CN110444116B - 柔性基板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种柔性基板及其制备方法，所述柔性基板包括第一柔性层、阻挡层、第二柔性层和缓冲层，所述阻挡层设置于所述第一柔性层的表面，所述阻挡层中设置有第一耐弯折结构，所述第一耐弯折结构包覆于所述阻挡层内，所述第二柔性层设置于所述阻挡层的表面，所述缓冲层设置于所述第二柔性层的表面，所述缓冲层中设置有第二耐弯折结构，所述第二耐弯折结构包覆于所述缓冲层内，通过在所述阻挡层中埋设所述第一耐弯折结构，在所述缓冲层中埋设所述第二耐弯折结构，利用所述第一耐弯折结构和所述第二耐弯折结构的耐弯折特性，从而提高了柔性基板的耐弯折能力和恢复形变能力。
Description
技术领域
本申请涉及柔性显示领域，具体涉及一种柔性基板及其制备方法。
背景技术
在现有技术中，柔性显示器需要柔性基板作为柔性显示元件的载体，柔性基板的耐弯折能力和恢复形变能力直接影响后柔性显示器的性能和寿命。因此，有必要提供一种柔性基板及其制备方法以提高性基板的耐弯折能力和恢复形变能力。
发明内容
本申请提供一种柔性基板及其制备方法以提高柔性基板的耐弯折能力和恢复形变能力。
一种柔性基板，包括：
第一柔性层；
阻挡层，所述阻挡层设置于所述第一柔性层的表面，所述阻挡层中设置有第一耐弯折结构，所述第一耐弯折结构包覆于所述阻挡层内；
第二柔性层，所述第二柔性层设置于所述阻挡层的表面；以及
缓冲层，所述缓冲层设置于所述第二柔性层的表面，所述缓冲层中设置有第二耐弯折结构，所述第二耐弯折结构包覆于所述缓冲层内。
在本申请所提供的柔性基板中，所述第一耐弯折结构具有第一图案化结构，所述第二耐弯折结构具有第二图案化结构，所述第一图案化结构和所述第二图案化结构相同。
在本申请所提供的柔性基板中，所述第一图案化结构在所述第一柔性层的表面的正投影和所述第二图案化结构在所述第一柔性层的表面的正投影重合。
在本申请所提供的柔性基板中，所述柔性基板包括弯折区和非弯折区，所述第一耐弯折结构和所述第二耐弯折结构位于所述弯折区。
在本申请所提供的柔性基板中，所述第一耐弯折结构包括若干第一条形单元结构，每一第一条形单元结构的延伸方向与所述柔性基板的弯折线的延伸方向垂直。
在本申请所提供的柔性基板中，所述第二耐弯折结构包括若干第二条形单元结构，每一第二条形单元结构的延伸方向与所述柔性基板的弯折线的延伸方向垂直。
在本申请所提供的柔性基板中，所述阻挡层的厚度为400纳米-600纳米，所述第一耐弯折结构的厚度为100纳米-150纳米。
在本申请所提供的柔性基板中，所述缓冲层的厚度为400纳米-600纳米，所述第二耐弯折结构的厚度为100纳米-150纳米。
一种柔性基板的制备方法，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上设置第一柔性层；
在所述第一柔性层上设置第一阻挡分层；
在所述第一阻挡分层上设置第一耐弯折层；
蚀刻所述第一耐弯折层形成第一耐弯折结构；
在所述第一耐弯折结构上设置第二阻挡分层，所述第一阻挡分层和第二阻挡分层结合形成一阻挡层；
在所述阻挡层上形成第二柔性层；
在所述第二柔性层上所述第一缓冲分层；
在所述第一缓冲分层上设置第二耐弯折层；
蚀刻所述第二耐弯折层形成第二耐弯折结构；
在所述第二耐弯折结构上形成第二缓冲分层，所述第一缓冲分层和所述第二缓冲分层结合形成一缓冲层；以及
除去所述衬底。
在本申请所提供的柔性基板的制备方法中，所述蚀刻所述第一耐弯折层形成第一耐弯折结构的步骤包括：
提供第一掩膜板，对所述第一耐弯折层进行曝光和显影；以及
蚀刻所述第一耐弯折层形成第一耐弯折结构；
所述蚀刻所述第一耐弯折层形成第一耐弯折结构的步骤包括：
提供第二掩膜板，对所述第二耐弯折层进行曝光和显影；以及
蚀刻所述第二耐弯折层形成第二耐弯折结构；
其中，所述第一掩膜版和第二掩膜版为同一掩膜版。
本申请提供了一种柔性基板及其制备方法，所述柔性基板包括第一柔性层、阻挡层、第二柔性层和缓冲层，所述阻挡层设置于所述第一柔性层的表面，所述阻挡层中设置有第一耐弯折结构，所述第一耐弯折结构包覆于所述阻挡层内，所述第二柔性层设置于所述阻挡层的表面，所述缓冲层设置于所述第二柔性层的表面，所述缓冲层中设置有第二耐弯折结构，所述第二耐弯折结构包覆于所述缓冲层内，通过在所述阻挡层中埋设所述第一耐弯折结构，在所述缓冲层中埋设所述第二耐弯折结构，利用所述第一耐弯折结构和所述第二耐弯折结构的耐弯折特性，从而提高了柔性基板的耐弯折能力和恢复形变能力。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例所提供的柔性基板的截面图。
