噴淋來噴附經調整為25℃的玻璃清洗劑液20秒鐘，一面利用具有尼龍毛的旋轉刷進行清洗，並進行純水噴淋清洗後，藉由噴淋來噴附矽烷偶合液（N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷的0.3質量%水溶液，商品名：KBM603，信越化學工業（股）製造）20秒鐘，並進行純水噴淋清洗。利用基材預熱裝置於140℃下將該基材加熱2分鐘。自藉由上述操作所得的遮罩層形成用感光性膜K1中去除蓋膜，以去除後所露出的黑色光硬化性樹脂層的表面與矽烷偶合處理玻璃基材的表面接觸的方式，重合於所得的矽烷偶合處理玻璃基材上，使用積層機（日立工業（Hitachi Industries）（股）製造（拉米克（Lamic）II型）），於橡膠輥溫度為130℃、線壓為100 N/cm、搬送速度為2.2 m/min的條件下積層至在140℃下經加熱的基材上。繼而，將聚對苯二甲酸乙二酯的暫時支撐體自與熱塑性樹脂層的界面上剝離，去除暫時支撐體。剝離暫時支撐體後，利用具有超高壓水銀燈的近接式曝光機（日立高科技電子工程（Hitachi Hightech Electronic Engineering）（股）製造），於垂直豎立基材與曝光遮罩（具有邊緣圖案的石英曝光遮罩）的狀態下，將曝光遮罩面與該黑色光硬化性樹脂層之間的距離設定為200 μm，以70 mJ/cm² 的曝光量（i射線）進行圖案曝光。

繼而，於33℃下、於扁平噴嘴壓力為0.1 MPa的條件下，將三乙醇胺系顯影液（含有30質量%的三乙醇胺，以純水將商品名：T-PD2（富士膠片（股）製造）稀釋至10倍所得的溶液）噴淋顯影60秒鐘，去除熱塑性樹脂層及中間層。繼而，對該玻璃基材的上表面吹附空氣而去除液體後，藉由噴淋來噴附純水10秒鐘，進行純水噴淋清洗，吹附空氣來減少基材上的滴液。

其後，使用碳酸鈉/碳酸氫鈉系顯影液（以純水將商品名：T-CD1（富士膠片（股）製造）稀釋至5倍所得的溶液），於32℃下將噴淋壓力設定為0.1 MPa，顯影45秒鐘，以純水進行清洗。

然後，使用含有界面活性劑的清洗液（以純水將商品名：T-SD3（富士膠片（股）製造）稀釋至10倍所得的溶液），於33℃下於錐型噴嘴壓力為0.1 MPa的條件下藉由噴淋來噴附20秒鐘，進而藉由具有柔軟的尼龍毛的旋轉刷來摩擦所形成的圖案像，進行殘渣去除。進而，利用超高壓清洗噴嘴以9.8 MPa的壓力噴射超純水而進行殘渣去除。

繼而，於大氣下以13 00mJ/cm² 的曝光量進行後曝光，進而於240℃下進行80分鐘的後烘烤處理，獲得形成有光學濃度為4.0、膜厚為2.0 μm的遮罩層的前面板。

《第一透明膜》對於形成有遮罩層的前面板，與實施例1～實施例11及比較例1～比較例15同樣地製作第一透明膜。

《第一透明電極圖案的形成》 [透明電極層的形成] 將形成有遮罩層及第一透明膜的前面板導入至真空腔室內，使用SnO₂ 含有率為10質量%的ITO靶（銦：錫=95：5（莫耳比）），藉由DC磁控濺鍍（條件：基材的溫度為250℃、氬氣壓為0.13 Pa、氧氣壓為0.01 Pa）來形成厚度為40 nm的ITO薄膜，獲得形成有透明電極層的前面板。ITO薄膜的表面電阻為80 Ω/□。

[蝕刻用感光性膜E1的製備] 於遮罩層形成用感光性膜K1的製備中，將黑色光硬化性樹脂層用塗佈液換成包含下述配方E1的蝕刻用光硬化性樹脂層用塗佈液，除此以外，與遮罩層形成用感光性膜K1的製備同樣地進行，獲得蝕刻用感光性膜E1（蝕刻用光硬化性樹脂層的膜厚為2.0 μm）。

