KR100954768B1 - 열전도성 성형체 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 열전도성 성형체는 매트릭스 및 이 매트릭스 내에 존재하는 탄소 단섬유를 포함한다. 탄소 단섬유는 매트릭스 내에서 일정 방향으로 배향된다. 탄소 단섬유의 배향방향을 따라서 열전도성 성형체에 X 선을 조사하였을 때 야기되는, 탄소의 (110)면의 회절 피크의 강도 I(110)와 탄소의 (002)면의 회절 피크의 강도 I(002)와의 비 I(002)/I(110)는 10 이하이다.
열전도성 성형체, 매트릭스, 탄소 단섬유, 배향방향, 회절 피크

Description

열전도성 성형체 및 그 제조방법{Thermally conductive formed article and method of manufacturing the same}
도 1은 실시예 1 내지 5 그리고 비교예 1 내지 5의 열전도성 쉬트에 있어서 구해진 열저항과 회절 피크 강도의 비 I(002)/I(110)의 상관관계를 나타내기 위한 도면,
도 2는 실시예 1의 열전도성 쉬트의 X 선 회절도,
도 3은 실시예 2의 열전도성 쉬트의 X 선 회절도, 그리고
도 4는 비교예 1의 열전도성 쉬트의 X 선 회절도이다.
본 발명은 열전도성 성형체 및 그 제조방법에 관한 것이다.
종래, 열전도성 성형체로서, 일본 특개평 5-222620호 공보에는 특정의 단면 구조를 가지는 피치계 탄소 단섬유가 매트릭스 내에 분산된 성형체가 개시되어 있다. 일본 특개평 9-283955호 공보에는 특정의 애스팩트(aspect) 비를 가지는 흑연화 탄소 단섬유가 매트릭스 내에 분산된 성형체가 개시되어 있다. 일본 특개평 4- 173235호 공보, 일본 특개평 10-330502호 공보, 일본 특개평 11-46021호 공보, 일본 특개평 11-302545호 공보, 일본 특개 2000-195998호 공보, 일본 특개 2000-281802호 공보, 일본 특개 2001-139833호 공보, 일본 특개 2001-353736호 공보에는 탄소 단섬유가 고분자 매트릭스 중에 일정 방향으로 배향된 성형체가 개시되어 있다. 일본 특개평 11-97593호 공보, 그리고 일본 특개평 11-199949호 공보에는 탄소 단섬유가 금속 매트릭스 중에 일정 방향으로 배향된 성형체가 개시되어 있다.
상기된 종래의 열전도성 성형체는 예컨대 전자기기에 있어서 전자부품으로부터 발생하는 열을 외부로 방산시켜 전자부품의 과열을 방지하기 위한 열전도성 성형체로서 이용된다. 전자기기에 있어서, 고성능화에 수반하여 그 전자부품의 발열량이 증대되고 있다. 그러므로, 최근, 열전도 부재로서 이용되는 열전도성 성형체는 높은 열전도성을 가질 것이 요구되고 있다. 그렇지만, 종래의 열전도성 성형체는 항상 이 요구에 부합할 만큼 높은 열전도율을 가지는 것은 아니다.
본 발명의 목적은 높은 열전도성을 가지는 열전도성 성형체 및 그 열전도성 성형체를 제조하는 방법을 제공하고자 하는 것이다.
이와 같은 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 열전도성 성형체를 제공한다. 이 성형체는 매트릭스, 그리고 매트릭스 내에 존재하는 탄소 단섬유를 포함한다. 미리 정해진 방향을 따라서 열전도성 성형체에 X 선을 조사하였을 때 야기되는, 탄소의 (110)면의 회절 피크의 강도 I(110)와 탄소의 (002)면의 회절 피크의 강도 I(002)와의 비 I(002)/I(110)는 1 이하이다.
본 명세서에서, "미리 정해진 방향을 따라서 탄소 단섬유를 함유하는 성형체에 X선을 조사하였을 때 얻어지는 회절 피크 강도의 비 I(002)/I(110) 및 비 I(002)/I(100)" 각각은, 성형체 내에 얼마나 많은 탄소 단섬유가 미리 정해진 방향을 따라서 배향되는지를 알려주는 유용한 지표로 사용된다.
본 발명은 열전도성 성형체를 또한 제공한다. 이 성형체는 매트릭스, 그리고 매트릭스 내에 존재하는 탄소 단섬유를 포함한다. 미리 정해진 방향을 따라서 열전도성 성형체에 X 선을 조사하였을 때 야기되는, 탄소의 (100)면의 회절 피크의 강도 I(100)와 탄소의 (002)면의 회절 피크의 강도 I(002)와의 비 I(002)/I(100)는 2.18 이하이다.
본 발명은 열전도성 성형체를 제조하는 방법을 또한 제공한다. 이 방법은, 성형되었지만 경화되지 않은 혼합물을 조제하기 위해서 소정의 방식으로 매트릭스 재료와 탄소 단섬유를 서로 혼합함으로써 준비되는 혼합물을 형성하는 단계; 미리 정해진 방향을 따라서 열전도성 성형체에 X 선을 조사하였을 때 야기되는, 탄소의 (110)면의 회절 피크의 강도 I(110)와 탄소의 (002)면의 회절 피크의 강도 I(002)와의 비 I(002)/I(110)가 1 이하로 되도록, 혼합물 내의 탄소 단섬유를 배향시키기 위해서 성형되었지만 경화되지 않은 혼합물에 전기장이나 자기장을 인가하는 단계; 그리고 성형되었지만 경화되지 않은 혼합물을 경화시키는 단계를 포함한다.
본 발명은 열전도성 성형체를 제조하는 방법을 또한 제공한다. 이 방법은, 매트릭스 재료에 의해 기층을 형성하는 단계; 미리 정해진 방향을 따라서 열전도성 성형체에 X 선을 조사하였을 때 야기되는, 탄소의 (110)면의 회절 피크의 강도 I(110)와 탄소의 (002)면의 회절 피크의 강도 I(002)와의 비 I(002)/I(110)가 1 이하로 되도록, 정전식모(electrostatic flocking)법에 의해서 기층의 표면에 탄소 단섬유를 이식하는 단계; 그리고 이식된 탄소 단섬유가 메워지도록 매트릭스 재료에 의해서 기층의 표면을 피복하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 면과 장점들은 본 발명의 원리를 예로써 나타낸 첨부도면에 관하여 취해진 다음 설명으로부터 명백해질 것이다.
