KR101447475B1 - 인듐 조성물 - Google Patents

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에디트 스조크스
펠릭스 제이. 슈베게르
토마스 게스케
나다니엘 이. 브레세
마이클 피. 토벤
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롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨
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Abstract

수소 억제 화합물을 포함하는 인듐 조성물 및 상기 조성물로부터 인듐 금속을 기판상에 전기화학적으로 증착시키는 방법이 개시된다. 상기 인듐 조성물로 제조된 물품 또한 개시된다.
인듐 조성물

Description

인듐 조성물{INDIUM COMPOSITIONS}
본 발명은 인듐 금속 및 인듐 합금의 전기화학적 증착용 인듐 조성물에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 인듐 금속 및 인듐 합금의 전기화학적 증착을 위한 하나 이상의 수소 억제 화합물을 포함하는 인듐 조성물에 관한 것이다.
인듐 금속의 전기화학적 증착은 인듐 금속 증착과 동시에 물의 전기분해로 인해 수소가 발생하기 때문에 어렵다. 수소의 발생은 음극 전류 효율을 떨어뜨리고, 그 결과 낮은 인듐 금속 증착율 및 바람직하지 않은 거칠고 분말상의 인듐 금속 증착물, 또는 인듐 증착이 되지 않게 한다.
그러나, 인듐은 이것의 독특한 물리적 특성 때문에 수많은 산업분야에서 매우 바람직한 금속이다. 예를 들면, 이것은 쉽게 변형이 가능하고 두 조립 부품 사이의 미세구조를 채울 수 있을 만큼 충분히 유연하고, 낮은 녹는점(156℃) 및 높은 열 전도율(~82W/m°K)를 갖는다. 이러한 특성이 인듐을 전자공학 및 관련 산업분야에서 다양한 용도로 쓰일 수 있도록 한다.
예를 들면, 인듐과 이의 합금은 열전달물질(TIM, Thermal Interface Material)로써 사용될 수 있다. TIM은 집적회로(IC) 및 예로, 마이크로프로세서 같 은 활성 반도체 장치를 이들의 작동온도 한계를 초과하는 열로부터 보호하는데 결정적인 역할을 한다. 이들은 열 발생장치(예로, 실리콘 반도체)가 히트싱크(heat sink) 또는 히트 스프레더(heat spreader)(예로, 구리 및 알루미늄 구성성분)에 과도한 열 장벽(thermal barrier) 발생 없이 결합될 수 있게 해준다. TIM은 또한 전체 열 임피던스 경로를 구성하는 히트싱크 또는 히트 스프레더 스택(stack)의 다른 구성성분의 조립에도 사용될 수 있다.
효율적인 열 경로의 형성은 TIM의 중요한 특성이다. 열 경로는 TIM을 통한 효율적인 열 전도율이라고 기술될 수 있다. TIM의 효율적인 열 전도율은 주로 TIM의 (내재적인) 벌크 열 전도율뿐만 아니라 TIM과 히트 스프레더 열 전도율간의 인터페이스의 무결성(integrity)에 주로 기인한다. 특정 적용에 따라 다양한 다른 특성 또한 TIM에 있어 중요한데, 예를 들면 다음과 같은 것이 있다: 두 물질을 결합할 때 열 팽창 스트레스를 완화할 수 있는 능력("컴플라이언스(compliance)"라고도 언급한다), 열 순환 동안 안정한 기계적으로 견고한 조인트를 형성할 수 있는 능력, 습기 및 온도 변화에 대한 민감성이 없는 것, 제조 가능성 및 단가.
여러 클래스의 물질이 TIM으로써 사용되고 있는데, 예를 들면, 써멀 그리스(thermal grease), 써멀 겔(thermal gel), 접착제, 탄성체, 써멀 패드(thermal pad) 및 상변화 물질 등이 있다. 비록 종래의 TIM이 많은 반도체 장치에 있어 적절하였지만, 반도체 장치의 성능(performance) 향상은 이러한 TIM을 부적절하게 만들었다. 현재의 많은 TIM의 열 전도율이 5 W/m°K를 초과하지 않고 많은 것들이 1W/m°K 미만이다. 그러나, 15 W/m°K를 초과하는 효율적인 열 전도율을 갖는 써멀 인 터페이스를 형성하는 TIM이 현재 필요하다.
종래의 TIM에 대한 대안은 낮은 녹는점과 높은 열 전도율을 갖는 금속, 솔더(solder) 및 이들의 합금이다. 인듐 같은 금속 TIM은 또한 적합한 솔더 또는 낮은 열 전달 저항을 촉진하는 리플로(reflow)에 대한 젖음거동(wetting behavior)을 나타낸다. 리플로 동안 솔더 및 기판이 가열되고, 솔더가 표면장력 및 국소 표면 합금화에 의하여 녹고 덮게 된다. 중간금속 또는 내부확산(interdiffused) 금속으로 구성된 인터페이스는 벌크 TIM 금속의 인터페이스보다는 자주 덜 바람직하지만 폴리머계 TIM보다는 좋은 열 특성을 갖는다. 많은 경우에서 금속성 TIM은 믿을만한 써멀 인터페이스를 형성하기 위하여 리플로를 겪게 된다. 그러나, 금속성 TIM은 특정 적용에서는 사용될 수 없는데 이는 TIM과 반도체와 히트싱크 구성성분의 열팽창계수(CTE, coefficient of thermal expansion)간의 비교적 큰 차이와 컴플라이언스의 결여에 기인한다. 인듐 금속은 적어도 TIM으로써의 사용에 매우 바람직한 낮은 녹는점과 열 전도율을 갖는다.