（蝕刻用光硬化性樹脂層用塗佈液：配方E1） ·甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯/甲基丙烯酸共聚物（共聚物組成（質量%）：31/40/29，質量平均分子量為60000，酸值為163 mgKOH/g）：16質量份 ·單體1（商品名：BPE-500，新中村化學工業（股）製造）：5.6質量份 ·六亞甲基二異氰酸酯的四環氧乙烷單甲基丙烯酸酯0.5莫耳加成物：7質量份 ·作為分子中具有一個聚合性基的化合物的環己烷二甲醇單丙烯酸酯：2.8質量份 ·2-氯-N-丁基吖啶：0.42質量份 ·2,2-雙(鄰氯苯基)-4,4',5,5'-四苯基聯咪唑：2.17質量份 ·孔雀綠草酸鹽：0.02質量份 ·隱色結晶紫：0.26質量份 ·吩噻嗪：0.013質量份 ·界面活性劑（商品名：美佳法（Megafac）F-780F，大日本油墨（股）製造）：0.03質量份 ·甲基乙基酮：40質量份 ·1-甲氧基-2-丙醇：20質量份再者，蝕刻用光硬化性樹脂層用塗佈液E1的溶劑去除後的於100℃下的黏度為2500 Pa·sec。

[第一透明電極圖案的形成] 與遮罩層的形成同樣地清洗形成有遮罩層、第一透明膜及透明電極層的前面板，積層去除了蓋膜的蝕刻用感光性膜E1（基材溫度：130℃，橡膠輥溫度為120℃，線壓為100 N/cm，搬送速度為2.2 m/min）。剝離暫時支撐體後，將曝光遮罩（具有透明電極圖案的石英曝光遮罩）面與該蝕刻用光硬化性樹脂層之間的距離設定為200 μm，以50mJ/cm² 的曝光量（i射線）進行圖案曝光。繼而，使用三乙醇胺系顯影液（含有30質量%的三乙醇胺，以純水將商品名：T-PD2（富士膠片（股）製造）稀釋至10倍所得的溶液）於25℃下處理100秒鐘，使用含有界面活性劑的清洗液（以純水將商品名：T-SD3（富士膠片（股）製造）稀釋至10倍所得的溶液）於33℃下處理20秒鐘，利用旋轉刷、超高壓清洗噴嘴進行殘渣去除，進而於130℃下進行30分鐘的後烘烤處理，獲得形成有透明電極層及蝕刻用光硬化性樹脂層圖案的前面板。

將形成有透明電極層及蝕刻用光硬化性樹脂層圖案的前面板浸漬於放入有ITO蝕刻劑（鹽酸、氯化鉀水溶液。液溫為30℃）的蝕刻槽中，處理100秒鐘，將未由蝕刻用光硬化性樹脂層覆蓋的露出區域的透明電極層溶解去除，獲得附有蝕刻用光硬化性樹脂層圖案的帶有透明電極層圖案的前面板。

繼而，將附有蝕刻用光硬化性樹脂層圖案的帶有透明電極層圖案的前面板浸漬於放入有阻劑剝離液（N-甲基-2-吡咯烷酮、單乙醇胺、界面活性劑（商品名：莎菲諾（Surfynol）465，空氣產品（Air Products）製造）液溫為45℃）的阻劑剝離槽中，處理200秒鐘，去除蝕刻用光硬化性樹脂層，獲得形成有遮罩層、第一透明膜及第一透明電極圖案的前面板。

《絕緣層的形成》 [絕緣層形成用感光性膜W1的製備] 於遮罩層形成用感光性膜K1的製備中，將黑色光硬化性樹脂層用塗佈液換成包含下述配方W1的絕緣層用光硬化性樹脂層用塗佈液，除此以外，與遮罩層形成用感光性膜K1的製備同樣地進行，獲得絕緣層形成用感光性膜W1（絕緣層用光硬化性樹脂層的膜厚為1.4 μm）。

