KR101377810B1 - 수지 조성물, 프리프레그 및 적층판 - Google Patents

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Abstract

나프탈렌 변성 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지와 트리아진 변성 노볼락 수지를 함유하는 수지 조성물을 기재에 함침시켜 시트 형상의 프리프레그를 형성하고, 이 프리프레그를 사용하여 제작된 적층판은 우수한 난연성, 땜납 내열성 및 무연(lead-free) 내열성을 가지며, 두께 방향의 선팽창 계수가 작고 도체 회로의 밀착성이 양호하다.

Description

수지 조성물, 프리프레그 및 적층판 {RESIN COMPOSITION, PREPREG AND LAMINATE}
본 발명은, 수지 조성물, 프리프레그 및 적층판에 관한 것이다.
노트형 퍼스널 컴퓨터나 휴대 전화 등의 정보 처리 기기는 소형화가 요구되고 있다. LSI 등의 전자 부품을 탑재하는 적층판에 있어서도 소형 경량화의 요구는 강해지고 있다. 소형 경량화를 위해서는 도체 회로폭을 작게 하는 것이나, 스루홀(through hole) 직경을 작게 하여 도금 두께를 얇게 하는 것이 필요하다. 그러나, 도금 두께를 얇게 하면 열충격시에 도금 크랙이 발생할 우려가 있어, 접속 신뢰성이 저하되는 경우가 있다. 이 때문에, 적층판에는 내열성이 요구되며, 또, 두께 방향의 선팽창 계수가 작은 것이 요구된다.
내열성의 요구에 대해서는, 최근, 환경 문제에 따른 법규제에 의해 납을 사용하지 않는 고융점 땜납이 주류가 되고 있으며, 290℃ 부근의 혹독한 조건에서도 기판에 크랙이 생기지 않는 IPC 규격에서의 T-288 시험의 무연(lead-free) 내열성이 요구된다. 또, 난연성의 요구도 있다.
나프탈렌 변성 에폭시 수지를 사용한 적층판은, 땜납 내열성과 두께 방향의 저(低)선팽창 계수를 양립할 수 있다(예를 들면 일본 공개특허 평5-301941호 공보 ). 그러나, 한편으로 나프탈렌 변성 에폭시 수지는 도체 회로 금속과의 밀착성이 떨어지는 결점이 있다. 또, 무연 내열성이 떨어진다.
디시클로펜타디엔형 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지와, 트리아진 변성 노볼락 수지를 함유하는 수지 조성물은, 땜납 내열성, 두께 방향의 저(低)선팽창 계수 및 도체 회로 금속과의 밀착성을 달성할 수 있다(일본 공개특허 2005-336280호 공보). 그러나, 이 수지 조성물은 난연성이 떨어진다. 난연성은 질소 함유량을 올림으로써 달성할 수 있지만, 무연 내열성은 저하되기 때문에, 난연성과 무연 내열성의 양립이 이루어져 있지 않다.
본 발명은, 우수한 난연성, 땜납 내열성 및 무연 내열성을 가지며, 두께 방향의 선팽창 계수가 작고 도체 회로와의 밀착성이 양호한 적층판을 얻을 수 있는 수지 조성물, 및, 이것을 사용한 프리프레그와 적층판을 제공하는 것이다.
이러한 목적은, 하기 (1)~(4)에 기재된 본 발명에 의해 달성된다.
(1) 기재(基材)에 함침시켜 시트 형상의 프리프레그를 형성하기 위해 사용하는 수지 조성물로서, 나프탈렌 변성 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지와, 트리아진 변성 노볼락 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
(2) 상기 나프탈렌 변성 에폭시 수지의 함유량은, 에폭시 수지 전체의 60중량% 이상, 90중량% 이하인 상기 (1)에 기재된 수지 조성물.
(3) 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 수지 조성물을 기재에 함침시켜 이루어지는 프리프레그.
(4) 상기 (3)에 기재된 프리프레그를 1장 이상 성형하여 이루어지는 적층판.
본 발명에 의하면, 우수한 난연성, 땜납 내열성 및 무연 내열성을 가지며, 두께 방향의 선팽창 계수가 작고 도체 회로와의 밀착성이 양호한 적층판을 얻을 수 있는 수지 조성물, 및, 이것을 사용한 프리프레그와 적층판을 제공할 수 있다.
