KR100994859B1

KR100994859B1 - 표시 장치의 제조 방법

Info

Publication number: KR100994859B1
Application number: KR1020030035108A
Authority: KR
Inventors: 하야시히사오; 도리야마시게따까
Original assignee: 소니 주식회사
Priority date: 2002-05-31
Filing date: 2003-05-31
Publication date: 2010-11-16
Also published as: US20080273156A1; TWI284751B; KR20030093130A; US20050179851A1; TW200405062A; US8558981B2; US6879368B2; US20040008314A1; US7394514B2; JP4007074B2; CN100354731C; JP2004004248A; CN1469161A

Abstract

서로 대향하는 한쌍의 기판과, 이들 기판 사이에 설치된 화소 영역과, 이들 기판 중의 하나의 연장부에 설치된 외부 배선을 포함하는 표시 장치가 개시된다. 외부 배선은 연장부에 형성된 오목부 내에 배치된다. 이러한 구조를 가짐으로써, 연장부에 설치된 외부 배선을 확실하게 보호할 수 있으며 표시 장치의 신뢰도를 개선할 수 있다.

LCD, TFT, LDD, CVD, 리드 배선

Description

표시 장치의 제조 방법{METHOD OF MANUFACTURING DISPLAY DEVICE}

도 1a는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.

도 1b는 도 1a에 도시한 표시 장치의 주요 부분을 확대하여 나타낸 단면도이다.

도 2a 내지 도 2g는 도 1a에 도시한 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.

도 3a 내지 도 3i는 바람직한 실시예에 따른 리드 배선을 형성하는 방법을 설명하기 위한 확대 단면도이다.

도 4는 종래기술의 액정 디스플레이를 개략적으로 나타낸 평면도이다.

도 5는 종래기술의 리드 배선의 배치예를 확대하여 나타낸 단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 표시 장치

10 : 트렌치

11a : 기판

11b : 기판

12 : 게이트 절연막

13 : 층간 절연막

14 : 리드 배선

16 : 절연막

본 발명은, 박막 트랜지스터(TFT) 등의 각종 트랜지스터에 의해 구동되는 액정 디스플레이(LCD)와 같은, 서로 대향하는 한쌍의 기판과 그 사이에 형성된 화소 영역을 갖는 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

최근, 고정밀, 고화질의 표시를 제공하는 표시 장치가 요구되고 있다. 이러한 요구를 충족시키는 액정 디스플레이로서 박막 트랜지스터를 이용한 액티브 매트릭스 방식의 액정 디스플레이가 이용되고 있다. 박막 트랜지스터는 액정 디스플레이를 구동하기 위한 스위칭 소자로서 이용된다.

도 4는 종래기술의 액정 디스플레이의 평면도를 도시한 것이다. 액정 디스플레이는, 화상을 표시하기 위하여 매트릭스 형상으로 배열된 복수의 화소를 갖는 화소 영역 S와, 이 화소 영역 S를 둘러싸도록 배치된 주변 회로 영역 R을 구비하고 있다.

통상, TFT를 이용한 액티브 매트릭스 방식의 액정 디스플레이는, 각 TFT에 제어 신호를 송신하는 제어부와 이 제어부에 접속된 리드 배선을 갖는다. 이 리드 배선은, 액정 디스플레이의 화소 영역 S 이외의 부분, 즉 주변 회로 영역 R에 설치되는 경우가 많다. 또한, 이러한 배치는 현재 많은 LCD에 이용되고 있다.

일반적으로, TFT를 이용한 액티브 매트릭스 방식의 액정 디스플레이의 제조는, TFT가 그 위에 형성되는 구동 기판의 제조와, 이 구동 기판에 대향하는 다른 기판의 제조로 분류할 수 있다. 이들 기판은 그 사이에 간극이 형성되도록 접합 및 정렬되며, 이 간극에 액정을 주입하도록 하고 있다.

