KR100941305B1 - 질화물 반도체 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (26)
- 기재 기판; 및상기 기재 기판의 표면 상에 성장된 질화물 반도체막을 포함하고,상기 기재 기판의 뒷면에는 제1 방향으로 평행하게 형성된 복수의 제1 트렌치들이 형성되어 있으며, 상기 복수의 제1 트렌치들 간의 피치가, 상기 질화물 반도체막의 성장시에 발생하는 상기 기재 기판의 중심부에서 주변부로 갈수록 커지는 응력을 흡수 경감하도록, 상기 기재 기판의 중심부에서 주변부로 갈수록 점점 좁아지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판.
- 제1항에 있어서,상기 기재 기판의 뒷면에는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 평행하게 형성된 복수의 제2 트렌치들이 더 형성되어 있고, 상기 복수의 제2 트렌치들 간의 피치가 상기 기재 기판의 중심부에서 주변부로 갈수록 점점 좁아지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판.
- 기재 기판; 및상기 기재 기판의 표면 상에 성장된 질화물 반도체막을 포함하고,상기 기재 기판의 뒷면에는 제1 방향으로 평행하게 형성된 복수의 제1 트렌치들이 형성되어 있으며, 상기 복수의 제1 트렌치들의 폭이, 상기 질화물 반도체막의 성장시에 발생하는 상기 기재 기판의 중심부에서 주변부로 갈수록 커지는 응력을 흡수 경감하도록, 상기 기재 기판의 중심부에서 주변부로 갈수록 점점 넓어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판.
- 제3항에 있어서,상기 기재 기판의 뒷면에는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 평행하게 형성된 복수의 제2 트렌치들이 더 형성되어 있고, 상기 복수의 제2 트렌치들의 폭이 상기 기재 기판의 중심부에서 주변부로 갈수록 점점 넓어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판.
- 기재 기판; 및상기 기재 기판의 표면 상에 성장된 질화물 반도체막을 포함하고,상기 기재 기판의 뒷면에는 제1 방향으로 평행하게 형성된 복수의 제1 트렌치들이 형성되어 있으며, 상기 복수의 제1 트렌치들의 깊이가, 상기 질화물 반도체막의 성장시에 발생하는 상기 기재 기판의 중심부에서 주변부로 갈수록 커지는 응력을 흡수 경감하도록, 상기 기재 기판의 중심부에서 주변부로 갈수록 점점 깊어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판.
- 제5항에 있어서,상기 기재 기판의 뒷면에는 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 평행하게 형성된 복수의 제2 트렌치들이 더 형성되어 있고, 상기 복수의 제2 트렌치들의 깊이가 상기 기재 기판의 중심부에서 주변부로 갈수록 점점 깊어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판.
- 제2항, 제4항 또는 제6항에 있어서,상기 제1 방향과 제2 방향은 서로 수직으로 교차하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기재 기판은 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판.
- 기재 기판의 일면에, 제1 방향으로 평행한 복수의 제1 트렌치들을 형성하는 단계; 및상기 기재 기판의 상기 제1 트렌치들이 형성된 면과 대향하는 타면 상에, 질화물 반도체막을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 복수의 제1 트렌치들 간의 피치가, 상기 질화물 반도체막의 성장시에 발생하는 상기 기재 기판의 중심부에서 주변부로 갈수록 커지는 응력을 흡수 경감하도록, 상기 기재 기판의 중심부에서 주변부로 갈수록 점점 좁아지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판의 제조 방법.
- 제9항에 있어서,상기 기재 기판의 일면에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 평행한 복수의 제2 트렌치들을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 복수의 제2 트렌치들 간의 피치가 상기 기재 기판의 중심부에서 주변부로 갈수록 점점 좁아지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판의 제조 방법.
- 기재 기판의 일면에, 제1 방향으로 평행한 복수의 제1 트렌치들을 형성하는 단계; 및상기 기재 기판의 상기 제1 트렌치들이 형성된 면과 대향하는 타면 상에, 질화물 반도체막을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 복수의 제1 트렌치들의 폭이, 상기 질화물 반도체막의 성장시에 발생하는 상기 기재 기판의 중심부에서 주변부로 갈수록 커지는 응력을 흡수 경감하도록, 상기 기재 기판의 중심부에서 주변부로 갈수록 점점 넓어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판의 제조 방법.
- 제11항에 있어서,상기 기재 기판의 일면에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 평행한 복수의 제2 트렌치들을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 복수의 제2 트렌치들의 폭이 상기 기재 기판의 중심부에서 주변부로 갈수록 점점 넓어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판의 제조 방법.
- 기재 기판의 일면에, 제1 방향으로 평행한 복수의 제1 트렌치들을 형성하는 단계; 및상기 기재 기판의 상기 제1 트렌치들이 형성된 면과 대향하는 타면 상에, 질화물 반도체막을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 복수의 제1 트렌치들의 깊이가, 상기 질화물 반도체막의 성장시에 발생하는 상기 기재 기판의 중심부에서 주변부로 갈수록 커지는 응력을 흡수 경감하도록, 상기 기재 기판의 중심부에서 주변부로 갈수록 점점 깊어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판의 제조 방법.
- 제13항에 있어서,상기 기재 기판의 일면에 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 평행한 복수의 제2 트렌치들을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 복수의 제2 트렌치들의 깊이가 상기 기재 기판의 중심부에서 주변부로 갈수록 점점 깊어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판의 제조 방법.
- 제10항, 제12항 또는 제14항에 있어서,상기 제1 방향과 제2 방향은 서로 수직으로 교차하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판의 제조 방법.
- 제9항, 제11항 또는 제13항에 있어서,상기 제1 트렌치들은 소잉 휠(sawing wheel)을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판의 제조 방법.
- 제9항, 제11항 또는 제13항에 있어서,상기 제1 트렌치들은 사진 식각 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판의 제조 방법.
- 제9항, 제11항 또는 제13항에 있어서,상기 질화물 반도체막은 MOCVD법 또는 HVPE법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판의 제조 방법.
- 제9항, 제11항 또는 제13항에 있어서,상기 기재 기판은 실리콘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판의 제조 방법.
- 제9항, 제11항 또는 제13항에 있어서,상기 질화물 반도체막을 형성한 후, 상기 기재 기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판의 제조 방법.
- 제20항에 있어서,상기 기재 기판은 실리콘으로 이루어지고, 상기 기재 기판은 습식 식각 방법으로 제거되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판의 제조 방법.
- 제10항, 제12항 또는 제14항에 있어서,상기 제1 및 제2 트렌치들은 소잉 휠을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판의 제조 방법.
- 제10항, 제12항 또는 제14항에 있어서,상기 제1 및 제2 트렌치들은 사진 식각 방법을 이용하여 형성되는 것을 특징 으로 하는 질화물 반도체 기판의 제조 방법.
- 제10항, 제12항 또는 제14항에 있어서,상기 질화물 반도체막은 MOCVD법 또는 HVPE법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판의 제조 방법.
- 제10항, 제12항 또는 제14항에 있어서,상기 질화물 반도체막을 형성한 후, 상기 기재 기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판의 제조 방법.
- 제25항에 있어서,상기 기재 기판은 실리콘으로 이루어지고, 상기 기재 기판은 습식 식각 방법으로 제거되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기판의 제조 방법.
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