KR101645838B1 - 산화물 소결체 및 그것을 이용한 배선 기판 - Google Patents

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Abstract

도전율이 높고, 또한 B상수(온도계수)가 작으며, 도전성 재료로서 적합한 산화물 소결체 및 그것을 이용한 배선 기판을 제공한다. 조성식: REaCobNicOx(단, RE는 희토류 원소를 나타내고, a+b+c=1, 1.3≤x≤1.7)으로 나타내어지며, 페로브스카이트형 산화물 결정구조를 가지는 페로브스카이트상을 포함하고, 상기 a, b, c가 하기 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 산화물 소결체이다. 0.459≤a≤0.535, 0.200≤b≤0.475, 0.025≤c≤0.300

Description

산화물 소결체 및 그것을 이용한 배선 기판{SINTERED OXIDE COMPACT AND CIRCUIT BOARD USING SAME}
본 발명은 페로브스카이트상(perovskite phase)을 포함하는 산화물 소결체 및 그것을 이용한 배선 기판에 관한 것이다.
세라믹 제품의 대부분은 기능 및 구조 부재인 세라믹부와, 금속으로 이루어지는 전극부로 구성되어 있다. 이와 같은 세라믹 제품과 전극부의 조합으로서는, 예를 들면, 적층 세라믹 콘덴서(Ni, Pd, Pt전극), LTCC 부품(Ag, Cu, Ag-Pd전극), 피에조 엑추에이터(Pd전극), 반도체 패키지(W전극), 스파크 플러그(Ir, Pt전극) 등을 들 수 있다.
그러나, Ni, Cu, W은 세라믹부와 함께 소성할 때에 분위기 제어가 필요하기 때문에, 세라믹부 본래의 성능을 발휘하기 어려워진다. 또, 제조 비용이 높아진다고 하는 문제가 있다. 한편, Ag는 융점이 낮기(962℃) 때문에 적용하는 세라믹이 제한되며, 또한, 저온으로 소성하기 때문에 세라믹의 특성이 저하되는 일이 있다. 또, Pd, Ir, Pt라고 하는 귀금속 재료는 고가이기 때문에, 큰 면적을 필요로 하는 전극에는 적용하기 어렵다.
한편, 세라믹부에 이용하는 산화물로서, 상온에서의 저항값이 높고, 온도의 상승과 함께 저항값이 감소하는 마이너스의 저항온도특성을 가지는 란탄 코발트계 산화물이 알려져 있다(특허문헌 1, 2). 또, 특허문헌 2의 도전성 산화물은 실온 부근에서의 저항값이 높고, 게다가 B상수의 구배가 작으며, 또 고온에서의 B상수의 구배가 크다고 하는 특성을 가지고 있다.
특허문헌 1: 일본국 특허 제3286906호 공보 특허문헌 2: 일본국 특개2002-87882호 공보
그런데, 세라믹 제품의 전극부를 금속으로 형성하면 상술과 같은 여러 가지의 문제가 발생하기 때문에, 본 발명자는 전극부를 산화물(세라믹)로 치환하는 것을 검토했다. 그러나, 종래의 산화물은 금속에 비하면 도전율이 낮고, 또한 B상수(온도계수)가 크기 때문에, 금속으로 대체하는 것은 곤란했다. 또한, 도전율이 큰 산화물로서, 루테늄계 산화물(RuO2, SrRuO3 등)이 알려져 있지만, Ru이 고가라고 하는 문제가 있다.
그래서, 본 발명은 도전율이 높고, 또한 B상수(온도계수)가 작으며, 도전성 재료로서 적합한 산화물 소결체 및 그것을 이용한 배선 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 산화물 소결체는, 조성식: REaCobNicOx(단, RE는 희토류 원소를 나타내고, a+b+c=1, 1.3≤x≤1.7)로 나타내어지며, 페로브스카이트형 산화물 결정구조를 가지는 페로브스카이트상을 포함하고, 상기 a, b, c가 하기 관계를 만족하는 것을 특징으로 한다.
