KR101121321B1 - 도포 장치, 현상 장치, 도포 방법, 현상 방법 및 기록 매체 - Google Patents

도포 장치, 현상 장치, 도포 방법, 현상 방법 및 기록 매체 Download PDF

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신이치 하야시
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Abstract

본 발명은 도포, 현상 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체로서, 복수의 처리 유니트 및 반송 기구 (A3, A4)를 포함하는 도포막형성부 (B3)과 복수의 처리 유니트 (31) 및 반송 기구 (A1)을 포함하는 현상 처리부 (B1)을 상하에 중복하여 처리 블럭 (S2)에 배치한다. 각 해당부의 반송 기구와의 사이에 기판 W의 수수가 행해지는 복수의 수수 유니트 (TRS)로서 상하에 중복하여 배치된 복수의 수수 유니트 (TRS)와 각 수수 유니트의 사이에 기판을 수수하는 승강 자유로운 수수 유니트용 반송 기구 (D1)이 처리 블럭 (S2)의 캐리어블럭 (S1)측에 설치된다. 도포막형성부현상 처리부중 적어도 어느 한쪽은 해당부의 반송 기구에 의해 반송되는 기판의 검사를 실시하는 기판 검사 유니트 (43)을 가지는 기판 검사 유니트를 구성함에 점유 면적이 좁고 불리한 레이아웃을 피할 수가 있는 도포, 현상 장치를 제공하는 기술을 제공한다.

Description

도포 장치, 현상 장치, 도포 방법, 현상 방법 및 기록 매체 {COATING APPARATUS, DEVELOPING APPARATUS, COATING METHOD, DEVELOPING METHOD AND RECORDING MEDIUM}
본 발명은 예를 들면 반도체 웨이퍼나 LCD 기판(액정 디스플레이용 유리 기판) 등의 기판에 대해서 레지스트액의 도포 처리 및 노광 후의 현상 처리를 실시하는 도포, 현상 장치, 기판 처리 방법 및 기판 처리 방법을 실시하는 프로그램을 포함하는 기억 매체에 관한다.
반도체 디바이스나 LCD 기판의 제조 프로세스의 하나로서 기판에 레지스트막을 형성해 포토마스크를 이용해 상기 레지스트막을 노광한 후, 현상 처리를 행하는 것으로 원하는 패턴을 구하는 일련의 공정이 있다. 이러한 처리는 일반적으로 레지스트액의 도포나 현상을 실시하는 도포, 현상 장치에 노광 장치를 접속한 시스템을 이용해 행해진다. 그리고, 레지스트 패턴이 형성된 기판에 대해서는 소정의 검사 예를 들면 레지스트 패턴의 선폭, 레지스트 패턴과 기초 패턴의 겹친 상태, 현상 결함등의 검사를 해 합격으로 판정된 기판만이 다음 공정에 보내진다. 이러한 기판의 검사는 도포, 현상 장치와는 별개로 설치된 스탠드 어론의 검사 장치에 의해 행해지는 경우가 많다. 그러나 이들중 도포, 현상 장치내에 기판 검사 장치를 설치하는 이른바 인 라인 시스템을 채용한 쪽이 편리하다.
일본국 특개2002-33266호 공보(단락 0095)에는 이러한 인 라인 시스템을 채용한 도포, 현상 장치가 기재되어 있다. 상기 문헌으로 개시된 장치에서는, 도 14에 나타나는 바와 같이 캐리어 블럭(캐리어 구역, P1)의 안쪽 측에 처리 블럭(처리 구역, P2) 및 인터페이스블럭(인터페이스 구역, P3)이 접속되고 있다. 또한 인터페이스 블럭 (P3)에는 노광 장치 (P4)가 접속되고 있다. 캐리어 블럭 (P1)은 기판을 복수매 수납한 캐리어 (10)이 재치되는 캐리어 스테이지 (11)과 캐리어 스테이지 (11)상에 재치된 캐리어 (10)과의 사이에 기판의 수수를 실시하는 수수 아암(캐리어 블럭용 반송 기구, 12)를 구비하고 있다. 캐리어 (10)내의 기판은 수수 아암 (12)를 개재하여 처리 블럭 (P2)에 반입되어 처리 블럭 (P2)내에서 레지스트막이 형성된다. 그 후, 레지스트막이 형성된 기판은 인터페이스 블럭 (P3)을 개재하여, 노광 장치 (P4)내에 반입되어 노광 처리를 행한다. 노광 후의 기판은, 인터페이스블럭 (P3)을 개재하여 처리 블럭 (P2)내에 반입되고 처리 블럭 (P2)내에서 현상 처리를 행한다. 현상 처리된 기판은 수수 아암 (12)에 수수되어 캐리어블럭 (P1)에 반송된다.
캐리어블럭 (P1)의 측쪽에는 기판 검사 유니트 (13)이 설치되고 있어 현상 처리된 기판은 수수 아암 (12)로부터 중간 스테이지 (15)및 전용의 아암 (14)를 개재하여 기판 검사 유니트 (13)에 반입되어 서술한 소정의 검사가 행해진다. 검사가 행해진 기판은 역경로에서 수수 아암 (12)에 수수되어 원래의 캐리어 (10)내에 되돌려진다.
그런데, 기판 검사 유니트 (13)을 캐리어블럭 (P1) 이외로 접속하면 예를 들면 기판 검사 유니트 (13)을 인터페이스블럭 (P3)에 설치하려고 하면 현상 후의 기판을 인터페이스블럭 (P3)측에 되돌리지 않으면 안 되게 된다. 따라서 기판의 반송이 복잡하게 되어 반송 효율의 저하를 부르게 된다. 또, 인터페이스 블럭 (P3)에는 노광 장치와의 사이의 처리 속도의 차이를 흡수하기 위한 버퍼 카셋트가 기판을 노광 장치의 온도로 고정밀도로 설정하는 온도 조정 유니트등이 배치된다. 이 때문에 처리 블럭내에서 기기의 배치 스베이스가 부족해 만일 기판 검사 유니트를 배치하려고 하면 인터페이스 블럭 (P3)을 대형화해야 하게 된다. 또, 기판 검사 유니트 (13)을 처리 블럭 (P2)에 설치하는 것은 스페이스적으로도 반송 경로의 점에서도 문제가 있다.
이러한 경우로부터 기판 검사 유니트 (13)을 캐리어블럭 (P1)에 접속시키고 있다. 이 구성의 큰 이점으로서 처리 블럭 (P2)의 메인터넌스등에 의해 도포, 현상 처리를 멈추고 있을 때에도 캐리어 블럭 (P1)를 통해서 외부로부터의 기판을 기판 검사 유니트 (13)에 반입할 수가 있는 점 즉, 기판 검사 유니트 (13)을 단독으로 사용할 수가 있는 점을 들 수 있다.
그런데 기판 검사 유니트 (13)을 캐리어 블럭 (P1)의 측쪽에 접속하면 기판 검사 유니트 (13)이 옆으로 튀어나와 버린다. 따라서, 도포, 현상 장치를 기판 검사 유니트와 함께 클린 룸내에 설치한 경우, 스페이스의 이용 효율이 나쁘고, 주변기기등의 배치나 메인터넌스 스페이스의 확보 등의 점으로부터도 문제가 있다. 특별히 기판이 대형화하면 예를 들면 기판으로서 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼라고 한다)를 처리하는 경우에 웨이퍼 (W)의 사이즈가 12 인치 이상이 되면 기판 검사 유니트 (13)도 대형화하여 문제가 심각해진다.
또, 일본국 특개2006-269672에는 캐리어 블럭과 처리 블럭의 사이에 기판 검사 유니트를 가지는 검사 블럭이 설치되고 있는 예가 개시되고 있다. 그러나 이와 같은 레이아웃에 있어서는 처리 블럭의 레이아웃도 포함해 넓은 설치 스페이스가 필요하다. 또, 검사 블럭에 설치되는 기판의 반송 기구가 캐리어 블럭과 처리 블럭의 사이에서의 기판의 수수를 담당하는 것과 동시에 검사 유니트로의 기판의 반송도 담당하므로 상기 반송 기구의 부담이 커진다고 하는 문제가 있다.
본 발명은 이러한 사정 아래에 이루어진 것이고, 그 목적은 기판 검사 유니트를 구성함에 점유 면적을 소형화 할 수 있는 것과 동시에 불리한 레이아웃을 피할 수가 있는 도포, 현상 장치를 제공하는 것에 있다. 또, 다른 목적은, 도포, 현상 장치를 운전하고 처리 후의 기판의 검사를 실시함에 수율을 향상시킬 수가 있는 기판 처리 방법 및 그 기판 처리 방법을 실시하기 위한 프로그램을 포함하는 기억 매체를 제공하는 것에 있다.
본 발명에 의한 제1의 도포, 현상 장치는 도포막을 기판에 형성하는 복수의 도포막형성부와 기판을 현상 처리하는 현상 처리부를 포함하는 처리 블럭과 도포막을 형성시킬 기판을 상기 처리 블럭으로 인도하는 것과 동시에, 상기 현상처리된 기판을 상기 처리 블럭으로부터 수취하는 캐리어 블럭용 반송 기구를 가지는 캐리어블럭과 상기 도포막을 형성시킨 기판을 상기 처리 블럭으로부터 수취하여 노광 장치에 인도하는 것과 동시에 노광된 기판을 노광 장치로부터 수취하여 상기 처리 블럭으로 인도하는 인터페이스블럭을 구비하고 상기 복수의 도포막형성부 및 상기 현상 처리부는 상기 처리 블럭내에서 상하로 겹쳐지도록 하여 배치되고 각 도포막형성부는 도포액을 기판에 도포하는 1이상의 액처리 유니트 및 도포액이 도포된 기판을 가열하는 가열 유니트를 포함하는 처리 유니트와 이들의 처리 유니트간에 기판을 반송하는 도포막형성부용 반송 기구를 갖고 상기 복수의 도포막형성부 가운데의 적어도 1개는 레지스트액을 기판에 도포하는 액처리 유니트를 갖고,상기 현상 처리부는 노광된 기판을 가열 처리하는 가열 유니트 및 현상액을 기판에 도포하는 액처리 유니트를 포함하는 처리 유니트와 이들의 처리 유니트간에서 기판을 반송하는 현상처리부용 반송기구를 갖고, 상기 처리블럭은 상기 복수의 도포막형성부 및 상기 현상 처리부의 각각 대응하는 높이 방향 위치에 배치된 복수의 수수 유니트 로서 각 수수 유니트가 대응하는 각 해당부와의 사이에 상기 각 해당부용의 반송 기구를 개재하여 기판의 수수를 행하는 복수의 수수 유니트와 상기 복수의 수수 유니트간에 기판을 반송하는 승강 가능한 수수 유니트용 반송 기구를 더 포함하고 상기 복수의 도포막형성부 및 상기 현상 처리부 가운데의 적어도 1개는 상기 각 해당부용의 반송 기구에 의해 반송되어 오는 기판의 검사를 실시하는 기판 검사 유니트를 더 가지는 것을 특징으로 한다. 이러한 본 발명에 의한 제1의 도포, 현상 장치에서 처리 블럭내에서 복수의 도포막형성부 및 현상 처리부가 중복되는 차례는 특별히 한정되지 않는다.
본 발명에 의한 제1의 도포, 현상 장치에서 상기 레지스트액을 기판에 도포하는 액처리 유니트를 가진 도포막형성부는 레지스트막이 형성된 기판을 검사하는 기판 검사 유니트를 갖고 상기 현상처리부는 현상 처리된 기판을 검사하는 기판 검사 유니트를 가지도록 해도 괜찮다.
또, 본 발명에 의한 제1의 도포, 현상 장치에 있어서 상기 복수의 도포막형성부 및 상기 현상 처리부 가운데의 적어도 하나의 해당부의 반송 기구는 해당부내의 캐리어 블럭측과 인터페이스 블럭측의 사이를 연장하는 통로를 이동하고 상기 반송 기구의 이동 경로의 양측으로 상기 처리 유니트가 배치되고 있어 상기 기판 검사 유니트는 상기 이동 경로의 적어도 어느쪽이든 한쪽측에 배치되고 있도록 해도 괜찮다.
또한 본 발명에 의한 제1의 도포, 현상 장치에 있어서, 상기 처리 블럭은 상기 복수의 도포막형성부 및 상기 현상 처리부와 상하로 중복되도록 해 설치된 직행 반송부를 더 포함하고 상기 직행 반송부는 상기 처리 블럭의 캐리어 블럭측으로부터 상기 인터페이스블럭측에 도포막이 형성된 기판을 직행 반송하는 직행 반송부용 반송 기구를 가지도록 해도 괜찮다. 이러한 제1의 도포, 현상 장치에 있어서 처리 블럭내에서 복수의 도포막형성부, 현상 처리부 및 직행 반송부가 중복되는 순서는 특별히 한정되지 않는다.
