JP6862154B2 - 光学素子、露光装置、および物品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、光学素子、露光装置、および物品の製造方法に関する。

半導体の製造に用いられる投影露光装置においては、露光時の温度変化による収差の劣化に対応するために、光学系に使用されているミラーの反射面の形状を可変とし、収差を補正する技術がある。形状が可変である光学素子は、変形しやすいように厚みを薄く（例えば、５ｍｍ程度）形成されるが、その薄さによりさまざまな要因によって素子が変形する懸念がある。

一般に、ミラーの変形を補正する方法として、ミラーの反射面（即ち、光学面）に対して反対側の非光学面に薄膜を形成し、光学面側の内部応力を非光学面の内部応力によって相殺することでミラーの変形を補正する方法がある。例えば、特許文献１記載の方法では、膜厚分布を制御するための制御板を用いて非光学面の薄膜を部位によって任意の厚みに成膜して光学素子の変形を補正する。

特開２００５−１９４８５号公報

しかしながら、特許文献１の膜厚分布制御板を用いる方法では、光学素子の変形が球面変形のような低次の変形であれば補正可能であるが、複数の変曲点を持つような複雑な変形を補正する場合は不利である。

本発明は、例えば、複数の変曲点を持つような複雑な変形を補正するのに有利な光学素子を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明に係る光学素子は、反射膜が設けられた第１面、及び、前記第１面に対して反対側の第２面を有する光学素子本体と、前記光学素子本体の前記第２面側に設けられ、前記光学素子本体の形状を補正するための複数の補正膜と、を備えた光学素子であって、前記複数の補正膜のうち、互いに隣り合う第１の補正膜と第２の補正膜との第１の間隔と、前記第１の補正膜及び前記第２の補正膜とは異なり、互いに隣り合う第３の補正膜と第４の補正膜との第２の間隔が異なるとともに、前記第１の補正膜及び前記第２の補正膜は、前記第３の補正膜及び前記第４の補正膜よりも前記光学素子本体の外側に設けられており、前記第１の間隔は前記第２の間隔よりも広いことを特徴とする。

本発明によれば、例えば、複数の変曲点を持つような複雑な変形を補正する点で有利な光学素子を提供することができる。

第１実施形態に係る光学素子の構成を示す概略断面図である。 可変形状光学素子ユニットの構成を示す概略断面図である。 円板ガラスでの薄膜による変形状態を示す模式図である。 曲面であり、厚みに分布のある可変形状光学素子での薄膜による変形を示す模式図である。 補正膜の領域生成のためのマスキングの配置を示す断面図である。 非光学面の補正膜の厚みを全面均一とした場合の、膜の内部応力によるミラーの変形状態を示す概略断面図である。 膜応力によるミラーの変形からマスキングの配置を求めるための図である。 マスキングの配置を説明するための図である。 光学素子の製造方法を説明するフローチャートである。 第２実施形態に係る光学素子の構成を示す概略断面図である。 第３実施形態に係る光学素子の構成を示す概略断面図である。 第３実施形態の変形例に係る光学素子の構成を示す概略断面図である。 第４実施形態に係る露光装置の構成を示す概略図である。

以下、図面を参照して本発明を実施するための形態について詳細に説明する。以下の実施形態では光学素子の一例としてミラーを例として説明するが、ミラーを他の光学素子（プリズム、レンズ）等に置き換えてもその効果は同様である。

［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態に係る光学素子２の構成を示す概略断面図である。光学素子２は、光を反射する光学面２１ａ、及び、光学面２１ａに対して反対側の非光学面２１ｂを有するミラー（即ち、光学素子本体）２１と、非光学面２１ｂに設けられ、ミラー２１の形状の変形を補正するための第１の膜としての補正膜２３と、を備える。補正膜２３は、後述するように、複数の膜領域２３−ｎで構成される。また、光学素子２は、光学面２１ａに、光学機能を改善する第２の膜としての反射膜２２を備える。ミラー２１は、例えば、光学面の形状を可変とする可変形状光学素子が用いられる。

