KR101076244B1 - 반도체 공정 설비의 탄질화물 코팅 부품 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 공정 설비의 탄질화물 코팅 부품 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

플라즈마 챔버와 같은 반도체 공정 설비에서 탄질화물 함유 표면을 포함한 부식 방지 부품과 그 제조방법을 제공한다.
플라즈마 챔버, 탄질화물 함유 표면

Description

반도체 공정 설비의 탄질화물 코팅 부품 및 그 제조방법 {Carbonitride coated component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof}
본 발명은 반도체 공정 설비와 그 부품들의 부식 저항성을 개선하는 방법에 관한 것이다.
반도체 공정 분야에서, 진공 공정 챔버들이 기판 상 물질의 식각 및 화학기상증착(CVD)을 위해 일반적으로 사용되고 있으며, 이는 진공 챔버로 식각가스 또는 증착가스를 공급하고 이 가스를 플라즈마 상태로 활성화시키기 위해 가스에 RF 필드를 적용함으로써 수행된다. 평행판, 유도 결합 플라즈마(ICP)라고도 불리는 트랜스포머 결합 플라즈마(TCPTM) 및 전자-사이클로트론 공명(ECR) 반응기들과 그 부품들이 공동소유인 미국 특허 제 4,340,462호, 제 4,948,458호, 제 5,200,232호 및 제 5,820,723호에 개시되어 있다. 이러한 반응기들 내에서 플라즈마 환경이 갖는 부식적인 특성과 파티클 및/또는 중금속 오염의 최소화라는 요구로 인하여, 이러한 설비의 부품들은 높은 부식 저항성을 갖는 것이 매우 바람직하다.
반도체 기판들을 처리하는 동안에 기판들은 전형적으로 진공 챔버 내에서 기계적인 클램프 및 정전기적 클램프(ESC)에 의해 기판 홀더 상에 위치한다. 이러한 클램핑 시스템들 및 그 부품들의 예를 공동소유인 미국 특허 제 5,262,029호 및 제 5,838,529호에서 찾을 수 있다. 공정가스는 가스 노즐, 가스 링, 가스분산판 등과 같은 여러가지 방식에 의해 챔버 내로 공급될 수 있다. 유도 결합 플라즈마 반응기 및 그 부품들을 위한 온도 제어된 가스분산판의 예는 공동소유인 미국 특허 제 5,863,376호에 나와 있다. 플라즈마 챔버 설비뿐만 아니라, 반도체 기판들을 처리하는 데에 이용되는 다른 설비는 이송 메커니즘, 가스 공급 시스템, 라이너(liner), 리프트 메커니즘(lift mechanism), 로드락(load lock), 도어 메커니즘(door mechanism), 로봇암(robotic arm), 조임쇄(fastener)와 같은 것을 포함한다. 이러한 설비의 부품들은 반도체 공정과 관련된 다양한 부식성 조건에 처해진다. 나아가, 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 기판 그리고 평판 디스플레이(flat panel display)에 사용되는 유리 기판과 같은 유전체를 처리하기 위한 높은 청정 요건(high purity requirement)의 관점에서, 개선된 부식 저항성을 가지는 부품들이 이러한 환경에서 요구되고 있다.
알루미늄 및 알루미늄 합금이 플라즈마 반응기들의 벽체, 전극, 기판 지지대, 조임쇄 및 다른 부품들로써 주로 사용되고 있다. 이러한 금속 부품들의 부식을 방지하기 위하여, 여러가지 코팅막으로 알루미늄 표면을 코팅하기 위한 다양한 기술들이 제안되어 왔다. 예를 들어, 미국 특허 제 5,641,375호는 벽체에 대한 플라즈마 침식 및 마모를 줄이기 위하여 알루미늄 챔버 벽체를 양극산화(anodizing) 하는 것을 개시하고 있다. 상기 '375 특허에서는 결국에는 양극산화된 층이 스퍼터되거나 식각되어 제거되므로 챔버를 교체해야 한다고 언급하고 있다. 미국 특허 제 5,895,586호는 알루미늄 물질 상에 Al2O3, AlC, TiN, TiC, AlN 등의 부식 저항성 막을 형성하는 기술을 일본 특허 공개 번호 제 62-103379호에서 찾아볼 수 있다고 언급하고 있다.
미국 특허 제 5,680,013호는 식각 챔버의 금속 표면 상에 Al2O3를 화염 분무하는 기술이 미국 특허 제 4,491,496호에 개시되어 있다고 언급하고 있다. 상기 '013 특허는 알루미늄과 알루미늄 산화막과 같은 세라믹 코팅막 사이의 열팽창계수의 차이는 열사이클에 기인한 코팅막의 크랙 및 부식 환경 안에서 코팅막의 긍극적인 파괴를 유발한다고 언급하고 있다. 챔버 벽체를 보호하기 위하여, 미국 특허 제 5,366,585호, 제 5,798,016호 및 제 5,885,356호는 라이너 설비를 제안하고 있다. 예를 들어, 상기 '016 특허는 세라믹, 알루미늄, 스틸 및/또는 석영으로 이루어지고 알루미늄 산화물, Sc2O3 또는 Y2O3로 된 코팅막을 갖고 있는 라이너를 개시하고 있다. 이 중에서는 기계가공성이 용이하다는 이유로 알루미늄이 선호되고, 플라즈마로부터 알루미늄을 보호하기 위한 알루미늄 코팅재로서 Al2O3가 선호된다. 상기 '585 특허는 고체 알루미나로부터 제작되고 적어도 0.005 인치의 두께를 가지며 자유 기립하는 세라믹 라이너를 개시하고 있다. 상기 '585 특허는 또한 하부 알루미늄을 소모함이 없이 증착된 세라믹층의 사용은 화염 분무 또는 플라즈마 분무된 알루미늄 산화물에 의해 제공될 수 있음을 언급하고 있다. 상기 '356 특허는 웨이퍼 페디스탈(pedestal)을 위해 알루미나로 된 세라믹 라이너 및 알루미늄 질화물로 된 세라믹 쉴드(shield)를 개시하고 있다. 미국 특허 제 5,885,356호는 CVD 챔버 내에서 사용하기 위한 세라믹 라이너 물질을 개시한다.
