CN114203735A - 驱动基板及其制作方法、显示面板 - Google Patents

驱动基板及其制作方法、显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN114203735A
CN114203735A CN202111511330.3A CN202111511330A CN114203735A CN 114203735 A CN114203735 A CN 114203735A CN 202111511330 A CN202111511330 A CN 202111511330A CN 114203735 A CN114203735 A CN 114203735A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
polar plate
substrate
plate
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111511330.3A
Other languages
English (en)
Inventor
洪日
马倩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202111511330.3A priority Critical patent/CN114203735A/zh
Priority to US17/623,322 priority patent/US20240072063A1/en
Priority to PCT/CN2021/138940 priority patent/WO2023103025A1/zh
Publication of CN114203735A publication Critical patent/CN114203735A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

本申请公开了一种驱动基板及其制作方法、显示面板，驱动基板包括衬底、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一电容和第二电容，第一薄膜晶体管设置在衬底上，第一薄膜晶体管包括第一栅极，第二薄膜晶体管设置在第一薄膜晶体管的一侧，第一电容位于衬底上，第一电容包括第一极板和第二极板，第二极板位于第一极板的上方，且第一极板和第二极板至少部分重叠，第一栅极复用为第一极板，第二电容包括第二极板和第三极板，第三极板位于第二极板的上方，且第二极板和第三极板至少部分重叠。

Description

驱动基板及其制作方法、显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种驱动基板及其制作方法、显示面板。
背景技术
LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)薄膜晶体管，即将LTPS(Low Temperature Polycrystalline，低温多晶硅)薄膜晶体管和氧化物(Oxide)薄膜晶体管技术相结合得到的LTPO薄膜晶体管，具备LTPO薄膜晶体管的显示面板不仅具有LTPS显示面板的高分辨率、高反应速度、高亮度、高开口率等优势，其还具有生产成本低和功耗低的优势。
但是，现有的LTPO薄膜晶体管的电容储存电荷的能力较小，膜层厚度较大，且制程工艺繁琐。
故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种驱动基板及其制作方法、显示面板，用于解决现有的LTPO薄膜晶体管的电容的储存电荷能力较小的技术问题。
本申请实施例提供一种驱动基板，包括：
衬底；
第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极；
第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置在所述第一薄膜晶体管的一侧；
第一电容，位于所述衬底上，所述第一电容包括第一极板和第二极板，所述第二极板位于所述第一极板的上方，且所述第一极板和所述第二极板至少部分重叠，所述第一栅极复用为所述第一极板；
第二电容，所述第二电容包括所述第二极板和第三极板，所述第三极板位于所述第二极板的上方，且所述第二极板和所述第三极板至少部分重叠。
在本申请实施例提供的驱动基板中，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层、所述第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第三极板和所述第一源极、所述第一漏极同层设置，且所述第三极板位于所述第一源极和所述第一漏极之间；
所述第二薄膜晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，其中，所述第二源极和所述第一源极同层设置，所述第二极板和所述第二有源层同层设置。
在本申请实施例提供的驱动基板中，所述驱动基板还包括：
第一栅绝缘层，设置在所述第一有源层远离所述衬底的一面，所述第一栅极位于所述第一栅绝缘层远离所述衬底的一面；
遮光层，与所述第一栅极同层设置，且所述第二有源层于所述衬底上的正投影覆盖所述遮光层位于所述衬底上的正投影；
第二栅绝缘层，覆盖所述第一栅极和所述遮光层，且所述第二极板和所述第二有源层位于所述第二栅绝缘层远离所述衬底的一面；
第三栅绝缘层，位于所述第二有源层远离所述衬底的一面，且所述第二栅极位于所述第三栅绝缘层远离所述衬底的一面；
层间介质层，设置在所述第二栅绝缘层上，所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、所述第二漏极和所述第三极板位于所述层间介质层远离所述衬底的一面，且所述第一源极和所述第一漏极分别通过第一过孔和第二过孔与所述第一有源层电连接，所述第二源极和所述第二漏极分别通过第三过孔和第四过孔与所述第二有源层电连接；
