JP2010150136A - 化合物半導体単結晶の製造装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高圧容器1内に、少なくとも化合物半導体原料5を入れるるつぼと、該るつぼ内の前記原料5を加熱溶融するヒーター3,4を具備し、加熱溶融した原料融液を融液下部あるいは上部から徐々に冷却し固化させることにより化合物半導体単桔晶を製造する装置において、前記るつぼの内径(d)に対して前記ヒーター3,4の内径(D)を1.5〜3.0倍(D/d=1.5〜3.0)としたヒーター3,4を用いる。
【選択図】図1
Description
なお、参考として、以下の特許文献を示す。
直径45mm〜70mmのるつぼ、直径が90mm〜150mmのグラファイト製のヒーターを用い、ヒーター径/結晶径の値が1.3〜3.0となるような組み合わせを選択した。その後、るつぼ内にZnとTeを等モル比となるように入れ、さらに封止剤(B2O3)で上部を封止し、1300〜1320℃に加熱した場合の温度分布測定の結果を表1に示す。
るつぼとして、内径が70mmで厚さが1mmの底面が平坦な構造のPBN製るつぼを用いた。るつぼ内に原料として99.9999%のZnとTeを等モル比入れ、そして封止剤として適量のB2O3を入れた。図1に示すように、該るつぼを高圧炉内に設置し、所定の圧力で炉内を不活性ガスで満たした後、るつぼ内径に対しておよそ1.5倍となる内径106mmのグラファイト製のヒーターで該るつぼを加熱し、封止剤で原料表面を抑えながらZnとTeを直接合成させた。その後、るつぼをさらに加熱しZnTeの融点(1296℃)以上で原料を融解し一定時間保持した後、融液の表面に対してるつぼ底の温度が高くなるような温度分布とし、温度勾配を維持しながら一定の成長速度(2mm/Hr)となるように徐々に全体の温度を下げ融液表面から結晶化させた。その後、加熱炉全体を100℃/Hrの降温速度で冷却し、室温近くまで冷えた時点で加熱炉内から結晶を取り出した。得られた結晶は、直径70mmで全長60mmのZnTe単結晶であり、その結晶性を調べたところ双晶や多結晶はほとんど見られなかった。この単結晶を切断して転位密度を調べたところ、結晶のどの領域においても転位密度は10000cm−2以下であった。同様にして結晶成長を5回試みたところ、全ての結晶で多結晶や双晶ない単結晶が得られた。
[比較例1]
2 断熱層
3 上部ヒーター
4 下部ヒーター
5 化合物半導体原料(ZnTe)
6 封止剤(B2O3)
Claims (4)
- 高圧容器内に、少なくとも化合物半導体原料を入れるるつぼと、該るつぼ内の前記原料を加熱溶融するヒーターを具備し、加熱溶融した原料融液を融液下部あるいは上部から徐々に冷却し固化させることにより化合物半導体単桔晶を製造する装置において、前記るつぼの内径(d)に対して前記ヒーターの内径(D)を1.5〜3.0倍(D/d=1.5〜3.0)としたヒーターを用いることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造装置。
- 前記ヒーターが、グラファイト製の抵抗加熱ヒーターであることを特徴とする講求項1記載の化合物半導体単結晶の製造装置。
- るつぼ内に化合物半導体原料を入れ、該るつぼを縦型の加熱炉内に載置して前記原料をヒータにより加熱融解し、得られた原料融液を融液下部あるいは上部から徐々に冷却し固化させることにより化合物半導体単結晶を成長させるにあたり、前記るつぼの内径(d)に対して前記ヒーターの内径(D)を1.5〜3.0倍(D/d=1.5〜3.0)としたヒーターを用いることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。
- 前記ヒーターが、グラファイト製の抵抗加熱ヒーターであることを特徴とする講求項3記載の化合物半導体単結晶の製造方法。
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