또한 본 발명에 의한 제1의 도포, 현상 장치에 있어서 상기 복수의 수수 유니트는 상기 복수의 도포막형성부 및 상기 현상 처리부의 상기 캐리어 블럭 측에 설치하고 상기 캐리어 블럭용 반송 기구는 상기 복수의 수수 유니트 가운데의 적어도 1개와의 사이에 기판을 수수하도록 해도 괜찮다.
또한 본 발명에 의한 제1의 도포, 현상 장치에 있어서 상기 처리 블럭은 상기 복수의 도포막형성부 및 상기 현상 처리부 가운데의 몇개의 해당부에 대응하는 높이 방향 위치에 배치된 적어도 하나의 제2의 수수 유니트로서 상기 복수의 수수 유니트와는 다른 제2의 수수 유니트를 가지도록 해도 괜찮다. 이러한 도포, 현상 장치에 있어서, 상기 처리 블럭과 상기 캐리어 블럭의 사이에서의 기판의 수수는 상기 복수의 수수 유니트를 경유해 행해지고 상기 처리 블럭과 상기 인터페이스 블럭의 사이에서의 기판의 수수는 상기 제2의 수수 유니트를 경유해 행해지도록 해도 괜찮다.
본 발명에 의한 제2의 도포, 현상 장치는 도포막을 기판에 형성하는 복수의 도포막형성부와 기판을 현상 처리하는 현상 처리부와 기판을 검사하는 기판 검사부를 포함하는 처리 블럭과 도포막을 형성시켜야할 기판을 상기 처리 블럭으로 인도하는 것과 동시에 상기 현상 처리된 기판을 상기 처리 블럭으로부터 수취하는 캐리어 블럭용 반송 기구를 가지는 캐리어 블럭과 상기 도포막을 형성시킨 기판을 상기 처리 블럭으로부터 수취하여 노광 장치에 인도하는 것과 동시에 노광된 기판을 노광 장치로부터 수취하여 상기 처리 블럭으로 인도하는 인터페이스블럭을 구비하고 상기 복수의 도포막형성부, 상기 현상 처리부 및 상기 기판 검사부는 상기 처리 블럭내에서 상하로 중복할할 수 있도록 해 배치되고 각 도포막형성부는 도포액을 기판에 도포하는 1이상의 액처리 유니트 및 도포액이 도포된 기판을 가열하는 가열 유니트를 포함하는 처리 유니트와 이들의 처리 유니트간에 기판을 반송하는 도포막형성부용 반송 기구를 갖고 상기 복수의 도포막형성부 가운데의 적어도 1개는 레지스트액을 기판에 도포하는 액처리 유니트를 갖고 상기 현상 처리부는 노광된 기판을 가열 처리하는 가열 유니트 및 현상액을 기판에 도포하는 액처리 유니트를 포함하는 처리 유니트와 이들의 처리 유니트간에 기판을 반송하는 현상 처리부용 반송 기구를 갖고, 상기 기판 검사부는 기판을 검사하는 복수의 기판 검사 유니트와 이들의 기판 검사 유니트간에 기판을 반송하는 기판 검사부용 반송 기구를 갖고, 상기 처리 블럭은 상기 복수의 도포막형성부, 상기 현상 처리부 및 상기 기판 검사부의 각각에 대응하는 높이 방향 위치로 배치된 복수의 수수 유니트로서, 각 수수 유니트가 대응하는 각 해당부와의 사이에 각 해당부용의 반송 기구를 개재하여 기판의 수수를 행하는 복수의 수수 유니트와 상기 복수의 수수 유니트간에 기판을 반송하는 승강 가능한 수수 유니트용 반송 기구를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 이러한 본 발명에 의한 제2의 도포, 현상 장치에서 처리 블럭내에서 복수의 도포막형성부, 현상 처리부 및 기판 검사부가 중복되는 순서는 특별히 한정되지 않는다.
본 발명에 의한 제2의 도포, 현상 장치에서 상기 처리 블럭은 상기 복수의 도포막형성부, 상기 현상 처리부 및 상기 기판 검사부와 상하로 중복할 수 있도록 하여 설치된 직행 반송부를 더 포함하고 상기 직행 반송부는 상기 처리 블럭의 캐리어블럭측으로부터 상기 인터페이스 블럭측으로 도포막이 형성된 기판을 직행 반송하는 직행 반송부용 반송 기구를 가지도록 해도 괜찮다. 이러한 제2의 도포, 현상 장치에서, 처리 블럭내에서 복수의 도포막형성부, 현상 처리부, 기판 검사부직행 반송부가 중복되는 순서는 특별히 한정되지 않는다.
또, 본 발명에 의한 제2의 도포, 현상 장치에서, 상기 기판 검사부는 레지스트막이 형성된 기판을 검사하는 기판 검사 유니트와 현상 처리된 기판을 검사하는 기판 검사 유니트를 갖고, 상기 복수의 수수 유니트는 상기 복수의 도포막형성부, 상기 현상 처리부 및 상기 기판 검사부의 상기 캐리어블럭측에 설치되고 있고, 상기 기판 검사부의 상기 인터페이스 블럭측에, 상기 기판 검사부와의 사이에 기판의 수수가 행해지는 것과 동시에 상기 인터페이스 블럭과의 사이라도 기판의 수수가 행해지는 제2의 수수 유니트가 설치되고 있도록 해도 괜찮다.
또한 본 발명에 의한 제2의 도포, 현상 장치에서 상기 복수의 수수 유니트는 상기 복수의 도포막형성부, 상기 현상처리부 및 상기 기판검사부의 상기 캐리어 블럭측에 설치되고, 상기 캐리어 블럭용 반송 기구는 상기 복수의 수수 유니트 가운데의 적어도 1개와의 사이에 기판을 수수하도록 해도 괜찮다.
본 발명에 의한 제1의 기판 처리 방법은 도포막을 기판에 형성하는 도포막형성부와 기판을 현상 처리하는 현상 처리부를 포함하는 처리 블럭과 상기 처리 블럭과의 사이에 기판의 수수가 행해지는 캐리어 블럭과 상기 처리 블럭과의 사이에 기판의 수수가 행해지는 것과 동시에 노광 장치에 통하는 인터페이스 블럭을 구비하고, 상기 처리 블럭은 상기 처리 블럭의 캐리어 블럭측과 상기 인터페이스 블럭측과의 사이에 기판을 직행 반송하는 직행 반송부용 반송 기구를 가진 직행 반송부를 더 포함하고 상기 도포막형성부, 상기 현상 처리부 및 상기 직행 반송부는 상기 처리 블럭내에서 상하로 중복되어지도록 하여 배치되고 상기 도포막형성부 및 상기 현상 처리부는 기판을 처리하는 처리 유니트와 기판을 검사하는 기판 검사 유니트와 이들의 유니트간에 기판을 반송하는 각 해당부용의 반송 기구를 각각 갖고, 상기 처리 블럭은, 상기 도포막형성부, 상기 현상 처리부 및 상기 직행 반송부의 각각 대응하는 복수의 수수 유니트로서, 대응하는 각 해당부의 반송 기구와의 사이에 기판의 수수가 행해지는 복수의 수수 유니트와 상기 복수의 수수 유니트간에 기판을 반송하는 수수 유니트용 반송 기구를 더 포함하는 도포, 현상 장치를 이용해 기판을 처리하는 방법으로서 상기 캐리어블럭에 반입된 기판을 상기 처리 블럭의 상기 도포막형성부에 반송하는 공정과 상기 도포막형성부의 상기 처리 유니트에서 기판에 레지스트막을 형성하는 공정과 상기 레지스트막을 형성시킨 기판을, 상기 도포막형성부용의 반송 기구에 의해 상기 도포막형성부의 상기 기판 검사 유니트로 반송하고, 상기 기판을 검사하는 공정과 검사필의 기판을 상기 수수 유니트를 개재하여 상기 도포막형성부로부터 상기 직행 반송부에 반송하고, 또한 상기 직행 반송부용 반송 기구를 이용하면서 인터페이스 블럭에 반송하는 공정과 노광된 기판을 상기 처리 블럭의 상기 현상 처리부로 반송하는 공정과 상기 현상 처리부의 상기 처리 유니트에서 노광이 끝난 기판을 현상 처리하는 공정과, 상기 현상 처리된 기판을, 상기 현상 처리부용 반송 기구에 의해, 상기 현상 처리부의 상기 기판 검사 유니트로 반송하고, 상기 기판을 검사하는 공정과 검사필의 기판을 상기 캐리어블럭으로 반송하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다. 또한 도포, 현상 장치의 처리 블럭내에서 복수의 도포막형성부, 현상 처리부 및 직행 반송부가 중복되는 순서는 특별히 한정되지 않는다.
본 발명에 의한 제2의 기판 처리 방법은 도포막을 기판에 형성하는 도포막형성부와 기판을 현상 처리하는 현상 처리부와 기판을 검사하는 기판 검사부를 포함하는 처리 블럭과 상기 처리 블럭의 사이에 기판의 수수가 행해지는 캐리어 블럭과 상기 처리 블럭과의 사이에 기판의 수수가 행해지는 것과 동시에 노광 장치에 통하는 인터페이스 블럭을 구비하고 상기 도포막형성부, 상기 현상 처리부 및 상기 기판 검사부는 상기 처리 블럭내에서 상하로 중복할 수 있도록 하여 배치되고 상기 도포막형성부, 상기 현상 처리부 및 상기 기판 검사부는 각 해당부내에서 기판을 반송하는 각 해당부용의 반송기구를 갖고, 상기 처리블럭은 상기 도포막형성부, 상기 현상처리부 및 상기 기판 검사부의 각각에 대응하는 복수의 수수 유니트로서, 대응하는 각 해당부의 반송 기구와의 사이에 기판의 수수가 행해지는 복수의 수수 유니트와 상기 복수의 수수 유니트간에 기판을 반송하는 수수 유니트용 반송 기구를 더 포함하는 도포, 현상 장치를 이용해 기판을 처리하는 방법으로서, 상기 캐리어블럭에 반입된 기판을 상기 처리 블럭의 상기 도포막형성부에 반송하고, 상기 기판에 레지스트막을 형성하는 공정과 상기 레지스트막을 형성시킨 기판을 상기 수수 유니트를 개재하여 상기 도포막형성부로부터 상기 기판 검사부에 반송하고 상기 기판을 검사하는 공정과 검사필의 기판을 상기 수수 유니트와는 다른 수수 유니트로서 상기 처리 유니트의 상기 인터페이스 블럭측에 설치된 제2의 수수 유니트로 상기 기판 검사부용의 반송 기구를 이용해 반송하고 또한 상기 제 2의 수수 유니트를 개재하여 상기 인터페이스블럭으로 반송하는 공정과 노광된 기판을 상기 처리 블럭의 상기 현상 처리부에 반송하고, 상기 기판을 현상 처리하는 공정과 상기 현상 처리된 기판을 상기 수수 유니트를 개재하여 상기 현상 처리부로부터 상기 기판 검사부로 반송하고, 상기 기판을 검사하는 공정과 검사필의 기판을 상기 캐리어블럭으로 반송하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다. 또한 도포, 현상 장치의 처리 블럭내에서 복수의 도포막형성부, 현상 처리부 및 기판 검사부가 중복되는 순서는 특별히 한정되지 않는다.
본 발명에 의한 제3의 기판 처리 방법은 도포막을 기판에 형성하는 도포막형성부와 기판을 현상 처리하는 현상 처리부와 기판을 검사하는 기판 검사부를 포함하는 처리 블럭과, 상기 처리 블럭과의 사이에 기판의 수수가 행해지는 캐리어 블럭과 상기 처리 블럭과의 사이에 기판의 수수가 행해지는 것과 동시에 노광 장치에 통하는 인터페이스 블럭을 구비하고, 상기 처리 블럭은 상기 처리 블럭의 캐리어 블럭측과 상기 인터페이스블럭측과의 사이에 기판을 직행 반송하는 직행 반송부용 반송 기구를 가진 직행 반송부를 더 포함하고 상기 도포막형성부, 상기 현상처리부, 상기 기판검사부 및 상기 직행반송부는 상기 처리 블럭내에서 상하로 중복할수 있도록 해 배치되고, 상기 도포막형성부, 상기 현상 처리부 및 상기 기판검사부는 각 해당부내에서 기판을 반송하는 각 해당부용의 반송기구를 갖고, 상기 처리블럭은 상기 도포막형성부, 상기 현상처리부, 상기 기판검사부 및 상기 직행 반송부의 각각 대응하는 복수의 수수 유니트로서 대응하는 각 해당부의 반송 기구의 사이에 기판의 수수가 행해지는 복수의 수수 유니트와 상기 복수의 수수 유니트간에 기판을 반송하는 수수 유니트용 반송 기구를 더 포함하는 도포, 현상 장치를 이용해 기판을 처리하는 방법으로서, 상기 캐리어블럭에 반입된 기판을 상기 처리블럭의 상기 도포막형성부로 반송하고, 상기 기판에 레지스트막을 형성하는 공정과, 상기 레지스트막을 형성시킨 기판을 상기 수수 유니트를 개재하여 상기 도포막형성부로부터 상기 기판검사부로 반송하고, 상기 기판을 검사하는 공정과, 검사필의 기판을 수수유니트를 개재하여 상기 기판 검사부로부터 상기 직행 반송부에 반송하고, 또한 상기 직행 반송부용 반송 기구를 이용하면서 인터페이스블럭에 반송하는 공정과 노광된 기판을 상기 처리블럭의 상기 현상처리부로 반송하고, 상기 기판을 현상처리하는 공정과 상기 현상 처리된 기판을 상기 수수 유니트를 개재하여 상기 현상 처리부로부터 상기 기판 검사부에 반송하고, 상기 기판을 검사하는 공정과 검사필의 기판을 상기 캐리어블럭으로 반송하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다. 또한 도포, 현상 장치의 처리 블럭내에서 복수의 도포막형성부, 현상 처리부, 기판 검사부 및 직행 반송부가 중복되는 순서는 특별히 한정되지 않는다.
