KR101289337B1 - 양면 임프린트 리소그래피 장치 - Google Patents

양면 임프린트 리소그래피 장치 Download PDF

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Abstract

양면 임프린트 리소그래피 장치에 관하여 개시된다. 개시된 양면 임프린트 리소그래피 장치는, 양면에 UV 경화 레진이 코팅된 미디어를 지지하는 미디어 지지부; 상기 미디어 지지부의 상부 및 하부에서 각각 배치되는 제1몰드 및 제2몰드를 각각 지지하는 제1몰드 지지부 및 제2몰드 지지부; 상기 미디어 지지부, 제1몰드 지지부 및 제2몰드 지지부 중 적어도 1개의 지지부를 수직으로 구동하는 수직이동장치; 및 상기 제1몰드 및 상기 제2몰드의 대향면에 각각 설치되어 자외선을 제공하는 제1 UV 조사장치 및 제2 UV 조사장치;를 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

양면 임프린트 리소그래피 장치{Imprint lithography systm for dual side imprinting}

본 발명은 임프린트 리소그래피 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 패턴이 형성될 미디어의 양면에 나노임프린팅을 수행하는 양면 임프린트 리소그래피 장치에 관한 것이다.

임프린트 리소그래피 기술은 프레스로 몰드 패턴을 기판에 직접 전사하는 것으로, 피가공 기판에 복잡한 단차를 비교적 간편하게 형성할 수 있다. 특히, 기판에 직접 프린트함으로써 지금까지 여러 번의 포토 리소그래피 프로세스가 필요하던 것에 비해 한 번의 프레스 전사로 완료되는 장점이 있으므로, 다단계 형상을 전사할 때 매우 효과적이다.

이와 같은 임프린트 리소그래피는 크게 2가지 방법으로 나뉠 수 있다. 첫째는, 열로 고분자층을 유동성 있게 만든 다음 패턴이 있는 몰드를 접촉시키고 물리적으로 눌러서 상기 고분자층에 원하는 패턴을 만들어 내는 방법으로서, 이를 열전사(Hot Embossing) 혹은 서멀 임프린트 리소그래피(Thermal Imprint Lithography)라고 부르기도 한다.

두 번째는 점도가 낮은 UV 레진을 기판에 코팅하고 패턴이 있는 몰드를 접촉시킨 후, UV를 조사하여 UV 레진을 경화시킴으로써 원하는 패턴을 만들어 내는 방법으로서, 이를 UV 경화 임프린트 리소그래피(UV assisted Imprint Lithography) 라고 한다. UV 경화 임프린트 리소그래피는 UV를 사용하여 경화시켜야 하므로 사용하는 몰드는 석영(Quartz) 등의 투명한 몰드가 사용되어야 한다.

현재 이 두 가지 임프린트 방법이 세계적으로 양분화되어 사용되고 있으며 각각이 장단점에 따라 다양한 적용 분야에 사용되고 있는 상황이다.

특히, 하드 디스크 드라이브(HDD)의 패턴드 미디어(Patterned Media) 제작에는 위의 두가지 방법 중에서 UV 임프린트 리소그래피 기술을 적용하기 위한 시도가 많이 진행되고 있다. UV 임프린트 리소그래피 기술은 상온에서 저압으로 사용하므로, 고압 및 고열을 필요로 하는 열전사 방법 보다 유리하며, 특히 나노 스케일의 패터닝에 유리하다.

그러나, 패턴드 미디어 제작을 위해 UV 임프린트 리소그래피 기술을 사용하기 위해서는 종래의 하드디스크 드라이브 미디어 제조공정과 호환이 가능하여야 하며, 양산을 위해서는 패턴드 미디어의 양면에 나노 임프린트 공정을 수행하여야 한다.

상기에서 살펴 본 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은, 하드 디스크 드라이브(HDD)의 패턴드 미디어(Patterned Media) 기술에 UV 임프린트 리소그래피 기술이 적용됨에 있어서 패턴드 미디어의 양면에 임프린트를 수행 하는 양면 임프린트 리소그래피 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 양면 임프린트 리소그래피 장치는,

양면에 UV 경화 레진이 코팅된 미디어를 지지하는 미디어 지지부;

상기 미디어 지지부의 상부 및 하부에서 각각 배치되는 제1몰드 및 제2몰드를 각각 지지하는 제1몰드 지지부 및 제2몰드 지지부;

상기 미디어 지지부, 제1몰드 지지부 및 제2몰드 지지부 중 적어도 1개의 지지부를 수직으로 구동하는 수직이동장치; 및

상기 제1몰드 및 상기 제2몰드의 대향면에 각각 설치되어 자외선을 제공하는 제1 UV 조사장치 및 제2 UV 조사장치;를 구비하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 리소그래피 장치는, 상기 미디어 지지부, 제1몰드 지지부 및 제2몰드 지지부를 내포하는 챔버; 및

상기 챔버에 연결된 진공수단;을 더 구비할 수 있다.

