CN104392901B - 一种柔性衬底基板及其制作方法 - Google Patents

一种柔性衬底基板及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104392901B
CN104392901B CN201410588863.5A CN201410588863A CN104392901B CN 104392901 B CN104392901 B CN 104392901B CN 201410588863 A CN201410588863 A CN 201410588863A CN 104392901 B CN104392901 B CN 104392901B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
flexible
layer
flexible membrane
membrane layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410588863.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104392901A (zh
Inventor
高涛
毛雪
周伟峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201410588863.5A priority Critical patent/CN104392901B/zh
Publication of CN104392901A publication Critical patent/CN104392901A/zh
Priority to PCT/CN2015/074511 priority patent/WO2016065808A1/zh
Priority to US14/770,892 priority patent/US10355032B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN104392901B publication Critical patent/CN104392901B/zh
Priority to US16/428,504 priority patent/US10978500B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/281—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyimides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B32B27/365—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters comprising polycarbonates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78603—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2367/00—Polyesters, e.g. PET, i.e. polyethylene terephthalate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6835—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during build up manufacturing of active devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明的实施例提供一种柔性衬底基板及其制作方法，涉及显示技术领域，解决了现有的显示器件在制作过程中将柔性衬底基板从承载基板上剥离时会出现不必要的卷曲的问题，避免损坏显示器件的性能，提高了显示器件的显示品质，避免最终生产的产品成为残次品。该柔性衬底基板采用柔性材料形成，所述衬底基板包括：第一柔性膜层，其中：所述第一柔性膜层的下表面上设置有多个凹槽；所述凹槽具有相同的厚度。本发明应用于柔性衬底基板的制作技术中。

Description

一种柔性衬底基板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性衬底基板及其制作方法。
背景技术
柔性显示是下一代显示技术的重要发展方向，该技术具有可弯曲、不易碎、超轻超薄、低功耗、便携等特点，在电子书、移动通信、笔记本、电视、公共信息等领域具有广阔的应用前景和良好的发展前景。目前柔性显示器件的制备方法通常是将柔性基板通过粘结剂、牺牲层、涂敷等贴附在刚性承载基板上，然后在其上面制备显示器件，之后通过机械或者激光照射等方法将柔性基板与承载基板分离。
受现有技术的限制目前的柔性显示器中，柔性基板的布线结构(主要包括栅极信号线、公共电极引线、数据信号线等)大多采用金属、金属合金或金属氧化物等制作，这些布线结构在某一方向上柔韧性很好，但在与该方向垂直的方向上柔韧性较差。尤其当柔性基板上覆盖有无机膜层时，由于无机膜层的薄膜应力往往很大，当柔性基板从硬质承载基板上剥离时，由于薄膜应力的原因柔性基板会发生不想要的卷曲，影响显示器件的性能。当卷曲幅度过大时，甚至会损坏柔性基板上的显示器件，使最终形成的显示器件成为残次品。
发明内容