다양한 코팅이 반도체 공정 설비의 금속 부품들을 위해 제안되고 있다. 예를 들면, 미국 특허 제 5,879,523호는 열 분무 Al2O3 코팅막이 스테인리스 스틸 또는 알루미늄과 같은 금속에 도포되고 그 사이에는 선택적 NiAlx 본드 코팅막을 갖는 스퍼터링 챔버에 대하여 개시하고 있다. 미국 특허 제 5,522,932호 및 제 5,891,53호는 기판의 플라즈마 처리에 사용되는 설비의 금속 부품과의 사이에 선택적 니켈 코팅막을 갖게 형성되는 로듐 코팅막에 관하여 개시하고 있다. 미국 특허 제 5,680,013호는 플라즈마 공정 챔버 내의 금속 표면용 비접합(non-bonded) 세라믹 보호층에 관하여 개시하고 있으며, 바람직한 세라믹 물질은 AlN 소결체이고, 덜 바람직한 물질은 알루미늄 산화물, 마그네슘 플루오라이드(fluoride) 및 마그네슘 산화물을 포함한다고 하고 있다. 미국 특허 제 5,904,778호는 챔버 벽체, 챔버 뚜껑(roof), 또는 웨이퍼 주변의 칼러(collar)로 사용하기 위한 자유 기립하는 SiC 상의 SiC CVD 코팅막을 개시하고 있다.
샤워헤드 가스 분산 시스템들과 같은 플라즈마 반응기 부품들과 관련하여 샤워헤드의 물질에 관한 다양한 제안들이 이루어져 왔다. 예를 들어, 공동소유인 미국 특허 제 5,569,356호는 실리콘, 흑연 또는 실리콘 카바이드로 된 샤워헤드를 개시하고 있다. 미국 특허 제 5,494,713호는 알루미늄 전극 상에 알루마이트(alumite)막을 형성하고 상기 알루마이트막 상에 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화물와 같은 실리콘 코팅막을 형성하는 것에 관하여 개시하고 있다. 상기 '713 특허는 알루미늄 코팅막, 알루마이트 코팅막 및 실리콘 코팅막이 서로 다른 선형 팽창 계수를 가지며, 실리콘 코팅막의 두께가 너무 두꺼우면 크랙이 쉽게 발생하기 때문에, 실리콘 코팅막의 두께가 10㎛ 이하이어야 하고, 바람직하게는 약 5㎛라고 하고 있다. 그러나, 5㎛ 미만의 두께는 알루미늄 기판의 보호가 충분하지 않기 때문에 바람직하지 않다고 하고 있다. 미국 특허 제 4,534,516호는 스테인리스 스틸, 알루미늄, 구리 등으로 이루어진 상부 샤워헤드 전극에 관하여 개시하고 있다. 미국 특허 제 4,612,077호는 마그네슘으로 이루어진 샤워헤드 전극에 관하여 개시하고 있다. 미국 특허 제 5,888,907호는 비정질 탄소, SiC 또는 Al으로 된 샤워헤드 전극을 개시하고 있다. 미국 특허 제 5,006,220호와 제 5,022,979호는 고순도 SiC의 표면층을 제공하기 위해 전체가 SiC로 제작되거나, CVD로 증착된 SiC가 코팅된 탄소 베이스로 제작된 샤워헤드 전극을 개시하고 있다.
반도체 공정 설비의 부품들에 관한 고순도 및 부식 저항성 요구의 견지에서, 이러한 부품들을 위해 사용되는 물질 및/또는 코팅물의 개선이 관련 업계에서 요구되고 있다. 더구나, 챔버 물질과 관련하여 플라즈마 반응 챔버의 서비스 수명을 증가시키고, 따라서 장치의 휴지시간(down time)을 감소시킬 수 있는 재질들이 반도체 웨이퍼에 대한 공정 비용을 저감시키는 데 있어서 이득이 된다.
본 발명의 일 관점에 따라, 반도체 공정 설비 부품의 표면 상에 부식 방지 탄질화물 (carbonitride) 함유 코팅막을 형성하는 방법이 제공된다. 이 방법은 외측의 부식 방지 표면을 형성할 수 있도록 반도체 공정 설비 부품 표면에 탄질화물 함유 코팅막을 증착하는 단계를 포함한다. 부식 방지 표면이라 함은, 플라즈마 챔버 가스들에 의한 코팅막의 부식에 저항하면서, 하부의 물질들을 플라즈마 챔버 가스들의 부식성 효과로부터 보호하는 표면 코팅을 의미한다. 코팅되어야 할 공정 설비 부품의 하부 표면은 금속, 세라믹 또는 폴리머 물질을 포함할 수 있다. 사실, 하나 이상의 중간 금속, 세라믹 또는 폴리머 코팅막이 반도체 공정 설비의 표면과 탄질화물 함유 코팅막 사이에 사용될 수 있다. 코팅될 금속 표면은 양극산화되거나 양극산화되지 않은(anodized or unanodized) 알루미늄, 스테인리스 스틸, 몰리브덴 또는 다른 금속과 같은 내화 금속 또는 플라즈마 챔버 안에서 사용되는 합금을 포함한다. 코팅될 세라믹 표면은 알루미나, SiC, AlN, Si3N4, BC 또는 플라즈마와 양립할 수 있는 다른 세라믹 물질을 포함한다. 코팅될 폴리머 표면은 Teflon®과 같은 플루오로폴리머(fluoropolymer), Vespel®과 같은 폴리이미드, 및 200℃에 달하는 온도에서 플라즈마 챔버 안에서 유용한 다른 폴리머 물질을 포함한다.