이하에, 본 발명에 대해서 상세하게 설명한다.
본 발명의 수지 조성물은, 기재에 함침시켜 시트 형상의 프리프레그를 형성하기 위해 사용하는 수지 조성물로서, 나프탈렌 변성 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지와, 트리아진 변성 노볼락 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또, 본 발명의 프리프레그는, 상기 서술한 수지 조성물을 기재에 함침시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이다.
또, 본 발명의 적층판은, 상기 서술한 프리프레그를 1장 이상 성형하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이다.
우선, 본 발명의 수지 조성물에 대해서 설명한다.
본 발명의 수지 조성물은, 나프탈렌 변성 에폭시 수지를 포함한다. 이것에 의해, 적층판의 난연성과 땜납 내열성을 향상시킬 수 있으며, 선팽창 계수를 낮게 할 수 있다. 나프탈렌 변성과 같은 방향족환이 포함되면 분자간의 결합간 에너지가 커지고 연소에 의한 분해가 일어나기 어려워져 난연성이 발현한다. 따라서, 본 발명의 수지 조성물은, 공지의 난연제를 별도로 첨가하는 일 없이, 우수한 난연 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 수지 조성물로 사용되는 나프탈렌 변성 에폭시 수지로서는 특별히 한정되지 않지만, 하기 일반식 (1) 내지 (3)에서 나타내는 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지를 적합하게 사용할 수 있다.
Figure 112009013313026-pct00001
일반식 (1)~(3) 중, n은 1 이상, 10 이하의 정수, 바람직하게는 1 이상, 8 이하의 정수이며, R은 수소 원자 또는 메틸기이다. n이 10을 초과하면 수지의 점도가 높아지고, 기재에 대한 함침성이 악화되어 바람직하지 않다.
상기 나프탈렌 변성 에폭시 수지 중에서도, 특히 고(高)내열성의 점에서 일반식 (1)에서 나타내는 나프탈렌 변성 에폭시 수지가 바람직하고, 특히 고(高)유리 전이 온도의 점에서 일반식 (2)에서 나타내는 나프탈렌 변성 에폭시 수지가 바람직하고, 특히 저(低)흡수율의 점에서 일반식 (3)에서 나타내는 나프탈렌 변성 에폭시 수지가 바람직하다.
상기 나프탈렌 변성 에폭시 수지의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 에폭시 수지 전체의 60중량% 이상, 90중량% 이하가 바람직하고, 특히 70중량% 이상, 80중량% 이하가 바람직하다. 나프탈렌 변성 에폭시 수지의 함유량이 상기 하한값 미만이면 내열성을 향상시키는 효과가 저하되는 경우가 있고, 상기 상한값을 초과하면 밀착성이 저하되는 경우가 있다.
또한, 본 발명의 수지 조성물에 있어서, 상기 나프탈렌 변성 에폭시 수지 이외의 에폭시 수지로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지 등을 사용할 수 있다. 에폭시 수지로서 브롬화 에폭시 수지를 사용하면, 에폭시 수지의 특성을 저하시키는 일 없이 난연화할 수 있어 바람직하다.
본 발명의 수지 조성물은, 트리아진 변성 노볼락 수지를 포함한다. 이것에 의해, 내열성을 유지한 채로 밀착성을 향상시킬 수 있다.
나프탈렌 변성 에폭시의 경화제로서 노볼락 수지가 사용된다. 노볼락 수지를 나프탈렌 변성 에폭시 수지의 경화제로서 사용하면, 흡수율이나 땜납 내열성 등의 나프탈렌 변성 에폭시 수지의 우수한 특성을 저하시키는 일이 없어 바람직하다. 그러나, 나프탈렌 변성 에폭시 수지를 노볼락 수지로 경화시킨 경화물은, 수지 중에 극성기가 적고 구리박 밀착성이 악화되는 문제가 있다.
이에 반해 본 발명의 수지 조성물은, 트리아진 변성 노볼락 수지를 사용함으로써 흡수율이나 땜납 내열성을 저하시키는 일 없이 밀착성과 무연 내열성을 부여할 수 있다. 트리아진 변성 노볼락 수지는 분자 중에 질소 원자를 포함하므로, 밀착성이 향상된다. 또, 흡수율을 악화시키지 않는다. 또한, 트리아진 환 구조의 내열성이 높고, 나프탈렌 변성 에폭시 수지에 대한 용해성도 우수하기 때문에 땜납 내열성을 악화시키지 않는다. 본 발명의 수지 조성물은, 나프탈렌 변성 에폭시 수지를 사용한 경우에도, 그의 저(低)선팽창성과 함께, 적층판에 높은 밀착성, 내열성을 부여할 수 있는 것이다.