本发明的实施例提供一种柔性衬底基板及其制作方法，解决了现有的显示器件在制作过程中将柔性衬底基板从承载基板上剥离时会出现不必要的卷曲的问题，避免损坏显示器件的性能，提高了显示器件的显示品质，避免最终生产的产品成为残次品。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种柔性衬底基板，所述柔性衬底基板采用柔性材料形成，所述衬底基板包括：第一柔性膜层，其中：
所述第一柔性膜层的下表面上设置有多个凹槽；
其中，所述凹槽具有相同的厚度。
可选的，所述柔性衬底基板还包括：第一缓冲层，其中：
所述第一缓冲层设置在所述第一柔性膜层中的所述凹槽所在的位置处；
所述第一缓冲层的材料与所述第一柔性膜层的材料不同。
可选的，所述柔性衬底基板还包括：柔性基底膜层，其中：
所述柔性基底膜层设置在所述第一柔性膜层和所述第一缓冲层的下面的位置处；
其中，所述第一柔性膜层和所述第一缓冲层覆盖所述柔性基底膜层。
可选的，所述柔性衬底基板还包括：至少一层柔性衬底膜层，所述柔性衬底膜层包括：第二柔性膜层和第二缓冲层，其中：
所述第二柔性膜层的下表面上设置有多个厚度相同的凹槽；
所述第二缓冲层设置在所述第二柔性膜层的凹槽内；
所述柔性衬底膜层设置在所述第一柔性膜层的上面覆盖所述第一柔性膜层的位置处。
可选的，所述第二缓冲层所在的位置与所述第一缓冲层所在位置之间具有互补的关系。
可选的，所述第一柔性膜层的材料包括：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚酰亚胺或者纤维增强材料。
可选的，所述第一缓冲层的材料包括：氮化硅、氧化硅、氧化铝中的至少一种；
或者，所述第一缓冲层的材料包括：碳纳米管、石墨烯、钼、铜、铝中的至少一种。
可选的，所述柔性基底膜层的材料与所述第一柔性膜层的材料相同。
可选的，所述第一柔性膜层中的所述凹槽所在的膜层的厚度为60～100um；
所述第一柔性膜层中的没有凹槽的膜层的厚度为5～20um。
可选的，所述第一缓冲层的厚度为
可选的，所述柔性基底膜层的厚度为5～10um。
可选的，所述第二柔性膜层的厚度和材料与所述第一柔性膜层的厚度和材料相同；
所述第二缓冲层的厚度和材料与所述第一缓冲层的厚度和材料相同。
第二方面，提供一种柔性衬底基板的制作方法，所述方法包括:
形成上表面上具有多个凹槽的承载基板；
在所述承载基板的凹槽内形成第一柔性膜层；
在所述第一柔性膜层上形成覆盖所述承载基板和所述第一柔性膜层的第二柔性膜层。
第三方面，提供一种柔性衬底基板的制作方法，所述方法包括:
形成上表面上具有多个凹槽的承载基板；
在所述承载基板上形成覆盖所述承载基板的柔性膜层。
第四方面，提供一种柔性衬底基板的制作方法，所述方法包括:
在承载基板上形成第一缓冲层；
在所述第一缓冲层上形成覆盖所述第一缓冲层和所述承载基板的第一柔性膜层。
可选的，所述方法包括:
在所述第一缓冲层下方形成覆盖所述承载基板的柔性基底膜层。
可选的，所述方法还包括:
在所述第一柔性膜层上至少形成一层包括第二柔性膜层和第二缓冲层的柔性衬底膜层；所述柔性衬底膜层覆盖所述第一柔性膜层；
其中，所述第二柔性膜层的下表面上设置有多个凹槽，所述第二缓冲层设置在所述第二柔性膜层的凹槽内。
本发明的实施例提供的柔性衬底基板及其制作方法，通过制作包括第一柔性膜层，且第一柔性膜层的下表面上设置有多个凹槽的柔性衬底基板，这样将柔性基板从承载基板上剥离时，由于柔性基板中的第一柔性膜层的下表面上设置有凹槽，从而使得第一柔性膜层上具有一定厚度的凸起，第一柔性膜层中的凸起位置能够有效的防止柔性显示器件由于应力的存在造成基板卷曲，同时，由于第一柔性膜层中具有厚度不同的膜层，可以释放基板本身的应力，使得显示器件的弯曲方向可控，并保证显示器件中的非弯曲方向可以牢固定位，解决了现有的显示器件在制作过程中将柔性衬底基板从承载基板上剥离时会出现不必要的卷曲的问题，避免损坏显示器件的性能，提高了显示器件的显示品质，避免最终生产的产品成为残次品。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的实施例提供的一种柔性衬底基板的结构示意图；
图2为本发明的实施例提供的另一种柔性衬底基板的结构示意图；
图3为本发明的实施例提供的又一种柔性衬底基板的结构示意图；
图4为本发明的另一实施例提供的一种柔性衬底基板的结构示意图；
图5为本发明的实施例提供的一种柔性衬底基板的制作方法的流程示意图；
图6为本发明的实施例提供的另一种柔性衬底基板的制作方法的流程示意图；
图7为本发明的实施例提供的又一种柔性衬底基板的制作方法的流程示意图；
图8为本发明的另一实施例提供的一种柔性衬底基板的制作方法的流程示意图。
附图标记：1-第一柔性膜层；2-凹槽；3-第一缓冲层；4-柔性基底膜层；5-柔性衬底膜层；6-第二柔性膜层；7-第二缓冲层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的实施例提供一种柔性衬底基板，该柔性衬底基板采用柔性材料形成，参照图1所示，该柔性衬底基板包括：第一柔性膜层1，其中：
第一柔性膜层1的下表面上设置有多个凹槽2。
其中，凹槽具有相同的厚度。
具体的，本实施例中第一柔性膜层中的凹槽所在位置的膜层的材料与没有凹槽的膜层的材料可以不同。第一柔性膜层中凹槽所在位置的膜层的材料可以为：聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene Terephthalate，简称PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethyleneNaphthalate，简称PEN)、纤维增强材料等。第一层柔性膜层中没有凹槽的膜层的材料可以为：聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)、聚碳酸酯(polycarbonate，简称PC)、聚醚砜(PolyetherSulfone，简称PES)等。其中，第一柔性膜层1中的凹槽2所在的膜层的厚度为60～100um，第一柔性膜层中的没有凹槽的膜层的厚度为5～20um。当然，第一柔性膜层中凹槽所在位置的膜层与没有凹槽的膜层的材料也可以相同，此时该第一柔性膜层的材料可以为：PET、PEN、PI、PC、PES中的至少一种。
