KR101363782B1

KR101363782B1 - 디바이스의 제조 방법

Info

Publication number: KR101363782B1
Application number: KR1020097010353A
Authority: KR
Inventors: 다카시 요시노
Original assignee: 엔지케이 인슐레이터 엘티디
Priority date: 2006-11-09
Filing date: 2007-11-09
Publication date: 2014-02-14
Also published as: US7931831B2; JPWO2008056829A1; US20090212449A1; CN101535887A; JP5297197B2; KR20090083387A; WO2008056829A1; CN101535887B

Abstract

본 발명은 분역화하고 있는 강유전체 단결정 기판의 한쪽 주요면 상에 마련된 빗형 전극과, 이 다른 쪽 주요면 상에 마련된 균일 전극 사이에 전압을 인가함으로써, 주기 분극 반전 구조(9)를 형성하고, 빗형 전극을 제거하는 것을 목적으로 한다. 계속해서, 기판(18)에 광도파로(20)를 형성한다. 도파로(20)의 광강도 중심(P1)을 빗형 전극의 선단 위치(PO)에서 떼어놓는다.

광도파로

Description

디바이스의 제조 방법{DEVICE MANUFACTURING METHOD}

본 발명은 고조파 발생 소자 등에 사용 가능한 광도파로 기판을 제조하는 방법에 관한 것이다.

강유전체의 분극을 강제적으로 반전시키는 분극 반전 구조를 주기적으로 형성함으로써, 표면 탄성파를 이용한 광주파수 변조기나, 비선형 분극의 분극 반전을 이용한 광파장 변환 소자 등을 실현할 수 있다. 특히, 비선형 광학 재료의 비선형 분극을 주기적으로 반전시키는 것이 가능해지면, 고효율의 파장 변환 소자를 제작할 수 있고, 이것을 이용하여 고체 레이저 등의 광을 변환하면, 인쇄, 광정보 처리, 광응용 계측 제어 등의 분야에 응용할 수 있는 소형 경량의 단파장 광원을 구성할 수 있다.

강유전체 비선형 광학 재료에 주기적 형상의 분극 반전 구조를 형성하는 방법으로서는, 소위 전압 인가법이 알려져 있다. 이 방법에서는, 강유전체 단결정 기판의 한쪽 주요면에 빗형 전극을 형성하고, 다른 쪽 주요면에 균일 전극(uniform electrode)을 형성하며, 양자간에 펄스 전압을 인가한다. 이러한 방법은 일본 특허 공개 평성 제8-220578호, 일본 특허 공개 제2005-70195호, 일본 특허 공개 제 2005-70194호에 기재되어 있다.

니오브산리튬 단결정 등의 비선형 광학 재료로부터 제2 고조파를 발생시키기 위해서는 단결정에 주기적 형상의 분극 반전을 형성해야 한다. 그리고, 주기 분극 반전 구조를 강유전체 단결정 기판에 형성한 후에, 기판 표면에 기계 가공이나 레이저 가공에 의해 리지(ridge)형 채널 광도파로를 형성한다. 이 때, 리지형 광도파로의 내부에, 주기 분극 반전 구조가 위치하도록 함으로써 광도파로에 입사된 기본파를 고조파로 변조한다.

그러나, 주기 분극 반전 구조를 형성한 영역에 리지형 광도파로를 형성하고, 기본파를 입사시키면, 광손실이 매우 커서 고조파 출력이 극심하게 낮아지는 것이 판명되었다. 이것은, 주기 분극 반전 구조를 슬래브 도파로로서 사용한 경우에는 볼 수 없었던 현상으로서, 예측을 초월한 것이었다.

본 발명의 과제는, 주기 분극 반전 구조가 형성된 채널형 광도파로를 갖는 광도파로 기판을 형성하는 데 있어서, 채널형 광도파로에서의 광손실을 저감하여 고조파의 발생 효율을 향상시키는 것이다.