TIM용 인듐의 예가 미합중국 등록특허 제6,653,741호(Sreeram 등)에 개시되어 있다. 인듐은 솔더를 위한 바인더 물질로써 사용된다. 상기 특허에 기재된 솔더 물질은 도금(plating)에는 적합하지 않은데 이는 내재적 산소 게터(getter) 구성성분이 일반적으로 수성 도금과는 양립 불가능하기 때문이다. 게다가, 솔더 페이스트는 일반적으로 솔더계 TIM의 열 성능을 떨어뜨릴 수 있는 오염물질을 높은 수준으로 포함한다.
인듐 사용의 다른 예는 표면층(top layer)으로서 사용과 전기 장치에서 주석 및 주석 합금으로부터 위스커(whisker)의 형성을 막기 위하여 하부층(under layer)으로서의 사용이다. 이러한 것은 미합중국 등록특허 제4,959,278호(Shimauchi 등)에 개시되어 있다. 위스커는 전기장치 내에 단락을 이끌 수 있고, 그 결과 장치의 기능 불량을 야기할 수 있다. 위스커 형성은 전형적으로 리드 프레임(이것에만 한정되는 것은 아니다) 같은 금속 구성성분 내의 스트레스 및 스트레인(strain) 지점에서 발생한다. 금속 구성성분의 형태가 기계적으로 변형되고 전기장치의 다른 구성성분과 전기적으로 접촉이 된 때에, 스트레스 또는 스트레인의 지점이 주석, 주석 합금 또는 다른 금속의 금속 결정 또는 위스커를 형성할 수 있다. 따라서, 인듐은 전자장치를 위한 매우 바람직한 금속이고, 인듐 금속 및 이것의 합금의 전기화학적 증착을 위한 향상된 인듐 조성물에 대한 수요가 있다.
따라서, 본 발명은 전자장치를 위한 매우 바람직한 금속인 인듐 금속 및 이것의 합금의 전기화학적 증착을 위한 향상된 인듐 조성물을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 하나 이상의 인듐 이온 제공원 및 하나 이상의 에피할로하이드린(epihalohydrin) 공중합체를 포함하는 조성물을 제공한다.
본 발명의 일 측면은 하나 이상의 인듐 이온 제공원(source) 및 하나 이상의 에피할로하이드린(epihalohydrin) 공중합체를 포함하는 조성물이다.
본 발명의 다른 측면은 하나 이상의 인듐 이온의 제공원 및 하나 이상의 에피할로하이드린 공중합체를 포함하는 조성물을 제공하고; 기판상에 인듐을 전기화학적으로 증착하는 것을 포함하는 방법이다.
본 발명의 또 다른 측면은 첫 번째 면이 베이스에 연결되며, 상기 첫 번째 면의 반대편인 다이(die)의 두 번째 면이 인듐 금속 또는 인듐 합금으로 구성되는 열전달물질을 포함하는 다이를 포함하는 물품(article)이다.
인듐 조성물은 안정하고; 치밀하고(즉, 구멍이 없는), 매끄럽고, 일정한 두께 분포 및 에지 결함(즉, 도금된 기판 면에서 두꺼운 증착물(deposit) 쌓임)이 있 다고 하더라도, 거의 없는 인듐 금속 및 인듐 합금 증착물을 제공한다. 에피할로하이드린 공중합체는 인듐 금속 및 인듐 합금 증착 동안 수소 기체의 형성을 억제하고 따라서 원하는 인듐 금속 및 인듐 합금 증착물의 형성을 가능하게 한다. 인듐 금속은 낮은 녹는점과 높은 열 전도율을 갖기 때문에, 인듐 금속은 많은 전기장치에서 열전달물질로써 사용하기에 매우 적합하다. 게다가, 인듐 금속은 인터페이스에서 두 조립 물질의 CTE 불일치로 인해 유도되는 스트레인(strain)을 분산시키는데, 이것이 TIM으로서의 사용 또한 바람직하게 만든다. 이외에, 인듐 조성물로부터 전기화학적으로 증착된 인듐 금속 및 인듐 합금은 위스커의 형성을 막거나 저해하는 하부층으로 사용될 수 있다. 인듐 조성물로부터 전기화학적으로 증착된 인듐 금속 및 인듐 합금은 또한 전기 연결을 제공하기 위한 솔더 범프(solder bump)로서도 사용될 수 있다.
본 명세서 전체에 걸쳐 사용되는 다음의 약자는 명확히 다르게 지시되지 않는 이상 다음의 의미를 갖는다: ℃ = 섭씨 온도; °K = 캘빈 온도; GPa = 기가 파스칼; g = 그램; mg = 밀리그램; L = 리터; m = 미터; A = 암페어; dm = 데시미터; ㎛ = 마이크론 = 마이크로미터; ppm = 백만 당 부; ppb = 10억 당 부; ㎜ = 밀리미터; M = 몰; MEMS = 마이크로전자기계시스템(micro-electromechanical system); TIM = 열전달물질; CTM = 열팽창계수; IC = 집적회로 및 EO = 에틸렌 옥사이드.
용어 "증착" 및 "도금"은 본 명세서에서 상호교환되어 사용된다. 본 명세서 전체에 걸쳐 사용되는 용어 "하부층"은 기판과 주석 또는 주석 합금 또는 다른 적절한 금속 또는 금속 합금 층간에 배치된 금속 층 또는 코팅을 언급한다. 용어 "공 중합체"는 둘 이상의 서로 다른 단량체로 구성되는 화합물이다. 다른 표기가 없는 이상, 모든 양은 중량%이고 모든 비율은 중량비이다. 수치 범위는 포괄적이고 어떠한 순서로도 조합 가능하나, 단 이론적으로 최고 100%로 제한된다.
본 조성물은 수용성 환경에 용해성인 인듐 이온의 하나 이상의 제공원을 포함한다. 이러한 제공원은 메탄술폰산, 에탄술폰산, 부탄술폰산, 벤젠술폰산 및 톨루엔술폰산 같은 알칸 술폰산 및 방향족 술폰산의 인듐 염; 술팜산의 염; 술페이트 염; 인듐의 염소 및 브롬 염; 니트레이트 염; 수산화물 염; 인듐 산화물; 플루오로보레이트 염; 시트르산, 아세토아세트산, 글리옥실산, 피루브산, 글리콜산, 말론산, 하이드록삼산, 이미노디아세트산, 살리실산, 글리세르산, 숙신산, 말산, 타르타르산, 하이드록시부티르산 같은 카르복실산의 인듐 염; 알기닌, 아스파르트산, 아스파라긴, 글루탐산, 글리신, 글루타민, 루신, 리신, 트레오닌, 이소루신, 및 발린 같은 아미노산의 인듐 염을 포함하나 이에 제한되는 것은 아니다. 전형적으로, 인듐 이온의 제공원은 하나 이상의 황산, 술팜산, 알칸 술폰산, 방향족 술폰산 및 카르복실산의 인듐 염이다. 보다 전형적으로, 인듐 이온의 제공원은 하나 이상의 황산 및 술팜산의 인듐 염이다.