본 발명의 두번째 관점에 따라, 금속 부품이 제공된다. 상기 부품은, (a) 금속 표면; (b) 상기 금속 표면 상의 선택적인 제 1 중간 코팅막; (c) 상기 제 1 중간 코팅막 또는 상기 금속 표면 상의 선택적인 제 2 중간 코팅막; 및 (d) 부식 저항성 외측 표면을 형성하는, 상기 부품 상의 탄질화물 함유 코팅막을 포함한다. 상기 제 1 및 제 2 중간 코팅막 각각은 금속 또는 금속의 합금, 세라믹, 폴리머 또는 플라즈마 챔버 반응기 안에서 사용되는 물질의 복합체 (composite) 또는 혼합물일 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따라, 탄질화물 함유 물질로 만들어진 반도체 공정 설비 부품이 제공된다. 상기 부품은 이러한 설비 안에서 사용되는 하나 이상의 코팅막을 포함할 수 있다.
본 발명의 탄질화물 함유 코팅막 또는 부품들을 사용하여, 초경, 부식 방지 표면을 달성할 수 있다. 따라서, 반도체 공정 설비의 부품들을 위한 고순도 및 부식 저항성에 대한 요구를 충족시킬 수 있다. 챔버 물질과 관련하여 플라즈마 반응 챔버의 서비스 수명을 증가시키고, 따라서 장치의 휴지시간을 감소시킬 수 있어 반도체 웨이퍼에 대한 공정 비용을 저감시키는 데 있어서 이득이 된다. 침식 또는 부식에 의한 먼지 발생을 억제함으로써 불만족스러운 식각 또는 증착된 막에서의 바람직하지 않은 핀홀의 형성이 감소된다.
본 발명의 목적 및 장점은 도면과 관련하여 후술하는 바람직한 실시예의 상세한 설명으로부터 더욱 분명해질 것이다.
본 발명은 부식 방지 코팅막을 사용함으로써, 플라즈마 공정 반응 챔버의 부품들과 같은 반도체 공정 설비들의 금속, 세라믹 및 폴리머 표면에 부식 저항성을 제공하는 효과적인 방법을 제공한다. 이러한 부품들은 챔버 벽체, 기판 지지대, 샤워헤드, 배플(baffle), 링, 노즐 등을 포함하는 가스 분산 시스템, 조임쇄, 가열 부재, 플라즈마 스크린, 라이너, 로봇암, 조임쇄와 같은 운송 모듈 부품들, 챔버 내벽 및 외벽체 등을 포함한다.
본 발명은 금속, 세라믹 또는 폴리머 표면을 갖는 모든 형태의 부품들에 적용될 수 있지만, 설명의 편의를 위하여, 본 발명은 본 명세서에 그 전부가 원용되어 통합된 미국 특허 제 5,820,723호에서 설명된 장치와 관련하여 더욱 상세하게 설명될 것이다.
도 1은 He 후면 냉각을 하는 동안 기판(60)에 RF 바이어스를 제공할 뿐만 아니라 기판(60)에 정전기적 클램핑 힘을 제공하는 기판 홀더(70)를 포함하는 진공 공정 반응 챔버(10)를 도시한 도면이다. 포커스 링(72)은 상기 기판 상의 영역 안 에 플라즈마를 가둔다. 고밀도 플라즈마를 제공하기 위하여 적절한 RF 소스에 의해 전력이 가해지는 안테나(40)와 같이 챔버에 고밀도(예컨대, 1011∼1012 이온/㎤) 플라즈마를 유지하기 위한 에너지 소스가 반응 챔버(10)의 상단에 구비된다. 상기 챔버는 챔버의 바닥에서 가운데 위치한 진공 포트(vacuum port)(20)를 통해 챔버를 배기함에 의해 챔버의 내부(30)를 소정 압력(예컨대, 50mTorr 미만, 전형적으로는 1∼20mTorr)으로 유지하기 위한 적절한 진공 펌핑 장치를 포함한다.
안테나(40)와 공정 챔버(10)의 내부 사이에 제공된 균일한 두께의 실질적으로 편평한 절연창(50)은 공정 챔버(10)의 상부에서 진공벽을 형성한다. 가스분산판(52)은 창(50) 하부에 제공되고, 챔버(10)에 가스 공급부(gas supply)로부터 공정가스를 운반하기 위한 원형 홀과 같은 개구부를 포함한다. 원뿔형 라이너(54)는 가스분산판으로부터 연장되어 기판 홀더(70)를 둘러싼다.
동작시에, 실리콘 웨이퍼(60)와 같은 반도체 기판은 기판 홀더(70) 상에 위치되고, He 후면냉각이 사용되는 동안 정전기적 클램프(74)에 의해 고정되는 것이 일반적이다. 공정가스는 창(50)과 가스분산판(52) 사이의 간격(gap)을 통해 공정가스를 통과시켜 진공 공정 챔버(10)에 공급한다. 적절한 가스분산판 설비(예컨대, 샤워헤드)는 공동소유인 미국 특허 출원 제08/509,080호, 제08/658,258호 및 제08/658,259호에 개시되어 있고, 그 개시 내용은 여기에 원용되어 통합된다. 예를 들면, 도 1에서 창 및 가스분산판 설비는 편평하고 균일한 두께인데, 편평하지 않은 모양 및/또는 불균일한 두께 형상이 창 및/또는 가스분산판에 사용될 수 있 다. 고밀도 플라즈마는 안테나(40)에 적절한 RF 파워를 인가함으로써 기판과 창 사이의 공간에서 점화된다.