0.459≤a≤0.535,
0.200≤b≤0.475,
0.025≤c≤0.300
이와 같은 산화물 소결체에 따르면, 3가의 Co와 2가의 Ni의 구성비율을 변화시키는 것에 의해, 도전율 및 B상수(도전율의 온도계수)를 제어하는 것이 가능하게 되고, 상기 a, b, c를 상기의 범위 내로 설정함으로써, 도전율을 높게, 또한, B상수(온도계수)를 작게 제어하는 것이 가능하게 된다. 그리고, 상기 조성식으로 하는 것에 의해, 산화물 소결체의 직류 4단자법으로 측정한 25℃에 있어서의 도전율이 3.0S/㎝ 이상으로 되고, 또한 25℃∼870℃에 있어서의 B상수(도전율의 온도계수)가 2500K 이하로 되어, 도전성 재료로서 적합한 특성이 얻어진다. 또한, 상기 a, b, c를 상기의 범위 내로 설정함으로써, 실온에서 1000℃까지 변화시켰을 때의 열팽창 계수를 2.0×10-5K-1 이하로 작게 할 수 있으며, 이 산화물 소결체를 도전성 재료로서 기체(基體)나 기판에 형성함에 있어서, 기체나 기판을 구성하는 재질과의 열팽창 계수의 조정이 용이하게 된다고 하는 이점이 얻어지며, 또, 고온 환경하의 사용에 적합한 산화물 소결체를 얻을 수 있다.
RE는, La인 것이 바람직하다.
이 구성에 따르면, 효과적으로 도전율이 크고, 또한, B상수가 작은 산화물 소결체가 얻어진다.
상기 a, b, c가 하기 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
0.474≤a≤0.524,
0.200≤b≤0.475,
0.025≤c≤0.300
이 구성에 따르면, 더욱 치밀한 조직을 가지는 산화물 소결체가 얻어진다.
RE는, La인 것과 아울러, 상기 b, c가 하기 관계를 만족하는 것이 바람직하다.
0.200≤b≤0.375,
0.125≤c≤0.300
이와 같은 산화물 소결체에 따르면, 25℃에서의 도전율이 250S/㎝ 이상, 또한 B상수가 600K 이하로 되어, 도전율이 더욱더 높아지고, 또한 B상수가 더욱더 작아진다. 또, 이와 같은 산화물 소결체에 따르면, 열팽창 계수를 1.6×10-5K-1 이하로 더욱더 작게 할 수 있다.
상기 페로브스카이트상에 더불어서, RE4Co3O10 또는 RE4Ni3O10을 더 포함하는 것이 바람직하다.
이와 같은 산화물 소결체에 따르면, 25℃에서의 도전율이 250S/㎝ 이상, 또한 B상수가 600K 이하로 되어, 도전율이 더욱더 높아지고, 또한 B상수가 더욱더 작아진다.
또, 본 발명의 산화물 소결체는, 알칼리토류 금속 원소를 실질적으로 무함유로 하는 것이 바람직하다. 알칼리토류 금속 원소를 실질적으로 무함유로 하는 것에 의해, 고온 환경하(예를 들면, 500℃ 이상)의 온도영역에 있어서도 산화물 소결체 자신의 중량 변화, 즉 산소 흡방출이 발생하기 어려워져, 도전율이나 B상수의 변화가 발생하기 어려워진다. 이에 따라, 고온 환경하에서 사용하는 도전성 재료로서 적합한 산화물 소결체가 얻어진다.
본 발명의 배선 기판은 세라믹 기판의 표면에, 상기 산화물 소결체를 도전체층으로서 형성하여 이루어진다. 이에 따라, 귀금속 재료를 이용하는 일없이, 도전성이 우수한 도전체층을 세라믹 기판의 표면에 형성한 배선 기판을 제공할 수 있다.
본 발명에 따르면, 도전율이 높고, 또한 B상수(온도계수)가 작으며, 도전성 재료(도전체)로서 적합한 산화물 소결체 및 그것을 이용한 배선 기판이 얻어진다.
도 1은 각 실시예 및 비교예 1의 도전율과 온도의 관계를 나타내는 도면이다.
도 2는 실시예 7의 XRD차트를 나타내는 도면이다.
도 3은 비교예 1의 XRD차트를 나타내는 도면이다.
도 4는 비교예 4의 XRD차트를 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다.
본 발명의 실시형태에 관련되는 산화물 소결체는, 조성식: REaCobNicOx(단, RE는 희토류 원소를 나타내고, a+b+c=1, 1.3≤x≤1.7)로 나타내어지며, 페로브스카이트형 산화물 결정구조를 가지는 페로브스카이트상을 포함하고, 또한 a, b, c가 0.459≤a≤0.535, 0.200≤b≤0.475, 0.025≤c≤0.300의 관계를 만족한다.
