JPH03103386A - 半導体単結晶製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は半導体単結晶製造装置にかかり、特にブリッジ
マン法による単結晶の製造に用いられる半導体単結晶製
造装置に関する。

（従来の技術） 底部に種結晶を設置した耐熱容器内にて結晶原料を溶融
させたのち、その底部から上方に向かって固化させて結
晶を製造する方法には、熱交換法，濃度勾配徐冷法、垂
直ブリッジマン法等が知られている。これらの方法は、
垂直方向に、下部の温度が低く、上部の温度が高くなる
ような温度勾配をもつ結晶或長装置の中に結晶原料を入
れた容器を内装し、一旦結晶原料を溶融させたのち、炉
全体の温度を下げる（温度勾配徐冷法、熱交換法），容
器を下降させる，あるいは発熱体を上方へ移動させる（
垂直ブリッジマン法）ものである．叙上の方法は比較的
簡便であるが、単結晶が製造しや′すい結晶成長方向が
決まってしまっているという重大な欠点がある。

例えば、ＧａＡｓ単結晶を例にとれば、結晶方位の（１
１１〉方向に結晶を育威した場合、比較的単結晶が製造
されやすいが、例えば（ｉｏｏ＞方向に結晶を育成する
とほとんど単結晶は得られない。そのために、これらの
方法でＧａＡｓ結晶の（１００）基板を必要とする場合
には．　　（１１１）方向に育或した結晶から斜めに（
１００）基板を取り出すことを行なっていた．通常これ
らの結晶製造の方法では、結晶融液が固化する時の界面
の形状はほぼ水平になっている。そのために、＜１１０
方向の結晶の場合、界面はほぼ（１１１）面に平行にな
る。従って、単結晶体を斜めに切り出して（１００）基
板を作製する場合、この（１００）基板の面内で結晶が
育成した時間の早い部分と遅い部分を含むことになる。

結晶中に含まれる不純物は、偏析を有するために固化し
た時聞がずれると、その部分に取り込まれる不純物の量
が大きく異なってくる．不純物は微量で結晶の特性に大
きな影響を与えるために、このような＜ＬＩＯ方向に育
或した結晶から斜めに（１００）基板を取り出すような
場合，　　（１００）面内に特性の大きな不均一を生じ
てしまう欠点があり、従来の方法を用いている限りにお
いては、面内の均一性の良い基板の作製は非常に困難で
あった． （発明が解決しようとする課題） 従来、結晶原料融液を底部に種結晶を配置した耐熱容器
に入れ、その底部から上方に向かって固化させて結晶を
製造する方法を用いて製造した結晶から所望の方位の基
板を必要とする場合にこれらの結晶から成長方向に対し
て斜めに基板を取り出していた。かがる従来の方法によ
ると、基板面内の特性の均一な基板を取り出すことが困
難であった。

また，通常、叙上の方法では結晶原料融液を収容する耐
熱容器を固定させたままで行なう場合と，回転させる場
合とがある。容器を固定させたままで行なう場合は，機
構が簡略となり装置の安定性が向上するが、一方で加熱
体の熱分布の影響を直接受けるため温度の均一性を保つ
ことが難しい。

容器を回転させる場合には，温度の均一性が向上し、結
晶の製造も安定化する。しがして，上記欠点の解決には
ならない。

本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたもので、単
結晶体が同化形成される際の界面の方位が基板の方位と
平行に近くなるように温度分布を改良した半導体単結晶
の製造装置を提供することを目的とする。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） この発明にかかる半導体単結晶製造装置は、底部に種結
晶を配置し半導体結晶原料が収容される筒型の耐熱容器
を垂直に設け、その側面周囲に間隔を置いて包囲する加
熱体を配置し、半導体結晶原料を前記耐熱容器内で加熱
溶融させ融液をその底部から上方に向かって固化させて
単結晶を製造する半導体単結晶製造装置において、前記
半導体結晶原料の融液に前記耐熱容器の軸に対し傾斜し
た等温面を形成させるように、前記耐熱容器の側面周方
向に温度傾斜を形成する手段を有することを特徴とする
ものである。さらに、この温度傾斜を形成する手段とし
て（　ａ．）加熱体に薯の周方向に温度勾配を設ける、
（ｂ）前記耐熱容器が加熱体の熱中心位置からずれ、か
つ、熱中心位置を含む垂直面の一方側にある配置にする
，（Ｃ）耐熱容器と加熱体との間に遮熱板を配置する、
（ｄ）耐熱容器と加熱体との間隙の一部に垂直方向に通
気導管を配置する，（ｅ）耐熱容器が支持容器に収納支
持され、該支持容器は鉛直方向に複数に分割されてなる
とともに，これらは相互に熱伝達率の異なる材質で構成
する、等を特徴とするものである．（作　用） 本発明の単結晶の製造装置は，結晶が固化する時の界面
が水平方向に対して一定の角度をもって結晶が製造され
るので，この結晶から戊長方向と異なる方位の基板を取
り出す場合においても、基板面内の特性が均一な基板が
得られる。