본 발명에 따르면, 상기 챔버 상에 설치된 리니어 가이드를 더 구비하며,

상기 제1 UV 조사장치는 상기 리니어 가이드에 설치될 수 있다.

또한, 상기 리니어 가이드에 설치된 얼라인먼트 광학장치;를 더 구비할 수 있다.

본 발명의 일 국면에 따르면, 상기 제2 UV 조사장치는 상기 제1 UV 조사장치로부터의 자외선을 받아서 상기 제2몰드로 공급하는 광경로 변경부재일 수 있다. 상기 광 경로 변경부재는 반사면이 휘어진 고리형 미러일 수 있다.

또한, 상기 제1 UV 조사장치로부터 상기 제1몰드로 입사되는 영역에 설치되어 상기 제1몰드에 조사되는 UV 세기를 저감시키는 감쇠 필터;를 더 구비할 수 있다. 상기 감쇠 필터는 ND 필터일 수 있다.

본 발명의 다른 국면에 따르면, 상기 제1몰드 지지부는 상기 챔버내에 고정되게 설치되며,

상기 미디어 지지부는 상기 제1몰드 지지부 및 제1위치 사이에서 움직일 수 있도록 설치되며,

상기 수직이동장치는 상기 제2몰드 지지부를 구동하는 장치이며,

상기 제2몰드 지지부를 2축 방향으로 구동하는 X-Y 스테이지; 및

상기 제2몰드 지지부 및 상기 미디어 지지부를 선택적으로 고정시키는 로킹장치;를 구비할 수 있다.

또한, 상기 제2몰드 지지부를 회전하는 회전 스테이지;를 더 구비할 수 있다.

본 발명에 따르면, 상기 미디어의 양면에 동시에 UV 경화 레진을 도포하는 양면코팅장치를 더 구비하며,

상기 양면코팅장치는: 상기 미디어의 중앙홀을 고정하는 고정척;

상기 고정척을 상하로 움직이는 상하 구동부;

상기 고정척을 회전하는 회전 구동부; 및

상기 UV 경화 레진을 저장하는 저장부;를 구비할 수 있다.

본 발명에 따른 양면 임프린트 리소그래피 장치는, 양면 UV 임프린트 리소그래피 기술을 하드 디스크 드라이브(HDD)의 패턴드 미디어(Patterned Media) 제작에 적용시, 비용 및 생산성을 개선하는 효과가 있다.

이하, 첨부된 도면들을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나 아래에 예시되는 실시예는 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니며, 본 발명을 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 충분히 설명하기 위해 제공되는 것이다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 도면상에서 각 구성요소의 크기는 설명의 명료성과 편의상 과장되어 있을 수 있다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 양면 임프린트 리소그래피 장치 (100)의 개략적 단면도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 대면적 나노임프린트 리소그래피 장치(100)는 미디어 지지부(130)와, 미디어 지지부(130) 상에 위치한 제1몰드 지지부(120)와, 미디어 지지부(130) 하방에 위치한 제2몰드 지지부(140)를 구비한다.

미디어 지지부(130)에는 제1면(133)과 제2면(134)에 각각 UV 경화 레진이 코팅된 미디어(132)가 고정되며, 제1몰드 지지부(120)에는 상기 미디어(132)의 제1면(133)에 대향한 면에 패턴에 형성된 제1몰드(122)가 고정된다. 제2몰드 지지부(140)에는 상기 미디어(132)의 제2면(134)에 대향한 면에 패턴이 형성된 제2몰드(142)가 고정된다.

제1몰드 지지부(120)는 챔버(110)에 고정되게 설치될 수 있다.

