KR101164440B1 - 발광 소자 및 이 발광 소자를 사용하는 발광 장치 - Google Patents

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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Abstract

본 발명의 목적은 발광 시간이 누적되더라도 구동 전압이 미세하게 증가하는 발광 소자를 제공하는데 있다. 본 발명의 다른 목적은 막 두께가 증가할지라도 저항값이 미세하게 증가하는 발광 소자를 제공하는데 있다. 본 발명의 발광 소자는 제 1과 제 2 전극 사이에, 정공들이 발생하는 제 1 층, 전자들이 발생하는 제 2 층, 및 발광 물질을 포함하는 제 3 층을 포함한다. 제 1 및 제 3 층은 상기 제 1 및 제 2 전극과 각각 접한다. 제 2 및 제 3 층은 제 2 전극의 전위가 제 1 전극의 전위보다 높도록 발광 소자에 전압을 인가할 때 제 2 층에서 생성된 전자들을 제 3 층에 주입하도록 서로 접속된다.

Description

발광 소자 및 이 발광 소자를 사용하는 발광 장치{Light emitting element and light emitting device using the same}
본 발명은 한 쌍의 전극들 사이에 발광 물질을 가진 층을 포함하는 발광 소자, 특히 발광 소자의 구조에 관한 것이다.
최근 몇 년 동안, 표시 장치 등을 위하여 사용되는 많은 발광 소자들은 발광 물질을 가진 층이 한 쌍의 전극들 사이에 개재되는 구조를 가진다. 이러한 발광 소자는, 한 전극으로부터 주입되는 전자 및 다른 전극으로부터 주입되는 정공의 재결합에 의하여 형성되는 여기 전자(excited electron)가 기저 상태로 리턴할때 발광한다.
이들 많은 발광 소자들은 구동 전압이 발광 시간의 누적과 함께 증가되는 문제점을 가진다.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 예컨대, 특허 문헌 1은 특정 구조를 가진 화합물을 사용하는 유기 EL 소자를 개시하며, 여기서 구동 전압 등의 상승은 유기 EL 소자를 구동시킬 때 억제된다.
특허 문헌 1: 국제특허공개 WO 98/30071
본 발명의 목적은 발광 시간이 누적되더라도 구동 전압이 미세하게 증가하는 발광 소자를 제공하는데 있다. 본 발명의 또 다른 목적은 막 두께가 증가할지라도 저항값이 미세하게 증가하는 발광 소자를 제공하는데 있다.
본 발명의 양상에 있어서, 발광 소자는 서로 대향하도록 설치된 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 제 1 층, 제 2 층, 및 제 3 층을 포함한다. 제 1, 제 2, 및 제 3 층은 제 1과 제 3 층 사이에 제 2 층을 개재시키면서 서로 적층된다. 제 1 층은 제 1 전극과 접하며, 제 3 층은 제 2 전극과 접한다. 제 1 층은 정공들을 발생하는 반면에, 제 2 층은 전자들을 발생한다. 제 3 층은 발광 물질을 포함한다. 제 2 층과 제 3 층은, 제 2 전극의 전위가 제 1 전극의 전위보다 높도록 발광 소자에 전압을 인가할 때 제 2 층에서 생성된 전자들을 제 3 층에 주입하기 위하여 서로 접한다. 제 3 층에 제 2 층을 접하게 함으로서, 발광 소자는 제 2 전극의 전위가 제 1 전극의 전위보다 높도록 전압이 인가될 때 발광한다.
본 발명의 다른 양상에서, 발광 소자는 서로 대면하도록 제공된 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 제 1 층, 제 2 층, 및 제 3 층을 포함한다. 제 1, 제 2, 및 제 3 층은 제 1과 제 3 층 사이에 제 2 층을 개재시키면서 서로 적층된다. 제 1 층은 제 1 전극과 접하며, 제 3 층은 제 2 전극과 접한다. 제 1 층은 정공 수송성이 전자 수송성보다 강한 물질, 및 정공 수송성이 전자 수송성보다 강한 물질에 대하여 전자 수용성을 가진 물질을 포함한다. 제 2 층은 전자 수송성이 정공 수송성보다 강한 물질, 및 전자 수송성이 정공 수송성보다 강한 물질에 대하여 전자 공여성(electron donating property)을 가진 물질을 포함한다. 또한, 제 3 층은 발광 물질을 포함한다. 제 2 층 및 제 3 층은 제 2 전극의 전위가 제 1 전극의 전위보다 높도록 발광 소자에 전압을 인가할 때 제 2 층에서 생성된 전자들을 제 3 층에 주입하기 위하여 서로 접한다. 제 3 층에 제 2 층을 접하게 함으로써, 발광 소자는 제 2 전극의 전위가 제 1 전극의 전위보다 높도록 전압이 인가될 때 발광한다.
본 발명의 또 다른 양상에 있어서, 발광 소자는 서로 대향하도록 제공된 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 제 1 층, 제 2 층, 및 제 3 층을 포함한다. 제 1, 제 2, 및 제 3 층은 제 1과 제 3 층 사이에 제 2 층을 개재시키면서 서로 적층된다. 제 1 층은 제 1 전극과 접하며, 제 3 층은 제 2 전극과 접한다. 제 1 층은 p-형 반도체를 포함하며, 제 2 층은 n-형 반도체를 포함한다. 제 3 층은 발광 물질을 포함한다. 제 2 층 및 제 3 층은, 제 2 전극의 전위가 제 1 전극의 전위보다 높도록 발광 소자에 전압을 인가할 때 제 2 층에서 생성된 전자들을 제 3 층에 주입하기 위하여 서로 접한다. 제 3 층에 제 2 층을 접하게 함으로서, 발광 소자는 제 2 전극의 전위가 제 1 전극의 전위보다 높도록 전압이 인가될 때 발광한다.
본 발명의 앞서 기술된 발광 소자에서, 발광 물질을 포함하는 층은 단층 또는 다층을 가질 수 있다. 발광 물질을 포함하는 층이 다층을 가질 때, 발광 물질은 다층 중 적어도 한 층에 포함될 수 있다.
본 발명의 또 다른 양상에서, 발광 소자는 서로 대향하도록 제공된 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 제 1 층, 제 2 층, 및 제 3 층을 포함한다. 제 1, 제 2, 및 제 3 층은 제 1과 제 3 층 사이에 제 2 층을 개재시키면서 서로 적층된다. 제 1 층은 정공 수송성이 전자 수송성보다 강한 물질, 및 정공 수송성이 전자 수송성보다 강한 물질에 대하여 전자 수용성을 가진 물질을 포함한다. 제 2 층은 전자 수송성이 정공 수송성보다 강한 물질, 및 전자 수송성이 정공 수송성보다 강한 물질에 대하여 전자 공여성을 가진 물질을 포함한다. 또한, 제 3 층은 발광 물질을 포함하는 층들의 x 피스들(여기서, x는 임의의 양의 정수임)을 가진다. 제 3 층에 포함된 한 층은 제 2 층과 접하며, 그것의 x번째 층은 제 2 전극과 접한다. 제 1 전극은 고반사율을 가진 도전성 물질을 포함한다. 제 3 층의 발광층과 제 2 층 사이에 층들의 y 피스들(y<x, 여기서 y는 양의 정수임)이 존재한다. 제 2 층과, 제 2 층과 접하는 제 3 층의 한 층은, 제 2 전극의 전위가 제 1 전극의 전위보다 높도록 발광 소자에 전압을 인가할 때 제 2 층에서 생성된 전자들을 제 3 층의 상기 한 층에 주입하기 위하여 서로 접한다. 제 3 층의 한 층에 제 2 층을 접하게 함으로서, 발광 소자는 제 2 전극의 전위가 제 1 전극의 전위보다 높도록 전압이 인가될 때 발광한다. 또한, 제 1 및 제 2 층의 두께는 이하의 수식들 1, 2, 및 3을 만족하도록 조절된다:
Figure 112010085286116-pat00001
수식들 1, 2, 및 3에서, ni은 제 1 층의 굴절률을 나타내며, di는 제 1 층의 두께를 나타내며, nii은 제 2 층의 굴절률을 나타내며, dii는 제 2 층의 두께를 나타내며, nk는 발광층과 제 2 층 사이에 끼인 층들 중 k번째 층의 굴절률을 나타내며, dk는 발광층과 제 2 층 사이에 끼인 층들 중 k번째 층의 두께를 나타내며, nj는 발광층의 굴절률을 나타내며, dj는 발광층의 제 1-전극-측 표면과 발광 영역 사이의 거리를 나타내며, λ는 발광 소자로부터 발광 파장을 나타내며, m은 임의의 양의 정수를 나타내며, demi는 발광층의 두께를 나타낸다.
본 발명에 따르면, 발광 시간이 누적되더라도 구동 전압이 미세하게 증가하는 고신뢰성 발광 소자가 획득될 수 있다.
이외에, 정공들이 발생하는 층의 두께에 따르는 저항값이 미세하게 증가하는 발광 소자가 본 발명에 따라 획득될 수 있다. 그 결과, 전극들 간의 거리가 용이하게 변화될 수 있는 발광 소자가 획득될 수 있다. 또한, 전극들 간의 거리를 증가시킴으로서, 전극들 간의 단락이 방지될 수 있다. 부가적으로, 전극들 간의 거리를 제어함으로서, 광학 거리(optical distance)는, 광 추출 효율성이 최대치까지 증가될 수 있도록 용이하게 제어될 수 있다. 이외에, 전극들 간의 거리를 제어함으로서, 광학 거리는 발광 표면을 보는 각도에 따르는 발광 스펙트럼의 변동이 감소되도록 용이하게 제어될 수 있다.
게다가, 본 발명에 따라 획득된 발광 소자를 발광 장치에 적용함으로서, 장시간 사용을 견딜 수 있는 고신뢰성 발광 장치가 획득될 수 있다. 더욱이, 표시 기능을 가진 발광 장치에 본 발명에 따라 획득된 발광 소자를 적용함으로서, 외부로 효율적으로 발광될 수 있는, 발광면을 보는 각도에 따른 발광 스펙트럼 내에 미세 변동을 가지더라도 고선명 화상들을 표시할 수 있는 발광 장치를 획득하는 것이 가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 발광 소자의 적층 구조를 도시한 도면.
도 2는 본 발명에 따른 발광 소자의 적층 구조를 도시한 도면.
도 3은 본 발명에 따른 발광 장치를 도시한 도면.
도 4는 본 발명에 따른 발광 장치에 포함된 회로를 도시한 도면.
도 5는 본 발명에 따른 발광 장치에 대한 상면도.
도 6은 본 발명에 따른 발광 장치의 프레임 동작을 도시한 도면.
도 7A 내지 도 7C는 본 발명에 따른 발광 장치에 대한 단면도.
도 8A 내지 도 8C는 본 발명에 따른 전자 기기들을 도시한 도면.
도 9는 본 발명에 따른 발광 소자의 전압-휘도 특성들을 도시한 그래프.
도 10은 본 발명에 따른 발광 소자의 전류 밀도-휘도 특성들을 도시한 그래프.
도 11은 본 발명에 따른 발광 소자의 전압-전류 특성들을 도시한 그래프.
도 12는 본 발명에 따른 발광 소자의 시간에 따른 전압 변화를 측정함으로서 획득된 결과치들을 도시한 그래프.
도 13은 본 발명에 따른 발광 소자의 시간에 따른 휘도의 변화를 측정함으로서 획득된 결과치들을 도시한 그래프.
도 14는 본 발명에 따른 발광 소자의 적층 구조를 도시한 도면.
도 15는 본 발명에 따른 발광 소자의 적층 구조를 도시한 도면.
도 16은 본 발명에 따른 발광 소자 및 비교 예에 따른 발광 소자의 전압-휘도 특성들을 도시한 그래프.
도 17은 본 발명에 따른 발광 소자 및 비교예에 따른 발광 소자의 전압-전류 특성들을 도시한 그래프.
도 18은 본 발명에 따른 발광 소자의 적층 구조를 도시한 도면.
도 19는 본 발명에 따른 발광 소자의 전압-휘도 특성들을 도시한 그래프.
도 20은 본 발명에 따른 발광 소자의 전압-전류 특성들을 도시한 그래프.
도 21은 본 발명에 따른 발광 소자의 휘도-전류 효율 특성들을 도시한 그래프.
도 22는 층(775)으로부터 제 1 전극(778)까지의 거리(nm)에 대한 전류 효율(cd/A)의 변화를 측정함으로서 획득된 결과치들을 도시한그래프.
도 23A 내지 도 23C는 발광면을 보는 각도에 따른 발광 스펙트럼의 형상의 변화를 측정함으로서 획득된 결과치들을 도시한 그래프.
도 24는 본 발명에 따른 발광 소자의 적층 구조를 도시한 도면.
도 25는 본 발명에 따른 발광 소자의 전압-휘도 특성들을 도시한 그래프.
도 26은 본 발명에 따른 발광 소자의 전압-휘도 특성들을 도시한 그래프.
본 발명에 따른 실시예 모드들은 첨부 도면들을 참조하여 이하에 기술될 것이다. 여기에 기술된 실시예 모드들 및 세부사항들이 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양한 방식으로 수정될 수 있다는 것이 당업자에 의하여 용이하게 이해될 것이다. 본 발명은 이하에 기술될 실시예 모드들의 설명에 제한되는 것으로 해석되지 않아야 한다.
[실시예 모드 1]
본 발명의 일 실시예 모드는 도 1에 도시된 발광 소자의 단면도와 관련하여 기술될 것이다.
발광 소자는 제 1 전극(101)과 제 2 전극(102) 사이에 제 1 층(111), 제 2 층(112), 및 제 3 층(113)을 포함한다. 제 1, 제 2, 및 제 3 층은 서로 적층된다. 제 1 층(111)은 제 1 전극(101)과 접하며, 제 3 층(113)은 제 2 전극(102)과 접한다.
본 발명 실시예 모드의 발광 소자는 다음과 같이 동작된다. 제 2 전극(102)의 전위가 제 1 전극(101)의 전위보다 높도록 발광 소자에 전압이 인가될 때, 정공들은 제 1 층(111)으로부터 제 1 전극(101)에 주입되는 반면에, 전자들은 제 2 층(112)으로부터 제 3 층(113)에 주입된다. 또한, 정공들은 제 2 전극(102)으로부터 제 3 층(113)에 주입된다. 제 2 전극(102)으로부터 주입된 정공들 및 제 2 층(112)으로부터 주입된 전자들은 발광 물질이 여기되도록 제 3 층(113)에서 재결합된다. 발광 물질은 여기 상태로부터 기저 상태로 리턴할때 발광한다.
이하, 다양한 층들, 전극들 등이 이하에서 더 상세히 기술될 것이다.
제 1 층(111)은 정공들을 발생한다. 제 1 층(111)으로서, 예컨대 정공 수송성을 가진 물질 및 정공 수송성을 가진 물질에 대하여 전자 수용성을 가진 물질을 포함하는 층이 제공될 수 있다. 정공 수송성을 가진 물질은 수송성이 전자 수송성보다 강한 물질이다. 정공 수송성을 가진 물질은 특히 제한되지 않는다. 예컨대, 4,4'-비스(N-[1-나프틸]-N-페닐아미노)비페닐 (약어: NPB), 4,4'-비스(N-[3-메틸페닐]-N-페닐아미노)비페닐 (약어: TPD), 4,4',4"-트리스(N,N-디페닐아미노)트리페닐아민 (약어: TDATA), 4,4',4"-트리스(N-[3-메틸페닐]-N-페닐아미노)트리페닐아민 (약어: MTDATA), 및 4,4'-비스[N-(4-[N,N-디-m-토릴아미노]페닐)-N-페닐아미노)비페닐 (약어: DNTPD)와 같은 방향족 아민 화합물; 프탈로시아닌 (약어: H2Pc), 구리 프탈로시아닌(약어: CuPc), 및 바나딜 프탈로시아닌(약어: VOPc)와 같은 프탈로시아닌 화합물이 사용될 수 있다. 또한, 정공 수송성을 가진 물질에 대하여 전자 수용성을 가진 물질은 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 몰리브덴 산화물, 바나듐 산화물, 7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄 (약어: TCNQ), 2,3,5,6-테트라플루오로-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄 (약어: F4-TCNQ) 등이 사용될 수 있다. 제 1 층(111)은 바람직하게 0.5 내지 2의 몰비(즉, 정공 수송성을 가진 물질에 대하여 전자 수용성을 가진 물질/정공 수송성을 가진 물질)를 만족하도록 정공 수송성을 가진 물질에 대하여 전자 수용성을 가진 물질을 포함한다. 이외에, 제 1 층(111)은 몰리브덴 산화물, 바나듐 산화물, 루테늄 산화물, 코발트 산화물, 및 구리 산화물과 같은 p-형 반도체를 포함할 수 있다.
