JPH05194073A - 化合物半導体の単結晶成長方法 - Google Patents
化合物半導体の単結晶成長方法Info
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- JPH05194073A JPH05194073A JP14770092A JP14770092A JPH05194073A JP H05194073 A JPH05194073 A JP H05194073A JP 14770092 A JP14770092 A JP 14770092A JP 14770092 A JP14770092 A JP 14770092A JP H05194073 A JPH05194073 A JP H05194073A
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、シード部から大口径（直径２インチ
以上）の単結晶を成長させることができる化合物半導体
の単結晶の成長方法を提供することを目的とする。 【構成】縦型ルツボ内に化合物半導体原料を装填し、縦
型ルツボの底部中央にシードを設置して化合物半導体原
料を単結晶化する化合物半導体の単結晶成長方法におい
て、縦型ルツボとして底面がほぼフラットであるルツボ
を使用し、化合物半導体原料を溶融して融液とし、融液
の等温面がシード側から融液側に凸状態となるような温
度分布を与え、その状態で成長開始時にシード近傍の化
合物半導体原料の温度を急峻に下げてその領域を過冷却
状態として、シードからほぼ水平な方向に所望の直径と
なるまで結晶成長させて融液をルツボ下部から上部に向
かって高くなるような温度勾配を保持しつつ固化させて
単結晶化させることを特徴としている。
以上）の単結晶を成長させることができる化合物半導体
の単結晶の成長方法を提供することを目的とする。 【構成】縦型ルツボ内に化合物半導体原料を装填し、縦
型ルツボの底部中央にシードを設置して化合物半導体原
料を単結晶化する化合物半導体の単結晶成長方法におい
て、縦型ルツボとして底面がほぼフラットであるルツボ
を使用し、化合物半導体原料を溶融して融液とし、融液
の等温面がシード側から融液側に凸状態となるような温
度分布を与え、その状態で成長開始時にシード近傍の化
合物半導体原料の温度を急峻に下げてその領域を過冷却
状態として、シードからほぼ水平な方向に所望の直径と
なるまで結晶成長させて融液をルツボ下部から上部に向
かって高くなるような温度勾配を保持しつつ固化させて
単結晶化させることを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体の単結晶
を成長させる方法に関する。
を成長させる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】縦型の単結晶成長方法のうち、ルツボを
用いる成長方法としては、縦型ブリッジマン法（ＶＢ
法）と縦型温度勾配凝固法（ＶＧＦ法）が知られてい
る。これらの方法は、図７に示すように、多分割ヒータ
３３により溶融された化合物半導体原料の融液３０を収
容し、最下部にシード３２が載置されたルツボ３１にお
いて、図８に示すように、シード３２近傍よりルツボの
上端方向に温度勾配を徐々につけながら結晶を固化させ
るものである。この場合、ルツボの構造は、通常、成長
初期におけるツインの発生を抑えるために、ルツボ３１
の下端部３４をロート状、すなわちシード３２に向かっ
て縮径するような形状としている。例えば、図７に示さ
れるように、ルツボ３１の下端部３４の角度θは、θ＝
５４．４°である場合において結晶方位（００１）のシ
ードを用いたときに結晶の肩部３５に（１１１）ファセ
ット面が現れ易くなる。このファセット面により内側に
ツインが発生し易くなる。そのため、ルツボ３１の下端
部の角度をθ＜５４．４°の鋭角としている。
用いる成長方法としては、縦型ブリッジマン法（ＶＢ
法）と縦型温度勾配凝固法（ＶＧＦ法）が知られてい
る。これらの方法は、図７に示すように、多分割ヒータ
３３により溶融された化合物半導体原料の融液３０を収
容し、最下部にシード３２が載置されたルツボ３１にお
いて、図８に示すように、シード３２近傍よりルツボの