본 발명은 주기 분극 반전 구조가 형성된 채널형 광도파로를 갖는 광도파로 기판을 형성하는 방법으로서,

단분역화되어 있는 강유전체 단결정 기판의 한쪽 주요면 상에 마련된 빗형 전극에 전압을 인가함으로써, 주기 분극 반전 구조를 형성하는 전압 인가 공정,

빗형 전극을 제거하는 전극 제거 공정 및

강유전체 단결정 기판에 광도파로를 형성하는 광도파로 형성 공정을 포함하고 있고, 광도파로의 광강도 중심(P1)의 한쪽 주요면으로의 투영 위치(P2)를, 빗형 전극의 선단(先端)의 한쪽 주요면으로의 투영 위치(PO)에서 떼어놓는 것을 특징으로 한다.

본 발명자는, 채널 광도파로 내에 주기 분극 반전 구조를 형성한 경우에, 광도파로에서의 손실이 증대하여 고조파 발생 효율이 현저히 저하되는 원인을 추구하였다. 이 결과, 주기 분극 반전을 형성하는 공정에서, 전압 인가시에 강유전체 단결정의 표면 영역에 손상이 발생하고 있는 것을 밝혀내었다. 이러한 손상과 그 고조파 발생에 미치는 영향에 대해서 기재된 문헌은 발견되지 않았다.

더욱 구체적으로 검토하면, 빗형 전극의 선단 에지 부분은 전계가 집중하여 선단 부분으로부터 앞쪽을 향해 분극 반전 부분이 연장되게 된다. 빗형 전극의 선단부 아래와 그 주변에서는, 결정에 큰 손상 내지 결정 결함이 발생하게 된다. 이 결과, 분극 효율이 높은 이 부분에 채널형 광도파로를 형성하면, 광도파로를 통해 전파되는 광이 손상으로 인한 영향을 받은 것으로 생각된다.

본 발명자는, 이러한 발견에 기초하여 예컨대 도 6, 도 7에 도시된 바와 같이, 광도파로(20, 30)의 광강도 중심(P1)을 빗형 전극의 선단 위치(P0)에서 평면적으로 보아 떼어놓음으로써, 광도파로(20, 30)에서의 광손실을 현저히 저감시켜 고조파 발생 효율을 증대시킬 수 있는 것을 발견하여 본 발명에 도달하였다.

본 발명의 관점에서는, 기판의 한쪽 주요면(18a)에 투영했을 때의 광도파로의 광강도 중심(P1)의 투영 위치(P2)와, 빗형 전극의 선단의 투영 위치(PO)와의 간격(m)은 5 ㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 7 ㎛ 이상으로 하는 것이 더욱 바람직하며, 10 ㎛ 이상으로 하는 것이 한층 더 바람직하다.

한편, 한쪽 주요면(18a)에 투영했을 때의 광도파로의 광강도 중심(P1)의 투영 위치(P2)와 빗형 전극의 선단 투영 위치(PO)와의 간격(m)이 지나치게 커지면, 분극 반전의 정도가 작아지기 때문에, 고조파 발생 효율이 저하되어 간다. 따라서, 고조파 발생 효율의 향상이라는 관점에서는, P2와 P0과의 간격(m)은 30 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하고, 25 ㎛ 이하로 하는 것이 더욱 바람직하며, 20 ㎛ 이하로 하는 것이 한층 더 바람직하다.

본 발명에 있어서, 채널형 광도파로의 광강도 중심(P1)은 단면에서 관찰한 화상에 의해 결정할 수 있다. 즉, 도파로의 출사 단부면측에 램프의 광을 조사하고, 도파로 단면의 화상을 CCD 카메라로 관찰한다. 도파로의 반대측 단부면에 레이저광(위상 정합 파장의 레이저광, 예컨대 980 ㎚)을 입사시켜 출사측의 단부면에서 도파광의 패턴을 단부면의 화상과 동시에 CCD 카메라에 의해 관찰하고, 화상 해석(광강도 분포 측정 소프트웨어를 이용함)에 의해 강도 중심 위치를 검출한다. PO는 빗형 전극의 선단 에지를 주요면(8a, 18a)으로, 주요면의 법선(L) 방향을 향해 투영했을 때의 투영 위치이다. P2는 P1을 주요면(8a, 18a)으로, 주요면(8a, 18a)의 법선(L) 방향을 향해 투영했을 때의 투영 위치이다.