미디어 지지부(130)의 양단은 각각 제1실린더 로드(136)에 연결된다. 제1실린더 로드(136)는 그 직선운동을 가이드하는 파이프(138) 내에 배치되어서 제1몰드 지지부(120)와 제1위치 사이를 이동할 수 있게 설치될 수 있다. 제1실린더 로드(136)에 부차된 스토퍼(137)는 제1실린더 로드(136)가 파이프(138)의 상단에 위치할 때 미디어 지지부(130)를 제1위치로 한정한다.

제2몰드 지지부(140) 상에는 제2몰드(142)가 장착되며, 제2몰드 지지부(140)의 하부에는 제2실린더 로드(144)가 연결된다. 제2실린더 로드(144)는 수직이동장치(146)에 의해 상하이동을 한다. 수직이동장치(146)에 의해 제2몰드 지지부(140)가 상방으로 이동하면 미디어 지지부(130)는 제2몰드 지지부(140)와 접촉하게 되며, 이어서, 제2몰드 지지부(140)를 더 상방으로 이동하면, 미디어 지지부(130)는 제1몰드 지지부(120)와 접촉하게 된다. 따라서, 미디어 지지부(130) 상의 레진은 제2몰드(142) 및 제1몰드(122)와 순차적으로 접촉하게 되어 나노임프린팅이 이루어지게 된다.

챔버(110)의 하부에는 제2실린더 로드(144)의 출입구인 제1홀(112)이 형성되어 있으며, 이 제1홀(112)은 후술하는 얼라인먼트를 위해서 제2실린더 로드(144)와의 간격, 예컨대 수 mm 의 간격을 가질 수 있다.

챔버(110)에는 진공수단이 연결되어서 그 내부를 1 x 10-1 Torr 이하의 압력으로 유지될 수 있다. 상기 진공수단은 진공펌프(116)일 수 있으며, 또는 진공 압 력 라인일 수 있다. 제2홀(114)은 진공펌프(116) 또는 진공압력라인과 연결되는 홀이다.

챔버(110) 상에는 리니어 가이드(150)가 설치되어 있으며, 리니어 가이드(150)상에는 얼라인먼트 광학장치 및 제1 UV 조사장치(154)가 설치되어 있다.

상기 제2실린더 로드(144)는 제2몰드 지지부(140)를 2축 방향으로 구동하는 X-Y 스테이지(미도시)와, 상기 제2몰드 지지부(140)를 회전하는 회전스테이지(미도시)가 설치된다.

상기 챔버(110)의 상부에는 UV 광 통과를 위한 윈도우(117)가 설치되어 있으며, 이 윈도우(117)에는 광투과 물질, 예컨대 석영(118)이 설치될 수 있다. 상기 윈도우(117)는 얼라인먼트 광학장치(152)로 몰드와 기판 사이의 정렬을 관찰하기 위해 이용되며, 또한, 제1 UV 조사장치(154)로 자외선을 미디어(132)의 제1면(133)에 도포된 UV 경화레진에 조사하기 위해 사용된다.

상기 제1몰드(122)의 상부에는 제1몰드(122)의 임프린팅시 대면적에서 패턴이 균일하게 전사되도록 제1 폴리디메틸실록산(PDMS) 패드(123)가 설치될 수 있다. 제1 PDMS 패드(123)는 광투광성이므로 UV 경화에 방해가 되지 않는다. 제2몰드(142) 및 제2몰드 지지부(140) 사이에도 제2 PDMS 패드(143)가 설치되는 것이 바람직하다.

챔버(110)의 바닥에는 제2 UV 조사장치(156)가 설치되어 있다. 제2 UV 조사장치(156)는 자외선을 미디어(132)의 제2면(134)에 도포된 UV 경화레진에 조사하기 위해 사용된다.

상기 리니어 가이드(150)는 상기 얼라인먼트 광학장치(152)와 제1 UV 조사장치(154)를 일직선으로 이동하는 데 사용될 수 있으며, 상기 얼라인먼트 광학장치(152)와 제1 UV 조사장치(154)를 각각 상기 윈도우(117) 상으로 또는 윈도우(117)로부터 이격되게 이동하는 데 사용된다. 상기 얼라인먼트 광학장치(152) 및 제1 상기 UV 경화장치(154)를 상기 리니어 가이드(150) 상에서 구동하기 위한 제어모터(미도시)가 각각 더 설치될 수 있다.

한편, 제2몰드 지지부(140)와 미디어 지지부(130) 사이에는 로킹장치(160)가 설치될 수 있다. 로킹장치(160)는 제2몰드 지지부(140) 및 미디어 지지부(130)를 선택적으로 고정시킬 수 있으며, 그 작용은 후술된다.