图2为本申请实施例所提供的柔性基板的俯视透视图。
图3为本申请实施例所提供的柔性基板的制备方法的流程图。
图4为本申请实施例所提供的柔性基板的制备方法的第一种中间产品的截面图。
图5为本申请实施例所提供的柔性基板的制备方法的第二种中间产品的截面图。
图6为本申请实施例所提供的柔性基板的制备方法的第三种中间产品的截面图。
图7为本申请实施例所提供的柔性基板的制备方法的第四种中间产品的截面图。
图8为本申请实施例所提供的柔性基板的制备方法的第五种中间产品的截面图。
图9为本申请实施例所提供的柔性基板的制备方法的第六种中间产品的截面图。
图10为本申请实施例所提供的柔性基板的制备方法的第七种中间产品的截面图。
图11为本申请实施例所提供的柔性基板的制备方法的第八种中间产品的截面图。
图12为本申请实施例所提供的柔性基板的制备方法的第九种中间产品的截面图。
图13为本申请实施例所提供的柔性基板的制备方法的第十种中间产品的截面图。
图14为本申请实施例所提供的柔性基板的制备方法的第十一种中间产品的截面图。
图15为本申请实施例所提供的柔性基板的制备方法的第十二种中间产品的截面图。
图16为本申请实施例所提供的柔性基板的制备方法的第十三种中间产品的截面图。
图17为本申请实施例所提供的柔性基板的制备方法所制备柔性基板的截面图。
具体实施方式
请参阅图1，本申请提供一种柔性基板10。所述柔性基板10包括第一柔性层11、阻挡层12、第二柔性层13和缓冲层14。所述第一柔性层11、所述阻挡层12、所述第二柔性层13和所述缓冲层14依次层叠设置。在制作过程中，可以将所述第一柔性层11、所述阻挡层12、所述第二柔性层13和所述缓冲层14依次层叠设置于一衬底上，在制作完成后，除去衬底即可。
所述第一柔性层11可以为聚酰亚胺、环烯烃共聚物或聚对苯二甲酸类材料等。
所述阻挡层12设置于所述第一柔性层11的表面11a。所述阻挡层12可以为氮化硅、氮氧化硅、聚酰亚胺或非晶硅等。所述阻挡层12中设置有第一耐弯折结构121。所述第一耐弯折结构121包覆于所述阻挡层12内。所述第一耐弯折结构121为乙烯-醋酸乙烯共聚物(ethylene vinyl acetate copolymer，EVA)、石墨烯或镍基高温合金等。所述第一耐弯折结构121具有第一图案化结构1211。所述第一耐弯折结构121朝向所述第一柔性层11的表面121a与所述阻挡层12朝向所述第一柔性层11的表面12a的距离D1为150纳米-250纳米。在一些实施例中，所述第一耐弯折结构121朝向所述第一柔性层11的表面121a与所述阻挡层12朝向所述第一柔性层11的表面12a的距离D1可以为180纳米、200纳米或者230纳米。所述第一耐弯折结构121朝向所述第一柔性层11的表面121a与所述阻挡层12朝向所述第二柔性层13的表面12b的距离D2为200纳米-450纳米。在一些实施例中，所述第一耐弯折结构121朝向所述第一柔性层11的表面121a与所述阻挡层12朝向所述第二柔性层13的表面12b的距离D2可以为250纳米、300纳米或者400纳米。所述第一耐弯折结构121的厚度D3为100纳米-150纳米。在一些实施例中，所述第一耐弯折结构121的厚度D3可以为110纳米、120纳米或者140纳米。所述阻挡层12的厚度D4为400纳米-600纳米。在一些实施例中，所述阻挡层12的厚度D4可以为450纳米、500纳米或者550纳米。
所述第二柔性层13设置于所述阻挡层12的表面12b。所述第二柔性层13可以聚酰亚胺、环烯烃共聚物或聚对苯二甲酸类材料等。
所述缓冲层14设置于所述第二柔性层13的表面13a，所述缓冲层14可以为氮化硅、氮氧化硅、聚酰亚胺或非晶硅等。所述缓冲层14中设置有第二耐弯折结构141。所述第二耐弯折结构141包覆于所述缓冲层14内。所述第二耐弯折结构141为乙烯-醋酸乙烯共聚物(ethylene vinyl acetate copolymer，EVA)或石墨烯。所述第二耐弯折结构141具有第二图案化结构1411。所述第二耐弯折结构141朝向所述第二柔性层13的表面141a与所述缓冲层14朝向第二柔性层13的表面14a的距离D5为150纳米-250纳米。在一些实施例中，所述第二耐弯折结构141朝向所述第二柔性层13的表面141a与所述缓冲层14朝向第二柔性层13的表面14a的距离D5可以为180纳米、200纳米或230纳米。所述第二耐弯折结构141朝向所述第二柔性层13的表面14a与所述缓冲层14远离所述第二柔性层13的表面14b的距离D6为200纳米-450纳米。在一些实施例中，所述第二耐弯折结构141朝向所述第二柔性层13的表面14a与所述缓冲层14远离所述第二柔性层13的表面14b的距离D6为250纳米、300纳米或400纳米。所述第二耐弯折结构141的厚度D7为100纳米-150纳米。在一些实施例中，所述第二耐弯折结构141的厚度D7可以为120纳米、125纳米或140纳米。所述缓冲层14的厚度D8为400纳米-600纳米。在一些实施例中，所述缓冲层14的厚度D8可以为450纳米、500纳米或者550纳米。