上端方向に温度勾配を徐々につけながら結晶を固化させ
るものである。この場合、ルツボの構造は、通常、成長
初期におけるツインの発生を抑えるために、ルツボ３１
の下端部３４をロート状、すなわちシード３２に向かっ
て縮径するような形状としている。例えば、図７に示さ
れるように、ルツボ３１の下端部３４の角度θは、θ＝
５４．４°である場合において結晶方位（００１）のシ
ードを用いたときに結晶の肩部３５に（１１１）ファセ
ット面が現れ易くなる。このファセット面により内側に
ツインが発生し易くなる。そのため、ルツボ３１の下端
部の角度をθ＜５４．４°の鋭角としている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の技術を用いてシード部から大口径（直径２インチ以
上）の結晶を成長させようとする場合、シード３２近傍
よりツインが発生し易い。また、これらの方法は、ルツ
ボ３１内の結晶への温度分布の与えかた等に問題があ
る。したがって、シード部から直に大口径の単結晶を得
ることが困難である。
来の技術を用いてシード部から大口径（直径２インチ以
上）の結晶を成長させようとする場合、シード３２近傍
よりツインが発生し易い。また、これらの方法は、ルツ
ボ３１内の結晶への温度分布の与えかた等に問題があ
る。したがって、シード部から直に大口径の単結晶を得
ることが困難である。
【０００４】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、シード部から大口径（直径２インチ以上）の単結
晶を成長させることができる化合物半導体の単結晶の成
長方法を提供することを目的とする。
あり、シード部から大口径（直径２インチ以上）の単結
晶を成長させることができる化合物半導体の単結晶の成
長方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、縦型ルツボ内
に化合物半導体原料を装填し、縦型ルツボの底部中央に
シードを設置して化合物半導体原料を単結晶化する化合
物半導体の単結晶成長方法において、縦型ルツボとして
底面がほぼフラットであるルツボを使用し、化合物半導
体原料を溶融して融液とし、融液の等温面がシード側か
ら融液側に凸状態となるような温度分布を与え、その状
態で成長開始時にシード近傍の化合物半導体原料の温度
を急峻に下げてその領域を過冷却状態として、シードか
らほぼ水平な方向に所望の直径となるまで結晶成長させ
て融液をルツボ下部から上部に向かって高くなるような
温度勾配を保持しつつ固化させて単結晶化させる化合物
半導体の単結晶成長方法を提供する。
に化合物半導体原料を装填し、縦型ルツボの底部中央に
シードを設置して化合物半導体原料を単結晶化する化合
物半導体の単結晶成長方法において、縦型ルツボとして
底面がほぼフラットであるルツボを使用し、化合物半導
体原料を溶融して融液とし、融液の等温面がシード側か
ら融液側に凸状態となるような温度分布を与え、その状
態で成長開始時にシード近傍の化合物半導体原料の温度
を急峻に下げてその領域を過冷却状態として、シードか
らほぼ水平な方向に所望の直径となるまで結晶成長させ
て融液をルツボ下部から上部に向かって高くなるような
温度勾配を保持しつつ固化させて単結晶化させる化合物
半導体の単結晶成長方法を提供する。
【０００６】
【作用】本発明においては、底面がほぼフラットである
ルツボを使用し、シード近傍（ルツボの底面に設置され
たシード先端から上方１cm以内の領域）の温度を△Ｔだ
け急峻に下げている。この温度降下によりシードは過冷
却状態となる。このとき、ルツボ内の融液のルツボ幅方
向における温度分布は、等温面がシード側から融液側に
凸状態（コンベックス）となるようになる。この過冷却
により、ルツボの底面において横方向、すなわちルツボ
幅方向に結晶が成長し、ルツボ底面の直径程度の大口径
の結晶頭部ができる。この結晶頭部には、ツインが発生
しない。この結晶頭部を成長させることにより、直径２
インチ以上の大口径の単結晶をツインを発生させること
なく成長させることができる。
ルツボを使用し、シード近傍（ルツボの底面に設置され
たシード先端から上方１cm以内の領域）の温度を△Ｔだ