여기서, a가 0.459 미만이던지(즉, RE의 비율이 너무 적거나), 또는 a가 0.535를 초과할(즉, RE의 비율이 너무 많은) 경우, 산화물 소결체의 소결성에 뒤떨어진다.
또, c가 0.025 미만인(즉, Ni의 비율이 너무 적은) 경우, 25℃에 있어서의 도전율이 3.0S/㎝ 미만으로 되고, 또한 B상수가 2500K를 초과하여 도전성 재료로서 적합하지 않다. 한편, c가 0.300을 초과할(즉, Ni의 비율이 너무 많은) 경우, 산화물 소결체의 소결성에 뒤떨어진다.
b가 0.200 미만이던지(즉, Co의 비율이 너무 적거나), 또는 b가 0.475를 초과할(즉, Co의 비율이 너무 많은) 경우, 다른 원소의 비율이 상기 범위를 벗어나서, 도전성 재료로서 적합하지 않던지, 또는 산화물 소결체의 소결성에 뒤떨어진다.
또한, 본 발명의 실시형태에 관련되는 산화물 소결체가 모두 페로브스카이트상으로 이루어지는 경우에는, 이론상은 x=1.5가 되지만, 산소가 양론 조성으로부터 벗어나는 일이 있기 때문에, 1.3≤x≤1.7으로 규정하고 있다.
RE(희토류 원소)로서는, 주기표의 3족 원소 중에서 선택되는 적어도 1종이 채용되면 좋으며, 그 중에서도 La, Pr, Ce 및 Gd에서 선택되는 1종 이상을 이용하는 것이 도전율 및 B상수의 제어에 적합하고, 특히 La을 이용하면 도전율을 효과적으로 크게, 또한, B상수를 작게 제어할 수 있으므로 바람직하다.
또한, 본 발명의 실시형태에 관련되는 산화물 소결체는, 상기 페로브스카이트상을 포함하고 있으면 좋으며, 페로브스카이트상의 함유 비율은 특별히 한정되지 않는다. 여기서, 산화물 소결체의 분말 X선 회절(XRD) 측정에 의해, REㆍMO3(단, M은 Co 또는 Ni)의 3원계 산화물의 피크가 검출된 경우, 산화물 소결체가 페로브스카이트상을 포함하고 있는 것으로 간주한다(도 2∼도 4 참조). 산화물 소결체 속에 상기 페로브스카이트상을 50질량% 이상 포함하고 있으면 바람직하다.
또한, a, b, c가 0.474≤a≤0.524, 0.200≤b≤0.475, 0.025≤c≤0.300의 관계를 만족하면, 산화물 소결체가 더욱 치밀한 조직이 되므로 바람직하다.
특히, RE(희토류 원소)로서 La를 이용하면서, b, c가 0.200≤b≤0.375, 0.125≤c≤0.300의 관계를 만족하면, 25℃에서의 도전율이 250S/㎝ 이상, 또한 B상수가 600K 이하로 되어, 도전율이 더욱더 높아지고, 또한 B상수가 더욱더 작아지므로 바람직하다. 또, b, c의 몰비가 이 범위에 있으면, 산화물 소결체는 상기 페로브스카이트상에 더불어서, RE4Co3O10 또는 RE4Ni3O10을 더 포함하는 경향이 있다. 또한, 산화물 소결체의 분말 X선 회절(XRD) 측정에 의해, RE4Co3O10 또는 RE4Ni3O10의 피크가 검출된 경우, 산화물 소결체가 이들을 포함하고 있는 것으로 간주한다(도 2∼도 4 참조).
또, 본 발명의 실시형태에 관련되는 산화물 소결체는, 도전성에 영향을 주지 않는 범위에서 극미량의 알칼리토류 금속 원소를 함유하는 것을 배제하는 것은 아니지만, 알칼리토류 금속 원소를 실질적으로 무함유로 하는 것이 바람직하다. 실온에서 900℃근방까지의 온도영역에 있어서 산화물 소결체가 노출된 경우에도, 해당 소결체의 중량 변화, 즉 산소 흡방출이 발생하기 어려워진다. 이에 따라, 고온 환경하에서 사용하는 도전성 재료로서 적합한 산화물 소결체가 얻어진다. 또한, 본 발명에 있어서, 「알칼리토류 금속 원소를 실질적으로 무함유」란, 형광 X선 분석(XRF)에 의해서도 알칼리토류 금속 원소가 검출 내지 동정할 수 없는 것을 의미하는 것이다.