（実施例） 以下、本発明の実施例につき図面を参照して説明する。

第１実施例 第１および第２の発明に係る第１実施例として、垂直ブ
リッジマン法によるＧａＡｓ単結晶の製造に用いる半導
体単結晶製造装置の加熱体（以下ヒーターと略称）を第
１図に示す。第ｌ図（ａ）はヒータの上面図、第１図（
ｂ）はヒータの側面図を夫々示す。

また，第２図に垂直ブリッジマン法による実施例の単結
晶製造装置を断面図で示す。

まず、第１図によってヒータｌ１の構造を説明する。グ
ラファイトで円筒状に形成されたヒータ１１は、その周
側面が縦に厚内部１１ａと、これに対向する部分が薄肉
部ｌｉｅと、その間を緩やがに肉厚が変わる中肉部１ｌ
ｂからなっている．図に示す一例のヒータｌｌは外径が
８０ｍ鳳、長さ２５０ｍｍで、内径は外側面の中心軸線
１１ｏから１０ｊ１ｌＩｌＩ！れで平行な中心軸線１１
ｉを軸とした内径６０ｍ＋ｍの円筒状の空洞で内側面が
形成されている。そして周側面には上端縁から下端縁に
向かうとともに下端縁には達しない下降スリット１２ａ
と、これと逆方向に下端縁から上端縁に向かうとともに
上端縁には達しない上昇スリット１２ｂとからなるスリ
ットｌ２が周側面に交互に設けられて周側面をスリット
間の間融幅を有する板状のヒータエレメント１３に形成
してなる．また，上記ヒータエレメントは周側面の対向
部にこのヒータエレメント１３と電極とを接続するため
の接続部ｌ４を備えている。

第２図に示されるブリッジマン装置には、前記第１図に
よって説明されたヒータが上下に２個設けられている。

これら上下のヒータ２１ａ、２ｌｂは夫々の内側面の中
心軸線が一致するように設置され、これらのヒータ２１
ａ、２ｌｂは、夫々の接続部２２ａ、２２ｂに電力を供
給する電源２３ａ、２３ｂに接続される電極２３に接続
する。そして，このヒータの内側面の中心軸線と共軸に
耐熱容器駆動軸２４上に（１１１）方位の種結晶２５を
底部に入れ，その上にＧａＡｓ多結晶体２６を２００ｇ
入れた径５０＋ａｍ、長さ１００ｍｍの石英アンプル２
７を設置する．この石英アンプル２７内は予め常温１０
−３Ｔｏｒｒに減圧されている．そして，−ヒ記部品は
高圧容器２８内に設置され、不活性ガス雰囲気中で加熱
される．上記ヒータ２１ａ、２ｌｂは夫々熱電対２９ａ
，２９ｂによって温度検出され、所定温度に制御される
。