본 발명의 목적 및 장점들과 함께, 본 발명은 첨부 도면과 함께 바람직한 실시형태의 다음 설명을 참조하여 가장 잘 이해될 수 있다.
(바람직한 실시형태의 상세한 설명)
본 발명은 이하 바람직한 실시형태를 나타내는 도면을 참조하여 상세하게 설명될 것이다.
본 실시형태의 열전도성 쉬트는, 고분자 매트릭스와, 이 고분자 매트릭스 중에 열전도성 쉬트의 두께방향으로 배향된 상태로 존재하는 탄소 단섬유를 포함한다. 탄소 단섬유의 배향방향, 즉 열전도성 쉬트의 두께방향을 따라서 X 선을 조사하였을 때 야기되는, 탄소의 (110)면의 회절 피크의 강도 I(110)와 (002)면의 회절 피크의 강도 I(002)와의 비 I(002)/I(110)는 10 이하이다. 이 회절 피크 강도의 비 I(002)/I(110)는, 1 이하가 바람직하고, 0.2 이하가 보다 바람직하다. 비 I(002) /I(110)는 통상 0.01 이상의 값을 취한다. 탄소섬유의 경우, (110)면은, 기저면, 즉 C 면에 상당하는 (002)면에 대하여 직교하고, 섬유축방향에 평행하다. 그 때문에, 회절 피크 강도의 비 I(002)/I(110)는, 열전도성 쉬트에 있어서의 탄소 단섬유의 배향 정도를 나타내는 지표가 된다.
열전도성 쉬트의 경도는 용도에 따라서 적절히 설정되는 것이 바람직하지만, 쇼어 A 경도로 70 이하가 바람직하고, 쇼어 A 경도로 40 이하가 보다 바람직하고, 아스카 C 경도로 30 이하가 특히 바람직하다.
열전도성 쉬트의 두께는 20㎛ 이상이 바람직하고, 100㎛ 이상이 보다 바람직하다. 한편, 열전도성 쉬트의 두께는 10㎜ 이하가 바람직하고, 5㎜ 이하가 보다 바람직하다.
열전도성 쉬트의 두께방향에 있어서 열전도성 쉬트의 열저항값은 0.3℃/W 이하가 바람직하다.
상기된 고분자 매트릭스를 구성하는 매트릭스 재료의 종류는 특히 한정되지 않는다. 바람직하게는 매트릭스 재료는, 열가소성 수지, 열가소성 엘라스토머, 경화성 수지 및 가교 고무를 포함한다. 매트릭스 재료는 2가지 이상의 폴리머를 복합화함으로써 형성되는 폴리머 얼로이를 포함할 수 있다. 고분자 매트릭스를 구성하는 매트릭스 재료 종류의 수는, 하나이어도 좋고, 2 이상이어도 좋다.
매트릭스 재료로서의 열가소성 수지의 구체예로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체 등의 에틸렌-α-올레핀 공중합체, 폴리메틸펜틴, 폴리비닐 클로라이드, 폴리비닐리덴 클로라이드, 폴리비닐 아세테이트, 에틸렌-비닐 아세테이트 공중합체, 폴리비닐 알콜, 폴리아세탈, 폴리비닐리덴 플루오라이드나 폴리테트라플루오로에틸렌 등의 불소수지, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리스티렌, 폴리아크릴로니트릴, 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체, ABS 수지, 폴리페닐렌 에테르, 변성 폴리페닐렌 에테르, 지방족 폴리아미드류, 방향족 폴리아미드류, 폴리아미드 이미드, 폴리메타크릴산, 폴리메타크릴 에스테르, 폴리아크릴산, 폴리아크릴 에스테르, 폴리카보네이트, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리술폰, 폴리에테르 술폰, 폴리에테르 니트릴, 폴리에테르 케톤, 폴리케톤, 액정 폴리머, 실리콘 수지, 그리고 아이오노머 등을 들 수 있다.
매트릭스 재료로서의 열가소성 엘라스토머의 구체예로서는, 스티렌-부타디엔 공중합체, 스티렌-이소프렌 블록 공중합체, 및 수첨 폴리머 등의 스티렌계 열가소성 엘라스토머, 올레핀계 열가소성 엘라스토머, 염화비닐계 열가소성 엘라스토머, 폴리에스테르계 열가소성 엘라스토머, 폴리우레탄계 열가소성 엘라스토머, 그리고 폴리아미드계 열가소성 엘라스토머 등을 들 수 있다.
매트릭스 재료로서의 경화성 수지의 구체예로서는, 에폭시 수지, 폴리이미드, 비스말레이미드 수지, 벤조시클로부텐 수지, 페놀 수지, 불포화 폴리에스테르, 디알릴 프탈레이트 수지, 실리콘 수지, 폴리우레탄, 폴리이미드 실리콘, 열경화형 폴리페닐렌 에테르, 그리고 열경화형 변성 폴리페닐렌 에테르 등을 들 수 있다.
매트릭스 재료로서의 가교 고무의 구체예로서는, 천연고무, 부타디엔 고무, 이소프렌 고무, 니트릴 고무, 수첨 니트릴 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌프로필렌 고무, 염소화 폴리에틸렌, 클로로술폰화 폴리에틸렌, 부틸 고무, 할로겐화 부틸 고무, 플루오로고무, 우레탄 고무, 그리고 실리콘 고무 등을 들 수 있다.
이상 고분자 매트릭스를 구성하는 매트릭스 재료로서 예시된 중에서 특히 바람직한 것으로서는, 실리콘 고무, 에폭시 수지, 폴리우레탄, 불포화 폴리에스테르, 폴리이미드, 비스말레이미드 수지, 벤조시클로부틴 수지, 플루오로소지, 폴리페닐렌 에테르, 그리고 열가소성 엘라스토머를 들 수 있다. 또한, 그 중에서도 더욱 바람직한 것으로서는, 실리콘 고무, 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리우레탄, 그리고 열가소성 엘라스토머를 들 수 있다.
탄소 단섬유의 종류는 특별히 한정되지 않는다. 바람직하게는 탄소 단섬유는 흑연화 탄소 단섬유를 들 수 있다. 흑연화 탄소 단섬유는, 예를 들어 용융방사, 부융화, 탄화의 각 공정을 거쳐 얻어지는 피치계 또는 메소페이즈 피치계의 탄소섬유를 2000℃ 이상의 고온에서 열처리하여 얻어질 수 있다. 또한 흑연화 탄소 단섬유는 폴리이미드 섬유, 방향족 폴리아미드 섬유, 및 폴리벤자졸 섬유 등의 강직한 유기 고분자 섬유를 2000℃ 이상의 고온에서 열처리하여 얻어질 수 있다. 나아가서, 흑연화 탄소 단섬유는 기상성장법에 의해서 얻어질 수 있다.
탄소 단섬유의 평균직경은 5㎛ 이상이 바람직하다. 탄소 단섬유의 평균직경은 20㎛ 이하가 바람직하다.
탄소 단섬유의 평균길이는 5㎛ 이상이 바람직하다. 탄소 단섬유의 평균길이는 800㎛ 이하가 바람직하다.
탄소 단섬유의 섬유축방향에 있어서의 열전도율은 200W/m·K 이상이 바람직하고, 400W/m·K 이상이 보다 바람직하고, 1000W/m·K 이상이 특히 바람직하다.
열전도성 쉬트 중에 포함된 탄소 단섬유의 양은, 매트릭스 재료 100중량부에 대하여 5 중량부 이상이 바람직하다. 한편, 열전도성 쉬트 중에 포함된 탄소 단섬유의 양은, 매트릭스 재료 100중량부에 대하여 400중량부 이하가 바람직하고, 200중량부 이하가 보다 바람직하다.
다음에, 본 실시형태에 따른 열전도성 쉬트를 제조하는 제1 방법을 설명한다. 본 제1 방법에 있어서, 우선 탄소 단섬유와 매트릭스 재료를 서로 혼합하여 혼합물을 마련한다. 다음에, 혼합물을 쉬트상으로 성형한다. 성형된 혼합물은 조성물 중의 탄소 단섬유가 조성물의 두께방향을 따라서 배향된 상태로 경화된다.
탄소 단섬유와 매트릭스 재료를 혼합할 때에는, 블렌더, 믹서, 롤, 압출기 등의 혼합·혼련장치를 사용하여도 좋다.
탄소 단섬유와 매트릭스 재료의 혼합물을 쉬트상으로 성형하기 위한 방법으로서는, 바 코터법, 닥터 블레이드법, T 다이에 의한 압출 성형법, 칼렌더 성형법, 프레스 성형법, 사출 성형법, 주형 성형법, 트랜스퍼 성형법, 또는 블로 성형법 등을 들 수 있다. 혼합물이 액상인 경우에는 도장법, 인쇄법, 디스펜서법, 또는 포팅법에 의해 쉬트상으로 형성되어도 좋다.
성형된 혼합물 중의 탄소 단섬유를 배향시키는 방법으로서는, 유동장 또는 전단장을 이용한 방법, 자기장 또는 전기장을 이용한 방법 등이 있다. 탄소 단섬유는 자기장 또는 전기장을 이용한 방법에 의해서 배향되는 것이 바람직하다. 자기장 또는 전기장을 이용한 방법이란, 성형되었지만 경화되지는 않은 탄소 단섬유와 매트릭스 재료의 혼합물에 대하여 외부로부터 자기장 또는 전기장을 인가하여 혼합물 중의 탄소 단섬유를 자력선 또는 전력선과 평행하게 배향시키는 방법이다.
매트릭스 재료가 경화성 수지 또는 가교 고무인 경우, 그 경화 방법은 열경화에 한정되는 것이 아니고, 광경화나 습기경화 등, 열경화 이외의 방법이어도 좋다.
다음으로 본 실시형태에 따른 열전도성 쉬트를 제조하는 제2 방법을 설명한다. 본 제2 방법에 있어서, 우선 매트릭스 재료로 기층을 형성한다. 그 다음, 그 기층의 표면에 탄소 단섬유를 정전식모법에 의해서 이식한다. 그 후, 이식된 탄소 단섬유가 메워지도록 기층의 위에 매트릭스 재료를 더욱 적층시킨다.
본 실시형태는 다음과 같은 유익한 효과를 얻는다.
회절 피크 강도의 비 I(002)/I(110)가 10 이하이라는 것은 열전도성 쉬트 중의 탄소 단섬유가 쉬트의 두께방향을 따라서 높게 배향되어 있다는 것을 나타낸다. 이 탄소 단섬유는 섬유축선을 따라서 높은 열전도성을 가진다. 그러므로, 탄소 단섬유가 쉬트의 두께방향을 따라서 높게 배향되어 있는 열전도성 쉬트는 그 두께방향을 따라서 높은 열전도율을 가진다. 보다 상세하게는, 이 비 I(002)/I(110)가 10 이하이면, 열전도성 쉬트는 그 두께방향을 따라서 높은 열전도율을 가진다. 이 비 I(002)/I(110)가 1 이하이면, 탄소 단섬유의 배향도가 증가되어, 열전도성 쉬트의 열전도율은 쉬트의 두께방향을 따라서 보다 향상된다. 이 비 I(002)/I(110)가 0.2 이하이면, 열전도성 쉬트의 열전도율은 쉬트의 두께방향을 따라서 더욱 더 향상된다.
열전도성 쉬트의 경도를 쇼어 A 경도로 70 이하로 하면, 응력 완화성 및 추종성이 우수한 열전도성 쉬트를 얻을 수 있다. 열전도성 쉬트의 경도를 쇼어 A 경도로 40 이하로 하면, 상기의 효과를 한 단계 높일 수 있다. 열전도성 쉬트의 경도를 아스카 C 경도로 30 이하로 하면, 상기 효과를 더욱 높일 수 있다.