제 2 층(112)은 전자들을 발생한다. 제 2 층(112)으로서, 예컨대, 전자 수송성을 가진 물질 및 전자 수송성을 가진 물질에 대하여 전자 공여성을 가진 물질이 제공될 수 있다. 전자 수송성을 가진 물질은 전지 수송성이 정공 수송성보다 강한 물질이다. 전자 수송성을 가진 물질은 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 트리스(8-퀴놀리노라토)알루미늄 (약어: Alq3), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄 (약어: Almq3), 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리노라토)베릴륨 (약어:BeBq2), 비스(2-메틸-8-퀴놀리노라토)-4-페닐페놀레이트-알루미늄 (약어: BAlq), 비스(2-[2-하이드록시페닐]벤조삭조레이트)아연 (약어: Zn(BOX)2), 비스(2-[2-하이드록시페닐]벤조티아졸레이트)아연 (약어: Zn(BTZ)2)와 같은 금속 착체(metal complex)가 사용될 수 있다. 이외에, 이하의 물질들이 전자 수송성을 가진 물질로서 사용될 수 있다: 2-(4-비페닐일)-5-(4-터트-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸 (약어: PBD); 1,3-비스(5-[p-터트-부틸페닐]-1,3,4-옥사디아졸-2-일)벤젠 (약어: OXD-7); 3-(4-터트-부틸페닐)-4-페닐-5-(4-비페닐일)-1,2,4-트리아졸 (약어: TAZ); 3-(4-터트-부틸페닐)-4-(4-에틸페닐)-5-(4-비페닐일)-1,2,4-트리아졸 (약어: p-EtTAZ): 바소페난드롤린(약어: BPhen); 바소쿠프로인(약어: BCP) 등. 게다가, 전자 수송성을 가진 물질에 대하여 전자 공여성을 가진 물질은 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 리튬 및 세슘과 같은 알칼리 금속, 마그네슘 및 칼슘과 같은 알칼리토류 금속, 에르븀 및 이테르븀과 같은 희토류 금속 등은 전자 수송성을 가진 물질에 대하여 전자 공여성을 가진 물질로서 사용될 수 있다. 바람직하게, 제 2 층(112)은 0.5 내지 2의 몰비(즉, 전자 수송성을 가진 물질에 대하여 전자 공여성을 가진 물질/전자 수송성을 가진 물질)를 만족하기 위하여 전자 수송성 및 전자 수송성을 가진 물질에 대하여 전자 공여성을 가진 물질을 포함한다. 부가적으로, 제 2 층(112)은 산화아연, 황화아연, 셀렌화아연(zinc selenide), 산화주석 및 산화티타늄과 같은 n-형 반도체를 포함할 수 있다.
제 3 층(113)은 발광층을 포함한다. 제 3 층(113)의 층 구조는 특별히 제한되지 않는다. 제 3 층(113)은 단층 또는 다층들을 포함할 수 있다. 예컨대, 도 1에 도시된 바와 같이, 제 3 층(113)은 발광층(122)과 함께 전자 수송층(121), 정공 수송층(123), 및 정공 주입층(124)을 포함할 수 있다. 대안적으로, 제 3 층(113)은 단지 발광층만을 포함할 수도 있다.
발광층(122)은 발광 물질을 포함한다. 발광 물질은 원하는 파장으로 발광을 할 수 있고 양호한 발광 효율성을 가진 물질을 의미한다. 제 3 층(113)은 특별히 제한되지 않는다. 제 3 층(113)은 바람직하게 발광 물질이 분산되고 발광 물질의 에너지 갭보다 높은 에너지 갭을 가진 물질로 형성된 층을 사용하여 형성된다. 따라서, 발광 물질로부터 발광된 광은, 발광 물질의 농도 때문에 소광되는 것이 방지될 수 있다. 게다가, 에너지 갭은 LUMO 레벨과 HOMO 레벨 사이의 에너지 갭을 의미한다.
발광 물질은 특별히 제한되지 않는다. 적정 파장으로 발광할 수 있고 우수한 발광 효율성을 가진 물질이 사용될 수 있다. 적색 발광을 획득하기 위하여, 예컨대, 600 내지 680nm에서 피크를 갖는 발광 스펙트럼을 나타내는 이하의 물질들이 이용될 수 있다: 4-디시아노메틸렌-2-이소프로필-6-(2-[1,1,7,7-테트라메틸주로리딘-9-일]에테닐)-4H-피란 (약어: DCJTI); 4-디시아노메틸렌-2-메틸-6-(2-[1,1,7,7-테트라메틸주로리딘-9-일]에테닐)-4H-피란 (약어: DCJT); 4-디시아노메틸렌-2-터트-부틸-6-(2-[1,1,7,7-테트라메틸주로리딘-9-일]에테닐)-4H-피란 (약어: DCJTB); 페리플란텐; 2,5-디시아노-1,4-비스(2-[10-메톡시-1,1,7,7-테트라메틸주로리딘-9-일]에테닐)벤젠 등. 녹색 발광을 획득하기 위하여, N,N'-디메틸퀴나크리돈(약어: DMQd), 쿠마린 6, 쿠마린 545T, 및 트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄(약어: Alq3)와 같은 500 내지 550nm에서 피크들을 갖는 발광 스펙트럼을 나타내는 물질들이 사용될 수 있다. 청색 발광을 획득하기 위하여, 420 내지 500nm에서 피크들을 갖는 발광 스펙트럼을 나타내는 이하의 물질들이 이용될 수 있다: 9,10-비스(2-나프틸)-터트-부틸란드라센 (약어; t-BuDNA); 9,9'-비안드릴; 9,10-디페닐안드라센 (약어: DPA); 9,10-비스(2-나프틸)안드라센 (약어 :DNA); 비스(2-메틸-8-퀴놀리오레이트)-4-페닐페놀레이트-갈륨 (약어: BGaq); 비스(2-메틸-8-퀴놀리노레이트)-4-페닐페놀레이트-알루미늄 (약어: BAlq) 등.
발광 물질을 분산하기 위하여 사용된 물질은 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 9,10-디(2-나프틸)-2-터트-부틸란드라센(약어: t-BuDNA)와 같은 안드라센 유도체, 4,4'-비스(N-카바졸릴)비페닐(약어: CBP)와 같은 카바졸 유도체, 비스(2-[2-하이드록시페닐]피리디나토)아연 (약어: Znpp2) 및 비스(2-[2-하이드록시페닐]벤조옥사조라토)아연 (약어: ZnBOX)와 같은 금속 착체 등이 사용될 수 있다.
전술한 발광 소자에서, 제 2 층(112)에 포함된 전자 수송성을 가진 물질과 제 3 층(113)에 포함된 층들 중 제 2 층(112)과 접하는 한 층에 포함된 물질 간의 전자 친화력의 차는 바람직하게 2 eV 이하, 더 바람직하게 1.5 eV 이하로 설정된다. 제 2 층(112)이 n-형 반도체를 사용하여 만들어질 때, n-형 반도체의 일 함수와 제 3 층(113)에 포함된 층들 중 제 2 층(112)과 접하는 층에 포함된 물질의 전자 친화력 간의 차이는 2eV 이하, 더 바람직하게 1.5eV 이하로 바람직하게 설정된다.
게다가, 제 3 층(113)에 포함된 층들 중에서 제 2 층(112)과 접하는 층은 전자 수송층(121)에 대응하며, 이 경우에 제 3 층(113)은 본 실시예 모드의 구조를 포함한다. 제 3 층(113)이 단지 발광층만을 포함하거나 또는 제 3 층(113)이 전자 수송층(121) 등을 포함하지 않을 때, 발광층은 제 2 층(112)과 접하는 이 층에 대응한다. 발광층이 제 2 층(112)과 접하는 경우에, 제 3 층(113)에 포함된 층들 중에서 제 2 층(112)과 접하는 층에 포함된 물질은 발광 물질을 분산시키는 물질 또는 발광 물질 그 자체에 대응한다. 이는 발광 물질을 분산시키는 물질에서 분산되지 않으면서 발광할 수 있고 우수한 캐리어 수송성을 가진 Alq3와 같은 발광 물질에 대하여, 단지 발광 물질만으로 형성된 층이 발광 물질을 분산시키는 물질에 발광 물질을 분산시키지 않으면서 발광층으로서 기능할 수 있기 때문이다. 따라서, 제 2 층(112)에 제 3 층(113)을 접하게 함으로서, 전자들은 제 2 층(112)으로부터 제 3 층(113)으로 용이하게 주입될 수 있다.
바람직하게, 제 1 전극(101) 및 제 2 전극(102)중 하나 또는 둘 다는 가시광을 투과할 수 있는 도전 물질을 사용함으로서 형성된다. 따라서, 발광층에서 발생된 광이 제 1 전극(101) 및 제 2 전극(102) 중 적어도 하나를 통해 외부로 발광될 수 있다.
제 1 전극(101)은 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 알루미늄, 인듐 주석 산화물(ITO), 산화규소를 포함하는 인듐 주석 산화물, 2 내지 20% 산화아연을 포함하는 산화인듐이 제 1 전극으로서 사용될 수 있다. 부가적으로, 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 철(Fe), 코발트(Co), 구리(Cu), 팔라듐(Pd) 등이 사용될 수 있다.
또한, 제 2 전극(102)은 특별히 제한되지 않는다. 제 2 전극(102)이 본 실시예 모드의 발광 소자와 같은 제 3 층(113)에 정공들을 주입하는 기능을 가지면, 제 2 전극(102)은 바람직하게 큰 일 함수를 가진 물질로 형성된다. 실제적으로, 인듐 주석 산화물(ITO), 산화규소를 포함하는 인듐 주석 산화물, 2 내지 20% 산화아연을 포함하는 산화인듐, 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 철(Fe), 코발트(Co), 구리(Cu), 팔라듐(Pd) 등이 사용될 수 있다. 게다가, 예컨대, 제 2 전극(102)은 스퍼터링, 증착 등에 의하여 형성될 수 있다.
앞서 기술된 바와 같이, 전자 수송층(121)은 본 실시예 모드에서 제 2 층(112)과 발광층(122) 사이에 끼어있다. 전자 수송층(121)은 주입된 전자들을 발광층(122)에 수송하는 기능을 가진다. 금속을 포함하는 제 2 층(112)과 제 1 전극(101)을 발광층(122)로부터 분리하기 위하여, 전자 수송층(121)를 제 2 층(112)과 발광층(122) 사이에 삽입함으로서, 발광층에서 발생된 광이 금속 때문에 소광되는 것이 방지될 수 있다.
전자 수송층(121)은 특별히 제한되지 않으며, 상기 언급된 Alq3, Almq3, BeBq2, BAlq, Zn(BOX)2, Zn(BTZ)2, PBD, OXD-7, TAZ, p-EtTAZ, BPhen, BCP 등을 사용함으로서 형성될 수 있다. 전자 수송층(121)은 전자 이동도가 정공 이동도보다 높은 전자 수송성을 가진 전술한 물질을 사용함으로서 바람직하게 형성된다. 또한, 전자 수송층(121)은 10-6 cm2/Vs 이상의 전자 이동도를 가진 물질을 사용함으로서 바람직하게 형성된다. 게다가, 전자 수송층(121)은 전술한 물질로 형성된 두 개 이상의 층들을 적층시킴으로서 형성된 다층 구조를 가질 수 있다.
이러한 실시예 모드에서, 정공 수송층(123)은 도 1에 도시된 바와 같이 제 2 전극(102)과 발광층(122) 사이에 제공된다. 정공 수송층(123)은 제 2 전극(102)으로부터 주입된 정공들을 발광층(122)으로 수송하는 기능을 가진다. 발광층(122)으로부터 제 2 전극(102)을 분리하기 위하여 정공 수송층(123)을 제공함으로서, 발광층에서 발광된 광이 금속 때문에 소광되는 것이 방지될 수 있다.
정공 수송층(123)은 특별히 제한되지 않는다. 앞서 기술된 NPB, TPD, TDATA, MTDATA, DNTPD 등은 정공 수송층으로서 사용될 수 있다. 바람직하게, 정공 수송층(123)은 정공 이동도가 전자 이동도보다 높은 정공 수송성을 가진 전술한 물질을 사용함으로서 형성된다. 또한, 정공 수송층(123)은 10-6 cm2/Vs 이상의 정공 이동도를 가진 물질을 사용하여 형성된다. 정공 수송층(123)은 전술한 물질들로 형성된 두 개 이상의 층들을 적층함으로서 형성된 다층 구조를 가질 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 정공 주입층(124)은 제 2 전극(102)과 정공 수송층(123) 사이에 제공될 수 있다. 정공 주입층(124)은 제 2 전극(102)으로부터 정공 수송층(123)으로 정공들을 주입하는데 도움이 되는 기능을 가진다.
정공 주입층(124)은 특별히 제한되지 않는다. 정공 주입층은 몰리브덴 산화물, 바나듐 산화물, 루테늄 산화물, 텅스텐 산화물, 및 망간 산화물과 같은 금속 산화물들을 사용함으로서 형성될 수 있다. 더욱이, 정공 주입층(124)은 H2Pc, CuPC, 및 VOPc와 같은 전술한 프탈로시아닌 화합물, DNTPD와 같은 방향족 아민 화합물, 또는 폴리(에틸렌디옥시티오펜)/폴리(스티렌술포네이트)혼합물 (PEDOT/PSS)과 같은 고분자 중량 재료를 사용함으로서 형성될 수 있다. 게다가, 정공 주입층(124)은 정공 수송성을 가진 물질, 및 정공 수송성을 가진 물질에 대하여 전자 수용성을 가진 물질을 포함하는 전술한 층을 사용하여 형성될 수 있다.
본 발명의 전술한 발광 소자는 발광 시간이 누적되더라도 구동 전압이 약간 증가되는 고신뢰성 발광 소자이다. 게다가, 미리 결정된 휘도를 획득하기 위하여 인가된 전압은 여기에서 구동 전압으로서 언급된다.
본 발명의 발광 소자는 정공을 생성하는 층(즉, 제 1 층(111))의 두께에 따라 발광 소자를 통해 미리 결정된 전류를 흐르게 하기 위하여 발광 소자에 인가되는 전압에 미세 변화를 가진다. 따라서, 예컨대, 제 1과 제 2 전극들 사이의 거리를 증가시키기 위하여 제 1 층(111)의 두께를 증가시킴으로서, 제 1 전극(101)은 제 2 전극(102)과의 단락이 용이하게 방지될 수 있다.
[실시예 모드 2]
본 실시예 모드는, 도 24를 참조하여, 광 추출 효율성이 정공들이 발생하는 층의 두께를 제어함으로서 증가되고 반사면과 발광 영역 사이의 광학 거리가 발광면을 보는 각도에 따라 발광 스펙트럼의 변화를 감소시키도록 제어되는 발광 소자를 기술할 것이다.
도 24의 발광 소자는 제 1 전극(201)과 제 2 전극(202) 사이에 정공들이 발생하는 제 1 층(211), 전자들이 발생하는 제 2 층(212), 및 발광 물질을 포함하는 제 3 층(213)을 포함한다. 제 1 층(211), 제 2 층(212), 및 제 3 층(213)은 제 1과 제 3 층들 사이에 제 2 층(212)을 개재하면서 서로 적층된다. 제 1 층(211)은 제 1 전극(201)과 접하는 반면에, 제 3 층(213)은 제 2 전극(202)과 접한다.