叙上の構成にて電源２３ａ、２３ｂにょリヒータに通電
し，上部ヒータ２１ａをＧａＡｓの融点よりも高温の１
４００℃、下部ヒータ２ｌｂをＧａＡｓの融点よりも低
温の１０００℃になるように調整する。このとき、耐熱
容器がない状態でのヒータ内の温度分布を第３図に示す
。この第３図における横軸は第２図に示した下側のヒー
タ２ｌｂの下端を温度分布原点位置３１を示し、第３図
中にヒータ２１ａ、２ｌｂの配置を破線３１ａ、３ｌｂ
で対応し示した。また，縦軸は温度を示し，図中の３２
ａはヒータ内側面の中心位置、３３ａは前記ヒータ内側
面の中心位置３２ａの位置からヒータの外側面の中心に
向かう方向に２５ｍｍ離れた位置、３４ａは前記３３ａ
とは反対方向に２５ｍｍ離れた位置の夫々温度分布を各
位置に対応し示す。この図に示すところから温度分布が
水平方向より一定の角度で傾斜していることが明らかで
ある。この状態で耐熱容器を５ｍｍ／時の速度で下降さ
せ（ＩＩＩ）方位のＧａＡｓ単結晶を作製した。そして
、得られた単結晶から（１００）基板を切り出し、ファ
ンデルボール法によってキャリャ濃度を測定した。その
結果の一例を第４図に示す９図の横軸はウェハの長軸方
向の一端を原点にとった時の位置であり、縦軸（対数目
盛）はキャリャ濃度を示す。そして、本発明により取り
出したＧａＡｓ基板４１と、これと同径の従来のＧａＡ
ｓ基板４２を比較すると、従来１０倍以上不均−のあっ
た基板内のキャリャ濃度差が、本発明では１５％以下の
不均一にとどまり，基板内におけるキャリャ濃度の均一
性に顕著な向上が認められる． 前記実施例は、垂直ブリッジマン法によるＧａＡｓ結晶
製造を例示したが、融液成長が可能な結晶製造の全般に
適用でき、また、温度勾配徐冷法、熱交換法等について
も適用できる。

なお、本発明におけるヒータの周方向の温度分布に傾斜
を形成する手段として，上記実施例のほか、ヒータエレ
メントの幅をヒータの周方向で変えてもよい。

第２実施例 第ｌおよび第３の発明に係る第２実施例として、垂直ブ
リッジマン法による単結晶製造装置を第５図に断面図で
示し説明する。

第５図に示すように、高圧容器５１内にグラファイト製
のヒータ５２ａ、５２ｂが垂直，かつ共軸に装着されて
いる。このヒータは内径１００ｎａ＋、長さ２５０＋＋
＋ｍの円筒型で、各の外側面に設けられた熱電対５３ａ
、５３ｂによって温度検出し、夫々のヒータを独立して
所定の温度に保つようになっている。また，前記ヒータ
５２ａ、５２ｂはいずれも単純な円筒型であるため、こ
のヒータによって作られる温度分布の対称中心（熱中心
）は幾何学的中心と一致する。そして、このヒータの内
側に、ヒータの中心軸（熱中心位置）に対し偏心して直
径５０ｍｍ，長さ１００ｍｍ寸法に形成された石英アン
プルの耐熱容器５４を容器駆動軸５５上に設置する。゜
この耐熱容器５４内には（１１１）方位の種結晶５６ａ
とＧａＡｓ多結晶５６ｂが収容され、１０”′３Ｔｏｒ
ｒ．の真空度で封じられている。また５上記耐熱容器の
中心軸とヒータの中心軸とは２　５’ｍ　ｍ偏心させて
設置した。このようにして、耐熱容器５４は第５図に示
すように、熱中心位置を含む垂直面の一方側に配置され
る。叙上の状態でヒータに通電加熱を行ない，−・旦耐
熱容器内のＧａＡｓ多結晶を溶融させる、この時、上部
のヒータ５２ａは１４００℃、下部のヒータ５２ｂは１
１００℃になるように電力を設定した。そして５ｍｍ／
時の速度で駆動軸５５を下降させ、（１１１）方位のＧ
ａＡｓ単結晶を作威した。

次に、上記作成された単結晶から（１．００）基板を切
り出し，ファン・デ・ポール法によってキャリャ濃度を
測定した。第６図にキャリャ濃度測定結果を示す。図中
横軸は基板の長軸方向の一端を原点にとったときの位置
を示し，縦軸はキャリャ濃度（対数目盛）を夫々示し、
本発明にかかるＧａＡｓ基板のキャリャ濃度を曲線６１
で、従来の方法で作製された同径の結晶から作成された
ＧＡａＳ基板のキャリャ濃度を曲線６２で夫々示す。こ
の図から、従来ＩＯ倍以上不均一のあったキャリャ濃度
が本発明により±１５％以下となり、基板内キャリャ濃
度の均一性に対し顕著な効果が認められた．第３実施例 第１および第３の発明に係る第３実施例として、ブリッ
ジマン法による単結晶製造装置を第７図に断面図で示し
説明する。