図２は、光学素子２を変形させる可変形状光学素子ユニット１の構成を示す概略断面図である。光学素子２は、ミラー２１の表面である光学面に反射膜２２が成膜され、ミラー２１の裏面である非光学面に補正膜２３が成膜される。光学素子２は、ベース３に保持部材３１を介して取付けられている。また、光学素子２の非光学面側である裏面に、ミラー２１を変形駆動させるアクチュエータ４が複数配置される。ミラー２１はアクチュエータ４を駆動することで所望の形状に変形される。

半導体製造におけるレチクル（マスク）上のパターンをウエハに転写するフォトリソグラフィ工程では、非常に微細なパターンをウエハ上に結像させるため光学系の収差などの影響が問題になる。フォトリソグラフィ工程を行う半導体露光装置では、光学系のレンズやミラーを変形させる可変形状光学素子を用いることで結像特性を改善できる。

一般的に、高精度な形状精度が求められる光学素子においては、重力による変形や鏡筒から受ける変形などに対応するため、できるだけ光学素子の厚みを厚くし剛性が高くなるように設計する。

これに対して、可変形状光学素子の場合は、図２に示すように、一般に薄く変形しやすい光学素子２に複数のアクチュエータ４を配置し、光学素子２を変形させ光学素子２の形状を制御している。このように、可変形状光学素子では、光学素子２自体をアクチュエータ４によって変形させるため、光学素子２の厚みを薄くし剛性を低くするよう設計する。光学素子２は、剛性を低くすることでアクチュエータ４の推力を低減し、アクチュエータ４の無駄な発熱や、アクチュエータ４の推力による他の構造体の変形といった悪影響を低減する。

図１に示すように、可変形状光学素子を用いたミラー２１には、光学特性を改善すべく、光学面２１ａに、反射防止膜や反射膜２２といった光学薄膜が設けられる。光学薄膜は一般に複数の材料層からなる多層膜であり、ミラー２１とは熱膨張率が異なる。このため、温度変化によってミラー２１と光学薄膜とがバイメタルのような変形を示す。

また、光学薄膜を蒸着やスパッタなどの成膜手段を用いてミラー２１に成膜することで、ミラー２１と光学薄膜との間に内部応力が生じ、光学素子２を変形させる。

半導体露光装置で用いられる可変形状光学素子は非常に高度な形状精度が求められる。このため、上記光学薄膜の成膜による変形や、光学薄膜とミラー２１の温度変化による変形は光学性能に影響を及ぼす。

成膜による変形においては、光学薄膜の成膜により内部応力を低減する方法がある。しかし、内部応力を低減するには、光学的に理想的な多層の光学薄膜の構成を内部応力の低減のために変更する必要があり、理想的な光学薄膜よりも光学性能が劣ることになる。

ミラー２１と光学薄膜との熱膨張率差による変形では、温度を高度に管理する方法があるが、露光装置では高強度の露光光がミラー２１に入射するため温度の管理は難しい。

その他の手段としては、図２に示すように、アクチュエータ４を駆動して、ミラー２１の変形を補正する方法がある。しかし、光学薄膜の内部応力による変形の補正は、オフセット補正となるため、アクチュエータ４の限られたストロークや推力を変形の補正に割く必要がある。

光学薄膜の内部応力は温度や湿度などに敏感であり、時間と共に変化する。このため、可変形状光学素子へ光学薄膜を成膜したときの変形をアクチュエータ４にて補正することはできても、その後の装置運用時などの更なる変形に対しては、可変形状光学素子の形状を計測する必要がある。可変形状光学素子の形状計測はコストなど様々な制約があるため、形状計測を行わずにアクチュエータ４をオープンで駆動することが望ましい。しかしながらアクチュエータ４のオープン駆動では、光学薄膜の内部応力の変動や、熱膨張による変形を補正することは困難である。