채널형 광도파로가 예컨대 도 6에 예시한 바와 같은 형태의 리지형 광도파로(20)인 경우에는, 리지형 광도파로의 광강도 중심(P1)은 기하학적인 중심과 일치한다. 또한, 채널형 광도파로가 도 7에 예시한 바와 같은 내부 확산에 의해 발생한 광도파로(30)인 경우에는, 광도파로의 형태는 명확하지 않기 때문에, 광도파로의 기하학적 중심을 특정할 수는 없다.

도 1은 전압 인가법에 의해 강유전체 단결정 기판(8) 내에 주기 분극 반전 구조를 형성하고 있는 상태를 모식적으로 도시한 사시도이다.

도 2의 (a)는 강유전체 단결정 기판(8)에 주기 분극 반전 구조(29)를 형성한 상태를 도시한 단면도이고, 도 2의 (b)는 도 2의 (a)의 강유전체 단결정 기판에서 전극을 제거한 상태를 도시한 단면도이다.

도 3은 강유전체 단결정 기판(8)을 지지 기체(12)에 접착시킨 상태를 도시한 단면도이다.

도 4는 도 3의 강유전체 단결정 기판(8)을 가공하여 박층의 강유전체 단결정 기판(18)을 형성한 상태를 도시한 단면도이다.

도 5는 리지형 광도파로(14)를 형성한 종래예의 소자를 도시한 단면도이다.

도 6은 리지형 광도파로(20)를 형성한 본 발명예의 소자를 도시한 단면도이다.

도 7은 확산형 도파로(30)를 형성한 본 발명예의 소자를 도시한 단면도이다.

도 8은 P0과 P2와의 간격(m)과 고조파 출력과의 관계를 도시한 그래프이다.

이하, 적절하게 도면을 참조하면서, 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.

우선, 전압 인가법에 의해 강유전체 단결정 기판에 주기 분극 반전 구조를 형성한다. 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 강유전체 단결정으로 이루어진 오프컷 기판을 기판(8)으로서 사용한다. 강유전체 단결정의 분극 방향(A)은 한쪽 주요면(8a) 및 다른 쪽 주요면(8b)에 대하여 미리 결정된 각도, 예컨대 5°경사져 있기 때문에, 이 기판(8)은 오프컷 기판이라 불리고 있다.

기판(8)의 한쪽 주요면(8a)에 빗형 전극(3) 및 대향 전극(1)을 형성하고, 다른 쪽 주요면(8b)에 균일(uniform) 전극(9)을 형성한다. 빗형 전극(3)은 주기적으로 배열된 다수의 가늘고 긴 전극편(3a)과, 다수의 전극편(3a)이 부착된 부분을 접속하는 가늘고 긴 급전부(2)로 이루어진다. 대향 전극(1)은 가늘고 긴 전극편으로 이루어져 있고, 대향 전극(1)은 전극편(5)의 선단에 대향하도록 마련되어 있다.

처음에 기판(8) 전체를 A 방향으로 분극시켜 둔다. 그리고, 빗형 전극(3)과 대향 전극(1) 사이에 V1의 전압을 인가하고, 빗형 전극(3)과 균일 전극(9) 사이에 V2의 전압을 인가한다. 이에 따라, 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 분극 반전부(9)는 각 전극편(3a)의 선단(3b)에서부터 B 방향과 평행하게 서서히 진전된다. 분극 반전 방향(B)은 비분극 반전 방향(A)과는 정반대가 된다. 또한, 전극부에 대응하지 않는 위치, 즉 인접한 분극 반전부 사이에는 분극 반전하지 않는 비분극 반전부가 잔류한다. 이와 같이 하여, 분극 반전부와 비분극 반전부가 교대로 배열된 주기 분극 반전 구조(29)가 형성된다.

여기서, 빗형 전극(3a)의 바로 아래 및 선단 에지(3b)의 주변에 있어서, 기판(8)의 한쪽 주요면(8a) 측의 표면 영역에 손상층(10)이 생성되는 것을 발견하였다.

채널형 광도파로 내에 주기 분극 반전 구조를 형성하기 위해서는, 계속해서, 빗형 전극(3)을 제거하고, 도 2의 (b)에 도시된 바와 같은 상태로 한다. 여기서, PO는 빗형 전극(3)의 전극편(3a)의 선단(3b)을 주요면(8a)에 투영한 투영 위치이다.