구동 기판의 제조 공정은, 먼저, 유리 기판 등의 투광성 기판 상에 각 TFT의 게이트 절연막이 되는 실리콘 산화막이나 실리콘 질화막을 형성하는 단계와, 그 다음에 층간 절연막으로서의 실리콘 산화막이나 실리콘 질화막을 형성하는 단계와, 그 다음에 리드 배선이 되는 Al(알루미늄) 등의 금속막을 형성하는 단계와, 마지막으로 금속막을 패터닝하여 리드 배선을 형성하는 단계를 포함한다. 통상, 리드 배선의 위에는 층간 절연막이 더 형성된다.

리드 배선은, 예를 들면, 특허 공개 공보 제2001-242803호 공보, 특허 공개 공보 제2001-284592호 공보, 특허 공보 제3247793호에 도시된 바와 같이, TFT를 덮는 층간 절연막 상에 형성된다. 통상의 리드 배선의 배치예를 도 5에 도시하였다. 도 5에 도시된 바와 같이, 통상의 리드 배선(14)은 층간 절연막(13) 상에 형성된다. 따라서, 기판으로부터 리드 배선(14)의 높이는 대부분의 경우 0.5㎛∼1㎛ 정도이다.

따라서, 통상의 리드 배선은 기판으로부터 0.5㎛∼1㎛ 정도의 높이에 배치되 기 때문에, 외부로부터의 압력 등에 의해 리드 배선이 손상되기 쉽다. 특히, TFT를 이용한 액티브 매트릭스 방식의 액정 디스플레이 제조 공정에 있어서는, 한쌍의 기판(유리 기판)을 접합하거나, 리드 배선이 그 위에 형성될 한쪽의 기판에 연장부를 제공하기 위해서 다른 쪽 기판의 일부를 제거할 필요가 있다. 이 때, 이 연장부에 형성된 리드 배선에 불필요한 압력이 가해지는 경우가 많다.

또한, TFT를 이용한 액티브 매트릭스 방식의 액정 디스플레이의 제조 공정에 있어서, 작업자가 리드 배선에 접촉하여 손상(긁힘)을 입힐 가능성도 있다. 리드 배선에 손상이 생기면 일렉트로마이그레이션(electromigration)이나 온도 등에 의해 도전 중에 리드 배선에 단선을 초래하여, 표시 장치의 신뢰성을 저하시키게 된다.

따라서, 본 발명은 연장부에 설치된 리드 배선을 외력으로부터 확실하게 보호할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 일 태양에 따르면, 서로 대향하는 한쌍의 기판과, 이들 기판 사이에 설치된 화소 영역과, 이들 기판 중의 하나의 연장부에 설치된 외부 배선을 포함하며, 상기 외부 배선이 상기 연장부에 형성된 오목부 내에 설치되어 있는 표시 장치가 제공된다.

본 발명의 또 다른 일 태양에 따르면, 서로 대향하는 한쌍의 기판과, 이들 기판 사이에 설치된 화소 영역과, 이들 기판 중의 하나의 연장부에 설치되어 상기 화소 영역에 신호를 입력하기 위한 외부 배선을 갖는 표시 장치의 제조 방법이 제 공된다. 이 제조 방법은 상기 연장부에 오목부를 형성하는 단계와 상기 오목부 내에 외부 배선을 배치하는 단계를 포함한다.

이러한 구성을 갖는 본 발명에 따른 표시 장치에서는, 기판들 중의 하나의 연장부에 오목부가 형성되고, 이 오목부 내에 외부 배선이 배치된다. 따라서, 외부 배선이 오목부의 주변부로부터 내측으로 메워지게 되어, 연장부에 가해지는 외압으로부터 외부 배선이 보호될 수 있게 됨으로써, 외압에 의한 리드 배선에의 악영향을 방지할 수 있게 된다.

<실시예>

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 설명한다. 도 1a는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 표시 장치(1)를 개략적으로 나타낸 평면도이며, 도 1b는 도 1a에 도시한 표시 장치(1)의 주요 부분을 확대하여 나타낸 단면도이다.

표시 장치(1)는, 서로 대향하는 한쌍의 기판(11a, 11b)과, 이들 기판(11a, 11b) 사이에 설치된 화소 영역 S와, 이들 기판 중의 하나의 연장부(본 실시예에서는 기판(11b)의 연장부)에 설치된 리드 배선(외부 배선)(14)을 포함한다. 이 표시 장치(1)는 화소 영역 S에 주로 액정을 이용하고 있는 LCD(Liquid Crystal Display)이다.