第一柔性膜层上的凹槽可以是使用掩膜板在该第一柔性膜层上制作多个独立的矩形或者圆形来实现的。
具体的，本实施例中的柔性衬底基板具有两种不同的膜层厚度，并且两种厚度的膜层间隔设置，这样柔性衬底基板上的薄膜应力中的拉伸应力相对减小，可以与显示器件的各个膜层中产生的收缩应力相抵消掉，从而使得柔性衬底基板从承载基板上剥离时，不会因为薄膜应力的存在而产生不需要的形变，进而不会损坏显示器件的性能。
本发明的实施例提供的柔性衬底基板，通过制作包括第一柔性膜层，且第一柔性膜层的下表面上设置有多个凹槽的柔性衬底基板，这样将柔性基板从承载基板上剥离时，由于柔性基板中的第一柔性膜层的下表面上设置有凹槽，从而使得第一柔性膜层上具有一定厚度的凸起，第一柔性膜层中的凸起位置能够有效的防止柔性显示器件由于应力的存在造成基板卷曲，同时，由于第一柔性膜层中具有厚度不同的膜层，可以释放基板本身的应力，使得显示器件的弯曲方向可控，并保证显示器件中的非弯曲方向可以牢固定位，解决了现有的显示器件在制作过程中将柔性衬底基板从承载基板上剥离时会出现不必要的卷曲的问题，避免损坏显示器件的性能，提高了显示器件的显示品质，避免最终生产的产品成为残次品。
进一步，参照图2所示，在本发明提供的另一实施例中该柔性衬底基板还包括：第一缓冲层3，其中：
第一缓冲层3设置在第一柔性膜层1中的凹槽2所在的位置处。
第一缓冲层的材料与第一柔性膜层的材料不同。
其中，第一缓冲层的材料包括：氮化硅、氧化硅、氧化铝中的至少一种。
或者，第一缓冲层的材料包括：碳纳米管、石墨烯、钼、铜、铝中的至少一种。
第一缓冲层的厚度为
本实施例中，整个第一柔性膜层中有凹槽的膜层和没有凹槽的膜层的材料相同，此时第一柔性膜层的材料可以为：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚酰亚胺或者纤维增强材料等。
具体的，第一缓冲层完全覆盖第一柔性膜层中的凹槽。
进一步，参照图3所示，该柔性衬底基板还包括：柔性基底膜层4，其中：
柔性基底膜层4设置在第一柔性膜层1和第一缓冲层3的下面的位置处。
其中，第一柔性膜层1和第一缓冲层3覆盖柔性基底膜层4。
其中，柔性基底膜层的材料可以与第一柔性膜层的材料相同。柔性基底膜层的厚度可以为5～10um。
具体的，增加柔性基底膜层后，在形成整个柔性衬底基板时成膜效果更好，保证了最终形成的显示器件的显示品质。
进一步具体的，参照图4所示，该柔性衬底基板还包括：至少一层柔性衬底膜层5，柔性衬底膜层5包括：第二柔性膜层6和第二缓冲层7，其中：
第二柔性膜层6的下表面上设置有多个厚度相同的凹槽。
第二缓冲层7设置在第二柔性膜层6的凹槽所在的位置处。
柔性衬底膜层5设置在第一柔性膜层1的上面且覆盖第一柔性膜层1的位置处。
其中，第二缓冲层7所在的位置与第一缓冲层3所在位置之间具有互补的关系。
其中，第二柔性膜层的厚度和材料与第一柔性膜层的厚度和材料相同；第二缓冲层的厚度和材料与第一缓冲层的厚度和材料相同。
具体的，图4中以该柔性衬底基板中包括一层柔性衬底膜层进行示例。本实施例中的柔性衬底膜层的数量此处不做唯一的限定，优选的柔性衬底膜层的数量为2。本实施例中，以该柔性衬底基板具有两层柔性衬底膜层为例进行说明，在制作过程中，先形成第一缓冲层和第一柔性膜层，然后在第一柔性膜层上形成第一层柔性衬底膜层，之后在第一层柔性衬底膜层上形成第二层柔性衬底膜层，形成所有的膜层后在具有氮气，温度在250℃～450℃的环境中，进行高温退火工艺5～8小时，使得最终形成的柔性衬底基板的各个膜层之间发生交联固化，从而紧密的连接在一起。需要说明的是，第二个柔性衬底膜层中的第二缓冲层的位置与第一个柔性衬底膜层中的第二缓冲层的位置具有互补的关系。以此类推，该柔性衬底基板中所有相邻缓冲层的位置都具有互补的关系。
具体的，本实施例中的柔性衬底基板总体上具有两种不同材料的膜层，且两种不同的材料交替出现，这样最终形成的柔性衬底基板具有两种不同大小的薄膜应力，同时，这两种不同大小的薄膜应力交替出现，从而使得柔性衬底基板上的薄膜应力中的拉伸应力相对减小，可以与显示器件的各个膜层中产生的收缩应力相抵消掉，从而使得柔性衬底基板从承载基板上剥离时，不会因为薄膜应力的存在而产生不需要的形变，进而不会损坏显示器件的性能。
本发明的实施例提供的柔性衬底基板，通过制作包括第一柔性膜层，且第一柔性膜层的下表面上设置有多个凹槽的柔性衬底基板，这样将柔性基板从承载基板上剥离时，由于柔性基板中的第一柔性膜层的下表面上设置有凹槽，从而使得第一柔性膜层上具有一定厚度的凸起，第一柔性膜层中的凸起位置能够有效的防止柔性显示器件由于应力的存在造成基板卷曲，同时，由于第一柔性膜层中具有厚度不同的膜层，可以释放基板本身的应力，使得显示器件的弯曲方向可控，并保证显示器件中的非弯曲方向可以牢固定位，解决了现有的显示器件在制作过程中将柔性衬底基板从承载基板上剥离时会出现不必要的卷曲的问题，避免损坏显示器件的性能，提高了显示器件的显示品质，避免最终生产的产品成为残次品。
本发明的实施例提供一种柔性衬底基板的制作方法，参照图5所示，该方法包括以下步骤：
101、形成上表面上具有多个凹槽的承载基板。
具体的，可以采用在承载基板上涂覆一层光刻胶，然后利用掩膜板进行曝光、显影、刻蚀后形成多个厚度相同的凹槽结构。该凹槽的形状可以为矩形或者圆形等，可以形成截面具有凹槽的形状均可以适用。