제 1 전극(201)은 고반사율을 가진 도전성 물질로 형성된 전극 또는 반사 전극이다. 고반사율을 가진 도전성 물질로서, 알루미늄, 은, 이들 금속들의 합금(예컨대, Al:Li 합금, Mg:Ag 합금 등) 등이 사용될 수 있다. 도전성 물질은 바람직하게 50 내지 100%의 반사율을 가진다. 제 2 전극(202)은 가시광을 투과할 수 있는 도전성 물질로 형성된다. 가시광을 투과할 수 있는 도전성 물질은 특별하게 제한되지 않으며, 인듐 주석 산화물, 산화규소를 포함하는 인듐 주석 산화물, 2 내지 20 산화아연을 포함하는 산화인듐 등이 사용될 수 있다.
제 2 전극(202)의 전위가 제 1 전극(201)의 전위보다 높도록 발광 소자에 전압을 인가할 때, 정공들은 제 1 층(211)으로부터 제 1 전극(201)으로 주입되는 반면에, 전자들은 제 2 층(212)으로부터 제 3 층(213)으로 주입된다. 또한, 정공들은 제 2 전극(202)으로부터 제 3 층(213)으로 주입된다.
전자들 및 정공들은 발광 물질이 여기되도록 제 3 층(213)에서 재결합된다. 발광 물질은 여기 상태로부터 기저 상태로 리턴할 때 발광한다. 광이 이러한 방식으로 생성되는 영역은 특히 발광 영역으로서 언급된다. 발광 영역을 형성하기 위하여 발광 물질을 포함하는 층은 발광층으로서 언급된다. 게다가, 발광 영역은 적어도 발광층의 일부에 형성된다.
본 실시예 모드에 따른 발광 소자에서, 제 3 층(213)은 발광층(222)과 함께 전자 수송층(221), 정공 수송층(223), 및 정공 주입층(224)을 포함한다. 게다가, 제 3 층(213)의 구조는 도 24에 도시된 것에 제한되지 않는다. 예컨대, 제 3 층(213)은 발광층만을 포함하는 단층 구조를 가질 수 있다.
제 1 층(211), 제 2 층(212), 및 제 3 층(213)은 각각 실시예 모드 1에 기술된 바와 같이 제 1 층(111), 제 2 층(112), 및 제 3 층(113)과 동일한 물질을 사용함으로서 형성될 수 있다. 유사하게, 전자 수송층(221), 발광층(222), 정공 수송층(223), 및 정공 주입층(224)은 각각 실시예 모드 1에 기술된 바와 같이 전자 수송층(121), 발광층(122), 정공 수송층(123), 및 정공 주입층(124)와 동일한 물질들을 사용함으로서 형성될 수 있다.
광이 반사 전극으로 입력될 때, 위상 반전이 반사광에서 야기된다. 위상 반전으로 인한 광의 간섭현상에 의하여, 발광 영역과 반사 전극 사이의 광학 거리(즉, 반사율 x 거리)가 발광 파장의 (2m-1)/4 배(m는 임의의 양의 정수)일 때, 또는 광학 거리가 발광 파장의 1/4, 3/4, 5/4 ... 배일 때, 광 추출 효율성이 증가된다. 반면에, 광학 거리가 m/2 배(m은 임의의 양의 정수)이거나 또는 발광 파장의 1/2, 1, 3/2 ... 배일 때, 광 추출 효율성이 감소된다.
따라서, 발광 영역이 본 실시예 모드에 따른 발광 소자에서 발광층(222)과 정공 수송층(223) 사이의 계면에 근접하여 배치되는 경우에, 제 1 층(211), 제 2 층(212), 전자 수송층(221), 및 발광층(222) 각각의 두께는 이하의 수식 4를 만족하도록 바람직하게 조절된다. 따라서, 외부로 효율적으로 발광될 수 있다. 또한, di 및 dii의 막 두께의 증가에 따른 저항값의 증가가 억제될 수 있다. 여기서, 저항값은 인가된 전압에 따라 발광 소자를 통해 흐르는 전류(mA)에 의하여 인가전압(V)을 나눔으로서 얻은 값을 의미한다.
Figure 112010085286116-pat00002
수식 4에서, ni은 제 1 층(211)의 굴절률을 나타내며, di는 제 1 층(211)의 두께를 나타내며, nii은 제 2 층(212)의 굴절률을 나타내며, dii는 제 2 층(212)의 두께를 나타내며, nl는 전자 수송층(221)의 굴절률을 나타내며, dl은 전자 수송층(221)의 두께를 나타내며, np는 발광층(222)의 굴절률을 나타내며, dp는 발광층(222)의 두께를 나타내며, λ는 발광 소자에서 발생된 광의 파장을 나타내며, m은 임의의 양의 정수를 나타낸다.
반면에, 발광 영역이 본 실시예 모드의 발광 소자에서 발광층(222)과 전자 수송층(221) 사이의 계면 근처에 배치된 경우에, 제 1 층(211), 제 2 층(212), 및 전자 수송층(221)의 각각의 두께는 수식 5를 만족하도록 바람직하게 조절된다. 따라서, 외부로 효율적으로 발광될 수 있다. 이외에, di 및 dii의 막 두께의 증가에 따른 저항값의 증가는 억제될 수 있다.
Figure 112010085286116-pat00003
수식 5에서, ni은 제 1 층(211)의 굴절률을 나타내며, di는 제 1 층(211)의 두께를 나타내며, nii은 제 2 층(212)의 굴절률을 나타내며, dii는 제 2 층(212)의 두께를 나타내며, nl는 전자 수송층(221)의 굴절률을 나타내며, dl은 전자 수송층(221)의 두께를 나타내며, λ는 발광 소자에서 발생된 광의 파장을 나타내며, m은 임의의 양의 정수를 나타낸다.
게다가, 발광 영역이 본 실시예 모드의 발광 소자에서 발광층(222)의 전체 영역에 형성될 때, 제 1 층(211), 제 2 층(212), 및 전자 수송층(221)의 각각의 두께는 이하의 수식 6을 만족하도록 바람직하게 조절된다. 따라서, 외부에 효율적으로 발광될 수 있다.
Figure 112010085286116-pat00004
수식 6에서, ni은 제 1 층(211)의 굴절률을 나타내며, di는 제 1 층(211)의 두께를 나타내며, nii은 제 2 층(212)의 굴절률을 나타내며, dii는 제 2 층(212)의 두께를 나타내며, nl는 전자 수송층(221)의 굴절률을 나타내며, dl은 전자 수송층(221)의 두께를 나타내며, np는 발광층(222)의 굴절률을 나타내며, dp는 발광층(222)의 두께를 나타내며, λ는 발광 소자에서 발생된 광의 파장을 나타내며, m은 임의의 양의 정수를 나타낸다.
수식 4, 5 및 6에서, m은 바람직하게 1≤m≤10의 관계를 만족한다. 구체적으로, 발광 소자에서 발생된 광은 발광 물질로부터 발광 소자의 외부로 발광되는 광을 의미한다. 또한, 발광의 파장은 발광 스펙트럼의 최대치을 보여주는 파장에 대한 이론적 값이다.
제 1 층(211)이 정공 수송성을 가진 물질을 사용하여 형성되고 제 2 층(212)이 전자 수송성을 가진 물질을 사용하여 형성될 때, 특히 dii은 앞서 언급된 수식들 4, 5, 및 6에서 di과 동일하거나 또는 큰 것이 바람직하다. 따라서, 막 두께의 증가에 따른 저항값의 증가는 더욱 억제될 수 있다. 이는 특히 유기물들에서 전자 수송성을 가진 물질에 비해 정공 수송성을 가진 물질이 더 많이 존재하기 때문이며, 높은 정공 이동도를 가진 정공 수송성을 가진 물질은 높은 전자 이동도를 가진 전자 수송성을 가진 물질에 비해 용이하게 획득된다. 따라서, 본 발명의 발광 소자는 정공 수송성을 가진 물질을 효율적으로 이용할 수 있다. 정공 수송성을 가진 물질을 효율적으로 이용함으로서, 발광 소자를 형성하기 위하여 사용되는 재료들에 대한 선택 범위는 넓게 되며, 이로 인하여 발광 소자는 용이하게 형성될 수 있다.
전자 수송층(221)이 제 2 층(212)과 발광층(222) 사이에 개재되는 구조를 가진 발광 소자가 이러한 실시예 모드에서 설명된다. 대안적으로, 발광 소자는 제 2 층(212)과 발광층(222) 사이에 전자 수송층(221)보다 오히려 다른 층을 포함할 수 있다. 이러한 경우에, 수식 6에서, n1d1은 다음과 같은 수식, 즉 n1d1 + n2d2 ... + mkdk +.. 와 같이 표현될 수 있다.
[실시예 모드 3]
본 발명에 따른 발광 소자는 발광 시간이 누적되더라도 구동 전압이 미세하게 증가하는 고신뢰성 소자이다. 본 발명에 따른 발광 소자를 예컨대 화소부에 적용함으로서, 저전력 소비를 가진 발광 장치가 획득될 수 있다. 또한, 본 발명의 발광 소자는 전극들 사이의 단락을 용이하게 방지할 수 있다. 따라서, 화소부에 본 발명의 발광 소자를 적용함으로서, 단락으로 인한 결함들이 적은 양호한 화상들을 표시할 수 있는 발광 장치가 획득될 수 있다. 게다가, 본 발명에 따른 발광 소자는 외부로 용이하게 발광할 수 있다. 본 발명의 발광 소자를 화소부에 적용함으로서, 저전력 소비로 표시 동작을 수행할 수 있는 발광 장치가 획득될 수 있다.
이러한 실시예 모드에서, 표시 기능을 가진 발광 장치의 회로 구조들 및 구동 방법들이 도 3, 도 4, 도 5, 및 도 6을 참조하여 기술될 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 발광 장치의 개략적 상면도이다. 도 3에서, 화소부(6511), 소스 신호선 구동 회로(6512), 기록 게이트 신호선 구동 회로(6513), 및 소거 게이트 신호선 구동 회로(6514)가 기판(6500) 위에 제공된다. 소스 신호선 구동 회로(6512), 기록 게이트 신호선 구동 회로(6513), 및 소거 게이트 신호선 구동 회로(6514)는 배선군들을 통해 외부 입력 단자들인 FPC들(flexible printed circuits; 가요성 인쇄 회로들)에 각각 접속된다. 소스 신호선 구동 회로(6512), 기록 게이트 신호선 구동 회로(6513), 및 소거 게이트 신호선 구동 회로(6514)는 FPC들(6503)로부터 비디오 신호들, 클록 신호들, 시작 신호들, 리셋 신호들 등을 각각 수신한다. FPC들(6503)은 인쇄 배선 기판들(PWB; printed wiring board)(6504)이 부착된다. 게다가, 구동 회로들은 화소부(6511)와 동일한 기판 위에 형성될 필요가 없다. 예컨대, 구동 회로들은 IC 칩이 배선 패턴을 가진 FPC위에 장착되는 TCP 등을 이용하여 기판의 외부에 제공될 수 있다.
열 방향으로 연장하는 다수의 소스 신호선들은 화소부(6511)에서 행 방향으로 정렬된다. 또한, 전력 공급선들은 행 방향으로 정렬된다. 행 방향으로 연장하는 다수의 게이트 신호선들은 화소부(6511)에서 열 방향으로 정렬된다. 이외에, 발광 소자를 각각 포함하는 다수의 회로들은 화소부(6511)에 정렬된다.
도 4는 하나의 화소를 동작시키는 회로를 도시한 도면이다. 도 4에 도시된 회로는 제 1 트랜지스터(901), 제 2 트랜지스터(902), 및 발광 소자(903)를 포함한다.
제 1 및 제 2 트랜지스터들(901, 902)의 각각은 게이트 전극, 드레인 영역, 및 소스 영역을 포함하는 3개 단자의 소자이다. 채널 영역은 드레인 영역과 소스 영역 사이에 삽입된다. 소스 영역으로서 사용되는 영역 및 드레인 영역으로서 사용되는 영역은 트랜지스터의 구조, 동작 조건 등에 따라 변화되며, 따라서 소스 영역 및 드레인 영역으로서 어느 영역들이 사용되는지를 결정하는 것이 곤란하다. 따라서, 소스 및 드레인으로서 사용되는 영역들은 본 실시예 모드에서 각각의 트랜지스터의 제 1 전극 및 제 2 전극으로서 각각 표시된다.
게이트 신호선(911) 및 기록 게이트 신호선 구동 회로(913)는 스위치(918)에 의하여 전기적으로 서로 접속되거나 또는 분리되도록 제공된다. 게이트 신호선(911) 및 소거 게이트 신호선 구동 회로(914)는 스위치(919)에 의하여 전기적으로 서로 접속되거나 또는 분리되도록 제공된다. 소스 신호선(912)은 스위치(920)에 의하여 소스 신호선 구동 회로(915) 또는 전원(916)에 전기적으로 접속되도록 제공된다. 제 1 트랜지스터(901)의 게이트는 게이트 신호선(911)에 전기적으로 접속된다. 제 1 트랜지스터(901)의 제 1 전극은 소스 신호선(912)에 전기적으로 접속되는 반면에, 그것의 제 2 전극은 제 2 트랜지스터(902)의 게이트 전극에 전기적으로 접속된다. 제 2 트랜지스터(902)의 제 1 전극은 전류 공급선(917)에 전기적으로 접속되는 반면에, 그것의 제 2 전극은 발광 소자(903)에 포함된 하나의 전극에 전기적으로 접속된다. 게다가, 스위치(918)는 기록 게이트 신호선 구동 회로(913)에 포함될 수 있다. 스위치(919)는 또한 소거 게이트 신호선 구동 회로(914)에 포함될 수도 있다. 이외에, 스위치(920)는 소스 신호선 구동 회로(915)에 포함될 수 있다.
화소부에서 트랜지스터들, 발광 소자들 등을 배치하는 것은 특별하게 제한되지 않는다. 예컨대, 도 5의 상면도에 도시된 배치가 사용될 수 있다. 도 5에서, 제 1 트랜지스터(1001)의 제 1 전극은 소스 신호선(1004)에 접속되는 반면에, 제 1 트랜지스터의 제 2 전극은 제 2 트랜지스터(1002)의 게이트 전극에 접속된다. 제 2 트랜지스터(1002)의 제 1 전극은 전류 공급선(1005)에 접속되며, 제 2 트랜지스터의 제 2 전극은 발광 소자의 전극(1006)에 접속된다. 게이트 신호선(1003)의 일부는 제 1 트랜지스터(1001)의 게이트 전극으로서 기능을 한다.
다음에, 발광 장치를 구동시키는 방법이 이하에 기술될 것이다. 도 6은 시간에 따른 프레임의 동작을 기술한 도면이다. 도 6에서, 수평 방향은 시간 경과를 나타내는 반면에, 수직 방향은 게이트 신호선의 주사단들의 개수를 나타낸다.
화상이 본 발명에 따른 발광 장치 상에 표시될 때, 재기록 동작 및 표시 동작이 표시 기간 동안 반복적으로 수행된다. 재기록 동작들의 수는 특별히 제한되지 않는다. 그러나, 재기록 동작은, 표시된 화상을 보는 사람이 화상 깜박거림을 감지하지 못하도록 초(second) 당 약 60회로 바람직하게 수행된다. 하나의 화상(하나의 프레임)의 재기록 동작 및 표시 동작을 동작시키는 기간은 여기에서 하나의 프레임 기간으로서 언급된다.