플라즈마에 노출되고 부식의 징후를 보이는 양극산화되거나 양극산화되지 않은 알루미늄 벽체와 같은 챔버 벽체(28)와, 기판 홀더(70), 조임쇄(56), 라이너(54) 등과 같은 금속, 세라믹 또는 폴리머 부품들은 본 발명에 따른 코팅을 위한 후보들이며, 따라서 플라즈마 챔버를 작동시키는 동안에 그것들을 마스크할 필요가 없다. 코팅될 금속 및/또는 합금의 예는 양극산화되거나 양극산화되지 않은 알루미늄 및 그 합금, 스테인리스 스틸, 텅스텐(W)과 몰리브덴(Mo)과 같은 내화 금속 및 그 합금, 구리 및 그 합금 등이다. 코팅될 세라믹 표면의 예는 알루미나, SiC, AlN, Si3N4, 및 BC 를 포함한다. 코팅될 폴리머 물질로서 상업적으로 입수할 수 있는 것의 예는 Teflon®과 같은 플루오로폴리머, Vespel®과 같은 폴리이미드, 그리고 200℃에 달하는 온도에서 플라즈마 챔버 안에서 유용한 다른 폴리머 물질을 포함한다. 바람직한 실시예에 있어서, 코팅될 부품은 양극산화되거나 양극산화되지 않은 알루미늄 표면(29)을 갖는 챔버 벽체(28)이다. 본 발명에 따른 코팅막은 조성, 그레인(grain) 구조 또는 표면 조건에 관계없이 알루미늄 합금의 사용을 허용한다(따라서, 고순도의 알루미늄뿐만 아니라 좀더 경제적인 알루미늄 합금의 사용을 허용한다). 다음의 논의에서, 코팅될 부품의 예는 도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 선택적인 중간 코팅막(80), 제 2 선택적인 중간 코팅막(90) 및 탄질화물 함유 코팅막(100)을 갖는 알루미늄 챔버 벽체(28)이다.
코팅된 물질이 접착이 잘 되게 하기 위하여, 알루미늄 기판(28)의 표면은 코팅을 하기 전에 산화막 또는 그리스(grease)와 같은 표면 물질을 제거하도록 철저히 세정하는 것이 바람직하다. 뿐만 아니라, 원하는 코팅막을 도포하기 전에, 기판 표면을 거칠게 하고, 기판 표면을 양극산화하고 양극산화된 기판 표면을 다시 거칠게 하는 것이 특히 바람직하다.
본 발명에 따라, 알루미늄 측벽(28) 상에 제 1 중간 코팅막(80)을 통상적인 방법으로 선택적으로 코팅한다. 선택적인 제 1 중간 코팅막(80)은 기판에 접착될 수 있고, 또 다음에 설명하는 것과 같이 선택적인 제 2 중간 코팅막(90) 또는 탄질화물 함유 코팅막을 형성하기 전에 더 처리될 수 있을 정도로 충분히 두껍다. 제 1 중간 코팅막(80)은 적어도 약 0.001 인치와 같은 두께, 바람직하게는 약 0.001과 약 0.25 인치 사이의 두께, 보다 바람직하게는 0.001과 0.1 인치 사이의 두께, 가장 바람직하게는 0.001 인치와 0.05 인치 사이의 두께 중에 적당한 두께를 가질 수 있다.
제 1 중간 코팅막(80)을 알루미늄 기판(28) 상에 증착한 후, 상기 코팅막을 적절한 기술로 송풍(blast)하거나 거칠게 한 다음, 제 2 선택적인 코팅막(90) 또는 탄질화물 함유 코팅막(100)을 덧씌운다. 거칠어진 막(80)은 특히 양호한 결합을 제공한다. 바람직하게는, 제 2 중간 코팅막(90)이 코팅막(80)에 높은 기계적 압축 강도를 부여하고 상기 코팅막(90)에 균열(fissure)이 형성되는 것을 최소화한다.
선택적인 제 2 중간 코팅막(90)은 제 1 중간 코팅막(80)에 접착될 수 있고, 또 다음에 설명하는 것과 같이 추가적인 중간 코팅막 또는 외측 탄질화물 함유 코 팅막(100)을 형성하기 전에 더 처리될 수 있을 정도로 충분히 두껍다. 제 2 중간 코팅막(90)은 적어도 약 0.001 인치와 같은 두께, 바람직하게는 약 0.001과 약 0.25 인치 사이의 두께, 보다 바람직하게는 0.001과 0.1 인치 사이의 두께, 가장 바람직하게는 0.001 인치와 0.05 인치 사이의 두께 중에 적당한 두께를 가질 수 있다.
제 1 및 제 2 중간 코팅막은 종래의 플라즈마 공정 챔버에 사용되는 물질들 중에서 하나 이상으로 만들 수 있다. 이러한 물질들의 예는 금속, 세라믹 및 폴리머를 포함한다. 특히 바람직한 금속은 하나 이상의 내화 금속, 이러한 금속을 함유하는 복합체 또는 합금을 포함한다. 특히 바람직한 세라믹은 Al2O3, SiC, Si3N4, BC, AlN, TiO2 등을 포함한다. 특히 바람직한 폴리머는 Teflon®과 같은 플루오로폴리머, Vespel®과 같은 폴리이미드, 및 200℃에 달하는 온도에서 플라즈마 챔버 안에서 유용한 다른 폴리머 물질을 포함한다. 중간막으로 사용할 수 있는 특정 물질은 또한 플러렌(fullerene) 함유 물질; 다이아몬드 및 유사-다이아몬드(diamond-like) 물질과 같은 경질 탄소 함유 물질; 예컨대 하프늄, 탄탈륨, 티타늄 및/또는 실리콘의 카바이드, 보라이드(boride), 질화물 및/또는 탄질화물; 탄화 붕소; 질화 붕소; 탄질화 붕소; 지르코니아; 이트리아 또는 여기에 언급한 물질들의 혼합물을 포함한다.
선택적일 수 있는 제 1 및 제 2 중간막(80, 90)은 코팅막이 원하는 특성에 따라 동일하거나 상이하도록 전술한 물질 중의 어떤 것이라도 될 수 있다. 동일하거나 상이한 물질로 된 제 3, 제 4 또는 제 5 중간 코팅막과 같은 추가적인 중간 코팅막도 사용될 수 있을 것이다.