본 발명에 의한 제1의 기록 매체는 도포막을 기판에 형성하는 도포막형성부와 기판을 현상 처리하는 현상 처리부를 포함하는 처리 블럭과 상기 처리 블럭과의 사이에 기판의 수수가 행해지는 캐리어 블럭과 상기 처리 블럭과의 사이에 기판의 수수가 행해지는 것과 동시에 노광 장치에 통하는 인터페이스블럭을 구비하고 상기 처리 블럭은 상기 처리 블럭의 캐리어블럭측과 상기 인터페이스 블럭측의 사이에 기판을 직행 반송하는 직행 반송부용 반송 기구를 가진 직행 반송부를 더 포함하고 상기 도포막형성부, 상기 현상 처리부 및 상기 직행 반송부는 상기 처리 블럭내에서 상하로 중복되도록 하여 배치되고, 상기 도포막형성부 및 상기 현상처리부는 기판을 처리하는 처리유니트와, 기판을 검사하는 기판검사 유니트와 이들의 유니트간에 기판을 반송하는 각 해당부용의 반송기구를 각각 갖고, 상기 처리블럭은 상기도포막형성부, 상기 현상처리부 및 상기 직행 반송부의 각각에 대응하는 복수의 수수 유니트로서, 대응하는 각 해당부의 반송 기구와의 사이에 기판의 수수가 행해지는 복수의 수수 유니트와 상기 복수의 수수 유니트간에 기판을 반송하는 수수 유니트용 반송 기구를 더 포함하는 도포, 현상 장치를 제어하는 제어장치에 의해 실행되는 프로그램이 기록된 기록 매체로서, 상기 프로그램이 상기 제어장치에 의해 실행됨으로써 상기 캐리어블럭에 반입된 기판을 상기 처리블럭의 상기 도포막형성부로 반송하는 공정과, 상기 도포막형성부의 상기 처리 유니트에서 기판에 레지스트막을 형성하는 공정과 상속인 레지스트막을 형성시킨 기판을 상기 도포막형성부용의 반송기구에 의해 상기 도포막형성부의 상기 기판검사유니트로 반송하고, 상기 기판을 검사하는 공정과 검사필 기판을 상기 수수 유니트를 개재하여 상기 도포막형성부로부터 상기 직행 반송부에 반송하고 또한 상기 직행 반송부용 반송 기구를 이용하면서 인터페이스블럭에 반송하는 공정과 노광된 기판을 상기 처리 블럭의 상기 현상 처리부에 반송하는 공정과 상기 현상 처리부의 상기 처리 유니트에서 노광 끝난 기판을 현상 처리하는 공정과 상기 현상 처리된 기판을 상기 현상 처리부용 반송 기구에 의해, 상기 현상 처리부의 상기 기판 검사 유니트로 반송하고 상기 기판을 검사하는 공정과 검사필의 기판을 상기 캐리어블럭으로 반송하는 공정을 구비하는, 기판의 처리 방법을 도포, 현상 장치에 실시시키는 것을 특징으로 한다. 또한 도포, 현상 장치의 처리 블럭내에서 복수의 도포막형성부, 현상 처리부 및 직행 반송부가 중복되는 순서는 특별히 한정되지 않는다.
본 발명에 의한 제2의 기록 매체는 도포막을 기판에 형성하는 도포막형성부와 기판을 현상 처리하는 현상 처리부와 기판을 검사하는 기판 검사부를 포함하는 처리 블럭과 상기 처리 블럭과의 사이에 기판의 수수가 행해지는 캐리어블럭과 상기 처리 블럭과의 사이에 기판의 수수가 행해지는 것과 동시에 노광 장치에 통하는 인터페이스 블럭을 구비하고 상기 도포막형성부, 상기 현상 처리부 및 상기 기판 검사부는 상기 처리 블럭내에서 상하로 중복하도록 배치되고 상기 도포막형성부, 상기 현상 처리부 및 상기 기판 검사부는 각 해당부내에서 기판을 반송하는 각 해당부용의 반송 기구를 갖고, 상기 처리 블럭은 상기 도포막형성부, 상기 현상 처리부 및 상기 기판 검사부의 각각에 대응하는 복수의 수수 유니트로서 대응하는 각 해당부의 반송 기구와의 사이에 기판의 수수가 행해지는 복수의 수수 유니트와 상기 복수의 수수 유니트간에서 기판을 반송하는 수수 유니트용 반송 기구를 더 포함하는 도포, 현상 장치를 제어하는 제어장치에 의해 실행되는 프로그램이 기록된 기록 매체로서, 상기 프로그램이 상기 제어장치에 의해 실행됨으로써 상기 캐리어 블럭에 반입된 기판을 상기 처리 블럭의 상기 도포막형성부에 반송하고, 상기 기판에 레지스트막을 형성하는 공정과, 상기 레지스트막을 형성시킨 기판을 상기 수수 유니트를 개재하여 상기 도포막형성부로부터 상기 기판 검사부로 반송하고 상기 기판을 검사하는 공정과 검사필의 기판을 상기 수수 유니트와는 다른 수수 유니트로서 상기 처리 유니트의 상기 인터페이스블럭 측에 설치된 제2의 수수 유니트에 기판 검사부용의 반송 기구를 이용해 반송하고, 또한 상기 제 2의 수수 유니트를 개재하여 상기 인터페이스블럭으로 반송하는 공정과 노광된 기판을 상기 처리 블럭의 상기 현상 처리부에 반송하고, 상기 기판을 현상 처리하는 공정과 상기 현상 처리된 기판을 상기 수수 유니트를 개재하여 상기 현상 처리부로부터 상기 기판 검사부로 반송하고 상기 기판을 검사하는 공정과 검사필의 기판을 상기 캐리어블럭으로 반송하는 공정을 구비하는 기판의 처리 방법을 도포, 현상 장치에 실시시키는 것을 특징으로 한다. 또한 도포, 현상 장치의 처리 블럭내에서 복수의 도포막형성부, 현상 처리부 및 기판검사부가 중복되는 순서는 특별히 한정되지 않는다.
본 발명에 의한 제3의 기록 매체는 도포막을 기판에 형성하는 도포막형성부와 기판을 현상 처리하는 현상 처리부와 기판을 검사하는 기판 검사부를 포함하는 처리 블럭과 상기 처리 블럭과의 사이에 기판의 수수가 행해지는 캐리어 블럭과 상기 처리 블럭과의 사이에 기판의 수수가 행해지는 것과 동시에 노광 장치에 통하는 인터페이스블럭을 구비하고, 상기 처리 블럭은 상기 처리 블럭의 캐리어블럭측과 상기 인터페이스블럭측과의 사이에 기판을 직행 반송하는 직행 반송부용 반송 기구를 가진 직행 반송부를 더 포함하고 상기 도포막형성부, 상기 현상 처리부, 상기 기판 검사부 및 상기 직행 반송부는 상기 처리 블럭내에서 상하로 중복되도록 하여 배치되고, 상기 도포막형성부, 상기 현상 처리부 및 상기 기판 검사부는 각 해당부내에서 기판을 반송하는 각 해당부용의 반송 기구를 갖고, 상기 처리블럭은, 상기 도포막형성부, 상기 현상처리부, 상기 기판검사부 및 상기 직행 반송부의 각각 대응하는 복수의 수수 유니트로서 대응하는 각 해당부의 반송 기구와의 사이에 기판의 수수가 행해지는 복수의 수수 유니트와 상기 복수의 수수 유니트간에 기판을 반송하는 수수 유니트용 반송 기구를 더 포함하는 도포, 현상 장치를 제어하는 제어장치에 의해 실행되는 프로그램이 기록된 기록매체로서 상기 프로그램이 상기 제어장치에 의해 실행되는 것으로 상기 캐리어 블럭에 반입된 기판을 상기 처리블럭의 상기 도포막형성부로 반송하고, 상기 기판에 레지스트막을 형성하는 공정과 상기 레지스트막을 형성시킨 기판을 상기 수수 유니트를 개재하여 상기 도포막형성부로부터 상기 기판검사부로 반송하고, 상기 기판을 검사하는 공정과, 검사필의 기판을 상기 수수 유니트를 개재하여 상기 기판 검사부로부터 상기 직행 반송부에 반송하고, 또한 상기 직행 반송부용 반송 기구를 이용하면서 인터페이스 블럭에 반송하는 공정과 노광된 기판을 상기 처리 블럭의 상기 현상 처리부에 반송하고, 상기 기판을 현상 처리하는 공정과 상기 현상 처리된 기판을 상기 수수 유니트를 개재하여 상기 현상 처리부로부터 상기 기판검사부로 반송하고, 상기 기판을 검사하는 공정과, 검사필의 기판을 상기 캐리어블럭에 반송하는 공정을 구비하는 기판의 처리 방법을 도포, 현상 장치에 실시시키는 것을 특징으로 한다. 또한 도포, 현상 장치의 처리 블럭내에서 복수의 도포막형성부, 현상 처리부, 기판 검사부 및 직행 반송부가 중복되는 순서는 특별히 한정되지 않는다.
본 발명에 의하면 상하에 중복하도록 배치된 도포막형성부 및 현상 처리부의 중 어느쪽에 기판 검사 유니트가 구성되고있다. 또, 다른 발명에 의하면, 기판 검사 유니트를 가지는 기판 검사부가 도포막형성부 및 현상 처리부와 상하에 중복되도록 해 배치되고 있다. 어느 발명에서도 기판 검사 유니트가 도포, 현상 장치 본체로부터 바깥쪽으로 튀어나와 버리는 것을 방지할 수가 있다. 이 때문에, 도포, 현상 장치가 전체적으로 적당한 외형 형상을 가지게 되고 또, 도포, 현상 장치를 배치하기 위해서 필요한 스페이스를 공간절약화할 수가 있다.
도 1은 본 발명과 관련되는 도포, 현상 장치의 제1의 실시의 형태를 나타내는 횡단면도으로서 도포, 현상 장치의 현상 처리부를 나타내는 도이다.
도 2는 도 1에 나타난 도포, 현상 장치를 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 1에 나타난 도포, 현상 장치를 나타내는 종단면도이다.
도 4는 도 1에 나타난 도포, 현상 장치의 현상 처리부(DEV층) 및 직행 반송부를 나타내는 사시도이다.
도 5는 도 1에 나타난 도포, 현상 장치를 이용해 기판을 처리한 경우에서의 기판의 반송 경로의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 6은 도 2에 대응하는 도로서 본 발명과 관련되는 도포, 현상 장치의 제2의 실시의 형태를 나타내는 사시도이다.
도 7은 도 3에 대응하는 도로서 도 6에 나타난 도포, 현상 장치를 나타내는 측부 단면도이다.
도 8은 도 6에 나타난 도포, 현상 장치의 기판 검사부에서의 횡단면도이다.
도 9는 도 5에 대응하는 도로서 도 6에 나타난 도포, 현상 장치를 이용해 기판을 처리한 경우에서의 기판의 반송 경로의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 10은 도 2에 대응하는 도로서 본 발명과 관련되는 도포, 현상 장치의 제3의 실시의 형태를 나타내는 사시도이다.
도 11은 도 3에 대응하는 도로서 도 10에 나타난 도포, 현상 장치를 나타내는 종단면도이다.
도 12는 도 8에 대응하는 도로서 도 10에 나타난 도포, 현상 장치의 기판 검사부에서의 횡단면도이다.
도 13은 도 5에 대응하는 도로서 도 10에 나타난 도포, 현상 장치를 이용해 기판을 처리한 경우에서의 기판의 반송 경로의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 14는, 종래의 도포, 현상 장치를 설명하기 위한 도이다.
이하, 본 발명과 관련되는 하나의 실시의 형태에 대해서 설명한다.
