JPS604917B2 - 鉛−インジウム合金のメツキ方法 - Google Patents
鉛−インジウム合金のメツキ方法Info
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- JPS604917B2 JPS604917B2 JP16023280A JP16023280A JPS604917B2 JP S604917 B2 JPS604917 B2 JP S604917B2 JP 16023280 A JP16023280 A JP 16023280A JP 16023280 A JP16023280 A JP 16023280A JP S604917 B2 JPS604917 B2 JP S604917B2
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- Japan
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は鉛（Ｐｂ）とインジウム（ｌｎ）を同時析出さ
せる棚弗化浴による合金メッキ方法に関する。
せる棚弗化浴による合金メッキ方法に関する。
この種の合金メッキ方法及びそのメッキ格については、
Ｐｂとｌｎの標準電極電位がＰｂ＝一０．１２６Ｖ、ｌ
ｎ＝−０．３４２Ｖと、０．２１６Ｖの電位差があるた
め、特殊な浴組成、添加剤、最適電流密度等を加味する
必要があった。
Ｐｂとｌｎの標準電極電位がＰｂ＝一０．１２６Ｖ、ｌ
ｎ＝−０．３４２Ｖと、０．２１６Ｖの電位差があるた
め、特殊な浴組成、添加剤、最適電流密度等を加味する
必要があった。
このようなことから、従来Ｓｈｕｌｇａｒらにより１９
５８牢ＵＳＳＲＰＡＴＩＯ３１８５でＰｂ−ｌｎ合金の
メッキ方法が提案されている。
５８牢ＵＳＳＲＰＡＴＩＯ３１８５でＰｂ−ｌｎ合金の
メッキ方法が提案されている。
しかしながら、かかる方法では電流密度が０．１Ａ／ｄ
あと非常に低いところで、ｌｎ濃度の高い合金メッキ膜
の析出が可能であるが、電流密度が高くなると、合金メ
ッキ膜中のｌｎ濃度が低下する。具体的には、実用化で
きる電流密度（１〜３Ａ／ｄめ）の範囲において、Ｐｂ
−ｌｎメッキ格のｌｎ／Ｐｂが２０〜２５タノ８０〜１
００／そ、浴温１８〜２５℃、陽極をＰｂとｌｎの２極
にした場合、Ｐｂ−ｌｎ合金メッキ膜のｌｎ濃度が１０
〜１２％となることが報告されている。また、上記万法
では陽極が２極であるため、メッキ装置が複雑化するば
かりか、操作が煩雑化し、更に、陽極のボリュームを変
える際、析出したメッキ膜に“す”が生じる欠点がある
。これに対して、本発明者は上記欠点を克服すべ〈鋭意
研究した結果、Ｐｂ一ｌｎの棚弗化裕中のｌｎイオン濃
度とｐＨが電流密度、Ｐｂ−ｌｎ合金メッキ膜中のｌｎ
濃度に関与することに着目し、ｌｎイオン濃度を所定値
以上に、母を特定の強酸性の範囲に規制することによっ
て、陽極を単極化しても電流密度が実用化できる範囲、
１〜船／ｄめでｌｎ濃度が０．５％以上１００％未満の
広い範囲のＰｂ一１ｎ合金メッキ膜を析出、形成し得る
メッキ方法を見し、出した。
あと非常に低いところで、ｌｎ濃度の高い合金メッキ膜
の析出が可能であるが、電流密度が高くなると、合金メ
ッキ膜中のｌｎ濃度が低下する。具体的には、実用化で
きる電流密度（１〜３Ａ／ｄめ）の範囲において、Ｐｂ
−ｌｎメッキ格のｌｎ／Ｐｂが２０〜２５タノ８０〜１
００／そ、浴温１８〜２５℃、陽極をＰｂとｌｎの２極
にした場合、Ｐｂ−ｌｎ合金メッキ膜のｌｎ濃度が１０
〜１２％となることが報告されている。また、上記万法
では陽極が２極であるため、メッキ装置が複雑化するば
かりか、操作が煩雑化し、更に、陽極のボリュームを変
える際、析出したメッキ膜に“す”が生じる欠点がある
。これに対して、本発明者は上記欠点を克服すべ〈鋭意
研究した結果、Ｐｂ一ｌｎの棚弗化裕中のｌｎイオン濃
度とｐＨが電流密度、Ｐｂ−ｌｎ合金メッキ膜中のｌｎ
濃度に関与することに着目し、ｌｎイオン濃度を所定値