（絕緣層形成用塗佈液：配方W1） ·黏合劑3（甲基丙烯酸環己酯（a）/甲基丙烯酸甲酯（b）/甲基丙烯酸共聚物（c）的甲基丙烯酸縮水甘油酯加成物（d）（組成（質量%）：a/b/c/d=46/1/10/43，質量平均分子量：36000，酸值為66 mg KOH/g）的1-甲氧基-2-丙醇、甲基乙基酮溶液（固體成分：45%））：12.5質量份 ·DPHA（二季戊四醇六丙烯酸酯，日本化藥（股）製造）的丙二醇單甲醚乙酸酯溶液（76質量%）：1.4質量份 ·胺基甲酸酯系單體（商品名：NK低聚UA-32P，新中村化學（股）製造：不揮發成分為75%，丙二醇單甲醚乙酸酯：25%）：0.68質量份 ·三季戊四醇八丙烯酸酯（商品名：V#802，大阪有機化學工業（股）製造）：1.8質量份 ·二乙基噻噸酮（diethylthioxanthone）：0.17質量份 ·2-(二甲基胺基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-嗎啉基)苯基]-1-丁酮（商品名：伊魯卡（Irgacure）379，巴斯夫（BASF）製造）：0.17質量份 ·分散劑（商品名：索思帕（Solsperse）20000，奧維斯（Avecia）製造）：0.19質量份 ·界面活性劑（商品名：美佳法（Megafac）F-780F，大日本油墨製）：0.05質量份 ·甲基乙基酮：23.3質量份 ·MMPGAc（大賽璐（Daicel）化學（股）製造）：59.8質量份再者，絕緣層形成用塗佈液W1的溶劑去除後的於100℃下的黏度為4000 Pa·sec。

與遮罩層的形成同樣地清洗帶有遮罩層、第一透明膜及第一透明電極圖案的前面板，進行矽烷偶合處理，積層去除了蓋膜的絕緣層形成用感光性膜W1（基材溫度：100℃，橡膠輥溫度為120℃，線壓為100 N/cm，搬送速度為2.3 m/min）。剝離暫時支撐體後，將曝光遮罩（具有絕緣層用圖案的石英曝光遮罩）面與該蝕刻用光硬化性樹脂層之間的距離設定為100 μm，以30 mJ/cm² 的曝光量（i射線）進行圖案曝光。

繼而，使用三乙醇胺系顯影液（含有30質量%的三乙醇胺，以純水將商品名：T-PD2（富士膠片（股）製造）稀釋至10倍所得的溶液）於33℃下處理60秒鐘，使用碳酸鈉/碳酸氫鈉系顯影液（以純水將商品名：T-CD1（富士膠片（股）製造）稀釋至5倍所得的溶液）於25℃下處理50秒鐘，使用含有界面活性劑的清洗液（以純水將商品名：T-SD3（富士膠片（股）製造）稀釋至10倍所得的溶液）於33℃下處理20秒鐘，利用旋轉刷、超高壓清洗噴嘴進行殘渣去除，進而於230℃下進行60分鐘的後烘烤處理，獲得形成有遮罩層、第一透明膜、第一透明電極圖案及絕緣層圖案的前面板。

《第二透明電極圖案的形成》 [透明電極層的形成] 與第一透明電極圖案的形成同樣地，對形成有遮罩層、第一透明膜、第一透明電極圖案、絕緣層圖案的前面板進行DC磁控濺鍍處理（條件：基材的溫度為50℃、氬氣壓為0.13 Pa、氧氣壓為0.01 Pa），形成厚度為80 nm的ITO薄膜，獲得形成有透明電極層的前面板。ITO薄膜的表面電阻為110 Ω/□。

與第一透明電極圖案的形成同樣地，使用蝕刻用感光性膜E1來獲得形成有遮罩層、第一透明膜、第一透明電極圖案、絕緣層圖案、透明電極層及蝕刻用光硬化性樹脂層圖案的前面板（後烘烤處理；130℃下30分鐘）。進而，與第一透明電極圖案的形成同樣地進行蝕刻（30℃下50秒鐘），去除蝕刻用光硬化性樹脂層（45℃下200秒鐘），藉此獲得形成有遮罩層、第一透明電極圖案、絕緣層圖案及第二透明電極圖案的前面板。

《與第一透明電極圖案及第二透明電極圖案不同的導電性要素的形成》與第一透明電極圖案及第二透明電極圖案的形成同樣地，對形成有遮罩層、第一透明膜、第一透明電極圖案、絕緣層圖案及第二透明電極圖案的前面板進行DC磁控濺鍍處理，獲得形成有厚度為200 nm的鋁（Al）薄膜的前面板。