우선 제1의 실시의 형태에 대해서, 도 1 내지 도 5를 참조하면서 설명한다. 도 1 및 도 2에는 현상 장치에 노광 장치를 접속한 시스템이 나타나고 있다. 이 도포, 현상 장치 (1)은 복수의 기판(예를 들면 13매의 웨이퍼 (W))을 밀폐 수납 가능한 캐리어 (20)이 재치되는 캐리어블럭(캐리어 구역, S1)과 시스템 전체의 긴 방향을 따르도록 해 설치된 복수, 예를 들면 4개의 부 (B1~B4) 및 직행 반송부 (M1)를 포함하는 처리 블럭(처리 구역, S2)와 인터페이스 블럭(인터페이스 구역, S3)을 구비하고 있다. 노광 장치 (S4)는 인터페이스 블럭 (S3)에 접속되고 있다.
상기 캐리어 블럭 (S1)에는 상기 캐리어 (20)을 복수 재치 가능한 재치대 (21)과 이 재치대 (21)로부터 봐서 전방의 벽면에 설치되는 개폐부 (22)와 개폐부 (22)를 개재하여 캐리어 (20)으로부터 웨이퍼 (W)를 꺼내는 것 및 개폐부 (22)를 개재하여 캐리어 (20)에 웨이퍼 (W)를 인도하는 것이 가능한 트랜스퍼 아암(캐리어 블럭용 반송 기구, C)가 설치되고 있다. 이 트랜스퍼 아암 (C)는 후술하는 현상 처리부(DEV층; B1, B2)에 대응하는 수수 유니트 (TRS1), 직행 반송부 (M1)에 대응하는 수수 유니트 (TRS1B) 및 도포막형성부(BCT층, B3)에 대응하는 수수 유니트 (TRS3)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 실시할 수가 있도록 구성되고 있다. 구체적으로는 트랜스퍼 아암 (C)는 진퇴 자유, 승강 자유, 수직축주위에 회전 자유, 또한 캐리어 (20)의 배열 방향으로 이동 자유롭게 되고 있다.
캐리어블럭 (S1)의 안쪽 측에는 프레임체 (24)에 의해 주위를 둘러싸는 처리 블럭 (S2)가 접속되고 있다. 처리 블럭 (S2)는 웨이퍼 (W)에 도포막을 형성하는 복수의 도포막 형성부 (B3, B4)와 웨이퍼 (W)를 현상 처리하는 현상 처리부 (B1, B2)와 캐리어 블럭 (S1)측으로부터 인터페이스 블럭 (S3)측에 웨이퍼 (W)를 직행 반송하는 직행 반송부 (M1)를 가지고 있다. 도포막형성부 (B3, B4), 현상 처리부 (B1, B2) 및 직행 반송부 (M1)은 상하로 중복하여 배치되고 있다. 도 3에 나타나는 바와 같이 본 실시의 형태에서는, 현상 처리를 행하기 위한 제 1의 단위 영역(현상 처리부:DEV층, B1), 제2의 단위 구역(현상 처리부:DEV층, B2), 반송 영역(직행 반송부 ,M1), 레지스트막의 하층 측에 형성되는 반사 방지막(이하 「하부 반사 방지막」이라고 한다)의 형성 처리를 행하기 위한 제 3의 단위 영역(도포막형성부:BCT층, B3), 레지스트액의 도포 처리를 행하기 위한 제 4의 단위 영역(도포막형성부: COT층, B4)가, 상기 순서로 아래쪽측에서 쌓여 올라가고 있다. 이들 단위 영역 (B1~B4) 및 반송 영역 (M1)은 처리 블럭 (S2)내에서 캐리블럭 (S1)측으로부터 인터페이스 블럭 (S3)측으로 향해 연장하고 있다.
상기 DEV층 (B1, B2)가 현상 처리부, BCT층 (B3) 및 COT층 (B4)나 감광 재료 예를 들면 레지스트로부터 이루어지는 도포막을 형성하기 위한 도포막형성부에 각각 상당한다. DEV층(현상 처리부, B2)와 직행 반송부 (M1)의 사이, 직행 반송부 (M1)과 BCT층(도포막형성부, B3)의 사이 및 BCT층(도포막형성부, B3)과 COT층(도포막형성부, B4)의 사이는, 각각 칸막이판(베이스체, 46)에 의해 구획되고 있다.
이어서 각 해당부 (B ; B1~B4)의 구성에 대해서 설명하지만 본 실시 형태에서 이들의 각 해당부 (B1~B4)에는 공통 부분이 많이 포함되어 있어 각 해당부 (B)는 대략 동일한 레이아웃으로 구성되고 있다. 우선 도 1 및 도 4를 참조하면서, DEV층 (B1, B2)를 설명하고 다른 층에 대해서는 DEV층 (B1, B2)와 다른 부분에 대해서 주로 설명하는 것으로 한다.
도 1 및 도 4에 나타나는 바와 같이 DEV층 (B1)의 중앙부에는 횡방향 자세하게는 DEV층 (B1, B2)의 길이 방향(도중 Y방향)을 따라 캐리어 블럭 (S1)과 인터페이스 블럭 (S3)을 접속하기 위한 웨이퍼 (W)의 반송용 통로 (R1)이 형성되고 있다. 상기 반송용 통로 (R1)의 캐리어 블럭 (S1)측에서 봐서 앞측(캐리어블럭 (S1)측)으로부터 안쪽 측에 향해 우측에는 현상액의 도포 처리를 행하기 위한 복수의 도포부를 구비한 현상 유니트 (31, 32)가 액처리 유니트로서 상하로 중복하여 반송용 통로 (R1)를 따라 설치되고 있다. 또한 본 실시의 형태에서 DEV층 (B1, B2)는 서로 구분되고 있지 않고 일체적으로 형성되고 있지만 편의상, 현상 유니트 (31)을 포함하는 수평 영역을 DEV층 (B1), 현상 유니트 (32)를 포함하는 수평 영역을 DEV층 (B2)라고 칭한다.
현상 유니트 (31, 32)는 각각 노광 후의 웨이퍼 (W)에 현상 처리를 행하기 위한액처리 유니트로서 구성되고 있어 프레임체 (30)을 가진다. 각 프레임체 (30)내에는 복수 예를 들면 3개의 현상부 (33)이 배치되고 있다. 현상부 (33)은, 웨이퍼 (W)를 유지하여 회전시키는 웨이퍼 유지부나, 이 웨이퍼 유지부를 둘러싸는 컵 (34)등을 포함하고 있다. 현상부 (33)내에서는 미도시의 약액 노즐로부터 현상액이 웨이퍼 (W)표면에 공급되어 현상액의 액막을 형성시켜 현상 처리를 한다. 그 후, 도시하지 않는 세정액공급 기구로부터의 세정액에 의해 웨이퍼 (W)표면의 현상액이 씻겨 흐르고 이어서 웨이퍼 (W)가 회전되어 건조되는 것으로 현상 처리가 종료한다. 또한 도중 30a는 웨이퍼 (W)의 반송구이다.
또 DEV층 (B1)의 앞측으로부터 안쪽 측에 향해 좌측에는 3개의 선반 형상 유니트군 (U1, U2, U3)이 차례로 반송용 통로 (R1)를 따라 설치되고 있다. 3개의 선반 형상 유니트군 (U1, U2, U3)은 현상 유니트 (31, 32)에서 행해지는 처리의 사전 처리 및 후 처리를 행하기 위한 가열?냉각계의 열계 처리 유니트 및 웨이퍼 (W)에 대해서 소정의 검사를 실시하는 검사 유니트를 중복하도록 해 포함하고 있다. 즉, 현상 유니트 (31, 32)과 선반 형상 유니트군 (U1~U3)이 반송용 통로 (R1)를 개재하여 대향하여 배열되고 있다. 또 이들 선반 형상 유니트군 (U1~U3)의 하층에는 배기 유니트 (35)가 설치되고 있다. 배기 유니트 (35)는 반송용 통로 (R1)에 접해 통로된 흡인구 (36)을 구비하고 있고 상기 흡인구 (36)을 개재하여 반송용 통로 (R1)의 배기를 실시한다. 또한 도중 47은 장치의 바닥판이다.
상술의 열계 처리 유니트안에는 예를 들면 노광 후의 웨이퍼 (W)를 가열 처리하거나 현상 처리 후의 웨이퍼 (W)를 건조시키기 위해서 가열 처리하거나 하는 가열 유니트가 가열 유니트에서의 처리후에 웨이퍼 (W)를 소정 온도로 조정하기 위한 냉각 유니트등이 포함되어 있다. 또한 본 실시의 형태에서는, 예를 들면 상기 선반 형상 유니트군 (U1)로서 가열 유니트 (41)이 3단으로 적층되어 선반 형상 유니트군 (U2)로서 냉각 유니트 (42)가 3단으로 적층되고 있다.
선반 형상 유니트군 (U3)은 예를 들면 2단으로 적층된, 현상 처리 후의 웨이퍼 (W)의 검사를 실시하는 기판 검사 유니트 (43)에 의해 구성된다. 각 기판 검사 유니트 (43)은 현상 처리의 불편 및 결함을 검출하기 위한 결함 검사 장치, 기판 표면의 이물을 검사하는 이물 검사 장치, 기판상에 형성된 레지스트막의 패턴의 선폭(CD)을 측정하기 위한 선폭 측정 장치, 노광 후의 기판과 포토마스크와의 겹침 맞춤 정밀도를 검사하기 위한 겹침 맞춤 검사 장치, 현상 처리 후의 기판에 잔존하는 레지스트잔사를 검출하기 위한 잔사검사 장치, 노광 장치에서 생기는 패턴의 위치 차이를 검출하기 위한 디포커스 검사 장치등의 검사 장치를 각각 유니트화한 것으로 할 수가 있고 원하는 검사의 종류에 따라 적당 선택될 수 있다. 또한 실제로는 각 검사 유니트 (43)의 배치수 및 배치 레이아웃은 원하는 검사의 종류나 배치할 수 있는 스페이스에 따라 결정할 수 있게 된다.
가열 유니트 (41), 냉각 유니트 (42), 검사 유니트 (43)은 각각 프레임체를 구비하고 각 프레임체의 반송용 통로 (R1)에 접한 전면에는 웨이퍼 (W)의 수수를 행하기 위한 반송구 (40)이 개구하고 있다.
도 4에 나타나는 바와 같이 상기 반송용 통로 (R1)에는 DEV층 (B1, B2)내에서의 웨이퍼 (W)의 반송을 담당하는 메인 아암(현상 처리부용 반송 기구, A1)이 설치되고 있다. 이 메인 아암 (A1)은 선반 형상 유니트군 (U1~U3)의 각 처리 유니트 (41,42) 및 검사 유니트 (43), 현상 유니트 (31, 32) 후술하는 선반 형상 유니트군(제1의 수수 유니트군, U5)의 수수 유니트 및 선반 형상 유니트군(제2의 수수 유니트군, U6)의 수수 유니트와의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 실시하도록 구성되고 있다. 메인 아암 (A1)은 예를 들면 웨이퍼 (W)의 이면측 주변 영역을 지지하기 위한 2매의 아암체 (51, 52) 및 이들 아암체 (51, 52)를 지지하는 반송기 (53)을 가지고 있다. 아암체 (51, 52)는 반송기 (53)상을 독립하여 진퇴 자유롭게 구성되고 있다. 도중 54,55는 이 반송기 (53)을 가이드 하기 위한 가이드 레일이다. 가이드 레일 (54)는 가이드 레일 (55)에 지지를 받고 있다. 반송기 (53)은 가이드 레일 (54)를 따라 승강 가능하고, 가이드 레일 (55)를 따라 이동 가능하고, 또, 수직축주위에 회전 가능해지고 있다.
다음에, 직행 반송부 (M1)에 대해서 도 1, 도 3 및 도 4를 참조하면서 설명한다. 이 직행 반송부 (M1)은 DEV층 (B1, B2)와 BCT층 (B3)의 사이에 설치되고 상기 직행 반송부 (M1)에서 웨이퍼 (W)는 캐리어블럭 (S1)측으로부터 인터페이스 블럭 (S3)측에 직행해 반송된다. 상기 직행 반송부 (M1)은, DEV층(현상 처리부; B1, B2)의 반송용 통로 (R1) 및 BCT층(도포막형성부, B3)의 반송용 통로 (R1)라는 것은 각각 칸막이에 의해 구분되고 있다. 또, 직행 반송부 (M1)은 반송 영역 (M2)와 셔틀 아암(직행 반송 기구, 6)을 포함고 있다. 또한 도시의 편의상 도 4에서 상기 칸막이판 (46)은 생략하고 있다.