例えば、図３に示すような単純な円板ガラス６に薄膜２５を成膜した光学素子の場合の内部応力による変形は、円板を球状に曲げる単純な曲率変化になる。このため、膜応力変形は光学素子の配置調整によって補正したり、図２に示すアクチュエータ４による駆動補正したりすることが可能である。

これに対して、図４に示すように、有効面が曲率を有し且つ厚みが一定でない可変形状光学素子２４において、均一な厚みの薄膜２５を形成すると、薄膜２５の内部応力・熱膨張による変形は、２次以上の補正しにくい高次の変形を示す。このため光学素子の配置の調整では修正できず、また、可変形状光学素子２４を変形させるアクチュエータ４の駆動では分解能が足りなくなってしまう。

本実施形態では、光学素子の非光学面に形成する補正膜の分布状態を制御することによって上記問題を解決する。具体的には、例えば図１に示す通り、可変形状のミラー２１の非光学面２１ｂに、ミラー２１の中心から同心円状に複数の領域に分割した補正膜２３を設ける。即ち、補正膜２３は、非光学面２１ｂにおいて複数の膜領域２３−１，２３−２，２３−３，・・・・・２３−ｎ，・・・・・に分かれて設けられる。ここで、任意の膜領域２３−ｊとそれに隣接する膜領域２３−ｋとの間隔ｄ（ｊ−ｋ）は、膜の内部応力分布等を考慮して任意の幅に設定することができる。また、本実施形態では、膜領域２３−ｊ及び２３−ｋよりも外側に形成された膜領域２３−ｘとそれに隣接する膜領域２３−ｙとの間隔ｄ（ｘ−ｙ）は、上記間隔ｄ（ｊ−ｋ）と比較して大きく形成されており、両者の間隔は異なるものとされている。

本実施形態では、成膜の有無を調整することによって内部応力に分布を与える。補正膜２３において、任意の膜領域２３−ｊとそれに隣接する膜領域２３−ｋとの間は膜が存在しない非膜領域２８となる。補正膜２３の成膜でこの非膜領域２８を形成するためには、図５（Ａ）に示すマスキング２６を設ける。マスキング２６によって補正膜２３を成膜すると図５（Ｂ）に示すような非膜領域２８を形成できる。マスキング２６は一般的なマスキングテープや膜付着を防止する材料でもよい。ただしマスキング２６による成膜真空槽の高度真空環境を化学汚染する懸念があるため、化学汚染の少ない物質であることが望ましい。

図６は非光学面の補正膜２３の厚みを全面均一とした場合の、膜の内部応力によるミラー２１の変形状態を示す概略断面図である。ミラー２１の厚みが外周に従って薄くなっていることから、ミラー２１と膜の内部応力によるバイメタル効果がミラー２１の厚みによって変化する。また、ミラー２１が曲面であることで半径方向の位置によって内部応力によるバイメタル効果が変化する。このため、ミラー２１の光学面及び非光学面の両面全体に均一な膜を成膜しても、図６に示すような非線形な変形が残留する。
そこで、図６の変形に寄与する補正膜２３において、変形を補正するように内部応力に分布を付けることでミラーの変形を抑制することが可能になる。

図７は、膜応力によるミラー２１の変形からマスキングの配置を求めるための図である。図７（Ａ）は補正膜２３の厚みが均一な場合のミラー２１の変形状態、（Ｂ）は（Ａ）の変形量、（Ｃ）は（Ｂ）の変形を補正するための内部応力分布を与えるためのマスキング２６の配置図である。

補正膜２３に生じる内部応力は半径によらず一定であるが、ミラー２１が曲面であって厚みが不均一であることからミラー２１は図７（Ｂ）に示すような不均一な変形を示す。図７（Ｂ）におけるＫの範囲では、補正膜２３よりも反射膜２２の影響が大きいため、ミラー２１は反射膜側に凸の変形を示す。一方で図７（Ｂ）におけるＬの範囲では、反射膜２２よりも補正膜２３の影響が大きいため、ミラー２１は補正膜側に凸の変形を示す。つまり、Ｋの範囲では補正膜２３の内部応力を増加し、Ｌの範囲では補正膜２３の内部応力を低減できれば、図７（Ｂ）に示すミラー２１の変形を補正することが可能になる。