본 실시예의 표시 장치(1)는, 기판(11b)의 연장부에 설치된 리드 배선(14)이 연장부에 형성된 트렌치(오목부)(10) 내에 설치되어 있는 점에 특징이 있다.

또한, 기판(11b)의 연장부에는 표시 영역 S를 구동하기 위한 회로 소자인 집적 회로 C가 설치되어 있고, 이 집적 회로 C에는 이 리드 배선(14)을 통하여 외부 배선 부재인 플렉시블 케이블 F가 전기적으로 접속되어 있다. 이 리드 배선(14)은 복수의 리드 배선으로 구성되어 있다.

리드 배선(14)이 기판(11b)에 형성된 트렌치(10) 내에 설치되어 있기 때문에, 리드 배선(14)이 트렌치(10)의 주변부로부터 기판(11b)측으로 메워지는 상태가 되어, 리드 배선(14)을 외압으로부터 보호할 수 있게 된다.

다음에, 도 1b를 참조하여 리드 배선(14) 및 그 주변부의 단면 구조를 설명한다. 유리 기판 등의 기판(11b) 상에 SiO₂/Si₃N₄/SiO₂로 이루어지는 게이트 절연막(12)이 형성되며, 또한 게이트 절연막(12) 위에는 SiO₂나 Si₃N₄로 이루어지는 층간 절연막(13)이 형성되어 있다.

이 게이트 절연막(12)은 표시 장치(1)의 표시부가 되는 화소 영역 S에서의 TFT의 게이트 절연막으로서 형성되는 것이다. 이 게이트 절연막(12)은 화소 영역 S 이외의 영역, 즉 주변 회로 영역에 남겨져 있다.

이 층간 절연막(13) 및 게이트 절연막(12)의 일부를 에칭함으로써, 트렌치(10)가 형성된다. 트렌치(10)의 깊이는 기판(11b)에까지 미치도록 하여, 후에 배치될 리드 배선(14)을 기판(11b)에 가깝게 형성할 수 있도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 유리 기판 등의 기판(11b)을 에칭하여 에칭된 기판(11b)(트렌치(10)의 저부)의 표면에 요철이 생기게 함으로써, 리드 배선(14)의 기판(11b)에의 밀착성을 개선할 수 있게 된다.

트렌치(10)는, TFT이나 주변 회로에서 형성되는 컨택트홀(관통 홀)의 형성을 위한 에칭과 동일한 에칭 공정에 의해 형성할 수 있다. 따라서, 트렌치(10)를 형성하기 위한 포토리소그래피 공정을 추가할 필요없이, 마스크를 변경하기만 하면 된다.

본 실시예에서, 트렌치(10)는 그 저면의 폭보다 트렌치 상부의 폭이 더 넓도록, 순테이퍼 형상(normally tapered)이 되도록 형성된다. 이러한 구조로 함으로써, 리드 배선(14)과 집적 회로 C나 플렉시블 케이블 F 사이의 접속부에 트렌치(10)의 측면을 따라서 리드 배선(14)이 설치될 때, 급격한 단차에 의한 리드 배선(14)의 단선을 회피할 수 있게 된다.

리드 배선(14)을 구성하는 각 리드는 트렌치(10)의 저면에 형성된 금속막(14a)과 이 금속막(14a)을 완전히 덮도록 금속막(14a)의 상면에 형성된 배리어 메탈(15)로 이루어진다. 금속막(14a)은 예를 들면 Al, Al-Si, Al-Si-Cu, Cu로 이루어진다. 또한, 배리어 메탈(15)은 예를 들면 Ti나 TiN로 이루어진다. 이 배리어 메탈(15)을 형성함으로써, 리드 배선(14)과 집적 회로 C나 플렉시블 케이블 F 사이의 접속 신뢰성을 개선할 수 있다.