け急峻に下げている。この温度降下によりシードは過冷
却状態となる。このとき、ルツボ内の融液のルツボ幅方
向における温度分布は、等温面がシード側から融液側に
凸状態（コンベックス）となるようになる。この過冷却
により、ルツボの底面において横方向、すなわちルツボ
幅方向に結晶が成長し、ルツボ底面の直径程度の大口径
の結晶頭部ができる。この結晶頭部には、ツインが発生
しない。この結晶頭部を成長させることにより、直径２
インチ以上の大口径の単結晶をツインを発生させること
なく成長させることができる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【０００８】この実施例においては、化合物半導体とし
てＩｎＰを用いた温度勾配凝固法による単結晶成長につ
いて説明する。図１は本発明の方法に使用される装置を
示す概略図である。図中１０は一端が開口している略円
筒形状であるルツボを示す。このルツボ１０の底面は、
図２に示すように、水平方向に対する角度θが−１０°
≦θ≦１０°を満足することが好ましい。このルツボ１
０の直径は目的とする単結晶の直径である２インチ程度
に設定されている。ルツボ１０の外側には、多分割ヒー
タ１１が載置されている。また、ルツボ１０内には、原
料として約１．２ｋｇの多結晶ＩｎＰ１２が装填されて
いる。ルツボ１０の底面の中央部には、結晶方位が（１
００）であるＩｎＰシード１３が設置されている。Ｉｎ
Ｐシード１３の下端部は、ヒートシンク１４の上部に挿
入されている。このヒートシンク１４は、高い熱伝導率
を有するカーボンからなり、内部には冷却媒体用配管１
５を巻き付けたカーボン製の治具１６が内挿されてい
る。これにより、ＩｎＰシード１３からの放熱を促進し
ている。なお、冷却媒体用配管１５に流す冷却媒体とし
ては、Ｎ2 ガス、Ａｒガス等の不活性ガス、および水等
が用いられる。これらの冷却媒体は、図示しない流量調
整手段により適度に調節されて流入される。また、ヒー
トシンク１４の直径は、ルツボ１０の直径よりも大きく
（直径２インチ以上）設定されている。ルツボ１０とヒ
ートシンク１４との間であってＩｎＰシード１３を除く
領域には、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、シリカ（Ｓｉ
Ｏ2 ）等を主成分とする熱伝導率の低い断熱材からなる
熱遮蔽板１７が設置されている。これにより、ＩｎＰシ
ード１３からヒートシンク１４に熱を効率的に逃がすよ
うになっている。これらはすべて図示しない高圧容器内
に設置されている。
てＩｎＰを用いた温度勾配凝固法による単結晶成長につ
いて説明する。図１は本発明の方法に使用される装置を
示す概略図である。図中１０は一端が開口している略円
筒形状であるルツボを示す。このルツボ１０の底面は、
図２に示すように、水平方向に対する角度θが−１０°
≦θ≦１０°を満足することが好ましい。このルツボ１
０の直径は目的とする単結晶の直径である２インチ程度
に設定されている。ルツボ１０の外側には、多分割ヒー
タ１１が載置されている。また、ルツボ１０内には、原
料として約１．２ｋｇの多結晶ＩｎＰ１２が装填されて
いる。ルツボ１０の底面の中央部には、結晶方位が（１
００）であるＩｎＰシード１３が設置されている。Ｉｎ
Ｐシード１３の下端部は、ヒートシンク１４の上部に挿
入されている。このヒートシンク１４は、高い熱伝導率
を有するカーボンからなり、内部には冷却媒体用配管１
５を巻き付けたカーボン製の治具１６が内挿されてい
る。これにより、ＩｎＰシード１３からの放熱を促進し
ている。なお、冷却媒体用配管１５に流す冷却媒体とし
ては、Ｎ2 ガス、Ａｒガス等の不活性ガス、および水等
が用いられる。これらの冷却媒体は、図示しない流量調
整手段により適度に調節されて流入される。また、ヒー
トシンク１４の直径は、ルツボ１０の直径よりも大きく
（直径２インチ以上）設定されている。ルツボ１０とヒ
ートシンク１４との間であってＩｎＰシード１３を除く
領域には、アルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、シリカ（Ｓｉ
Ｏ2 ）等を主成分とする熱伝導率の低い断熱材からなる