트리아진 변성 노볼락 수지는, 페놀류와 트리아진류와 알데히드류를 반응시켜 얻어지는 트리아진 변성 노볼락 수지이다. 이 트리아진 변성 노볼락 수지에는, 페놀류와 트리아진류와 알데히드류의 축합물 외에, 트리아진류와 알데히드류의 축합물, 페놀류와 알데히드류의 축합물, 미반응의 페놀류 및 트리아진류를 포함하고 있어도 된다. 또, 트리아진 변성 노볼락 수지의 수(數)평균 분자량은 300~10000의 범위에 있는 것이 바람직하다.
트리아진 변성 노볼락 수지의 제조에 사용하는 페놀류로서는, 페놀, 나프톨, 비스페놀 A 등의 1가 페놀성 화합물; 레조르신, 자일레놀 등의 2가 페놀성 화합물; 피로갈롤, 히드록시히드로퀴논 등의 3가 페놀성 화합물, 및 이들 페놀성 화합물의 알킬, 카르복실, 할로겐, 아민 등의 유도체 등을 들 수 있다. 또, 이러한 페놀 종류는 1종 단독 또는 2종 이상을 조합해서 사용할 수 있다.
또, 트리아진 변성 노볼락 수지의 제조에 사용하는 트리아진류로서는, 트리아진 환을 갖는 것이면 되고, 예를 들면 멜라민, 아세토구아나민 또는 벤조구아나민을 들 수 있다. 이들은 1종 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
또, 트리아진 변성 노볼락 수지의 제조에 사용하는 알데히드류로서는, 예를 들면 포름알데히드, 아세트알데히드, 벤즈알데히드, 히드록시페닐알데히드, 푸르푸랄, 아크롤레인 등을 들 수 있다. 이 중, 포름알데히드가 취급의 점에서 바람직하다. 포름알데히드로서는, 예를 들면 포르말린, 파라포름알데히드 등을 들 수 있다.
본 발명에서 사용되는 트리아진 변성 노볼락 수지의 질소 함유율은 8중량% 이상, 20중량% 이하가 바람직하다. 함유량이 상기 하한값 미만이면 밀착성이 저하되고, 상기 상한값을 초과하면 흡수율이 악화되는 경우가 있다.
트리아진 변성 노볼락 수지의 함유량은, 특별히 한정되지 않지만, 에폭시 수지 100중량부에 대해서 20.0중량부 이상, 35.0중량부 이하가 바람직하고, 특히 24.8중량부 이상, 30.0중량부 이하가 바람직하다. 함유량이 상기 하한값 미만이면 밀착성이 저하되고, 상기 상한값을 초과하면 흡수율이 악화되는 경우가 있다. 또, 특히 트리아진 변성 노볼락 수지의 함유량을 에폭시 수지 100중량부에 대해서 24.8중량부 이상, 30.0중량부 이하로 함으로써, 수지 경화물의 밀착성과 저(低)탄성률화를 안정적으로 부여할 수 있기 때문에, 기판 재료에 열충격이 가해진 경우에 있어서도 크랙 등의 발생이 일어나기 어려워진다.
본 발명의 수지 조성물은, 상기 서술한 나프탈렌 변성 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지와, 트리아진 변성 노볼락 수지를 필수 성분으로서 함유하지만, 본 발명의 목적에 반하지 않는 범위에 있어서, 그 외의 수지, 이미다졸 화합물 등의 경화 촉진제, 커플링제, 그 외의 성분을 첨가하는 것은 지장이 없다.
다음에, 프리프레그에 대해서 설명한다.