금속막(14a)과 배리어 메탈(15)의 전체 두께는, 트렌치(10)의 깊이보다 작아지도록 설정된다. 금속막(14a) 및 배리어 메탈(15)은 리드 배선(14)으로서 기능하며, 기판(11b)으로부터 리드 배선(14)의 높이가 높은 경우에는, 리드 배선(14)이 후속 공정에서의 외압에 의해 악영향을 받게 된다. 이를 방지하기 위하여, 금속막(14a) 및 배리어 메탈(15)을 트렌치(10) 내에서 배리어 메탈(15)의 상면이 층간 절연막(13)의 상면보다 낮은 위치에 배치한다.

수정예로서, 배리어 메탈(15)의 상면은 층간 절연막(13)의 상면과 동일한 높이로 할 수도 있다. 또한, 배리어 메탈(15)의 상면은 게이트 절연막(12)의 상면과 동일한 높이로 할 수도 있다. 또한, 배리어 메탈(15)의 상면은 트렌치(10)의 주변부에서 기판(11b)의 상면보다도 낮은 위치에 배치할 수도 있다. 이와 같이 함으로써, 금속막(14a) 및 배리어 메탈(15)을 트렌치(10)의 주변부로부터 더욱 내측으로 메워지게 할 수 있고, 따라서 리드 배선(14)을 후에 가해질 수 있는 외압으로부터 효과적으로 보호할 수 있게 된다.

리드 배선(14)으로부터 트렌치(10)의 저부의 모서리까지의 거리는 1㎛∼3㎛ 의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 이렇게 설정함으로써, 포토리소그래피 공정에서의 오정렬(misalignment)로 인해 리드 배선(14)이 트렌치(10)의 외측에 형성되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 리드 배선(14)을 덮고 있는 절연막(16)을 평탄하게 형성할 수 있다.

수정예로서, 트렌치(10)를 리드 배선(14)으로 전부 매립할 수도 있다. 이 경우, 트렌치(10)의 상부 개구가 막히게 되어, 절연막(16)의 형성을 위한 스핀 코팅 작업이 용이하게 된다.

다음에, 도 2a 내지 도 2g를 참조하여, 본 실시예에 따른 표시 장치(1)의 제조 방법을 설명한다. 도 2a에 도시한 바와 같이, 유리 기판으로 이루어지는 기판(11b)을 세정한 후, 스퍼터링 및 에칭에 의해 기판(11b) 상에 게이트 전극(20)을 형성한다.

다음에, 도 2b에 도시한 바와 같이, 게이트 전극(20)을 덮도록 기판(11b) 상 에 게이트 절연막(12)을 형성한 다음, 게이트 절연막(12) 상에 비정질 실리콘막(21)을 형성한다. 그 후, 비정질 실리콘막(21)에 레이저 어닐링을 실시하여 폴리실리콘막(22)을 형성한다. 폴리실리콘막(22)을 형성한 후에는, LDD(Lightly Doped Drain) 영역을 형성하기 위한 이온 주입을 행한다.

다음에, 도 2c에 도시한 바와 같이, 게이트 전극(20)에 대응하는 각 위치의 폴리실리콘막(22) 상에 스토퍼막(23)을 게이트 전극(20)에 대하여 자기 정합적으로 형성한 다음, 스토퍼막(23)을 각각 덮도록 폴리실리콘막(22) 상에 레지스트(24)를 형성한다. 그 후, 이 레지스트(24)를 마스크로 하여 이온 주입을 행하여, LDD 영역에 인접하는 소스, 드레인 영역을 형성한다.

다음에, 도 2d에 도시한 바와 같이, 폴리실리콘막(22)을 에칭한다. 그 후, 도 2e에 도시한 바와 같이, 이 폴리실리콘막(22)의 표면을 덮도록 층간 절연막(13)을 형성한다.

다음에, 도 2f에 도시한 바와 같이, 에칭에 의해 층간 절연막(13)의 필요 부분에 컨택트홀을 형성한다. 이 컨택트홀의 형성을 위한 에칭과 동시에, 나중에 리드 배선(14)이 형성될 위치의 기판의 표면에 층간 절연막(13)과 게이트 절연막(12)을 통하여 트렌치(10)를 형성한다. 이 에칭 공정의 후에는, 각 컨택트홀에 배선(25)을 형성하고, 트렌치(10) 내에 리드 배선(14)을 형성함으로써, 리드 배선(14)의 상면이 층간 절연막(13)의 상면보다 낮아지도록 한다.

배선(25) 및 리드 배선(14)을 형성한 후에는, 도 2g에 도시한 바와 같이 배선(25) 및 리드 배선(14)을 덮도록 절연막(16)을 형성한다. 이 절연막(16)에는 도 시하지 않은 광 확산면 및 반사면이 형성된다. 또한, 상기 구동 기판(11b)과는 별도로 대향 기판을 형성하여, 이들을 접합하여 그 사이에 간극을 형성한다. 마지막으로, 이 간극에 액정을 주입하여, 표시 장치(1)를 완성한다.

이하, 도 3a 내지 도 3i를 참조하여, 리드 배선(14)을 형성하는 방법에 대하여 설명한다. 우선, 유리 기판 등의 기판(11b) 상에, 화소 영역에 형성되게 되는 TFT 등을 위한 게이트 절연막(12)을 CVD 또는 열 산화법에 의해 형성한다(도 3a).

게이트 절연막(12)은, 예를 들면 실리콘 산화막 또는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 산화막을 순차 적층한 다층막이다. 이 게이트 절연막(12)의 두께는 50㎚∼300㎚이다. 게이트 절연막(12)은 포토레지스트를 이용하여 패터닝된 다음, 계속해서 드라이 에칭에 의해 에칭된다. 이 패터닝 공정 시, 리드 배선 형성부 주변에는 게이트 절연막(12)이 남게 된다. 또한, 게이트 절연막(12)을 리드 배선 형성부 주변에 남기지 않을 수도 있다.

다음에, 게이트 절연막(12)의 바로 위, 또는 게이트 절연막(12)을 남기지 않은 경우에는 기판(11b) 위에, 층간 절연막(13)을 CVD 등에 의해 형성한다(도 3b). 층간 절연막(13)은, TFT 등의 트랜지스터를 배선으로부터 절연하기 위한 막이다. 층간 절연막(13)의 두께는 100㎚∼1㎛ 정도이고, 통상 500㎚ 정도로 형성한다.

계속해서, 층간 절연막(13)을 덮도록 레지스트(24)를 도포한 다음, 노광 및 현상에 의해 패터닝한다(도 3c). 이 패터닝 시에는, 그 패턴의 폭을 후에 트렌치(10)를 형성할 수 있는 정도의 폭으로 설정해야 한다. 통상, CAD에 의해 그린 패턴을 마스크에 프린트한다. 이 때, 트렌치(10)의 폭은, 리드 배선(14)의 폭 + 2.5㎛로 설정하는 것이 바람직하며, 트렌치(10) 폭의 가능한 범위는 리드 배선(14)의 폭 + 1.0㎛∼3.0㎛이다. 트렌치(10)의 폭을 리드 배선의 폭 + 1.0㎛으로 설정한 경우, 이 폭은 포토리소그래피 공정에서의 오정렬로 인해 리드 배선(14)이 트렌치의 외측에 형성되는 것을 방지할 수 있는 하한이 된다. 트렌치(10)의 폭을 리드 배선의 폭 + 3.0㎛으로 설정한 경우, 이 폭은 후에 형성될 절연막(16)이 코팅 후에 평탄성을 잃어버리게 되는 것을 방지할 수 있는 상한이 된다. 따라서, 트렌치(10)의 폭을 전술한 범위로 하는 것이 바람직하다.

그 후, 층간 절연막(13) 및 게이트 절연막(12)을 부분적으로 에칭하여 트렌치(10)를 형성한다. 이 경우, 에칭은 10% 내지 20% 농도의 HF(hydrofluoric acid) 수용액에 절연막을 침지함으로써 50 내지 200㎚/min의 속도로 수행된다.

이 에칭은 트렌치(10)의 깊이가 기판(11b)까지 미치도록 행하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 후에 배치될 리드 배선(14)을 기판(11b)의 근처에 형성할 수 있다. 또한, 유리 기판으로 이루어지는 기판(11b)을 에칭함으로써, 에칭된 기판(11b)의 표면(트렌치(10)의 저부)에 요철이 생기게 함으로써, 리드 배선(14)의 기판(11b)에의 밀착성을 개선할 수 있게 된다.

도 3d는, 이 에칭 공정에서 트렌치(10)의 깊이가 기판(11b)까지 미치는 경우의 단면도를 도시한다. 이 경우, 10% 내지 20% 농도의 불산 수용액에 기판(11b)을 침지함으로써 이방성 에칭을 행한다.

트렌치(10)의 깊이는 후에 형성될 리드 배선(14)의 두께에 의존하지만, 리드 배선(14)의 두께를 0.5㎛으로 하면, 트렌치(10)의 깊이는 0.5㎛∼2.0㎛ 범위로 하 는 것이 바람직하다. 트렌치(10)의 깊이를 0.5㎛으로 한 경우, 이 깊이는 리드 배선(14)이 트렌치(10)의 상부 개구로부터 돌출하는 것을 방지할 수 있는 하한이 된다. 트렌치(10)의 깊이를 2.0㎛으로 한 경우, 이 깊이는 트렌치(10)의 내측과 외측 사이에 리드 배선(14)을 형성할 때 리드 배선(14)이 단선되는 것을 방지할 수 있는 상한이 된다. 따라서, 트렌치(10)의 깊이는 전술한 범위로 설정하는 것이 바람직하다.

트렌치(10)는 TFT나 주변 회로에 컨택트홀을 형성하기 위한 에칭 공정과 동일한 에칭 공정에 의해 형성할 수 있다. 따라서, 트렌치(10)를 형성하기 위해 포토레지스트 공정을 추가할 필요가 없다.

트렌치(10)는 도 3d에 도시한 바와 같이 그 저면의 폭보다 트렌치(10) 상부의 폭이 더 넓도록, 순테이퍼 형상(normally tapered)이 되도록 형성된다. 이러한 구조로 함으로써, 후에 기판(11b)에 접속될 집적 회로 C(도 1a 참조)나 플렉시블 케이블 F(도 1a 참조)과 리드 배선(14) 사이의 접속부에 트렌치(10)의 측면을 따라서 리드 배선(14)이 설치될 때, 급격한 단차에 의한 리드 배선(14)의 단선을 회피할 수 있게 된다.

트렌치(10)를 형성한 다음, 기판(11b)의 전면에 스퍼터 등에 의해, 리드 배선(14)을 구성하는 금속막(14a)를 형성한다. 금속막(14a)은 예를 들면 Al, Al-Si, Al-Si-Cu, Cu 등으로 이루어진다. 그 후, 금속막(14a)의 전면을 덮도록 배리어 메탈(15)을 형성한다. 그러나, 이 배리어 메탈(15)을 생략할 수도 있다. 도 3e는, 배리어 메탈(15)을 형성한 경우의 단면도이다.

배리어 메탈(15)은 예를 들면 Ti나 TiN으로 이루어진다. 배리어 메탈(15)을 형성함으로써, 집적 회로 C(도 1a 참조)나 플렉시블 케이블 F(도 1a 참조)와 리드 배선(14) 사이의 접속 신뢰성을 개선할 수 있다. 또한, 이 배리어 메탈(15)에 의해 알루미늄으로 이루어지는 금속막(14a)의 내부식성이 개선된다.

금속막(14a) 및 배리어 메탈(15)의 전체 높이는 트렌치(10)의 깊이보다 작게 설정된다. 금속막(14a) 및 배리어 메탈(15)은 리드 배선(14)으로서 기능하며, 기판(11b)으로부터 리드 배선(14)의 높이가 높은 경우에는 리드 배선(14)이 외압을 받기 쉽게 된다. 이를 방지하기 위하여, 금속막(14a) 및 배리어 메탈(15)은 트렌치(10) 내에서 배리어 메탈(15)의 상면이 층간 절연막(13)의 상면보다 아래에 위치하도록 배치한다.