以上に、母を特定の強酸性の範囲に規制することによっ
て、陽極を単極化しても電流密度が実用化できる範囲、
１〜船／ｄめでｌｎ濃度が０．５％以上１００％未満の
広い範囲のＰｂ一１ｎ合金メッキ膜を析出、形成し得る
メッキ方法を見し、出した。
即ち、本発明はＰｂとｌｎを同時析出させる棚弗化合金
〆ッキ浴により被メッキ物をメッキするにあたり、前記
メッキ裕中の金属イオンをｌｎイオン（１ｎ十Ｈ）８０
％以上と、残部がＰｂイオン（Ｐｂ十十）で構成し、か
つｐＨを１．０〜１．８の範囲にしてメッキせしめるこ
とを特徴とするものである。
〆ッキ浴により被メッキ物をメッキするにあたり、前記
メッキ裕中の金属イオンをｌｎイオン（１ｎ十Ｈ）８０
％以上と、残部がＰｂイオン（Ｐｂ十十）で構成し、か
つｐＨを１．０〜１．８の範囲にしてメッキせしめるこ
とを特徴とするものである。
本発明における棚発化合金メッキ格とは、棚弗化鉛〔Ｐ
ｂ（ＢＦ４）２〕、棚弗化インジウム〔ｌｎ（ＢＦ４）
３〕、棚酸及び棚弗化アンモニウムの成分からなり、必
要に応じてゼラチン或いはｐＨ調整を目的としてアンモ
ニウム水を添付したものから構成される。
ｂ（ＢＦ４）２〕、棚弗化インジウム〔ｌｎ（ＢＦ４）
３〕、棚酸及び棚弗化アンモニウムの成分からなり、必
要に応じてゼラチン或いはｐＨ調整を目的としてアンモ
ニウム水を添付したものから構成される。
本発明においてメッキ裕中のｌｎイオン濃度を上記範囲
に限定した理由は、ｌｎイオン濃度（ｌｎ＋＋＋／Ｐｂ
Ｈ＋ｌｎＨ＋）を８０％未満にすると、Ｐｂ−ｌｎ合金
膜を析出できなくなるからである。
に限定した理由は、ｌｎイオン濃度（ｌｎ＋＋＋／Ｐｂ
Ｈ＋ｌｎＨ＋）を８０％未満にすると、Ｐｂ−ｌｎ合金
膜を析出できなくなるからである。
本発明においてメッキ俗のｐＨ値を上記範囲に限定した
理由はｐＨを１．０未満にすると、析出させたＰｂ−ｌ
ｎ合金膜のｌｎ濃度が低いばかりか、電流密度を変えて
も合金膜中の岬農度を高くできない。つまりｌｎ濃度の
制御ができない。かといって、メッキ裕中のｐＨが１．
８を越えると、Ｐｂ、ｌｎの水酸化物が生成して沈殿物
を生じ、合金メッキが困難となる。本発明においては陽
極としてＰｂ一１ｎの単極を用いることができ、装置の
簡素化、操作性の向上及びＰｂ−ｌｎ合金膜の膜質改善
を達成できる利点を有する。
理由はｐＨを１．０未満にすると、析出させたＰｂ−ｌ
ｎ合金膜のｌｎ濃度が低いばかりか、電流密度を変えて
も合金膜中の岬農度を高くできない。つまりｌｎ濃度の
制御ができない。かといって、メッキ裕中のｐＨが１．
８を越えると、Ｐｂ、ｌｎの水酸化物が生成して沈殿物
を生じ、合金メッキが困難となる。本発明においては陽
極としてＰｂ一１ｎの単極を用いることができ、装置の
簡素化、操作性の向上及びＰｂ−ｌｎ合金膜の膜質改善
を達成できる利点を有する。
このように陽極を単極化する場合はｌｎ／Ｐｂの比が８
０／２０〜１５／８５の範囲の単極を用いることが望ま
しい。次に、本発明の実施例を説明する。実施例 １ 市販の４５％棚弗化鉛〔Ｐｂ（ＢＦ４）２〕と４５％の
棚弗化インジウム〔ｌｎ（ＢＦ４）３〕を用い、ｌｎイ
オン濃度を変えると共に裕中の金属合計（Ｐｂ＋ｌｎ）
を１００夕／そとし、剛酸〔日３Ｂ０３〕２５夕／そ、
棚弗化アンモニウム２５夕／そ、ゼラチン０．１５夕／
夕として裕組成液を構成し、これにアンモニウム水を滴
下してｐＨＩ．３のメッキ格を調製した。
０／２０〜１５／８５の範囲の単極を用いることが望ま
しい。次に、本発明の実施例を説明する。実施例 １ 市販の４５％棚弗化鉛〔Ｐｂ（ＢＦ４）２〕と４５％の
棚弗化インジウム〔ｌｎ（ＢＦ４）３〕を用い、ｌｎイ
オン濃度を変えると共に裕中の金属合計（Ｐｂ＋ｌｎ）
を１００夕／そとし、剛酸〔日３Ｂ０３〕２５夕／そ、
棚弗化アンモニウム２５夕／そ、ゼラチン０．１５夕／
夕として裕組成液を構成し、これにアンモニウム水を滴
下してｐＨＩ．３のメッキ格を調製した。
次いで、上記組成のメッキ格にニッケル板を浸潰し、こ