102、在承载基板的凹槽内形成第一柔性膜层。
具体的，采用涂敷工艺在承载基板的凹槽内涂敷一层厚度为60～100um的溶液状的PET、PEN或者纤维增强材料等材料，形成第一层柔性膜层。
103、在第一柔性膜层上形成覆盖承载基板和第一柔性膜层的第二柔性膜层。
具体的，采用涂敷工艺在承载基板的凹槽内涂敷一层厚度为5～20um的溶液状的PI、PC或者PES等材料，形成第二柔性膜层，然后进行高温烘烤固化使得第一柔性膜层和第二柔性膜层成为一个整体。
本发明的实施例提供的柔性衬底基板的制作方法，通过制作包括第一柔性膜层，且第一柔性膜层的下表面上设置有多个凹槽的柔性衬底基板，这样将柔性基板从承载基板上剥离时，由于柔性基板中的第一柔性膜层的下表面上设置有凹槽，从而使得第一柔性膜层上具有一定厚度的凸起，第一柔性膜层中的凸起位置能够有效的防止柔性显示器件由于应力的存在造成基板卷曲，同时，由于第一柔性膜层中具有厚度不同的膜层，可以释放基板本身的应力，使得显示器件的弯曲方向可控，并保证显示器件中的非弯曲方向可以牢固定位，解决了现有的显示器件在制作过程中将柔性衬底基板从承载基板上剥离时会出现不必要的卷曲的问题，避免损坏显示器件的性能，提高了显示器件的显示品质，避免最终生产的产品成为残次品。
本发明的实施例提供一种柔性衬底基板的制作方法，参照图6所示，该方法包括以下步骤：
201、形成上表面上具有多个凹槽的承载基板。
具体的，可以采用在承载基板上涂覆一层光刻胶，然后利用掩膜板进行曝光、显影、刻蚀后形成多个厚度相同的凹槽结构。该凹槽的形状可以为矩形或者圆形等，可以形成截面具有凹槽的形状均可以适用。
202、在承载基板上形成覆盖承载基板的柔性膜层。
具体的，采用涂敷工艺在承载基板的凹槽内涂敷一层溶液状的PI、PC、PES、PET、PEN或者纤维增强材料等材料，然后进行高温固化形成图案化的柔性膜层。
本发明的实施例提供的柔性衬底基板的制作方法，通过制作包括第一柔性膜层，且第一柔性膜层的下表面上设置有多个凹槽的柔性衬底基板，这样将柔性基板从承载基板上剥离时，由于柔性基板中的第一柔性膜层的下表面上设置有凹槽，从而使得第一柔性膜层上具有一定厚度的凸起，第一柔性膜层中的凸起位置能够有效的防止柔性显示器件由于应力的存在造成基板卷曲，同时，由于第一柔性膜层中具有厚度不同的膜层，可以释放基板本身的应力，使得显示器件的弯曲方向可控，并保证显示器件中的非弯曲方向可以牢固定位，解决了现有的显示器件在制作过程中将柔性衬底基板从承载基板上剥离时会出现不必要的卷曲的问题，避免损坏显示器件的性能，提高了显示器件的显示品质，避免最终生产的产品成为残次品。
本发明的实施例提供一种柔性衬底基板的制作方法，参照图7所示，该方法包括以下步骤：
301、在承载基板上形成第一缓冲层。
具体的，采用涂敷工艺在承载基板上涂敷一层厚度在的缓冲层材料。其中，缓冲层的材料可以是氮化硅、氧化硅、氧化铝等非金属膜的一种或者多种的复合膜，也可以是碳纳米管、石墨烯、钼、铜、铝等金属膜层的一种或者多种的复合膜。第一缓冲层的厚度可以为
302、在第一缓冲层上形成覆盖第一缓冲层和承载基板的第一柔性膜层。
具体的，采用涂敷工艺涂敷一层厚度为5um～10um的溶液状薄膜，然后在具有氮气、温度为100℃～200℃的环境中进行预固化，形成图案化的第一柔性膜层。其中，固化时间可以为30min～60min，第一柔性膜层的材料可以是PET、PEN、PC、PES、PI等。
本发明的实施例提供的柔性衬底基板的制作方法，通过制作包括第一柔性膜层，且第一柔性膜层的下表面上设置有多个凹槽的柔性衬底基板，这样将柔性基板从承载基板上剥离时，由于柔性基板中的第一柔性膜层的下表面上设置有凹槽，从而使得第一柔性膜层上具有一定厚度的凸起，第一柔性膜层中的凸起位置能够有效的防止柔性显示器件由于应力的存在造成基板卷曲，同时，由于第一柔性膜层中具有厚度不同的膜层，可以释放基板本身的应力，使得显示器件的弯曲方向可控，并保证显示器件中的非弯曲方向可以牢固定位，解决了现有的显示器件在制作过程中将柔性衬底基板从承载基板上剥离时会出现不必要的卷曲的问题，避免损坏显示器件的性能，提高了显示器件的显示品质，避免最终生产的产品成为残次品。
本发明的实施例提供一种柔性衬底基板的制作方法，参照图8所示，该方法包括以下步骤：
401、在承载基板上形成柔性基底膜层。
具体的，采用涂敷工艺在承载基板上涂敷一层厚度为5um～10um厚度的溶液状薄膜，然后在温度为100℃～200℃的氮气环境中固化30min～60min，形成图案化的柔性基底膜层。其中，柔性基底膜层的材料可以为PET、PEN、PC、PES、PI等。
402、在柔性基底膜层上形成覆盖所述柔性基板膜层的第一缓冲层。
403、在第一缓冲层上形成覆盖第一缓冲层和柔性基底膜层的第一柔性膜层。
404、在第一柔性膜层上至少形成一层包括第二柔性膜层和第二缓冲层的柔性衬底膜层。
其中，柔性衬底膜层覆盖第一柔性膜层，第二柔性膜层的下表面上设置有多个凹槽，第二缓冲层设置在第二柔性膜层的凹槽内。
具体的，可以采用与形成第一柔性膜层的工艺相同的工艺形成第二柔性膜层；可以采用与形成第一缓冲层的工艺相同的工艺形成第二缓冲层。第二柔性膜层的厚度和材料与第一柔性膜层的厚度和材料相同，第二缓冲层的厚度和材料与第一缓冲层的厚度和材料相同。
需要说明的是，本实施例中与上述实施例相同步骤的解释可以参考上述实施例中的解释，此处不再赘述。