본 발명의 프리프레그는, 상기 서술한 수지 조성물을 기재에 함침시켜 이루어지는 것이다. 이것에 의해, 내열성 등의 각종 특성이 우수한 프리프레그를 얻을 수 있다. 본 발명의 프리프레그로 사용하는 기재로서는, 예를 들면 유리 섬포(纖布), 유리 부섬포(不纖布) 등의 유리 섬유 기재, 혹은 유리 이외의 무기 화합물을 성분으로 하는 섬포 또는 부섬포 등의 무기 섬유 기재, 방향족 폴리아미드 수지, 폴리아미드 수지, 방향족 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리이미드 수지, 불소 수지 등의 유기 섬유로 구성되는 유기 섬유 기재 등을 들 수 있다. 이들 기재 중에서도 강도, 흡수율의 점에서 유리 직포로 대표되는 유리 섬유 기재가 바람직하다.
본 발명에서 얻어지는 수지 조성물을 기재에 함침시키는 방법에는, 예를 들면, 수지 조성물을 용매에 용해하여 수지 바니시를 조제하고, 기재를 수지 바니시에 침지하는 방법, 각종 코터 장치에 의해 수지 바니시를 기재에 도포하는 방법, 수지 바니시를 스프레이 장치에 의해 기재에 뿜어내는 방법 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 기재를 수지 바니시에 침지하는 방법이 바람직하다. 이것에 의해, 기재에 대한 수지 조성물의 함침성을 향상시킬 수 있다. 또한, 기재를 수지 바니시에 침지하는 경우, 통상의 함침 도포 장치를 사용할 수 있다.
상기 수지 바니시에 사용되는 용매는, 상기 수지 조성물에 대해서 양호한 용해성을 나타내는 것이 바람직하지만, 악영향을 미치지 않는 범위에서 빈용매(貧溶媒)를 사용해도 상관없다. 양호한 용해성을 나타내는 용매로서는, 예를 들면 메틸에틸케톤, 시클로헥사논 등을 들 수 있다.
상기 수지 바니시 중의 고형분은, 특별히 한정되지 않지만, 상기 수지 조성물의 고형분 40중량% 이상, 80중량% 이하가 바람직하고, 특히 50중량% 이상, 65중량% 이하가 바람직하다. 이것에 의해, 수지 바니시의 기재에 대한 함침성을 더 향상시킬 수 있다. 상기 기재에 상기 수지 조성물을 함침시켜, 소정 온도, 예를 들면 80~200℃에서 건조시킴으로써 프리프레그를 얻을 수 있다.
다음에, 적층판에 대해서 설명한다.
본 발명의 적층판은, 상기 서술한 프리프레그를 적어도 1장 성형하여 이루어지는 것이다. 이것에 의해, 우수한 내열성을 가지며, 두께 방향의 선팽창 계수가 작고, 밀착성이 양호한 적층판을 얻을 수 있다. 프리프레그가 1장일 때는, 그 상하 양면 혹은 한쪽 면에 금속박 혹은 필름을 겹친다. 또, 프리프레그를 2장 이상 적층할 수도 있다. 프리프레그를 2장 이상 적층할 때는, 적층한 프리프레그의 가장 외측의 상하 양면 혹은 한쪽 면에 금속박 혹은 필름을 겹친다. 다음에, 프리프레그와 금속박 등을 겹친 것을 가열, 가압하여 성형함으로써 적층판을 얻을 수 있다.
상기 가열하는 온도는, 특별히 한정되지 않지만, 120~220℃가 바람직하고, 특히 150~200℃가 바람직하다.
또, 상기 가압하는 압력은, 특별히 한정되지 않지만, 2~5MPa가 바람직하고, 특히 2.5~4MPa가 바람직하다.
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
(1) 수지 바니시의 조제
나프탈렌 변성 에폭시 수지(에폭시 당량 230, 니폰가야쿠 사제 NC-7000L) 75.5중량부, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지(에폭시 당량 400, 다이니폰잉키가가쿠고교 사제 153) 24.5중량부, 트리아진 변성 노볼락 수지(수산기 당량 145, 질소 함유율 19중량%, 다이니폰잉키가가쿠고교 사제 KA-1356) 28.2중량부, 2-메틸이미다졸 0.1중량부에 메틸에틸케톤을 더하여, 불휘발분 농도 55중량%가 되도록 수지 바니시를 조제했다.
(2) 프리프레그의 제조
상기 서술한 수지 바니시를 사용하여, 유리 섬포(두께 0.18mm, 닛토보우세키 사제) 100중량부에 대해서, 수지 바니시를 고형분으로 80중량부 함침시키고, 150℃의 건조로에서 5분간 건조시켜, 수지 함유량 44.4중량%인 프리프레그를 제작했다.