셔틀 아암 (6)은 예를 들면 이동부 (6A)와 구동부 (6B)를 갖고 이동부 (6A)는 예를 들면 반송용 통로 (R1)과 병행하는 반송 영역 (M2)를 따라 이동할 수가 있도록 구성되고 있다. 이동부 (6A)는 예를 들면 웨이퍼 (W)의 이면측 주변 영역을 지지하기 위한 아암체 (61)을 구비하고 있고 상기 아암체 (61)은 반송기 (62)상을 진퇴 자유롭게 구성되고 있다. 또 반송기 (62)는 이동기 (63)상에 수직축주위에 회전 자유롭게 설치되고 있다. 또한 크기에 한정되지 않으면 반송기 (62)를 승강시키는 기구가 설치되고 있어도 괜찮다. 도중 64는 구동부 (6B)에 설치된 가이드 레일이고, 가이드 레일 (64)는 반송 영역 (M2)를 따라 연장하고 있다. 상기 이동부 (6A)를 횡방향으로 가이드 하는 역할을 가진다. 이동부 (6A)는 후술의 선반 형상 유니트군(제1의 수수 유니트군, U5)에 설치된 수수 유니트 (TRS1B)와 선반 형상 유니트군(제2의 수수 유니트군, U6)에 설치된 수수 유니트 (TRS6B)의 사이에 웨이퍼 (W)의 수수를 실시한다.
반송용 통로 (R1) 및 반송 영역 (M2)에서의 캐리어 블럭 (S1)과 인접하는 영역은 제1의 웨이퍼 수수 영역 (R2)로 되어 있다. 이 영역 (R2)에는 도 1 및 도 3에 나타나는 바와 같이 메인 아암 (A1)과 셔틀 아암 (6)의 이동부 (6A)와 트랜스퍼 아암 (C)가 액세스 할 수 있는 위치에, 선반 형상 유니트군(제1의 수수 유니트군, U5)와 이 선반 형상 유니트군 (U5)에 대해서 웨이퍼 (W)의 수수를 행하기 위한 승강 자유의 수수 아암(제1의 수수 유니트용 반송 기구, D1)이 설치되고 있다.
상기 선반 형상 유니트군 (U5)는 직행 반송부 (M1)에 대응하는 높이 위치에 배치된 수수 유니트 (TRS1B)와 DEV층 (B1, B2)에 대응하는 높이 위치에 배치된 예를 들면 2대의 수수 유니트 (TRS1)과 BCT층 (B3)에 대응하는 높이 위치에 배치된 예를 들면 2대의 수수 유니트 (TRS3)과 COT층 (B4)에 대응하는 높이 위치에 배치된 예를 들면 2대의 수수 유니트 (TRS4)를 가지고 있다. 수수 유니트 (TRS1B)에는 트랜스퍼 아암 (C), 셔틀 아암 (6)의 이동부 (6A) 및 수수 아암 (D1)이 액세스 할 수 있게 되어 있다. 수수 유니트 (TRS1)에는 메인 아암 (A1), 트랜스퍼 아암 (C) 및 수수 아암 (D1)이 각각 액세스 할 수가 있게 되어 있다.
각 수수 유니트 (TRS1) 및 수수 유니트 (TRS1B)는 예를 들면 사방형의 프레임체와 각 프레임체내에 설치되고 웨이퍼 (W)를 지지하는 스테이지와 상기 스테이지상을 돌출자유로운 핀을 가지고 있다. 이 중, 스테이지는 지지한 웨이퍼 (W)의 온도를 예정한 온도로 조절하는 기구를 가지고 있다. 그리고, 각 수수 유니트는, 예를 들면 프레임체의 각 아암으로 향하는 측면으로 설치된 반송구를 개재하여 웨이퍼 (W)의 수수를 실시하게 되어 있다. 구체적으로는 각 아암이 상기 반송구를 개재하여 프레임체내에 진입해, 스테이지로부터 부상한 상태로 핀에 지지를 받은 웨이퍼 (W)를 상기 웨이퍼의 이면측으로부터 올린다. 또, 각 아암은 반송구를 개재하여 바구니체내에 진입해, 스테이지로부터 돌출한 핀상에 가지고 온 웨이퍼 (W)를 재치한다.
상술한 것처럼 BCT층 (B3)에 대응하는 높이 위치에는 2대의 수수 유니트 (TRS3)가 설치되고 있다. 또, COT층 (B4)에 대응하는 높이 위치에는 2대의 수수 유니트 (TRS4)가 설치되고 있다(도 3 참조). 각 TRS3, 4는 모두 서술한 TRS1, TRS1B와 같은 구조를 가지고 있다. 그리고, 수수 유니트 (TRS3, TRS4)는, 각층 (B3), (B4)에 설치된 메인 아암 (A3, A4) 및 수수 아암 (D1)과 웨이퍼 (W)의 수수가 가능하도록 구성되고 있다. 또, BCT층 (B3)에 대응하는 수수 유니트 (TRS3)에는 이들의 아암외에 트랜스퍼 아암 (C)과도 웨이퍼 (W)의 수수가 가능하도록 구성되고 있다. 그런데 각 TRS의 수는 한정되는 것은 아니고, 각 블럭에 대응해 2대 이상 설치되고 있어도 괜찮다.
수수 아암 (D1)은 각층에 대응하는 높이로 승강할 수가 있다. 그리고, 수수 아암 (D1)은 각층에 대응해 설치된 수수 유니트 (TRS1~TRS4, TRS1B)에 대해서 진퇴 가능하게 되어 있다. 상기 결과, 수수 아암 (D1)은 각층에 대응해 설치된 수수 유니트 (TRS1~TRS4, TRS1B)에 대해서 웨이퍼 (W)의 수수를 실시할 수가 있다. 또, 수수 유니트 (TRS1, TRS3, TRS1B)는 이 예에서는 트랜스퍼 아암 (C)와의 사이에서도 웨이퍼 (W)의 수수를 실행하도록 구성되고 있다.
DEV층 (B1, B2)의 반송용 통로 (R1) 및 직행 반송부 (M1)의 반송 영역 (M2)에서의 인터페이스 블럭 (S3)과 인접하는 영역은, 제2의 웨이퍼 수수 영역 (R3)으로 되어 있다. 상기 영역 (R3)에는 도 3에 나타나는 바와 같이 선반 형상 유니트군(제2의 수수 유니트군, U6)이 설치되고 있다. 선반 형상 유니트군 (U6)의 직행 반송부 (M1)에 대응하는 높이 위치에는 수수 유니트 (TRS6B)가, DEV층 (B1, B2)에 대응하는 높이 위치에는 TRS6이 설치되고 있다. 수수 유니트 (TRS6B)는 셔틀 아암 (6)과 인터페이스 아암 (I)의 사이에 각각 웨이퍼 (W)의 수수를 행한다. 또, 수수 유니트 (TRS6)은 메인 아암 (A1) 및 인터페이스 아암 (I)의 사이에 각각 웨이퍼 (W)의 수수를 행한다. 수수 유니트 (TRS6B, TRS6)은 예를 들면 서술한 수수 유니트 (TRS1B, TRS1)과 같은 구조를 가지고 있고 웨이퍼 (W)의 냉각 기능을 구비하고 수수된 웨이퍼 (W)의 온조관리를 가능하도록 구성되고 있다.
또 처리 블럭 (S2)에서의 선반 형상 유니트군 (U6)의 안쪽 측에는, 인터페이스블럭 (S3)이 설치되고 있다. 인터페이스 블럭 (S3)은 노광 장치 (S4)에 접속되고 있다. 인터페이스 블럭 (S3)에는 처리 블럭 (S2)의 선반 형상 유니트군 (U6)과 노광 장치 (S4)에 대해서 웨이퍼 (W)의 수수를 행하기 위한 인터페이스 아암(인터페이스 블럭용 반송 기구, I)가 설치되고 있다. 상기 인터페이스 아암 (I)는 진퇴 자유, 승강 자유, 수직축주위에 회전 자유롭게 구성되고 있다. 또한 서술한 수수 아암 (D1)은 인터페이스 아암 (I)와 동일하게 구성될 수 있지만 인터페이스 아암 (I)와는 다르게 수직축주위에 회전하지 않게 구성되어도 괜찮다.
상기 인터페이스 아암 (I)는 처리 블럭 (S2)와 노광 장치 (S4)의 사이에 개재하는 웨이퍼 (W)의 반송 기구를 이루는 것이고, 직행 반송부 (M1)에 대응하는 수수 유니트 (TRS6B)로부터 웨이퍼 (W)를 수취하고, 노광 장치 (S4)로 반입하는 한편으로, 노광 장치 (S4)로부터 웨이퍼 (W)를 수취하고, 수수 유니트 (TRS6)에 수수하도록 구성되고 있다.
다음에 BCT층 (B3) 및 COT층 (B4)에 대해서 간단하게 설명한다. BCT층 (B3) 및 COT층 (B4)는 DEV층 (B1, B2)와 대략 동일하게 구성되고 있다. 다만, BCT층 (B3) 및 COT층 (B4)는 액처리 유니트의 약액으로서 현상액 대신에 반사 방지막형성용의 약액 혹은 레지스트막형성용의 약액(레지스트액)이 이용되는 점, 약액의 도포의 수법이 다른 점에서 DEV층 (B1, B2)와 다르다. 또, BCT층 (B3) 및 COT층 (B4)는 각 선반 형상 유니트군을 구성하는 가열계, 냉각계의 유니트에서의 처리 조건이 다른 점에 있어서도 DEV층 (B1, B2)와 다르다. 또한 BCT층 (B3) 및 COT층 (B4)의 인터페이스 (S3)측에는, 선반 형상 유니트군 (U6)의 수수 유니트가 배치되고 있지 않고, 예를 들면 도 3에 나타나는 바와 같이 반송용 통로 (R1)과 웨이퍼 수수 영역 (R3)에 상당하는 영역을 구획하도록 차폐판 (48)이 설치되고 있다.
BCT층 (B3), COT층 (B4)에는 각각 1대의 배기유니트 (35)가 설치되고 있다. 각 배기 유니트 (35)상에는 반송용 통로 (R1)를 따라 예를 들면 4대의 선반 형상 유니트군이 설치되고 있다. 이들의 선반 형상 유니트군은 각각 상하에 2개 적층된 처리 유니트에 의해 구성되고 있다. 또, COT층 (B4)의 선반 형상 유니트군을 구성하는 처리 유니트로서는 서술한 냉각 유니트 및 가열 유니트의 그 밖에 웨이퍼 (W)에 대해서 소수화 처리를 실시하는 유니트, 웨이퍼 (W)의 주변부를 노광하는 주변 노광 유니트 및 레지스트막형성 후의 웨이퍼 (W)의 검사를 실시하는 기판 검사 유니트가 포함되어 있다.
상기 COT층 (B4)의 기판 검사 유니트로서는 예를 들면 결함 검사 장치, 레지스트의 막두께를 측정하기 위한 막두께 측정 장치, 도포얼룩 표면 검사 장치, 기판에 부착한 파티클(이물) 수를 검출하기 위한 표면 이물 장치, 웨이퍼의 휘어진 상태의 데이터를 취득하는 기판 휘어진 상태 검사 장치, 레지스트 도포 후의 웨이퍼 (W)표면에 레지스트액안의 기포나 이물에 의해 발생하는 코메트를 검출하기 위한 코메트 검출 장치, 웨이퍼 (W)표면으로부터 튄 레지스트액의 용제가 웨이퍼 (W)에 재부착하는 스플래쉬 백을 검출하는 스플래쉬 백 검출 장치, 레지스트액의 도포 얼룩짐을 검출하기 위한 도포 얼룩짐 검출 장치등의 장치를 유니트화한 것이 원하는 검사에 따라 적당히 선택된다.
또, 그 외에 COT층 (B4)의 선반 형상 유니트군을 구성하는 처리 유니트로서는 웨이퍼 (W)에 레이저에 의한 처리를 가해 소정의 식별 코드를 작성하는 기판식별타이틀 노광기나, 웨이퍼 (W)의 얼라인먼트 마크를 피복하고 있는 레지스트를 레이저에 의한 처리를 실시하는 것으로 승화시켜 상기 마크를 노출시키는 레이저 어블레이션장치등에 처리장치를 유니트화한 것이 선택 될 수 있다. 여기에서는 이들의 유니트화된 처리 장치도 서술한 각각 소정의 검사를 행하기 위한 유니트화된 장치에 포함해 기판 검사 유니트라고 칭한다.
상기 도포, 현상 장치 (1)은, 예를 들면 컴퓨터로부터 이루어지고 프로그램 격납부를 가지는 제어부 (100)을 구비하고 있다. 프로그램 격납부에는 후술하는 바와 같은 상기 도포, 현상 장치 (1)의 동작, 즉 웨이퍼 (W)의 처리, 웨이퍼 (W)의 수수, 반송 경로의 레시피의 관리등이 실시되도록 명령이 구성된 예를 들면 소프트웨어로부터 이루어지는 컴퓨터 프로그램이 격납된다. 그리고 해당 프로그램이 제어부 (100)에 독출되는 것으로 제어부 (100)은 상기 도포, 현상 장치 (1)의 동작을 제어한다. 또한 상기 프로그램은, 예를 들면 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그넷 옵티컬 디스크, 메모리 카드 등의 기록 매체 (101)에 수납된 상태로 프로그램 격납부에 격납된다.