ＫとＬのそれぞれの領域に対し、補正膜２３の内部応力の制御を図７（Ｃ）に示すマスキング２６によって行う。補正膜２３の内部応力を下げたいところはマスキング２６の半径方向の幅を広く、補正膜２３の内部応力を強めたいところはマスキング２６の幅を狭くする。ここで、複数の領域に分断せず補正膜２３の厚みが均一な図７（Ａ）での補正膜２３の半径方向のＤｕｔｙ比が１００％であるのに対し、図７（Ｃ）のマスキング２６によって形成される補正膜２３のＤｕｔｙ比は５０％程度になる。このため、マスキング２６によるＤｕｔｙ比低下に起因した非光学面側の内部応力の合力の低下を補うため、補正膜２３の厚みを増すことが望ましい。補正膜２３のＤｕｔｙ比を５０％とする場合は、補正膜２３の膜厚を２００％とすることで補正膜２３の内部応力の合力の低下を補償できる。

次に、マスキング２６の幅の設定について説明する。図８は、マスキング２６の配置を説明するための図である。図８（Ａ）は設定されたマスキング２６の幅の一例、図８（Ｂ）はマスキング２６を除いた後の補正膜２３の状態、図８（Ｃ）は補正膜２３の内部応力分布を示す。
図８（Ｃ）に示す破線のｓｉｎ曲線となるような内部応力分布を与えたい場合には、図８（Ａ）に示すマスキング２６幅とそれに隣り合うマスキングの無い所の幅の比を考慮して設定する。任意のマスキング２６と隣り合うマスキングの無い部位の寸法和である明暗幅Ｄおよびこれらの寸法割合は、所望の内部応力分布の空間周波数（すなわち、空間的な周期をもつ構造における単位長に含まれる構造の繰り返しの多さ）に応じて設定する。即ち、図８（Ｃ）のｓｉｎ曲線で横軸よりも上側の領域では、ミラー２１の変形において補正膜２３よりも反射膜２２の影響が大きいため反射膜２２側に凸の変形を示す。このため、補正膜２３の内部応力を増加させるべく、図８（Ａ）の明暗幅Ｄにおいてマスキング２６の無い部位の幅を大きくする。これによって、図８（Ｂ）に示す通り、補正膜２３同士の間隔が狭くなり補正膜２３が密に形成された領域となる。これに対して、図８（Ｃ）のｓｉｎ曲線で横軸よりも下側の領域では、ミラー２１の変形において補正膜２３よりも反射膜２２の影響が小さいため補正膜２３側に凸の変形を示す。このため、補正膜２３の内部応力を減少させるべく、図８（Ａ）の明暗幅Ｄ’においてマスキング２６の無い部位の幅を小さくする。これによって、図８（Ｂ）に示す通り、補正膜２３同士の間隔が広くなり補正膜２３が疎に形成された領域となる。

ただし、高い空間周波数を満足するためにはマスキング２６の配置誤差を鑑みて設定することが望ましい。マスキング２６の配置誤差が０．５ｍｍとすると、その配置誤差の十倍の５ｍｍを明暗幅とすることができる。マスキング２６の配置誤差を低減することで明暗幅を狭くし、空間周波数を高くすることができる。

次に、本実施形態に係る光学素子２の製造方法について簡単に説明する。図９は、光学素子２の製造方法を説明するフローチャートである。まず、図１に示す光学面２１ａの成膜後の形状を特定する（Ｓ１１）。次に、非光学面２１ｂの補正膜２３の分布について補正膜２３の厚みを考慮しつつ決定する（Ｓ１２）。さらに、マスキング２６を用いて非光学面２１ｂに補正膜２３を成膜する（Ｓ１３）。最後に、光学面２１ａの形状を検査する（Ｓ１４）。