熱遮蔽板１７が設置されている。これにより、ＩｎＰシ
ード１３からヒートシンク１４に熱を効率的に逃がすよ
うになっている。これらはすべて図示しない高圧容器内
に設置されている。
【０００９】このような構成を有する装置において、多
結晶ＩｎＰ１２を融点１０６２℃以上の温度、この場合
には１０７０℃で溶融させると共に、ＩｎＰシード１３
を融点以下の温度に保持して融液に溶けないようにす
る。多結晶ＩｎＰ１２が均一に溶融したところで、多分
割ヒータ１１のＩｎＰシード１３に近いヒータを制御す
ることにより、図３に示すようにＩｎＰシード近傍（ル
ツボ１０の底面に設置されたＩｎＰシード先端から上方
１cm以内の領域）の温度を△Ｔだけ急峻に下げる。この
温度降下によりＩｎＰシードは過冷却状態となる。この
場合、△Ｔの値は６〜１０℃とする。これは、△Ｔ＞１
０℃では過冷却が大きすぎて多結晶が急激に発生してし
まい、△Ｔ＜６℃では過冷却が小さすぎて結晶が固化し
にくいからである。このとき、ルツボ内の融液のルツボ
幅方向における温度分布は、図４に示すように、等温面
がシード側から融液側に凸状態（コンベックス）となる
ようになる。
結晶ＩｎＰ１２を融点１０６２℃以上の温度、この場合
には１０７０℃で溶融させると共に、ＩｎＰシード１３
を融点以下の温度に保持して融液に溶けないようにす
る。多結晶ＩｎＰ１２が均一に溶融したところで、多分
割ヒータ１１のＩｎＰシード１３に近いヒータを制御す
ることにより、図３に示すようにＩｎＰシード近傍（ル
ツボ１０の底面に設置されたＩｎＰシード先端から上方
１cm以内の領域）の温度を△Ｔだけ急峻に下げる。この
温度降下によりＩｎＰシードは過冷却状態となる。この
場合、△Ｔの値は６〜１０℃とする。これは、△Ｔ＞１
０℃では過冷却が大きすぎて多結晶が急激に発生してし
まい、△Ｔ＜６℃では過冷却が小さすぎて結晶が固化し
にくいからである。このとき、ルツボ内の融液のルツボ
幅方向における温度分布は、図４に示すように、等温面
がシード側から融液側に凸状態（コンベックス）となる
ようになる。
【００１０】この過冷却により、ルツボ１０の底面にお
いて横方向、すなわちルツボ幅方向に結晶を成長させ
る。このとき、図５に示すように、ＩｎＰシード先端か
ら上方１cm以内の領域では、結晶が薄片状に一気に成長
する。これにより、ルツボ底面の直径程度の大口径の結
晶頭部２０ができる。この結晶頭部２０には、ツインが
発生しない。
いて横方向、すなわちルツボ幅方向に結晶を成長させ
る。このとき、図５に示すように、ＩｎＰシード先端か
ら上方１cm以内の領域では、結晶が薄片状に一気に成長
する。これにより、ルツボ底面の直径程度の大口径の結
晶頭部２０ができる。この結晶頭部２０には、ツインが
発生しない。
【００１１】結晶頭部は、図１のルツボ１０内の点線で
示すように成長していく。この結晶がルツボ１０の上端
部まで成長したときに、ルツボ１０の下方から冷却して
単結晶を固化させる。この冷却は、図６に示すように、
ルツボ１０内の融液が一定の温度勾配（５〜１５℃／c
m）を保持しつつ、順次ルツボ１０の下部から冷却され
るように多分割ヒータ１１を制御して行われる。温度勾
配が５℃／cm未満では融液の温度分布を融液側に凸にす
るのが難しく、単結晶が成長しにくく、温度勾配が１５
℃／cmを超えると固化が急激に生じ易くデンドライト
（針状結晶）が生じ、多結晶化し易いからである。な
お、一定の温度勾配を保持しつつ冷却させる（温度勾配
がルツボ下部から上部に向かって移動する）ためには、
多分割ヒータ１１の制御だけでは不充分である。このた
め、多分割ヒータ１１の制御と同時にヒートシンク１４
からの放熱量を充分に大きくする必要がある。すなわ
ち、ヒートシンク１４内の冷却媒体用配管１５に流す冷
却媒体の流量を増加してヒートシンク１４による放熱を
高めながら結晶を固化させる。このような方法により、
直径２インチ以上の大口径のＩｎＰ単結晶をツインを発
生させることなく成長させることができる。
示すように成長していく。この結晶がルツボ１０の上端
部まで成長したときに、ルツボ１０の下方から冷却して
単結晶を固化させる。この冷却は、図６に示すように、
ルツボ１０内の融液が一定の温度勾配（５〜１５℃／c