도 6에 도시된 바와 같이, 하나의 프레임은 기록 기간들(501a, 502a, 503a, 504a) 및 유지 기간들(501b, 502b, 503b, 504b)을 포함하는 4개의 서브-프레임들(501, 502, 503, 504)로 분할된다. 발광하기 위한 신호가 공급되는 발광 소자는 유지 기간들 동안 발광한다. 제 1 서브-프레임(501), 제 2 서브-프레임(502), 제 3 서브-프레임(503), 및 제 4 서브-프레임(504)의 각 서브-프레임에서 유지 기간들의 길이 비는 23:22:21:20 = 8: 4: 2: 1를 만족한다. 이는 발광 장치가 4-비트 계조(階調)를 표현하게 한다. 게다가, 비트들의 수 및 계조들의 수는 이 실시예 모드에서 기술된 것에 제한되지 않는다. 예컨대, 하나의 프레임은 8-비트 계조를 달성하도록 8개의 서브-프레임들로 분할될 수도 있다.
하나의 프레임에서의 동작이 기술될 것이다. 서브-프레임(501)에서, 기록 동작은 우선 첫번째 행에서 마지막 행으로 순차적으로 수행된다. 따라서, 기록 기간들의 시작 시간은 각각의 행에 대하여 다르다. 유지 기간(501b)는 기록 기간(501a)이 종료되는 행들에서 순차적으로 시작한다. 유지 기간(501b)에서, 발광하기 위한 신호가 공급되는 발광 소자는 발광 상태로 유지된다. 유지 기간(501b)이 종료할 때, 서브-프레임(501)은 행들에서 순차적으로 다음 서브-프레임(502)으로 변화된다. 서브-프레임(502)에서, 기록 동작은 서브-프레임(501)과 동일한 방식으로 첫번째 행에서 마지막 행까지 순차적으로 수행된다. 앞서 언급된 동작들은 서브-프레임(504)의 유지 기간(504b)까지 반복적으로 수행된 후 종료된다. 서브-프레임(504)에서 동작이 종료된 후에, 다음 프레임의 동작이 시작된다. 따라서, 각각의 서브-프레임들에서의 발광 시간의 합은 한 프레임에서 각각의 발광 소자의 발광 시간에 대응한다. 각각의 발광 소자에 대한 발광 시간을 변화시키고 하나의 화소에서 발광 소자들을 여러가지로 결합함으로서, 상이한 명도 및 상이한 채도를 가진 다양한 디스플레이 색들이 형성될 수 있다.
기록 기간이 이미 종료되고 서브-프레임(504) 내에 도시된 마지막 행까지 기록 동작을 종료하기 전에 유지 기간이 시작되는 행에서 유지 기간이 강제로 종료될때, 소거 기간(504c)은 발광을 강제로 중지시키기 위하여 유지 기간(504b) 이후에 바람직하게 제공된다. 발광이 강제로 중지된 행은 특정 기간(이 기간은 비발광 기간(504d)으로서 언급됨)동안 발광하지 않는다. 마지막 행에서 기록 기간을 종료할 때, 다음 서브-프레임(또는 다음 프레임)의 기록 기간은 제 1 행에서부터 순차적으로 시작된다. 이는 서브-프레임(504)의 기록 기간이 다음 서브-프레임의 기록 기간과 중첩되는 것을 방지할 수 있다.
비록 서브-프레임들(501 내지 504)이 본 실시예 모드에서 유지 기간의 길이를 증가시키는 순서로 배열되더라도, 서브-프레임들(501 내지 504)은 반드시 이 순서로 배열될 필요는 없다. 예컨대, 서브-프레임들은 유지 기간의 길이의 오름차순으로 배열될 수 있다. 대안적으로, 서브-프레임들은 랜덤 순서로 배열될 수 있다. 이외에, 이들 서브-프레임들은 다수의 프레임들로 더 분할될 수 있다. 즉, 게이트 신호선들의 주사는 동일한 비디오 신호들을 공급하는 기간 동안 여러번 수행될 수 있다.
도 4에 도시된 기록 기간 및 소거 기간에서 회로들의 동작들은 이하에서 기술될 것이다.
기록 기간에서의 동작이 우선 기술될 것이다. 기록 기간에서, n번째 행(n은 자연수)의 게이트 신호선(911)은 스위치(918)를 통해 기록 게이트 신호선 구동 회로(913)에 전기적으로 접속된다. n번째 행의 게이트 신호선(911)은 소거 게이트 신호선 구동 회로(914)에 접속되지 않는다. 소스 신호선(912)은 스위치(920)를 통해 소스 신호선 구동 회로(915)에 전기적으로 접속된다. 이러한 경우에, 신호는 n번째 행(n은 자연수)의 게이트 신호선(911)에 접속된 제 1 트랜지스터(901)의 게이트에 입력되어, 제 1 트랜지스터(901)를 턴온시킨다. 이때, 비디오 신호들은 제 1 열에서 마지막 열까지 소스 신호선(912)에 동시에 입력된다. 또한, 각 열의 소스 신호선(912)으로부터 입력된 비디오 신호들은 서로 독립적이다. 소스 신호선(912)으로부터 입력된 비디오 신호들은 각각의 소스 신호선들에 접속된 제 1 트랜지스터(901)를 통해 제 2 트랜지스터(902)의 게이트 전극에 입력된다. 이때, 제 2 트랜지스터(902)에 입력된 신호들에 따라 발광 소자(903)가 발광하는지의 여부가 결정된다. 예컨대, 제 2 트랜지스터(902)가 P-채널형일 때, 발광 소자(903)는 제 2 트랜지스터(902)의 게이트 전극에 저레벨 신호를 입력함으로서 발광한다. 한편, 제 2 트랜지스터(902)가 N-채널형일 때, 발광 소자(903)는 제 2 트랜지스터(902)의 게이트 전극에 고레벨 신호를 입력함으로서 발광한다.
다음에, 소거 기간에서의 동작이 기술될 것이다. 소거 기간에, n번째 행(n은 자연수)에서 게이트 신호선(911)은 스위치(919)를 통해 소거 게이트 신호선 구동 회로(914)에 전기적으로 접속된다. n번째행에서 게이트 신호선(911)은 기록 게이트 신호선 구동 회로(913)에 접속되지 않는다. 소스 신호선(912)은 스위치(920)를 통해 전원(916)에 전기적으로 접속된다. 이러한 경우에, n번째 행에서 게이트 신호선(911)에 접속된 제 1 트랜지스터(901)의 게이트에 신호를 입력할 때, 제 1 트랜지스터(901)가 턴온된다. 이때, 소거 신호들은 제 1 열에서 마지막 열들까지 소스 신호선들에 동시에 입력된다. 소스 신호선(912)으로부터 입력된 소거 신호들은 각각의 소스 신호선들에 접속된 제 1 트랜지스터(901)를 통해 제 2 트랜지스터(902)의 게이트 전극에 입력된다. 전류 공급선(917)으로부터 발광 소자(903)를 통해 흐르는 전류의 공급은 제 2 트랜지스터(902)에 입력된 신호들에 의하여 강제로 중지된다. 이는 강제로 발광 소자(903)가 발광하지 않도록 한다. 예컨대, 제 2 트랜지스터(902)가 P-채널형일 때, 발광 소자(903)는 제 2 트랜지스터(902)의 게이트 전극에 고레벨 신호를 입력함으로서 발광하지 않는다. 한편, 제 2 트랜지스터(902)가 N-채널형일때, 발광 소자(903)는 제 2 트랜지스터(902)의 게이트 전극에 저레벨 신호를 입력함으로서 발광하지 않는다.
게다가, 소거 기간에서, 소거 신호는 전술한 동작에 의하여 n번째 행(n은 자연수)에 입력된다. 그러나, 전술한 바와 같이, n번째 행은 때때로 소거 기간으로 유지되는 반면에, 다른 행(예컨대, m번째 행(m은 자연수))은 기록 기간으로 유지된다. 이러한 경우에, 동일한 열들의 소스 신호선들을 이용함으로서 n번째 행에는 소거 신호를 입력할 필요가 있고 m번째 행에는 기록 신호를 입력할 필요가 있기 때문에, 후술한 동작이 바람직하게 수행된다.
n번째 행의 발광 소자(903)가 소거 기간에 전술한 동작에 의하여 비발광 상태가 된 후, 게이트 신호선(911) 및 소거 게이트 신호선 구동 회로(914)는 즉시 서로 분리되며, 소스 신호선(912)은 스위치(920)를 턴온/턴오프함으로서 소스 신호선 구동 회로(915)에 접속된다. 게이트 신호선(911) 및 기록 게이트 신호선 구동 회로(913)는 서로 접속되고, 소스 신호선 및 소스 신호선 구동 회로(915)는 서로 접속된다. 신호는 기록 게이트 신호선 구동 회로(913)로부터 m번째 행의 신호선에 대안적으로 입력되며, 제 1 트랜지스터는 기록 신호들이 소스 신호선 구동 회로(915)로부터 제 1 열에서 마지막 열들까지 소스 신호선들에 입력되는 동안 턴온된다. 이들 신호들을 입력함으로서, m번째 행의 발광 소자는 발광하거나 또는 발광하지 않는다.
앞서 언급된 바와 같이 m번째 행의 기록 기간을 종료한 후, 소거 기간이 즉시 n+1번째 행에서 시작된다. 따라서, 게이트 신호선(911) 및 기록 게이트 신호선 구동 회로(913)는 서로 분리되며, 소스 신호선은 스위치(920)를 턴온/오프함으로서 전원(916)에 접속된다. 또한, 게이트 신호선(911) 및 기록 게이트 신호선 구동 회로(913)는 서로 분리되며, 게이트 신호선(911)은 소거 게이트 신호선 구동 회로(914)에 접속된다. 신호는 소거 게이트 신호선 구동 회로(914)로부터 n+1번째 행의 게이트 신호선에 대안적으로 입력되며, 제 1 트랜지스터는 소거 신호가 전원(916)으로부터 입력되는 동안 턴온된다. 이러한 방식에서 n+1번째 행의 소거 기간을 종료할 때, 기록 기간은 m+1번째 행에서 즉시 시작된다. 소거 기간 및 기록 기간은 마지막 행의 소거 기간까지 대안적으로 반복될 수 있다.
비록 m번째 행의 기록 기간이 본 실시예 모드에서 n번째 행의 소거 기간과 n+1번째 행의 소거 기간 사이에 제공되더라도, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. m번째 행의 기록 기간은 n-1번째 행의 소거 기간과 n번째 행의 소거 기간 사이에 제공될 수도 있다.
게다가, 이러한 실시예 모드에서, 비발광 기간(504d)이 서브-프레임(504)과 같이 제공될 때, 다른 게이트 신호선에 기록 게이트 신호선 구동 회로(913)를 접속시키면서 한 게이트 신호선으로부터 소거 게이트 신호선 구동 회로(914)를 분리하는 동작은 반복적으로 수행된다. 이러한 동작은 비발광 기간이 특별하게 제공되지 않는 프레임에서 수행될 수 있다.
[실시예 모드 4]
본 발명에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 장치의 단면도의 예가 도 7A 내지 도 7C를 참조하여 기술될 것이다.
도 7A 내지 도 7C의 각각에서, 점선에 의하여 둘러싸인 영역은 본 발명의 발광 소자(12)를 구동시키기 위하여 제공된 트랜지스터(11)를 나타낸다. 본 발명의 발광 소자(12)는 정공들이 발생하는 층, 전자들이 발생하는 층, 및 발광 물질을 포함하는 층의 적층이 제 1 전극(13)과 제 2 전극(14) 사이에 제공된 층(15)을 포함한다. 트랜지스터(11)의 드레인 및 제 1 전극(13)은 제 1 층간 절연막(16)(16a, 16b, 및 16c)을 통과하는 배선(17)에 의하여 서로 전기적으로 접속된다. 발광 소자(12)는 분할 벽층(18)에 의하여 발광 소자(12)에 인접하게 제공된 다른 발광 소자들로부터 분리된다. 이러한 구조를 가진 본 발명의 발광 장치는 본 실시예 모드에서 기판(10) 위에 제공된다.
도 7A 내지 도 7C의 각각에 도시된 트랜지스터(11)는 게이트 전극이 기판에 대향하는 반도체층의 측면 상에 제공되는 톱-게이트형 트랜지스터(top-gate type transistor)이다. 또한, 트랜지스터(11)의 구조는 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 바텀-게이트형 트랜지스터(bottom-gete type transistor)가 이용될 수도 있다. 바텀 게이트형 트랜지스터를 사용하는 경우, 보호막이 채널의 반도체층 상에 형성되는 트랜지스터(채널 보호형 트랜지스터) 또는 채널의 반도체층의 일부가 에칭되는 트랜지스터(채널 에칭형 트랜지스터)가 사용될 수 있다.
트랜지스터(11)에 포함되는 반도체층은 결정형 반도체, 비결정형(amorphous) 반도체, 세미아모르퍼스(semiamorphous) 반도체 등 중 임의의 것일 수 있다.
구체적으로, 세미아모르퍼스 반도체는 비결정형 구조와 결정형 구조 사이의 중간 구조(단결정 구조 및 다결정 구조를 포함함), 및 자유 에너지적으로 안정한 제 3 조건을 가진다. 세미아모르퍼스 반도체는 격자 왜곡과 함께 단거리 질서(short range order)를 가진 결정형 영역을 더 포함한다. 0.5 내지 20nm 크기를 가진 결정 입자는 세미아모르퍼스 반도체 막의 적어도 일부에 포함된다. 라만 스펙트럼(Raman Spectrum)은 520 cm-1 보다 낮은 파수값(wave number)로 시프트된다. Si 결정 격자로부터 유도되는 것으로 믿어지는 (111) 및 (220)의 회절 피크들은 X-선 회절에 의하여 세미아모르퍼스 반도체에서 관찰된다. 세미아모르퍼스 반도체는 댕글링 결합(dangling bond)을 종료하기 위하여 적어도 1 원자 % 이상의 수소 또는 할로겐을 포함한다. 세미아모르퍼스 반도체는 또한 마이크로결정형 반도체로서 언급된다. 세미아모르퍼스 반도체는 규화물 기체를 사용하여 글로 방전 분해(glow discharge decomposition)(플라즈마 CVD)를 수행함으로서 형성된다. 규화물 기체에 대하여, SiH4, Si2H6, SiH2Cl2, SiHCl3, SiCl4, SiF4 등이 사용될 수 있다. 규화물 기체는 H2, 또는 He, Ar, Kr, 및 Ne로부터 선택된 희가스 원자들 중 하나 이상과 H2의 혼합물로 희석될 수 있다. 희석 비는 1: 2 내지 1:1,000의 범위 내에 있도록 설정된다. 압력은 대략 0.1 내지 133 Pa의 범위 내에 있도록 설정된다. 전력 주파수는 1 내지 120MHz, 바람직하게 13 내지 60MHz 내에 있도록 설정된다. 기판 가열 온도는 300℃ 이하, 더 바람직하게 100 내지 250℃에 있도록 설정될 수 있다. 막 내에 포함된 불순물 성분들에 대하여, 산소, 질소, 및 탄소와 같은 대기 성분들에 대한 불순물의 각각의 농도는 바람직하게 1x1020/cm3 이하로 설정된다. 특히, 산소 농도는 5x1019/cm19 이하, 바람직하게 1x1019/cm3 이하에 있도록 설정된다.
결정형 반도체층의 특정 예로서, 단결정형 규소, 다결정형 규소, 실리콘 게르마늄 등으로 형성된 반도체 층이 인용될 수 있다. 이들 재료들은 레이저 결정화에 의하여 형성될 수 있다. 예컨대, 이들 재료들은 니켈 등을 사용하는 고상 성장법을 사용하여 결정화함으로서 형성될 수 있다.
반도체층이 비결정형 물질, 예컨대 비결정형 실리콘으로 생성될 때, 트랜지스터(11) 및 다른 트랜지스터(발광 소자를 구동하는 회로에 포함된 트랜지스터)로서 단지 N-채널 트랜지스터들만을 포함하는 회로들을 가진 발광 장치를 사용하는 것이 바람직하다. 대안적으로, N-채널 트랜지스터들 또는 P-채널 트랜지스터들을 포함하는 회로들을 가진 발광 장치가 이용될 수도 있다. 또한, N-채널 트랜지스터 및 P-채널 트랜지스터를 모두 포함하는 회로들을 가진 발광 장치가 사용될 수도 있다.
