CN108155299B - 有机发光显示器件 - Google Patents
有机发光显示器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108155299B CN108155299B CN201711236144.7A CN201711236144A CN108155299B CN 108155299 B CN108155299 B CN 108155299B CN 201711236144 A CN201711236144 A CN 201711236144A CN 108155299 B CN108155299 B CN 108155299B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- auxiliary electrode
- light emitting
- organic light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 218
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 74
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 57
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 229910016027 MoTi Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- -1 moisture Substances 0.000 description 3
- ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N molybdenum titanium Chemical compound [Ti].[Mo] ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Zn+2].[O-][Sn]([O-])=O BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/88—Dummy elements, i.e. elements having non-functional features
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提供一种有机发光显示器件，其配置为改良辅助电极的底切形状，并且辅助电极与第二电极接触的区域被无机膜填充，从而避免形成空隙，并提高有机发光显示器件的可靠性。有机发光显示器件包括：位于由有源区域和非有源区域所限定的基板上的第一电极、位于第一电极上的具有发光层的有机层、位于有机层上的第二电极、位于非有源区域中的辅助电极和位于辅助电极上的钝化层，钝化层具有倒锥形端部，从而使其暴露于辅助电极的侧表面。第二电极延伸至非有源区域从而与暴露的辅助电极电性连接。此外，辅助电极在钝化层下方具有锥形端部。
Description
本申请要求2016年11月30日申请的韩国专利申请No.10-2016-0162362的优先权，通过引用已将其全部内容结合于此。
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示器件，尤其涉及一种能够实现利用底切(undercut)结构与辅助电极接触的有机发光显示器件，从而改善有机发光显示器件的可靠性。
背景技术
图像显示装置是信息和通信时代中的核心技术，用于在屏幕上显示各种类型的信息，研发方向是使图像显示装置更轻、更薄、便于携带且表现为高性能。此外，通过控制有机发光层发出的光量以显示图像的有机发光显示器件被作为平板显示装置的重点，具有比阴极射线管(CRT)更低的重量和体积。
在有机发光显示器件中，多个像素以矩阵形式布置以显示图像。每个像素包括发光元件，有机发光显示器件包括具有多个晶体管的像素驱动电路和储存电容，所述晶体管配置为独立地驱动各个发光元件。每个发光元件包括布置在第一电极和第二电极之间的发光层。