탄질화물 함유 코팅막(100)은 선택적인 제 2 중간 코팅막(90) 또는 선택적인 제 1 중간 코팅막(80) 또는 알루미늄 기판(28) 상에 증착된다. 탄질화물 함유 코팅막의 두께는 적어도 0.001 인치, 바람직하게는 약 0.001과 약 0.25 인치 사이, 보다 바람직하게는 약 0.001과 약 0.1 인치 사이, 그리고 가장 바람직하게는 0.001과 0.05 인치 사이이다. 탄질화물 함유 코팅막(100)의 두께는 반응기(예를 들어, 식각, CVD 등) 안에서 직면할 플라즈마 환경과 양립할 수 있도록 선택될 수 있다. 이러한 탄질화물 함유 코팅막은 반응 챔버와 전술한 부품들의 전체 표면에 또는 부분적으로 코팅될 수 있다.
여기서 탄질화물 함유 코팅막이라 함은, 보호 기능을 하는 부식 방지 코팅막을 형성하는 것으로, 탄소 분자와 질소 분자를 모두 가지고 있는 화합물을 포함하는 코팅막을 의미한다. 바람직하게, 탄질화물 함유 코팅막은 금속 탄질화물 화합물을 함유하는데, 여기서 금속은 주기율표의 ⅡB족, ⅢB족, ⅣB족, ⅤB족, ⅥB족 또는 ⅦB족 금속, 반금속(metalloid) 또는 전이 금속이다. 보다 바람직하게, 탄질화물 함유 코팅막은 티타늄, 하프늄, 바나듐, 지르코늄, 실리콘 또는 붕소의 탄질화물 화합물이다. 가장 바람직한 화합물은 탄화질소, 탄질화 붕소, 탄질화 실리콘, 탄질화 지르코늄 그리고 탄질화 티타늄이다.
대신에, 본 발명의 탄질화물 함유 코팅막은 상기 정의된 탄질화물들 중의 어 느 하나와 경질의 부식 방지 표면을 형성하는 다른 화합물의 복합체일 수 있다. 바람직하게, 탄질화물는 이러한 복합체 안에서 연속적인 기지상(matrix phase)을 형성한다. 복합체는 전체 복합체의 약 50% 또는 그 이상 양으로 다른 보호성 물질을 포함할 수 있다. 좀 더 바람직하게, 본 발명의 복합체는 복합체를 기준으로 하여 추가적인 물질을 약 1과 40 중량% 사이, 보다 바람직하게는 약 1과 20 중량% 사이, 그리고 가장 바람직하게는 약 1과 10 중량% 사이 포함한다. 이러한 물질은 종래의 플라즈마 공정 챔버에 사용되는 물질 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 이러한 물질의 예는 하나 이상의 내화 금속, 이러한 금속을 함유하는 복합체 또는 합금을 포함한다. 특히 바람직한 세라믹은 Al2O3, SiC, Si3N4, BC, AlN, TiO2 등을 포함한다. 특히 바람직한 폴리머는 Teflon®과 같은 플루오로폴리머, Vespel®과 같은 폴리이미드, 및 200℃에 달하는 온도에서 플라즈마 챔버 안에서 유용한 다른 폴리머 물질을 포함한다. 가장 바람직한 물질은 탄질화물 물질 단독, 혹은 예컨대 하프늄, 탄탈륨, 티타늄 및/또는 실리콘의 카바이드, 보라이드, 질화물 및/또는 탄질화물과 조합한 것; 탄화 붕소; 질화 붕소; 탄질화 붕소; 지르코니아; 이트리아 또는 여기에 언급한 물질들의 혼합물을 포함한다.
본 발명의 탄질화물 함유 코팅막(100)은 열 분무, 플라즈마 분무, 화학기상증착, 승화, 레이저 증기화, 스퍼터링, 스퍼터링 증착, 이온 빔 코팅, 분무 코팅, 딥(dip) 코팅, 증발, 롤-온(roll-on) 코팅 또는 브러쉬(brush) 코팅 등과 같이 잘 알려진 코팅 기술을 이용하여 원하는 표면에 증착할 수 있다. 탄질화물 함유 코팅 막을 코팅하는 공정의 예는 예를 들어, 미국 특허 제 4,196,233호, 제 4,714,660호, 제 4,871,401호, 제 5,135,801호, 제 5,156,725호, 제 5,232,522호, 제 5,417,952호, 제 5,725,913호, 제 5,776,588호 및 Re 35,785호에 개시되어 있고, 이들의 조성과 방법은 본 명세서에 원용되어 통합된다. 적당한 기술을 이용하여 원하는 표면 위에 다른 물질로 된 중간막을 개재시키거나 개재시키지 않고 다층의 탄질화물 함유 코팅막을 증착할 수 있다.
본 발명의 다른 관점에서, 탄질화물 함유 물질로 만들어진 반도체 공정 설비 부품이 제공된다. 상기 부품은 이러한 설비 안에 일반적으로 사용되는 하나 이상의 코팅막을 포함할 수 있다.
본 발명의 탄질화물 함유 코팅막 또는 부품들을 사용하여, 초경, 부식 방지 표면을 얻는 것이 바람직하다. 이러한 코팅막이나 부품은 파티클 오염, 부식, 금속 오염 또는 휘발성 식각 부산물이 거의 또는 전혀 없도록, 공정 챔버 가스와 반응하는 물질을 포함하지 않고 화학적으로 불활성인 것이 바람직하다.
반응 챔버에서 처리되는 반도체 기판의 금속 오염을 방지하기 위하여, 탄질화물 함유 코팅막 또는 부품은 플라즈마와 직접 접촉하는 부분 또는 라이너 등과 같은 챔버 부품 뒤에 있는 부분처럼 플라즈마 환경에 노출되거나 노출되지 않는 영역 상에 놓이는 것이 바람직하다. 전이 금속 먼지, 즉, 주기율표 안의 21번부터 29번까지의 원소(스칸듐부터 구리), 39번부터 47번까지의 원소(이트륨부터 은), 57번부터 79번까지의 원소(란타늄부터 금) 중의 하나 이상 그리고 89번(악티늄)으로부터 알려진 모든 원소들을 제한하거나 차단하는 것이 특히 바람직하다. 따라서, 본 발명의 장점 중의 하나에 따르면, 침식 또는 부식에 의한 먼지 발생을 억제함으로써 불만족스러운 식각 또는 증착된 막에서의 바람직하지 않은 핀홀(pinhole)의 형성이 감소된다.