제 1 층간 절연막(16)은 도 7A 내지 도 7C에 도시된 바와 같이 복수의 층들(예컨대, 층간 절연막들(16a, 16b, 16c)) 또는 단층을 포함할 수 있다. 층간 절연막(16a)은 산화규소 및 질화규소와 같은 무기물로 형성된다. 층간 절연막(16b)은 아크릴, 실록산(실리콘(Si)-산소(O) 결합에 의하여 형성된 골격 구조를 가지며 알킬기과 같은 유기기를 치환기로서 포함하는 화합물) 또는 산화규소와 같은 액체를 공급함으로서 형성될 수 있는 자기-평탄성을 가진 물질로 형성된다. 층간 절연막(16c)은 아르곤(Ar)을 포함하는 질화규소막으로 형성된다. 각각의 층들을 구성하는 물질들은 특별히 제한되지 않는다. 따라서, 앞서 언급된 물질들과 다른 물질들이 이용될 수도 있다. 대안적으로, 앞서 언급된 물질들은 앞서 언급된 물질들과 다른 물질과 조합하여 사용될 수 있다. 따라서, 제 1 층간 절연막(16)은 무기물 및 유기물 둘 다를 사용하거나 또는 무기물 또는 유기물 중 하나를 사용함으로서 형성될 수 있다.
분할 벽 층(18)의 에지부는 바람직하게 곡률 반경이 연속적으로 변화되는 형태를 가진다. 이러한 분할 벽 층(18)은 아크릴, 실록산, 레지스트, 산화규소 등을 사용하여 형성된다. 게다가, 분할 벽 층(18)은 무기막 및 유기막 중 어느 하나 또는 둘 다로 형성될 수 있다.
도 7A 및 도 7C는 단지 제 1 층간 절연막들(16)만이 트랜지스터들(11)과 발광 소자들(12) 사이에 삽입되는 구조들을 도시한다. 대안적으로, 도 7B에 도시된 바와 같이, 제 1 층간 절연막(16)(16a, 16b) 및 제 2 층간 절연막(19)(19a, 19b)은 트랜지스터(11)와 발광 소자(12) 사이에 제공될 수도 있다. 도 7B에 도시된 발광 장치에서, 제 1 전극(13)은 배선(17)에 접속될 제 2 층간 절연막(19)을 통과한다.
제 2 층간 절연막(19)은 제 1 층간 절연막(16)뿐만 아니라 복수의 층들 또는 단층을 포함할 수 있다. 층간 절연막(19a)은 아크릴, 실록산, 또는 산화규소와 같은 액체를 공급함으로서 형성될 수 있는 자기-평탄성을 가진 물질로 형성된다. 층간 절연막(19b)은 아르곤(Ar)을 포함하는 질화규소막으로 형성된다. 각각의 층간 절연층들을 구성하는 물질들은 그것에 특별히 제한되지 않는다. 따라서, 앞서 언급된 물질들과 다른 물질들이 이용될 수 있다. 대안적으로, 앞서 언급된 물질들은 앞서 언급된 물질들과 다른 물질들과 조합하여 사용될 수 있다. 따라서, 제 2 층간 절연막(19)은 무기물 및 유기물 둘 다를 사용하거나 또는 무기물 또는 유기물 중 하나를 사용하여 형성될 수 있다.
제 1 전극 및 제 2 전극이 발광 소자(12)에서 투광성을 가진 물질을 사용하여 형성될 때, 발광 소자(12)에서 생성된 광은 도 7A에서 화살표들로 도시된 바와 같이 제 1 전극(13) 및 제 2 전극(14)을 통해 발광될 수 있다. 단지 제 2 전극(14)만이 투광성을 가진 물질로 형성될 때, 발광 소자(12)에서 생성된 광은 도 7B의 화살표로 도시된 바와 같이 제 2 전극(14)을 통해서만 발광될 수 있다. 이러한 경우에, 제 1 전극(13)은 바람직하게 고반사율을 가진 재료로 형성되며, 고반사율을 가진 재료로 형성된 막(반사막)은 바람직하게 제 1 전극(13) 아래에 제공된다. 단지 제 1 전극(13)만이 투광성을 가진 물질로 형성될 때, 발광 소자(12)에서 생성된 광은 도 7C의 화살표로 도시된 바와 같이 제 1 전극(13)만을 통해 발광될 수 있다. 이러한 경우에, 제 2 전극(14)은 바람직하게 고반사율을 가진 재료로 형성되거나, 또는 반사막은 바람직하게 제 2 전극(14) 위에 제공된다.
더욱이, 발광 소자(12)는 제 2 전극(14)의 전위가 제 1 전극(13)의 전위보다 높도록 발광 소자에 전압을 인가할 때 동작되는 층(15)을 적층함으로서 형성될 수 있다. 대안적으로, 발광 소자(12)는 제 2 전극(14)의 전위가 제 1 전극(13)의 전위보다 낮도록 발광 소자에 전압을 인가할 때 동작되는 층(15)을 적층함으로서 형성될 수 있다. 전자의 경우에, 트랜지스터(11)는 N-채널 트랜지스터이다. 후자의 경우에, 트랜지스터(11)는 P-채널 트랜지스터이다.
앞서 언급된 바와 같이, 트랜지스터를 사용하여 발광 소자의 구동을 제어하는 액티브형(active) 발광 장치가 본 실시예 모드에 기술된다. 이외에, 트랜지스터와 같은 구동 소자를 제공하지 않고 발광 소자를 구동하는 패시브형(passive) 발광 장치가 이용될 수 있다. 이러한 수동 발광 장치에 있어서, 발광 장치는 저구동 전압에서 동작되는 본 발명의 발광 소자를 사용함으로서 저전력 소비로 구동될 수 있다.
[실시예 모드 5]
본 발명에 따른 발광 장치를 장착함으로서, 표시부 등에서 소비 전력이 거의 증가하지 않는 전자 기기가 획득될 수 있다. 또한, 본 발명의 발광 장치를 장착함으로서, 화소에서 결함 등이 거의 없는 양호한 화상들을 표시할 수 있는 표시 장치와 같은 전자 기기가 획득될 수 있다. 게다가, 본 발명의 발광 장치를 장착함으로서, 저전력 소비를 가진 전자 기기가 획득될 수 있다.
본 발명에 따른 발광 장치들이 장착된 전자 기기들의 예들이 도 8A 내지 도 8C에 기술된다.
도 8A는 본체(5521), 하우징(5522), 표시부(5523), 키보드(5524) 등을 포함하는, 본 발명에 따라 제조된 랩탑 퍼스널 컴퓨터이다. 랩탑 퍼스널 컴퓨터는 표시부(5523)로서 본 발명의 발광 소자를 포함하는 발광 장치를 자신에 통합하여 달성될 수 있다.
도 8B는 본체(5552), 표시부(5551), 오디오 출력부(5554), 오디오 입력부(5555), 동작 스위치들(5556, 5557), 안테나(5553) 등을 포함하는, 본 발명에 따라 제조된 셀룰라 폰이다. 셀룰라 폰은 표시부(5551)로서 본 발명의 발광 소자를 포함하는 발광 장치를 자신에 통합하여 달성될 수 있다.
도 8C는 표시부(5531), 하우징(5532), 스피커들(5533) 등을 포함하는, 본 발명에 따라 제조된 텔레비전 수상기이다. 텔레비전 수상기는 표시부(5531)로서 본 발명의 발광 소자를 포함하는 발광 장치를 자신에 통합하여 달성될 수 있다.
앞서 기술된 바와 같이, 본 발명의 발광 장치들은 다양한 종류의 전자 기기들의 표시부들로서 사용되기에 적합하다.
게다가, 본 발명의 발광 소자들을 가진 발광 장치들은 랩탑 퍼스널 컴퓨터, 셀룰라 폰, 및 텔레비전 수상기 상에 장착된다. 그러나, 본 발명의 발광 소자들을 가진 발광 장치들은 네비게이션 시스템, 조명 기기 등에 장착될 수 있다.
[실시예 1]
정공들을 발생시키는 기능을 가진 층에서, 정공 수송성을 가진 물질과 정공 수송성을 가진 물질에 대하여 전자 수용성을 가진 물질의 혼합비가 각각 다른 4개의 발광 소자들(즉, 발광 소자(1), 발광 소자(2), 발광 소자(3) 및 발광 소자(4))를 제조하기 위한 방법들과 이들 소자의 특징들이 도 2를 참조로한 본 실시예에 기술될 것이다.
실리콘을 포함하는 인듐 주석 산화물은 제 2 전극(702)을 형성하기 위하여 스퍼터링에 의하여 기판(701) 위에 형성된다. 제 2 전극(702)은 110nm의 두께를 가지도록 형성된다. 게다가, 유리로 형성된 기판은 기판(701)으로서 사용된다.
다음에, 몰리브덴 산화물을 포함하는 층(703)이 몰리브덴 산화물의 진공 증착에 의하여 제 2 전극(702) 상에 형성된다. 층(703)은 5nm의 두께를 가지도록 형성된다.
다음에, 4,4'-비스(N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐 (약어: NPB)를 포함하는 층(704)은 NPB의 진공 증착에 의하여 층(703) 상에 형성된다. 층(704)은 55nm의 두께를 가지도록 형성된다.
트리스(8-퀴놀리노라토)알루미늄 (약어: Alq3) 및 쿠마린 6을 포함하는 층(705)이 Alq3 및 쿠마린 6의 공-증착(co-evaporation)에 의해 층(704) 상에 형성된다. Alq3-쿠마린 6의 중량비는 1:0.005을 만족하도록 조절된다. 따라서, 쿠마린 6은 Alq3에 분산된다. 층(705)의 두께는 35nm으로 설정된다. 게다가, 공-증착은 복수 증착원들로부터 동시에 수행되는 증착법이다.
Alq3를 포함하는 층(706)은 Alq3의 진공 증착에 의하여 층(705) 상에 형성된다. 층(706)의 두께는 10nm로 설정된다.
다음에, Alq3 및 리튬(Li)을 포함하는 제 2 층(707)이 Alq3 및 리튬의 공-증착에 의하여 층(706)상에 형성된다. Alq3-리튬 중량비는 1:0.01을 만족하도록 조절된다. 따라서, 리튬은 Alq3에 분산된다. 제 2 층(707)의 두께는 10nm로 설정된다.
순차적으로, NPB 및 몰리브덴 산화물을 포함하는 제 1 층(708)이 NPB 및 몰리브덴 산화물의 공-증착에 의하여 제 2 층(707) 상에 형성된다. 이 때에, 발광 소자(1)에 대하여, NPB 및 몰리브덴 산화물 간의 몰비(=몰리브덴 산화물/NPB)는 0.5를 만족하도록 조절된다. 발광 소자(2)에 대하여, NPB 및 몰리브덴 산화물 간의 몰비(=몰리브덴 산화물/NPB)는 1.0를 만족하도록 조절된다. 발광 소자(3)에 대하여, NPB 및 몰리브덴 산화물간의 몰비(=몰리브덴 산화물/NPB)는 1.5를 만족하도록 조절된다. 발광 소자(4)에 대하여, NPB 및 몰리브덴 산화물간의 몰비(=몰리브덴 산화물/NPB)는 2.0를 만족하도록 조절된다. 각각의 발광 소자들에 대한 제 2 층들의 두께는 20nm로 설정된다.
다음에, 제 1 전극(709)은 알루미늄의 진공 증착에 의하여 제 1 층(708) 상에 형성된다. 제 1 전극의 두께는 100nm로 설정된다.
제 2 전극(702)의 전위가 제 1 전극(709)의 전위보다 높도록 앞서 제조된 발광 소자에 전압을 인가함으로서 각각의 상기 발광 소자를 통해 전류가 흐를 때, 제 1 층(708)을 통해 생성된 정공들은 제 1 전극(709)에 주입되는 반면에 제 2 층(707)에서 생성된 전자들은 층(706)에 주입된다. 정공들은 제 2 전극(702)으로부터 층(703)에 주입된다. 제 2 전극(702)로부터 주입된 정공들 및 제 2 층(707)으로부터 주입된 전자들은 쿠마린 6가 발광하도록 층(705)에서 재결합된다. 따라서, 층(705)은 발광층으로서 사용된다. 또한, 층(703)은 정공 주입층으로서 사용된다. 층(704)은 정공 수송층으로서 사용된다. 층(706)은 전자 수송층으로서 사용된다. 본 실시예의 각각의 발광 소자에서, 층(706)에 포함된 물질들 및 제 2 층(707)에 포함된 전자 수송성을 가진 물질은 둘 다 Alq3이며 등가의 전자 친화력을 가진다.
도 9는 본 실시예에 따른 발광 소자들의 전압-휘도 특성들을 도시하며, 도 10은 발광 소자들의 전류 밀도-휘도 특성들을 도시하며, 도 11은 발광 소자들의 전압-전류 특성들을 도시한다. 도 9에서, 수평축은 전압(V)을 나타내는 반면에, 수직축은 휘도(cd/m2)를 나타낸다. 도 10에서, 수평축은 전류 밀도(mA/cm2)를 나타내는 반면에, 수직축은 휘도(cd/m2)를 나타낸다. 도 11에서, 수평축은 전압(V)을 나타내는 반면에, 수직축은 전류(mA)를 나타낸다. 도 9, 도 10 및 도 11에서, ▲로 표시된 곡선은 발광 소자(1)의 특성들이며, ●로 표시된 곡선은 발광 소자(2)의 특성들이며, ○로 표시된 곡선은 발광 소자(3)의 특성들이며, ■로 표시된 곡선은 발광 소자(4)의 특성들이다.
도 9, 도 10, 및 도 11에 따르면, 각각의 발광 소자들이 양호하게 동작된다는 것을 알 수 있다. 특히, 발광 소자들(2, 3, 4)는 발광 소자들에 미리 결정된 전압을 인가함으로서 획득되는 높은 휘도 및 대량의 전류를 가지며, 각각의 제 1 층들(708)의 NPB 및 몰리브덴 산화물 간의 몰비들(즉, 몰리브덴 산화물/NPB)은 1 내지 2를 만족한다. 따라서, 1 내지 2를 만족하도록 NPB 및 몰리브덴 산화물 간의 몰비(즉, 몰리브덴 산화물/NPB)를 조절함으로서, 낮은 구동 전압으로 동작시킬 수 있는 발광 소자가 획득될 수 있다.
다음에, 본 실시예의 발광 소자들을 사용하여 연속 발광 테스트를 수행하는 결과치들이 기술될 것이다. 연속 발광 테스트는 질소 분위기 하에서 앞서 제조된 발광 소자들을 밀봉한 후에 상온에서 이하에 도시된 바와 같이 수행된다.
도 10에 도시된 바와 같이, 초기 조건 하에서 본 발명의 발광 소자는 3,000 cd/m2의 휘도에서 발광하도록 26.75 mA/cm2의 전류 밀도를 필요로 한다. 이러한 실시예에서, 26.75 mA/cm2의 전류를 흐르게 하는데 필요한 시간에 따른 휘도의 변화 및 시간에 따른 전압의 변화는 특정 주기 동안 26.75mA/cm2의 전류를 흐르게 하면서 검사된다. 측정 결과치들이 도 12 및 도 13에 도시된다. 도 12에서, 수평축은 시간축(시)을 나타내는 반면에, 수직축은 26.75mA/cm2의 전류를 흐르도록 하는데 필요한 전압(V)을 나타낸다. 또한, 도 13에서, 수평축은 시간축(시)을 나타내는 반면에, 수직축은 휘도(임의의 단위로)를 나타낸다. 게다가, 휘도(임의의 단위로)는 초기 휘도에 대한 상대 값이며(즉, 임의의 시간에 휘도는 초기 휘도로 나뉜 후 100이 곱해짐), 초기 조건의 휘도는 100으로 표현된다.