(3) 적층판의 제조
상기 프리프레그를 6장 겹치고, 상하로 두께 35μm의 전해 구리박을 겹쳐, 압력 4MPa, 온도 200℃에서 150분간 가열 가압 성형을 행하고, 두께 1.2mm인 양면 구리 피복 적층판을 얻었다.
(실시예 2)
나프탈렌 변성 에폭시 수지(에폭시 당량 175, 신닛테츠가가쿠 사제 ESN-375) 75.5중량부, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지(에폭시 당량 400, 다이니폰잉키가가쿠고교 사제 153) 24.5중량부, 트리아진 변성 노볼락 수지(수산기 당량 145, 질소 함유율 19중량%, 다이니폰잉키가가쿠고교 사제 KA-1356) 28.5중량부, 2-메틸이미다졸 0.1중량부로 한 것 외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 수지 바니시를 조제하고, 프리프레그 및 적층판을 얻었다.
(실시예 3)
나프탈렌 변성 에폭시 수지(에폭시 당량 270, 신닛테츠가가쿠 사제 ESN-175) 75.5중량부, 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지(에폭시 당량 400, 다이니폰잉키가가쿠고교 사제 153) 24.5중량부, 트리아진 변성 노볼락 수지(수산기 당량 145, 질소 함유율 19중량%, 다이니폰잉키가가쿠고교 사제 KA-1356) 24.7중량부, 2-메틸이미다졸 0.1중량부로 한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 바니시를 조제하고, 프리프레그 및 적층판을 얻었다.
(실시예 4)
트리아진 변성 노볼락 수지로서, 다이니폰잉키가가쿠고교 사제 KA-7054(수산기 당량 125, 질소 함유율 12중량%)를 사용하고, 표 1의 배합량으로 한 것 외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 수지 바니시를 조제하고, 프리프레그 및 적층판을 얻었다.
(비교예 1)
경화제로서 트리아진 변성 노볼락 수지를 사용하지 않고, 경화제로서 페놀 노볼락을 사용하고, 표 1의 배합량으로 한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 바니시를 조제하고, 프리프레그 및 적층판을 얻었다.
(비교예 2)
에폭시 수지로서 나프탈렌 변성 에폭시 수지를 사용하지 않고, 크레졸 노볼 락 에폭시 수지를 사용하고, 표 1의 배합량으로 한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 바니시를 조제하고, 프리프레그 및 적층판을 얻었다.
(비교예 3)
경화제로서 트리아진 변성 노볼락 수지를 사용하지 않고, 경화제로서 디시안디아미드와 4,4-디아미노디페닐술폰을 사용하고, 표 1의 배합량으로 한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 바니시를 조제하고, 프리프레그 및 적층판을 얻었다.
(비교예 4)
에폭시 수지로서 나프탈렌 변성 에폭시 수지를 사용하지 않고, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지를 사용하고, 표 1의 배합량으로 한 것 외에는 실시예 1과 동일하게 하여 수지 바니시를 조제하고, 프리프레그 및 적층판을 얻었다.
각 실시예 및 비교예에 의해 얻어진 적층판에 대해서, 다음의 각 평가를 행했다. 각 평가를, 평가 방법과 함께 이하에 나타낸다. 얻어진 결과를 표 1에 나타낸다.
Figure 112009013313026-pct00002
1. 원재료
(1) 나프탈렌 변성 에폭시 수지(에폭시 당량 230, 상품명: 니폰카야쿠 사제 NC-7000L); 일반식 (2)에 상당한다.
(2) 나프탈렌 변성 에폭시 수지(에폭시 당량:175, 상품명: 신닛테츠가가쿠 사제 ESN-375); 일반식 (1)에 상당한다.
(3) 나프탈렌 변성 에폭시 수지(에폭시 당량 270, 상품명: 신닛테츠가가쿠 사제 ESN-175); 일반식 (3)에 상당한다.