本发明的实施例提供的柔性衬底基板的制作方法，通过制作包括第一柔性膜层，且第一柔性膜层的下表面上设置有多个凹槽的柔性衬底基板，这样将柔性基板从承载基板上剥离时，由于柔性基板中的第一柔性膜层的下表面上设置有凹槽，从而使得第一柔性膜层上具有一定厚度的凸起，第一柔性膜层中的凸起位置能够有效的防止柔性显示器件由于应力的存在造成基板卷曲，同时，由于第一柔性膜层中具有厚度不同的膜层，可以释放基板本身的应力，使得显示器件的弯曲方向可控，并保证显示器件中的非弯曲方向可以牢固定位，解决了现有的显示器件在制作过程中将柔性衬底基板从承载基板上剥离时会出现不必要的卷曲的问题，避免损坏显示器件的性能，提高了显示器件的显示品质，避免最终生产的产品成为残次品。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种柔性衬底基板，其特征在于，所述柔性衬底基板采用柔性材料形成，所述柔性衬底基板包括：第一柔性膜层，其中：
所述第一柔性膜层的下表面上设置有多个凹槽；
其中，所述凹槽具有相同的厚度；
所述柔性衬底基板还包括：第一缓冲层，其中：
所述第一缓冲层设置在所述第一柔性膜层中的所述凹槽所在的位置处；
所述第一缓冲层的材料与所述第一柔性膜层的材料不同；
所述柔性衬底基板还包括：柔性基底膜层，其中：
所述柔性基底膜层设置在所述第一柔性膜层和所述第一层缓冲层的下面的位置处；
其中，所述第一柔性膜层和所述第一层缓冲层覆盖所述柔性基底膜层。
2.根据权利要求1所述的柔性衬底基板，其特征在于，所述柔性衬底基板还包括：至少一层柔性衬底膜层，所述柔性衬底膜层包括：第二柔性膜层和第二缓冲层，其中：
所述第二柔性膜层的下表面上设置有多个厚度相同的凹槽；
所述第二缓冲层设置在所述第二柔性膜层的凹槽内；
所述柔性衬底膜层设置在所述第一柔性膜层的上面覆盖所述第一柔性膜层的位置处。
3.根据权利要求2所述的柔性衬底基板，其特征在于，
所述第二缓冲层所在的位置与所述第一缓冲层所在位置之间具有互补的关系。
4.根据权利要求1所述的柔性衬底基板，其特征在于，
所述第一柔性膜层的材料包括：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚酰亚胺或者纤维增强材料。
5.根据权利要求1所述的柔性衬底基板，其特征在于，
所述第一缓冲层的材料包括：氮化硅、氧化硅、氧化铝中的至少一种；
或者，所述第一缓冲层的材料包括：碳纳米管、石墨烯、钼、铜、铝中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的柔性衬底基板，其特征在于，
所述柔性基底膜层的材料与所述第一柔性膜层的材料相同。
7.根据权利要求1所述的柔性衬底基板，其特征在于，
所述第一柔性膜层中的所述凹槽所在的膜层的厚度为60～100μm；
所述第一柔性膜层中的没有凹槽的膜层的厚度为5～20μm。
8.根据权利要求1所述的柔性衬底基板，其特征在于，
所述第一缓冲层的厚度为
9.根据权利要求1所述的柔性衬底基板，其特征在于，
所述柔性基底膜层的厚度为5～10μm。
10.根据权利要求2所述的柔性衬底基板，其特征在于，
所述第二柔性膜层的厚度和材料与所述第一柔性膜层的厚度和材料相同；
所述第二缓冲层的厚度和材料与所述第一缓冲层的厚度和材料相同。
11.一种柔性衬底基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括:
形成上表面上具有多个凹槽的承载基板；
在所述承载基板的凹槽内形成第一柔性膜层；
在所述第一柔性膜层上形成覆盖所述承载基板和所述第一柔性膜层的第二柔性膜层。
12.一种柔性衬底基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括:
形成上表面上具有多个凹槽的承载基板，包括在所述承载基板上涂覆一层光刻胶，然后利用掩膜板进行曝光、显影、刻蚀后形成多个厚度相同的凹槽结构；
在所述承载基板上形成覆盖所述承载基板的柔性膜层，包括采用涂敷工艺在所述承载基板的凹槽内涂敷一层溶液状的聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或者纤维增强材料，然后进行高温固化形成图案化的柔性膜层。
13.一种柔性衬底基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括:
在承载基板上形成第一缓冲层；
在所述第一缓冲层上形成覆盖所述第一缓冲层和所述承载基板的第一柔性膜层；
所述方法包括：在所述第一缓冲层下方形成覆盖所述承载基板的柔性基底膜层。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述方法还包括:
在所述第一柔性膜层上至少形成一层包括第二柔性膜层和第二缓冲层的柔性衬底膜层；所述柔性衬底膜层覆盖所述第一柔性膜层；
其中，所述第二柔性膜层的下表面上设置有多个凹槽，所述第二缓冲层设置在所述第二柔性膜层的凹槽内。
CN201410588863.5A 2014-10-28 2014-10-28 一种柔性衬底基板及其制作方法 Active CN104392901B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410588863.5A CN104392901B (zh) 2014-10-28 2014-10-28 一种柔性衬底基板及其制作方法
PCT/CN2015/074511 WO2016065808A1 (zh) 2014-10-28 2015-03-18 柔性衬底基板及其制作方法
US14/770,892 US10355032B2 (en) 2014-10-28 2015-03-18 Flexible base substrate and fabrication method thereof