第７図に示される第３実施例で、高圧容器、ヒータは前
記第２実施例と変わらない。また，この図においては高
圧容器は省略して示され、同図（ａ）は軸に沿う断面図
、同図（ｂ）は上面図である。これらの図から明らかな
ように、駆動軸５５はその上端に支持台７１が固設され
、この支持台７１上に４個の石英アンプルである耐熱容
器７２ａ、７２ｂ、７２ｃ、７２ｄが、いずれもヒータ
５２ａ、５２ｂの中心軸に対し２５ｍｍ偏心させて配置
されている。すなわち，耐熱容器は個々に熱中心位置を
含む任意の垂直面の一方側にある配置になっている．ま
た、耐熱容器の寸法はいずれも直径３０ｍｍ．長さｌ０
０＋ａｍに形成され、支持台７１は駆動軸５５によって
１０ｒｐｍで回転される。

次に、上記耐熱容器内に得られた単結晶につき前記実施
例と同様（１００）基板を取り出してそのキャリャ濃度
を測定し、従来ＩＯ倍以上の不均一があったものが±ｌ
Ｏ％以下の不均一にとどまることが確認された。

本実施例は垂直ブリッジマン法によるＧａＡｓ結晶作製
を例示したが、これに限られるものでなく、融液或長が
可能な半導体結晶の作製全般に適用可能であり、また、
温度勾配徐冷法，熱交換法等の方法についても同様に適
用可能である．第４実施例 第工および第４の発明に係る第４実施例として、ブリッ
ジマン法による単結晶製造装置第８図（ａ）に軸に沿う
断面図、（ｂ）に上面図で示す．図示のように、耐熱容
器８１の半周側を熱遮蔽部材８０で被覆することにより
、耐熱容器の半周側に入射する輻射を遮断し耐熱容器内
の融液に温度傾斜を設けるようになっている。なお、前
記熱遮蔽部材８０としては一例としてモリブデンの熱遮
蔽板を用いた．第８図のブリッジマン法による単結晶製
造装置は、ヒータ８２ａ、８２ｂが上下に２個設けられ
ている．これらのヒータ８２ａ、８２ｂは、夫々の内側
面の中心軸線と共軸に耐熱容器駆動軸８３上に（１１１
）方位の種結晶８４を底部に入れ、その上にＧａＡｓ多
結晶体８５を２００ｇ入れた径５０＋＋＋ｍ、長さ１０
０ｍ−の耐熱容器８６が設置されている。そして、この
耐熱容器内の半周を囲むようにモリブデンで板状に形成
された熱遮蔽部材８０が設けられている。

この耐熱容器８６内は予め常温で１０−３Ｔｏｒｒに減
圧されている。そして、上記部品は高圧容器内に設置さ
れ（図示省略）、不活性ガス雰囲気中で加熱される。上
記ヒータ８２ａ、８２ｂは夫々熱電対８８ａ、８８ｂに
よって温度が検出され、所定温度に制御される。

叙上の構成にてヒータに通電し，上部ヒータ８２ａ　ｔ
ｔ　ＧａＡｓの融点よりも高温の１４００℃、下部ヒー
タ８２ｂをＧａＡｓの融点よりも低温の１０００℃にな
るように調整する．このようにして熱電対が挿入された
状態の耐熱容器を降下させたときの融液内の温度分布を
第９図に示す．この第９図における横軸は第８図に示し
たヒータ８２ｂの下端８７を原点にとったときの位置を
示し，第９図中に耐熱容器内に挿入された熱電対の配置
の対応を示した。また、縦軸は温度を示し、図中の９２
ａは耐熱容器内側面の中心位［，９３ａは前記内側面の
中心位［９２ａの位置からヒータの外側面の中心に向か
う方向に１５ｍｍ離れた位［４，９４ａは前記９３ａと
は反対方向に１５ｍｍ離れた位置の夫々温度分布を各位
置に対応し示す．この図に示すところから温度分布が水
平方向より一定の角度で傾斜していることが明らかであ
る。

この状態で耐熱容器を５ｍ飄／時の速度で下降させ（１
１１）方位のＧａＡｓ単結晶を作製した．そして、得ら
れた単結晶から（１００）基板を切り出し，ファンデル
ボール法によってキャリャ濃度を測定した。