れを陰極とし、かつ７０％ｌｎ−３０％Ｐｂの合金極を
陽極として浸潰した後、常温で電流密度を約ＩＡ／ｄで
の条件にしてニッケル板表面にＰｂ−ｌｎ合金膜を析出
させた。しかして、メッキ浴中のＰｂ＋＋とｌｎ＋日の
構成比の変化に対する析出したＰｂ−ｌｎ合金膜中のｌ
ｎ含有率を調べたところ、第１図に示す特性図が得られ
た。
れを陰極とし、かつ７０％ｌｎ−３０％Ｐｂの合金極を
陽極として浸潰した後、常温で電流密度を約ＩＡ／ｄで
の条件にしてニッケル板表面にＰｂ−ｌｎ合金膜を析出
させた。しかして、メッキ浴中のＰｂ＋＋とｌｎ＋日の
構成比の変化に対する析出したＰｂ−ｌｎ合金膜中のｌ
ｎ含有率を調べたところ、第１図に示す特性図が得られ
た。
この第１図から明らから如く、ｐＨを所定の範囲（１．
０〜１．８）に設定し、ｌｎイオン濃度を８０％以上に
したメッキ俗を用いることにより、Ｐｂ−ｌｎ合金膜を
析出でき、かつｌｎイオン濃度が８０％以上においてそ
の濃度を変えることにより合金膜中のｌｎ含有率を広い
範囲で変えることができることがわかる。実施例 ２ 金属イオンの比を９０夕／のｎ−１０夕／クＰｂにした
以外前記実施例１と同様な組成割合のメッキ俗にニッケ
ル板を浸潰し、陽極として７０％ｌｎ−３０％Ｐｂの合
金極及び２２％ｌｎ−７８％Ｐｂの合金極を浸潰してＰ
ｂ、ｌｎの同時析出を行なった。
０〜１．８）に設定し、ｌｎイオン濃度を８０％以上に
したメッキ俗を用いることにより、Ｐｂ−ｌｎ合金膜を
析出でき、かつｌｎイオン濃度が８０％以上においてそ
の濃度を変えることにより合金膜中のｌｎ含有率を広い
範囲で変えることができることがわかる。実施例 ２ 金属イオンの比を９０夕／のｎ−１０夕／クＰｂにした
以外前記実施例１と同様な組成割合のメッキ俗にニッケ
ル板を浸潰し、陽極として７０％ｌｎ−３０％Ｐｂの合
金極及び２２％ｌｎ−７８％Ｐｂの合金極を浸潰してＰ
ｂ、ｌｎの同時析出を行なった。
しかして、各陽極による電流密度の変化に対する析出し
たＰｂ−ｌｎ合金膜中のｌｎ含有率を調べたところ、第
２図に示す特性図が得られた。
たＰｂ−ｌｎ合金膜中のｌｎ含有率を調べたところ、第
２図に示す特性図が得られた。
なお、第２図中のＡ，は陽極として７０％ｌｎ−３０％
Ｐｂ合金極を用いた場合の特性曲線、Ａ２は陽極として
２％ｌｎ−７８％Ｐｂ合金極を用いた場合の特性曲線、
である。この第２図より明らかな如く、所定のｌｎイオ
ン濃度（金属イオン比；９０多／〆ｌｎ−１０夕／そＰ
ｂ）で所定のｐＨ範囲（ｐＨＩ．３）のメッキ格を用い
ることにより、電流密度を０．２５〜２Ａと実用可能な
範囲でＰｂ−ｌｎ合金膜が析出すると共に、その電流密
度を変えることにより、ｌｎ濃度が２〜３５％の範囲の
Ｐｂ−ｌｎ合金膜を析出できることがわかる。実施例
３ 金属イオン比を９０夕／そｌｎ一１０夕／クＰｂとした
以外前記実施例１と同様な浴組成液にアンモニアを滴下
してｐＨが０．＆１．０，１．２，１．４，１．６の５
種のメッキ格を用意した。
Ｐｂ合金極を用いた場合の特性曲線、Ａ２は陽極として
２％ｌｎ−７８％Ｐｂ合金極を用いた場合の特性曲線、
である。この第２図より明らかな如く、所定のｌｎイオ
ン濃度（金属イオン比；９０多／〆ｌｎ−１０夕／そＰ
ｂ）で所定のｐＨ範囲（ｐＨＩ．３）のメッキ格を用い
ることにより、電流密度を０．２５〜２Ａと実用可能な
範囲でＰｂ−ｌｎ合金膜が析出すると共に、その電流密
度を変えることにより、ｌｎ濃度が２〜３５％の範囲の
Ｐｂ−ｌｎ合金膜を析出できることがわかる。実施例
３ 金属イオン比を９０夕／そｌｎ一１０夕／クＰｂとした
以外前記実施例１と同様な浴組成液にアンモニアを滴下
してｐＨが０．＆１．０，１．２，１．４，１．６の５
種のメッキ格を用意した。
次いで、上記各メッキ格にニッケル板を夫々浸潰し、陽
極として９０％ｌｎ−１０％Ｐｂ合金極を浸潰した後、
常温で電流密度を変えてニッケル板へのＰｂ，ｌｎの同
時析出を行なった。
極として９０％ｌｎ−１０％Ｐｂ合金極を浸潰した後、