다음에, 도포, 현상 장치 (1)을 이용해 웨이퍼 (W)를 처리하는 방법의 일례를 설명한다. 우선, 외부로부터 캐리어 (20)이 캐리어 블럭 (S1)에 반입된다. 트랜스퍼 아암 (C)에 의해 상기 캐리어 (20)내로부터 웨이퍼 (W)가 꺼내진다. 웨이퍼 (W)는 트랜스퍼 아암 (C)→선반 형상 유니트군 (U5)의 수수 유니트 (TRS3)→BCT층 (B3)의 메인 아암 (A3)→냉각 유니트→메인 아암 (A3)→하부 반사 방지막형성 유니트(도시하고 있지 않지만 도 4에서의 현상 유니트 (31,32)에 대응하는 액처리 유니트이다)→메인 아암 (A3)→가열 유니트→메인 아암 (A3)→냉각 유니트→메인 아암 (A3)→선반 형상 유니트군 (U5)의 수수 유니트 (TRS3)의 순서로 반송되어 하부 반사 방지막이 형성된다.
이어서 수수 유니트 (TRS3)의 웨이퍼 (W)는 수수 아암 (D1)→COT층 (B4)에 대면하는 수수 유니트 (TRS4)→COT층 (B4)의 메인 아암 (A4)→냉각 유니트→메인 아암 (A4)→소수화 처리 유니트→메인 아암 (A4)→냉각 유니트→메인 아암 (A4)→레지스트 도포 유니트(도시하고 있지 않지만, 도 4에서의 현상 유니트 (31,32)에 대응하는 감소 처리 유니트이다)→메인 아암 (A4)→가열 유니트의 순서로 반송되어 하부 반사 방지막의 상층에 레지스트막이 형성된다. 그 후, 웨이퍼 (W)는 메인 아암 (A4)에 의해 주변 노광 유니트에 반송되어 주변부가 노광된다.
주변이 노광된 웨이퍼 (W)의 전체수 혹은 그들 웨이퍼 (W)중에서 선택된 웨이퍼 (W)가 메인 아암 (A4)에 의해 COT층 (B4)의 각 기판 검사 유니트에 반송되고, 차례로 소정의 검사, 예를 들면 레지스트의 막두께 검사나 레지스트막표면의 파티클의 검사등을 받는다. 그 후, 웨이퍼 (W)는 메인 아암 (A4)에 의해 선반 형상 유니트군 (U5)의 수수 유니트 (TRS4)에 반송된다. 다음에, 수수 유니트 (TRS4)내의 웨이퍼 (W)는 수수 아암 (D1)→수수 유니트 (TRS1B)→셔틀 아암 (6) →수수 유니트 (TRS6B)→인터페이스 아암 (I)→노광 장치 (S4)의 순서로 반송된다. 웨이퍼 (W)는 노광 장치 (S4)내에서 소정의 노광 처리가 가해진다.
노광 처리 후의 웨이퍼 (W)는 인터페이스 아암 (I)→수수 유니트 (TRS6)→DEV층 (B1, B2)의 메인 아암 (A1)→가열 유니트 (41)→메인 아암 (A1)→냉각 유니트 (42)→메인 아암 (A1)→현상 유니트 (31, 32)→메인 아암 (A1)→가열 유니트 (41)→메인 아암 (A1)→냉각 유니트 (42)의 순서로 반송되고 소정의 현상 처리가 행해진다. 이렇게 해 현상 처리를 한 웨이퍼 (W)는 메인 아암 (A1)에 의해 선반 형상 유니트군 (U3)의 각 기판 검사 유니트 (43)에 반송되고 차례로 소정의 검사를 받는다. 그 후, 검사필의 웨이퍼 (W)는 메인 아암 (A1)에 의해 선반 형상 유니트군 (U5)의 수수 유니트 (TRS1)에 반송된다. 다음에, 웨이퍼 (W)는 트랜스퍼 아암 (C)에 의해 캐리어블럭 (S1)에 재치되고 있는 원래의 캐리어 (20)에 되돌려진다.
도 5는 이상 설명한 웨이퍼 (W)의 반송 경로를 모식적으로 나타낸 것이다. 도중 쇄선의 화살표로 나타나는 바와 같이 웨이퍼 (W)는 도포막형성부 (B3~B4)간을 이동하고 도포막이 형성된 후, COT층(도포막형성부, B4)의 기판 검사 유니트로 노광전의 소정의 검사를 받는다(스텝 1). 그 후, 웨이퍼 (W)는 실선의 화살표로 나타나는 바와 같이 셔틀 아암 (6)에 의해 처리 블럭 (S2)내의 캐리어 블럭 (S1)측으로부터 인터페이스 (S3)측으로 직행 반송부 (M1)을 경유해 반송되고 또한 노광 장치 (S4)에 반송된다(스텝 2). 노광 처리를 받은 웨이퍼 (W)는 점선의 화살표로 나타나는 바와 같이 노광 장치 (S4)로부터 DEV층(현상 처리부; B1, B2)에 반송되고 현상 처리를 받은 후, 기판 검사 유니트 (43)에 반송되어 현상 후의 서술한 검사를 받고 그 후에 캐리어 블럭 (S1)에 되돌려진다(스텝 3).
상술의 실시 형태의 도포, 현상 장치 (1)에 의하면, 기판 검사 유니트 (44)가 설치된 레지스트막도포용의 단위 영역 COT층 (B4), 기판 검사 유니트 (43)이 설치된 현상 처리용의 단위 영역 DEV층 (B1, B2)가 상하에 적층되고 있다. 따라서, 각 기판 검사 유니트가 도포, 현상 장치 본체로부터 바깥쪽으로 튀어나온다는 불리한 장치 레이아웃을 회피 할 수 있다. 또, 도포, 현상 장치 (1)의 설치 스페이스를 작게 할 수 있다.
또, COT층 (B4) 및 DEV층 (B1, B2)에 레지스트막이 형성된 웨이퍼 (W)를 캐리어블럭 (S1)측의 제1의 수수 유니트군 (U5)로부터 인터페이스블럭 (S3)측의 제2의 수수 유니트군 (U6)에 직행 반송하는 직행 반송부 (M1)이 적층되고 있다. 따라서 COT층 (B4), BCT층 (B3) 및 DEV층 (B1, B2)의 각 메인 아암 (A4, A3, A1)에 의해 인터페이스블럭 (S3)측으로 웨이퍼 (W)의 반송을 실시할 필요가 없어진다. 이 때문에, 각 메인 아암 (A4, A3, A1)의 부하를 저감 할 수 있어 높은 반송 효율을 얻을 수 있는 결과적으로 수율을 향상시킬 수가 있다.
또한 단위 영역 (B)의 적층수는 4개로 한정되지 않고, 예를 들면 하부 반사 방지막, 레지스트막 이외의 도포막을 형성하기 위한 단위 영역이 설치되고 있어도 괜찮다. 각 단위 영역 (B1~B4) 및 직행 반송부 (M1)의 적층되는 차례도 상술한 순서에 한정되지 않고, 예를 들면 단위 영역 (B3)으로서 COT층을 그 상층의 단위 영역 (B4)로서 BCT층을 각각 할당해도 괜찮다.
또한 셔틀 아암 (6)은 캐리어 블럭측의 수수 유니트로부터 인터페이스 블럭에 도포 혹은 현상을 행하기 위한 처리 유니트를 개재하지 않고 기판을 직행해 반송하기 위한 것이다. 그리고, 셔틀 아암 (6)은, 반송 경로안에 예를 들면 상술의 실시 형태와 같이 기판의 수수 유니트등이 개재하고 있는 경우로서도 예를 들면 이들 유니트내를 개재하여 셔틀 아암 (6)과 인터페이스 블럭측의 반송 기구(인터페이스 블럭용 반송 기구)의 사이에 기판의 수수가 행해지는 경우도 포함한 개념이다.
다음에, 도 6 내지 도 9를 참조하면서, 제2의 실시의 형태에 대해서 설명한다. 또한 도 6 내지 도 9에서, 상술한 제1의 실시의 형태와 동일 부분에는 동일 부호를 교부하고 중복하는 상세한 설명은 생략한다.
본 실시의 형태에 의한 도포, 현상 장치 (1)에서는, COT층 (B4)의 윗쪽에 제5의 단위 영역으로서 기판검사용의 기판 검사부 (B5)가 적층되고 있다. 도 8은, 도포, 현상 장치 (1)의 기판 검사부 (B5)에서의 횡단면도이다. 기판 검사부 (B5)는 각 해당부 (B1~B4)와 대략 동일하게 구성되고 있고 각 해당부 (B1~B4)와의 차이점으로서는 액처리 유니트가 설치되고 있지 않고, 또 액처리의 사전 처리 및 후 처리를 행하기 위한 가열?냉각계의 열계 처리 유니트가 설치되고 있지 않은 것을 들 수 있다. 즉 상기 제2의 실시 형태에서는 제1의 실시 형태에서 COT층 (B4) 및 DEV층 (B1, B2)에 배치되고 있던 기판 검사 유니트를 전용의 기판 검사부안에 정리해 탑재한 구성을 채용하고 있다.
또, 기판 검사부 (B5)에는 서술한 실시 형태의 DEV층 (B1, B2)와 동일하게 선반 형상 유니트군 (U1, U2)가 설치되고 있지만, 상기 선반 형상 유니트군 (U1, U2)는 예를 들면 2단으로 적층된 서술한 기판 검사 유니트 (43)에 의해 구성되고 있다. 또, 반송용 통로 (R1)의 선반 형상 유니트군 (U1, U2)와는 반대의 측에, 레지스트 도포 후의 웨이퍼 (W)에 대해서 검사를 실시하는 각종의 기판 검사 유니트 (44), 주변 노광 유니트등의 유니트가 예를 들면 상기 반송용 통로 (R1)를 따라 복수 적층되어 설치되고 있다. 상기 기판 검사 유니트 (44)는 서술한 실시 형태에서 COT층 (B4)에 설치되고 있는 기판 검사 유니트에 상당하고, 서술한 유니트화된 기판 식별 타이틀 노광 장치 및 레이져 어블레이션 장치등의 장치도 상기 기판 검사 유니트 (44)에 포함된다. 또한 상기 실시 형태에서도 기판 검사 유니트 (43,44)의 설치수 및 배치 레이아웃은 원하는 검사의 종류, 설치 스페이스등을 고려해 임의로 결정 될 수 있다. 상기 기판 검사부 (B5)에 설치되는 메인 아암 (A5)가 액세스 가능한 위치에 배치된다면 도시하는 배치예에 한정되지 않는다.
또한 상기 기판 검사부 (B5)에는 예를 들면 윗쪽에서 하부로 향하여 파티클이 제거된 청정 기체가 공급되고 상기 도포, 현상 장치 (1)이 설치되는 클린 룸의 압력보다 약간 높은 압력(양압)으로 설정되는 것으로, 상기 기판 검사부 (B5)내로 외부로부터 기류가 흡입되는 것이 억제되고 그러한 기류를 타서 파티클이 도포, 현상 장치 (1)내에 유입하는 것이 억제되고 있다.
또, 도 7에 나타나는 바와 같이 선반 형상 유니트군 (U5)에서는, 기판 검사부 (B5)에 대응하는 높이 위치에 수수 유니트 (TRS5)가 설치되고 있고 상기 수수 유니트 (TRS5)에는 메인 아암 (A5), 수수 아암 (D1)이 액세스 할 수가 있게 되어 있다.
상기 도포, 현상 장치 (1)에서 웨이퍼 (W)는 캐리어블럭 (S1)에 반입되어 서술한 제1의 실시 형태와 같은 경로에서 반송되어, 그 표면에 하부 반사방지막, 레지스트막이 형성된 후, COT층 (B4)의 메인 아암 (A4)→선반 형상 유니트군 (U5)의 수수 유니트 (TRS4)→수수 아암 (D1)→수수 유니트 (TRS5)→ 기판 검사부 (B5)의 메인 아암 (A5)→주변 노광 유니트→메인 아암 (A5)→기판 검사 유니트 (44)에 반송되고 각 검사 유니트 (44)로 차례로 소정의 검사를 받는다. 그 후 웨이퍼 (W)는, 메인 아암 (A5)→수수 유니트 (TRS5)→수수 아암 (D1)→수수 유니트 (TRS1B)→셔틀 아암 (6)→수수 유니트 (TRS6B)→인터페이스 아암 (I)→ 노광 장치 (S4)의 순서로 반송된다.