所述第一耐弯折结构和所述第二耐弯折结构的弹性模量为2.5GPa-3GPa。所述第一耐弯折结构和所述第二耐弯折结构的延展率大于100％。
请参阅图2，所述第一图案化结构1211和所述第二图案化结构1411相同。所述第一图案化结构1211在所述第一柔性层11的表面11a的正投影1211a和所述第二图案化结构1411在所述第一柔性层11的表面11a的正投影1411a重合。所述柔性基板10包括弯折区10a和非弯折区10b，所述第一耐弯折结构121和所述第二耐弯折结构141位于所述弯折区10b。所述第一耐弯折结构121包括若干第一条形单元结构1211b，每一第一条形单元结构1211b的延伸方向Y1与所述柔性基板10的弯折线10c的延伸方向X垂直。所述第二耐弯折结构141包括若干第二条形单元结构1411b，每一第二条形单元结构1411b的延伸方向Y2与所述柔性基板10的弯折线10c的延伸方向X垂直。所述柔性基板10的耐弯折次数可以达到200000次以上。
请参阅图3，本申请还提供一种柔性基板的制备方法，包括：
201、提供一衬底30。
请参阅图4，所述衬底30可以为一柔性基板或一玻璃基板。
202、在所述衬底30上设置第一柔性层11。
请参阅图5，所述第一柔性层11可以为聚酰亚胺、环烯烃共聚物或聚对苯二甲酸类材料等。
203、在所述第一柔性层11上设置第一阻挡分层1201。
请参阅图6，所述第一阻挡分层1201可以为氮化硅、氮氧化硅、聚酰亚胺或非晶硅等。所述第一阻挡分层1201的厚度为150纳米-250纳米。
204、在所述第一阻挡分层1201上设置第一耐弯折层1210。
请参阅图7，采用化学气相沉积法，在反应温度为230摄氏度-300摄氏度时，在所述第一阻挡分层1201上设置第一耐弯折层1210。所述第一耐弯折层1210为乙烯-醋酸乙烯共聚物(ethylene vinyl acetate copolymer，EVA)、石墨烯或镍基高温合金等。所述第一耐弯折层1210的厚度为100纳米-150纳米。
205、蚀刻所述第一耐弯折层1210形成第一耐弯折结构121。
请参阅图8和9，先提供第一掩膜板41，对所述第一耐弯折层1210进行曝光和显影，然后蚀刻所述第一耐弯折层1210形成第一耐弯折结构121。
206、在所述第一耐弯折结构121上设置第二阻挡分层1202，所述第一阻挡分层1201和第二阻挡分层1202结合形成一阻挡层12。
请参阅图10，所述第二阻挡分层1202可以为氮化硅、氮氧化硅、聚酰亚胺或非晶硅等。所述第二阻挡分层1202的厚度为200纳米-450纳米。所述阻挡层12的厚度为400纳米-600纳米。在一种实施例中，所述第一阻挡分层1201的材料和所述第二阻挡分层1202的材料相同。
207、在所述阻挡层12上形成第二柔性层13。
请参阅图11，所述第二柔性层13可以聚酰亚胺、环烯烃共聚物或聚对苯二甲酸类材料等。
208、在所述第二柔性层13上所述第一缓冲分层1401。
请参阅图12，所述第一缓冲分层1401可以为氮化硅、氮氧化硅、聚酰亚胺或非晶硅等。所述第一缓冲分层1401的厚度为150纳米-250纳米。
209、在所述第一缓冲分层1401上设置第二耐弯折层1410。
请参阅图13，采用化学气相沉积法，在反应温度为230摄氏度-300摄氏度时，在所述第一缓冲分层1401上设置第二耐弯折层1410。所述第二耐弯折层1410为乙烯-醋酸乙烯共聚物(ethylene vinyl acetate copolymer，EVA)、石墨烯或镍基高温合金等。所述第二耐弯折层1410的厚度为100纳米-150纳米。
210、蚀刻所述第二耐弯折层1410形成第二耐弯折结构141。
请参阅图14和15，先提供第二掩膜板42，对所第二耐弯折层1410进行曝光和显影，然后蚀刻所述第二耐弯折层1410形成第二耐弯折结构141。为简化工艺，所述第一掩膜版41和所述第二掩膜版42可以为同一掩膜板。
211、在所述第二耐弯折结构141上形成第二缓冲分层1402，所述第一缓冲分层1401和所述第二缓冲分层1402结合形成一缓冲层14。