도 12에 따르면, 26.75mA/cm2의 전류 밀도를 가진 전류를 흐르도록 하는데 필요한 전압이 100시간의 경과후에 초기 조건으로부터 단지 약 1V 증가된다는 것을 알 수 있다. 결과적으로, 발광 소자들이 시간에 따라 전압이 미세하게 증가하는 양호한 소자들임을 알 수 있다.
[실시예 2]
본 발명의 발광 소자를 제조하기 위한 방법이 도 14를 참조하여 이하에 기술될 것이다.
실리콘을 포함하는 인듐 주석 산화물이 제 2 전극(732)을 형성하기 위하여 스퍼터링에 의하여 기판(731) 위에 형성된다. 제 2 전극(732)의 두께는 110nm로 설정된다. 게다가, 유리로 형성된 기판이 기판(731)으로서 사용된다.
다음에, 몰리브덴 산화물 및 NPB를 포함하는 층(733)이 몰리브덴 산화물 및 NPB의 공-증착에 의하여 제 2 전극(732) 상에 형성된다. 층(733)의 두께는 50nm로 설정된다.
다음으로, NPB를 포함하는 층(734)이 NPB의 진공 증착에 의하여 층(733) 상에 형성된다. 층(734)의 두께는 10nm로 설정된다.
트리스(8-퀴놀리노라토)알루미늄 (약어: Alq3) 및 쿠마린 6를 포함하는 층(735)이 Alq3 및 쿠마린 6의 공-증착에 의하여 층(734) 상에 형성된다. Alq3-쿠마린 6의 중량비는 쿠마린 6가 Alq3에 분산되도록 1:0.005를 만족하도록 조절된다. 층(735)의 두께는 35nm로 설정된다. 게다가, 공-증착은 복수의 증착원으로부터 동시에 수행되는 증착법이다.
Alq3을 포함하는 층(736)이 Alq3의 진공 증착에 의하여 층(735) 상에 형성된다. 층(736)의 두께는 10nm로 설정된다.
Alq3 및 리튬(Li)을 포함하는 제 2 층(737)은 Alq3 및 리튬의 공-증착에 의하여 층(736) 상에 형성된다. Alq3-리튬 중량비는 리튬이 Alq3에 분산되도록 1:0.01을 만족하도록 조절된다. 제 2 층(737)의 두께는 10nm로 설정된다.
다음에, NPB 및 몰리브덴 산화물을 포함하는 제 1 층(738)은 NPB 및 몰리브덴 산화물의 공-증착에 의하여 제 2 층(737) 상에 형성된다. NPB 및 몰리브덴 산화물 간의 몰비(즉, 몰리브덴 산화물/NPB)는 1.0으로 조절된다. 제 1 층(738)의 두께는 20nm로 설정된다.
제 1 전극(739)은 알루미늄의 진공 증착에 의하여 제 1 층(738) 상에 형성된다. 제 1 전극(739)의 두께는 100nm로 설정된다.
제 2 전극(732)의 전위가 제 1 전극(739)의 전위보다 높도록 앞서 제조된 발광 소자에 전압을 인가함으로서 발광 소자를 통해 전류가 흐를 때, 제 1 층(738)에 생성된 정공들은 제 1 전극(739)에 주입되는 반면에 제 2 층(737)에서 생성된 전자들은 층(736)에 주입된다. 정공들은 제 2 전극(732)으로부터 층(733)에 주입된다. 제 2 전극(732)로부터 주입된 정공들 및 제 2 층(737)으로부터 주입된 전자들은 쿠마린 6가 발광하도록 층(735)에서 재결합된다. 따라서, 층(735)은 발광층으로서 사용된다. 게다가, 층(733)은 정공 주입층으로서 사용된다. 층(734)은 정공 수송층으로서 사용된다. 층(736)은 전자 수송층으로서 사용된다. 본 실시예의 각각의 발광 소자에서, 층(736)에 포함된 물질들 및 제 2 층(737)에 포함된 전자 수송성을 가진 물질은 둘 다 Alq3이며 등가의 전자 친화력을 가진다.
(비교 예)
다음에, 비교 예의 발광 소자를 제조하기 위한 방법이 도 15를 참조하여 기술될 것이다.
실리콘을 포함하는 인듐 주석 산화물은 제 2 전극(752)를 형성하기 위하여 스퍼터링에 의하여 기판(751) 위에 형성된다. 제 2 전극(752)의 두께는 110nm로 설정된다. 유리로 형성된 기판은 기판(751)으로서 사용된다.
다음에, 몰리브덴 산화물 및 NPB를 포함하는 층(753)은 몰리브덴 산화물 및 NPB의 공-증착에 의하여 제 2 전극(752) 상에 형성된다. 층(753)의 두께는 50nm로 설정된다.
NPB를 포함하는 층(754)은 NPB의 진공 증착에 의하여 층(753) 상에 형성된다. 층(754)의 두께는 10nm로 설정된다.
Alq3 및 쿠마린 6를 포함하는 층(755)은 Alq3 및 쿠마린 6의 공-증착에 의하여 층(754) 상에 형성된다. Alq3-쿠마린 6 중량비는 쿠마린 6가 Alq3에 분산되도록 1:0.005를 만족하도록 조절된다. 층(755)의 두께는 35nm로 설정된다.
Alq3를 포함하는 층(756)은 Alq3의 진공 증착에 의하여 층(755) 상에 형성된다. 층(756)의 두께는 10nm로 설정된다.
다음에, Alq3 및 리튬(Li)을 포함하는 제 2 층(757)은 Alq3 및 리튬의 공-증착에 의하여 층(756) 상에 형성된다. Alq3-리튬 중량비는 리튬이 Alq3에 분산되도록 1:0.01을 만족하도록 조절된다. 제 2 층(757)의 두께는 10nm로 설정된다.
다음에, 제 1 전극(758)은 알루미늄의 진공 증착에 의하여 제 2 층(757) 상에 형성된다. 제 1 전극(758)의 두께는 100 nm로 설정된다.
비교 예의 발광 소자는 본 발명에 따른 실시예 2의 발광 소자와 비교되도록 전술한 방식으로 제조된다. 앞에서 알 수 있는 바와 같이, 비교 예의 발광 소자는 실시예 2의 제 1 층(738)에 대응하는 층을 포함하지 않는다.
실시예 2의 발광 소자 및 비교 예의 발광 소자의 전압-휘도 특성들은 도 16에 도시되는 반면에 발광 소자의 전압-전류 특성들은 도 17에 도시된다. 도 16에서, 수평축은 전압(V)을 나타내며, 수직축은 휘도(cd/m2)를 나타낸다. 도 17에서, 수평축은 전압(V)을 나타내며, 수직축은 전류(mA)를 나타낸다. 도 16 및 도 17에서, ●로 표시된 곡선은 실시예 2(본 발명)의 발광 소자의 특성들을 표시하는 반면에, ▲로 표시된 곡선은 비교 예의 발광 소자의 특성들을 표시한다.
도 16에 따르면, 발광 소자에 미리 결정된 전압을 인가할 때 획득되는 본 발명의 발광 소자의 휘도가 비교 예의 발광 소자의 휘도보다 높다는 것을 알 수 있다. 이외에, 발광 소자에 미리 결정된 전압을 인가할 때 본 발명의 발광 소자를 통해 흐르는 전류가 비교 예의 발광 소자의 전류보다 높다는 것을 알 수 있다. 결과적으로, 본 발명의 발광 소자는 낮은 구동 전압으로 동작할 수 있는 양호한 소자이다.
실시예 1 및 실시예 2에 도시된 발광 소자들의 각각은 발광층으로서 기능을 하는 층과 함께 정공 주입층, 정공 수송층, 및 전자 수송층 등으로서 기능을 하는 층들을 포함한다. 그러나, 이들 층들은 반드시 형성될 필요는 없다. 게다가, 실시예 1 및 실시예 2에서는, 발광층으로서 기능을 하는 층을 형성한 후에, 전자들이 발생하는 층이 생성되고, 이후에 정공들이 발생하는 층이 생성된다. 그러나, 본 발명에 따른 발광 소자를 제조하기 위한 방법은 이에 제한되지 않는다. 예컨대, 정공들이 발생하는 층을 형성한 후에, 전자들이 발생하는 층이 생성될 수 있으며, 이 이후에 발광층으로서 기능을 하는 층을 포함하는 층이 형성된다.
[실시예 3]
정공을 생성하는, 상이한 두께의 층들을 가진 6개의 발광 소자들(즉, 발광 소자(5), 발광 소자(6), 발광 소자(7), 발광 소자(8), 발광 소자(9), 발광 소자(10) 및 발광 소자(11))을 제조하기 위한 방법들 및 이들 소자들의 특징들이 도 18을 참조로한 본 실시예에 기술될 것이다.
인듐 주석 산화물은 110nm의 두께를 가진 제 2 전극(772)을 형성하기 위해 스퍼터링에 의해 기판(771) 위에 형성된다. 유리로 형성된 기판은 기판(771)으로 사용된다.
CuPC를 포함하는 층(773)은 CuPC의 진공 증착에 의해 제 2 전극(772) 상에 형성된다. 층(773)의 두께는 20nm로 설정된다.
다음에 NPB를 포함하는 층(774)은 NPB의 진공 증착에 의하여 층(773) 상에 형성된다. 층(774)의 두께는 40nm로 설정된다.
다음에, Alq3 및 쿠마린 6를 포함하는 층(775)은 Alq3 및 쿠마린 6의 공-증착에 의하여 층(774) 상에 형성된다. Alq3-쿠마린 6 중량비는 쿠마린 6가 Alq3에서 분산되도록 1:0.003을 만족하도록 조절된다. 층(775)의 두께는 40nm로 설정된다.
Alq3 및 리튬(Li)을 포함하는 제 2 층(776)은 Alq3 및 리튬의 공-증착에 의하여 층(775) 상에 형성된다. Alq3-리튬 중량비는 리튬이 Alq3에서 분산되도록 1:0.01을 만족하도록 조절된다. 제 2 층(776)의 두께는 30nm로 설정된다.
다음으로, NPB 및 몰리브덴 산화물을 포함하는 제 1 층(777)은 NPB 및 몰리브덴 산화물의 공-증착에 의하여 제 2 층(776) 상에 형성된다. NPB 및 몰리브덴 산화물 간의 몰비(즉, 몰리브덴 산화물/NPB)는 1.25로 설정된다. 이 때에, 발광 소자(5)에 대하여, 제 1 층(777)의 두께는 0nm로 설정된다. 즉, 제 1 층(777)은 발광 소자(5) 내에 형성되지 않는다. 발광 소자(6)에 대하여, 제 1 층(777)의 두께는 100nm로 설정된다. 발광 소자(7)에 대하여, 제 1 층(777)의 두께는 120nm로 설정된다. 발광 소자(8)에 대하여, 제 1 층(777)의 두께는 140nm로 설정된다. 발광 소자(9)에 대하여, 제 1 층(777)의 두께는 160nm로 설정된다. 발광 소자(10)에 대하여, 제 1 층(777)의 두께는 180nm로 설정된다. 발광 소자(11)에 대하여, 제 1 층(777)의 두께는 200nm로 설정된다.
다음으로, 제 1 전극(778)은 알루미늄의 진공 증착에 의하여 제 1 층(777)상에 형성된다. 제 1 전극(778)의 두께는 100nm로 설정된다.
제 2 전극(772)의 전위가 제 1 전극(778)의 전위보다 높도록 앞서 제조된 발광 소자에 전압을 인가함으로서 발광 소자의 각각을 통해 전류가 흐를 때, 제 1 층(777)에서 생성된 정공들은 제 1 전극(778)에 주입되는 반면에 제 2 층(776)에서 생성된 전자들은 층(775)에 주입된다. 정공들은 제 2 전극(772)으로부터 층(773)에 주입된다. 제 2 전극(772)로부터 주입된 정공들 및 제 2 층(776)으로부터 주입된 전자들은 쿠마린 6가 발광하게 하는 층(775)에서 재결합된다. 따라서, 층(775)은 발광층으로서 사용된다. 게다가, 층(773)은 정공 주입층으로서 사용된다. 층(774)은 정공 수송층으로서 사용된다. 본 실시예의 각각의 발광 소자에서, 층(775)에 포함된 물질들 및 제 2 층(776)에 포함된 전자 수송성을 가진 물질은 둘 다 Alq3이며 등가의 전자 친화력을 가진다.
도 19는 본 실시예에 따른 발광 소자들의 전압-휘도 특성들을 도시하며, 도 20은 발광 소자의 전압-전류 특성들을 도시하며, 도 21은 발광 소자의 휘도-전류 효율성 특성들을 도시한다. 도 19에서, 수평축은 전압(V)을 나타내는 반면에, 수직축은 휘도(cd/m2)를 나타낸다. 도 20에서, 수평축은 전압(V)을 나타내는 반면에 수직축은 전류(mA)를 나타낸다. 도 21에서, 수평축은 휘도(cd/m2)를 나타내는 반면에, 수직축은 전류 효율성(cd/A)을 나타낸다. 도 19, 도 20, 및 도 21에서, ●로 표시된 곡선들은 발광 소자(5)의 특성들을 지시하며, ▲로 표시된 곡선들은 발광 소자(6)의 특성들을 표시하며, △로 표시된 곡선들은 발광 소자(7)의 특성들을 표시하며, ■로 표시된 곡선들은 발광 소자(8)의 특성들을 표시하며, □로 표시된 곡선들은 발광 소자(9)의 특성들을 표시하며, ◇로 표시된 곡선들은 발광 소자(10)의 특성들을 표시하며, ○로 표시된 곡선들은 발광 소자(11)의 특성들을 각각 표시한다.
도 20에 따르면, 정공들이 발생하는 기능을 가진 제 1 층들(777)의 두께들이 다양하더라도 발광 소자들에 임의의 전압을 인가할 때 각각의 발광 소자들을 통해 흐르는 전류량의 차이가 거의 존재하지 않는다는 것을 알 수 있다. 반면에, 각각의 발광 소자들에 임의의 전압을 인가할 때 휘도량이 도 19에 따라 제 1 층들(777)의 두께들에 의존하여 크게 변화된다는 것을 알 수 있다.
도 22는 층(775)과 제 1 전극(778) 간의 거리(nm)에 대한 전류 효율성(cd/A)이 작도된 그래프이다(●로 표시됨). 도 22의 곡선은 전류 효율성의 변화를 도시하는 근사 곡선이다. 게다가, 전류 효율성은 발광 소자가 1,000 cd/m2의 휘도에서 발광할때 획득된다. 도 22에서, 수평축은 거리(nm)를 나타내는 반면에, 수직축은 전류 효율성(cd/A)을 나타낸다. 도 22에 따르면, 전류 효율성이 층(775)과 제 1 전극(778) 간의 거리(즉, 층(775), 제 2 층(776), 및 제 1 층(777)의 각각의 막 두께의 합)에 따라 변화고, 전류 효율성이 층(775)과 제 1 전극(778) 간의 거리가 200nm 이상일 때 점진적으로 증가된다는 것을 알 수 있다. 이러한 현상은 광의 간섭 현상으로 인하여 유발되며, 여기서 발광 영역과 제 1 전극 간의 광학 거리(즉, 반사율 x 거리)가 발광 파장의 (2m-1)/4 배(즉, 1/4, 3/4, 5/4...배)일 때, 광 추출 효율성이 증가되며, 발광 영역과 제 1 전극 간의 광학 거리(즉, 반사율 x 거리)가 발광 파장의 m/2 배(즉, 1/2, 1, 3/2...배)일 때, 광 추출 효율성이 감소된다. 결과적으로, 본 실시예에 있어서, 제 1 층(777)의 두께를 160nm 이상으로 설정함으로서, 발광층에서 발광된 광은 전극들 간의 단락을 방지하면서 외부로 효율적으로 발광될 수 있다. 더욱이, 두께의 증가에도 불구하고 저항값이 미세하게 증가하는 발광 소자가 획득될 수 있다.