光学素子２の非光学面２１ｂに、補正膜２３が複数の領域に分かれて設けられていることで内部応力を効果的に制御できる。例えば、有効面が曲率を有し、且つ、径方向において厚みが一定でない可変形状光学素子等では高次の複数の変曲点を持つような複雑な変形が生じ得るが、補正膜２３の複数の領域を同心円状領域に分けることで、このような複雑な変形を補正できる。よって、光学素子２の変形を高い空間周波数にて補正できる。また、同心円状領域の隣り合う膜領域２３−ｎと非膜領域２８の寸法割合を光学素子２の半径方向において変化させることで、光学素子２の変形をより高い空間周波数にて補正できる。

さらに、膜厚分布制御板等を用いて補正膜を蒸着やスパッタリングにより成膜する方法では、成膜時における温度、投入エネルギーなどのさまざまな条件を考慮して膜原料物質の光学素子への堆積厚み等の状態を詳細に予測検討しなければならない。よって、綿密な条件調整作業が必要になってしまう。これに対して、本実施形態による方法では、成膜条件を制御するのではなく、マスキング２６を用いて膜領域２３−ｎと非膜領域２８を形成することによって補正膜２３の膜幅の分布を制御する。このため、複雑な条件調整が不要であり製造が容易である。

また、半導体製造におけるレチクル（マスク）上のパターンをウエハに転写するフォトリソグラフィ工程を行う露光装置に本実施形態に係る光学素子２を適用することで、露光時の温度変化や湿度変化に起因する収差の劣化を抑制して結像特性を改善できる。

［第２実施形態］
図１０は、第２実施形態に係る光学素子２’の構成を示す概略断面図である。本実施形態において、第１実施形態に係る光学素子２と同一構成要素は同一符号を付して説明を省略する。
本実施形態に係る光学素子２’は、ミラー２１の非光学面２１ｂに、補正膜２３が領域毎に所望の厚みで設けられる。厚みを変化させるためには、例えば、多層膜を用いる。図１０に示すように、Ａ領域では、補正膜２３は、補正膜２３ａ，２３ｂ，２３ｃの３層膜で形成され、Ｂ領域では補正膜２３ａ，２３ｂの２層膜で形成され、Ｃ領域では補正膜２３ａの単層膜で形成される。このように補正膜２３を領域毎に異なる膜厚として、面内方向だけでなく厚み方向にもより細かい内部応力分布をミラー２１に与えることが可能である。

図１０に示すような領域によって厚みの異なる補正膜２３は、ミラー２１の非光学面２１ｂに所定のパターンのマスキング２６を施して先ず第１層目としての補正膜２３ａを成膜する。次に、第１層目とは異なるパターンのマスキング２６を施して第２層目の補正膜２３ｂを成膜し、さらに、第１層目及び第２層目とは異なるパターンのマスキング２６を施して第３層目の補正膜２３ｃを成膜する。

補正膜２３ａ，２３ｂ，２３ｃは、それぞれ異なる材料で成膜することができる。ただし、補正膜２３のうちで一番成膜面積の大きい層である補正膜２３ａと反射膜２２とを同一材料とすることが熱膨張率による影響を相殺できるため、好ましい。

以上説明したように、本実施形態に係る光学素子２’では、補正膜２３を多層膜とし、領域によって多層の補正膜の積算厚みを変更することで、より細かい内部応力分布をミラー２１に与えることが可能である。

［第３実施形態］
図１１は、第３実施形態に係る光学素子２’’の構成を示す概略断面図である。本実施形態において、第１実施形態に係る光学素子２と同一構成要素は同一符号を付して説明を省略する。
本実施形態に係る光学素子２’’では、ミラー２１の非光学面２１ｂと補正膜２３との間に、非光学面２１ｂと補正膜２３との密着性を改善するための密着性向上膜３３が設けられている。

密着性向上膜３３は、図１１に示すように、複数の領域に分割せずに連続的とし、かつ厚みの均一な膜とすることが望ましい。なお、密着性向上膜３３はあくまでも密着性を改善する作用を有するものであって、補正膜２３のように内部応力分布を変える目的で成膜されるものではない。