빗형 전극의 선단의 투영 위치(P0)는 미리 작성한 얼라이먼트 마크(M)에 의해 측정한다. 이러한 얼라이먼트 마크는 통상의 포토리소그래피법에 의한 금속 패턴 등에 의해 형성할 수 있다.

이 시점에서, 본 발명에 따라 채널형 광도파로를 강유전체 단결정 기판(8)에 형성하는 것도 가능하다. 그러나, 적합한 실시형태에서는, 기판으로부터 빗형 전극을 제거한 후에, 기판을 지지 기체에 접착시키고, 계속해서, 기판을 다른 쪽 주요면측에서 가공하여 얇게 한다. 이것에 의해, 강유전체 단결정 기판을 얇게 하여 광도파로 내부로의 광의 가둠을 강하게 하여 고조파에 대한 변환 효율을 향상시키고, 기판을 얇게 하여도 원하는 기계적 강도를 부여할 수 있다.

이 실시형태에서는, 도 3에 도시된 바와 같이, 강유전체 단결정 기판(8)의 한쪽 주요면(8a)을 지지 기체(12)의 표면(12a) 측에 접착시킨다. 그리고 기판(8)의 다른 쪽 주요면(8b) 측을 가공함으로써 기판을 얇게 한다.

이 결과, 도 4에 도시된 바와 같이, 기판(18)이 박층화된다. 도면 부호 18a는 기판(18)의 한쪽 주요면이고, 도면 부호 18b는 다른 쪽 주요면이다. 기판(18)은 접착층(11)을 통해 지지 기체(12)의 표면(12a)에 접착되어 있다. 이 시점에서, 얼라이먼트 마크(M)는 배면(18b) 측에서 관찰할 수 있도록 한다.

계속해서, 기판(18) 내에 다른 쪽 주요면측에서 가공을 행하고, 도 5에 도시된 바와 같이 리지형 광도파로(14)를 형성한 것으로 한다. 이 경우, 강유전체 단결정 기판(18)을 가공함으로써, 한 쌍의 홈(17A, 17B)을 형성하고, 그 양측에 연장부(15A, 15B)를 잔류시킨다. 한 쌍의 홈(17A, 17B) 사이에는 리지형 광도파로(14)가 형성된다.

여기서, 종래에는 리지형 광도파로(14)의 광강도 중심(P1)은 빗형 전극의 선단 투영 위치(P0) 상에 위치하도록 설계되어 있었다. 왜냐하면, 빗형 전극의 선단 부분은 전압이 높고, 분극 반전 구조가 확실하게 형성된다고 생각되고 있었기 때문이다.

그러나, 실제로는, 도 5와 같은 형태이면, 고조파의 발생 효율이 설명할 수 없을 정도로 현저히 저하되는 것이 판명되었다. 이 이유를 검토해 나가는 과정에서, 도 5에 도시된 바와 같이 빗형 전극 아래의 영역에 손상층(10)이 형성되어 있고, 손상층(10)이, 리지형 광도파로(14)를 통해 전파되는 기본파 및 고조파의 손실을 초래하고 있었던 것으로 생각되었다.

이러한 예측을 실증하기 위해서, 본 발명자는, 예컨대 도 6에 도시된 바와 같이, 리지형 광도파로(20)의 광강도 중심(P1)을 평면적으로 보아 빗형 전극의 선단 위치(P0)에서 떼어놓음으로써 리지형 광도파로(20)의 광강도 중심의 바로 아래 및 그 주변에서 손상층(10)을 떼어놓는 것을 시도하였다. 이 결과, 광도파로(20)에서의 기본파의 변환 효율이 현저히 향상되는 것을 발견하였다.

또한, 본 발명자는, 도 7에 도시된 바와 같이, 내부 확산에 의해 형성한 광 도파로(30)에 대해서도, 광도파로(30)의 광강도 중심(P1)을 평면적으로 보아 빗형 전극의 선단 위치(P0)에서 떼어놓음으로써 리지형 광도파로(30)의 광강도 중심의 바로 아래 및 그 주변에서 손상층(10)을 떼어놓는 것을 시도하였다. 이 결과, 광도파로(30)에서의 기본파의 변환 효율이 현저히 향상되는 것을 발견하였다.