US16/428,504 US10978500B2 (en) 2014-10-28 2019-05-31 Flexible base substrate and fabrication method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410588863.5A CN104392901B (zh) 2014-10-28 2014-10-28 一种柔性衬底基板及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104392901A CN104392901A (zh) 2015-03-04
CN104392901B true CN104392901B (zh) 2017-08-25

Family

ID=52610784

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410588863.5A Active CN104392901B (zh) 2014-10-28 2014-10-28 一种柔性衬底基板及其制作方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10355032B2 (zh)
CN (1) CN104392901B (zh)
WO (1) WO2016065808A1 (zh)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104392901B (zh) 2014-10-28 2017-08-25 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性衬底基板及其制作方法
CN104752443B (zh) * 2015-04-20 2016-03-02 京东方科技集团股份有限公司 衬底载板、柔性显示面板及相应的制作方法、柔性显示装置
CN105244366B (zh) * 2015-11-23 2018-03-30 武汉华星光电技术有限公司 柔性显示基板及其制造方法
CN105633003B (zh) * 2016-01-26 2019-06-14 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及形成方法、载体基板、显示装置
CN105679774B (zh) * 2016-03-23 2019-09-27 大连东方科脉电子股份有限公司 可弯曲显示基板薄膜及其制造方法、显示装置
CN106229421B (zh) * 2016-08-24 2018-08-14 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性基板制作方法和柔性基板
CN106159090B (zh) * 2016-09-18 2020-09-22 Tcl科技集团股份有限公司 一种柔性衬底、显示器件及制备方法
CN107968152A (zh) * 2016-10-20 2018-04-27 上海和辉光电有限公司 柔性显示器件及其制造方法
JP6862154B2 (ja) * 2016-11-22 2021-04-21 キヤノン株式会社 光学素子、露光装置、および物品の製造方法
JP6594398B2 (ja) * 2016-11-30 2019-10-23 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド カバープレートおよびこれを含む折り畳み可能な表示装置
TWI621050B (zh) * 2017-06-16 2018-04-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
CN109427251B (zh) 2017-08-31 2021-08-10 昆山国显光电有限公司 一种覆盖膜及柔性显示装置
CN107611162A (zh) * 2017-09-13 2018-01-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled显示面板及其制作方法
KR102471464B1 (ko) * 2017-10-31 2022-11-25 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102430807B1 (ko) * 2017-12-12 2022-08-09 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 터치 스크린 패널 및 그 제조 방법
CN108336027A (zh) * 2018-01-12 2018-07-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板、oled显示面板及oled显示器
CN108364571B (zh) * 2018-01-19 2020-09-25 云谷（固安）科技有限公司 柔性背板及其制备方法、显示设备
CN108269501A (zh) * 2018-01-25 2018-07-10 京东方科技集团股份有限公司 一种可弹性形变显示基板及其制备方法、显示装置
CN108461630B (zh) * 2018-03-03 2022-08-16 昆山国显光电有限公司 柔性显示基板、显示面板、显示装置及其制造方法
CN108539016B (zh) 2018-03-29 2022-01-25 京东方科技集团股份有限公司 柔性衬底及其制备方法、显示面板的制备方法和显示装置
CN108305892B (zh) * 2018-04-03 2024-05-24 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性衬底基板及其制备方法、显示装置