인듐의 수용성 염은 원하는 두께의 인듐 증착물을 제공하기 위하여 충분한 양으로 조성물 내에 포함된다. 전형적으로, 수용성 인듐 염은 조성물 내에 5g/L 내지 70g/L, 또는 10g/L 내지 60g/L, 또는 15g/L 내지 30g/L 양의 인듐(3+) 이온을 제공하도록 조성물 내에 포함된다.
인듐 조성물 내에 포함되는 완충용액 또는 전도성 염은 pH 0 내지 5, 전형적으로 pH 0.5 내지 3, 보다 전형적으로 pH 1 내지 1.5를 제공하는 하나 이상의 산일 수 있다. 이러한 산은 메탄술폰산, 에탄술폰산, 벤젠술폴산, 톨루엔술폰산 같은 알칸 술폰산, 아릴 술폰산; 술팜산; 황산; 염산; 브롬화수소산; 플루오로보르산(fluoroboric acid); 붕산; 시트르산, 아세토아세트산, 글리옥실산, 피루브산, 글리콜산, 말론산, 하이드록삼산, 이미노디아세트산, 살리실산, 글리세르산, 숙신산, 말산, 타르타르산, 및 하이드록시부티르산 같은 카르복실산; 알기닌, 아스파르트산, 아스파라긴, 글루탐산, 글리신, 글루타민, 루신, 리신, 트레오닌, 이소루신, 및 발린 같은 아미노산을 포함하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 산의 하나 이상의 상응하는 염 또한 사용될 수 있다. 전형적으로, 하나 이상의 알칸 술폰산, 아릴 술폰산 및 카르복실산이 완충용액 또는 전도성 염으로 사용된다. 보다 전형적으로, 하나 이상의 알칸 술폰산 및 아릴 술폰산 또는 이들의 상응하는 염이 사용된다.
완충용액 또는 전도성 염은 조성물의 원하는 pH를 제공하기 위하여 충분한 양으로 사용된다. 전형적으로, 완충용액 또는 전도성 염은 조성물의 5g/L 내지 50g/L, 또는 10g/L 내지 40g/L, 또는 15g/L 내지 30g/L의 양으로 사용된다.
하나 이상의 수소 억제제(suppressor)가 인듐 금속 증착 동안 수소 기체 형성을 억제하기 위하여 인듐 조성물 내에 포함된다. 수소 억제제는 수소 기체의 제공원인 물 분해를 위한 퍼텐셜을 더 음극의 퍼텐셜로 유도하여 인듐 금속이 수소 기체의 동시 발생 없이도 증착이 될 수 있도록 해주는 화합물이다. 이것은 음극에서 인듐 증착을 위한 전류 효율을 증가시키고 외관이 매끈하고 균일한 인듐층의 형 성을 가능하게 해주며 또한 많은 종래의 인듐 전기화학적 조(bath)보다 더 두꺼운 인듐층의 형성을 허용한다. 이 공정은 당업계 및 문헌에서 잘 공지된 순환전압전류법(Cyclic Voltammetry, CV)을 사용하여 보여질 수 있다. 전형적으로, 하나 이상의 수소 억제제를 포함하지 않는 수성 인듐 전기화학적 조는 외관이 거칠고 고르지 않은 인듐 증착물을 형성한다. 이러한 증착물은 전자장치에서 사용하기에 부적절하다. 종종 이러한 조로부터 인듐 증착물이 형성되지 않는다.
수소 억제제는 에피할로하이드린 공중합체이다. 에피할로하이드린은 에피클로로하이드린 및 에피브로모하이드린을 포함한다. 전형적으로, 에피클로로하이드린의 공중합체가 사용된다. 이러한 공중합체는 에피클로로하이드린 또는 에피브로모하이드린 및 질소, 황, 산소 원자 또는 이들의 조합을 포함하는 하나 이상의 유기 화합물의 수용성 중합 생산물이다.
에피할로하이드린과 공중합 가능한 질소-포함 유기 화합물은 다음을 포함하지만 이에 제한되는 것은 아니다:
1) 지방족 사슬 아민;
2) 적어도 두 반응성 질소 위치를 갖는 비치환된 이종원자 고리 질소 화합물; 및
3) 적어도 두 반응성 질소 위치와 알킬기, 아릴기, 니트로기, 할로겐 및 아미노기로부터 선택된 1-2 치환기를 갖는 치환된 이종원자 고리 질소 화합물.
지방족 사슬 아민은 디메틸아민, 에틸아민, 메틸아민, 디에틸아민, 트리에틸 아민, 에틸렌 디아민, 디에틸렌트리아민, 프로필아민, 부틸아민, 펜틸아민, 헥실아 민, 헵틸아민, 옥틸아민, 2-에틸헥실아민, 이소옥틸아민, 노닐아민, 이소노닐아민, 데실아민, 언데실아민, 도데실아민트리데실아민 및 알카놀 아민을 포함하지만 이에 제한되는 것은 아니다.
적어도 두 반응성 질소 위치를 갖는 비치환된 이종원자 고리 질소 화합물은 이미다졸, 이미다졸린, 피라졸, 1,2,3-트리아졸, 테트라졸, 피라다진, 1,2,4-트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-티아디아졸 및 1,3,4-티아디아졸을 포함하지만 이에 제한되는 것은 아니다.
적어도 두 반응성 질소 위치와 1-2 치환기를 갖는 치환된 이종원자 고리 질소 화합물은 벤지미다졸, 1-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 1,3-디메틸이미다졸, 4-하이드록시-2-아미노이미다졸, 5-에틸-4-하이드록시이미다졸, 2-페닐이미다졸린 및 2-톨릴이미다졸린을 포함하지만 이에 제한되는 것은 아니다.
전형적으로, 이미다졸, 피라졸, 이미다졸린, 1,2,3-트리아졸, 테트라졸, 피라다진, 1,2,4-트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-티아디아졸 및 1,3,4-티아디아졸 및 이들의 유도체(메틸, 에틸, 페닐, 및 아민기로부터 선택된 1 또는 2 치환기가 도입된다)로부터 선택된 하나 이상의 화합물이 에피할로하이드린 공중합체를 형성하기 위하여 사용된다.