连接电极，与所述第一源极同层设置，且所述连接电极通过第五过孔连接所述第一有源层和所述第二源极；
钝化层，所述钝化层覆盖所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、所述第二漏极、所述第三极板以及所述连接电极。
在本申请实施例提供的驱动基板中，所述第一极板、所述第二极板和所述第三极板于所述衬底上的正投影完全重叠。
在本申请实施例提供的驱动基板中，所述衬底包括：
第一柔性层；
第一阻挡层，位于所述第一柔性层上；
第二柔性层，位于所述第一阻挡层远离所述第一柔性层的一面；
第一缓冲层，位于所述第二柔性层远离所述第一阻挡层的一面；
防静电层，位于所述第一缓冲层远离所述第二柔性层的一面，且所述第一有源层于所述第一缓冲层的正投影覆盖所述防静电层于所述第一缓冲层上的正投影；
第二缓冲层，覆盖所述防静电层；
第二阻挡层，位于所述第二缓冲层远离所述第一缓冲层的一面，所述第一有源层位于所述第二阻挡层远离所述第二缓冲层的一面。
在本申请实施例提供的驱动基板中，所述第一有源层包括低温多晶硅有源层，所述第二有源层包括金属氧化物有源层。
在本申请实施例提供的驱动基板中，所述第一有源层包括第一掺杂区和第一沟道区，所述第一掺杂区包括P型掺杂区，所述第二有源层包括第二掺杂区和第二沟道区，所述第二掺杂区包括N型掺杂区。
在本申请实施例提供的驱动基板中，所述第一极板和所述第二极板之间的距离介于50纳米至500纳米，所述第二极板和所述第三极板之间的距离介于150纳米至1500纳米。
本申请实施例还提供一种驱动基板的制作方法，所述驱动基板包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一电容和第二电容，所述第一电容包括第一极板和第二极板，所述第二电容包括所述第二极板和第三极板，所述驱动基板的制作方法包括以下步骤：
提供一衬底；
在所述衬底上形成所述第一薄膜晶体管的第一栅极，所述第一栅极复用为所述第一极板；
在所述衬底上形成所述第二极板和所述第二薄膜晶体管的第二有源层，所述第二极板位于所述第一极板的上方，且所述第一极板和所述第二极板至少部分重叠；
在所述衬底上形成所述第三极板，所述第三极板位于所述第二极板的上方，且所述第二极板和所述第三极板至少部分重叠。
本申请实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括发光功能层和如上述驱动基板，所述发光功能层设置在所述驱动基板上。
本申请实施例提供一种驱动基板及其制作方法、显示面板，驱动基板包括衬底、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一电容和第二电容。第一薄膜晶体管设置在衬底上，第一薄膜晶体管包括第一栅极。第二薄膜晶体管设置在第一薄膜晶体管的一侧。第一电容位于衬底上。第一电容包括第一极板和第二极板，第二极板位于第一极板的上方，且第一极板和第二极板至少部分重叠，第一栅极复用为第一极板。第二电容包括第二极板和第三极板，第三极板位于第二极板的上方，且第二极板和第三极板至少部分重叠。
在本申请实施例提供的驱动基板包括第一电容和第二电容，将第一薄膜晶体管的第一栅极复用为第一电容的第一极板，且第一电容和第二电容共用第二极板，由此第一电容和第二电容构成夹心结构，增大了电容储存电荷的能力。
为让本申请的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
图1为本申请第一实施例提供的驱动基板的结构示意图；
图2为本申请第二实施例提供的驱动基板的结构示意图；
图3为本申请第二实施例提供的驱动基板的制作方法的步骤流程图；
图4至图7为本申请第二实施例提供驱动基板的制作方法的示意图；
图8为本申请实施例提供的显示面板的平面结构示意图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述，请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件，以下的说明是基于所示的本申请具体实施例，其不应被视为限制本申请未在此详述的其他具体实施例。本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
本申请实施例提供一种驱动基板及其制作方法、显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
本申请实施例提供一种驱动基板，驱动基板包括衬底、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一电容和第二电容。第一薄膜晶体管设置在衬底上，第一薄膜晶体管包括第一栅极。第二薄膜晶体管设置在第一薄膜晶体管的一侧。第一电容位于衬底上。第一电容包括第一极板和第二极板，第二极板位于第一极板的上方，且第一极板和第二极板至少部分重叠，第一栅极复用为第一极板。第二电容包括第二极板和第三极板，第三极板位于第二极板的上方，且第二极板和第三极板至少部分重叠。
在本申请实施例提供的驱动基板包括第一电容和第二电容，将第一薄膜晶体管的第一栅极复用为第一电容的第一极板，且第一电容和第二电容共用第二极板，由此第一电容和第二电容构成夹心结构，增大了电容储存电荷的能力。
下面通过具体实施例对本申请提供的驱动基板进行详细的阐述。
请参考图1，图1为本申请第一实施例提供的驱动基板的结构示意图。驱动基板10包括衬底101、第一薄膜晶体管102、第二薄膜晶体管103、第一电容C1和第二电容C2。第一薄膜晶体管102设置在衬底101上，第一薄膜晶体管102包括第一栅极102b。第二薄膜晶体管103设置在第一薄膜晶体管102的一侧。第一电容C1位于衬底上。第一电容C1包括第一极板C11和第二极板C12，第二极板C12位于第一极板C11的上方，且第一极板C11和第二极板C12部分重叠，第一栅极102b复用为第一极板C11。第二电容C2包括第二极板C12和第三极板C21，第三极板C21位于第二极板C12的上方，且第二极板C12和第三极板C21部分重叠。