CN109449290B (zh) * 2018-09-29 2023-05-19 广州国显科技有限公司 柔性基板及其制作方法、阵列基板、显示面板和显示装置
CN109658826B (zh) * 2018-11-06 2022-05-17 Oppo广东移动通信有限公司 柔性屏和电子设备
CN110085641A (zh) * 2019-04-25 2019-08-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
CN110112292A (zh) * 2019-05-14 2019-08-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示屏及其制作方法、智能设备
CN110444116B (zh) * 2019-07-16 2021-07-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性基板及其制备方法
CN110429177A (zh) * 2019-07-24 2019-11-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性oled显示面板及其制作方法
CN110408204A (zh) * 2019-07-24 2019-11-05 深圳市华星光电技术有限公司 柔性衬底材料、柔性显示面板衬底制备方法及柔性显示面板
CN110473985B (zh) * 2019-08-27 2022-10-28 云谷（固安）科技有限公司 一种柔性基板、柔性显示面板及柔性基板的制作方法
CN110854136B (zh) * 2019-10-31 2022-04-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示装置基板及其制备方法
CN111224009B (zh) * 2019-11-01 2022-10-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板、显示装置及制造方法
CN110752295B (zh) * 2019-11-29 2023-04-28 武汉天马微电子有限公司 柔性显示面板及其制作方法和显示装置
CN113193143B (zh) * 2021-04-22 2022-08-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法
CN113432729A (zh) * 2021-06-21 2021-09-24 华南理工大学 一种柔性热释电探测器及其制作方法
CN113715431B (zh) * 2021-08-27 2023-05-12 京东方科技集团股份有限公司 基板制备工艺、基板及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102185023A (zh) * 2011-04-01 2011-09-14 北京精诚铂阳光电设备有限公司 大面积柔性薄膜太阳能电池及其制造方法
CN102969320A (zh) * 2012-12-10 2013-03-13 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置
CN103236504A (zh) * 2013-05-10 2013-08-07 合肥京东方光电科技有限公司 柔性基板及制造方法、oled显示装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US533262A (en) 1895-01-29 alfoed
US7242398B2 (en) * 2002-02-18 2007-07-10 Ignis Innovation Inc. Flexible display device
US20050247978A1 (en) * 2003-07-09 2005-11-10 Weng Jian-Gang Solution-processed thin film transistor
US20060093795A1 (en) * 2004-11-04 2006-05-04 Eastman Kodak Company Polymeric substrate having a desiccant layer
EP1670079B1 (en) * 2004-12-08 2010-12-01 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Method of forming a conductive pattern of a thin film transistor
JP4416819B2 (ja) 2007-12-21 2010-02-17 オムロン株式会社 電磁誘導加熱装置の温度制御装置
US8382466B2 (en) * 2009-03-12 2013-02-26 Applied Materials, Inc. Large area dissolvable template lithography
CN101853789B (zh) 2010-05-07 2011-09-28 深圳丹邦科技股份有限公司 一种柔性封装载板焊盘金手指制作方法
JPWO2011142089A1 (ja) * 2010-05-14 2013-07-22 パナソニック株式会社 フレキシブル半導体装置およびその製造方法ならびに画像表示装置
JP5355618B2 (ja) * 2011-03-10 2013-11-27 三星ディスプレイ株式會社 可撓性表示装置及びこの製造方法