강유전체 단결정 기판을 구성하는 강유전체 단결정의 종류는 한정되지 않는다. 그러나, 니오브산리튬(LiNbO₃), 탄탈산리튬(LiTaO₃), 니오브산리튬-탄탈산리튬 고용체, K₃Li₂Nb₅O₁₅의 각 단결정이 특히 바람직하다.

강유전체 단결정 내에는 3차원 광도파로의 내광손상성(耐光損傷性)을 더욱 향상시키기 위해서, 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 스칸듐(Sc) 및 인듐(In)으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 금속 원소를 함유시킬 수 있으며, 마그네슘이 특히 바람직하다. 분극 반전 특성(조건)이 명확하다는 관점에서는, 니오브산리튬 단결정, 니오브산리튬-탄탈산리튬 고용체 단결정, 탄탈산리튬 단결정에 각각 마그네슘을 첨가한 것이 특히 바람직하다. 또한, 강유전체 단결정 내에는 도핑 성분으로서 희토류 원소를 함유시킬 수 있다. 이 희토류 원소는 레이저 발진용 첨가 원소로서 작용한다. 이 희토류 원소로서는 특히 Nd, Er, Tm, Ho, Dy, Pr이 바람직하다.

기판으로서는, 소위 Z컷 기판, 오프컷 X판, 오프컷 Y판을 사용하는 것이 특히 바람직하다. 오프컷 X판, 오프컷 Y판을 사용하는 경우에는, 오프컷 각도는 특별히 한정되지 않는다. 특히 바람직하게는, 오프컷 각도는 1°이상이며, 또는, 20°이하이다. X컷 기판이나 Y컷 기판을 사용하는 경우에는, 균일 전극을 기판 이면 에 마련하지 않고, 일표면 상에 마련하여 빗형 전극과 균일 전극 사이에 전압을 인가할 수 있다. 이 경우에는, 대향 전극은 없어도 좋지만, 부동 전극으로서 남겨 두어도 좋다. 또한, Z컷 기판을 사용하는 경우에는, 균일 전극을 이면 상에 마련하고, 빗형의 전극과 균일 전극 사이에 전압을 인가할 수 있다. 이 경우에는, 대향 전극은 반드시 필요한 것은 아니지만, 부동 전극으로서 남겨 두어도 좋다.

주기 분극 반전 구조를 형성하는 데 있어서, 빗형 전극, 대향 전극, 균일 전극의 재질은 한정되지 않지만, Al, Au, Ag, Cr, Cu, Ni, Ni-Cr, Pd, Ta가 바람직하다. 또한, 빗형 전극, 대향 전극, 균일 전극의 형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 진공 증착법, 진공 스퍼터법을 예시할 수 있다. 인가 전압의 크기는 3 kV∼8 kV가 바람직하고, 펄스 주파수는 1 Hz∼1000 Hz가 바람직하다.

강유전체 단결정 기판과 접착되는 지지 기판의 재질은 절연성이 높고, 재질 내의 체적 저항률이 균일하며, 미리 결정된 구조 강도를 갖고 있을 필요가 있다. 이 재질로서는, 실리콘, 사파이어, 수정, 유리, 니오브산리튬, 탄탈산리튬, 니오브산리튬-탄탈산리튬 고용체 MgO 도핑 니오브산리튬, MgO 도핑 탄탈산리튬, ZnO 도핑 니오브산리튬, ZnO 도핑 탄탈산리튬을 예시할 수 있다.

강유전체 단결정 기판과 지지 기체를 접착시키는 접착제의 재질은 특별히 한정되지 않지만, 아크릴계, 에폭시계의 자외선 경화형, 열경화형, 병용형 수지를 예시할 수 있다.

광도파로의 가공 위치는 얼라이먼트 마크(M)와, 목적으로 하는 광도파로의 광강도 중심의 추정 위치와의 간격을 가공 장치에 부속된 현미경에 의해 측정하면 서 결정한다. 이 때, 리지형 광도파로의 경우에는, 각 홈(17A, 17B)의 위치를, 얼라이먼트 마크(M)의 위치로부터 결정함으로써, 리지형 광도파로의 기하학적 중심과 PO와의 간격을 결정한다. 또한, 금속 내부 확산형 광도파로의 경우에는, 확산을 행하기 전의 티탄, 아연 등의 박막을 형성하기 위한 마스크의 위치를, 얼라이먼트 마크(M)의 위치로부터 결정한다. 또한, 프로톤 교환 광도파로의 경우에는, 프로톤(proton) 교환을 행하기 위한 마스크의 위치를, 얼라이먼트 마크(M)의 위치로부터 결정한다.