在本申请实施例提供的驱动基板10包括第一电容C1和第二电容C2，将第一薄膜晶体管102的第一栅极102b复用为第一电容C1的第一极板C11，且第一电容C1和第二电容C2共用第二极板C12，由此第一电容C1和第二电容C2构成夹心结构，增大了电容储存电荷的能力。
请参考图2，图2为本申请第二实施例提供的驱动基板的结构示意图。驱动基板10包括衬底101、第一薄膜晶体管102、第二薄膜晶体管103、第一电容C1和第二电容C2。第一薄膜晶体管102设置在衬底101上，第一薄膜晶体管102包括第一栅极102b。第二薄膜晶体管103设置在第一薄膜晶体管102的一侧。第一电容C1位于衬底上。第一电容C1包括第一极板C11和第二极板C12，第二极板C12位于第一极板C11的上方，且第一极板C11和第二极板C12完全重叠，第一栅极102b复用为第一极板C11。第二电容C2包括第二极板C12和第三极板C21，第三极板C21位于第二极板C12的上方，且第二极板C12和第三极板C21完全重叠本申请实施例提供的驱动基板10与上一实施例提供的驱动基板10的区别在于：第一极板C11、第二极板C12和第三极板C21于衬底101上的正投影完全重叠。
本申请实施例提供的驱动基板10包括第一电容C1和第二电容C2，将第一薄膜晶体管102的第一栅极102b复用为第一电容C1的第一极板C11，且第一电容C1和第二电容C2共用第二极板C12，由此第一电容C1和第二电容C2构成夹心结构，增大了电容储存电荷的能力。
电容的电容量C与电容两极板之间的距离d、介质常数ε以及电容两极板的正对面积S相关，即：C＝εS/4πkd，其中，k为静电力常量。可见电容的电容量与电容两极板之间的距离d成反比，电容的电容量与两极板的正对面积S成正比。本申请实施例通过将第一栅极102b复用为第一极板C11，且将第一电容C1的第一极板C11复用为第二电容的第一极板，以使总的电容量为第一电容和第二电容之和，即总的电容量C总为：C总＝Ca+Cb，其中，Ca为第一电容C1的电容量，Cb为第二电容C2的电容量。如此设置，在电容的两极板之间的距离d不变的情况下，仅通过两极板具有较大的正对面积的第一电容、第二电容就可获得具有较大正对面积的一个电容的电容量，从而能够进一步减小驱动基板10的占用面积。并且，在减少驱动基板10的占用面积的基础上，还能减小驱动基板10的厚度，有利于开发轻薄化的显示面板。
进一步的，请继续参考图2，第一极板C11和第二极板C12之间的距离d1介于50纳米至500纳米，第二极板C12和第三极板C21之间的距离d2介于150纳米至1500纳米。在一些实施例中，第一极板C11和第二极板C12之间的距离d1可以是50纳米、65纳米、65纳米、105纳米、125纳米、165纳米、225纳米、365纳米、415纳米或500纳米中的任意一者。第二极板C12和第三极板C21之间的距离d2可以是150纳米、250纳米、350纳米、550纳米、750纳米、950纳米、1150纳米、1350纳米、1450纳米或1500纳米中的任意一者。
由于电容的电容量与电容的两极板之间的正对面积成正比，与两极板之间的距离成反比，因此在电容的两极板之间的正对面积成正比，减小电容两极板之间的距离可提高电容的电容量。可通过将第一栅极102b复用为第一极板C11，使得第一极板C11、第二极板C12和第三极板C21之间的距离较小，能够在保证总电容量的前提下，进一步减小驱动基板10中电容的占用尺寸，从而实现轻薄化的显示面板。
在本申请实施提供的驱动基板10中，衬底101包括第一柔性层101a、第一阻挡层101b、第二柔性层101c、第一缓冲层101d、防静电层101e、第二缓冲层101f和第二阻挡层101g。第一阻挡层101b位于第一柔性层101a上。第二柔性层101c位于第一阻挡层101b远离第一柔性层101a的一面。第一缓冲层101d位于第二柔性层101c远离第一阻挡层101b的一面。防静电层101e位于第一缓冲层101d远离第二柔性层101c的一面，且第一有源层102a于第一缓冲层101d的正投影覆盖防静电层101e于第一缓冲层101d上的正投影。第二缓冲层101f覆盖防静电层101e。第二阻挡层101g位于第二缓冲层101f远离第一缓冲层101d的一面，第一有源层102a位于第二阻挡层101g远离第二缓冲层101f的一面。
第一阻挡层101b用于防止水氧通过第一柔性层101a的一侧渗透至第一阻挡层101b上面的结构，防止损坏驱动基板10。在一些实施例中，第一阻挡层101b的材质包括但不限于含硅的氧化物、氮化物或氮氧化物。例如，第一阻挡层101b的材质为SiOx、SiNx或SiOxNy中的至少一种。第一柔性层101a的材料可以和第二柔性层101c的材料相同，其可以包括PI(聚酰亚胺)、PET(聚二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇脂)、PC(聚碳酸酯)、PES(聚醚砜)、PAR(含有聚芳酯的芳族氟甲苯)或PCO(多环烯烃)中的至少一种。
在一些实施例中，第一缓冲层101d和第二缓冲层101f的材质包括但不限于含硅的氧化物、氮化物或氮氧化物。例如，第一缓冲层101d和第二缓冲层101f的材质为SiOx、SiNx或SiOxNy中的至少一种。防静电层101e的材质可以是非晶硅材料，防静电层101e用于改善静电。
在一些实施例中，第二阻挡层101g可以是叠层设置的氮化硅层和氧化硅层，其中，氮化硅层的用于阻挡水氧由第一柔性层101a的一侧入侵，从而对驱动基板10上方的膜层造成损害，氧化硅层用于保温上方的薄膜晶体管。