에피할로하이드린 공중합체의 일부는 Raschig GmbH(Ludwigshafen, Germany) 및 BASF(Wyandotte, MI, USA) 같은 곳으로부터 구매 가능하거나 문헌상에 공개된 방법에 의해 제조될 수 있다. 시판되고 있는 이미다졸/에피클로로하이드린 공중합체의 예는 BASF로부터 구매할 수 Lugalvan™ IZE이다.
에피할로하이드린 공중합체는 에피할로하이드린을 상기한 질소, 황 또는 산소 포함 화합물과 적절한 반응 조건 하에서 반응시킴으로써 형성될 수 있다. 예를 들면, 한 가지 방법에서 양 물질이 상호용매(mutual solvent) 내에서 적절한 농도로 용해되고, 거기에서 예를 들면, 45 내지 240분간 반응시킨다. 반응의 수용액 화학 생산물이 용매의 증류에 의해서 분리가 된 다음, 인듐 염이 용해가 된 때 전기도금 용액으로써 작용하는 물에 첨가된다. 다른 방법에서 이들 두 물질은 물 내에 위치되고 이들이 반응하면서 물 내에 용해될 때까지 일정하게 격렬한 교반을 하며 60℃까지 가열된다.
0.5:1 내지 2:1 같이 에피할로하이드린에 대한 반응 화합물의 넓은 범위의 비율이 사용될 수 있다. 전형적으로 비율은 0.6:1 내지 2:1, 보다 전형적으로 비율은 0.7 내지 1:1, 가장 전형적으로 비율은 1:1이다.
추가적으로, 반응 생산물은 인듐 염을 첨가함으로써 전기도금 조성물이 완성되기 전에 하나 이상의 시약과 더 반응시킬 수 있다. 따라서, 상기된 생산물은 암모니아, 지방족 아민, 폴리아민 및 폴리이민의 적어도 하나인 시약과 더 반응할 수 있다. 전형적으로, 상기 시약은 암모니아, 에틸렌디아민, 테트라에틸렌 펜타민 및 적어도 150의 분자량을 갖는 폴리에틸렌이민의 적어도 하나인데, 본원에서 제시된 정의를 만족하는 다른 종류들도 사용될 수 있다. 반응은 물 내에서 교반과 함께 일어난다.
예를 들면, 상기된 에피클로로하이드린과 질소-포함 유기 화합물의 반응 생산물 및 하나 이상의 암모니아, 지방족 아민, 및 아릴아민 또는 폴리이민으로부터 선택된 시약 간의 반응은 예를 들면, 30℃ 내지 60℃의 온도에서, 예를 들면, 45 내지 240분 동안 일어나거나 수행될 수 있다. 질소 포함 화합물-에피클로로하이드린 반응의 반응 생산물 및 시약 간의 몰비는 전형적으로 1:0.3-1이다.
에피할로하이드린 공중합체는 조성물 내에 5g/L 내지 100g/L의 양으로 포함된다. 전형적으로, 에피할로하이드린 공중합체는 10g/L 내지 80g/L의 양으로 포함되고, 더 전형적으로 20g/L 내지 70g/L의 양으로 포함되며, 가장 전형적으로 30g/L 내지 60g/L의 양으로 포함된다.
본 조성물에는 조성물의 전기도금 조건 및 기판에 대해 맞추어지게 하기 위하여 첨가제가 선택적으로 포함될 수 있다. 이러한 선택적 첨가제는 하나 이상의 계면활성제, 킬레이트제, 레벨링제(leveler), 억제제(운반체), 하나 이상의 합금 금속 및 인듐 전기화학적 제형에서 사용되는 다른 관용적인 첨가제를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 조성물의 다른 구성성분과 상용성인 어떠한 계면활성제도 사용될 수 있다. 전형적으로, 계면활성제는 발포 또는 비-발포 계면활성제로 정리된다. 이러한 계면활성제는 12몰의 EO를 포함하는 에톡실화 폴리스티렌화 페놀, 5몰의 EO를 포함하는 에톡실화 부탄올, 16몰의 EO를 포함하는 에톡실화 부탄올, 8몰의 EO를 포함하는 에톡실화 부탄올, 12몰의 EO를 포함하는 에톡실화 옥탄올, 12몰의 EO를 포함하는 에톡실화 옥틸페놀, 에톡실화/프로폭실화 부탄올, 13몰의 EO를 포함하는 에톡실화 베타-나프톨, 10몰의 EO를 포함하는 에톡실화 베타-나프톨, 10몰의 EO를 포함하는 에톡실화 비스페놀 A, 13몰의 EO를 포함하는 에톡실화 비스페놀 A, 30몰의 EO를 포함하는 황산화 에톡실화 비스페놀 A 및 8몰의 EO를 포함하는 에톡실화 비스페놀 A를 포함하나 이에 제한되는 것은 아니다. 이러한 계면활성제는 관용적인 양으로 포함된다. 전형적으로, 이들은 조성물 내에 0.1g/L 내지 20g/L, 또는 0.5g/L 내지 10g/L의 양으로 포함된다. 이들은 시판되고 있고 문헌에 공개된 방법으로 제조될 수 있다.
다른 계면활성제는 알킬디에틸렌트리아민 아세트산과 제4급 암모늄 화합물 같은 양쪽성 계면활성제 및 아민을 포함하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이러한 계면활성제는 당업계에 잘 공지되어 있고 많은 것들이 시판되고 있다. 이들은 관용적인 양으로 사용될 수 있다. 전형적으로, 이들은 조성물 내에 0.1g/L 내지 20g/L, 또는 0.5g/L 내지 10g/L의 양으로 포함된다. 전형적으로, 사용되는 계면활성제는 제4급 암모늄 화합물이다.
킬레이트제는 말론산과 타르타르산과 같은 카르복실산, 시트르산과 말산과 같은 하이드록시 카르복실산 및 이들의 염을 포함하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 에틸렌디아민 테트라아세트산(EDTA) 같은 더 강한 킬레이트제 역시 사용될 수 있다. 킬레이트제는 단독으로 사용될 수 있거나 또는 킬레이트제의 조합이 사용될 수도 있다. 예를 들면, 전기도금에서 이용 가능한 인듐의 양을 조절하기 위하여 EDTA 같은 비교적 강한 킬레이트제의 다양한 양이 말론산, 시트르산, 말산 및 타르타르산과 같은 더 약한 킬레이트제의 하나 이상과 다양한 양으로 조합되어서 사용될 수 있다. 킬레이트제는 관용적인 양으로 사용될 수 있다. 전형적으로, 킬레이트제는 0.001M 내지 3M의 양으로 사용된다.