그리고 노광 장치 (S4)로 노광 처리를 받은 웨이퍼 (W)는 서술한 제1의 실시 형태와 같은 경로에서 반송되고 DEV층 (B1, B2)를 통하여 현상 처리를 받고 수수 유니트 (TRS1)에 수수된다. 그 후, 웨이퍼 (W)는 수수 아암 (D1)→수수 유니트 (TRS5)→메인 아암 (A5)-기판검사 유니트 (43)의 순서로 반송되어 각 검사 유니트 (43)으로 차례로 소정의 검사를 받는다. 검사 후의 웨이퍼 (W)는, 메인 아암 (A5)→수수 유니트 (TRS5)→수수 아암 (D1)→수수 유니트 (TRS1)의 순서로 반송되어 그 후 서술한 실시 형태와 같은 경로에서 캐리어 (20)에 되돌려진다.
도 9는, 이상 설명한 웨이퍼 (W)의 도포막형성후로부터 현상 후의 검사를 받을 때까지의 반송 경로를 모식적으로 나타낸 것이다. 웨이퍼 (W)는 도포막형성부 (B3~B4)간을 이동해, 도포막이 형성된 후, 도중 쇄선의 화살표로 나타나는 바와 같이 기판 검사부 (B5)에 반송되고 상기 기판 검사부 (B5)의 기판 검사 유니트 (44)로 노광전의 소정의 검사를 받는다(스텝 1). 그 후, 실선의 화살표로 나타나는 바와 같이 웨이퍼 (W)는, 셔틀 아암 (6)에 의해 처리 블럭 (S2)를 캐리어블럭 (S1)측으로부터 인터페이스 (S3)측에 직행 반송부 (M1)를 경유해 반송되고 한층 더 노광 장치 (S4)에 반송된다(스텝 2). 노광 처리를 받은 웨이퍼 (W)는 점선의 화살표로 나타나는 바와 같이 노광 장치 (S4)로부터 DEV층 (B1, B2)에 반송되고 현상 처리를 받은 후, 기판 검사 유니트 (43)에 반송되어 현상 후의 소정의 검사를 받고(스텝 3), 그 후 캐리어블럭 (S1)에 되돌려진다.
본 실시의 형태에 의한 도포, 현상 장치 (1)에 의하면, 기판 검사 유니트 (43,44)가 설치된 기판 검사부 (B5)가, COT층 (B4), DEV층 (B1, B2) 및 직행 반송부 (M1)과 상하에 대해서 적층되고 있다. 따라서 제1의 실시의 형태와 동일하게 각 기판 검사 유니트가 도포, 현상 장치 본체로부터 바깥쪽으로 튀어나온 불리한 장치 의 레이아웃을 회피할 수가 있다. 또, 도포, 현상 장치 (1)의 설치 스페이스를 작게 하는 할 수 있다.
또, 기판 처리부 (B5)로 검사된 웨이퍼 (W)를 캐리어 블럭 (S1)측의 제1의 수수 유니트군 (U5)로부터 인터페이스블럭 (S3)측의 제2의 수수 유니트군 (U6)으로직행 반송하는 직행 반송부 (M1)가 각 해당부 (B1~B5)에 대해서 적층되고 있다. 따라서, 각 해당부 (B1~B5)의 각 메인 아암 (A1, A3, A4, A5)에 의해 인터페이스 블럭 (S3)측으로 웨이퍼 (W)의 반송을 실시하는 필요가 없어진다. 이 때문에, 각 메인 아암 (A4, A3, A1)의 부하를 저감 할 수가 있어 높은 반송 효율을 얻을 수 있는 결과적으로, 수율을 향상시킬 수가 있다.
다음에, 도 10 내지 도 12를 참조하고나서 제3의 실시의 형태에 대해서 설명한다. 또한 도 10 내지 도 12에서, 상술한 제1 및 제2의 실시의 형태와 동일 부분에는 동일 부호를 교부하고 중복하는 상세한 설명은 생략한다.
본 실시의 형태에의 도포, 현상 장치 (1)은 제2의 실시 형태의 도포, 현상 장치와 대략 동일한 구성을 가지지만, 직행 반송부 (M1), 선반 형상 유니트군 (U5)의 수수 유니트 (TRS1B) 및 선반 형상 유니트군 (U6)의 수수 유니트 (TRS6B)이 설치되지 않고 있다. 도 12에는, 본 실시의 형태의 도포, 현상 장치 (1)의 기판 검사부 (B5)에서의 횡단면을 나타내고 있다. 도 12에 나타나는 바와 같이 기판 검사부 (B5)의 인터페이스블럭 (S3)측은, DEV층 (B1, B2)와 동일하게 웨이퍼 수수 영역 (R3)으로서 구성되고 있다. 상기 영역 (R3)에는 선반 형상 유니트군 (U6)가 설치되고 있고 상기 선반 형상 유니트군 (U6)의 기판 검사부 (B5)에 대면하는 높이 위치에는 수수 유니트 (TRS7)이 설치되고 있다. 또, 웨이퍼 수수 영역 (R3)에는 예를 들면 수수 아암 (D1)과 동일한 구성을 가지는 수수 아암 (D2)가 설치되고 있고 상기 수수 아암 (D2)는 각 해당부 (B1~B5)간을 승강하고 상기 수수 유니트 (TRS7) 및 수수 유니트 (TRS6)에 액세스 한다. 또한 본 실시의 형태에서는, 상기 수수 아암 (D1)이 제1의 수수 유니트용의 반송 기구에 상당하고, 수수 아암 (D2)가 제2의 수수 유니트용의 반송 기구에 상당한다.
상기 도포, 현상 장치 (1)에서 웨이퍼 (W)는 캐리어 블럭 (S1)에 반입되어 서술한 실시 형태와 같은 경로에서 반송되고 그 표면에 하부 반사 방지막 및 레지스트막이 형성되고 기판 검사부 (B5)의 기판 검사 유니트 (44)로 소정의 검사를 받는다. 그 후, 웨이퍼 (W)는, 메인 아암 (A5)→수수 유니트 (TRS7)→수수 아암 (D2)→수수 유니트 (TRS6)→인터페이스 아암 (I)→노광 장치 (S4)의 순서로 반송되어 노광 처리를 받는다. 노광 처리를 받은 웨이퍼 (W)는 서술한 제2의 실시 형태와 동일한 경로에서 DEV층 (B1, B2)를 통하여 기판 검사부 (B5)에 되돌려지고 각 기판 검사 유니트 (43)에서 서술한 검사를 받는다. 그 후, 웨이퍼 (W)는 제2의 실시 형태의 웨이퍼 (W)와 동일한 경로를 지나 캐리어 (20)에 되돌려진다.
도 13은, 이상 설명한 도포막형성후로부터 현상 후의 검사가 행해질 때까지의 웨이퍼 (W)의 반송 경로를 모식적으로 나타낸 것이다. 웨이퍼 (W)는 도포막형성부 (B3~B4)간을 이동해 도포막이 형성된 후, 도중 쇄선의 화살표로 나타나는 바와 같이 기판 검사부 (B5)에 반송되고 상기 기판 검사부 (B5)의 기판 검사 유니트 (44)로 노광전의 소정의 검사를 받는다(스텝 1). 그 후, 웨이퍼 (W)는 도중 실선의 화살표로 나타나는 바와 같이 기판 검사부 (B5)를 인터페이스 블럭 (S3)측에 반송시켜 선반 형상 유니트군 (U6)를 경유해 상기 인터페이스 블럭 (S3), 노광 장치 (S4)의 순서로 반송된다(스텝 2).
노광 처리를 끝낸 웨이퍼 (W)는 도중 점선의 화살표로 나타나는 바와 같이 노광 장치 (S4)로부터 인터페이스 블럭 (S3)을 개재하여 DEV층 (B1, B2)에 반송되고, 현상 처리를 받은 후에 DEV층 (B1, B2)내를 캐리어 블럭 (S1)측으로 반송된다. 다음에, 웨이퍼 (W)는 선반 형상 유니트군 (U5)를 경유해 재차 기판 검사부 (B5)에 반송되고 기판 검사부 (B5)의 기판 검사 유니트 (43)에서 서술한 검사를 받은 후(스텝 3), 캐리어블럭 (S1)에 되돌려진다.
본 실시의 형태에 의하면 제1 및 제2의 실시의 형태와 동일하게 각 기판 검사 유니트가 도포, 현상 장치 본체로부터 바깥쪽으로 튀어나온 불리한 장치 레이아웃을 회피할 수가 있다. 또, 도포, 현상 장치의 설치 스페이스를 작게 할 수가 있다.
또한 제2 및 제3의 실시 형태에서도 각 해당부 (B)는 상술한 순서로 적층되는 것에 한정되지 않는다. 예를 들면 기판 검사 유니트 (43,44)를 포함한 검사 블럭은 최상층에 설치되는 것에 한정되지 않고 최하층에 설치되어도 괜찮고, 각 현상 처리부 및 각 도포막형성부에 상하를 끼워지도록 설치되고 있어도 괜찮다.
캐리어 블럭: S1
처리 블럭: S2

Claims (11)

  1. 레지스트막을 기판에 형성하는 레지스트막 형성부와, 기판을 검사하는 기판 검사부를 포함하는 처리 블럭과,
    레지스트막이 형성되어야 하는 기판을 상기 처리 블럭으로 인도하는 캐리어 블럭용 반송 기구를 갖는 캐리어 블럭을 구비하고,
    상기 레지스트막 형성부 및 상기 기판 검사부는, 상기 처리 블럭 내에 있어서 상하에 중복하도록 하여 배치되고,
    상기 레지스트막 형성부는, 레지스트액을 기판에 도포하는 액처리 유니트 및 레지스트액이 도포된 기판을 가열하는 가열 유니트를 포함하는 복수의 처리 유니트와, 이들 처리 유니트 사이에서 기판을 반송하는 레지스트막 형성부용 반송 기구를 갖고,
    상기 기판 검사부는, 기판을 검사하는 기판 검사 유니트와, 상기 기판 검사 유니트로 기판을 반송하는 기판 검사부용 반송 기구를 갖고,
    상기 처리 블럭은, 상기 레지스트막 형성부 및 상기 기판 검사부의 각각에 대응하는 높이 방향 위치에 배치되고, 대응하는 레지스트막 형성부 또는 기판 검사부와의 사이에서, 대응하는 레지스트막 형성부의 반송 기구 또는 기판 검사부의 반송 기구를 개재하여 기판의 수수를 행하는 복수의 수수 유니트와, 상기 복수의 수수 유니트 사이에서 기판을 반송하는 승강 가능한 수수 유니트용 반송 기구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 도포 장치.
  2. 레지스트막을 기판에 형성하는 레지스트막 형성부와, 상기 레지스트막 형성부와 상하에 중복하도록 하여 설치된 직행 반송부를 포함하는 처리 블럭과,
    레지스트막이 형성되어야 하는 기판을 상기 처리 블럭으로 인도하는 캐리어 블럭용 반송 기구를 갖는 캐리어 블럭과,
    상기 레지스트막이 형성된 기판을 상기 처리 블럭으로부터 수취하는 인터페이스 블럭을 구비하고,
    상기 레지스트막 형성부는, 레지스트액을 기판에 도포하는 액처리 유니트 및 레지스트액이 도포된 기판을 가열하는 가열 유니트를 포함하는 복수의 처리 유니트와, 이들 처리 유니트 사이에서 기판을 반송하는 레지스트막 형성부용 반송 기구를 갖고,
    상기 직행 반송부는, 상기 처리 블럭의 캐리어 블럭측으로부터 상기 인터페이스 블럭측으로, 레지스트막이 형성된 기판을 직행 반송하는 직행 반송부용 반송 기구를 갖고,
    상기 처리 블럭은, 상기 레지스트막 형성부 및 상기 직행 반송부의 각각에 대응하는 높이 방향 위치에 배치되고, 대응하는 레지스트막 형성부 또는 직행 반송부와의 사이에서, 대응하는 레지스트막 형성부의 반송 기구 또는 직행 반송부의 반송 기구를 개재하여 기판의 수수를 행하는 복수의 수수 유니트와, 상기 복수의 수수 유니트 사이에서 기판을 반송하는 승강 가능한 수수 유니트용 반송 기구를 더 포함하고,
    상기 레지스트막 형성부는, 상기 레지스트막 형성부용 반송 기구에 의해 반송되어 오는 기판의 검사를 행하는 기판 검사 유니트를 더 갖는 것을 특징으로 하는 도포 장치.
