CN112467052A - 显示面板及其制作方法 - Google Patents

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CN112467052A CN202011344966.9A CN202011344966A CN112467052A CN 112467052 A CN112467052 A CN 112467052A CN 202011344966 A CN202011344966 A CN 202011344966A CN 112467052 A CN112467052 A CN 112467052A
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齐飞
许喆
王俊
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Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制作方法，所述显示面板包括：基底层、有源层、栅极绝缘层、栅极、阻挡层、层间介质层、源极、漏极、发光功能层、封装层，其中，所述有源层设置在所述基底层上，所述有源层包括沟道区和掺杂区，所述掺杂区位于所述沟道区的两侧；所述栅极绝缘层覆盖所述有源层和所述基底层；所述栅极设置在所述栅极绝缘层上；所述阻挡层覆盖所述栅极，所述阻挡层在所述基底层上的正投影至少覆盖所述沟道区在所述基底层上的正投影；所述层间介质层覆盖所述阻挡层及所述栅极绝缘层；所述源极和所述漏极分别与位于所述沟道区两侧的所述掺杂区电性连接；所述发光功能层设置在所述层间介质层上；所述封装层设置在所述发光功能层上。

Description

显示面板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
现有的显示面板包括液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)及有机发光二极管显示面板(Organic Light Emitting Display，OLED)。
薄膜晶体管包括低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-silicon ThinFilm Transistor，LTPS TFT)、非晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管(Oxide Thin FilmTransistor，Oxide TFT)。由于电子迁移率高，漏电流低，制备温度低等特点，氧化物薄膜晶体管引起了广泛的关注。
OLED显示面板包括薄膜晶体管层，发光功能层以及封装层。封装层主要由无机薄膜和有机薄膜组成。显示面板在薄膜封装过程中，需要使用低温化学气相沉积技术沉积无机薄膜，导致由无机薄膜构成的封装层中含有大量的氢，氢原子会向下层扩散导致有源层电学性能受到影响，进而影响显示面板的发光特性。
故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法，用于避免由于无机薄膜中的氢原子向下层扩散而导致有源层电性性能受到影响。
本发明实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括：
基底层；
有源层，所述有源层设置在所述基底层上，所述有源层包括沟道区和掺杂区，所述掺杂区位于所述沟道区的两侧；
栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述有源层和所述基底层；
栅极，所述栅极设置在所述栅极绝缘层上；
阻挡层，所述阻挡层覆盖所述栅极，所述阻挡层在所述基底层上的正投影至少覆盖所述沟道区在所述基底层上的正投影；
层间介质层，所述层间介质层覆盖所述阻挡层及所述栅极绝缘层；
源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与位于所述沟道区两侧的所述掺杂区电性连接；
发光功能层，所述发光功能层设置在所述层间介质层上；
封装层，所述封装层设置在所述发光功能层上。
在本发明实施例提供的显示面板中，所述阻挡层在所述基底层上的正投影覆盖所述沟道区在所述基底层上的正投影。
在本发明实施例提供的显示面板中，所述阻挡层的材料为导体或半导体材料。
在本发明实施例提供的显示面板中，所述阻挡层在所述基底层上的正投影至少覆盖所述有源层在所述基底层上的正投影。
在本发明实施例提供的显示面板中，所述阻挡层的材料为绝缘体材料。
本发明实施例还一种显示面板的制作方法，所述显示面板的制作方法包括以下步骤：
在基底层上形成有源层，所述有源层包括沟道区和掺杂区，所述掺杂区位于所述沟道区的两侧；
在所述有源层和所述基底层上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成栅极；
在所述栅极和所述栅极绝缘层上形成阻挡层，所述阻挡层在所述基底层上的正投影至少覆盖所述沟道区在所述基底层上的正投影；
在所述阻挡层和所述栅极绝缘层上形成层间介质层；
在所述层间介质层上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与位于所述沟道区两侧的所述掺杂区电性连接；
在所述层间介质层上形成发光功能层；
在所述发光功能层上形成封装层。
在本发明实施例提供的显示面板的制作方法中，所述在所述栅极和所述栅极绝缘层上形成阻挡层的步骤包括：
采用物理气相沉积法在所述栅极和所述栅极绝缘层上沉积一层导体或半导体材料，以形成所述阻挡层，所述阻挡层在所述基底层上的正投影覆盖所述沟道区在所述基底层上的正投影。
在本发明实施例提供的显示面板的制作方法中，所述在所述层间介质层上形成源极和漏极的步骤包括：
利用一次黄光工艺对所述层间介质层和所述栅极绝缘层进行处理，以形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔贯穿所述层间介质层和所述栅极绝缘层，且所述第一过孔和所述第二过孔分别位于所述阻挡层的两侧；
分别在所述层间介质层上形成所述源极和所述漏极，所述源极和所述漏极分别通过所述第一过孔、所述第二过孔与所述掺杂区电性连接。
在本发明实施例提供的显示面板的制作方法中，所述在所述栅极和所述栅极绝缘层上形成阻挡层的步骤包括：
采用物理气相沉积法在所述栅极和所述栅极绝缘层上沉积一层绝缘体材料，以形成所述阻挡层，所述阻挡层在所述基底层上的正投影至少覆盖所述有源层在所述基底层上的正投影。
在本发明实施例提供的显示面板的制作方法中，所述在所述层间介质层上形成源极和漏极的步骤包括：
利用一次黄光工艺对所述层间介质层、所述阻挡层和所述栅极绝缘层进行处理，以形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔贯穿所述层间介质层、所述阻挡层和所述栅极绝缘层；
分别在所述层间介质层上形成所述源极和所述漏极，所述源极和所述漏极分别通过所述第一过孔、所述第二过孔与所述掺杂区电性连接。
本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法，本发明实施例提供的显示面板在栅极层和栅极绝缘层上设置阻挡层，避免了封装层中的无机薄膜中的氢原子向下层扩散而导致有源层电性性能受到影响。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的显示面板的另一结构示意图；
图3为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的步骤流程图；
图4为本发明实施例提供的显示面板的制作方法中步骤S1至步骤S5的示意图；
图5为本发明实施例提供的显示面板的制作方法中步骤S1至步骤S5的另一示意图；
图6为本发明实施例提供显示面板的制作方法中步骤S6的步骤流程图；
图7为本发明实施例提供显示面板的制作方法中步骤S6的另一步骤流程图；
图8为本发明实施例提供显示面板的制作方法中步骤S6的示意图；
图9为本发明实施例提供显示面板的制作方法中步骤S6的另一示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件，以下的说明是基于所示的本发明具体实施例，其不应被视为限制本发明未在此详述的其他具体实施例。本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
请参阅图1，本发明实施例提供一种显示面板10，显示面板10包括基底层101、有源层102、栅极绝缘层103、栅极104、阻挡层105、层间介质层106、源极107、漏极108、发光功能层110、封装层112。
在一些实施例中，基底层101可以包括依次层叠设置的第一柔性衬底层、二氧化硅层、第二柔性衬底层、缓冲层。其中，第二柔性衬底层和第一柔性衬底的材料相同，其可以包括PI(聚酰亚胺)、PET(聚二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇脂)、PC(聚碳酸酯)、PES(聚醚砜)、PAR(含有聚芳酯的芳族氟甲苯)或PCO(多环烯烃)中的至少一种。缓冲层由含硅的氮化物、含硅的氧化物或含硅的氮氧化物中的一种或两种及以上的堆栈结构组成。
有源层102设置在所述基底层101上，所述有源层102包括沟道区102a和掺杂区102b，所述掺杂区102b位于所述沟道区102a的两侧。所述有源层102可以是氧化物有源层或低温多晶硅有源层。例如，在一些实施例中，所述有源层102的材料为氧化铟锡，也可以采用Ln-IZO、ITZO、ITGZO、HIZO、IZO(InZnO)、ZnO:F、In2O3:Sn、In2O3:Mo、Cd2SnO4、ZnO:Al、TiO2:Nb、Cd-Sn-O或其他金属氧化物。掺杂区102b可以是P型掺杂区或N型掺杂区，当所述掺杂区102b为P型掺杂区时，所述掺杂区102b的掺杂元素为硼、铟中的一种或两种的混合。当所述掺杂区102b为N型掺杂区时，所述掺杂区102b的掺杂元素为磷、砷和锑中的一种或几种的混合。
所述栅极绝缘层103覆盖所述有源层102和所述基底层101。其中，所述栅极绝缘层103的材料可以是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或三氧化二铝中的一种或其任意组合。
所述栅极104设置在所述栅极绝缘层103上，并且，所述栅极104在所述基底层101上的正投影被所述有源层102在基底层101上的正投影完全覆盖。其中，所述栅极104的材料可以选用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属或合金，由多层金属组成的栅金属层也能满足需要。
所述阻挡层105覆盖所述栅极104，所述阻挡层105在所述基底层101上的正投影至少覆盖所述沟道区102a在所述基底层101上的正投影。
可选的，在一实施例中，所述阻挡层105在所述基底层101上的正投影覆盖所述沟道区102a在所述基底层101上的正投影。其中，所述阻挡层105的材料为导体或半导体材料。例如，所述阻挡层105的材料为铝、铜、银、钼中的一种或两种及两种以上的合金。或者，所述阻挡层105还可以为氧化铟锡等半导体材料。
所述层间介质层106覆盖所述阻挡层106及所述栅极绝缘层103，其中，所述层间介质层106可以选用氧化物或者氧氮化合物。
所述源极107和所述漏极108分别与位于所述沟道区102a两侧的所述掺杂区102b电性连接。所述源极107和所述漏极108可以选用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属或合金，由多层金属组成的栅金属层也能满足需要。
所述发光功能层110设置在所述层间介质层106上，其中，所述发光功能层110包括与所述漏极108电性连接的阳极层110a、设置在阳极层110a上的发光层110b以及设置在发光层110b上的阴极层110c。
在一些实施方式中，所述发光功能层110还可以包括空穴传输层、电子传输层等。其中，所述空穴传输层设置在所述阳极层110a和发光层110b之间，所述电子传输层设置在所述发光层110b和所述阴极层110c之间。
在一些实施例中，所述显示面板10还包括平坦化层109和像素定义层111，所述平坦化层109设置在所述层间介质层106和所述像素定义层111之间。所述发光层110b被限定于所述像素定义层111的开口内。
所述封装层112设置在所述发光功能层110上。其中，所述封装层112包括交替层叠设置的至少一无机层和至少一有机层。无机层可以选自氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化钛、氧化锆、氧化锌等的无机材料。有机层选自环氧树脂、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯酸酯等的有机材料。例如，封装层112为依次层叠的氧化铝薄膜、聚丙烯薄膜和氮化硅薄膜的叠层结构。
本发明实施例提供的显示面板在栅极104上设置阻挡层105，避免了封装层112中的无机薄膜中的氢原子向下层扩散而导致有源层电性性能受到影响。
请参阅图2，图2为本发明实施例提供的显示面板的另一结构示意图。本实施例的显示面板10与上述实施例中的显示面板10的区别在于：所述阻挡层105在所述基底层101上的正投影至少覆盖所述有源层102在所述基底层101上的正投影。其中，所述阻挡层105的材料包括绝缘体材料。例如，在一实施例中，所述阻挡层105的材料为含硅的氧化物、含硅的氮化物、含硅的氮氧化物或者金属氧化物。可选的，所述阻挡层105的材料可以是SiO2、SiNx、SiNxOy、ZnO或Al2O3中的至少一种。
请参阅图3，本发明实施例还提供一种显示面板的制作方法，其中，所述显示面板的制作方法包括以下步骤：
步骤S1：在基底层101上形成有源层102，所述有源层102设置在所述基底层101上，所述有源层102包括沟道区102a和掺杂区102b，所述掺杂区102b位于所述沟道区102a的两侧，请参阅图4。
具体的，所述基底层101可以包括依次层叠设置的第一柔性衬底层、二氧化硅层、第二柔性衬底层、缓冲层。首先，利用真空镀膜法在所述基底层101上形成一层氧化物薄膜。其次，在所述氧化物薄膜上涂布光刻胶，采用掩模工艺对光刻胶进行曝光和显影处理，以形成露出氧化物薄膜的暴露区域。接下来，对暴露区域的氧化物薄膜进行蚀刻，以形成有源层102。最后，去除剩余的光刻胶。其中，有源层102包括沟道区102a和位于沟道区102a两侧的掺杂区102b。在去除剩余的光刻胶之后，所述步骤S1还包括：
对所述有源层102进行第一次掺杂，当掺杂区102b为N型掺杂区，掺杂区102b的掺杂元素为磷、砷和锑中的一种或几种的混合。当掺杂区102b为P型掺杂区，掺杂区102b的掺杂元素为硼、铟中的一种或两种的混合。掺杂工艺为离子注入工艺。
步骤S2：在所述有源层102和所述基底层101上形成栅极绝缘层103。
其中，所述栅极绝缘层103可以采用等离子增强化学气相沉积法或化学气相沉积方法制得。
步骤S3：在所述栅极绝缘层103上形成栅极104。
具体的，在所述栅极绝缘层103上采用热蒸发或溅射法形成栅极104，并图案化所述栅极104。
步骤S4：在所述栅极104和所述栅极绝缘层103上形成阻挡层105，所述阻挡层105在所述基底层101上的正投影至少覆盖所述沟道区102a在所述基底层101上的正投影。
具体的，步骤S4包括：采用物理气相沉积法在所述栅极104和所述栅极绝缘层103上沉积一层导体或半导体材料，以形成所述阻挡层105，所述阻挡层105在所述基底层101上的正投影覆盖所述沟道区102a在所述基底层101上的正投影。其中，所述阻挡层105的材料为铝、铜、银、钼中的一种或两种及两种以上的合金。或者，所述阻挡层105还可以为氧化铟锡等半导体材料。
可选的，在一实施例中，请参阅图5。步骤S4包括：采用物理气相沉积法在所述栅极104和所述栅极绝缘层103上沉积一层绝缘体材料，以形成所述阻挡层105，所述阻挡层105在所述基底层101上的正投影至少覆盖所述有源层102在所述基底层101上的正投影。所述阻挡层105的材料为含硅的氧化物、含硅的氮化物、含硅的氮氧化物或者金属氧化物。可选的，所述阻挡层105的材料可以是SiO2、SiNx、SiNxOy、ZnO或Al2O3中的至少一种。
步骤S5：在所述阻挡层105和所述栅极绝缘层103上形成层间介质层106，请参阅图4或图5。
其中，所述层间介质层106可以采用旋涂、化学气相沉积等方法制得。
步骤S6：在所述层间介质层106上形成源极107和漏极108，所述源极107和所述漏极108分别与位于所述沟道区102a两侧的所述掺杂区102b电性连接。
具体的，请参考图6，步骤S6包括：
步骤S61：利用一次黄光工艺对所述层间介质层106和所述栅极绝缘层103进行处理，以形成第一过孔h1和第二过孔h2，所述第一过孔h1和所述第二过孔h2贯穿所述层间介质层106和栅极绝缘层103，且所述第一过孔h1和所述第二过孔h2分别位于所述阻挡层105的两侧，请参阅图8。
具体的，首先，在所述层间介质层106上涂布光刻胶，利用掩模工艺对光刻胶进行曝光和显影处理，以暴露出与所述第一过孔h1和所述第二过孔h2对应的位置。接下来，对曝光区域的所述层间介质层106和所述栅极绝缘层103进行蚀刻，以形成所述第一过孔h1和所述第二过孔h2。
在形成所述第一过孔h1和所述第二过孔h2的步骤之后，所述步骤S6还包括：对所述第一过孔h1和所述第二过孔h2暴露出的所述掺杂区102b进行第二次掺杂处理。其中，第二次掺杂工艺的元素掺杂量小于第一掺杂工艺的元素的掺杂量的二分之一。
本实施例的制作方法采用二次掺杂工艺的方式，第一次向掺杂区102b掺杂较大量的掺杂元素，第二次向掺杂区102b掺杂较小量的掺杂元素，便于精准的调控掺杂区102b掺杂元素的含量，从而调控载流子的浓度。另外，采用过孔的方式进行第二次掺杂，节省一道掩模工艺，提高了制程的效率。
步骤S62：分别在所述层间介质层106上形成所述源极107和所述漏极108，所述源极107和所述漏极108分别通过所述第一过孔h1、所述第二过孔与h2所述掺杂区102b电性连接，请参阅图8。
具体的，采用溅射或热蒸发的方法在所述层间介质层106上沉积厚度为300埃至5000埃的源漏金属层。源漏金属层可以选用Cr(铬)、W(钨)、Ti(钛)、Ta(钽)、Mo(钼)、Al(铝)、Cu(铜)等金属或合金，由多层金属组成的金属层也能满足需要。由一次光刻工艺形成所述源极107和所述漏极108。
可选的，请参阅图7，在一实施例中，步骤S6包括：
步骤S61'：利用一次黄光工艺对所述层间介质层106、所述阻挡层105和所述栅极绝缘层103进行处理，以形成第一过孔h1和第二过孔h2。所述第一过孔h1和所述第二过孔h2贯穿所述层间介质层106、所述阻挡层105和所述栅极绝缘层103。
具体的，首先，在所述层间介质层106上涂布光刻胶，利用掩模工艺对光刻胶进行曝光和显影处理，以暴露出与所述第一过孔h1和所述第二过孔h2对应的位置。接下来，对曝光区域的所述层间介质层106、所述阻挡层105和所述栅极绝缘层103进行蚀刻，以形成所述第一过孔h1和所述第二过孔h2。
在形成所述第一过孔h1和所述第二过孔h2的步骤之后，所述步骤S6还包括：对所述第一过孔h1和所述第二过孔h2暴露出的所述掺杂区102b进行二次掺杂处理。其中，第二次掺杂工艺的元素掺杂量小于第一掺杂工艺的元素的掺杂量的二分之一。
步骤S62'：分别在所述层间介质层106上形成所述源极107和所述漏极108，所述源极107和所述漏极108分别通过所述第一过孔h1、所述第二过孔h2与所述掺杂区102b电性连接，请参阅图9。
具体的，采用溅射或热蒸发的方法在所述层间介质层106上沉积厚度为300埃至5000埃的源漏金属层，源漏金属层可以选用Cr(铬)、W(钨)、Ti(钛)、Ta(钽)、Mo(钼)、Al(铝)、Cu(铜)等金属或合金，由多层金属组成的金属层也能满足需要。由一次光刻工艺形成所述源极107和所述漏极108。
本实施例与上一实施例的区别在于：本发明实施例的第一过孔h1和第二过孔h2贯穿所述层间介质层、阻挡层和栅极绝缘层。
步骤S7：在所述层间介质层106上形成发光功能层110。
请参阅图1或图2，所述发光功能层110包括与所述漏极108电性连接的阳极层110a、设置在阳极层110a上的发光层110b以及设置在发光层110b上的阴极层110c。
在一些实施方式中，所述发光功能层110还可以包括空穴传输层、电子传输层等。其中，所述空穴传输层设置在所述阳极层110a和发光层110b之间，所述电子传输层设置在所述发光层110b和所述阴极层110c之间。
步骤S8：在所述发光功能层110上形成封装层112。
其中，所述封装层112包括交替层叠设置的至少一无机层和至少一有机层。无机层可以选自氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化钛、氧化锆、氧化锌等的无机材料。有机层选自环氧树脂、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯酸酯等的有机材料。例如，封装层112为依次层叠的氧化铝薄膜、聚丙烯薄膜和氮化硅薄膜的叠层结构。
本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法，本发明实施例提供的显示面板在栅极层和栅极绝缘层上设置阻挡层，避免了封装层中的无机薄膜中的氢原子向下层扩散而导致有源层电性性能受到影响。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
基底层；
有源层，所述有源层设置在所述基底层上，所述有源层包括沟道区和掺杂区，所述掺杂区位于所述沟道区的两侧；
栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述有源层和所述基底层；
栅极，所述栅极设置在所述栅极绝缘层上；
阻挡层，所述阻挡层覆盖所述栅极，所述阻挡层在所述基底层上的正投影至少覆盖所述沟道区在所述基底层上的正投影；
层间介质层，所述层间介质层覆盖所述阻挡层及所述栅极绝缘层；
源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与位于所述沟道区两侧的所述掺杂区电性连接；
发光功能层，所述发光功能层设置在所述层间介质层上；
封装层，所述封装层设置在所述发光功能层上。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阻挡层在所述基底层上的正投影覆盖所述沟道区在所述基底层上的正投影。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阻挡层的材料为导体或半导体材料。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阻挡层在所述基底层上的正投影至少覆盖所述有源层在所述基底层上的正投影。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述阻挡层的材料为绝缘体材料。
6.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述显示面板的制作方法包括以下步骤：
在基底层上形成有源层，所述有源层包括沟道区和掺杂区，所述掺杂区位于所述沟道区的两侧；
在所述有源层和所述基底层上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成栅极；
在所述栅极和所述栅极绝缘层上形成阻挡层，所述阻挡层在所述基底层上的正投影至少覆盖所述沟道区在所述基底层上的正投影；
在所述阻挡层和所述栅极绝缘层上形成层间介质层；
在所述层间介质层上形成源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与位于所述沟道区两侧的所述掺杂区电性连接；
在所述层间介质层上形成发光功能层；
在所述发光功能层上形成封装层。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述栅极和所述栅极绝缘层上形成阻挡层的步骤包括：
采用物理气相沉积法在所述栅极和所述栅极绝缘层上沉积一层导体或半导体材料，以形成所述阻挡层，所述阻挡层在所述基底层上的正投影覆盖所述沟道区在所述基底层上的正投影。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述层间介质层上形成源极和漏极的步骤包括：
利用一次黄光工艺对所述层间介质层和所述栅极绝缘层进行处理，以形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔贯穿所述层间介质层和所述栅极绝缘层，且所述第一过孔和所述第二过孔分别位于所述阻挡层的两侧；
分别在所述层间介质层上形成所述源极和所述漏极，所述源极和所述漏极分别通过所述第一过孔、所述第二过孔与所述掺杂区电性连接。
9.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述栅极和所述栅极绝缘层上形成阻挡层的步骤包括：
采用物理气相沉积法在所述栅极和所述栅极绝缘层上沉积一层绝缘体材料，以形成所述阻挡层，所述阻挡层在所述基底层上的正投影至少覆盖所述有源层在所述基底层上的正投影。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述层间介质层上形成源极和漏极的步骤包括：
利用一次黄光工艺对所述层间介质层、所述阻挡层和所述栅极绝缘层进行处理，以形成第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔贯穿所述层间介质层、所述阻挡层和所述栅极绝缘层；
分别在所述层间介质层上形成所述源极和所述漏极，所述源极和所述漏极分别通过所述第一过孔、所述第二过孔与所述掺杂区电性连接。
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