레벨링제는 폴리알킬렌 글리콜 에테르를 포함하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이러한 에테르는 디메틸 폴리에틸렌 글리콜 에테르, 디-터셔리 부틸 폴리에틸렌 글리콜 에테르, 폴리에틸렌/폴리프로필렌 디메틸 에테르(혼합된 또는 블록 공중합체), 및 옥틸 모노메틸 폴리알킬렌 에테르(혼합된 또는 블록 공중합체)를 포함하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이러한 레벨링제는 관용적인 양으로 포함된다. 전형적으로 이러한 레벨링제는 100ppb 내지 500ppb의 양으로 포함된다.
억제제는 페난트롤린 및 이것의 유도체 예컨대 1,10-페난트롤린, 트리에탄올아민 및 이것의 유도체 예컨대, 트리에탄올아민 라우릴 설페이트, 소듐 라우릴 설페이트 및 에톡실화 암모늄 라우릴 설페이트, 폴리에틸렌이민 및 이것의 유도체 예컨대, 하이드록시프로필폴리엔이민(HPPEI-200) 및 알콕시화 중합체를 포함하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이러한 억제제는 인듐 조성물 내에 관용적인 양이 포함된다. 전형적으로, 억제제는 200ppm 내지 2000ppm의 양으로 포함된다.
하나 이상의 합금 금속은 알루미늄, 비스무스, 세륨, 구리, 금, 마그네슘, 은, 주석, 티타늄, 지르코늄 및 아연을 포함하나, 이에 제한되는 것은 아니다. 전형적으로, 합금 금속은 알루미늄, 비스무스 및 주석이다. 합금 금속은 수용성 금속염으로 인듐 조성물에 첨가될 수 있다. 이러한 수용성 금속염은 잘 공지되어 있다. 많은 것들이 시판되고 있거나 또는 문헌에 기술된 대로 제조될 수 있다. 수용성 금속염은 합금 금속의 1 중량% 내지 5 중량%, 또는 2 중량% 내지 4 중량%를 갖는 인듐 합금을 형성하기에 충분한 양으로 인듐 조성물에 첨가될 수 있다. 전형적으로, 수용성 금속염은 1 중량% 내지 3 중량%의 합금 금속을 갖는 인듐 합금이 되는 양으 로 인듐 조성물 내에 첨가된다.
하나 이상의 합금 금속이 인듐에 첨가되면 인듐의 특성이 변경될 수 있다. 3 중량% 이하 양의 합금 금속의 양은 TIM 고온 부식 저항성 및 젖음성 및 실리콘 칩(chip) 같은 기판에 대한 결합을 향상시킬 수 있다. 추가적으로, 은, 비스무스 및 주석 같은 합금 금속은 인듐과 낮은 녹는점 공융혼합물(eutetics)을 형성할 수 있다. 합금 금속은 인듐 조성물 내에 0.01g/L 내지 15g/L, 또는 0.1g/L 내지 10g/L, 또는 1g/L 내지 5g/L의 양으로 포함될 수 있다.
인듐 조성물은 인듐 금속 또는 인듐 합금 층을 기판상에 증착하는데 사용될 수 있다. 인듐 금속 증착물의 순도는 99 중량% 정도로 높거나 합금 금속이 포함되지 않는다면 더 높을 수도 있다. 층 두께는 인듐 금속 또는 인듐 합금 층의 기능에 따라서 다양하다. 일반적으로 두께는 0.1㎛ 이상, 또는 1㎛ 내지 400㎛, 또는 10㎛ 내지 300㎛, 또는 20㎛ 내지 250㎛, 또는 50㎛내지 200㎛이다. 전형적으로, 인듐 금속 및 인듐 합금 층은 150㎛ 내지 200㎛의 범위이다.
인듐 금속 및 인듐 합금을 기판상에 증착하는데 사용되는 장치는 관용적이다. 관용적 전극이 사용될 수 있다. 전형적으로, 용해성 전극이 사용된다. 더 전형적으로, 용해성 인듐 전극이 양극으로 사용된다. 인듐 금속으로 도금될 기판은 음극 또는 작업 전극(working electrode)이다. 필요하다면, 어떠한 적절한 기준전극도 사용될 수 있다. 전형적으로 기준전극은 염화은/은 전극이다. 전류밀도는 0.5A/dm2 내지 30A/dm2, 또는 1A/dm2 내지 25A/dm2, 또는 10A/dm2 내지 20A/dm2의 범 위이다.
인듐 금속 전해 증착 동안의 인듐 조성물의 온도는 30℃ 내지 80℃이다. 전형적으로, 온도 범위는 40℃ 내지 80℃이다.
인듐 조성물은 인듐 금속 또는 인듐 합금을 전자 장치, 자계 장치 및 초전도 MRI을 위한 부품을 포함하는 다양한 기판상에 증착하는데 사용될 수 있다. 인듐 조성물은 인듐 금속 또는 인듐 합금 솔더 범프를 실리콘 또는 GaAs 웨이퍼 같은 다양한 기판상에 전기화학적 증착하기 위하여 종래의 광이미지 방법과 함께 사용될 수 있다.
예를 들면, 인듐 조성물은 인듐 금속 또는 인듐 합금을 TIM으로 기능하기 위한 전기장치용 부품상에 전기화학적 증착하기 위하여 사용될 수 있는데, 이러한 것에는 IC, 반도체 장치의 마이크로프로세서, MEMS 및 광전자공학 장치용 부품이 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이러한 전자부품은 인쇄회로기판 및 밀봉된 칩-스케일 및 웨이퍼 레벨 패키지 내에 포함될 수 있다. 이러한 패키지는 전형적으로 밀폐 볼륨(enclosed volume) 내에 배치된 전자 장치와 함께, 베이스 기판과 리드 사이에 형성된, 밀봉된 밀폐 볼륨을 포함한다. 패키지는 격납(containment) 및 밀폐된 장치를 오염과 패키지 바깥쪽의 대기 내의 수증기로부터 보호하는 것을 제공한다. 패키지 내의 오염과 수증기의 존재는 광전자공학 장치 및 다른 광학 부품의 경우에 광학적 손실뿐만 아니라 금속 부분의 부식 같은 문제를 야기할 수 있다. 낮은 녹는점(156℃) 및 높은 열 전도율(~82W/m°K)이 인듐 금속을 TIM으로서의 사용에 매우 바람직하게 만드는 특성이다.