近年来，研究方向已经积极地导向顶部发光型有机发光显示器件，其具有增大的孔径比，并能实现透明显示。在顶部发光型有机发光显示器件中，为了显示图像，光线必须穿过上部电极也就是第二电极。因此，第二电极由透明导电材料制成。由于透明导电材料相比纯的不透明金属而言电阻更高，因此在非有源区域使用辅助电极以降低电阻。
在现有技术的辅助电极中，辅助电极和第二电极之间的接触是利用倒锥形隔壁来实现的。但是，存在很大的需求去研发替代结构，不使用隔壁材料，以减少掩膜数量和相应的材料损耗。
在已经提出的一种替代结构中，在辅助电极上提供钝化层，钝化层的下部具有通过蚀刻形成的底切形，在钝化层的经过蚀刻的下部露出辅助电极的侧表面，第二电极接触辅助电极所露出的侧表面。
在具有该底切形钝化层的有机发光显示器件中，在形成具有发光层的有机层后，形成无机膜，此时，无机膜不能填满钝化层的底切形下部，因此形成了空隙。外部杂质，例如潮气，氧气或氢气通过该空隙渗透进有机发光显示器件中。杂质会损坏有机层，从而污染有机层。此外，有机发光显示器件的机械性能会恶化，从而降低有机发光显示器件的可靠性。
发明内容
因此，本发明涉及一种有机发光显示器件，基本上避免了因现有技术的缺陷和限制而引起的一个或多个问题。
本发明的一个目标是提供一种有机发光显示器件，其配置为改良辅助电极的底切形状，从而使辅助电极与第二电极接触的区域被无机膜填充，从而避免形成空隙，并提高有机发光显示器件的可靠性。
本发明的其他优点、目标和特征将在下文的说明书中进行一定程度的阐述，且本领域普通技术人员在审阅下文后将在一定程度上明了，或可通过实践本发明而知晓。利用书面描述及权利要求以及附图中所特别指出的结构，可以实现和获得本发明的其他优点和目标。
为了实现这些目标和其他优点，按照本发明，正如本文所具体和概括描述的那样，有机发光显示器件包括位于基板上的第一电极。基板具有有源区域和非有源区域。包括发光层的有机层位于第一电极上，第二电极位于包括发光层的有机层上，辅助电极位于非有源区域。钝化层位于辅助电极上。钝化层具有倒锥形端部。辅助电极的侧表面在钝化层的下方暴露。
在一个实施方式中，钝化层的倒锥形端部位于辅助电极的暴露的侧表面的上方。在该实施方式中，倒锥形端部使辅助电极的侧表面更易于露出。在一个实施方式中，辅助电极的侧表面呈正锥形，但这并非在所有实施方式中是必须的。
第二电极延伸至非有源区域，从而电连接至暴露的辅助电极。此外，辅助电极具有位于钝化层下方的锥形端部。
应当理解的是，上文对本发明的一般性描述和下文的详细描述都是举例和示例性的，意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
用于对本发明提供进一步理解的附图被并入且构成本说明书的一部分，显示了本发明的各个实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1为显示按照本发明的一个实施方式的有机发光显示器件的示意图；
图2为显示按照本发明的另一个实施方式的有机发光显示器件的示意图；
图3A为显示当辅助电极形成在传统底切形钝化层下方时形成空隙这一现象的示意图，图3B为显示当按照本发明在倒锥形钝化层下方提供辅助电极时避免形成空隙的效果的示意图；以及
图4A至4D为显示制造按照本发明的有机发光显示器件的方法的视图。
具体实施方式
现在对本发明的优选实施方式进行详细说明，附图显示了其示例。在尽可能的情况下，在整个附图中，相同的参数被用于指代相同或相似的部件。在本发明的以下描述中，当本文章所并入的公知功能或结构被认为会混淆本发明的主题时，其详细描述会被省略。此外，下文描述中所使用的术语是在易于准备本说明书的考虑之下选定的，可能与组成实际产品的各部件的名称不同。
应当理解的是，当一个元件被称为在另一个元件的“上面”，“上方”，“下面”或“下方”时，只要未使用术语“直接”，那么在两者间也可以有一个或多个中间元件。
应当理解的是，虽然术语“第一”、“第二”等在本文中用于描述多个元件，但这些元件并不受这些术语的限制。这些术语一般仅用于将一个元件区别于另一个元件。因此在下文的描述中，在不脱离本发明的技术概念的情况下，用“第一”标记的元件可以是用“第二”标记的元件。
附图中所示的每个元件的大小和厚度仅仅是便于描述而给出的，本发明不限于此。
下面将参照附图详细描述本发明的各个实施方式。
图1为显示按照本发明的一个实施方式的有机发光显示器件的截面图。