図１２は、第３実施形態の変形例に係る光学素子２’’’の構成を示す概略断面図である。本実施形態に係る光学素子２’’’では、補正膜２３の全面を覆うように保護膜３５が設けられている。保護膜３５は、補正膜２３及びミラー２１を保護する観点から、膜を複数の領域に分割せずに、補正膜２３及びミラー２１の表面全体に設けることが望ましい。なお、保護膜３５はあくまでも補正膜２３及びミラー２１を保護する目的で成膜されるものであって、補正膜２３のように内部応力分布を変える目的で成膜されるものではない。

密着性向上膜３３や保護膜３５を設ける場合のマスキング２６の設計においては、先ずミラー２１、反射膜２２、密着性向上膜３３、保護膜３５、そしてマスキング２６のない均一な補正膜２３という構成でのミラー２１の変形を求める。次に、この変形を補正するようにマスキング２６の分布を設計する。

［第４実施形態］
図１３は、第４実施形態に係る露光装置１００の構成を示す概略図である。
露光装置１００は、保持装置１１０と、照明光学系１２０と、投影光学系１３０と、マスクを保持して移動可能なマスクステージ１４０と、基板を保持して移動可能な基板ステージ１５０と、を含む。基板の露光処理は不図示の制御部が各部を制御することで実行される。なお、図１３では、鉛直方向であるＺ軸に垂直な平面内で露光時のレチクルおよび基板の走査方向にＹ軸を取り、Ｙ軸に直交する非走査方向にＸ軸を取っている。また、基板は、例えば硝材製で、表面に感光剤（レジスト）が塗布されている被処理基板である。さらに、レチクルは、例えば硝材製で、基板に転写されるべきパターン（微細な凹凸パターン）が形成されている原版である。

保持装置１１０は、図２に示す可変形状光学素子ユニット１と同様に構成されているので、同一構成要素は同一符号を付して説明を省略する。保持装置１１０は、ベース３と、光学素子２を支持する保持部材３１と、複数のアクチュエータ４と、検出部１１４と、を含む。複数のアクチュエータ４は、不図示の制御部により制御される。光学素子２の中心を含む一部（以下、中心部）が保持部材３１を介してベース３に固定されている。

複数のアクチュエータ４は、光学素子２とベース３との間に配置され、光学素子２の裏面の複数箇所にそれぞれ力を加える。
複数のアクチュエータ４の各々は、例えば、互いに接触しない可動子４ａと固定子４ｂとを含み、光学素子２の裏面の各箇所に力を加えることができる。アクチュエータ４としては、例えば、ボイスコイルモータやリニアモータなどが用いられうる。アクチュエータ４としてボイスコイルモータを用いる場合では、固定子４ｂとしてのコイルがベース３に固定され、可動子４ａとしての磁石が光学素子２の裏面に固定されうる。そして、各アクチュエータ４は、コイルに電流が供給されることによってコイルと磁石との間にローレンツ力を発生させ、光学素子２の各箇所に力を加えることができる。本実施形態では、可動子４ａと固定子４ｂとの間は、０．１ｍｍ程度の間隙があり、両者は接触していない。

検出部１１４は、光学素子２とベース３との間の距離を検出する。検出部１１４は、光学素子２とベース３との間の距離をそれぞれ検出する複数のセンサ（例えば、静電容量センサ）を含みうる。このように検出部１１４を設けることにより、検出部１１４による検出結果に基づいて複数のアクチュエータ４のフィードバック制御を行うことができ、光学素子２の反射面を目標形状に精度よく変形させることができる。

照明光学系１２０に含まれる光源（不図示）から射出された光は、照明光学系１２０に含まれるスリット（不図示）によって、例えば、Ｘ方向に長い円弧状の照明領域をマスク上に形成することができる。マスクおよび基板は、マスクステージ１４０および基板ステージ１５０によってそれぞれ保持されており、投影光学系１３０を介して光学的にほぼ共役な位置（投影光学系１３０の物体面および像面の位置）に配置される。投影光学系１３０は、所定の投影倍率を有し、マスクに形成されたパターンを基板に投影する。そして、マスクステージ１４０および基板ステージ１５０を、投影光学系１３０の物体面と平行な方向（例えばＹ方向）に、投影光学系１３０の投影倍率に応じた速度比で相対的に移動させる。これにより、スリット光を基板上で走査する走査露光を行い、マスクに形成されたパターンを基板に転写することができる。