與第一透明電極圖案及第二透明電極圖案的形成同樣地，使用蝕刻用感光性膜E1來獲得形成有遮罩層、第一透明膜、第一透明電極圖案、絕緣層圖案、第二透明電極圖案及蝕刻用光硬化性樹脂層圖案的前面板。（後烘烤處理；130℃下30分鐘）。進而，與第一透明電極圖案的形成同樣地進行蝕刻（30℃下50秒鐘），去除蝕刻用光硬化性樹脂層（45℃下200秒鐘），藉此獲得形成有遮罩層、第一透明膜、第一透明電極圖案、絕緣層圖案、第二透明電極圖案、以及與第一透明電極圖案及第二透明電極圖案不同的導電性要素的前面板。

《第二透明膜》對於形成有遮罩層、第一透明膜、第一透明電極圖案、絕緣層圖案、第二透明電極圖案、以及與第一透明電極圖案及第二透明電極圖案不同的導電性要素的前面板，與實施例1～實施例11及比較例1～比較例15同樣地製作第二透明膜。

《透明保護層的形成》與絕緣層的形成同樣地，於形成至第二透明膜為止的前面板上積層經去除了蓋膜的絕緣層形成用感光性膜W1，剝離暫時支撐體後，不隔著曝光遮罩而以50 mJ/cm² 的曝光量（i射線）對前表面進行曝光，進行顯影、後曝光（1000 mJ/cm² ）、後烘烤處理，獲得實施例101～實施例111及比較例101～比較例115的靜電電容型輸入裝置（前面板），該些靜電電容型輸入裝置是以覆蓋遮罩層、第一透明膜、第一透明電極圖案、絕緣層圖案、第二透明電極圖案、與第一透明電極圖案及第二透明電極圖案不同的導電性要素以及第二透明膜全部的方式積層絕緣層（透明保護層）而成。

《影像顯示裝置（觸控面板）的製作》於利用日本專利特開2009-47936公報中記載的方法所製造的液晶顯示元件上，貼合上述所製造的實施例101～實施例111及比較例101～比較例115的前面板，利用公知的方法來製作具備靜電電容型輸入裝置作為構成要素的實施例101～實施例111及比較例101～比較例115的影像顯示裝置。

《前面板及影像顯示裝置的評價》實施例101～實施例111的靜電電容型輸入裝置及影像顯示裝置不存在看到透明電極圖案的問題。於上述各步驟中，形成有遮罩層、第一透明膜、第一透明電極圖案、絕緣層圖案、第二透明電極圖案、與第一透明電極圖案及第二透明電極圖案不同的導電性要素以及第二透明膜的前面板1的開口部及背面並無污染，清洗容易，且不存在其他構件的污染問題。另外，遮罩層中並無針孔（pin hole），光遮蔽性優異。而且，第一透明電極圖案、第二透明電極圖案及與該等不同的導電性要素各自的導電性不存在問題，另一方面，第一透明電極圖案與第二透明電極圖案之間具有絕緣性。進而，透明保護層中亦無氣泡等缺陷，可獲得顯示特性優異的影像顯示裝置。

1‧‧‧透明基板（前面板）
2‧‧‧遮罩層
3‧‧‧透明電極圖案（第一透明電極圖案）
3a‧‧‧墊部分
3b‧‧‧連接部分
4‧‧‧透明電極圖案（第二透明電極圖案）
5‧‧‧絕緣層
6‧‧‧導電性要素
7‧‧‧透明保護層
8‧‧‧開口部
10‧‧‧靜電電容型輸入裝置
11‧‧‧第一透明膜
12‧‧‧第二透明膜
13‧‧‧透明積層體
21‧‧‧依序積層有透明基板、折射率為1.6～1.78且膜厚為55 nm～110 nm的第一透明膜、透明電極圖案、及折射率為1.6～1.78且膜厚為55 nm～110 nm的第二透明膜的區域
22‧‧‧非圖案區域
α‧‧‧錐角

圖1A為表示本發明的靜電電容型輸入裝置的構成的一例的剖面概略圖。圖1B為表示本發明的靜電電容型輸入裝置的構成的另一例的剖面概略圖。圖2為表示本發明的前面板的一例的說明圖。圖3為表示本發明的透明電極圖案與非圖案區域的關係的一例的說明圖。圖4為表示形成有開口部的強化處理玻璃的一例的俯視圖。圖5為形成有遮罩層的前面板的一例的俯視圖。圖6為表示形成有第一透明電極圖案的前面板的一例的俯視圖。圖7為表示形成有第一透明電極圖案及第二透明電極圖案的前面板的一例的俯視圖。圖8為表現形成有與第一透明電極圖案及第二透明電極圖案不同的導電性要素的前面板的一例的俯視圖。圖9為表示金屬奈米線剖面的說明圖。圖10為表示透明電極圖案的端部的錐形狀的一例的說明圖。圖11為表示本發明的透明積層體的構成的一例的剖面概略圖。