인듐 TIM은 프로세싱 다이(즉, 레진 밀폐된 실리콘 칩)로부터 열을 제거하여 열을 리드/히트싱크로 전달한다. 인듐 TIM은 또한 전자장치 내에서 결합된 다른 물질간의 CTE의 불일치로 인해 유도되는 스트레스를 흡수한다. 인듐은 29ppm/℃의 열팽창계수를 갖는 반면, 실리콘과 구리는 각각 3과 17이다. 인듐의 모듈러스는 10GPa인 반면, 더 단단한 실리콘과 구리는 각각 50과 130이다.
일 구체예에서, 인듐 금속 또는 인듐 합금 층이 TIM으로서 기능하기 위하여 프로세싱 다이 기판의 표면상에 전기화학적으로 증착되고, 히트싱크는 인듐 금속 또는 합금 층에 의해서 프로세싱 다이에 연결된다. 히트싱크는 니켈 코팅된 구리, 탄화규소(silicon carbide) 또는 알루미늄 같은 관용적 물질일 수 있다. 프로세싱 다이는 솔더 범프에 의해서 인쇄회로기판 베이스 또는 세라믹 베이스로 연결될 수 있고, 이것은 인듐 금속 또는 합금 층의 것과 반대편인 프로세싱 다이의 면이다. 솔더 범프는 주석 또는 주석 합금 또는 전자 산업에서 사용되는 다른 관용적인 물질 같은 관용적인 물질로 구성될 수 있다. 솔더 범프는 또한 상기한 조성물로부터 전기화학적으로 증착된 인듐 금속 또는 인듐 합금일 수 있다.
다른 구체예에서, 인듐 금속 또는 합금 층은 TIM 및 프로세싱 다이를 덮고 다이 및 인듐 금속 또는 합금 층 위에 위치하는 오목(concave) 리드(즉, 정상부(top portion)에 대하여 수직인 연속되는 면을 갖는 정상부)로써 기능하기 위하여 프로세싱 다이 기판의 표면상에 전기화학적으로 증착된다. 리드는 관용적인 디자인(즉, 장방형 또는 타원형)일 수 있고, 구리 또는 구리 합금 같은 관용적인 물질일 수 있다. 인듐 또는 합금 층은 리드를 다이에 연결한다. 프로세싱 다이는 솔 더 범프에 의해서 인쇄회로기판 베이스 또는 세라믹 베이스에 연결된다. 오목 리드 면들의 하부 표면에서 솔더 범프는 리드를 인쇄회로기판 베이스 또는 세라믹 베이스에 연결한다.
다른 구체예에서, 인듐 금속 또는 인듐 합금 층은 TIM으로서 기능하기 위하여 히트 스프레더의 표면상에 전기화학적으로 증착된다. 히트 스프레더 및 리드는 구리, 구리 합금, 탄화규소 또는 알루미늄 인퓨즈드(infused) 탄화규소 같은 금속과 세라믹의 복합물일 수 있다. 인듐 금속 또는 인듐 합금 층은 리드를 다이에 연결한다.
또 다른 구체예에서, 인듐 금속 층은 TIM 및 프로세싱 다이를 덮고 다이 및 인듐 금속 또는 합금 층 위에 위치하는 오목 리드(즉, 정상부(top portion)에 대하여 수직인 연속되는 면을 갖는 정상부)로써 기능하기 위하여 프로세싱 다이 기판의 표면상에 전기화학적으로 증착된다. 리드는 관용적인 디자인(즉, 장방형 또는 타원형)일 수 있고, 관용적인 물질일 수 있다. 인듐 층은 리드를 다이에 연결한다. 프로세싱 다이는 솔더 범프에 의해서 인쇄회로기판 베이스 또는 세라믹 베이스에 연결된다. 오목 리드 면들의 하부 표면에서 솔더 범프는 리드를 인쇄회로기판 베이스 또는 세라믹 베이스에 연결한다. 두 번째 인듐 금속 층이 두 번째 TIM으로 기능하기 위하여 리드의 상부에 증착되고 히트싱크는 두 번째 인듐 금속 층에 의해서 리드의 상부에 연결된다.
인듐 및 인듐 합금이 프로세스 다이 기판 및 히트 스프레더 상에 증착되는 것 이외에 인듐 및 인듐 합금이 리드상에 증착될 수 있다.
TIM용 인듐 금속 또는 합금 층의 두께는 다양할 수 있다. 전형적으로, 층은 230㎛ 이하이다. 더 전형적으로, 층은 50㎛ 내지 230㎛, 또는 100㎛ 내지 220㎛, 또는 140㎛ 내지 210㎛이다.
TIM 이외에, 인듐 조성물은 전자 장치 내의 위스커 형성을 막기 위하여 기판상의 하부층을 전기화학적으로 증착하는데 사용될 수 있다. 기판은 전기 또는 전자 구성요소 또는 부품은 예컨대, 반도체 칩을 마운팅하기 위한 필름 캐리어, 인쇄회로기판, 리드 프레임, 콘텍트(contact), 터미널(terminal) 및 좋은 외관과 높은 작동 신뢰성을 요구하는 도금된 구조재(structural member) 같은 접촉 소자(contacting element)를 포함하나, 이에 제한되는 것은 아니다.
인듐 금속은 위스커의 형성을 막거나 저해하기 위해 주석 또는 주석 합금 표면층을 위한 하부층으로써 사용될 수 있다. 위스커는 주석 또는 주석 합금 층이 전기 또는 전자 부품을 구성하는, 구리 또는 구리 합금 같은, 금속 물질 상에 증착되었을 때 종종 형성된다. 위스커는 전기 단락을 일으키고 그 결과 전기 장치의 기능장애를 일으킨다고 알려져 있다. 게다가, 인터페이스에서 인듐과 다른 금속 간 CTE 불일치의 스트레인을 분산시키는 것은 금속 층간의 접착을 향상시킨다. 전형적으로, 인듐 하부층은 0.1㎛ 내지 10㎛, 또는 0.5㎛ 내지 5㎛의 두께를 갖는다. 주석 또는 주석 합금 층은 관용적인 두께를 갖는다.
이하에서, 본 발명을 실시예로 더 예시하나, 본 발명의 범위가 이에 제한되는 것은 아니다.
실시예 1 ( 비교예 )
다음의 수성 인듐 전기화학적 조성물이 제조되었다:

구성성분
양

인듐 (3+) 이온 (인듐 설페이트로부터)
30 g/L

수산화 암모늄
170 g/L

붕산
80 g/L

타타르산
300 g/L

관용적인 인듐 전기도금 조 첨가제
0.5 g/L

물
원하는 부피까지

pH
3
인듐 금속을 전기화학적으로 증착하기 위한 장치는 시판되고 있는 관용적인 전해조였다.
인듐 전기화학적 조성물은 pH 3 및 60℃로 유지되었다. 상기 조성물은 인듐 금속이 전기도금되는 동안 계속해서 교반되었다. 음극 전류밀도는 10A/dm2으로 유지되었고, 인듐 증착 속도는 20초 동안 1㎛(23㎎/A)이였다.
도 1은 60% 미만의 음극 효율을 갖는 인듐 금속 코팅된 작업 전극의 사진을 보여준다. 사진은 관용적인 35㎜ 사진기로 촬영되었다. 사진에서 보여지는 바와 같이 증착은 외관이 스펀지 모양이고 인듐 금속의 균일하지 않은 증착을 갖는다. 이러한 증착은 TIM과 하부층과 같은 전자 장치 내의 부품용으로는 부적절하다. 스펀지 모양과 균일하지 않은 표면은 전기 장치 내에 비효율적인 열 전달과 전류를 초래하여 장치의 기능불량을 일으킬 수 있다. 스펀지 모양과 균일하지 않은 표면은 인듐 금속 증착 동안 수소 기체의 발생과 인듐 조성물 내의 유기 첨가제의 분해에 의해 일어난다고 생각된다.
실시예 2
다음의 수성 인듐 전기화학적 조성물이 제조되었다:

구성성분
양

인듐(3+) 이온 (인듐 설페이트로부터)
60 g/L

메탄 술폰산
30 g/L

이미다졸-에피클로로하이드린 공중합체*
100 g/L

물
원하는 부피까지

pH
1-1.2
* BASF로부터 구입한 Lugalvan™IZE (IZE는 48-50 중량% 공중합체 포함)
인듐 금속을 전기화학적으로 증착하기 위한 장치는 시판되고 있는 관용적인 전해조였다.
인듐 전기도금 조성물의 pH는 인듐 금속 증착 동안 1 내지 1.2로 유지되었다. 조성물의 온도는 전기도금 동안 60℃로 유지되었다. 상기 전기도금 조성물은 인듐 금속 증착 동안 계속해서 교반되었다. 전기도금 기간에 통해서 전류밀도는 10A/dm2으로 유지되었고, 인듐 금속 1㎛가 20초 동안 작업 전극에 증착되었다(23㎎/A). 인듐 조성물은 전기도금 동안 안정하게 유지, 즉, 눈에 보이는 혼탁이 없었다. 인듐 금속 증착이 인듐 금속 층 200㎛가 작업 전극에 증착될 때까지 계속 되었다.
도 2는 인듐 금속으로 코팅된 작업 전극의 사진이다. 사진에서 보여지는 바와 같이 인듐 금속 증착이 외관상 매끄럽고 증착이 균일하였다. 따라서, 이미다졸-에피클로로하이드린 공중합체를 갖는 인듐 전기화학적 조성물은 비교예의 인듐 조성물과 비교시 향상된 인듐 금속 증착을 가졌다.
이러한 매끄럽고 균일한 증착은 TIM과 하부층 같은 전자 장치 내의 부품용으로 매우 바람직한 것이다. 매끄럽고 균일한 표면은 인듐이 TIM으로 사용되었을 때 프로세서 다이로부터 히트싱크까지 효율적인 열 전달을 가능하게 한다.
실시예 3
상기 실시예 2에 기재된 방법이 에피할로하이드린 공중합체가 당업계에 공지된 관용적인 방법에 의해 제조된 이미다졸-에피클로로하이드린 공중합체라는 점을 제외하고는 동일하게 반복되었다. 이미다졸-에피클로로하이드린 공중합체를 포함하는 인듐 조성물이 인듐 전기도금 동안 수소 기체 발생을 저해하고, 도 2에서 보여지는 것 같이 작업 전극 상에 매끄럽고 균일한 인듐 금속 층을 증착할 것으로 예상되었다. 이 조성물로부터 증착된 인듐 하부층 또한 40℃ 이상의 온도 및 적어도 95% 상대 습도에서 적어도 한 달의 보관 후에 위스커의 형성을 막거나 적어도 저해할 것으로 예상되었다.
실시예 4
상기 실시예 2에 기재된 방법이 에피할로하이드린 공중합체가 당업계에 공지된 관용적인 방법에 의해 제조된 1,2,3-트리아졸-에피클로로하이드린 공중합체라는 점을 제외하고는 동일하게 반복되었다. 1,2,3-트리아졸-에피클로로하이드린 공중합체를 포함하는 인듐 조성물이 인듐 전기도금 동안 수소 기체 발생을 저해하고, 도 2에서 보여지는 것 같이 작업 전극 상에 매끄럽고 균일한 인듐 금속 층을 증착할 것으로 예상되었다. 이 조성물로부터 증착된 인듐 하부층 또한 40℃ 이상의 온도 및 적어도 95% 상대 습도에서 적어도 한 달의 보관 후에 위스커의 형성을 막거나 적어도 저해할 것으로 예상되었다.
실시예 5
상기 실시예 2에 기재된 방법이 에피할로하이드린 공중합체가 당업계에 공지된 관용적인 방법에 의해 제조된 피리다진-에피브로모하이드린 공중합체라는 점을 제외하고는 동일하게 반복되었다. 피리다진-에피브로모하이드린 공중합체를 포함하는 인듐 조성물이 인듐 전기도금 동안 수소 기체 발생을 저해하고, 도 2에서 보여지는 것 같이 작업 전극 상에 매끄럽고 균일한 인듐 금속 층을 증착할 것으로 예상되었다. 이 조성물로부터 증착된 인듐 하부층 또한 40℃ 이상의 온도 및 적어도 95% 상대 습도에서 적어도 한 달의 보관 후에 위스커의 형성을 막거나 적어도 저해할 것으로 예상되었다.
실시예 6
상기 실시예 2에 기재된 방법이 에피할로하이드린 공중합체가 당업계에 공지된 관용적인 방법에 의해 제조된 2-메틸이미다졸-에피브로모하이드린 공중합체라는 점을 제외하고는 동일하게 반복되었다. 2-메틸이미다졸-에피브로모하이드린 공중합체를 포함하는 인듐 조성물이 인듐 전기도금 동안 수소 기체 발생을 저해하고, 도 2에서 보여지는 것 같이 작업 전극 상에 매끄럽고 균일한 인듐 금속 층을 증착할 것으로 예상되었다. 이 조성물로부터 증착된 인듐 하부층 또한 40℃ 이상의 온도 및 적어도 95% 상대 습도에서 적어도 한 달의 보관 후에 위스커의 형성을 막거나 적어도 저해할 것으로 예상되었다.
실시예 7
상기 실시예 2에 기재된 방법이 인듐 전기화학적 조성물이 2 중량% 주석 설페이트(tin sulfate)를 더 포함한다는 점을 제외하고는 동일하게 반복되었다. 전류밀도는 30초 동안 10A/dm2으로 유지되었고, 인듐/주석 금속 합금이 인듐 전극 상에 증착되었다. 전기화학적 조성물은 전기도금 동안 안정하게 유지될 것으로 예상되었고, 증착 동안 순환전압전류법 분석에 의해 검출가능한 수소 발생이 없을 것이라고 예상되었다. 인듐/주석 합금 층은 외관상 매끈하고 균일할 것으로 예상되었다.
실시예 8
실시예 2에 기재된 방법이 인듐 전기화학적 조성물이 2 중량% 아연 설페이트(zinc sulfate)를 더 포함한다는 점을 제외하고는 동일하게 반복되었다. 전류밀도는 20초 동안 10A/dm2으로 유지되었고, 인듐/아연 금속 합금이 인듐 전극 상에 증착되었다. 전기화학적 조성물은 전기도금 동안 안정하게 유지될 것으로 예상되었고, 증착 동안 순환전압전류법 분석에 의해 검출가능한 수소 발생이 없을 것이라고 예상되었다. 인듐/아연 합금 층은 외관상 매끈하고 균일할 것으로 예상되었다.
실시예 9
실시예 2에 기재된 방법이 인듐 전기화학적 조성물이 1 중량% 구리 설페이트 펜타하이드레이트(copper sulfate pentahydrate)를 더 포함한다는 점을 제외하고는 동일하게 반복되었다. 전류밀도는 40초 동안 5A/dm2으로 유지되었고, 인듐/구리 금속 합금이 인듐 전극 상에 증착되었다. 전기화학적 조성물은 전기도금 동안 안정하게 유지될 것으로 예상되었고, 증착 동안 순환전압전류법 분석에 의해 검출가능한 수소 발생이 없을 것이라고 예상되었다. 인듐/구리 합금 층은 외관상 매끈하고 균일할 것으로 예상되었다.
도 1은 인듐 전해액으로부터 낮은 효율로 기판상에 전기도금된 인듐의 사진이다.
도 2는 본 발명의 전해액 조성물로부터 기판상에 전기도금된 인듐의 사진이다.

Claims (11)

  1. 5g/L 내지 70g/L의 양의 인듐(3+) 이온을 제공하는 하나 이상의 인듐 이온 제공원(source), 및
    하나 이상의 에피할로하이드린(epihalohydrin) 공중합체를 포함하며,
    여기에서, 상기 하나 이상의 에피할로하이드린 공중합체가, 적어도 두 개의 반응성 질소 위치를 갖는 비치환된 이종원자 고리 질소 화합물; 또는 적어도 두 개의 반응성 질소 위치를 가지며 알킬기, 아릴기, 니트로기, 할로겐 및 아미노기로부터 선택된 1 내지 2개의 치환기를 갖는 치환된 이종원자 고리 질소 화합물;과 공중합된 에피할로하이드린을 포함하는,
    전기화학적 인듐 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 인듐(3+) 이온의 양이 10g/L 내지 60g/L인, 전기화학적 인듐 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 적어도 두 개의 반응성 질소 위치를 갖는 비치환된 이종원자 고리 질소 화합물이 이미다졸, 이미다졸린, 피라졸, 1,2,3-트리아졸, 테트라졸, 피라다진, 1,2,4-트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-티아디아졸 및 1,3,4-티아디아졸로부터 선택되는, 전기화학적 인듐 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 적어도 두 개의 반응성 질소 위치를 가지며 1 내지 2개의 치환기를 갖는 치환된 이종원자 고리 질소 화합물이 벤지미다졸, 1-메틸이미다졸, 2-메틸이미다졸, 1,3-디메틸이미다졸, 4-하이드록시-2-아미노이미다졸, 5-에틸-4-하이드록시이미다졸, 2-페닐이미다졸린 및 2-톨릴이미다졸린으로부터 선택되는, 전기화학적 인듐 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 조성물의 pH가 0 내지 5인, 전기화학적 인듐 조성물.
  6. a) 5g/L 내지 70g/L의 양의 인듐(3+) 이온을 제공하는 하나 이상의 인듐 이온 제공원(source), 및 하나 이상의 에피할로하이드린 공중합체를 포함하는 전기화학적 인듐 조성물을 제공하는 단계, 및
    b) 기판상에 인듐 금속 층을 전기화학적으로 증착하는 단계를 포함하며,
    여기에서, 상기 하나 이상의 에피할로하이드린 공중합체가, 적어도 두 개의 반응성 질소 위치를 갖는 비치환된 이종원자 고리 질소 화합물; 또는 적어도 두 개의 반응성 질소 위치를 가지며 알킬기, 아릴기, 니트로기, 할로겐 및 아미노기로부터 선택된 1 내지 2개의 치환기를 갖는 치환된 이종원자 고리 질소 화합물;과 공중합된 에피할로하이드린을 포함하는,
    전기화학적 인듐 증착 방법.
  7. 제6항에 있어서, 인듐 금속 층이 0.1㎛ 이상의 두께를 갖는, 전기화학적 인듐 증착 방법.
  8. 제6항에 있어서, 인듐 금속 층의 인듐 금속의 순도가 99 중량% 이상인, 전기화학적 인듐 증착 방법.
  9. 제6항에 있어서, 기판이 프로세싱 다이(processing die), 리드(lid) 및 히트 스프레더(heat spreader)로부터 선택되는, 전기화학적 인듐 증착 방법.
  10. 제6항에 있어서, 기판이 금속, 금속 합금, 세라믹, 및 금속과 세라믹의 복합물로부터 선택되는, 전기화학적 인듐 증착 방법.
  11. 제1면; 및 상기 제1면의 반대편인 제2면;을 갖는 다이(die)를 포함하는 물품(article)으로서,
    상기 다이가 상기 제1면상에서 베이스에 연결되고,
    상기 베이스가 인쇄회로기판 또는 세라믹 베이스이며,
    상기 다이의 상기 제2면이 인듐 금속으로 구성된 열전달물질(thermal interface material)을 포함하고,
    상기 인듐 금속의 순도가 99 중량% 이상이며,
    상기 인듐 금속이 제6항의 방법에 따라 상기 다이의 상기 제2면상에 도금된,
    물품.
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