m）を保持しつつ、順次ルツボ１０の下部から冷却され
るように多分割ヒータ１１を制御して行われる。温度勾
配が５℃／cm未満では融液の温度分布を融液側に凸にす
るのが難しく、単結晶が成長しにくく、温度勾配が１５
℃／cmを超えると固化が急激に生じ易くデンドライト
（針状結晶）が生じ、多結晶化し易いからである。な
お、一定の温度勾配を保持しつつ冷却させる（温度勾配
がルツボ下部から上部に向かって移動する）ためには、
多分割ヒータ１１の制御だけでは不充分である。このた
め、多分割ヒータ１１の制御と同時にヒートシンク１４
からの放熱量を充分に大きくする必要がある。すなわ
ち、ヒートシンク１４内の冷却媒体用配管１５に流す冷
却媒体の流量を増加してヒートシンク１４による放熱を
高めながら結晶を固化させる。このような方法により、
直径２インチ以上の大口径のＩｎＰ単結晶をツインを発
生させることなく成長させることができる。
【００１２】本実施例においては、シードから結晶を横
方向に成長させる手段として、シード部近傍の温度を急
峻に下げて過冷却状態とすることを採用する場合につい
て説明したが、ルツボを回転させてシード部近傍の温度
を急峻に下げることにより、さらに容易にシードから結
晶を横方向に成長させることができる。すなわち、ルツ
ボを回転させることにより、ルツボ中心の温度が下が
り、融液の温度分布のコンベックスが強くなる。ルツボ
回転を強くればするほど、温度分布のコンベックスを強
くなる。温度分布のコンベックスが強くなると、融液の
温度を僅かに急峻に下げる（３〜４℃）だけで、結晶を
ルツボ底部において横方向に容易に広げることができ
る。このルツボの回転と急峻な温度降下を組み合わせた
方法は、３インチあるいは４インチの単結晶の成長にも
応用できる。
方向に成長させる手段として、シード部近傍の温度を急
峻に下げて過冷却状態とすることを採用する場合につい
て説明したが、ルツボを回転させてシード部近傍の温度
を急峻に下げることにより、さらに容易にシードから結
晶を横方向に成長させることができる。すなわち、ルツ
ボを回転させることにより、ルツボ中心の温度が下が
り、融液の温度分布のコンベックスが強くなる。ルツボ
回転を強くればするほど、温度分布のコンベックスを強
くなる。温度分布のコンベックスが強くなると、融液の
温度を僅かに急峻に下げる（３〜４℃）だけで、結晶を
ルツボ底部において横方向に容易に広げることができ
る。このルツボの回転と急峻な温度降下を組み合わせた
方法は、３インチあるいは４インチの単結晶の成長にも
応用できる。
【００１３】また、本実施例においては、温度勾配凝固
法による単結晶成長について説明したが、本発明は縦型
ブリッジマン法による単結晶成長にも適用できる。すな
わち、溶融状態の多結晶原料に過冷却を与えてルツボ底
面で横方向に広げ、その後ルツボおよびヒートシンクを
一体としてそのまま一定速度で下方に移動させて単結晶
化させることもできる。
法による単結晶成長について説明したが、本発明は縦型
ブリッジマン法による単結晶成長にも適用できる。すな
わち、溶融状態の多結晶原料に過冷却を与えてルツボ底
面で横方向に広げ、その後ルツボおよびヒートシンクを
一体としてそのまま一定速度で下方に移動させて単結晶
化させることもできる。
【００１４】また、本実施例においては、化合物半導体
としてＩｎＰを用いたが、化合物半導体としてＧａＡ
ｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＰ等を用いて大口径の単
結晶を成長させることもできる。
としてＩｎＰを用いたが、化合物半導体としてＧａＡ
ｓ、ＩｎＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＰ等を用いて大口径の単
結晶を成長させることもできる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明した如く本発明の化合物半導体
の単結晶成長方法によれば、単結晶成長の初期段階で大
口径の結晶頭部を形成させるので、ツインの発生が抑制
でき、大口径の単結晶を効率良く成長させることができ
る。このため、本発明の方法は、工業上顕著な効果を奏