その結果の一例を第１０図に示す．図の横軸はウェハの
長軸方向の一端を原点にとった時の位置であり、縦軸は
キャリャ濃度を示す。そして、本発明により取り出した
ＧａＡｓ基板１０１　と、これと同径の従来のＧａＡｓ
基板１０２を比較すると、従来ｌＯ倍以上不均一のあっ
た基板内のキャリャ濃度差が、本発明では１５％以下の
不均一にとどまり、基板内におけるキャリャ濃度の均一
性に顕著な向上が認められる。

第５実施例 第■および第５の発明に係る第５実施例として、ブリッ
ジマン法による単結晶製造装置の要部を第ｌ１図ａおよ
び第ｌ１図ｂに断面図で示し説明する。

なお前記第４実施例で説明した部分と変わらない部分に
は同じ符号を付けて示し説明を省略する。

第１１図ａは装置の軸に沿う断面図，第１１図ｂは装置
の軸に垂直方向の断面図を夫々示し、図示のようにヒー
タ８２ａ、８２ｂの半周側の一部でこれと耐熱容器１１
３との間に装置の軸線に平行な通気導管１１１を配置す
ることにより、耐熱容器のいずれがの半周側の融液に温
度傾斜を設けるようになっている．前記通気導管１１１
内に通気させるガス１１２の一例としてヘリウムを用い
て、耐熱容器の半周側を強制的に冷却を図った。また、
前記通気導管１１１内の通気には装置への装着を容易に
するためと、上部に比して下部を低温に保つ必要から二
重管型構造にした。また，前記通気導管１１１は一例の
ステンレスで構或してよい。なお、前記通気は加熱温度
よりも低い場合を例示したが，高温度でもよいことは勿
論である。

上記装置により前記第４実施例と同様に単結晶製造を行
って、前記第４実施例と変わらない効果が得られた。こ
の効果については、前記第４実施例において第９図およ
び第１０図によって説明したところと同等であるので，
これを援用し記載を省略する。

第６実施例 第１および第６の発明に係る第６実施例として、ブリッ
ジマン法による単結晶製造装置の要部を第１２図ａおよ
び第１２図ｂに断面図で示し説明する。

なお前記実施例で説明した部分と変わらない部分には同
じ符号を付けて示し説明を省略する．本実施例は、」二
記第１〜５実施例と同様にＧａＡｓ結晶製造を例にとり
、炉の構成としでは通気導管をもたない場合の第５実施
例と同じである。

第１２図ａは装置の軸に沿う断面図，第１２図ｂは装置
の軸に垂直方向の断面図を夫々示し、図示のように、本
実施例においてはＧａＡｓ結晶原料融液を収納する石英
ガラス製封管状の耐熱容器１１３の外周を軸線方向に一
例の２分割され互いに熱伝導率の異なるグラファイト、
熱分解窒化ボロン（ＢＮと略称）によって構威された支
持容器１２１ａ〜１２１ｄ（１２１ａ，　１２ｌｂは側
壁）に入れられ，これらのグラファイトとＢＮの支持容
器はＢＮＩＩの下端部固定部材１２１ｃ、および上端が
ふた体１２１ｄによって固定された構造になっている。

グラファイトとＢＮは、熱伝達率が異なるために．　Ｇ
ａＡｓ融液に伝達する熱量に差が生じ、垂直方向に対し
て傾斜した温度勾配が得られる。実際に本実施例の支持
容器を用いて、耐熱容器を回転数５ｒｐｍ，　　下降速
度５ｍ＋＊／時で結晶製造を行い，この結晶から（ｉｏ
ｏ）基板を切り出してファンデルボール法によってキャ
リア濃度を測定して前実施例と同様の結果が得られた。

本実施例においては、グラファイトとＢＮを例示したが
、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化硅素等のセラミッ
クス，モリブデン、タングステン等の金属等であっても
構わない。

また，本実施例は円筒状の支持容器側壁を軸に沿って２
分割し、かつその各々が相等（中心角がいずれも１８０
”）の場合を例示したがこれに限られることなく、任意
の大きさ（異なる中心角）でもよい．さらに、２分割に
限られるものでなく、これを含む複数分割を施しても同
様の効果が得られる。