발광 소자들(5, 7, 11)에 대하여 발광면을 보는 각도에 따라 발광 스펙트럼의 변화를 측정하는 결과들은 도 23A, 도 23B, 및 도 23C에 각각 도시된다. 도 23A, 도 23B, 및 도 23C에서, 수평축은 파장(nm)을 나타내는 반면에, 수직축은 발광 강도(임의의 단위로)를 나타낸다.
발광 스펙트럼은 발광면을 보는 각도, 즉, 발광면의 법선과 측정면의 법선 간의 각도를 변화시킴으로서, 즉 0 내지 70도 범위 내에서 10℃씩 변화시킴으로서 측정된다.
도 23A는 발광 소자(5)의 발광 스펙트럼의 변화를 측정한 결과치들을 도시한다. 도 23B는 발광 소자(7)의 발광 스펙트럼의 변화를 측정한 결과치들을 도시한다. 도 23C는 발광 소자(11)의 발광 스펙트럼의 변화를 측정한 결과치들을 도시한다.
도 23B에서, 발광 스펙트럼은 발광면을 보는 각도에 따라 변화되며, 각도가 30도 이하일 때 약 507nm을 가진 발광 스펙트럼이 발광 강도의 최대치를 나타내며, 각도가 40도 이상일 때 약 555nm을 가진 발광 스펙트럼은 발광 강도의 최대치를 나타낸다. 따라서, 발광 소자(7)의 발광 스펙트럼의 형상이 각도의 변화에 따라 주로 변화하며 이에 따라 발광면을 보는 각도에 따라 발광 스펙트럼이 주로 변화한다는 것을 알 수 있다. 한편, 도 23A 및 도 23C에서, 비록 발광 강도가 발광면을 보는 각도의 증가와 함께 감소되더라도, 발광 강도의 최대치를 나타내는 파장은 변화되지 않는다. 따라서, 발광 소자(5, 11)에 대하여 각도의 변화에 따라 발광 스펙트럼의 형상이 거의 변화하지 않으며, 이에 따라 발광면을 보는 각도에 따라 발광 스펙트럼이 미세하게 변화한다는 것을 알 수 있다.
[실시예 4]
본 발명에 따른 발광 소자의 일 실시예가 기술될 것이다. 게다가, 본 실시예의 발광 소자는 제 2 층에 포함된 몰리브덴 산화물 및 NPB 간의 몰비가 실시예 2의 발광 소자의 몰비와 다르다는 것을 제외하고 실시예 2의 발광 소자와 유사하다. 따라서, 본 실시예의 발광 소자는 도 14를 참조하여 기술될 것이다.
실리콘을 포함하는 인듐 주석 산화물은 110nm의 두께를 가진 제 2 전극(732)를 형성하기 위하여 스퍼터링에 의하여 기판(731) 위에 형성된다. 유리로 형성된 기판은 기판(731)으로서 사용된다.
다음에, 몰리브덴 산화물 및 NPB을 포함하는 층(733)은 몰리브덴 산화물 및 NPB의 공-증착에 의하여 제 2 전극(732) 상에 형성된다. 층(733)의 두께는 50nm로 설정된다. 몰리브덴 산화물 및 NPB 간의 몰비(즉, 몰리브덴 산화물/NPB)는 1.0으로 조절된다.
다음에, NPB를 포함하는 층(734)은 NPB의 진공 증착에 의하여 층(733) 상에 형성된다. 층(734)의 두께는 10nm로 설정된다.
트리스(8-퀴놀리노라토)알루미늄 (약어: Alq3) 및 쿠마린 6를 포함하는 층(735)은 Alq3 및 쿠마린 6의 공-증착에 의하여 층(734) 상에 형성된다. Alq3-쿠마린 6 중량비(즉, Alq3 : 쿠마린 6)는 쿠마린 6가 Alq3에서 분산되도록 1:0.01로 조절된다. 층(735)의 두께는 40nm로 설정된다. 게다가, 공-증착은 복수의 증착원으로부터 동시에 수행되는 증착법이다.
다음에, Alq3는 10nm의 두께를 가진 Alq3를 포함하는 층(736)을 형성하기 위하여 진공 증착에 의하여 층(735) 상에 형성된다.
Alq3 및 리튬(Li)을 포함하는 제 2 층(737)은 Alq3 및 리튬의 공-증착에 의하여 층(736) 상에 형성된다. Alq3-리튬 중량비(즉, Alq3 : 리튬)는 리튬이 Alq3에 분산되도록 1:0.01로 조절된다. 제 2 층(737)의 두께는 10nm로 설정된다.
NPB 및 몰리브덴 산화물을 포함하는 제 1 층(738)은 NPB 및 몰리브덴 산화물의 공-증착에 의하여 제 2 층(737) 상에 형성된다. NPB 및 몰리브덴 산화물 간의 몰비(즉, 몰리브덴 산화물/NPB)는 2.0으로 조절된다. 제 1 층(738)의 두께는 20nm로 설정된다.
제 1 전극(739)은 알루미늄의 진공 증착에 의하여 제 1 층(738) 상에 형성된다. 제 1 전극(739)의 두께는 100nm로 설정된다.
제 2 전극(732)의 전위가 제 1 전극(739)의 전위보다 높도록 앞서 제조된 발광 소자에 전압을 인가함으로서 발광 소자를 통해 전류가 흐를 때, 제 1 층(738)에서 생성된 정공들은 제 1 전극(739)에 주입되는 반면에 제 2 층(737)에 생성된 전자들은 층(736)에 주입된다. 정공들은 제 2 전극(732)으로부터 제 1 층(733)에 주입된다. 제 2 전극(732)으로부터 주입된 정공들 및 제 2 층(737)으로부터 주입된 전자들은 쿠마린 6가 발광하도록 층(735)에서 재결합된다. 따라서, 층(735)은 발광층으로서 사용된다. 게다가, 층(733)은 정공 주입층으로서 사용된다. 층(734)은 정공 수송층으로서 사용된다. 층(736)은 전자 수송층으로서 사용된다.
본 실시예에 따라 제조된 발광 소자의 전압-휘도 특성들은 도 25에 도시된다. 도 25에서, 수평축은 전압(V)을 나타내며, 수직축은 휘도(cd/m2)를 나타낸다. 도 25에 따르면, 본 실시예의 발광 소자가 용이하게 동작된다는 것을 알 수 있다.
[실시예 5]
본 발명에 따른 발광 소자의 다른 실시예가 기술될 것이다. 본 실시예의 발광 소자는, 제 2 층이 NPB 대신 DNTPD를 포함하고 제 2 층에 포함된 물질들의 몰비가 실시예 2의 발광 소자의 것과 상이하다는 것을 제외하고 실시예 2의 것과 유사하다. 따라서, 본 실시예의 발광 소자는 도 14를 참조하여 기술될 것이다.
실리콘을 포함하는 인듐 주석 산화물은 110nm의 두께를 가진 제 2 전극(732)을 형성하기 위하여 스퍼터링에 의하여 기판(731) 상에 형성된다. 게다가, 유리로 형성된 기판은 기판(731)으로서 사용된다.
다음에, 몰리브덴 산화물 및 NPB를 포함하는 층(733)은 몰리브덴 산화물 및 NPB의 공-증착에 의하여 제 2 전극(732) 상에 형성된다. 층(733)의 두께는 50nm로 설정된다. NPB와 몰리브덴 산화물 간의 몰비(몰리브덴 산화물/NPB)는 1.0으로 조절된다.
NPB를 포함하는 층(734)은 NPB의 진공 증착에 의하여 층(733) 상에 형성된다. 층(734)의 두께는 10nm로 설정된다.
트리스(8-퀴놀리노라토)알루미늄 (약어: Alq3) 및 쿠마린 6를 포함하는 층(735)은 Alq3 및 쿠마린 6의 공-증착에 의하여 층(734) 상에 형성된다. Alq3-쿠마린 6 중량비(즉, Alq3 : 쿠마린 6)는 쿠마린 6가 Alq3에서 분산되도록 1:0.01로 조절된다. 층(735)의 두께는 40nm로 설정된다. 게다가, 공-증착은 복수의 증착원으로부터 동시에 수행되는 증착법이다.
다음에, Alq3을 포함하는 층(736)은 Alq3의 진공 증착에 의하여 층(735) 상에 형성된다. 층(736)의 두께는 10nm로 설정된다.
Alq3 및 리튬(Li)을 포함하는 제 2 층(737)은 Alq3 및 리튬의 공-증착에 의하여 층(736) 상에 형성된다. Alq3-리튬 중량비(즉, Alq3 :리튬)는 리튬이 Alq3에서 분산되도록 1:0.01로 조절된다. 제 2 층(737)의 두께는 10nm로 설정된다.
다음에, DNTPD 및 몰리브덴 산화물을 포함하는 제 1 층(738)은 DNTPD 및 몰리브덴 산화물의 공-증착에 의하여 제 2 층(737) 상에 형성된다. DNTPD와 몰리브덴 산화물 간의 몰비(몰리브덴 산화물/DNTPD)는 3.1로 조절된다. 제 1 층(738)의 두께는 20nm로 설정된다.
100nm의 두께를 가진 제 1 전극(739)은 알루미늄의 진공 증착에 의하여 제 1 층(738) 상에 형성된다.
제 2 전극(732)의 전위가 제 1 전극(739)의 전위보다 높도록 앞서 제조된 발광 소자에 전압을 인가함으로서 발광 소자를 통해 전류가 흐를 때, 제 1 층(738)에서 생성된 정공들은 제 1 전극(739)에 주입되는 반면에 제 2 층(737)에서 생성된 전자들은 층(736)에 주입된다. 정공들은 제 2 전극(732)로부터 층(733)에 주입된다. 제 2 전극(732)로부터 주입된 정공들 및 제 2 층(737)로부터 주입된 전자들은 쿠마린 6가 발광하도록 층(735)에서 재결합된다. 따라서, 층(735)은 발광층으로서 사용된다. 게다가, 층(733)은 정공 주입층으로서 사용된다. 층(734)은 정공 수송층으로서 사용된다. 층(736)은 전자 수송층으로서 사용된다.
본 실시예에 따라 제조된 발광 소자의 전압-휘도 특성들은 도 26에 도시된다. 도 26에서, 수평축은 전압(V)을 나타내는 반면에, 수직축은 휘도(cd/m2)를 나타낸다. 도 26에 따르면, 본 실시예의 구조를 가진 발광 소자는 양호하게 동작된다.
101: 제 1 전극
102: 제 2 전극
111: 제 1 층
112: 제 2 층
113: 제 3 층

Claims (28)

  1. 금속을 포함하는 애노드;
    상기 애노드 위의 발광층;
    전자 수송성을 갖는 제 1 물질 및 상기 제 1 물질에 대해 전자 공여성을 갖는 제 2 물질을 포함하는, 상기 발광층 위의 제 2 층;
    정공 수송성을 갖는 제 3 물질 및 상기 제 3 물질에 대해 전자 수용성을 갖는 제 4 물질을 포함하는, 상기 제 2 층 위의 제 1 층; 및
    상기 제 1 층 위의 투명 캐소드를 포함하는, 발광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 물질의 상기 전자 수송성은 상기 제 1 물질의 정공 수송성보다 큰, 발광 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 물질은 금속 착체(metal complex)인, 발광 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 물질은 알칼리 금속, 알칼리토류 금속, 또는 희토류 금속인, 발광 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 물질의 상기 정공 수송성은 상기 제 3 물질의 전자 수송성보다 큰, 발광 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 3 물질은 방향족 아민 화합물 또는 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물인, 발광 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 4 물질은 몰리브덴 산화물 또는 바나듐 산화물인, 발광 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 애노드와 상기 발광층 사이에 제 3 층을 더 포함하고,
    상기 제 3 층은 금속 산화물, 방향족 아민 화합물, 및 프탈로시아닌 화합물에서 선택된 물질을 포함하는, 발광 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 금속 산화물은 몰리브덴 산화물, 바나듐 산화물, 루테늄 산화물, 텅스텐 산화물, 또는 망간 산화물인, 발광 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 애노드와 상기 발광층 사이에 제 3 층을 더 포함하고,
    상기 제 3 층은 정공 수송성을 갖는 제 5 물질 및 상기 제 5 물질에 대한 전자 수용성을 갖는 제 6 물질을 포함하는, 발광 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 애노드는 금, 백금, 니켈, 텅스텐, 크롬, 몰리브덴, 철, 코발트, 구리, 및 팔라듐 중 적어도 하나를 포함하는, 발광 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명 캐소드는 인듐 산화물을 포함하는, 발광 장치.
  13. 광을 반사할 수 있는 반사 전극;
    정공 수송성을 갖는 제 1 물질 및 상기 제 1 물질에 대한 전자 수용성을 갖는 제 2 물질을 포함하는, 상기 반사 전극 위의 제 1 층;
    상기 제 1 층 위의 발광층;
    정공 수송성을 갖는 제 3 물질 및 상기 제 3 물질에 대한 전자 수용성을 갖는 제 4 물질을 포함하는, 상기 발광층 위의 제 2 층;
    가시광을 투과할 수 있는 투명 전극을 포함하는, 발광 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 반사 전극은 알루미늄 및 은에서 선택된 도전물을 포함하는, 발광 장치.
  15. 금속을 포함하는 제 1 전극;
    정공 수송성을 갖는 제 1 물질 및 상기 제 1 물질에 대한 전자 수용성을 갖는 제 2 물질을 포함하는, 상기 제 1 전극 위의 제 1 층;
    전자 수송성을 갖는 제 3 물질 및 상기 제 3 물질에 대한 전자 공여성을 갖는 제 4 물질을 포함하는, 상기 제 1 층 위의 제 2 층;
    상기 제 2 층 위의 발광층; 및
    상기 발광층 위의 제 2 전극을 포함하는, 발광 장치.
  16. 제 13 항 또는 제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 물질의 상기 정공 수송성은 상기 제 1 물질의 전자 수송성보다 큰, 발광 장치.
  17. 제 13 항 또는 제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 물질은 방향족 아민 화합물 또는 프탈로시아닌 화합물인, 발광 장치.
  18. 제 13 항 또는 제 15 항에 있어서,
    상기 제 2 물질은 몰리브덴 산화물 또는 바나듐 산화물인, 발광 장치.
  19. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 3 물질의 상기 전자 수송성은 상기 제 3 물질의 정공 수송성보다 큰, 발광 장치.
  20. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 3 물질은 금속 착체인, 발광 장치.
  21. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 4 물질은 알칼리 금속, 알칼리토류 금속, 또는 희토류 금속인, 발광 장치.
  22. 제 15 항에 있어서,
    상기 발광층과 상기 제 2 전극 사이에 제 3 층을 더 포함하고,
    상기 제 3 층은 정공 수송성을 갖는 제 5 물질 및 상기 제 5 물질에 대한 전자 수용성을 갖는 제 6 물질을 포함하는, 발광 장치.
  23. 제 10 항 또는 제 22 항에 있어서,
    상기 제 5 물질은 방향족 아민 화합물 또는 프탈로시아닌 화합물인, 발광 장치.
  24. 제 10 항 또는 제 22 항에 있어서,
    상기 제 6 물질은 몰리브덴 산화물 또는 바나듐 산화물인, 발광 장치.
  25. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 1 전극은 금, 백금, 니켈, 텅스텐, 크롬, 몰리브덴, 철, 코발트, 구리, 및 팔라듐 중 적어도 하나를 포함하는, 발광 장치.
  26. 제 15 항에 있어서,
    상기 제 2 전극은 인듐 산화물을 포함하는, 발광 장치.
  27. 제 1 항, 제 13 항, 또는 제 15 항 중 어느 한 항에 따른 상기 발광 장치를 포함하는 전자 기기.
  28. 제 1 항, 제 13 항, 또는 제 15 항 중 어느 한 항에 따른 상기 발광 장치를 포함하는 조명 기기.