请参阅图16，所述第二缓冲分层1402可以为氮化硅、氮氧化硅、聚酰亚胺或非晶硅等。所述第二缓冲分层1402的厚度为200纳米-450纳米。所述缓冲层14的厚度为400纳米-600纳米。在一种实施例中，所述第一缓冲分层1401和所述第二缓冲分层1402的材料相同。
212、除去所述衬底。
请参阅图17，去除所述衬底30，得到所述柔性基板10。
本申请提供了一种柔性基板及其制备方法，所述柔性基板包括第一柔性层、阻挡层、第二柔性层和缓冲层，所述阻挡层设置于所述第一柔性层的表面，所述阻挡层中设置有第一耐弯折结构，所述第一耐弯折结构包覆于所述阻挡层内，所述第二柔性层设置于所述阻挡层的表面，所述缓冲层设置于所述第二柔性层的表面，所述缓冲层中设置有第二耐弯折结构，所述第二耐弯折结构包覆于所述缓冲层内，通过在所述阻挡层中埋设所述第一耐弯折结构，在所述缓冲层中埋设所述第二耐弯折结构，利用所述第一耐弯折结构和所述第二耐弯折结构的耐弯折特性，从而提高了柔性基板的耐弯折能力和恢复形变能力。
以上对本申请实施方式进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (8)
1.一种柔性基板，其特征在于，包括：
第一柔性层；
阻挡层，所述阻挡层设置于所述第一柔性层的表面，所述阻挡层中设置有第一耐弯折结构，所述第一耐弯折结构包覆于所述阻挡层内，所述阻挡层的厚度为400纳米-600纳米，所述第一耐弯折结构的厚度为100纳米-150纳米；
第二柔性层，所述第二柔性层设置于所述阻挡层的表面；以及
缓冲层，所述缓冲层设置于所述第二柔性层的表面，所述缓冲层中设置有第二耐弯折结构，所述第二耐弯折结构包覆于所述缓冲层内，所述缓冲层的厚度为400纳米-600纳米，所述第二耐弯折结构的厚度为100纳米-150纳米，所述第一耐弯折结构和所述第二耐弯折结构的弹性模量为2.5GPa-3GPa。
2.如权利要求1所述柔性基板，其特征在于，所述第一耐弯折结构具有第一图案化结构，所述第二耐弯折结构具有第二图案化结构，所述第一图案化结构和所述第二图案化结构相同。
3.如权利要求2所述柔性基板，其特征在于，所述第一图案化结构在所述第一柔性层的表面的正投影和所述第二图案化结构在所述第一柔性层的表面的正投影重合。
4.如权利要求1所述柔性基板，其特征在于，所述柔性基板包括弯折区和非弯折区，所述第一耐弯折结构和所述第二耐弯折结构位于所述弯折区。
5.如权利要求4所述柔性基板，其特征在于，所述第一耐弯折结构包括若干第一条形单元结构，每一第一条形单元结构的延伸方向与所述柔性基板的弯折线的延伸方向垂直。
6.如权利要求4所述柔性基板，其特征在于，所述第二耐弯折结构包括若干第二条形单元结构，每一第二条形单元结构的延伸方向与所述柔性基板的弯折线的延伸方向垂直。
7.一种柔性基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上设置第一柔性层；
在所述第一柔性层上设置第一阻挡分层；
在所述第一阻挡分层上设置第一耐弯折层；
蚀刻所述第一耐弯折层形成第一耐弯折结构；
在所述第一耐弯折结构上设置第二阻挡分层，所述第一阻挡分层和所述第二阻挡分层结合形成一阻挡层，所述阻挡层的厚度为400纳米-600纳米，所述第一耐弯折结构的厚度为100纳米-150纳米；
在所述阻挡层上形成第二柔性层；
在所述第二柔性层上设置第一缓冲分层；
在所述第一缓冲分层上设置第二耐弯折层；
蚀刻所述第二耐弯折层形成第二耐弯折结构；
在所述第二耐弯折结构上形成第二缓冲分层，所述第一缓冲分层和所述第二缓冲分层结合形成一缓冲层，所述缓冲层的厚度为400纳米-600纳米，所述第二耐弯折结构的厚度为100纳米-150纳米，所述第一耐弯折结构和所述第二耐弯折结构的弹性模量为2.5GPa-3GPa；以及
除去所述衬底。
8.如权利要求7所述柔性基板的制备方法，其特征在于，所述蚀刻所述第一耐弯折层形成第一耐弯折结构的步骤包括：
提供第一掩膜板，对所述第一耐弯折层进行曝光和显影；以及
蚀刻所述第一耐弯折层形成第一耐弯折结构；
所述蚀刻所述第一耐弯折层形成第一耐弯折结构的步骤包括：
提供第二掩膜板，对所述第二耐弯折层进行曝光和显影；以及
蚀刻所述第二耐弯折层形成第二耐弯折结构；
其中，所述第一掩膜板和所述第二掩膜板为同一掩膜板。
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| CN114203735A (zh) * | 2021-12-06 | 2022-03-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 驱动基板及其制作方法、显示面板 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012078577A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | プラズマディスプレイ用光学シート、この光学シートを備えたプラズマディスプレイおよびこの光学シートの製造方法 |