前記実施例は、垂直ブリッジマン法によるＧａｌｓ結晶
製造を例示したが、融液或長が可能な結晶製造の全般に
適用でき、また、温度勾配徐冷法，熱交換法等について
も適用できる。

〔発明の効果〕

本発明によれば，結晶固化の界面の傾き，すなわち、水
平面との角度を制御することができるので、結晶成長方
位と異なる方位の基板を取出す時においても面内の特性
が均一な基板を得ることができる顕著な効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は第１実施例にかかる半導体単結晶製造装
置のヒータの上面図、第１図（ｂ）は同ヒータの側面図
、第２図は垂直ブリッジマン法による実施例の単結晶製
造装置の断面図，第３図はヒータ内の温度分布を示す線
図、第４図は半導体基板内のキャリャ濃度の測定結果を
示す線図、第５図は垂直ブリッジマン法による第２実施
例の単結晶製造装置の断面図，第６図は半導体基板内の
キャリャ濃度の測定結果を示す線図，第７図（ａ）は垂
直ブリッジマン法による第３実施例の単結晶製造装置の
軸に沿う断面図、第７図（ｂ）は同製造装置の上面図、
第８図（ａ）は垂直ブリッジマン法による第４実施例の
単結晶製造装置の軸に沿う断面図、第８図（ｂ）は同単
結晶製造装置の上面図、第９図は融液の温度分布を示す
線図、第ｌＯ図は半導体基板内のキャリャ濃度の測定結
果を示す線図，第１ｌ図（ａ）は垂直ブリッジマン法に
よる第５実施例の単結晶製造装置の軸に沿う断面図、第
１１図（ｂ）は同単結晶製造装置の上面図、第ｌ２図（
ａ）は垂直ブリッジマン法による第６実施例の単結晶製
造装置の軸に沿う断面図、第ｌ２図（ｂ）は水平方向の
断面図である。 １１．　２１ａ、２ｌｂ％５２ａ．　５２ｂ，　８２ａ
．　８２ｂ−ヒータ、］．１ａ・・・ヒータの厚肉部、
ｌｌｃ・・・ヒータの薄肉部、２７、５４．　７２ａ、
７２ｂ、７３ｃ、７３ｄ、８６−・・耐熱容器、２５、
５６ａ、８４・・・種結晶、

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体結晶原料が収容される筒型の耐熱容器を垂
   直に設け、その側面周囲に間隔を置いて包囲する加熱体
   を配置し、半導体結晶原料を前記耐熱容器内で加熱溶融
   させ融液をその底部から上方に向かって固化させて単結
   晶を製造する半導体単結晶製造装置において、前記耐熱
   容器の側面周方向に温度傾斜を形成する手段を有して前
   記半導体結晶原料の融液に前記耐熱容器の軸に対し傾斜
   した等温面を形成させることを特徴とする半導体単結晶
   製造装置。
2. （２）前記加熱体がその周方向に温度勾配を備え、半導
   体結晶原料の融液に前記耐熱容器の軸に対し傾斜した等
   温面を形成させることを特徴とする請求項（１）に記載
   の半導体単結晶製造装置。
3. （３）前記耐熱容器が、加熱体の熱中心位置からずれ、
   かつ、熱中心位置を含む垂直面の一方側にあるように配
   置されて半導体結晶原料の融液に前記耐熱容器の軸に対
   し傾斜した等温面を形成させることを特徴とする請求項
   （１）に記載の半導体単結晶製造装置。
4. （４）耐熱容器と加熱体との間に遮熱板を配置し前記半
   導体結晶原料の融液に前記耐熱容器の軸に対し傾斜した
   等温面を形成させることを特徴とする請求項（１）に記
   載の半導体単結晶製造装置。
5. （５）耐熱容器と加熱体との間隙の一部に垂直方向に通
   気導管を配置し、前記半導体結晶原料の融液に前記耐熱
   容器の軸に対し傾斜した等温面を形成させることを特徴
   とする請求項（１）に記載の半導体単結晶製造装置。
6. （６）前記耐熱容器が支持容器に収納支持され、該支持
   容器は鉛直方向に複数に分割されてなるとともに、これ
   らは相互に熱伝達率の異なる材質で構成されて半導体結
   晶原料融液に前記耐熱容器の軸に対し傾斜した等温面を
   形成させることを特徴とする請求項（１）に記載の半導
   体単結晶製造装置。