열전도성 쉬트의 두께를 20㎛ 이상으로 하면, 두께가 과소한 것에 기인하여 열전도성 쉬트의 제조나 취급이 곤란해지는 것을 방지할 수 있다. 열전도성 쉬트의 두께를 100㎛ 이상으로 하면, 상기 효과를 한 단계 높일 수 있다.
열전도성 쉬트의 두께를 10㎜ 이하로 하면, 두께가 과대한 것에 기인하여 열전도성 쉬트의 열전도성이 저하하는 것을 방지할 수 있다.
열전도성 쉬트의 두께방향에 있어서의 열저항값을 0.3℃/W 이하로 하면, 열전도성 쉬트의 두께방향에 있어서의 열전도성을 향상시킬 수 있다.
흑연화 탄소 단섬유는 높은 열전도율을 가진다. 그러므로, 열전도성 쉬트에 포함된 탄소 단섬유를 흑연화 탄소 단섬유로 하면, 열전도성 쉬트의 열전도성을 향상시킬 수 있다.
열전도성 쉬트에 포함된 탄소 단섬유의 평균 직경을 5㎛ 이상으로 하면, 소정의 방향으로 혼합물 중의 탄소 단섬유를 용이하게 배향시킬 수 있게 된다.
20㎛ 이하의 평균직경을 가지는 탄소 단섬유는 20㎛ 이상의 평균직경을 가지는 탄소 단섬유보다 낮은 제조비용으로 제조할 수 있다. 그러므로, 탄소 단섬유의 평균직경이 20㎛ 이하이면, 열전도성 쉬트의 제조비용을 절감할 수 있다.
5㎛ 이상의 평균길이를 가지는 탄소 단섬유는 보다 낮은 제조비용으로 제조될 수 있으며, 동시에 5㎛보다 작은 평균길이를 가지는 탄소 단섬유보다 용이하게 취급할 수 있다. 그러므로, 탄소 단섬유의 평균길이가 5㎛ 이상이면, 열전도성 쉬트의 생산성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 열전도성 쉬트의 제조비용을 절감할 수 있다.
탄소 단섬유의 평균길이를 800㎛ 이하로 하면, 소정의 방향으로 혼합물 중의 탄소 단섬유를 용이하게 배향시킬 수 있게 된다.
탄소 단섬유의 섬유축방향에 있어서의 열전도율을 200W/m·K 이상으로 하면, 열전도성 쉬트의 열전도성을 향상시킬 수 있다. 탄소 단섬유의 열전도율을 400W/m·K 이상으로 하면, 상기 효과를 한 단계 높일 수 있다. 탄소 단섬유의 열전도율을 1000W/m·K 이상으로 하면, 상기 효과를 더욱 높일 수 있다.
열전도성 쉬트에 포함된 탄소 단섬유의 양을, 매트릭스 재료 100중량부에 대하여 5중량부 이상으로 하면, 그 양이 과소한 것에 기인하여 열전도성 쉬트의 열전도성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
탄소 단섬유의 양을, 매트릭스 재료 100중량부에 대하여 400중량부 이하로 하면, 탄소 단섬유와 매트릭스 재료의 혼합물의 점도가 증대하는 것을 방지할 수 있다. 이것은 혼합물 중의 탄소 단섬유가 소정의 방향으로 배향되는 것을 비교적 용이하게 한다. 탄소 단섬유의 양을, 매트릭스 재료 100중량부에 대하여 200중량부 이하로 하면, 탄소 단섬유와 매트릭스 재료의 혼합물의 점도가 증대하는 것을 더욱 방지할 수 있다.
매트릭스를 구성하는 매트릭스 재료를 열가소성 수지, 열가소성 엘라스토머, 경화성 수지 및 가교 고무로부터 선택된 적어도 한 종으로 하면, 양호한 성형가공성을 얻을 수 있다.
매트릭스 재료를, 실리콘 고무, 에폭시 수지, 폴리우레탄, 불포화 폴리에스테르, 폴리이미드, 비스말레이미드 수지, 벤조시클로부텐 수지, 플루오로소지, 폴리페닐렌 에테르, 그리고 열가소성 엘라스토머 중 어느 하나로 하면, 내열성 및 전기적 신뢰성이 우수한 열전도성 쉬트가 얻어진다. 또한, 매트릭스 재료를, 실리콘 고무, 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리우레탄, 그리고 열가소성 엘라스토머 중 어느 하나로 하면, 상기 효과를 한 단계 높일 수 있다.
열전도성 쉬트의 제조시 자기장 또는 전기장을 이용하는 방법은, 혼합물 중의 탄소 단섬유를 확실하고 용이하게 일정 방향으로 배향시킬 수 있다. 정전식모를 이용하여 탄소 단섬유를 배향시키도록 하여도, 마찬가지로 탄소 단섬유를 확실하고 용이하게 일정 방향으로 배향시킬 수 있다.
상기 실시형태를 다음과 같이 변경하여 구성할 수도 있다.
상기 실시형태에서는 본 발명을 열전도성 쉬트, 즉 쉬트형상의 열전도성 성형체로 구체화하였지만, 이것은 한정적인 것이 아니고, 쉬트형상 이외의 열전도성 성형체로 구체화되어도 좋다. 다시 말해서, 본 발명에 따른 열전도성 성형체의 형 상은 쉬트형상으로 한정되지 않는다.
본 발명은 방열판, 배선기판, 반도체 팩키지용 부재, 히트 싱크, 히트 스프레더, 하우징 등으로 구체화되어도 좋다. 다시 말해서, 본 발명에 따른 열전도성 성형체는 방열판, 배선기판, 반도체 팩키지용 부재, 히트 싱크, 히트 스프레더, 또는 하우징일 수 있다. 본 발명이 배선기판으로 구체화된 경우, 매트릭스 재료는, 플루오로수지, 열경화형 폴리페닐렌 에테르, 열경화형 변성 폴리페닐렌 에테르, 올레핀계 수지, 벤조시클로부텐 수지, 폴리이미드, 불소화 폴리이미드, 폴리벤자졸, 그리고 불소화 폴리벤자졸 중 어느 하나인 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 유전율 및 유전정접이 작아지고, 고주파 영역에서의 특성이 양호한 배선기판을 제공할 수 있다.