도 2는 로킹장치(160)의 일 예를 도시한 도면이다. 도 2를 참조하면, 미디어 지지부(130)의 하부에는 고정핀(162)이 설치되어 있다. 상기 고정핀(162)은 미도시된 모터에 의해서 리니어 가이드(164) 상에서 직선적으로 이동하여 제2몰드 지지부(140)의 하부를 지지한다. 이에 따라, 미디어 지지부(130)도 제2몰드 지지부(140)와 함께 상하로 이동될 수 있으며, 또한, X-Y 스테이지 및 회전 스테이지의 구동에 따라서, 미디어 지지부(130) 및 제1몰드 지지부(120) 사이의 얼라인먼트가 수행될 수 있다.

한편, 미디어(132)의 양면에 스핀 코팅을 하여야 한다. 종래의 스핀 코팅 방법으로는 미디어(132)의 양면을 동시에 스핀코팅하는 것이 어렵다. 종래의 방식으로 미디어(132)의 제1면(133)에 스핀 코팅 후, 제2면(134)을 코팅하면, 제2면(134)의 코팅이 제1면(133)의 코팅 보다 두꺼워질 수 있다. 따라서, 미디어(132)의 제1 면(133)과 제2면(134)을 동시에 스핀코팅하는 양면코팅장치(170)가 필요하다.

도 3은 본 발명에 따른 미디어의 양면 코팅장치(170)를 도시한 도면이다.

도 3을 참조하면, UV 경화 레진이 담겨져 있는 저장부(174)의 상부에는 미디어(132)의 중앙홀을 고정하는 고정척(172)을 상하로 이동하는 상하 구동부(176)와, 고정척(172)을 회전하는 회전구동부(미도시)가 설치되어 있다.

상기 양면 코팅장치(170)를 사용하는 방법을 도면을 참조하여 설명한다. 먼저, 미디어(132)의 표면에 표면에너지를 높게 하기 위해 점착 프로모터를 도포한다. 이러한 점착 프로모터 코팅은 미디어(132)의 표면에 얇게 레진이 형성되게 한다.

이어서, 상하 구동부(176)를 사용하여 고정척(172)에 고정된 미디어(132)를 레진 저장부(174)에 디핑한다. 다음으로 상하 구동부(176)로 고정척(172)에 고정된 미디어(132)를 저장부(174)의 상부로 이동한 다음, 회전구동부로 고정척(172)을 회전시키면 미디어(132)의 표면에 일정한 두께, 예컨대 100 nm 이하의 두께의 레진이 형성될 수 있다. 이러한 스핀코팅으로 중력에 의한 미디어(132) 양면에서의 레진의 두께의 차이를 없앨 수 있다.

이러한 양면코팅장치(170)는 본 발명에 따른 리소그래피 장치(100)에 부착되어서 사용될 수 있고, 또한, 별도의 장치로 구별되게 위치할 수도 있다.

이하에서는 본 발명에 따른 대면적 나노임프린트 리소그래피 장치(100)를 사용하는 방법을 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 양면 임프린트 리소그래피 장치(100)를 이용하여 대면적의 미디어(132)의 양면에 나노임프린트를 하는 방법을 설명하는 도면이다.

도 4a를 참조하면, 미디어(132)의 상부 및 하부에 패턴용 몰드를 형성하기 위한 UV 경화 레진을 도포한다. UV 경화 레진을 도포하기 이전에 미디어(132)의 표면에 점착 프로모터(adhesion promoter)를 도포하여 UV 경화레진이 미디어(132) 표면에 잘 접착되도록 할 수 있다. 이어서, 미디어(132)를 미디어 지지부(130)에 장착한다. 상기 미디어(132)의 양면에 UV 경화레진을 코팅하기 위해서 양면 코팅장치(170)을 사용할 수 있다.

한편, 제1몰드 지지부(120) 및 제2몰드 지지부(140)에는 각각 패턴이 형성된 제1몰드(122) 및 제2몰드(142)를 설치한다. 제1몰드(122) 및 제2몰드(142)의 패턴이 각각 미디어(132)의 제1면(133) 및 제2면(134)을 향하도록 설치한다. 제1몰드(122) 및 제2몰드(142)의 패턴 상에는 패턴 영역의 분리를 위해 미리 SAM(self assembled monolayer) 코팅을 하는 것이 바람직하다.