채널형 광도파로를 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 리지형 광도파로는 레이저 박리 가공, 연삭 가공, 건식 에칭, 습식 에칭에 의해 형성할 수 있다.

본 발명에 의해 형성된 주기적 형상의 분극 반전부는, 이러한 분극 반전부를 갖는 임의의 광학 디바이스에 대하여 적용할 수 있다. 이러한 광학 디바이스는 예컨대 제2 고조파 발생 소자 등의 고조파 발생 소자를 포함한다. 제2 고조파 발생 소자로서 사용한 경우에는, 고조파의 파장은 330 ㎚∼1600 ㎚가 바람직하다.

실시예

도 1 내지 도 6을 참조하면서 설명한 방법에 따라 도 5(비교예) 또는 도 6(실시예)에 도시된 바와 같은 구조의 광도파로 기판을 제작하였다.

구체적으로는, 두께 0.5 ㎜의 MgO 5% 도핑 니오브산리튬 5°오프컷 Y 기판(8) 상에 빗형 전극(2), 대향 전극(1)을 포토리소그래피법에 의해 형성하였다. 전극편(3a)의 주기는 5.10 ㎛로 하였다. 균일 전극(9)은 기판(8)의 저면(8b)에 전 면에 걸쳐 형성하였다. 계속해서, 펄스 전압을 인가하여 주기 분극 반전 구조(29)를 형성하였다(도 2의 (a)). 기판으로부터 전극을 제거하였다.

계속해서, 두께 1 ㎜의 비도핑 니오브산리튬 기판(12)에 접착제(11)를 도포한 후, 상기 MgO 도핑 니오브산리튬 기판(8)과 서로 부착시키고(도 3), MgO 도핑 니오브산리튬 기판(8)의 다른 쪽 주요면(8a) 측에서 두께 3.4 ㎛가 될 때까지 연삭, 연마를 행하였다(도 4). 다음에, 레이저 박리 가공법에 의해 리지형 도파로(14, 20)를 형성하였다. 형성한 리지부(14, 20)의 폭은 4.5 ㎛로 하고, 홈(17A, 17B)의 깊이를 2 ㎛로 하였다. 리지 가공 후, 스퍼터법에 의해 두께 0.5 ㎛의 SiO₂를 도파로 표면에 성막하였다. 다이서로 기판을 절단하고, 길이 12 ㎜, 폭 1.4 ㎜의 소자를 형성하였다. 소자의 양단을 단면 연마하였다.

얻어진 소자에 대해서, 티탄 사파이어 레이저를 사용하여 광학 특성을 측정하였다. 레이저로부터의 발진 출력을 100 mW로 조정하고, 그 기본광을 렌즈를 통해 도파로 단면에 집광한 결과, 60 mW를 도파로에 결합시킬 수 있었다. 티탄 사파이어 레이저의 파장을 가변시켜 위상 정합하는 파장으로 조절하고, 제2 고조파의 최대 출력을 얻을 수 있도록 하였다. 여기서, 도 6에 있어서, P2와 P0과의 간격(m)을 표 1에 나타낸 바와 같이 설정하였다. 각 예에 있어서의 최대 출력을 표 1 및 도 8에 나타낸다.

이 결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 광도파로의 광강도 중심을 빗형 전극의 선단 위치에서 떼어놓음으로서 고조파 출력이 현저히 향상된다. 이것은, 본 실시예에 있어서와 같은 형태의 광도파로 디바이스에서는, P2와 P0과의 간격(m)을 5 ㎛∼30 ㎛로 함으로써 특히 현저해졌다.

본 발명의 특정 실시형태를 설명하였지만, 본 발명은 이들 특정 실시형태에 한정되지 않고, 청구 범위의 범위에서 벗어나지 않게 여러 가지 변경이나 개변을 행하면서 실시할 수 있다.