第一薄膜晶体管102包括第一有源层102a、第一栅极102b、第一源极102c和第一漏极102d。第三极板C21和第一源极102c、第一漏极102d同层设置，且第三极板C21位于第一源极102c和第一漏极102d之间。第二薄膜晶体管103包括第二有源层103a、第二栅极103b、第二源极103c和第二漏极103d。第二源极103c和第一源极102c同层设置，第二极板C12和第二有源层103a同层设置。驱动基板10还包括第一栅绝缘层104、遮光层105、第二栅绝缘层106、第三栅绝缘层107、层间介质层108、连接电极109和钝化层110。
第一栅绝缘层104设置在第一有源层102a远离衬底101的一面，第一栅极102b位于第一栅绝缘层104远离衬底101的一面。遮光层105与第一栅极102b同层设置，且第二有源层103a于衬底101上的正投影覆盖遮光层105位于衬底101上的正投影。第二栅绝缘层106覆盖第一栅极102b和遮光层105，且第二极板C12和第二有源层103a位于第二栅绝缘层106远离衬底101的一面。第三栅绝缘层107位于第二有源层103a远离衬底101的一面，且第二栅极103b位于第三栅绝缘层107远离衬底101的一面。层间介质层108设置在第二栅绝缘层106上，第一源极102c、第一漏极102d、第二源极103c、第二漏极103d和第三极板C21位于层间介质层108远离衬底101的一面。第一源极102c和第一漏极102d分别通过第一过孔h1和第二过孔h2与第一有源层102a电连接。第二源极103c和第二漏极103d分别通过第三过孔h3和第四过孔h4与第二有源层103a电连接。连接电极109与第一源极102c同层设置，且连接电极109通过第五过孔h5连接于第一有源层102a和第二源极103c。钝化层110覆盖第一源极102c、第一漏极102d、第二源极103c、第二漏极103d、第三极板C21以及连接电极109。
需要说明的是，第一栅绝缘层104、第二栅绝缘层106或第三栅绝缘层107的厚度介于100纳米至300纳米。
在一些实施例中，第一栅极102b、第二栅极103b、遮光层105、第一源极102c、第二源极103c、第一漏极102d、第二漏极103d或的材质包括如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钛(Ti)、铂(Pt)、钽(Ta)、钕(Nd)或钪(Sc)的金属、它们的合金、它们的氮化物等中的一种或其任意组合。第一栅绝缘层104、第二栅绝缘层106、层间介质层108、第三栅绝缘层107或钝化层110的材质包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅中的一种或其任意组合。第二极板C12的材质包括导体化的金属氧化物材料。
在一些实施例中，第一栅极102b的厚度小于或等于1000纳米。第二有源层103a的厚度小于或等于120纳米。层间介质层108的厚度介于100纳米至120纳米。第一源极102c、第一漏极102d、第二源极103c、第二漏极103d、第三极板C21或连接电极109的厚度介于100纳米至1000纳米。
需要说明的是，本申请实施例的第一栅极102b和遮光层105通过同一道掩模工艺形成。第二极板C12和第二有源层103a通过同一道掩模工艺形成。第三极板C21和第一源极102c通过同一道掩模工艺形成。
在本申请实施例提供的驱动基板10中，由于第一栅极102b复用为第一极板C11，第二极板C12和第二有源层103a同层设置且第二极板C12和第二有源层103a通过同一道掩模工艺形成，第三极板C21和第一源极102c通过同一道掩模工艺形成，因此，与现有技术的驱动基板相比，本申请实施例提供的驱动基板减少了一道制作栅极的工序以及减少了一道沉积层间介电层的工序，从而减少了一块掩模板以及实现了驱动基板的轻薄化。
在本申请实施例提供的驱动基板中，第一有源层102a包括低温多晶硅有源层，第二有源层103a包括金属氧化物有源层。在一实施例中，第二有源层103a的材质可以是铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物或铟镓锌锡氧化物中的一种或其任意组合。LTPO(LowTemperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)驱动基板，即将LTPS驱动基板和Oxide驱动基板技术相结合得到的LTPO驱动基板技术，具有LTPS驱动基板的高分辨率、高反应速度、高亮度、高开口率等优势，其还具有生产成本低和功耗低的优势。在一实施例中，第一薄膜晶体管102可以作为像素驱动电路中的驱动薄膜晶体管，第二薄膜晶体管103可以作为像素驱动电路中的开关薄膜晶体管。
在本申请实施例提供的驱动基板10中，第一有源层102a包括第一掺杂区102a1和第一沟道区102a2，第一掺杂区102a1包括P型掺杂区。第二有源层103a包括第二掺杂区103a1和第二沟道区103a2，第二掺杂区103a1包括N型掺杂区。
本申请实施例提供的驱动基板10将第一栅极102b复用为第一电容C1的第一极板C11，且第一电容C1和第二电容C2共用第二极板C12，由此第一电容C1和第二电容C2构成夹心结构，增大了电容储存电荷的能力。另外，由于第二极板C12和第二有源层103a同层设置且通过同一道掩模工艺制成，第三极板C21和第一源极102c同层设置且通过同一道掩模工艺制成，因此，本申请实施例提供的驱动基板10还可以节省一道掩模板以及实现驱动基板10的轻薄化。
请参阅图1、图2和图3，本申请实施例还提供一种驱动基板的制作方法，图3为本申请第二实施例提供的驱动基板的制作方法的步骤流程图。其中，驱动基板10包括第一薄膜晶体管102、第二薄膜晶体管103、第一电容C1和第二电容C2，第一电容C1包括第一极板C11和第二极板C12，第二电容C2包括第二极板C12和第三极板C21，驱动基板的制作方法包括以下步骤：
步骤B01：提供一衬底101，请参考图4。
其中，衬底101包括依次层叠设置第一柔性层101a、第一阻挡层101b、第二柔性层101c、第一缓冲层101d、防静电层101e、第二缓冲层101f和第二阻挡层101g。