US20130234330A1 (en) 2012-03-08 2013-09-12 Infineon Technologies Ag Semiconductor Packages and Methods of Formation Thereof
JP5472419B2 (ja) * 2012-10-10 2014-04-16 ソニー株式会社 集積型薄膜素子の製造方法
US20150090960A1 (en) * 2013-09-30 2015-04-02 Universal Display Corporation Methods to Fabricate Flexible OLED Lighting Devices
CN104103648B (zh) 2014-07-24 2017-12-05 上海天马微电子有限公司 柔性显示设备、柔性显示母板及其制作方法
CN104392901B (zh) 2014-10-28 2017-08-25 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性衬底基板及其制作方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102185023A (zh) * 2011-04-01 2011-09-14 北京精诚铂阳光电设备有限公司 大面积柔性薄膜太阳能电池及其制造方法
CN102969320A (zh) * 2012-12-10 2013-03-13 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置
CN103236504A (zh) * 2013-05-10 2013-08-07 合肥京东方光电科技有限公司 柔性基板及制造方法、oled显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN104392901A (zh) 2015-03-04
US10355032B2 (en) 2019-07-16
US20160322403A1 (en) 2016-11-03
WO2016065808A1 (zh) 2016-05-06
US20190288016A1 (en) 2019-09-19
US10978500B2 (en) 2021-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104392901B (zh) 一种柔性衬底基板及其制作方法
US10803776B2 (en) Flexible display panel, display device, and method for manufacturing flexible display panel
KR101373879B1 (ko) 기판 트레이 및 플렉서블 전자장치의 제조 방법
JP6408740B1 (ja) タッチパネル及びその製造方法
CN102880369B (zh) 一种单片式电容触摸屏及其制备方法
TWI505410B (zh) 應用於軟性電子元件之基板結構及其製造方法
CN104716081B (zh) 柔性装置及其制作方法
CN101504920A (zh) 在柔性金属基底上形成电子器件的方法和所得器件
US20220190277A1 (en) Flexible cover plate, flexible display device, and manufacturing method of flexible cover plate
US10658600B2 (en) Method of fabricating flexible substrate having laminated material made of silicon oxide and amorphous silicon
JP2011141652A (ja) タッチパネルディスプレイ装置
CN103531715B (zh) 柔性光电器件衬底、柔性光电器件及制备方法
US11329075B2 (en) Method for fabricating array substrate, display panel and display device
CN103606535A (zh) 软性显示器组件的制作方法及其制作的软性显示器组件
CN109659333A (zh) 抗反射阻水氧组件及其制造方法、柔性显示器件
JP2010034538A (ja) 導体層パターン付き基材、その製造法及びそれを用いた電磁波遮蔽部材
TW201626192A (zh) 薄膜式觸控感測器及其製備方法
CN108914056A (zh) 一种掩膜板及其制作方法
WO2013060256A1 (zh) 具有保护层结构的碳层材料及其制备方法
WO2021077494A1 (zh) 一种柔性薄膜基板及其制备方法、显示面板
CN102683389B (zh) 一种柔性显示基板及其制备方法
JPH05315630A (ja) 可撓性のある薄膜太陽電池の製造方法
CN108807463A (zh) 抗反射组件及其制造方法、柔性显示器件
TW200911050A (en) Flexible electronic substrate structures and fabrication methods for flexible electronic devices
CN107787124A (zh) 一种异形柔性介质微带电路导电层涂覆工装及其使用方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant