JP2005298254A - 化合物半導体単結晶成長用容器及びそれを用いた化合物半導体単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】種結晶収納部たる細径部1a、該細径部から上方に向けて径が大きくなる増径部1b、及び該増径部から上方に続く結晶成長部たる筒状の定径部1cを有する化合物半導体単結晶の成長用容器において、その増径部1bの内壁のなす角度を120°以上160°未満とする。
【選択図】 図1
Description
縦型ボート法でGaAsなどの閃亜鉛鉱型構造の化合物半導体単結晶を成長する場合、一般に(100)方位の単結晶を成長する。この時、増径部に(111)ファセット面が現れ、このファセット面から双晶が発生することが知られている。一般に、双晶はファセット面が結晶深く成長した場合に発生し易いと考えられている。また、ファセット面の深さは、単結晶成長用容器の増径部の内壁のなす角度と関連があるとも考えられている。
本発明の実施例について、図1、図2を用いて説明する。なお、図1は本実施例で使用される結晶成長用容器の縦断面図を示し、図2は本実施例での結晶成長用容器を含む結晶成長装置の断面図を示している。
単結晶成長用容器の増径部の内壁のなす角度aがa=120°未満である以外は、実施例と同様の条件でGaAs単結晶の成長を50回実施した。その結果、All Singleの割合は、40%以下であり、増径部で発生した双晶の割合は15%以上であり、多結晶の割合は3%以下であった。
単結晶成長用容器の増径部の内壁のなす角度aがa=160°以上である以外は、実施例と同様の条件でGaAs単結晶成長を50回実施した。その結果、All Singleの割合は、65%以下であり、増径部で発生した双晶の割合は5%以下であり、多結晶の割合は15%以上であった。
単結晶成長用容器の増径部の内壁のなす角度aがa=120°以上160°未満の場合を(条件1)、増径部の内壁のなす角度aがa=120°未満の場合を(条件2)、増径部の内壁のなす角度aがa=160°以上の場合を(条件3)とし、温度勾配とAll Singleの割合の関係を調査した。
上記実施例では、垂直ブリッジマン法(VB法)によるGaAs単結晶成長の結晶成長用容器について述べた。しかし、本発明はGaAs単結晶の成長に限られるものではなく、InP、GaPなどの閃亜鉛鉱型構造の化合物半導体の単結晶を、垂直ブリッジマン法により成長する場合の結晶成長用容器に適用することもでき、同様の効果を得ることができる。
本発明による結晶成長用容器で得られる化合物半導体単結晶は、従来法よりもAll Singleの割合が高いばかりでなく、従来法で得られた化合物半導体単結晶に比べ、転位等の結晶欠陥が少ない。これは、従来法の場合は、All Singleであっても、リネージ、亜粒界には発展しないまでも転位が集積していることを示している。本発明で得られる化合物半導体単結晶ウェハは、これを用いて素子を作成した場合、転位等の結晶欠陥に基づく素子歩留りの低下を防止することができる。従って、本発明による工業生産における経済的効果は多大なものがある。
1a 細径部
1b 増径部
1c 定径部
2 GaAs種結晶
3 圧力容器
4a、4b、4c ヒータ
5a GaAs原料融液
5b GaAs単結晶
6 液体封止剤B2O3融液層
a 増径部の内壁のなす角度
b 成長結晶部直径
c 成長結晶部長さ
d 種結晶部直径
Claims (4)
- 種結晶収納部たる細径部、該細径部から上方に向けて径が大きくなる増径部、及び該増径部から上方に続く結晶成長部たる筒状の定径部を有する化合物半導体単結晶の成長用容器において、
成長用容器の増径部の内壁のなす角度が120°以上160°未満であることを特徴とする化合物半導体単結晶成長用容器。 - 請求項1記載の化合物半導体単結晶成長用容器において、
上記細径部が円管状で、上記定径部がほぼ一定の直径を有する円筒状であり、両者を結ぶ上記増径部が逆円錐台の管状であることを特徴とする化合物半導体単結晶成長用容器。 - 成長用容器に原料融液を収納し、該成長用容器の底部に予め配置した種結晶より結晶成長を開始して、徐々に上方に結晶化を進行せしめ、ついには原料融液全体を結晶化させる化合物半導体単結晶の製造方法において、
成長用容器として、種結晶収納部たる細径部、該細径部から上方に向けて径が大きくなる増径部、及び該増径部から上方に続く結晶成長部たる筒状の定径部を有する容器であって、その増径部の内壁のなす角度が120°以上160°未満である容器を用いて、化合物半導体単結晶を製造することを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。 - 請求項3記載の化合物半導体単結晶の製造方法において、
成長用容器として、種結晶収納部たる円管状の細径部、該細径部から上方に向けて直径が大きくなる逆円錐台の管状の増径部、及び該増径部から上方に続く結晶成長部たる直径がほぼ一定の円筒状の定径部を有する容器であって、その増径部の内壁のなす角度が120°以上160°未満である容器を用いて、化合物半導体単結晶を製造することを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。
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