상세한 실시예를 참조하여 본 발명을 상세하게 설명하였으나, 첨부된 청구범위를 벗어남이 없이 다양한 변화 및 변형이 만들어질 수 있고, 균등물이 사용될 수 있음은 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다.
본 발명의 탄질화물 함유 코팅막 또는 부품들을 사용하여, 초경, 부식 방지 표면을 달성할 수 있다. 따라서, 반도체 공정 설비의 부품들을 위한 고순도 및 부식 저항성에 대한 요구를 충족시킬 수 있다. 챔버 물질과 관련하여 플라즈마 반응 챔버의 서비스 수명을 증가시키고, 따라서 장치의 휴지시간을 감소시킬 수 있어 반도체 웨이퍼에 대한 공정 비용을 저감시키는 데 있어서 이득이 된다. 침식 또는 부식에 의한 먼지 발생을 억제함으로써 불만족스러운 식각 또는 증착된 막에서의 바람직하지 않은 핀홀의 형성이 감소된다.
도 1은 본 발명에 따라 부식 방지 코팅막으로 코팅된 부품을 가지는 플라즈마 반응 챔버의 개략적인 단면도이다.
도 2는 도 1의 A 부분에 있는 부식 방지 코팅막을 상세하게 도시한 도면이다.

Claims (15)

  1. 폴리머, 세라믹, 또는 알루미늄이 아닌 금속인, 플라즈마 에칭 챔버의 구성 요소로서,
    상기 구성 요소 상에, 외측 부식 방지 표면을 형성하는 탄질화물 (carbonitride) 함유 코팅막; 및
    상기 구성 요소 상에, 폴리머, 세라믹, 또는 알루미늄이 아닌 금속인 적어도 하나의 중간 코팅막을 포함하고,
    상기 탄질화물 함유 코팅막은 상기 적어도 하나의 중간 코팅막 상에 있는, 플라즈마 에칭 챔버의 구성 요소.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 탄질화물 함유 코팅막은 탄화 질소인, 플라즈마 에칭 챔버의 구성 요소.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 구성 요소는 챔버 벽체인, 플라즈마 에칭 챔버의 구성 요소.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 탄질화물 함유 코팅막은 0.001 내지 0.050 인치 범위의 두께를 갖는, 플라즈마 에칭 챔버의 구성 요소.
  7. 제 1 항에 있어서,
    하나 이상의 추가 탄질화물 함유 코팅막 또는 중간 코팅막을 더 포함하는, 플라즈마 에칭 챔버의 구성 요소.
  8. 제 1 항에 있어서,
    붕소 탄질화물, 지르코늄 탄질화물, 티타늄 탄질화물 또는 실리콘 탄질화물의 탄질화물 화합물이 상기 탄질화물 함유 코팅막에서 연속적인 기지상 (matrix phase) 을 형성하는, 플라즈마 에칭 챔버의 구성 요소.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 탄질화물 함유 코팅막은 실리콘 탄질화물을 포함하는, 플라즈마 에칭 챔버의 구성 요소.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 구성 요소의 표면은 스테인리스 스틸로 이루어진, 플라즈마 에칭 챔버의 구성 요소.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 탄질화물 함유 코팅막의 상기 탄질화물은 붕소 탄질화물을 포함하고, 상기 붕소 탄질화물은 질화 붕소 또는 탄화 붕소의 복합체인, 플라즈마 에칭 챔버의 구성 요소.
  12. 제 1 항의 구성 요소의 제조 방법으로서,
    상기 구성 요소 상에, 거칠어진 표면을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 거칠어진 표면은 상기 탄질화물 함유 코팅막의 접착력을 향상시키는데 효과적인, 플라즈마 에칭 챔버의 구성 요소의 제조 방법.
  13. 제 1 항의 구성 요소의 제조 방법으로서,
    상기 방법은,
    (a) 챔버 벽체 상에 금속 또는 폴리머 코팅막인, 적어도 하나의 중간 코팅막을 증착하는 단계;
    (b) 외측 부식 방지 표면을 형성하기 위해, 상기 적어도 하나의 중간 코팅막 상에 탄질화물 함유 코팅막을 증착하는 단계를 포함하며,
    상기 탄질화물 함유 코팅막의 탄질화물은 탄화질소, 붕소 탄질화물, 실리콘 탄질화물, 지르코늄 탄질화물 또는 티타늄 탄질화물을 포함하는, 플라즈마 에칭 챔버의 구성 요소의 제조 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 탄질화물 함유 코팅막은 0.001 내지 0.050 인치 범위의 두께로 증착되는, 플라즈마 에칭 챔버의 구성 요소의 제조 방법.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 탄질화물 함유 코팅막은 화학 기상 증착, 플라즈마 분무 코팅, 승화, 레이저 기화, 스퍼터링, 스퍼터링 증착, 이온 빔 코팅, 분무 코팅, 딥 코팅, 증발 코팅, 롤-온 코팅 또는 브러쉬 코팅에 의해 증착되는, 플라즈마 에칭 챔버의 구성 요소의 제조 방법.