열전도성 쉬트에 포함된 탄소 단섬유의 배향방향은 반드시 두께방향이 아니어도 좋고, 임의의 방향으로 변경되어도 좋다.
열전도성 쉬트 중의 탄소 단섬유의 배향도를 나타내는 지표로서, 회절 피크 강도의 비 I(002)/I(110)에 대신하여, 비 I(002)/I(100)가 사용될 수도 있다. 이 회절 피크 강도의 비 I(002)/I(100)는, 탄소 단섬유의 배향방향을 따라서 열전도성 쉬트에 X 선을 조사하였을 때 야기되는, 탄소의 (100)면의 회절 피크의 강도 I(100)와 (002)면의 회절 피크의 강도 I(002)에 근거하여 얻어진다. 회절 피크의 강도 비 I(002)/I (100)는 10 이하이고, 1 이하가 바람직하며, 0.2 이하가 보다 바람직하다. 통상, 비 I(002)/I(100)의 하한값은 0.01 이다. (100)면은, (110)면과 마찬가지로, (002)면에 대하여 직교하고, 섬유축방향에 평행하다. 그 때문에, 회절 피크 강도의 비 I(002)/I(100)도, 열전도성 쉬트에 있어서의 탄소 단섬유의 배향 정도를 나타내는 지표가 된다.
고분자 매트릭스를, 금속 매트릭스, 세라믹 매트릭스 또는 탄소 매트릭스로 변경하여도 좋다. 금속 매트릭스를 구성하는 매트릭스 재료의 구체예로서는, 알루미늄, 동, 및 그것들을 함유하는 합금 등을 들 수 있다. 또한, 세라믹 매트릭스를 구성하는 매트릭스 재료로서는, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 탄화규소, 질화붕소, 및 그것들의 전구체 등을 들 수 있다. 탄소 매트릭스를 구성하는 매트릭스 재료의 구체예로서는, 탄소, 흑연 등을 들 수 있다.
탄소 단섬유의 표면은 미리 변경될 수 있다. 탄소 단섬유로서 표면처리를 행한 것, 즉 전해산화 등의 산화처리, 혹은 커플링제나 사이징제에 의한 처리 등을 행한 것을 이용하도록 하여도 좋다. 이와 같이 하면, 매트릭스 재료와의 습윤성 및 충전성을 향상시키거나 매트릭스와 탄소 단섬유 계면의 박리강도를 개량시키거나 할 수 있다.
열전도성 쉬트에 포함된 탄소 단섬유로서, 금속, 세라믹스, 또는 유기 고분자 등으로 미리 표면의 일부 혹은 전체가 피복된 것을 이용하도록 하여도 좋다. 다시 말해서, 금속, 세라믹스, 또는 유기 고분자가 탄소 단섬유 표면의 일부 혹은 전체에 미리 부착될 수 있다. 탄소 단섬유의 표면을 금속 등으로 피복하는 방법으 로서는, 예컨대 무전해 도금법, 전해 도금법, 진공증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법 등의 물리적 증착법 이외에, 화학적 증착법, 도장법, 침지법, 혹은 메카노케미컬법 등을 들 수 있다. 메카노케미컬법에 있어서, 미세한 입자는 탄소 단섬유의 표면에 기계적으로 고착된다. 니켈이나 페라이트 등의 강자성체로 탄소 단섬유의 표면을 피복한 경우에는, 열전도성 쉬트의 제조시에 자기장을 이용하는 것에 의해서 효과적으로 탄소 단섬유를 배향시킬 수 있다. 탄소 단섬유가 산화알루미늄, 산화마그네슘, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화규소, 탄화규소, 수산화알루미늄 혹은 유기고분자 등의 전기절연체로 피복된 경우에는, 열전도성 쉬트의 제조시에 전기장 또는 정전식모를 이용하는 것에 의해 효과적으로 탄소 단섬유를 배향시킬 수 있다.
상기 실시형태의 열전도성 쉬트를 2종 이상의 탄소 단섬유를 포함하는 구성으로 하여도 좋다. 예컨대, 열전도성 쉬트는, 흑연화 탄소 단섬유와 비흑연화 탄소 단섬유를 포함할 수 있다. 또한, 열전도성 쉬트는, 2종 이상의 흑연화 탄소 단섬유, 혹은 2종 이상의 비흑연화 탄소 단섬유를 포함할 수 있다.
상기 실시형태의 열전도성 쉬트를, 금속, 세라믹스, 탄소 단섬유를 뺀 탄소 등, 탄소 단섬유 및 매트릭스 재료 이외의 성분을 포함하는 구성으로 변경하여도 좋다. 상기 금속으로서는, 은, 동, 금 등을 들 수 있다. 상기 세라믹스로서는, 산화알루미늄, 산화마그네슘, 질화붕소, 질화알루미늄, 질화규소, 탄화규소, 수산화알루미늄 등을 들 수 있다. 상기 탄소 단섬유를 뺀 탄소로서는, 구상, 비즈상, 위스커 형상, 비늘형상, 편평상, 코일상, 단층이나 다층의 튜브상 등 비섬유형상의 흑연화 탄소 또는 비흑연화 탄소, 혹은 메소카본 마이크로비즈 등을 들 수 있다. 상기 비섬유 형상의 탄소는 흑연화 탄소 및 비흑연화 탄소 중 어느 것일 수 있다.또한, 상기 탄소 단섬유를 뺀 탄소로서는, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리벤자졸 등의 유기 고분자를 2400℃ 이상의 고온으로 열처리하여 얻어진 비섬유형상의 흑연화 탄소 또는 비흑연화 탄소 등을 들 수 있다.
단층 카본나노튜브를 첨가한 경우에는, 단층 카본나노튜브 자체도 열전도성이 우수한 것이므로, 열전도성 쉬트의 열전도성을 향상시킬 수 있다. 특히 단층 카본나노튜브도 탄소 단섬유와 마찬가지로 배향시키면, 열전도성 쉬트의 열전도성을 더 한층 향상시킬 수 있다. 세라믹스를 첨가한 경우에는, 열전도성 쉬트는 전기 절연성이 향상된다. 그러므로, 세라믹스가 첨가된 열전도성 쉬트는 전기절연성이 요구되는 용도에 있어서 적절히 사용될 수 있다.