在步骤B01之后，还包括在衬底101上沉积一层低温多晶硅材料，并利用第一掩模工艺对低温多晶硅材料进行处理，以形成第一有源层102a。
之后，在第一有源层102a上沉积一层第一栅绝缘层104，第一栅绝缘层104的材料可采用氧化硅、氮化硅、高介电常数介质材料(如氧化铝、氧化铪、氧化锆等)以及有机介质材料中的一种或者多种组合，并且第一栅绝缘层104的厚度可以是500nm～1000nm，特别是600nm。可以采用等离子体化学气相淀积、磁控溅射或反应溅射、原子层淀积或旋涂技术等形成第一栅绝缘层104。
步骤B02：在衬底101上形成第一薄膜晶体管的第一栅极102b，第一栅极102b复用为第一极板C11，请参考图5。
具体的，首先在衬底101上沉积一层第一栅导电层105a。第一栅导电层105a可以采用钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和铬(Cr)中的单质或合金构成单一金属层或多层金属层。第一栅导电层105a也可以采用非反光材料，如导电金属氧化物(如ITO)或其他导电材料中的一种或多种组合。第一栅导电层105a的厚度根据需要可以是10nm～800nm，特别的可以是200nm。可以采用磁控溅射、反应溅射、热蒸镀、电子术蒸镀等技术将第一栅导电层105a形成在衬底101上。这里所说的反光，指的是透射率至少低于20％。然后，可以将第一栅导电层105a图形化形成第一栅极102b和遮光层105。具体的，在第一栅导电层105a上旋涂光刻胶，然后进行光刻、去胶、清洗处理等操作，最终得到图形化的第一栅极102b和遮光层105。
在步骤B02之后，还包括在第一栅绝缘层104上形成第二栅绝缘层106，请参阅图6。
具体的，在第一栅绝缘层104上淀积一层第二栅绝缘层106。第二栅绝缘层106的材料可采用氧化硅、氮化硅、高介电常数介质材料(如氧化铝、氧化铪、氧化锆等)以及有机介质材料中的一种或者多种组合，并且第二栅绝缘层106的厚度可以是500nm～1000nm，特别是600nm。可以采用等离子体化学气相淀积、磁控溅射或反应溅射、原子层淀积或旋涂技术等形成第二栅绝缘层106。
步骤B03：在衬底101上形成第二极板C12和第二薄膜晶体管的第二有源层103a，第二极板C12位于第一极板C11的上方，且第一极板C11和第二极板C12至少部分重叠，请继续参阅图6。
具体的，步骤B03包括以下步骤：
首先，在第二栅绝缘层106上形成一层金属氧化物材料层，并对金属氧化物层进行构图，以形成与第二极板C12对应部分的金属氧化物材料以及与第二源极103c对应部分的金属氧化物材料。随后，在第二栅绝缘层106上依次形成第三栅绝缘材料层和一金属层。然后利用一道黄光工艺刻蚀金属层，以形成第二栅极103b。接下来，以第二栅极103b为自对准，刻蚀第三栅绝缘材料层，以形成第三栅绝缘层107。最后，对与第二极板C12对应的金属氧化物材料和与第二有源层103a对应的金属氧化物材料进行导体化处理，以形成第二极板C12和第二有源层103a。
步骤B04：在衬底101上形成第三极板C21，第三极板C21位于第二极板C12的上方，且第二极板C12和第三极板C21至少部分重叠，请参阅图7。
具体的步骤B04包括：首先，采用等离子体化学气相沉积方法在衬底101上沉积一层层间介质层108。层间介质层108的材料可采用氧化硅、氮化硅、高介电常数介质材料(如氧化铝、氧化铪、氧化锆等)以及有机介质材料中的一种或者多种组合，并且层间介质层108的厚度可以为100nm～1200nm，特别的可以是400nm。随后，通过一道黄光工艺形成第一过孔h1、第二过孔h2、第三过孔h3、第四过孔h4和第五过孔h5。其中，第一过孔h1、第二过孔h2和第五过孔h5贯穿层间介质层108和第二栅绝缘层106以及第一栅绝缘层104，第三过孔好3和第四过孔h4贯穿层间介质层108第一过孔h1可以是第一源极102c接触孔，第二过孔h2可以是第二漏极103d接触孔，第三过孔h3和第四过孔h4分别可以作为第二源极103c和第二漏极103d的接触孔，第五过孔h5作为连接电极109的接触孔。随后，在层间介质层108上形成一金属层，并对其进行图案化处理，以形成第一源极102c、第一漏极102d、第二源极103c、第二漏极103d、第三极板C21以及连接电极109。
在步骤B04之后，还包括：在层间介质层108上形成钝化层110，请参考图2。具体的，采用等离子体化学气相沉积方法在衬底101上沉积一层钝化层110。钝化层110的材料可采用氧化硅、氮化硅、高介电常数介质材料(如氧化铝、氧化铪、氧化锆等)以及有机介质材料中的一种或者多种组合，并且钝化层110的厚度可以为50nm～800nm，特别的可以是400nm。
在本申请实施例提供的驱动基板的制作方法中，首先，通过同一道掩模工艺形成第一栅极102b和遮光层105，同时将第一栅极102b复用为第一极板C11。接下来，通过同一道掩模工艺形成第二有源层103a和第二极板C12，且第一电容C1和第二电容C2共用第二极板C12，并且，在对第二源极103c和第二漏极103d的第二掺杂区导体化的同时将第二极板C12导体化，由此形成第二极板C12。最后，通过同一道掩模工艺形成第一源极102c和第三极板C21。本申请实施例提供的驱动基板的制作方法不仅增大了电容的储存电荷的能力，还减少了一道制作栅极的制程以及减少了一道制作层间介电层的制程，从而节约了制作驱动基板的成产成本以及实现了驱动基板的轻薄化。
请参阅图8，本申请实施例还提供一种显示面板，显示面板100包括驱动基板10和发光功能层20。发光功能层20设置在驱动基板10上，发光功能层20可以包括阳极、像素定义层、发光层、阴极。
驱动基板10为上述实施例所述的驱动基板，此处不再赘述。