常温で電流密度を変えてニッケル板へのＰｂ，ｌｎの同
時析出を行なった。
しかして、ｐＨ値の異なる各メッキ格において電流密度
の変化に対する析出したＰｂ−ｌｎ合金膜中のｌｎ含有
率を調べたところ、第３図に示す特性図を得た。
の変化に対する析出したＰｂ−ｌｎ合金膜中のｌｎ含有
率を調べたところ、第３図に示す特性図を得た。
なお、第３図中のＢ，はｐＨが０．８のメッキ格を用い
た場合の特性線、Ｂ２はＰＨが１．０の〆ッキ浴を用い
た場合の特性線、Ｂ３はｐＨが１．２のメッキ格を用い
た場合の特性線、Ｂ４はｐＨが１．４のメッキ格を用い
た場合の特性線、Ｂ５はＰＨが１．６のメッキ格を用い
た場合の特性線、である。この第３図によりｌｎイオン
濃度が８０％以上でも、ｐＨが本発明の範囲（１．０〜
１．８）から逸脱したメッキ格（図中の特性線Ｂ，）で
はｌｎ含有量の高いＰｂ−ｌｎ合金膜の析出が困難であ
るばかりか、電流密度を上げてもｌｎ含有量の高いＰｂ
−ｌｎ合金膜を析出できないことがわかる。また、第３
図よりｐＨが所定範囲（１．０〜１．８）において、そ
のｐＨを高くするほどｌｎ含有量の高いＰｂ−ｌｎ合金
膜の析出が可能となることがわかるが、ｐＨが１．８を
越えるとＰｂイオン、ｌｎイオンが水酸化物となって沈
殿し、格として機能しなくなる。なお、上記実施例では
陽極としてＰｂ−ｌｎ合金からなる単極を用いてＰｂ，
ｌｎの同時析出を行なったが、Ｐｂ極とｌｎ極の２つを
陽極としてもＰｂ，ｌｎの同時析出が可能である。
た場合の特性線、Ｂ２はＰＨが１．０の〆ッキ浴を用い
た場合の特性線、Ｂ３はｐＨが１．２のメッキ格を用い
た場合の特性線、Ｂ４はｐＨが１．４のメッキ格を用い
た場合の特性線、Ｂ５はＰＨが１．６のメッキ格を用い
た場合の特性線、である。この第３図によりｌｎイオン
濃度が８０％以上でも、ｐＨが本発明の範囲（１．０〜
１．８）から逸脱したメッキ格（図中の特性線Ｂ，）で
はｌｎ含有量の高いＰｂ−ｌｎ合金膜の析出が困難であ
るばかりか、電流密度を上げてもｌｎ含有量の高いＰｂ
−ｌｎ合金膜を析出できないことがわかる。また、第３
図よりｐＨが所定範囲（１．０〜１．８）において、そ
のｐＨを高くするほどｌｎ含有量の高いＰｂ−ｌｎ合金
膜の析出が可能となることがわかるが、ｐＨが１．８を
越えるとＰｂイオン、ｌｎイオンが水酸化物となって沈
殿し、格として機能しなくなる。なお、上記実施例では
陽極としてＰｂ−ｌｎ合金からなる単極を用いてＰｂ，
ｌｎの同時析出を行なったが、Ｐｂ極とｌｎ極の２つを
陽極としてもＰｂ，ｌｎの同時析出が可能である。
以上詳述した如く、本発明によればｌｎイオン濃度を所
定値以上に、ｐＨを特定の強酸性の範囲に規制したメッ
キ格を用いることによって、陽極を単極化しても電流密
度が実用化できる範囲、１〜松／ｄめでｌｎ濃度が０．
５％以上、１００％未満の広い範囲のＰｂ−ｌｎ合金膜
の析出、形成を行なうことができ、もって半導体装置の
半田形成等に有効に利用できるＰｂ−ｌｎ合金メッキ方
法を提供できるものである。
定値以上に、ｐＨを特定の強酸性の範囲に規制したメッ
キ格を用いることによって、陽極を単極化しても電流密
度が実用化できる範囲、１〜松／ｄめでｌｎ濃度が０．
５％以上、１００％未満の広い範囲のＰｂ−ｌｎ合金膜
の析出、形成を行なうことができ、もって半導体装置の
半田形成等に有効に利用できるＰｂ−ｌｎ合金メッキ方
法を提供できるものである。
第１図はメッキ裕中のＰ十十とｌｎＨ＋の構成比の変化
に対する析出したＰｂ−ｌｎ合金膜中のｌｎ含有率の変
化を示す特性図、第２図はｌｎ，Ｐｂの組成の異なる合
金極を陽極として用いた場合の電流密度の変化に対する
析出したＰｂ−ｌｎ合金膜中のｌｎ含有率の変化を示す
特性図、第３図はｐＨ値の異なる〆ッキ浴を用いた場合
の電流密度の変化に対する析出したＰｂ−ｌｎ合金膜中
のｌｎ含有率の変化を示す特性図である。 第１図 第２図 第３図
に対する析出したＰｂ−ｌｎ合金膜中のｌｎ含有率の変
化を示す特性図、第２図はｌｎ，Ｐｂの組成の異なる合
金極を陽極として用いた場合の電流密度の変化に対する
析出したＰｂ−ｌｎ合金膜中のｌｎ含有率の変化を示す
特性図、第３図はｐＨ値の異なる〆ッキ浴を用いた場合
の電流密度の変化に対する析出したＰｂ−ｌｎ合金膜中
のｌｎ含有率の変化を示す特性図である。 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- １ 鉛とインジウムを同時析出させる硼弗化合金メツキ
浴により被メツキ物をメツキするにあたり、前記メツキ
浴中の金属イオンをインジウムイオン８０％以上と、残
部が鉛イオンで構成し、かつｐＨを１．０〜１．８の範
囲にしてメツキせしめることを特徴とする鉛−インジウ
ム合金のメツキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16023280A JPS604917B2 (ja) | 1980-11-14 | 1980-11-14 | 鉛−インジウム合金のメツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16023280A JPS604917B2 (ja) | 1980-11-14 | 1980-11-14 | 鉛−インジウム合金のメツキ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5785987A JPS5785987A (en) | 1982-05-28 |
| JPS604917B2 true JPS604917B2 (ja) | 1985-02-07 |
Family
ID=15710557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16023280A Expired JPS604917B2 (ja) | 1980-11-14 | 1980-11-14 | 鉛−インジウム合金のメツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604917B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04305499A (ja) * | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Aoi Kokuban Seisakusho:Kk | 表記板拭き |
| JP5497261B2 (ja) | 2006-12-15 | 2014-05-21 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | インジウム組成物 |
| EP2123799B1 (en) | 2008-04-22 | 2015-04-22 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Method of replenishing indium ions in indium electroplating compositions |
| RU2739741C1 (ru) * | 2020-07-05 | 2020-12-28 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пензенский государственный университет" | Способ нанесения гальванических покрытий сплавом индий-свинец |
-
1980
- 1980-11-14 JP JP16023280A patent/JPS604917B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5785987A (en) | 1982-05-28 |
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