するものである。
の単結晶成長方法によれば、単結晶成長の初期段階で大
口径の結晶頭部を形成させるので、ツインの発生が抑制
でき、大口径の単結晶を効率良く成長させることができ
る。このため、本発明の方法は、工業上顕著な効果を奏
するものである。
【図１】本発明の方法に使用される装置を示す概略図。
【図２】本発明の方法に使用される装置に用いられるル
ツボの他の例を示す概略図。
ツボの他の例を示す概略図。
【図３】シード上端部における温度と時間との関係を示
すグラフ。
すグラフ。
【図４】シード近傍のルツボ幅方向の温度分布の移動を
示す概念図。
示す概念図。
【図５】本発明の方法において結晶成長の初期段階を示
す概略図。
す概略図。
【図６】結晶成長時の温度分布の移動方向を示すグラ
フ。
フ。
【図７】従来の方法に使用される装置を示す概略図。
【図８】図１に示す装置においてルツボ内の融液の温度
勾配を示すグラフ。
勾配を示すグラフ。
１０…ルツボ、１１…多分割ヒータ、１２…多結晶Ｉｎ
Ｐ、１３…ＩｎＰシード、１４…ヒートシンク、１５…
冷却媒体用配管、１６…治具、１７…熱遮蔽板、２０…
結晶頭部。
Ｐ、１３…ＩｎＰシード、１４…ヒートシンク、１５…
冷却媒体用配管、１６…治具、１７…熱遮蔽板、２０…
結晶頭部。
Claims (2)
- 【請求項１】 縦型ルツボ内に化合物半導体原料を装填
し、前記縦型ルツボの底部中央にシードを設置して化合
物半導体原料を単結晶化する化合物半導体の単結晶成長
方法において、 前記縦型ルツボとして底面がほぼフラットであるルツボ
を使用し、 前記化合物半導体原料を溶融して融液とし、 前記融液の等温面が前記シード側から前記融液側に凸状
態となるような温度分布を与え、 その状態で結晶の成長開始時に前記シード近傍のみの前
記化合物半導体原料の温度を急峻に下げてシード近傍の
ルツボの最下部付近の領域を局所的に過冷却状態とし
て、前記シードから垂直方向には成長させずに、ほぼ水
平な方向に所望の直径となるまで結晶成長させて前記融
液を前記ルツボ下部から上部に向かって高くなるような
温度勾配を保持しつつ固化させて単結晶化させる化合物
半導体の単結晶成長方法。 - 【請求項２】 縦型ルツボの底面がその底面中央部から
水平方向に対して−１０°≦θ≦１０°を満足する角度
θを有する請求項１記載の化合物半導体の単結晶成長方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14770092A JPH05194073A (ja) | 1991-06-07 | 1992-06-08 | 化合物半導体の単結晶成長方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16370591 | 1991-06-07 | ||
| JP3-163705 | 1991-06-07 | ||
| JP14770092A JPH05194073A (ja) | 1991-06-07 | 1992-06-08 | 化合物半導体の単結晶成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05194073A true JPH05194073A (ja) | 1993-08-03 |
Family
ID=26478161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14770092A Pending JPH05194073A (ja) | 1991-06-07 | 1992-06-08 | 化合物半導体の単結晶成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05194073A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2006054610A1 (ja) * | 2004-11-16 | 2006-05-26 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | 結晶製造装置 |
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