본 발명의 실시형태에 관련되는 산화물 소결체는, 원료 분말과 유기 바인더 등을 혼합한 슬러리를, 대기 분위기하 또는 산소 분위기하에서, 예를 들면 1250∼1450℃에서 1∼5시간 소성하여 제조할 수 있다. 소성온도가 1250℃ 미만이면, 치밀화하지 않을 수 있기 때문에, 원하는 도전율 및 B상수를 얻지 못할 수 있다. 소성온도가 1450℃를 초과하면, 과소결이 되어 치밀성이 저하되기 때문에, 원하는 도전율 및 B상수를 얻지 못할 수 있다.
본 발명의 실시형태에 관련되는 산화물 소결체는, 예를 들면, 각종 전극 재료, 전기 배선 재료, 열전 재료, 히터 재료, 온도 검지용 소자 등에, 금속의 대체로서 이용할 수 있다. 또, 본 발명의 실시형태에 관련되는 산화물 소결체는, 저항체 소자 등에 이용할 수도 있다.
본 발명의 실시형태에 관련되는 배선 기판은, 세라믹 기판의 표면에, 상기한 도전성 산화물 소결체를 도전체층으로서 형성하여 이루어진다. 세라믹 기판으로서는 알루미나, 지르코니아, 질화규소 등의 세라믹체를 이용할 수 있다.
본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 사상과 범위에 포함되는 여러 가지 변형 및 균등물에 이르는 것은 말할 필요도 없다.
<실시예>
우선, 원료 분말로서 REOH3 또는 RE2O3, Co3O4 및 NiO(RE는 표 1에 나타내는 희토류 원소이며, 모두 순도 99% 이상의 시판품을 이용했다.)를 이용하고, 표 1에 나타내는 조성의 REaCobNicOx가 되도록, 이들 원료 분말을 각각 칭량한 후, 습식 혼합하여 건조함으로써, 원료 분말 혼합물을 조제했다. 또한, 원료 분말 혼합물의 조제에 있어서, 알칼리토류 금속 원소에 대한 첨가는 실시하고 있지 않은 것으로 한다. 이어서, 상기 원료 분말 혼합물을 대기 분위기하, 1000∼1200℃에서 1∼5시간 가소(假燒)하여 가소 분말을 얻었다. 다음에, 상기 가소 분말과 적당량의 유기 바인더를 가하고, 이것을 분산매인 에탄올과 함께 수지 포트에 투입하여, 지르코니아 옥석을 이용해서 습식 혼합 분쇄하여 슬러리를 얻었다. 얻어진 슬러리를 80℃에서 2시간 정도 건조하고, 또한, 250㎛ 메시체를 통하여 조립(造粒)해서, 조립 분말을 얻었다.
이어서, 얻어진 조립 분말을 프레스기(성형압력; 98㎫)에 의해서, 4.0㎜×4.0㎜×높이 20㎜의 각기둥 형상의 성형체로 성형하고, 그 후, 대기 분위기하, 1250∼1450℃의 온도에서 1∼5시간 소성했다. 또한 얻어진 소결체를 평면 연마하고, 3.0㎜×3.0㎜×높이 15㎜의 산화물 소결체를 얻었다.
얻어진 각 산화물 소결체에 대해서, 직류 4단자법에 의해 도전율을 측정했다. 측정에 이용하는 전극 및 전극선에는 Pt를 이용했다. 또 도전율 측정은 전압ㆍ전류 발생기(에이디시사제의 모니터6242형)를 이용했다.
상기 방법으로 측정한 25℃와 870℃의 도전율로부터, 하기 (1)식에 의해 B상수(K)를 산출했다.