본 실시형태에 따른 열전도성 쉬트는, 탄소 단섬유 및 매트릭스 재료 이외의 구성요소로서, 금속 피복수지 등의 열전도성 충전제, 휘발성의 유기용제, 및 반응성 가소제 등을 포함할 수 있다. 휘발성의 유기용제, 반응성 가소제를 첨가한 경우에는, 탄소 단섬유와 매트릭스 재료의 혼합물 점도를 저하시킬 수 있다.
(실시예)
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.
(실시예 1)
부가형의 액상 실리콘 고무(GE 도시바 실리콘 가부시키가이샤 제 TSE3070) 100중량부와 피치계의 탄소 단섬유(가부시키가이샤 페트카 제 멜블론 밀드) 110중량부를 혼합하여 조성물 A를 조제하였다. 피치계의 탄소 단섬유는, 평균 섬유길이 가 100㎛, 평균 직경이 9㎛, 섬유축방향에 있어서의 열전도율이 1000W/m·K이다. 준비된 조성물 A를 감압탈기한 후 시트상으로 성형하였다. 그 다음, 초전도자석을 이용하여 자속밀도 10테스라의 자기장을 성형된 조성물 A에 인가해 조성물 A 중의 탄소 단섬유를 조성물 A의 두께방향으로 충분히 배향시켰다. 그 후, 성형된 조성물 A를 가열하여 경화시킴으로써, 종 20㎜ × 횡 20㎜ × 두께 1㎜의 열전도성 쉬트를 얻었다.
(실시예 2)
상기 조성물 A를 감압탈기한 후 쉬트상으로 성형하였다. 그 다음, 초전도자석을 이용하여 자속밀도 6 테스라의 자기장을 성형된 조성물 A에 인가해 조성물 A 중의 탄소 단섬유를 조성물 A의 두께방향으로 충분히 배향시켰다. 그 후, 성형된 조성물 A를 가열하여 경화시킴으로써, 종 20㎜ × 횡 20㎜ × 두께 1㎜의 열전도성 쉬트를 얻었다.
(비교예 1)
상기 조성물 A를 감압탈기한 후 쉬트상으로 성형하였다. 그 다음, 성형된 조성물 A를 가열하여 경화시킴으로써 종 20㎜ × 횡 20㎜ × 두께 1㎜의 열전도성 쉬트를 얻었다.
(비교예 2)
상기 조성물 A를 감압탈기한 후 쉬트상으로 성형하였다. 그 다음, 초전도자석을 이용하여 자속밀도 2 테스라의 자기장을 성형된 조성물 A에 인가해 조성물 A 중의 탄소 단섬유를 조성물 A의 두께방향으로 어느 정도 배향시켰다. 그 후, 성형 된 조성물 A를 가열하여 경화시킴으로써, 종 20㎜ × 횡 20㎜ × 두께 1㎜의 열전도성 쉬트를 얻었다.
(실시예 3)
액상 에폭시 수지(쓰리 본드 가부시키가이샤 제) 100중량부와, 피치계의 탄소 단섬유(아모코 사 제 K110X) 40중량부와, 질화붕소 분말(쇼와 덴코 가부시키가이샤 제 UHP-EX) 10중량부를 혼합하여 조성물 B를 조제하였다. 피치계의 탄소 단섬유는, 평균 섬유길이가 100㎛, 평균 직경이 10㎛, 섬유축방향에 있어서의 열전도율이 1050W/m·K이다. 준비된 상기 조성물 B를 감압탈기하여 시트상으로 성형하였다. 그 다음, 초전도자석을 이용하여 자속밀도 10테스라의 자기장을 성형된 조성물 B에 인가해 조성물 B 중의 탄소 단섬유를 조성물 B의 두께 방향으로 충분히 배향시켰다. 그 후, 성형된 조성물 B를 가열하여 경화시킴으로써, 종 20㎜ × 횡 20㎜ × 두께 1㎜의 열전도성 쉬트를 얻었다.
(비교예 3)
상기 조성물 B를 감압탈기하여 쉬트상으로 성형하였다. 그 다음, 초전도자석을 이용하여 자속밀도 1 테스라의 자기장을 성형된 조성물 B에 인가해 조성물 B 중의 탄소 단섬유를 조성물 B의 두께방향으로 어느 정도 배향시켰다. 그 후, 성형된 조성물 B를 가열하여 경화시킴으로써, 종 20㎜ × 횡 20㎜ × 두께 1㎜의 열전도성 쉬트를 얻었다.
(실시예 4)
N-메틸 피롤리돈을 포함하는 폴리이미드 바니쉬(우베 인더스트리스 제 유피 파인 ST, 고형분농도 18.5%) 100중량부(고형분 환산)와, 탄소 단섬유(일본 그래파이트 화이버 가부시키가이샤 제) 40중량부와, 구상 산화알루미늄 분말(쇼와 덴코 가부시키가이샤 제 A20, 평균 입자직경 30㎛) 40중량부를 혼합하여 조성물 C를 조제하였다. 여기에서 이용된 탄소 단섬유는, 무전해 도금에 의해서 강자성 니켈로 표면이 피복된 것으로서, 평균 섬유길이가 25㎛, 평균 직경이 10㎛, 섬유축방향에 있어서의 열전도율이 1000W/m·K이다. 준비된 상기 조성물 C를 종 20㎜ × 횡 20㎜ × 두께 40㎜의 블록상으로 성형하였다. 그 다음, 영구자석을 이용하여 자속밀도 0.5 테스라의 자기장을 성형된 조성물 C에 인가해 조성물 C 중의 탄소 단섬유를 조성물 C의 두께방향으로 충분히 배향시켰다. 그 다음, N-메틸 피롤리돈을 제거하는 동시에 가열하여 경화시킴으로써, 블록상의 열전도성 성형체를 얻었다. 그 후, 그 열전도성 성형체를 슬라이스하여 두께방향으로 탄소 단섬유가 배향된 종 20㎜ × 횡 20㎜ × 두께 200㎛의 열전도성 쉬트를 얻었다.