需要说明的时候，显示面板100可以为主动发光型显示面板，例如有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板，主动矩阵有机发光二极管(ActiveMatrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)显示面板，被动矩阵有机发光二极管(Passive Matrix Organic Light-Emitting Diode，PMOLED)显示面板、量子点有机发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode，QLED)显示面板、微发光二极管(Micro Light-Emitting Diode，Micro-LED)显示面板以及次毫米发光二极管(Mini Light-EmittingDiode，Mini-LED)显示面板等。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种驱动基板，其特征在于，包括：
衬底；
第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在所述衬底上，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极；
第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置在所述第一薄膜晶体管的一侧；
第一电容，位于所述衬底上，所述第一电容包括第一极板和第二极板，所述第二极板位于所述第一极板的上方，且所述第一极板和所述第二极板至少部分重叠，所述第一栅极复用为所述第一极板；
第二电容，所述第二电容包括所述第二极板和第三极板，所述第三极板位于所述第二极板的上方，且所述第二极板和所述第三极板至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括第一有源层、所述第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第三极板和所述第一源极、所述第一漏极同层设置，且所述第三极板位于所述第一源极和所述第一漏极之间；
所述第二薄膜晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，其中，所述第二源极和所述第一源极同层设置，所述第二极板和所述第二有源层同层设置。
3.根据权利要求2所述的驱动基板，其特征在于，所述驱动基板还包括：
第一栅绝缘层，设置在所述第一有源层远离所述衬底的一面，所述第一栅极位于所述第一栅绝缘层远离所述衬底的一面；
遮光层，与所述第一栅极同层设置，且所述第二有源层于所述衬底上的正投影覆盖所述遮光层位于所述衬底上的正投影；
第二栅绝缘层，覆盖所述第一栅极和所述遮光层，且所述第二极板和所述第二有源层位于所述第二栅绝缘层远离所述衬底的一面；
第三栅绝缘层，位于所述第二有源层远离所述衬底的一面，且所述第二栅极位于所述第三栅绝缘层远离所述衬底的一面；
层间介质层，设置在所述第二栅绝缘层上，所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、所述第二漏极和所述第三极板位于所述层间介质层远离所述衬底的一面，且所述第一源极和所述第一漏极分别通过第一过孔和第二过孔与所述第一有源层电连接，所述第二源极和所述第二漏极分别通过第三过孔和第四过孔与所述第二有源层电连接；
连接电极，与所述第一源极同层设置，且所述连接电极通过第五过孔连接所述第一有源层和所述第二源极；
钝化层，所述钝化层覆盖所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、所述第二漏极、所述第三极板以及所述连接电极。
4.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述第一极板、所述第二极板和所述第三极板于所述衬底上的正投影完全重叠。
5.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述衬底包括：
第一柔性层；
第一阻挡层，位于所述第一柔性层上；
第二柔性层，位于所述第一阻挡层远离所述第一柔性层的一面；
第一缓冲层，位于所述第二柔性层远离所述第一阻挡层的一面；
防静电层，位于所述第一缓冲层远离所述第二柔性层的一面，且所述第一有源层于所述第一缓冲层的正投影覆盖所述防静电层于所述第一缓冲层上的正投影；
第二缓冲层，覆盖所述防静电层；
第二阻挡层，位于所述第二缓冲层远离所述第一缓冲层的一面，所述第一有源层位于所述第二阻挡层远离所述第二缓冲层的一面。
6.根据权利要求2所述的驱动基板，其特征在于，所述第一有源层包括低温多晶硅有源层，所述第二有源层包括金属氧化物有源层。
7.根据权利要求2所述的驱动基板，其特征在于，所述第一有源层包括第一掺杂区和第一沟道区，所述第一掺杂区包括P型掺杂区，所述第二有源层包括第二掺杂区和第二沟道区，所述第二掺杂区包括N型掺杂区。
8.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述第一极板和所述第二极板之间的距离介于50纳米至500纳米，所述第二极板和所述第三极板之间的距离介于150纳米至1500纳米。
9.一种驱动基板的制作方法，其特征在于，所述驱动基板包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第一电容和第二电容，所述第一电容包括第一极板和第二极板，所述第二电容包括所述第二极板和第三极板，所述驱动基板的制作方法包括以下步骤：
提供一衬底；
在所述衬底上形成所述第一薄膜晶体管的第一栅极，所述第一栅极复用为所述第一极板；
在所述衬底上形成所述第二极板和所述第二薄膜晶体管的第二有源层，所述第二极板位于所述第一极板的上方，且所述第一极板和所述第二极板至少部分重叠；
在所述衬底上形成所述第三极板，所述第三极板位于所述第二极板的上方，且所述第二极板和所述第三极板至少部分重叠。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括发光功能层和如权利要求1-8任一项所述的驱动基板，所述发光功能层设置在所述驱动基板上。