| CN108075040A (zh) * | 2016-11-07 | 2018-05-25 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 柔性oled基材及其制备方法 |
| CN108281388A (zh) * | 2018-01-23 | 2018-07-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、其制作方法及显示面板 |
| CN108630732A (zh) * | 2018-04-25 | 2018-10-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
| CN108987611A (zh) * | 2018-09-11 | 2018-12-11 | 昆山国显光电有限公司 | 膜层结构和显示装置 |
| KR20180137643A (ko) * | 2017-06-16 | 2018-12-28 | 한국전자통신연구원 | 표시장치의 제조방법 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004183044A (ja) * | 2002-12-03 | 2004-07-02 | Seiko Epson Corp | マスク蒸着方法及び装置、マスク及びマスクの製造方法、表示パネル製造装置、表示パネル並びに電子機器 |
| KR101842586B1 (ko) * | 2011-04-05 | 2018-03-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101873476B1 (ko) * | 2011-04-11 | 2018-07-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102351666B1 (ko) * | 2014-07-14 | 2022-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 패널을 구비한 플랙서블 표시 장치 |
| CN104392901B (zh) * | 2014-10-28 | 2017-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性衬底基板及其制作方法 |
| CN105870355A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性oled器件及其制备方法 |
| CN106201088A (zh) * | 2016-07-13 | 2016-12-07 | 信利光电股份有限公司 | 一种柔性基板和触摸屏的制造方法 |
| KR20180074861A (ko) * | 2016-12-23 | 2018-07-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN106876612A (zh) * | 2017-02-23 | 2017-06-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种oled器件的封装结构及其制备方法、金属掩膜板 |
| KR102415270B1 (ko) * | 2017-09-01 | 2022-07-01 | 희성전자 주식회사 | 플렉시블 디스플레이 장치용 지지 기판, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 플렉시블 디스플레이 장치 |
| US10903435B2 (en) * | 2017-10-18 | 2021-01-26 | Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. | Flexible display device |
| CN108447988B (zh) * | 2018-01-19 | 2022-03-18 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种柔性衬底及其制备方法、显示器件 |