그 후, 배리어 메탈(15)의 표면에 레지스트(28)를 도포하고, 노광 및 현상함으로써 패터닝하여 트렌치(10) 내의 배리어 메탈(15)을 마스킹 처리한다(도 3f). 그 후, 레지스트(28)를 마스크로 이용하여, 하기의 에칭 조건 하에서 이방성 에칭을 실시한다(도 3g). 즉, 에칭 가스로 Cl2와 BCl3를 이용하여, 적당한 고주파 전력을 인가하여 플라즈마 에칭을 행한다.

여기서, 배리어 메탈(15)의 상면은 층간 절연막(13)의 상면과 동일한 위치가 되도록 할 수도 있다. 또한, 배리어 메탈(15)의 상면은 게이트 절연막(12)의 상면과 동일한 위치가 되도록 할 수도 있다. 또한, 배리어 메탈(15)의 상면은 트렌치(10)의 주변부 내에서 기판(11b)의 상면보다 낮게 되도록 할 수도 있다. 이와 같이 함으로써, 금속막(14a) 및 배리어 메탈(15)을 트렌치(10)의 주변부로부터 더욱 내측으로 메워지게 할 수 있고, 따라서 리드 배선(14)을 후에 가해질 수 있는 외압으로부터 효과적으로 보호할 수 있게 된다. 그 결과, 리드 배선(14)의 단선을 보다 확실하게 회피할 수 있다.

그 후, 레지스트(28)를 제거하여 리드 배선(14)을 완성하고(도 3h), 기판(11b)의 표면에 보호막으로서 절연막(16)을 형성한다(도 3i). 절연막(16)은 주로 스핀 코팅에 의해 형성된다. 리드 배선(14)은 트렌치(10) 내에서 도 3i에 도시된 바와 같이 층간 절연막(13)의 상면으로부터 내측으로 메워지게 배치되므로, 절연막(16)의 형성을 위한 스핀 코팅 작업이 용이하게 된다.

따라서, 전술한 공정에 의해 리드 배선(14)을 트렌치(10) 내에서 리드 배선(14)이 외압으로부터 확실하게 보호되도록 제공할 수가 있어, 리드 배선(14)의 손상과 단선을 방지할 수 있게 된다.

전술한 실시예에 따른 표시 장치로서 LCD를 예로 설명하였지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 한쌍의 기판을 접합한 구성을 갖는 임의의 표시 장치에 적용 가능하다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 한쌍의 기판을 정합시켜 형성한 표시 장치로서, 한쪽의 기판에 오목부를 갖는 연장부를 제공하고, 이 오목부 내에 외부 배선을 설치하고 있다. 이러한 구조로 함으로써, 외압 등으로부터 외부 배선을 확실하게 보호할 수 있게 되며, 따라서 리드 배선의 손상을 방지하여 표시 장치의 신뢰성 저하를 방지할 수 있다.

이상 본 발명의 바람직한 실시예를 특정 용어를 사용하여 기술하였지만, 이는 단지 예시를 위한 것이며, 하기의 청구항의 사상 또는 범주를 일탈하지 않는 범위 내에서 각종 변형 및 수정이 가능한 것으로 이해되어야 한다.

Claims

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한 쌍의 기판 사이에 화소 영역을 형성하고, 상기 화소 영역에 대한 신호의 입력을 행하기 위한 리드 배선을 상기 한 쌍의 기판 중 하나의 연장부에 형성하여 이루어지는 표시 장치의 제조 방법으로서,

상기 화소 영역과 상기 연장부에 일체로 형성된 절연막 중, 상기 기판의 연장부의 상기 절연막으로부터 상기 기판 내에 걸쳐 트렌치를 형성하는 단계와,

상기 트렌치 내의 기판 표면에 상기 리드 배선을 형성하는 단계를 포함하고,

상기 트렌치를 형성하는 단계는 상기 화소 영역의 상기 절연막에 컨택트홀을 형성하는 단계와 동일한 단계인 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
제5항에 있어서,

상기 트렌치의 깊이를 상기 리드 배선의 높이 이상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
제5항에 있어서,

상기 트렌치를, 상기 연장부에 형성되는 회로 소자와 상기 연장부에 접속되는 리드 배선 부재의 접속 부분 사이에 형성하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.
제5항에 있어서,

상기 리드 배선은 상기 기판에 접하여 형성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 제조 방법.