CN202111511330.3A 2021-12-06 2021-12-06 驱动基板及其制作方法、显示面板 Pending CN114203735A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111511330.3A CN114203735A (zh) 2021-12-06 2021-12-06 驱动基板及其制作方法、显示面板
US17/623,322 US20240072063A1 (en) 2021-12-06 2021-12-16 Drive substrate, manufacturing method thereof and display panel
PCT/CN2021/138940 WO2023103025A1 (zh) 2021-12-06 2021-12-16 驱动基板及其制作方法、显示面板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111511330.3A CN114203735A (zh) 2021-12-06 2021-12-06 驱动基板及其制作方法、显示面板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114203735A true CN114203735A (zh) 2022-03-18

Family

ID=80652529

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111511330.3A Pending CN114203735A (zh) 2021-12-06 2021-12-06 驱动基板及其制作方法、显示面板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20240072063A1 (zh)
CN (1) CN114203735A (zh)
WO (1) WO2023103025A1 (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107664891A (zh) * 2017-10-26 2018-02-06 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法、显示面板及显示装置
CN107731858A (zh) * 2017-10-27 2018-02-23 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法及显示面板
CN108493198A (zh) * 2018-04-11 2018-09-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、有机发光二极管显示装置
CN109300915A (zh) * 2018-09-30 2019-02-01 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN110444116A (zh) * 2019-07-16 2019-11-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性基板及其制备方法
US20200168638A1 (en) * 2018-11-22 2020-05-28 Lg Display Co., Ltd. Display Device
CN111564458A (zh) * 2020-07-16 2020-08-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN111785759A (zh) * 2020-07-17 2020-10-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN111863837A (zh) * 2020-07-13 2020-10-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板和显示面板

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2290693A4 (en) * 2008-05-29 2013-02-27 Sharp Kk SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
CN105117069B (zh) * 2015-09-18 2018-11-09 上海中航光电子有限公司 一种阵列基板、触控显示面板及触控显示装置
CN109273409B (zh) * 2018-08-24 2022-01-18 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN112234091A (zh) * 2020-10-23 2021-01-15 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN113745325B (zh) * 2021-08-26 2023-09-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、移动终端
CN113707089B (zh) * 2021-09-02 2023-06-23 合肥维信诺科技有限公司 一种像素驱动电路、显示面板及显示装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107664891A (zh) * 2017-10-26 2018-02-06 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制备方法、显示面板及显示装置