(비교예 4)
상기 조성물 C를 종 20㎜ × 횡 20㎜ × 두께 40㎜의 블록상으로 성형하였다. 그 다음, 영구자석을 이용하여 자속밀도 0.1 테스라의 자기장을 성형된 조성물 C에 인가해 조성물 C 중의 탄소 단섬유를 조성물 C의 두께 방향으로 어느 정도 배향시켰다. 그 다음, N-메틸 피롤리돈을 제거하는 동시에 조성물 C를 가열하여 경화시킴으로써, 블록상의 열전도성 성형체를 얻었다. 그리고, 그 열전도성 성형체를 슬라이스하여, 두께방향으로 탄소 단섬유가 배향된 종 20㎜ × 횡 20㎜ × 두께 200㎛의 열전도성 쉬트를 얻었다.
(실시예 5)
부가형의 액상 실리콘 고무(GE 도시바 실리콘 가부시키가이샤 제 TSE3070)를 이형(離型) 필름 상에 스크린 인쇄하여 두께 60㎛의 기층을 형성하였다. 그 다음, 그 기층의 표면에 정전식모법에 의해서 피치계의 탄소 단섬유(아모코 사 제 K1100X)를 이식하였다. 계속해서, 이식된 탄소 단섬유가 메워지도록 기층 상에 부가형의 액상 실리콘 고무(상동)를 더 피복하였다. 그 다음, 액상 실리콘 고무를 가열하여 경화시킴으로써, 두께 500㎛의 열전도성 쉬트를 얻었다. 피치계의 탄소 단섬유는, 평균 섬유길이가 150㎛, 평균 직경이 10㎛, 섬유축방향에 있어서의 열전도율이 1050W/m·K이다. 열전도성 쉬트에 있어서의 탄소 단섬유의 함유량은, 실리콘 고무 100중량부에 대하여 8중량부이다.
(비교예 5)
부가형의 액상 실리콘 고무(GE 도시바 실리콘 가부시키가이샤 제 TSE3070)를 이형 필름 상에 스크린 인쇄하여 두께 60㎛의 기층을 형성하였다. 그 다음, 계속해서 그 기층 상에 부가형의 액상 실리콘 고무(상동) 100중량부와 PAN계의 탄소 단섬유(미츠비시 가가쿠 가부시키가이샤 제 K1352U) 8중량부의 혼합물을 적층시켰다. 그 후, 적층된 것을 가열하여 경화시킴으로써, 두께 500㎛의 열전도성 쉬트를 얻었다. 탄소 단섬유는, 평균 섬유길이가 150㎛, 평균 직경이 10㎛, 섬유축방향에 있어서의 열전도율이 140W/m·K이다.
이상의 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 5의 각 예에서 얻어진 열전도성 쉬트에 관해서, 쉬트의 두께방향에 있어서의 열저항, 및 동 두께방향을 따라서 X 선을 조사하였을 때의 X 선 회절도에 있어서의 회절 피크 강도의 비 I(002)/I(110), I(002)/I(100)을 각각 구하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타낸다. 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 5의 열전도성 쉬트에 있어서의 열저항과 회절 피크 강도의 비 I(002)/I(110)와의 상관관계를 도 1에 도시한다. 도 1 중의 원 내의 숫자는 실시예의 번호를, 삼각형 내의 숫자는 비교예의 번호를 나타낸다. 실시예 1, 2 및 비교예 3의 각 예에서 얻어진 열전도성 쉬트에 관해서는, X 선 회절도를 도 2 내지 4에 나타낸다.
열저항은, TO-3형 트랜지스터와 동판 사이에 열전도성 쉬트를 끼우고 트랜지스터를 30와트로 가열하였을 때 측정되는 트랜지스터의 온도와 동판의 온도에 근거하여 산출된다. 계산은 다음 식에 의해서 수행된다.
열저항(℃/W) = [트랜지스터의 온도(℃) - 동판의 온도(℃)] / 전력(W)
회절 피크 강도의 비 I(002)/I(110) 및 비 I(002)/I(100)는, 열전도성 쉬트의 두께방향을 따라서 각 열전도성 쉬트 상에 X 선을 조사하였을 때 야기되는, 탄소의 (110)면의 회절 피크의 강도 I(110)와, 탄소의 (100)면의 회절 피크의 강도 I(100)와, (002)면의 회절 피크의 강도 I(002)에 근거하여 산출된다. X 선을 회절시키기 위해서, X 선 회절장치(맥 사이언스 가부시키가이샤 제 MXP-18)가 사용되며, X 선 광원으로서 30㎸, 15㎃의 조건에서 발생되는 CuK α선이 이용된다. 측정은 0에서 90°(= 2θ)의 범위 내에서 수행되었다. X 선 회절패턴에 있어서, (002)면은 2θ= 대략 26°(= 2θ)에서 나타나고, (100)면은 대략 42°(= 2θ)에서 나타나고, (110)면은 대략 77°(= 2θ)에서 나타난다.
배합성분 자속밀도 (테스라) 열저항 (℃/W) I(002) /I(110) I(002) /I(100)
매트릭스 탄소 단섬유 기타
실시예1 실리콘고무 100중량부 110중량부 - 10 0.20 0.07 0.09
실시예2 실리콘고무 100중량부 110중량부 - 6 0.28 0.40 0.58
비교예1 실리콘고무 100중량부 110중량부 - - 0.95 67.0 101.6
비교예2 실리콘고무 100중량부 110중량부 - 2 0.45 17.0 38.5
실시예3 에폭시수지 100중량부 40중량부 질화붕소 10중량부 10 0.22 0.18 0.21
비교예3 에폭시수지 100중량부 40중량부 질화붕소 10중량부 1 0.52 12.5 22.8
실시예4 폴리이미드 바니쉬 100중량부 40중량부 구상알루미나 40중량부 0.5 0.22 0.95 2.18
비교예4 폴리이미드 바니쉬 100중량부 40중량부 구상알루미나 40중량부 0.1 1.02 47.5 98.3
실시예5 실리콘고무 100중량부 8중량부 - - 0.15 0.12 0.19
비교예5 실리콘고무 100중량부 8중량부 - - 0.62 90.7 205.5

표 1 및 도 1에 나타낸 바와 같이, 회절 피크 강도의 비 I(002)/I(110)가 10을 넘는 비교예 1 내지 5에 비하여, 비 I(002)/I(110)가 10 이하인 실시예 1 내지 5에서, 열저항이 작아지는 결과가 얻어졌다. 이것으로부터, 실시예 1 내지 5의 열전도성 쉬트는, 비교예 1 내지 5의 열전도성 쉬트보다도 열전도성이 우수한 것이 나타났다.