Claims

주기 분극 반전 구조가 형성된 채널형 광도파로를 갖는 광도파로 기판과 지지 기체를 포함하는 디바이스의 제조 방법으로서,

단분역화되어 있는 강유전체 단결정 기판의 제1 주요면 상에 마련된 빗형 전극에 전압을 인가함으로써, 주기 분극 반전 구조를 형성하는 전압 인가 공정;

상기 강유전체 단결정 기판의 제1 주요면으로부터 상기 빗형 전극을 제거하는 전극 제거 공정;

상기 강유전체 단결정 기판의 제1 주요면을 상기 지지 기체에 접착하는 접착 공정;

상기 광도파로 기판을 마련하도록, 상기 강유전체 단결정 기판을 상기 강유전체 단결정 기판의 제2 주요면에서 가공하여 얇게 만드는 박판 가공 공정; 및

상기 광도파로 기판에 상기 채널형 광도파로를 형성하는 광도파로 형성 공정

을 포함하고,

상기 지지 기체에 접착된 상기 광도파로 기판의 제1 주요면으로의 상기 광도파로의 광강도 중심(P1)의 투영 위치(P2)를, 상기 광도파로 기판의 제1 주요면으로의 상기 빗형 전극의 선단의 투영 위치(PO)에서 떼어놓고,

상기 광도파로의 광강도 중심(P1)의 상기 제1 주요면으로의 투영 위치(P2)와, 상기 빗형 전극의 선단의 상기 제1 주요면으로의 투영 위치(PO)와의 간격을 5 ㎛ 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
삭제
제1항에 있어서, 상기 광도파로의 광강도 중심(P1)의 상기 제1 주요면으로의 투영 위치(P2)와, 상기 빗형 전극의 선단의 상기 제1 주요면으로의 투영 위치(PO)와의 간격을 30 ㎛ 이하로 하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
삭제
제1항에 있어서, 상기 강유전체 단결정 기판은, 니오브산리튬 단결정, 탄탈산리튬 단결정 및 니오브산리튬-탄탈산리튬 고용체 단결정으로 이루어진 군에서 선택된 단결정을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 강유전체 단결정 기판은 Z컷 기판인 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
주기 분극 반전 구조가 형성된 채널형 광도파로를 갖는 광도파로 기판과 지지 기체를 포함하는 디바이스의 제조 방법으로서,

단분역화되어 있는 강유전체 단결정 기판의 제1 주요면 상에 마련된 빗형 전극에 전압을 인가함으로써, 주기 분극 반전 구조를 형성하는 전압 인가 공정;

상기 강유전체 단결정 기판의 제1 주요면으로부터 상기 빗형 전극을 제거하는 전극 제거 공정;

상기 강유전체 단결정 기판의 제1 주요면을 상기 지지 기체에 접착하는 접착 공정;

상기 광도파로 기판을 마련하도록, 상기 강유전체 단결정 기판을 상기 강유전체 단결정 기판의 제2 주요면에서 가공하여 얇게 만드는 박판 가공 공정; 및

상기 광도파로 기판에 상기 채널형 광도파로를 형성하는 광도파로 형성 공정

을 포함하고,

상기 지지 기체에 접착된 상기 광도파로 기판의 제1 주요면으로의 상기 광도파로의 광강도 중심(P1)의 투영 위치(P2)를, 상기 광도파로 기판의 제1 주요면으로의 상기 빗형 전극의 선단의 투영 위치(PO)에서 떼어놓고,

상기 강유전체 단결정 기판을 얇게 만들기 전에, 상기 빗형 전극의 선단의 투영 위치(P0)를 나타내는 얼라이먼트 마크(M)를 상기 강유전체 단결정 기판에 제공하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
제7항에 있어서, 상기 얼라이먼트 마크(M)는 상기 강유전체 단결정 기판의 제2 주요면에서 관찰되는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.
제8항에 있어서, 상기 광도파로 기판의 제1 주요면으로의 상기 광도파로의 광강도 중심(P1)의 투영 위치(P2)는 상기 얼라이먼트 마트(M)에 관하여 결정되는 것을 특징으로 하는 디바이스의 제조 방법.