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KR1020077004404A KR101164436B1 (ko) 2004-07-23 2005-07-15 발광 소자 및 이 발광 소자를 사용하는 발광 장치
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Country Status (6)

Country Link
US (5) US7893427B2 (ko)
EP (1) EP1800357B1 (ko)
JP (4) JP2006295104A (ko)
KR (4) KR101164440B1 (ko)
TW (4) TWI554148B (ko)
WO (1) WO2006009262A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170123103A (ko) 2016-04-28 2017-11-07 박성순 물류 유통망을 이용한 광고 서비스 제공 방법

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006295104A (ja) * 2004-07-23 2006-10-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子およびそれを用いた発光装置
CN101656302B (zh) 2004-09-30 2012-01-18 株式会社半导体能源研究所 发光元件和使用该发光元件的显示器件
CN101032040B (zh) 2004-09-30 2012-05-30 株式会社半导体能源研究所 发光元件和发光设备
US20070262693A1 (en) * 2004-10-29 2007-11-15 Satoshi Seo Composite Material, Light-Emitting Element, Light-Emitting Device and Manufacturing Method Thereof
CN100573963C (zh) * 2004-11-05 2009-12-23 株式会社半导体能源研究所 发光元件和使用它的发光器件
KR101210858B1 (ko) 2004-11-05 2012-12-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자 및 이를 이용하는 발광 장치
CN100521283C (zh) 2004-11-26 2009-07-29 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光器件和电子器件
KR101215866B1 (ko) * 2004-11-30 2012-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자 및 그를 사용하는 전자 장치
US7714501B2 (en) * 2004-12-01 2010-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device and electronic equipment
JP2006164708A (ja) 2004-12-06 2006-06-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電子機器および発光装置
EP1846963A4 (en) * 2005-02-08 2010-08-04 Semiconductor Energy Lab LIGHT ELEMENT, ILLUMINATING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
US9530968B2 (en) 2005-02-15 2016-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device
CN101867019B (zh) * 2005-04-21 2013-01-23 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光器件和电子设备
US8729795B2 (en) 2005-06-30 2014-05-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic device
US8659008B2 (en) 2005-07-08 2014-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the composite material
EP1911079A4 (en) 2005-07-25 2012-05-09 Semiconductor Energy Lab LIGHTING ELEMENT, ILLUMINATING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
GB2433833A (en) 2005-12-28 2007-07-04 Cdt Oxford Ltd Micro-cavity OLED layer structure with transparent electrode
US9112170B2 (en) * 2006-03-21 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
JP2008210615A (ja) * 2007-02-26 2008-09-11 Tokai Rubber Ind Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス素子
US8093806B2 (en) * 2007-06-20 2012-01-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus
CA2687750C (en) 2007-07-06 2016-10-18 Boehringer Ingelheim International Gmbh Substituted amino-quinazolinones, medicaments comprising said compound, their use and their method of manufacture
JP5153366B2 (ja) * 2008-01-31 2013-02-27 株式会社豊田中央研究所 発光素子の評価方法及び評価装置
KR101493408B1 (ko) * 2008-03-11 2015-02-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 구동 방법
KR20120081231A (ko) 2008-05-16 2012-07-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광소자, 및 조명장치
JP5759669B2 (ja) 2008-12-01 2015-08-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
TWI486097B (zh) 2008-12-01 2015-05-21 Semiconductor Energy Lab 發光元件、發光裝置、照明裝置、及電子裝置
US8389979B2 (en) * 2009-05-29 2013-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR101750301B1 (ko) 2009-05-29 2017-06-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자기기 및 조명 장치
US20120104413A1 (en) * 2009-06-29 2012-05-03 Bougrov Vladislav E Light emitting semiconductor device and method for manufacturing
EP2365556B1 (en) 2010-03-08 2014-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
CN102201541B (zh) * 2010-03-23 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置
TWI506121B (zh) 2010-03-31 2015-11-01 Semiconductor Energy Lab 發光元件，發光裝置，電子裝置以及照明裝置
JP5801579B2 (ja) 2010-03-31 2015-10-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
WO2011162105A1 (en) 2010-06-25 2011-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display, and electronic device
JP5676949B2 (ja) 2010-07-21 2015-02-25 キヤノン株式会社 有機ｅｌ表示装置
KR101154654B1 (ko) * 2010-10-05 2012-06-11 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
JP5889659B2 (ja) 2011-02-10 2016-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、および照明装置
US8957442B2 (en) 2011-02-11 2015-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
KR101894898B1 (ko) 2011-02-11 2018-09-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기
KR101880183B1 (ko) 2011-02-11 2018-07-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 표시 장치
TWI563873B (en) 2011-02-11 2016-12-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting element, light-emitting device, and display device
JP2012199231A (ja) 2011-03-04 2012-10-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
EP2503618B1 (en) 2011-03-23 2014-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
TWI562424B (en) 2011-03-25 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting panel, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting panel
JP2012209160A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Panasonic Corp プラズマディスプレイパネル
KR101960759B1 (ko) 2011-04-08 2019-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP6157804B2 (ja) 2011-04-29 2017-07-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
KR101917752B1 (ko) 2011-05-11 2018-11-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 모듈, 발광 패널, 발광 장치
JP6023461B2 (ja) 2011-05-13 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置
US9419239B2 (en) 2011-07-08 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and organic compound
WO2013008765A1 (en) 2011-07-08 2013-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting module
KR101970675B1 (ko) 2011-08-04 2019-04-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 조명 장치
JP6099420B2 (ja) 2013-02-08 2017-03-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
WO2014148872A1 (ko) * 2013-03-21 2014-09-25 한양대학교 산학협력단 양방향 스위칭 특성을 갖는 2-단자 스위칭 소자 및 이를 포함하는 저항성 메모리 소자 크로스-포인트 어레이, 및 이들의 제조방법
WO2015050320A1 (ko) * 2013-10-04 2015-04-09 광주과학기술원 광투과도가 우수한 전극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 전자소자
DE102014100469A1 (de) * 2013-11-29 2015-06-03 Epcos Ag Elektronisches Bauelement und Verwendung desselben
TWI745740B (zh) 2014-05-15 2021-11-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、發光裝置、電子裝置以及照明設備
KR102377360B1 (ko) 2014-08-08 2022-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 조명 장치, 표시 장치, 디스플레이 패널, 전자 기기
US9343691B2 (en) 2014-08-08 2016-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR102377794B1 (ko) * 2015-07-06 2022-03-23 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
KR20170011715A (ko) * 2015-07-24 2017-02-02 엘지이노텍 주식회사 차량용 무선충전장치
KR102574603B1 (ko) * 2016-07-15 2023-09-07 삼성디스플레이 주식회사 발광장치 및 그의 제조방법
US10685169B2 (en) * 2017-05-08 2020-06-16 Zoho Corporation Private Limited Messaging application with presentation window
CN108493201B (zh) * 2018-03-12 2020-10-16 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板、其制造方法及显示装置
US11917840B2 (en) 2018-05-18 2024-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device with reflective electrode and light-emitting layer
CN113054144A (zh) * 2019-12-28 2021-06-29 Tcl集团股份有限公司 纳米材料及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004006476A (ja) 2002-05-31 2004-01-08 Ricoh Co Ltd 縦型有機トランジスタ

Family Cites Families (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0719925B2 (ja) * 1985-03-05 1995-03-06 株式会社東芝 導電性薄膜
JP2636341B2 (ja) 1988-06-09 1997-07-30 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
JPH01313892A (ja) 1988-06-13 1989-12-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 画像表示装置及びその製造方法
JP2666428B2 (ja) 1988-11-18 1997-10-22 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
JP2773297B2 (ja) 1989-09-28 1998-07-09 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
JPH03190088A (ja) 1989-12-20 1991-08-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌ素子
JP2926845B2 (ja) 1990-03-23 1999-07-28 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
JPH04357694A (ja) 1991-06-03 1992-12-10 Denki Kagaku Kogyo Kk 有機薄膜ｅｌ素子
JPH05182766A (ja) 1991-12-26 1993-07-23 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 薄膜ｅｌ素子
JPH06267658A (ja) 1993-03-09 1994-09-22 Mitsubishi Kasei Corp 有機ｅｌ素子
JP3189480B2 (ja) 1993-04-02 2001-07-16 富士電機株式会社 有機薄膜発光素子
JPH07312289A (ja) 1994-05-18 1995-11-28 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子
US6278127B1 (en) 1994-12-09 2001-08-21 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising an organic thin film transistor adapted for biasing to form a N-type or a P-type transistor
TW293172B (ko) * 1994-12-09 1996-12-11 At & T Corp
JP2824411B2 (ja) 1995-08-25 1998-11-11 株式会社豊田中央研究所 有機薄膜発光素子
JPH10172762A (ja) * 1996-12-11 1998-06-26 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示装置の製造方法及び表示装置
US6344283B1 (en) * 1996-12-28 2002-02-05 Tdk Corporation Organic electroluminescent elements
JPH10270171A (ja) 1997-01-27 1998-10-09 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
US5989737A (en) * 1997-02-27 1999-11-23 Xerox Corporation Organic electroluminescent devices
JP3571171B2 (ja) 1997-05-08 2004-09-29 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6337492B1 (en) * 1997-07-11 2002-01-08 Emagin Corporation Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer
GB9803764D0 (en) 1998-02-23 1998-04-15 Cambridge Display Tech Ltd Display devices
JPH11251067A (ja) 1998-03-02 1999-09-17 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセント素子
JP3468089B2 (ja) 1998-04-07 2003-11-17 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
JPH11307264A (ja) 1998-04-17 1999-11-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機電界発光素子
JPH11307259A (ja) 1998-04-23 1999-11-05 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
JP3884564B2 (ja) * 1998-05-20 2007-02-21 出光興産株式会社 有機ｅｌ発光素子およびそれを用いた発光装置
CN1293785C (zh) 1998-06-26 2007-01-03 出光兴产株式会社 发光器件
EP0975027A2 (en) * 1998-07-23 2000-01-26 Sony Corporation Light emitting device and process for producing the same
JP4470237B2 (ja) * 1998-07-23 2010-06-02 ソニー株式会社 発光素子，発光装置および表示装置並びに発光素子の製造方法
JP4198253B2 (ja) 1999-02-02 2008-12-17 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP4420486B2 (ja) 1999-04-30 2010-02-24 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2000315581A (ja) 1999-04-30 2000-11-14 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US6520819B1 (en) * 1999-06-16 2003-02-18 Nec Corporation Organic EL panel and method for manufacturing the same
JP4666722B2 (ja) 1999-06-28 2011-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 Ｅｌ表示装置及び電子装置
TW515109B (en) * 1999-06-28 2002-12-21 Semiconductor Energy Lab EL display device and electronic device
US6639354B1 (en) * 1999-07-23 2003-10-28 Sony Corporation Light emitting device, production method thereof, and light emitting apparatus and display unit using the same
TW474114B (en) 1999-09-29 2002-01-21 Junji Kido Organic electroluminescent device, organic electroluminescent device assembly and method of controlling the emission spectrum in the device
JP4824848B2 (ja) 2000-02-29 2011-11-30 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子、有機エレクトロルミネッセント素子群及びその発光スペクトルの特定方法
TW480722B (en) 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
JP4780826B2 (ja) 1999-10-12 2011-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学装置の作製方法
TW511298B (en) * 1999-12-15 2002-11-21 Semiconductor Energy Lab EL display device
US20010053559A1 (en) * 2000-01-25 2001-12-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating display device
FR2804251B1 (fr) 2000-01-26 2002-03-08 France Telecom Procede et dispositif de commutation en longueur d'onde d'une source laser
KR20010085420A (ko) * 2000-02-23 2001-09-07 기타지마 요시토시 전계발광소자와 그 제조방법
TW521303B (en) * 2000-02-28 2003-02-21 Semiconductor Energy Lab Electronic device
JP2001318627A (ja) 2000-02-29 2001-11-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US6608449B2 (en) * 2000-05-08 2003-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent apparatus and method of manufacturing the same
US6692845B2 (en) * 2000-05-12 2004-02-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US6483236B1 (en) * 2000-05-24 2002-11-19 Eastman Kodak Company Low-voltage organic light-emitting device
US6489638B2 (en) 2000-06-23 2002-12-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
DE10058578C2 (de) 2000-11-20 2002-11-28 Univ Dresden Tech Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
JP3955744B2 (ja) 2001-05-14 2007-08-08 淳二 城戸 有機薄膜素子の製造方法
TW493287B (en) * 2001-05-30 2002-07-01 Epistar Corp Light emitting diode structure with non-conductive substrate
JP3773423B2 (ja) 2001-06-11 2006-05-10 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ素子
JP2003045661A (ja) * 2001-08-02 2003-02-14 Fuji Photo Film Co Ltd 発光性ナノ構造体およびこれを用いた発光素子
JP2003068472A (ja) * 2001-08-29 2003-03-07 Hitachi Ltd 有機発光素子およびそれを用いた有機発光表示装置
US7141817B2 (en) * 2001-11-30 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP3742054B2 (ja) 2001-11-30 2006-02-01 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US7956349B2 (en) * 2001-12-05 2011-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor element
US6872472B2 (en) * 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
JP3783937B2 (ja) * 2002-03-18 2006-06-07 富士電機ホールディングス株式会社 有機ｅｌ素子
JP3933591B2 (ja) * 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7002176B2 (en) * 2002-05-31 2006-02-21 Ricoh Company, Ltd. Vertical organic transistor
US20040043138A1 (en) 2002-08-21 2004-03-04 Ramesh Jagannathan Solid state lighting using compressed fluid coatings
US20040043140A1 (en) 2002-08-21 2004-03-04 Ramesh Jagannathan Solid state lighting using compressed fluid coatings
JP2004134395A (ja) 2002-09-20 2004-04-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびそれを用いた露光装置ならびに画像形成装置
US7158161B2 (en) 2002-09-20 2007-01-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescence element and an exposure unit and image-forming apparatus both using the element
US6717358B1 (en) * 2002-10-09 2004-04-06 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability
US20040140758A1 (en) * 2003-01-17 2004-07-22 Eastman Kodak Company Organic light emitting device (OLED) display with improved light emission using a metallic anode
JP4624653B2 (ja) 2003-05-20 2011-02-02 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
TWI366054B (en) * 2003-06-27 2012-06-11 Samsung Electronics Co Ltd Contact structure of conductive films and thin film transistor array panel including the same
JP2005026121A (ja) 2003-07-03 2005-01-27 Fujitsu Ltd 有機ｅｌ素子及びその製造方法並びに有機ｅｌディスプレイ
JP4396163B2 (ja) 2003-07-08 2010-01-13 株式会社デンソー 有機ｅｌ素子
AU2003294180A1 (en) 2003-07-09 2005-01-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescence element and an exposure unit and image-forming apparatus both using the element
KR20130062367A (ko) 2003-09-26 2013-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치
US7268485B2 (en) * 2003-10-07 2007-09-11 Eastman Kodak Company White-emitting microcavity OLED device
JP4683829B2 (ja) 2003-10-17 2011-05-18 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子及びその製造方法
JP4476594B2 (ja) 2003-10-17 2010-06-09 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP4243237B2 (ja) * 2003-11-10 2009-03-25 淳二 城戸 有機素子、有機ｅｌ素子、有機太陽電池、及び、有機ｆｅｔ構造、並びに、有機素子の製造方法
JP4300176B2 (ja) * 2003-11-13 2009-07-22 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
KR20060110323A (ko) * 2003-12-16 2006-10-24 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 유기 전기발광 소자 및 그 제조 방법
JP2005251587A (ja) 2004-03-04 2005-09-15 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
US20050244672A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Chi-Ming Che Organic light-emitting devices
JP4925569B2 (ja) * 2004-07-08 2012-04-25 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2006295104A (ja) * 2004-07-23 2006-10-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子およびそれを用いた発光装置
JP4939284B2 (ja) * 2007-04-05 2012-05-23 財団法人山形県産業技術振興機構 有機エレクトロルミネッセント素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004006476A (ja) 2002-05-31 2004-01-08 Ricoh Co Ltd 縦型有機トランジスタ

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170123103A (ko) 2016-04-28 2017-11-07 박성순 물류 유통망을 이용한 광고 서비스 제공 방법

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