投影光学系１３０は、平面ミラー１３１および１３３と、凸面ミラー１３２と、光学素子２と、を保持する鏡筒により構成される。照明光学系１２０から射出し、マスクを透過した露光光は、平面ミラー１３１により光路を折り曲げられ、光学素子２の反射面の上部に入射する。光学素子２の上部で反射した露光光は、凸面ミラー１３２で反射し、光学素子２の反射面の下部に入射する。光学素子２の下部で反射した露光光は、平面ミラー１３３により光路を折り曲げられ、基板上に結像する。このように構成された投影光学系１３０では、凸面ミラー１３２の表面が光学的な瞳となる。

（物品の製造方法に係る実施形態）
本実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。さらに、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

例えば、上記の各実施形態では、光学膜の成膜による内部応力に起因する光学素子変形の補正について説明したが、この補正を、光学素子と光学膜との間の熱膨張率差に起因する光学素子変形に対応することも可能である。光学素子と光学膜との間の熱膨張率差に起因する光学素子変形の場合は、上記の各実施形態における変形をある温度差での変形と置き換えることで対応できる。

１ 可変形状光学素子ユニット
２ 光学素子
３ ベース
４ アクチュエータ
６ 円板ガラス
２１ ミラー
２１ａ 光学面
２１ｂ 非光学面
２２ 反射膜
２３ 補正膜
２３−ｎ 膜領域
２４ 可変形状光学素子
２５ 薄膜
２６ マスキング
２８ 非膜領域
３１ 保持部材
３３ 密着性向上膜
３５ 保護膜

Claims (8)

1. 反射膜が設けられた第１面、及び、前記第１面に対して反対側の第２面を有する光学素子本体と、
   前記光学素子本体の前記第２面側に設けられ、前記光学素子本体の形状を補正するための複数の補正膜と、を備えた光学素子であって、
   前記複数の補正膜のうち、互いに隣り合う第１の補正膜と第２の補正膜との第１の間隔と、前記第１の補正膜及び前記第２の補正膜とは異なり、互いに隣り合う第３の補正膜と第４の補正膜との第２の間隔が異なるとともに、
   前記第１の補正膜及び前記第２の補正膜は、前記第３の補正膜及び前記第４の補正膜よりも前記光学素子本体の外側に設けられており、前記第１の間隔は前記第２の間隔よりも広いことを特徴とする光学素子。
2. 前記光学素子本体は、曲面を有し且つ径方向の厚みが一定ではない円板の形状を有しており、前記複数の補正膜は、前記光学素子本体の中心から同心円状に複数の領域に分けて設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光学素子。
3. 前記補正膜が設けられている膜領域の前記光学素子の径方向における寸法と、前記膜領域に隣接し、前記補正膜が形成されていない領域の前記径方向における寸法との割合が前記径方向において変化していること特徴とする請求項２に記載の光学素子。
4. 前記補正膜は、多層膜であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光学素子。
5. 前記多層膜の少なくとも１つの膜の材料と前記反射膜の材料が同一であることを特徴とする請求項４に記載の光学素子。
6. 前記光学素子本体の前記第２面と前記補正膜との間に、前記第２面と前記補正膜とを密着させる膜が設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光学素子。
7. 基板を露光する露光装置であって、
   請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の光学素子と、
   前記光学素子を保持する保持装置と、
   を含む投影光学系を含み、
   前記投影光学系を介して前記基板を露光する、
   ことを特徴とする露光装置。
8. 請求項７に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
   前記工程で露光された前記基板を現像する工程と、
   を有することを特徴とする物品の製造方法。

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