CN107731858A (zh) * 2017-10-27 2018-02-23 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法及显示面板
CN108493198A (zh) * 2018-04-11 2018-09-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、有机发光二极管显示装置
CN109300915A (zh) * 2018-09-30 2019-02-01 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
US20200168638A1 (en) * 2018-11-22 2020-05-28 Lg Display Co., Ltd. Display Device
CN110444116A (zh) * 2019-07-16 2019-11-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性基板及其制备方法
CN111863837A (zh) * 2020-07-13 2020-10-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板和显示面板
CN111564458A (zh) * 2020-07-16 2020-08-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN111785759A (zh) * 2020-07-17 2020-10-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2023103025A1 (zh) 2023-06-15
US20240072063A1 (en) 2024-02-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108155299B (zh) 有机发光显示器件
US10978531B2 (en) Transparent display substrate, manufacturing method thereof and transparent display panel
US9520455B2 (en) Organic light emitting display and method of fabricating the same
CN109728000B (zh) 一种透明显示基板和显示面板
US9349996B2 (en) Method of manufacturing capacitor, method of manufacturing organic light emitting display device including the capacitor, and organic light emitting display device manufactured by using the method
US20100090205A1 (en) Active matrix display apparatus
US8633479B2 (en) Display device with metal oxidel layer and method for manufacturing the same
CN106876479B (zh) 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示面板
CN106997893B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
CN109244107B (zh) Oled背板及其制作方法
CN114171569B (zh) 显示面板及其制作方法
KR20060118825A (ko) 유기 ｅｌ 소자의 제조방법
US20220352275A1 (en) Oled display panel and method of manufacturing same
US20200227498A1 (en) Array substrate, display panel, and display device
CN112420784A (zh) 一种阵列基板及其制备方法与显示面板
US12041795B2 (en) Thin film transistor and method for manufacturing the same, display device
CN110690257A (zh) 一种tft阵列基板及其制造方法
US20100109512A1 (en) Organic light emitting diode display
CN113658990A (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
CN114188493A (zh) 显示面板及显示装置
CN212412055U (zh) 一种具有夹层结构的显示面板
CN114203735A (zh) 驱动基板及其制作方法、显示面板
US8940613B2 (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
EP3723131A2 (en) Conductive line for display device, display device including the same, and method of manufacturing display device including the same
CN112467052A (zh) 显示面板及其制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20220318