또한, 회절 피크 강도의 비 I(002)/I(100)에 착안한 경우, 비교예 1 내지 5는 모 두 10을 상회하는 것에 비하여, 실시예 1 내지 5는 모두 10 이하라고 하는 결과가 되었다. 이것으로부터, 비 I(002)/I(110)를 대신하여, 비 I(002)/I(100) 를 규정하는 것에 의해서도 열전도성 쉬트의 열전도성의 개선을 도모하는 것이 가능한 것을 알 수 있다.
그러므로, 본 실시예 및 실시형태는 단지 예시이며 제한적이지 않은 것으로 고려되어야 하고 본 발명은 여기에 주어진 상세로 한정되는 것은 아니며, 첨부된 청구항의 범위 및 동등물 내에서 변경될 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 회절 피크 강도의 비 I(002)/I(110)를 규정하는 것에 의해서, 우수한 열전도성을 가지는 열전도성 성형체를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 탄소 단섬유를 확실하고 용이하게 일정방향으로 배향시킬 수 있는 동시에 우수한 열전도성을 가지는 열전도성 성형체 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.

Claims (20)

  1. 매트릭스; 그리고
    상기 매트릭스 내에 존재하는 탄소 단섬유를 포함하고 있으며,
    미리 정해진 방향을 따라서 열전도성 성형체에 X 선을 조사하였을 때 야기되는, 탄소의 (110)면의 회절 피크의 강도 I(110)와 탄소의 (002)면의 회절 피크의 강도 I(002)와의 비 I(002)/I(110)는 1 이하이며,
    상기 열전도성 성형체는 강자성 물질을 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 열전도성 성형체.
  2. 제 1 항에 있어서, 비 I(002)/I(110)는 0.4 이하인 것을 특징으로 하는 열전도성 성형체.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 탄소 단섬유는 섬유축방향을 따라서 200W/m·K 이상의 열전도율을 가지는 것을 특징으로 하는 열전도성 성형체.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 매트릭스는 고분자 매트릭스, 금속 매트릭스, 세라믹 매트릭스, 및 탄소 매트릭스로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 열전도성 성형체.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 고분자 매트릭스를 형성하는 매트릭스 재료는 열가소성 수지, 열가소성 엘라스토머, 경화성 수지, 및 가교 고무로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 열전도성 성형체.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 열전도성 성형체 중의 상기 탄소 단섬유의 양은 상기 매트릭스를 형성하는 상기 매트릭스 재료 100중량부에 대하여 5 내지 400중량부인 것을 특징으로 하는 열전도성 성형체.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 열전도성 성형체는 상기 미리 정해진 방향에 있어서 0.3℃/W 이하의 열저항값을 가지는 것을 특징으로 하는 열전도성 성형체.
  8. 매트릭스; 그리고
    상기 매트릭스 내에 존재하는 탄소 단섬유를 포함하고 있으며,
    미리 정해진 방향을 따라서 열전도성 성형체에 X 선을 조사하였을 때 야기되는, 탄소의 (100)면의 회절 피크의 강도 I(100)와 탄소의 (002)면의 회절 피크의 강도 I(002)와의 비 I(002)/I(100)는 2.18 이하이며,
    상기 열전도성 성형체는 강자성 물질을 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 열전도성 성형체.
  9. 제 8 항에 있어서, 비 I(002)/I(100)는 1 이하인 것을 특징으로 하는 열전도성 성형체.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 탄소 단섬유는 섬유축방향을 따라서 200W/m·K 이상의 열전도율을 가지는 것을 특징으로 하는 열전도성 성형체.
  11. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 매트릭스는 고분자 매트릭스, 금속 매트릭스, 세라믹 매트릭스, 및 탄소 매트릭스로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 열전도성 성형체.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 고분자 매트릭스를 형성하는 매트릭스 재료는 열가소성 수지, 열가소성 엘라스토머, 경화성 수지, 및 가교 고무로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 열전도성 성형체.
  13. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 열전도성 성형체 중의 상기 탄소 단섬유의 양은 상기 매트릭스를 형성하는 상기 매트릭스 재료 100중량부에 대하여 5 내지 400중량부인 것을 특징으로 하는 열전도성 성형체.
  14. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 열전도성 성형체는 상기 미리 정해진 방향에 있어서 0.3℃/W 이하의 열저항값을 가지는 것을 특징으로 하는 열전도성 성형체.
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 성형되었지만 경화되지 않은 혼합물을 조제하기 위해서 소정의 방식으로 매트릭스 재료와 탄소 단섬유를 서로 혼합함으로써 준비되는 혼합물을 형성하는 단계;
    미리 정해진 방향을 따라서 열전도성 성형체에 X 선을 조사하였을 때 야기되는, 탄소의 (110)면의 회절 피크의 강도 I(110)와 탄소의 (002)면의 회절 피크의 강도 I(002)와의 비 I(002)/I(110)가 1 이하로 되도록, 혼합물 내의 탄소 단섬유를 배향시키기 위해서 성형되었지만 경화되지 않은 혼합물에 전기장이나 자기장을 인가하는 단계; 그리고
    성형되었지만 경화되지 않은 혼합물을 경화시키는 단계를 포함하며,
    상기 혼합물은 강자성 물질을 함유하지 않으며,
    상기 혼합물 내의 탄소 단섬유의 배향은 6 내지 10 테스라의 자기장을 상기 혼합물에 인가하여 얻어지는 것을 특징으로 하는 열전도성 성형체의 제조방법.
  20. 제 19 항에 있어서, 비 I(002)/I(100)는 0.4 이하인 것을 특징으로 하는 열전도성 성형체의 제조방법.
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