1‧‧‧透明基板(前面板)

4‧‧‧透明電極圖案(第二透明電極圖案)

7‧‧‧透明保護層

11‧‧‧第一透明膜

12‧‧‧第二透明膜

13‧‧‧通明積層體

21‧‧‧依序積層有透明基板、折射率為1.6~1.78且膜厚為55nm~110nm的第一透明膜、透明電極圖案、及折射率為1.6~1.78且膜厚為55nm~110nm的第二透明膜的區域

22‧‧‧非圖案區域

Claims

一種透明積層體，於面內含有依序積層有下述構件的區域：透明基板；第一透明膜，含有金屬氧化物且膜厚為55 nm～110 nm；透明電極圖案；以及第二透明膜，含有5質量%～80質量%的金屬氧化物粒子且膜厚為55 nm～110 nm。
如申請專利範圍第1項所述的透明積層體，其中上述第一透明膜含有5質量%～80質量%的金屬氧化物粒子作為上述金屬氧化物。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明積層體，其中上述金屬氧化物粒子為氧化鈦、鈦複合氧化物、氧化鋅、氧化鋯、銦/錫氧化物及銻/錫氧化物中的任一種或兩種以上。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明積層體，其中上述金屬氧化物粒子的平均一次粒徑為3 nm～80 nm。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明積層體，其中藉由上述第一透明膜及上述第二透明膜將上述透明電極圖案及未形成上述透明電極圖案的非圖案區域兩者連續地直接被覆，或經由其他層而被覆。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明積層體，其中上述第一透明膜及上述透明電極圖案相互鄰接。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明積層體，其中上述透明電極圖案及上述第二透明膜相互鄰接。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明積層體，其於面內含有下述區域：於未形成上述透明電極圖案的非圖案區域的至少一部分上，依序積層有上述透明基板、上述第一透明膜及上述第二透明膜的區域。
如申請專利範圍第8項所述的透明積層體，其中於依序積層有上述透明基板、上述第一透明膜及上述第二透明膜的區域中，上述第一透明膜及上述第二透明膜相互鄰接。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明積層體，其中於上述第二透明膜的與形成有上述透明電極圖案的表面為相反側的表面上，更形成有折射率為1.5～1.55的透明保護膜。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明積層體，其中上述第一透明膜與第二透明膜是藉由相同的材料所構成。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明積層體，其中上述透明基板是折射率為1.5～1.55的玻璃基板。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明積層體，其中上述透明電極圖案是折射率為1.75～2.1的ITO膜。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明積層體，其中上述第一透明膜及上述第二透明膜的至少一者為透明樹脂膜。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明積層體，其中上述第一透明膜含有40.0質量%～80質量%的金屬氧化物粒子作為上述金屬氧化物，上述金屬氧化物粒子為氧化鋯。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明積層體，其中上述第一透明膜含有40.0質量%～70質量%的金屬氧化物粒子作為上述金屬氧化物，上述金屬氧化物粒子為氧化鋯。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明積層體，其中上述第二透明膜含有40.0質量%～80質量%的上述金屬氧化物粒子，上述金屬氧化物粒子為氧化鋯。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明積層體，其中上述第二透明膜含有40.0質量%～70質量%的上述金屬氧化物粒子，上述金屬氧化物粒子為氧化鋯。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明積層體，其中上述第一透明膜及上述第二透明膜的至少一者是將形成於暫時支撐體上的透明硬化性樹脂膜轉印至上述透明基板上製膜而成。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明積層體，其中上述第一透明膜及上述第二透明膜的至少一者是藉由濺鍍所形成。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明積層體，其中上述第一透明膜及上述第二透明膜的至少一者是藉由濺鍍所形成的SiO₂ 與Nb₂ O₅ 的混合膜。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明積層體，其中上述透明電極圖案的端部具有30°以下的錐形狀。
如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明積層體，其中於上述透明基板及上述第一透明膜之間，含有折射率為1.5～1.52的第三透明膜。
一種靜電電容型輸入裝置，其特徵在於具有如申請專利範圍第1項或第2項所述的透明積層體。
一種影像顯示裝置，其特徵在於具備如申請專利範圍第24項所述的靜電電容型輸入裝置作為構成要素。