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Families Citing this family (395)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010062209A (ko) * 1999-12-10 2001-07-07 히가시 데쓰로 고내식성 막이 내부에 형성된 챔버를 구비하는 처리 장치
US6613442B2 (en) * 2000-12-29 2003-09-02 Lam Research Corporation Boron nitride/yttria composite components of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof
US6620520B2 (en) * 2000-12-29 2003-09-16 Lam Research Corporation Zirconia toughened ceramic components and coatings in semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof
US20040206008A1 (en) * 2001-07-16 2004-10-21 Chien-Min Sung SiCN compositions and methods
US6767844B2 (en) * 2002-07-03 2004-07-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Plasma chamber equipped with temperature-controlled focus ring and method of operating
DE10242475B3 (de) * 2002-09-11 2004-06-17 Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh Verschleißschutzschicht
US6798519B2 (en) 2002-09-30 2004-09-28 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved optical window deposition shield in a plasma processing system
US7147749B2 (en) * 2002-09-30 2006-12-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system
US6837966B2 (en) * 2002-09-30 2005-01-04 Tokyo Electron Limeted Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
US7166166B2 (en) 2002-09-30 2007-01-23 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
US7204912B2 (en) * 2002-09-30 2007-04-17 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system
US7137353B2 (en) * 2002-09-30 2006-11-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system
US7166200B2 (en) * 2002-09-30 2007-01-23 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system
KR100772740B1 (ko) * 2002-11-28 2007-11-01 동경 엘렉트론 주식회사 플라즈마 처리 용기 내부재
US6907841B2 (en) * 2002-12-27 2005-06-21 Korea Institute Of Science And Technology Apparatus and method for synthesizing spherical diamond powder by using chemical vapor deposition method
US20040134427A1 (en) * 2003-01-09 2004-07-15 Derderian Garo J. Deposition chamber surface enhancement and resulting deposition chambers
CN100495413C (zh) * 2003-03-31 2009-06-03 东京毅力科创株式会社 用于邻接在处理元件上的相邻覆层的方法
WO2004095532A2 (en) * 2003-03-31 2004-11-04 Tokyo Electron Limited A barrier layer for a processing element and a method of forming the same
US20050260354A1 (en) * 2004-05-20 2005-11-24 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. In-situ process chamber preparation methods for plasma ion implantation systems
US7119032B2 (en) 2004-08-23 2006-10-10 Air Products And Chemicals, Inc. Method to protect internal components of semiconductor processing equipment using layered superlattice materials
JP2006186306A (ja) * 2004-09-30 2006-07-13 Toshiba Ceramics Co Ltd ガス拡散プレートおよびその製造方法
US7552521B2 (en) * 2004-12-08 2009-06-30 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for improved baffle plate
US7601242B2 (en) * 2005-01-11 2009-10-13 Tokyo Electron Limited Plasma processing system and baffle assembly for use in plasma processing system
US20060225654A1 (en) * 2005-03-29 2006-10-12 Fink Steven T Disposable plasma reactor materials and methods
JP5028755B2 (ja) * 2005-06-23 2012-09-19 東京エレクトロン株式会社 半導体処理装置の表面処理方法
JP4628900B2 (ja) * 2005-08-24 2011-02-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
US20070108161A1 (en) * 2005-11-17 2007-05-17 Applied Materials, Inc. Chamber components with polymer coatings and methods of manufacture
US7514125B2 (en) * 2006-06-23 2009-04-07 Applied Materials, Inc. Methods to improve the in-film defectivity of PECVD amorphous carbon films
WO2008027845A2 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Applied Materials, Inc. Dopant activation in doped semiconductor substrates
US8097105B2 (en) * 2007-01-11 2012-01-17 Lam Research Corporation Extending lifetime of yttrium oxide as a plasma chamber material
JP2008227033A (ja) * 2007-03-12 2008-09-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
GB2460487A (en) * 2008-05-23 2009-12-09 Tesla Engineering Ltd A vacuum chamber with multi-layered walls
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US20110315081A1 (en) * 2010-06-25 2011-12-29 Law Kam S Susceptor for plasma processing chamber
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US9670574B2 (en) * 2011-02-16 2017-06-06 Spts Technologies Limited Methods of depositing aluminium layers
GB201102673D0 (en) * 2011-02-16 2011-03-30 Spp Process Technology Systems Uk Ltd Methods of depositing aluminium layers
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
WO2012148370A1 (en) * 2011-04-27 2012-11-01 Axcelis Technologies, Inc. Substantially non-oxidizing plasma treatment devices and processes
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP5758829B2 (ja) * 2012-03-27 2015-08-05 東京エレクトロン株式会社 ボロン含有シリコン酸炭窒化膜の形成方法およびシリコン酸炭窒化膜の形成方法
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US20140099794A1 (en) * 2012-09-21 2014-04-10 Applied Materials, Inc. Radical chemistry modulation and control using multiple flow pathways
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
CN103605267B (zh) * 2013-10-23 2017-04-12 上海华力微电子有限公司 远程射频等离子体源的隔离结构
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
KR20160030812A (ko) * 2014-09-11 2016-03-21 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
US9478434B2 (en) 2014-09-24 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Chlorine-based hardmask removal
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
CN105986245A (zh) * 2015-02-16 2016-10-05 中微半导体设备(上海)有限公司 改善mocvd反应工艺的部件及改善方法
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US20160362782A1 (en) * 2015-06-15 2016-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Gas dispenser and deposition apparatus using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
CN105220120B (zh) * 2015-10-27 2017-06-23 中国科学院兰州化学物理研究所 一种多层复合类富勒烯薄膜在汽车发动机上产业化的方法
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
KR20180093814A (ko) * 2017-02-14 2018-08-22 에스케이씨솔믹스 주식회사 보론카바이드를 포함하는 플라즈마 처리장치 및 그 제조방법
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20220032621A (ko) 2019-07-18 2022-03-15 엔테그리스, 아이엔씨. 아크 챔버 물질들의 혼합물을 갖는 이온 주입 시스템
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
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CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
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US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
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KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