또한, 진공펌프(116)로 챔버(110)를 1 x 10-1 Torr 이하의 압력으로 유지하여, 대면적의 나노임프린팅시 몰드 및 패턴 사이의 에어 트랩을 방지하여 균일한 나노임프린팅이 진행되도록 한다.

도 4b를 참조하면, 수동이동장치를 상방으로 이동하여 미디어(132)의 제2면(134)이 제2몰드(142)와 접촉하도록 한다. 이 때 미디어(132)의 제2면(134)에 형성된 UV 경화 레진은 제2몰드(142)의 패턴에 의해 반대 형상으로 패턴이 형성된다.

이어서, 리니어 가이드(150) 상의 얼라인먼트 광학장치(152)를 윈도우(117) 상방으로 이동시켜서 제2몰드(142)와 미디어(132)의 제2면(134) 사이의 얼라인먼트를 수행한다. 이를 위해서 X-Y 스테이지 및 회전 스테이지를 사용하여 제2몰드 지지부(140)의 제1실린더 로드(136)를 구동할 수 있다. 제2몰드(142)와 미디어(132) 사이의 얼라인먼트가 완료되면, 로킹장치(160)를 움직여서 고정핀(162)이 내측으로 이동하여 미디어 지지부(130)의 하부를 고정한다.

도 4c를 참조하면, 미디어(132) 및 제2몰드(142) 사이의 정렬공정을 마친 후, 수직이동부(146)를 구동하여 미디어 지지부(130)가 제1몰드 지지부(120)에 의해 그 이동이 한정될 때 까지 미디어 지지부(130) 및 제2몰드 지지부(140)를 상방으로 이동시킨다. 이 때, 미디어(132)의 제1면(133)의 레진은 제1몰드(122)의 패턴에 의해서 패턴이 형성될 수 있다.

다음으로, 얼라인먼트 광학장치(152)로 제2몰드(142)와 미디어(132) 사이의 얼라인먼트를 수행한다. 이를 위해서 X-Y 스테이지 및 회전 스테이지를 사용하여 제2실린더 로드(144)를 구동할 수 있다.

제1몰드(122)와 미디어(132) 사이의 얼라인먼트가 완료되면, 리니어 가이드(150) 상의 얼라인먼트 광학장치(152)를 윈도우(117)로부터 이격되게 이동하고, 제1 UV 조사장치(154)를 윈도우(117) 상으로 이동한다.

이어서, 제1 UV 조사장치(154) 및 제2 UV 조사장치(156)로 미디어(132)의 제1면(133) 및 제2면(134) 상에 각각 자외선을 조사하여 UV 경화 레진을 경화하여 미디어(132)의 제1면(133) 및 제2면(134) 상에 패턴을 형성한다. 이러한 나노 임프린 트 패턴들은 미디어(132)의 제1면(133) 및 제2면(134)의 자성막을 패턴하는 데 사용된다.

도 4d를 수직이동장치(146)를 구동하여 제2몰드 지지부(140)를 하방으로 이동하면, 미디어 지지부(130) 및 제2몰드 지지부(140)는 하방으로 이동하며, 이어서, 스토퍼(137)에 의해 미디어 지지부(130)의 제1위치에서 멈춘다.

도 4e를 참조하면, 로킹장치(160)를 해제하고, 수직이동장치(146)를 더 하방으로 이동하면, 미디어(132)는 제2몰드(142)로부터 이격된다.

한편, 로킹장치(160)를 먼저 풀어서, 제2몰드(142) 및 미디어(132)를 하방으로 함께 이동하면, 미디어 지지부(130)는 스토퍼(137)에 의해서 제1위치에서 멈추며, 미디어 지지부(130)는 더 하방으로 이동하면서 미디어(132)가 제2몰드(142)로부터 이탈될 수도 있다.

도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 양면 임프린트 리소그래피 장치 (200)의 개략적 단면도이다. 제1 실시예의 리소그래피 장치(100)와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.

도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 대면적 나노임프린트 리소그래피 장치(200)는 제2 UV 조사장치(256)로서 광경로 변경부재를 구비한다. 광경로 변경부재는 제1 UV 조사장치로부터의 자외선의 일부를 받아서 제2몰드(142)의 하부로 공급한다. 즉, 하나의 UV 조사장치로 미디어(132)의 제1면(133)과 미디어(132)의 제2면(134)에 동시에 자외선을 공급할 수 있다.