基板10包括有源区域A/A和非有源区域N/A。在基板10上形成缓冲层11。缓冲层11用于防止杂质或潮气通过基板10渗入，并使基板10的上部平坦。缓冲层11可以由无机绝缘材料例如SiNx或SiOx制成。在缓存层11上提供薄膜晶体管T和有机发光元件。
下面参照图1进行更详细的描述。在缓冲层11上形成由例如硅或半导体氧化物之类的半导体制成的有源层21。
栅绝缘膜12位于有源层21上，栅极22位于栅绝缘膜12上。栅极22可以由导电材料制成，例如钼(Mo)、钨(W)或Al/Cu。但是，本发明不限于此。
有源层21可以由硅、非晶硅、多晶硅或低温多晶硅(LTPS)制成。有源层21的未形成栅极22的区域可以掺杂N型掺杂剂或P型掺杂剂以使其导电。
此外，有源层21可以由半导体氧化物制成。铟镓锌氧化物(InGaZnO)、铟锡锌氧化物(InSnZnO)、铟锌氧化物(InZnO)或锡锌氧化物(SnZnO)可用作该氧化物半导体。通过将栅极22和栅极线GL用作掩膜的等离子处理，可令有源层21导电。
层间绝缘膜13位于栅极22和有源层21上。层间绝缘膜13具有多个接触孔H1和H2，通过这些孔露出由于有源层21导电而形成的源极区域211和漏极区域212。通过接触孔H1和H2形成源极23和漏极24。源极23具有双层结构，包括第一层231和第二层232。漏极24也具有双层结构，包括第一层241和第二层242。可选的是，源极23和漏极24各自都可配置为具有三层结构，包括第一至第三层。
源极23和漏极24的位置可根据薄膜晶体管是n型晶体管还是p型晶体管而改变。
源极23和漏极24的第一层231和241及第三层(未显示)可以由透明导电材料制成，例如钼钛合金(MoTi)、ITO、IGZO、IZO或ZnO。此外，源极23和漏极24的第二层232和242可以由低电阻材料制成，例如铜(Cu)。金属(例如MoTi或ITO)可以防止构成源极和漏极23和24的第二层232和242的材料(例如铜(Cu))被外部环境氧化或变形。
在基板10和缓冲层11之间进一步提供遮蔽层8。遮蔽层8用于阻挡入射在有源层21上的光并减小薄膜晶体管T和多个线路(未显示)之间产生的寄生电容。遮蔽层8可以由从银(Ag)、镍(Ni)、金(Au)、铂(Pt)、铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)和钕(Nd)或其合金中选择的任一种制成。
层间绝缘膜13位于基板10包括非有源区域的整个表面上。
在非有源区域N/A中在层间绝缘膜13上形成辅助电极31。在一个实施方式中，利用与源极和漏极23和24相同的层同时形成辅助层31。在其他实施方式中，辅助电极可以由其他导电层形成。
在顶部发光型有机发光显示器件中，位于有机发光元件上的电极一般是阴极，阴极由呈现高电阻的透明导电材料或薄至足以穿透光线的低电阻材料制成。因此，位于顶部发光型有机发光显示器件的有机发光元件上的阴极的电阻不足够低，从而施加到有机发光元件的低电位电压增大。辅助电极31由低电阻材料制成，并与位于有机发光元件上的电极连接，以减小位于有机发光元件上的电极的电阻。
与源极和漏极23和24类似，辅助电极31具有多个层。具体来说，辅助电极31的第一层311形成为比辅助电极31的第二层312长。辅助电极31的第二层312为锥形，从而更平顺地接触位于有机发光元件上的电极。
辅助电极31的第一层311由与源极和漏极23和24的第一层231和241相同的材料制成，并且在一个实施方式中，与源极和漏极23和24的第一层231和241同时形成。辅助电极31的第二层312由与源极和漏极23和24的第二层232和242相同的材料制成，并且在一个实施方式中，与源极和漏极23和24的第二层232和242同时形成。
同时，与源极和漏极23和24类似，辅助电极31可以形成为具有三层。在该情况中，辅助电极31的第二和第三层可以由透明导电材料制成，例如钼钛合金(MoTi)、ITO、IGZO、IZO或ZnO。与源极和漏极23和24类似，辅助电极31的第二层可以由低电阻材料例如铜(Cu)制成。
在薄膜晶体管T和辅助电极31上形成钝化层14。钝化层14具有由从SiNx或SiOx中选择的至少一种无机材料制成的单层或多层结构。钝化层14在辅助电极31上具有端部155。钝化层14被布置为覆盖辅助电极31的上部，且钝化层14的端部155呈倒锥形，如图1和图2所示。由于在辅助电极31上提供钝化层14的端部155，在辅助电极31的侧表面上不形成钝化层14，因此辅助电极31的第二层312的侧表面被露出。