(4) 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지(에폭시 당량 400, 브롬화율 49%, 상품명: 다이니폰잉키가가쿠고교 사제 153)
(5) 트리아진 변성 노볼락 수지(수산기 당량 145, 질소 함유율 19중량%, 상품명: 다이니폰잉키가가쿠고교 사제 KA-1356)
(6) 트리아진 변성 노볼락 수지(수산기 당량 125, 질소 함유율 12중량%, 상품명: 다이니폰잉키가가쿠고교 사제 KA-7054)
(7) 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(에폭시 당량 210, 상품명: 다이니폰잉키가가쿠고교 사제 N-690)
(8) 페놀 노볼락 수지(수산기 당량 105, 상품명: 스미토모 베이크라이트 사제 PR-51470)
(9) 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(에폭시 당량 270, 상품명: 다이니폰잉키가가쿠고교 사제 HP-7200H)
2. 평가 방법
(1) 유리 전이 온도
유리 전이 온도는 점탄성법에 의해 tanδ의 피크 온도로부터 구했다.
(2) 두께 방향 선팽창 계수
두께 방향 선팽창 계수는 TMA(열기계 분석)로 측정하여, 50℃부터 150℃의 평균값을 나타냈다.
(3) 땜납 내열성
땜납 내열성은, JIS C 6481에 준거하여 측정했다. 측정은, 자비(煮沸) 2시간의 흡습 처리를 행한 후, 260℃의 땜납조에 120초간 침지한 후에 외관의 이상의 유무를 조사했다.
(4) 필(peel) 강도
필 강도는, JIS C 6481에 준거하여 측정했다.
(5) 난연성
UL 수직법에 준거하여 측정하고, 소화(燒火)까지의 시간에 따라, 94V-0 혹은 V-1을 판정했다. 「94V-0」의 판정은 난연성이 우수한 것을, 「94V-1」의 판정은 「94V-0」 보다 난연성이 떨어지는 것을 의미한다.
(6) 무연 내열성
IPC-TM-650 규격에서의 T-288 시험에 준거하여 측정한 것으로, TMA(열기계 분석)로 288℃로 유지한 후, 층간 박리할 때까지의 시간을 측정했다.
표에서 명백한 바와 같이, 실시예 1~4는, 나프탈렌 변성 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지와, 트리아진 변성 노볼락 수지를 함유하는 본 발명의 수지 조성물을 사용한 적층판으로서, 난연성, 땜납 내열성, 무연 내열성, 두께 방향의 선팽창 계수 및 밀착성이 우수했다.
이에 반해 비교예 1은 경화제로서 페놀 노볼락만을 사용했는데, 밀착성이 저하되었다. 비교예 1에서는 질소 성분을 함유하지 않기 때문에, 무연 내열성에 악영향이 생기지 않았다. 또, 비교예 2는 나프탈렌 변성 에폭시 수지를 사용하지 않았기 때문에, 두께 방향의 선팽창 계수가 떨어지는 결과가 되었다.
또, 비교예 3은 경화제로서 디시안디아미드와 4,4-디아미노디페닐술폰을 사용했는데 우수한 난연성을 나타냈지만 무연 내열성이 저하되었다. 또, 비교예 4는 나프탈렌 변성 에폭시 수지를 사용하지 않았기 때문에, 난연성이 떨어지는 결과가 되었다.
본 발명의 적층판은 노트형 퍼스널 컴퓨터나 휴대 전화 등의 정보 처리 기기에서 이용하는 회로 기판으로서 유용하다. 특히 소형화 및 소형 경량화의 요구에 부합하여, 내열 충격성이나 내열성에 강하다. 또, 본 발명의 수지 조성물이나 프리프레그는 이러한 적층판을 제작하는 유용한 원료가 된다.

Claims (4)

  1. 기재(基材)에 함침시켜 시트 형상의 프리프레그를 형성하기 위해 사용하는 수지 조성물로서, 나프탈렌 변성 에폭시 수지 및 브롬화 비스페놀 A형 에폭시 수지를 포함하는 에폭시 수지와, 트리아진 변성 노볼락 수지를 함유하며, 상기 나프탈렌 변성 에폭시 수지의 함유량은 에폭시 수지 전체의 70 중량% 이상 90 중량% 이하이고, 상기 트리아진 변성 노볼락 수지의 함유량은 에폭시 수지 100 중량부에 대해서 24.3 중량부 이상 30.0 중량부 이하인 것을 특징으로 하는 수지 조성물.
  2. 삭제
  3. 청구항 1에 기재된 수지 조성물을, 기재에 함침시켜 이루어지는 프리프레그.
  4. 청구항 3에 기재된 프리프레그를, 1장 이상 성형하여 이루어지는 적층판.
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