한편 윈도우(117)는 미디어(132) 보다 넓은 면적으로 형성되어서 제1 UV 조 사장치(154)로부터의 자외선이 챔버(110)의 바닥에 형성된 광경로 변경부재(256)에 입사되게 한다. 광경로 변경부재(256)의 표면에는 미러면이 형성될 수 있으며, 바람직하게는 제1몰드(122)의 하부에 미디어(132) 및 제2몰드(142)가 함께 위치한 상태에서 자외선이 제2몰드(142)의 하부에 균일하게 조사되도록 곡면형상일 수 있다. 광경로 변경부재(256)는 제1실린더 로드(136)을 제외한 영역에서 원형으로 설치될 수 있다.

상기 변경부재(256)로는 미러 대신에 광 도파관(wave guide)가 사용될 수도 있다.

한편, 석영(118) 상에서 제2몰드(142)를 커버하는 영역에는 자외선 세기를 감소시키는 감쇠 필터(119)가 설치될 수 있다. 감쇠필터(119)로는 ND 필터 (neutral density filter)가 사용될 수 있으며, 감쇠율은 제1몰드(122)에 조사되는 자외선의 세기와 광경로 변경부재를 통해서 제2몰드(142)에 조사되는 자외선의 세기를 동이하도록 조절될 수 있다.

제2 실시예에 따른 리소그래피 장치(200)의 구동방법은 제1 실시예의 리소그래피 장치(100)의 구동방법으로부터 잘 알 수 있으므로 생략된다.

이러한 본 발명인 양면 나노임프린트 리소그래피 장치는 이해를 돕기 위하여 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 양면 임프린트 리소그래피 장치의 개략적 단면도이다.

도 2는 본 발명의 로킹장치의 일 예를 도시한 도면이다.

도 3은 본 발명에 따른 미디어의 양면 코팅장치를 도시한 도면이다.

도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 양면 임프린트 리소그래피 장치를 이용하여 대면적의 기판에 나노임프린트를 하는 방법을 설명하는 도면이다.

도 5는 본 발명의 제2 실시예에 의한 양면 임프린트 리소그래피 장치를 보여주는 도면이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100, 200: 양면 임프린트 리소그래피 장치

110: 제1챔버 117: 윈도우

120: 제1몰드 지지부 122: 제1몰드

130: 미디어 지지부 132: 미디어

136: 제1 실린더 로드 140: 제2몰드 지지부

142: 제2몰드 144: 제2 실린더 로드

146: 수지이동장치 150: 리니어 가이드

152: 얼라인먼트 광학장치 154: 제1 UV 조사장치

156,256: 제2 UV 조사장치 160: 로킹장치

170: 양면코팅장치

Claims (11)