| CN108257982B (zh) * | 2018-01-23 | 2021-01-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性衬底基板及其制造方法、柔性面板、和电子设备 |
| CN108336247B (zh) * | 2018-01-30 | 2020-02-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled封装方法及封装结构 |
| CN108470738A (zh) * | 2018-04-03 | 2018-08-31 | 友达光电股份有限公司 | 柔性显示器件及其制作方法 |
| CN109378325B (zh) * | 2018-09-14 | 2020-06-16 | 昆山国显光电有限公司 | 阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法 |
| CN109411520B (zh) * | 2018-10-24 | 2020-11-20 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示面板和显示装置 |
| CN109545087A (zh) * | 2018-12-03 | 2019-03-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 可折叠背板结构及其显示装置 |
| CN109671719A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN109638178A (zh) * | 2018-12-05 | 2019-04-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示器结构及制造方法 |
| CN109523921B (zh) * | 2018-12-12 | 2021-07-23 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 柔性显示面板和显示装置 |
| CN109545801B (zh) * | 2018-12-12 | 2021-02-09 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012078577A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Dainippon Printing Co Ltd | プラズマディスプレイ用光学シート、この光学シートを備えたプラズマディスプレイおよびこの光学シートの製造方法 |
| CN108075040A (zh) * | 2016-11-07 | 2018-05-25 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 柔性oled基材及其制备方法 |
| KR20180137643A (ko) * | 2017-06-16 | 2018-12-28 | 한국전자통신연구원 | 표시장치의 제조방법 |
| CN108281388A (zh) * | 2018-01-23 | 2018-07-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、其制作方法及显示面板 |
| CN108630732A (zh) * | 2018-04-25 | 2018-10-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
| CN108987611A (zh) * | 2018-09-11 | 2018-12-11 | 昆山国显光电有限公司 | 膜层结构和显示装置 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 《Thin film encapsulation of OLED displays with organic-inorganic composite film》;C.Y. Li等;《2008 58th Electronic Components and Technology Conference》;20080624;全文 * |
Also Published As
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