B상수=ln(ρ1/ρ2)/(1/T1-1/T2)ㆍㆍㆍ(1)
ρ1=1/σ1
ρ2=1/σ2
ρ1: 절대온도 T1(K)에 있어서의 저항률(Ω㎝)
ρ2: 절대온도 T2(K)에 있어서의 저항률(Ω㎝)
σ1: 절대온도 T1(K)에 있어서의 도전율(S/㎝)
σ2: 절대온도 T2(K)에 있어서의 도전율(S/㎝)
T1=298.15(K)
T2=1143.15(K)
또, 얻어진 각 산화물 소결체를 분쇄하여 분말로 하고, 분말 X선 회절(XRD) 측정을 실시하여, 결정상의 동정을 실시했다. 측정 조건은 이하와 같다.
측정장치: 리가쿠사제 RINT-TTR-3(고니오 반경 285㎜)
광학계: 집중형 광학계 브래그-브렌타노형
X선 출력: 50㎸-300㎃
그 밖의 조건; 발산 SLIT: 1/3°, 발산 세로 제한 SLIT: 10㎜, 산란 SLIT: 1/3°, 수광 SLIT: 0.3㎜, 주사모드: FT, 계수 시간: 2.0sec, 스텝폭: 0.0200°, 주사축: 2θ/θ, 주사 범위: 20.00°∼120.00°, 회전: 있음
또한, 얻어진 각 산화물 소결체에 대해, JIS-R-1634에 의거하여 소결성을 평가했다. 구체적으로는, 우선 시료의 건조 중량(W1), 포수(飽水) 중량(W3)을 측정하고, 이들의 값과 이하의 식 (2)를 이용하여, 흡수율을 산출했다.
흡수율(%)=(W3-W1)/W1×100ㆍㆍㆍ(2)
그리고 이하의 기준으로 평가했다.
×: 흡수율이 0.10wt%를 초과한 경우
△: 흡수율이 0.05wt% 이상 0.10wt% 이하인 경우
○: 흡수율이 0.05wt% 미만인 경우
또한, 흡수율의 평가 결과가 △, ○이면, 산화물 소결체가 치밀한 조직을 가지는 양호한 소결성을 나타내며, 해당 소결체를 도전체로서 이용하는 것에 실용상 문제는 없다.
또, 얻어진 각 산화물 소결체에 대해, 실온에서 1000℃로 변화시켰을 때의 열팽창 계수의 측정을 실시했다. 측정 조건은, 이하와 같다.
측정장치: 리가쿠사제 T㎃8310
표준시료: SiO2
측정 분위기: 대기 분위기
승온 속도: 10.0℃/min
얻어진 결과를 표 1, 도 1∼도 4에 나타낸다. 또한, 표 1에는 기재하고 있지 않지만, 얻어진 각 산화물 소결체에 대해서, 별도로 형광 X선 회절(XRF) 측정을 실시한 결과, 어느 것에 대해서도 알칼리토류 금속 원소는 검출되지 않았다.
Figure 112014094967510-pct00001
표 1, 도 1로부터 명백한 바와 같이, 조성식: REaCobNicOx로 나타내어지고, a, b, c가 0.459≤a≤0.535, 0.200≤b≤0.475, 0.025≤c≤0.300의 관계를 만족하는 각 실시예의 경우, 페로브스카이트상을 포함하며, 25℃에 있어서의 도전율이 3.0S/㎝ 이상으로 되고, 또한 25℃∼870℃에 있어서의 B상수(도전율의 온도계수)가 2500K 이하로 되어, 도전성 재료로서 적합한 특성이 얻어졌다.
또한, RE가 동일(La)의 실시예 1∼14에 있어서, b, c가 0.200≤b≤0.375, 0.125≤c≤0.300의 관계를 만족하는 실시예 4∼14의 경우, 25℃에서의 도전율이 250S/㎝ 이상, 또한 B상수가 600K 이하로 되어, 이들 관계를 만족하지 않는 실시예 1∼3에 비하여 도전율이 더욱더 높아짐과 아울러 B상수가 더욱더 작아졌다. 또, b, c의 몰비가 이 범위에 있는 실시예 4∼16의 경우, 산화물 소결체는 페로브스카이트상에 더불어서, RE4Co3O10 또는 RE4Ni3O10을 더 포함하는 것을 알 수 있었다.
또, RE가 다른 것 이외에, 구성원소의 몰비(a, b, c의 비)가 동일한 실시예 7, 15, 16에 있어서, RE가 La인 실시예 7의 도전율이 가장 높고, 또한 B상수가 가장 작아졌다. 이것으로부터, RE로서 La이 바람직한 것을 알 수 있다.
한편, c가 0.025 미만인(즉, Ni의 비율이 너무 적은) 비교예 1, 7의 경우, 25℃에 있어서의 도전율이 3.0S/㎝ 미만으로 되고, 또한 B상수가 2500K를 초과하여, 도전성 재료로서 사용이 곤란하다는 것을 알았다. 또한, 비교예 7은 상기 특허문헌 2의 조성을 재현한 것이다.
c가 0.300을 초과한(즉, Ni의 비율이 너무 많은) 비교예 2∼4의 경우, 산화물 소결체가 비교적 큰 흡수(吸水)를 발생하여, 소결성에 뒤떨어졌다.
a가 0.459 미만인(즉, RE의 비율이 너무 적은) 비교예 5의 경우, 및 a가 0.535를 초과한(즉, RE의 비율이 너무 많은) 비교예 6의 경우도, 산화물 소결체가 비교적 큰 흡수를 발생하여, 소결성에 뒤떨어졌다.
또한, 도 1은 실시예 1∼3, 실시예 5∼7 및 비교예 1의 도전율과 온도의 관계를 나타낸다. 도 1로부터 명백한 바와 같이, 실시예 1∼7은 비교예 1에 비하여 저온에서도 도전율이 높고, 도전율의 온도변화(즉, B상수)가 작은 것을 알 수 있다. 또한, b, c가 0.200≤b≤0.375, 0.125≤c≤0.300의 관계를 만족하는 실시예 5∼7의 경우, 실시예 1∼3에 비하여 저온에서도 도전율이 더욱더 높고, B상수가 더욱더 작은 것을 알 수 있다.
또, 도 2∼도 4는 각각 실시예 7, 비교예 1, 비교예 4의 XRD차트를 나타낸다. 실시예 7 및 비교예 1(도 2, 도 3)의 경우, REㆍMO3(단, M은 Co 또는 Ni)의 3원계 산화물의 피크가 검출되어, 산화물 소결체가 페로브스카이트상을 포함하고 있는 것을 알 수 있다. 한편, 비교예 4(도 4)의 경우, REㆍMO3의 3원계 산화물의 피크가 검출되지 않았다. 또한, 실시예 7의 경우, REㆍMO3의 3원계 산화물의 피크에 더불어서, RE(La)4Co3O10의 피크도 검출되었다.

Claims (8)

  1. 조성식: REaCobNicOx(단, RE는 희토류 원소를 나타내고, a+b+c=1, 1.3≤x≤1.7)으로 나타내어지며, 페로브스카이트형 산화물 결정구조를 가지는 페로브스카이트상을 포함하고, 상기 a, b, c가 하기 관계를 만족하며,
    상기 페로브스카이트상에 더불어서, RE4Co3O10 또는 RE4Ni3O10을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 소결체.
    0.474≤a≤0.524,
    0.200≤b≤0.475,
    0.025≤c≤0.300
  2. 청구항 1에 있어서,
    RE는, La인 것을 특징으로 하는 산화물 소결체.
  3. 청구항 1에 있어서,
    RE는, La인 것과 아울러, 상기 b, c가 하기 관계를 만족하는 것을 특징으로 하는 산화물 소결체.
    0.200≤b≤0.375,
    0.125≤c≤0.300
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    알칼리토류 금속 원소를 실질적으로 무함유로 하는 것을 특징으로 하는 산화물 소결체.
  5. 절연 기판의 표면에, 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 산화물 소결체를 도전체층으로서 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
  6. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    대기 분위기하 또는 산소 분위기하에서, 1250∼1450℃에서 1∼5시간 소성하여 얻어진 것을 특징으로 하는 산화물 소결체.
  7. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 산화물 소결체로 형성되는 것을 특징으로 하는 도전체.
  8. 절연 기판의 표면에, 도전체층을 형성하여 이루어지는 배선 기판으로서,
    상기 도전체층은, 조성식: REaCobNicOx(단, RE는 희토류 원소를 나타내고, a+b+c=1, 1.3≤x≤1.7)으로 나타내어지며, 페로브스카이트형 산화물 결정구조를 가지는 페로브스카이트상을 포함하고, 상기 a, b, c가 하기 관계를 만족하는 산화물 소결체로 구성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 배선 기판.
    0.459≤a≤0.535,
    0.200≤b≤0.475,
    0.025≤c≤0.300
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