  1. 양면에 UV 경화 레진이 코팅된 미디어를 지지하는 미디어 지지부;
    상기 미디어 지지부의 상부 및 하부에서 각각 배치되는 제1몰드 및 제2몰드를 각각 지지하는 제1몰드 지지부 및 제2몰드 지지부;
    상기 미디어 지지부, 상기 제1몰드 지지부 및 상기 제2몰드 지지부 중 적어도 1개의 지지부를 수직으로 이동시키는 수직이동장치;
    상기 제1몰드 및 상기 제2몰드의 대향면에 각각 설치되어 자외선을 조사하는 제1 UV 조사장치 및 제2 UV 조사장치;
    상기 미디어 지지부, 상기 제1몰드 지지부 및 상기 제2몰드 지지부를 수용하는 챔버;
    상기 제2몰드 지지부를 2축 방향으로 구동하는 X-Y 스테이지; 및
    상기 제2몰드 지지부를 상기 미디어 지지부로 선택적으로 고정시키는 로킹장치를 포함하고,
    상기 제1몰드 지지부는 상기 챔버내에 고정되게 설치되며,
    상기 미디어 지지부는 상기 제1몰드 지지부 및 상기 제2몰드 지지부 사이에서 움직일 수 있도록 설치되며,
    상기 수직이동장치는 상기 제2몰드 지지부를 구동시키는,
    양면 임프린트 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버에 연결된 진공 장치를 더 포함하는,
    양면 임프린트 리소그래피 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버 상에 설치된 리니어 가이드를 더 포함하며,
    상기 제1 UV 조사장치는 상기 리니어 가이드 상에 설치되는,
    양면 임프린트 리소그래피 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 리니어 가이드 상에 설치된 얼라인먼트 광학장치를 더 포함하는,
    양면 임프린트 리소그래피 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2 UV 조사장치는 상기 제1 UV 조사장치로부터 수신된 자외선을 상기 제2몰드로 공급하는 광경로 변경부재인,
    양면 임프린트 리소그래피 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제1 UV 조사장치로부터 상기 제1몰드로 자외선이 입사되는 영역에 설치되어 상기 제1몰드에 조사되는 자외선 세기를 저감시키는 UV 감쇠 필터를 더 포함하는,
    양면 임프린트 리소그래피 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 UV 감쇠 필터는 ND 필터(neutral density filter)인,
    양면 임프린트 리소그래피 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 미디어 지지부는 상기 제1몰드 지지부 및 제1위치 사이에서 움직일 수 있도록 설치되는,
    양면 임프린트 리소그래피 장치.
  9. 삭제
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2몰드 지지부를 회전시키는 회전 스테이지를 더 포함하는,
    양면 임프린트 리소그래피 장치.
  11. 양면에 UV 경화 레진이 코팅된 미디어를 지지하는 미디어 지지부;
    상기 미디어 지지부의 상부 및 하부에서 각각 배치되는 제1몰드 및 제2몰드를 각각 지지하는 제1몰드 지지부 및 제2몰드 지지부;
    상기 미디어 지지부, 상기 제1몰드 지지부 및 상기 제2몰드 지지부 중 적어도 1개의 지지부를 수직으로 이동시키는 수직이동장치;
    상기 제1몰드 및 상기 제2몰드의 대향면에 각각 설치되어 자외선을 조사하는 제1 UV 조사장치 및 제2 UV 조사장치;
    상기 미디어의 양면에 UV 경화 레진을 코팅하는 양면코팅장치를 포함하고,
    상기 양면코팅장치는:
    상기 미디어의 중앙홀을 고정하는 고정척;
    상기 고정척을 수직으로 이동시키는 수직 구동부;
    상기 고정척을 회전시키는 회전 구동부; 및
    상기 UV 경화 레진을 저장하는 레진 저장부를 포함하는,
    양면 임프린트 리소그래피 장치.
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008142784A1 (ja) * 2007-05-23 2008-11-27 Pioneer Corporation インプリント装置
JP5164589B2 (ja) * 2008-01-30 2013-03-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ インプリント装置
KR20110052655A (ko) * 2008-07-25 2011-05-18 헨켈 코포레이션 몰드 어셈블리 및 성형 부품의 제조를 위한 감쇠된 광 방법
WO2010082300A1 (ja) * 2009-01-13 2010-07-22 パイオニア株式会社 転写装置
JP5416420B2 (ja) * 2009-01-22 2014-02-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 微細構造転写装置
JPWO2010100712A1 (ja) * 2009-03-02 2012-09-06 パイオニア株式会社 転写装置及び転写方法
WO2010131357A1 (ja) * 2009-05-15 2010-11-18 パイオニア株式会社 転写装置及び転写方法
WO2010131356A1 (ja) * 2009-05-15 2010-11-18 パイオニア株式会社 転写装置及び転写方法
JP5349595B2 (ja) * 2009-07-09 2013-11-20 インハ インダストリー パートナーシップ インスティテュートInha−Industry Partnership Institute マイクロレンズアレイの製造装置及びマイクロレンズアレイの製造方法
WO2011077882A1 (ja) * 2009-12-25 2011-06-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 両面インプリント装置
JP5469041B2 (ja) * 2010-03-08 2014-04-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 微細構造転写方法およびその装置
KR101114469B1 (ko) * 2010-05-24 2012-02-24 부산대학교 산학협력단 2차원 고분자 광도파로의 제조 방법
JPWO2011155582A1 (ja) * 2010-06-11 2013-08-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ 微細構造転写用スタンパ及び微細構造転写装置
TWI395657B (zh) * 2010-06-30 2013-05-11 Univ Nat Taiwan Science Tech 微奈米轉印製程之夾持裝置
WO2012020741A1 (ja) * 2010-08-12 2012-02-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 光インプリント方法及び装置