  3. 레지스트막을 기판에 형성하는 레지스트막 형성부와, 기판을 검사하는 기판 검사부를 포함하는 처리 블럭과,
    레지스트막이 형성되어야 하는 기판을 상기 처리 블럭으로 인도하는 캐리어 블럭용 반송 기구를 갖는 캐리어 블럭과,
    상기 레지스트막이 형성된 기판을 상기 처리 블럭으로부터 수취하는 인터페이스 블럭을 구비하고,
    상기 레지스트막 형성부 및 상기 기판 검사부는, 상기 처리 블럭 내에 있어서 상하에 중복하도록 하여 배치되고,
    상기 레지스트막 형성부는, 레지스트액을 기판에 도포하는 액처리 유니트 및 레지스트액이 도포된 기판을 가열하는 가열 유니트를 포함하는 복수의 처리 유니트와, 이들 처리 유니트 사이에서 기판을 반송하는 레지스트막 형성부용 반송 기구를 갖고,
    상기 기판 검사부는, 기판을 검사하는 기판 검사 유니트와, 상기 기판 검사 유니트로 기판을 반송하는 기판 검사부용 반송 기구를 갖고,
    상기 처리 블럭은, 상기 레지스트막 형성부 및 상기 기판 검사부의 각각에 대응하는 높이 방향 위치에 배치되고, 대응하는 레지스트막 형성부 또는 기판 검사부와의 사이에서, 대응하는 레지스트막 형성부의 반송 기구 또는 기판 검사부의 반송 기구를 개재하여 기판의 수수를 행하는 복수의 수수 유니트와, 상기 복수의 수수 유니트 사이에서 기판을 반송하는 승강 가능한 수수 유니트용 반송 기구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도포 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리 블럭은, 상기 레지스트막 형성부와 상하에 중복하도록 하여 설치된 도포막 형성부를 더 포함하고,
    상기 도포막 형성부는, 도포액을 기판에 도포하는 액처리 유니트 및 도포액이 도포된 기판을 가열하는 가열 유니트를 포함하는 복수의 처리 유니트와, 이들 처리 유니트 사이에서 기판을 반송하는 도포막 형성부용 반송 기구를 갖고,
    상기 도포막 형성부에 대응하는 높이 방향 위치에도 상기 수수 유니트가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 도포 장치.
  5. 기판을 현상 처리하는 현상 처리부와, 기판을 검사하는 기판 검사부를 포함하는 처리 블럭과,
    현상 처리되어야 하는 기판을 상기 처리 블럭으로 인도하는 동시에, 상기 현상 처리된 기판을 상기 처리 블럭으로부터 수취하는 캐리어 블럭용 반송 기구를 갖는 캐리어 블럭을 구비하고,
    상기 현상 처리부 및 상기 기판 검사부는, 상기 처리 블럭 내에 있어서 상하로 중복되도록 하여 배치되고,
    상기 현상 처리부는, 현상액을 기판에 도포하는 액처리 유니트와, 상기 액처리 유니트로 기판을 반송하는 현상 처리부용 반송 기구를 갖고,
    상기 기판 검사부는, 기판을 검사하는 기판 검사 유니트와, 상기 기판 검사 유니트로 기판을 반송하는 기판 검사부용 반송 기구를 갖고,
    상기 처리 블럭은, 상기 현상 처리부 및 상기 기판 검사부의 각각에 대응하는 높이 방향 위치에 배치되고, 대응하는 현상 처리부 또는 기판 검사부와의 사이에서, 대응하는 현상 처리부의 반송 기구 또는 기판 검사부의 반송 기구를 개재하여 기판의 수수를 행하는 복수의 수수 유니트와, 상기 복수의 수수 유니트 사이에서 기판을 반송하는 승강 가능한 수수 유니트용 반송 기구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 현상 장치.
  6. 레지스트막을 기판에 형성하는 레지스트막 형성부와, 기판을 검사하는 기판 검사부를 포함하는 처리 블럭과,
    레지스트막이 형성되어야 하는 기판을 상기 처리 블럭으로 인도하는 캐리어 블럭용 반송 기구를 갖는 캐리어 블럭을 구비하고,
    상기 레지스트막 형성부 및 상기 기판 검사부는, 상기 처리 블럭 내에 있어서 상하로 중복되도록 하여 배치되고,
    상기 레지스트막 형성부는, 레지스트액을 기판에 도포하는 액처리 유니트 및 레지스트액이 도포된 기판을 가열하는 가열 유니트를 포함하는 복수의 처리 유니트와, 이들 처리 유니트 사이에서 기판을 반송하는 레지스트막 형성부용 반송 기구를 갖고,
    상기 기판 검사부는, 기판을 검사하는 기판 검사 유니트와, 상기 기판 검사 유니트로 기판을 반송하는 기판 검사부용 반송 기구를 갖고,
    상기 처리 블럭은, 상기 레지스트막 형성부 및 상기 기판 검사부의 각각에 대응하는 높이 방향 위치에 배치되고, 대응하는 레지스트막 형성부 또는 기판 검사부 사이에서, 대응하는 레지스트막 형성부의 반송 기구 또는 기판 검사부의 반송 기구를 개재하여 기판의 수수를 행하는 복수의 수수 유니트와, 상기 복수의 수수 유니트 사이에서 기판을 반송하는 승강 가능한 수수 유니트용 반송 기구를 더 포함하는 도포 장치를 이용하여 기판에 도포 처리를 행하는 방법이며,
    상기 캐리어 블럭에 반입된 기판을 상기 처리 블럭의 상기 레지스트막 형성부로 반송하여, 당해 기판에 레지스트막을 형성하는 공정과,
    상기 레지스트막이 형성된 기판을, 상기 수수 유니트를 개재하여 상기 레지스트막 형성부로부터 상기 기판 검사부로 반송하여, 당해 기판을 검사하는 공정과,
    검사필의 기판을 상기 캐리어 블럭으로 반송하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 도포 방법.
  7. 레지스트막을 기판에 형성하는 레지스트막 형성부와, 상기 레지스트막 형성부와 상하에 중복하도록 하여 설치된 직행 반송부를 포함하는 처리 블럭과,
    레지스트막이 형성되어야 하는 기판을 상기 처리 블럭으로 인도하는 캐리어 블럭용 반송 기구를 갖는 캐리어 블럭과,
    상기 레지스트막이 형성된 기판을 상기 처리 블럭으로부터 수취하는 인터페이스 블럭을 구비하고,
    상기 레지스트막 형성부는, 레지스트액을 기판에 도포하는 액처리 유니트 및 레지스트액이 도포된 기판을 가열하는 가열 유니트를 포함하는 복수의 처리 유니트와, 이들 처리 유니트 사이에서 기판을 반송하는 레지스트막 형성부용 반송 기구를 갖고,
    상기 직행 반송부는, 상기 처리 블럭의 캐리어 블럭측으로부터 상기 인터페이스 블럭측으로, 레지스트막이 형성된 기판을 직행 반송하는 직행 반송부용 반송 기구를 갖고,
    상기 처리 블럭은, 상기 레지스트막 형성부 및 상기 직행 반송부의 각각에 대응하는 높이 방향 위치에 배치되고, 대응하는 레지스트막 형성부 또는 직행 반송부와의 사이에서, 대응하는 레지스트막 형성부의 반송 기구 또는 직행 반송부의 반송 기구를 개재하여 기판의 수수를 행하는 복수의 수수 유니트와, 상기 복수의 수수 유니트 사이에서 기판을 반송하는 승강 가능한 수수 유니트용 반송 기구를 더 포함하고,
    상기 레지스트막 형성부는, 상기 레지스트막 형성부용 반송 기구에 의해 반송되어 오는 기판의 검사를 행하는 기판 검사 유니트를 더 갖는 도포 장치를 이용하여 기판에 도포 처리를 행하는 방법이며,
    상기 캐리어 블럭에 반입된 기판을 상기 처리 블럭의 상기 레지스트막 형성부로 반송하여, 상기 레지스트막 형성부의 상기 처리 유니트에 있어서 기판에 레지스트막을 형성하는 공정과,
    상기 레지스트막이 형성된 기판을, 상기 레지스트막 형성부용의 반송 기구에 의해, 상기 레지스트막 형성부의 상기 기판 검사 유니트로 반송하여, 당해 기판을 검사하는 공정과,
    검사필의 기판을, 상기 수수 유니트를 개재하여 상기 레지스트막 형성부로부터 상기 직행 반송부로 반송하고, 또한 상기 직행 반송부용 반송 기구를 이용하여 인터페이스 블럭에 반송하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 도포 방법.
  8. 레지스트막을 기판에 형성하는 레지스트막 형성부와, 기판을 검사하는 기판 검사부를 포함하는 처리 블럭과,
    레지스트막이 형성되어야 하는 기판을 상기 처리 블럭으로 인도하는 캐리어 블럭용 반송 기구를 갖는 캐리어 블럭과,
    상기 레지스트막이 형성된 기판을 상기 처리 블럭으로부터 수취하는 인터페이스 블럭을 구비하고,
    상기 레지스트막 형성부 및 상기 기판 검사부는, 상기 처리 블럭 내에 있어서 상하에 중복하도록 하여 배치되고,
    상기 레지스트막 형성부는, 레지스트액을 기판에 도포하는 액처리 유니트 및 레지스트액이 도포된 기판을 가열하는 가열 유니트를 포함하는 복수의 처리 유니트와, 이들 처리 유니트 사이에서 기판을 반송하는 레지스트막 형성부용 반송 기구를 갖고,
    상기 기판 검사부는, 기판을 검사하는 기판 검사 유니트와, 상기 기판 검사 유니트로 기판을 반송하는 기판 검사부용 반송 기구를 갖고,
    상기 처리 블럭은, 상기 레지스트막 형성부 및 상기 기판 검사부의 각각에 대응하는 높이 방향 위치에 배치되고, 대응하는 레지스트막 형성부 또는 기판 검사부와의 사이에서, 대응하는 레지스트막 형성부의 반송 기구 또는 기판 검사부의 반송 기구를 개재하여 기판의 수수를 행하는 복수의 수수 유니트와, 상기 복수의 수수 유니트 사이에서 기판을 반송하는 승강 가능한 수수 유니트용 반송 기구를 더 포함하는 도포 장치를 이용하여 기판에 도포 처리를 행하는 방법이며,
    상기 캐리어 블럭에 반입된 기판을 상기 처리 블럭의 상기 레지스트막 형성부로 반송하여, 당해 기판에 레지스트막을 형성하는 공정과,
    상기 레지스트막이 형성된 기판을, 상기 수수 유니트를 개재하여 상기 레지스트막 형성부로부터 상기 기판 검사부로 반송하여, 당해 기판을 검사하는 공정과,
    검사필의 기판을, 상기 기판 검사부용의 반송 기구를 이용하여 상기 인터페이스 블럭으로 반송하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 도포 방법.
  9. 기판을 현상 처리하는 현상 처리부와, 기판을 검사하는 기판 검사부를 포함하는 처리 블럭과,
    현상 처리되어야 하는 기판을 상기 처리 블럭으로 인도하는 동시에, 상기 현상 처리된 기판을 상기 처리 블럭으로부터 수취하는 캐리어 블럭용 반송 기구를 갖는 캐리어 블럭을 구비하고,
    상기 현상 처리부 및 상기 기판 검사부는, 상기 처리 블럭 내에 있어서 상하에 중복하도록 하여 배치되고,
    상기 현상 처리부는, 현상액을 기판에 도포하는 액처리 유니트와, 상기 액처리 유니트로 기판을 반송하는 현상 처리부용 반송 기구를 갖고,
    상기 기판 검사부는, 기판을 검사하는 기판 검사 유니트와, 상기 기판 검사 유니트로 기판을 반송하는 기판 검사부용 반송 기구를 갖고,
    상기 처리 블럭은, 상기 현상 처리부 및 상기 기판 검사부의 각각에 대응하는 높이 방향 위치에 배치되고, 대응하는 현상 처리부 또는 기판 검사부와의 사이에서, 대응하는 현상 처리부의 반송 기구 또는 기판 검사부의 반송 기구를 개재하여 기판의 수수를 행하는 복수의 수수 유니트와, 상기 복수의 수수 유니트 사이에서 기판을 반송하는 승강 가능한 수수 유니트용 반송 기구를 더 포함하는 현상 장치를 이용하여 기판에 현상 처리를 행하는 방법이며,
    상기 캐리어 블럭에 반입된 기판을 상기 처리 블럭의 상기 현상 처리부로 반송하여, 당해 기판을 현상 처리하는 공정과,
    상기 현상 처리된 기판을, 상기 수수 유니트를 개재하여 상기 현상 처리부로부터 상기 기판 검사부로 반송하여, 당해 기판을 검사하는 공정과,
    검사필의 기판을 상기 캐리어 블럭으로 반송하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 현상 방법.
  10. 도포 장치를 제어하는 제어 장치에 의해 실행되는 프로그램이 기록된 기록 매체이며,
    상기 프로그램이 상기 제어 장치에 의해 실행됨으로써, 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 도포 방법을 상기 도포 장치에 실시시키는 것을 특징으로 하는 기록 매체.
  11. 현상 장치를 제어하는 제어 장치에 의해 실행되는 프로그램이 기록된 기록 매체이며,
    상기 프로그램이 상기 제어 장치에 의해 실행됨으로써, 제9항에 기재된 현상 방법을 상기 현상 장치에 실시시키는 것을 특징으로 하는 기록 매체.
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