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KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN117264451A (zh) * 2023-10-08 2023-12-22 东莞市霖晨纳米科技有限公司 一种纳米润滑陶瓷涂层材料及其制备方法

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1957952A1 (de) * 1969-11-18 1971-05-27 Siemens Ag Siliciumnitridbeschichtung an Quarzwaenden fuer Diffusions- und Oxydationsreaktoren
US3771976A (en) * 1971-01-08 1973-11-13 Texas Instruments Inc Metal carbonitride-coated article and method of producing same
US4196233A (en) 1974-02-07 1980-04-01 Ciba-Geigy Corporation Process for coating inorganic substrates with carbides, nitrides and/or carbonitrides
US4340462A (en) 1981-02-13 1982-07-20 Lam Research Corporation Adjustable electrode plasma processing chamber
FR2538987A1 (fr) 1983-01-05 1984-07-06 Commissariat Energie Atomique Enceinte pour le traitement et notamment la gravure de substrats par la methode du plasma reactif
US4534816A (en) 1984-06-22 1985-08-13 International Business Machines Corporation Single wafer plasma etch reactor
US4612077A (en) 1985-07-29 1986-09-16 The Perkin-Elmer Corporation Electrode for plasma etching system
JPS62103379A (ja) 1985-10-29 1987-05-13 Showa Alum Corp Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法
US4714660A (en) 1985-12-23 1987-12-22 Fansteel Inc. Hard coatings with multiphase microstructures
US4988564A (en) * 1986-08-25 1991-01-29 Gte Laboratories Incorporated Metal carbide, nitride, or carbonitride whiskers coated with metal carbides, nitrides, carbonitrides, or oxides
JP2584217B2 (ja) 1986-11-18 1997-02-26 株式会社豊田中央研究所 表面処理方法
JPH0741153Y2 (ja) 1987-10-26 1995-09-20 東京応化工業株式会社 試料処理用電極
US5262029A (en) 1988-05-23 1993-11-16 Lam Research Method and system for clamping semiconductor wafers
US5135801A (en) 1988-06-13 1992-08-04 Sandvik Ab Diffusion barrier coating material
US4948458A (en) 1989-08-14 1990-08-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma
US5268200A (en) * 1990-05-21 1993-12-07 Applied Materials, Inc. Method of forming plasma etch apparatus with conductive coating on inner metal surfaces of chamber to provide protection from chemical corrosion
US5052339A (en) * 1990-10-16 1991-10-01 Air Products And Chemicals, Inc. Radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition process and reactor
US5200232A (en) 1990-12-11 1993-04-06 Lam Research Corporation Reaction chamber design and method to minimize particle generation in chemical vapor deposition reactors
US5232522A (en) 1991-10-17 1993-08-03 The Dow Chemical Company Rapid omnidirectional compaction process for producing metal nitride, carbide, or carbonitride coating on ceramic substrate
US5156725A (en) 1991-10-17 1992-10-20 The Dow Chemical Company Method for producing metal carbide or carbonitride coating on ceramic substrate
US5776615A (en) 1992-11-09 1998-07-07 Northwestern University Superhard composite materials including compounds of carbon and nitrogen deposited on metal and metal nitride, carbide and carbonitride
US5366585A (en) 1993-01-28 1994-11-22 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for protection of conductive surfaces in a plasma processing reactor
JPH06280004A (ja) * 1993-03-24 1994-10-04 Japan Steel Works Ltd:The 電子ビーム蒸発源
US5246881A (en) 1993-04-14 1993-09-21 Micron Semiconductor, Inc. Low-pressure chemical vapor deposition process for depositing high-density, highly-conformal, titanium nitride films of low bulk resistivity
US5522932A (en) 1993-05-14 1996-06-04 Applied Materials, Inc. Corrosion-resistant apparatus
US5891253A (en) 1993-05-14 1999-04-06 Applied Materials, Inc. Corrosion resistant apparatus
JP3308091B2 (ja) 1994-02-03 2002-07-29 東京エレクトロン株式会社 表面処理方法およびプラズマ処理装置
US5798016A (en) 1994-03-08 1998-08-25 International Business Machines Corporation Apparatus for hot wall reactive ion etching using a dielectric or metallic liner with temperature control to achieve process stability
US5680013A (en) 1994-03-15 1997-10-21 Applied Materials, Inc. Ceramic protection for heated metal surfaces of plasma processing chamber exposed to chemically aggressive gaseous environment therein and method of protecting such heated metal surfaces
US5597272A (en) 1994-04-27 1997-01-28 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Coated hard alloy tool
EP0760526A4 (en) 1994-05-17 2001-01-10 Hitachi Ltd PLASMA TREATMENT DEVICE AND METHOD
US5417952A (en) 1994-05-27 1995-05-23 Midwest Research Institute Process for synthesizing titanium carbide, titanium nitride and titanium carbonitride
US5641375A (en) 1994-08-15 1997-06-24 Applied Materials, Inc. Plasma etching reactor with surface protection means against erosion of walls
US5885356A (en) 1994-11-30 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method of reducing residue accumulation in CVD chamber using ceramic lining
US5569356A (en) 1995-05-19 1996-10-29 Lam Research Corporation Electrode clamping assembly and method for assembly and use thereof
US5824605A (en) 1995-07-31 1998-10-20 Lam Research Corporation Gas dispersion window for plasma apparatus and method of use thereof
US5838529A (en) 1995-12-22 1998-11-17 Lam Research Corporation Low voltage electrostatic clamp for substrates such as dielectric substrates
JP3360265B2 (ja) 1996-04-26 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
US5863376A (en) 1996-06-05 1999-01-26 Lam Research Corporation Temperature controlling method and apparatus for a plasma processing chamber
US5820723A (en) 1996-06-05 1998-10-13 Lam Research Corporation Universal vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support
US6048798A (en) 1996-06-05 2000-04-11 Lam Research Corporation Apparatus for reducing process drift in inductive coupled plasma etching such as oxide layer
US5904778A (en) 1996-07-26 1999-05-18 Applied Materials, Inc. Silicon carbide composite article particularly useful for plasma reactors
US6120640A (en) * 1996-12-19 2000-09-19 Applied Materials, Inc. Boron carbide parts and coatings in a plasma reactor
US5879523A (en) 1997-09-29 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Ceramic coated metallic insulator particularly useful in a plasma sputter reactor
US6379575B1 (en) * 1997-10-21 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Treatment of etching chambers using activated cleaning gas
US6146697A (en) * 1999-03-02 2000-11-14 Kennametal Inc. MT CVD process

Also Published As

Publication number Publication date
TW514989B (en) 2002-12-21
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US6533910B2 (en) 2003-03-18
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IL156699A0 (en) 2004-01-04

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