由于辅助电极31的侧表面在正向为锥形，但钝化层14在辅助电极31上具有倒锥形端部155，因此其锥形具有不同的方向。也就是说，端部在钝化层14和辅助电极31之间的分界处比其上侧或下侧更加向内凹陷。
平坦化膜15位于钝化层14上。平坦化膜15用于消除发光元件所在区域的台阶。平坦化膜15可以由从聚酰亚胺、光亚克力和苯并环丁烯(BCB)中选择的至少一种制成，这些都是有机绝缘材料。平坦化膜15具有单层或多层结构。
平坦化膜15包括通过去除一部分平坦化膜15而形成的有机孔37，以露出钝化层14的端部和辅助电极31。
平坦化膜15和钝化层14具有接触孔H3，通过该孔露出漏极24。在改变源极23和漏极24的位置的情况中，接触孔H3可以形成为露出源极23。
此外，第一电极40位于平坦化膜15上。第一电极40通过接触孔H3连接至源极23或漏极24。
在与第一电极40相同的层上，特别是在平坦化膜15的端部上，进一步形成利用与第一电极40相同的材料制成的伪电极45。伪电极45用作屏障，用于防止因通过平坦化膜15排气而导致杂质影响有机发光元件的有机层41。
第一电极40和伪电极45具有由金属材料或透明导电材料制成的单层或多层结构。特别是在顶部发光型有机发光显示器件中，第一电极40可以由具有高反射系数的金属材料制成，例如银(Ag)，以用作反射向下发射的光的反射板，从而将光导向上方。在将第一电极40用作反射板的情况中，有机发光元件的寿命和效率得到提高。此外，由于例如银(Ag)之类的金属会被外部环境氧化，因此第一电极40的上层或下层可以由透明导电材料制成，例如ITO、IZO、IGZO或ZnO。也就是说，第一电极40可形成为具有三层结构，包括由透明导电材料制成的下层、由例如银(Ag)之类的高反射系数金属材料制成的中间层、以及由透明导电材料制成的上层。
还可以提供堤绝缘膜43以覆盖一部分第一电极40并限定像素区域。堤绝缘膜43包括聚酰亚胺或亚克力。
包括发光层的有机发光元件的有机层41位于堤绝缘膜43和第一电极40上。有机层41可形成为包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。
在基板10的一个完整表面上形成有机层41。有机层41因钝化层14的倒锥形端部而在钝化层14上具有不连续点。也就是说，在辅助电极31的部分第一层311上和第二层312的侧表面上不形成有机层41。
在有机层41上形成第二电极42。在基板10的一个完整表面上形成第二电极42。第二电极42可以由透明导电材料制成，例如ITO、IZO、IGZO或ZnO。可选的是，第二电极42可以由从银(Ag)、钛(Ti)、铝(Al)和钼(Mo)或其合金中选择的任意一种制成。
为了实现顶部发光型有机发光显示器件，第二电极42可以由透明导电材料制成，从而透射来自有机层41的光。可选的是，第二电极42可以由不透明金属材料制成，其厚度小到足以透射光，也就是为10至第一电极40可以是阳极，第二电极42可以是阴极。
第二电极42延伸至有机孔37的上部，从而接触低电阻的辅助电极31。第二电极42在有机层41的不连续点处连接至辅助电极31的第一层311。可选的是，第二电极42连接至辅助电极31的第一层311，还连接至辅助电极31的第二层312的整个或部分侧表面。如上所述，由于第二电极42是由透明导电材料或薄到足以透光的不透明金属材料制成，因此第二电极42没有足够低的电阻以用作阴极。但是，辅助电极31形成为包括低电阻金属材料。当辅助电极31连接至第二电极42时，第二电极42的电阻降低。用作阴极的第二电阻42向有机发光元件提供低电位电压VSS。如果第二电极42的电阻很高，则低电位电压VSS升高。但是，由于辅助电极31和第二电极42之间接触，因此第二电极42的电阻降低，从而避免了提供给有机发光元件的低电位电压VSS的升高。
在包括第二电极42的基板10的整个表面上形成密封层51。密封层51具有由无机绝缘材料例如SiOx或SiNx制成的单层结构。可选的是，密封层51具有多层结构，其中交替层叠不同的无机绝缘膜。密封层51防止含有潮气和氧气的外部空气渗透进有机层41，从而保护包括发光层的有机层41。