JP2012109487A (ja) * 2010-11-19 2012-06-07 Hitachi High-Technologies Corp 両面インプリント装置
KR20130006744A (ko) 2011-04-05 2013-01-18 삼성전자주식회사 마스크의 제조 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
JP5787691B2 (ja) * 2011-09-21 2015-09-30 キヤノン株式会社 インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
US9606431B2 (en) * 2011-11-25 2017-03-28 Scivax Corporation Imprinting device and imprinting method
EP2815868B1 (en) * 2012-02-14 2017-03-29 Scivax Corporation Imprint device and imprint method
WO2013191206A1 (ja) * 2012-06-21 2013-12-27 Scivax株式会社 ローラ式加圧装置、インプリント装置、ローラ式加圧方法
EP2889895B1 (en) * 2012-08-27 2017-11-15 Scivax Corporation Imprint device and imprint method
CN102929100B (zh) * 2012-11-22 2014-11-19 南昌欧菲光纳米科技有限公司 一种可对准卷对卷uv成型的装置及方法
CN104281004A (zh) * 2014-09-30 2015-01-14 无锡英普林纳米科技有限公司 一种热压法制备pdms印章的方法
CN105414765B (zh) * 2015-12-27 2017-07-28 竺林坤 双面雕刻机
JP5997409B1 (ja) * 2016-05-26 2016-09-28 株式会社 ベアック 両面露光装置及び両面露光装置におけるマスクとワークとの位置合わせ方法
KR102077933B1 (ko) * 2018-08-09 2020-02-14 강성국 Uv를 이용한 필름에 컬러 또는 패턴을 형성하는 방법 및 이에 의해 운용되는 성형장치
KR102128175B1 (ko) * 2018-12-07 2020-06-30 (주)서영 나노 임프린트 방식을 이용한 나노구조의 양면 패턴 형성 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000246810A (ja) * 1999-03-03 2000-09-12 Sharp Corp 光学素子の製造装置および光学素子の製造方法
JP2007026589A (ja) * 2005-07-20 2007-02-01 Sharp Corp ホログラム素子の製造方法および光ピックアップ装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3322351B2 (ja) * 1992-04-22 2002-09-09 大日本印刷株式会社 両面レリーフパターン複製方法及び装置
JP3285158B2 (ja) * 1992-08-19 2002-05-27 大日本印刷株式会社 真空密着焼付装置
JPH0850357A (ja) * 1994-08-05 1996-02-20 Adtec Eng:Kk 露光装置
US6482742B1 (en) * 2000-07-18 2002-11-19 Stephen Y. Chou Fluid pressure imprint lithography
JP4791630B2 (ja) * 2000-12-21 2011-10-12 ウシオライティング株式会社 露光装置
JP2003057853A (ja) * 2001-08-08 2003-02-28 Orc Mfg Co Ltd 整合マークおよび整合機構ならびに整合方法
AT439969T (de) * 2002-04-24 2009-09-15 Obducat Ab Vorrichtung und verfahren zum übertragen eines musters auf ein substrat
US7252492B2 (en) * 2002-06-20 2007-08-07 Obducat Ab Devices and methods for aligning a stamp and a substrate
WO2004021083A1 (en) * 2002-08-27 2004-03-11 Obducat Ab Device for transferring a pattern to an object
DE10342882A1 (de) * 2003-09-15 2005-05-19 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines dreidimensionalen Formkörpers
US7168936B2 (en) * 2004-03-19 2007-01-30 Intel Corporation Light transparent substrate imprint tool with light blocking distal end
JP2006047363A (ja) * 2004-07-30 2006-02-16 Fuji Photo Film Co Ltd 画像記録装置および画像記録方法
JP4679585B2 (ja) * 2004-12-16 2011-04-27 エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. インプリントリソグラフィに使用されるナノディスクを形成するための方法
US7363854B2 (en) * 2004-12-16 2008-04-29 Asml Holding N.V. System and method for patterning both sides of a substrate utilizing imprint lithography
JP5163929B2 (ja) * 2006-12-25 2013-03-13 富士電機株式会社 インプリント方法およびその装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000246810A (ja) * 1999-03-03 2000-09-12 Sharp Corp 光学素子の製造装置および光学素子の製造方法
JP2007026589A (ja) * 2005-07-20 2007-02-01 Sharp Corp ホログラム素子の製造方法および光ピックアップ装置

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Publication number Publication date
US7798802B2 (en) 2010-09-21
CN101377618B (zh) 2013-08-21
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KR20090022190A (ko) 2009-03-04

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