图2是显示按照本发明的另一个实施方式包括中间电极的有机发光显示器件的示意图。图2所示的有机发光显示器件在薄膜晶体管T、辅助电极31和钝化层14的结构方面与图1所示的有机发光显示器件相同。
在图2所示的有机发光显示器件中，平坦化膜15形成为具有两层，连接电极39位于两层之间。第一平坦化膜15a位于钝化层14上，通过接触孔H4连接至源极23或漏极24的连接电极39位于第一平坦化膜15a上。第二平坦化膜15b位于连接电极39上。通过接触孔H5连接至连接电极39的第一电极40位于第二平坦化膜15b上。伪电极45形成为覆盖第一平坦化膜15a和第二平坦化膜15b的侧端。
堤绝缘膜43、包括发光层的有机层41、第二电极42和密封层51在结构上与图1所示的有机发光显示器件中的部件相同。第二电极42通过有机孔37连接至辅助电极31的第一层311，通过去除第一平坦化膜15a和第二平坦化膜15b的一部分形成所述有机孔从而露出辅助电极31。可选的是，第二电极42连接至辅助电极31的第一层311，并且也连接至辅助电极31的第二层312的部分或整个侧表面。
图3A为显示当在现有技术的底切形钝化层下方形成辅助电极时形成空隙这一现象的示意图，图3B为显示当在按照本发明的倒锥形钝化层下方提供辅助电极时避免形成空隙的效果的示意图。
如图3A所示，在配置为辅助电极61位于现有技术的底切形钝化层64的端部164下方且辅助电极61在钝化层64下方连接至第二电极42的有机发光显示器件中，密封层51不能填满钝化层64下方的空间，由此形成空隙V。潮气或气体通过空隙V渗透进有机发光显示器件，从而污染了有机发光元件。此外，如果形成空隙V，则有机发光显示器件的机械性能就会恶化。
另一方面，如图3B所示，按照本发明的有机发光显示器件的特征在于，辅助电极31位于钝化层14的下方，并与第二电极相连。在按照本发明的包括倒锥形钝化层14的有机发光显示器件中，密封层51能够填满钝化层14下方的空间，因此不会形成空隙。相应地，发光显示器件可以避免变得有缺陷，且有机发光显示器件的机械性能也得到提高。
下面将参照附图4A至4D描述按照本发明的有机发光显示器件的制造方法。图1所示的有机发光显示器件的制造方法和图2所示的有机发光显示器件的制造方法几乎相同。因此，以图1所示的有机发光显示器件的制造方法为例进行描述。
首先，描述图4A所示的从薄膜晶体管T到辅助电极金属层333的制造方法。
首先，在基板10上形成遮蔽层8。通过对从银(Ag)、镍(Ni)、金(Au)、铂(Pt)、铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)和钕(Nd)或其合金中选择的任一种进行沉积并图案化来形成遮蔽层8。
然后，在包括遮蔽层8的基板10的整个表面上形成缓冲层11。通过沉积无机绝缘材料例如SiNx或SiOx可以形成缓冲层11。
然后，在缓冲层11上形成薄膜晶体管T。更具体而言，形成有源层21，然后沉积并图案化无机绝缘膜和金属层，从而形成栅绝缘膜12和栅极22。栅绝缘膜12和栅极22可同时图案化。可选的是，通过不同的图案化处理步骤，可以独立地形成栅绝缘膜12和栅极22。
然后，将栅极22用作掩模在有源层21中掺杂掺杂剂，以形成源极区域211和漏极区域212。在有源层21由氧化物半导体制成的情况中，可以通过等离子化处理令有源层21导电。
然后，在包括栅极22的基板10上形成层间绝缘膜13。层间绝缘膜13包括接触孔H1和H2，通过这些孔露出源极区域211和漏极区域212。层间绝缘膜13可以由无机绝缘材料制成，与缓冲层11类似。
然后，形成源极23和漏极24，从而分别通过接触孔H1和H2与源极区域211和漏极区域212连接，并且形成辅助电极金属层333，从中形成辅助电极。通过沉积透明导电材料(例如钼钛合金(MoTi)、ITO、IGZO、IZO或ZnO)和低电阻材料(例如铜(Cu))以形成金属层并同时图案化金属层，可以形成源极23、漏极24和辅助电极金属层333。
然后，如图4B所示，在辅助电极金属层333和薄膜晶体管T上形成用于形成钝化层的无机膜层144和用于形成平坦化膜的有机膜层157。将光刻胶PR应用于有机膜层157，利用掩模去除漏极24上的光刻胶部分和将要形成有机孔37的位置上的光刻胶部分，并通过蚀刻形成钝化层14和平坦化膜15。此时，对部分钝化层14和平坦化膜15进行蚀刻，以形成露出漏极24的接触孔H3和露出辅助电极金属层333的有机孔37。
然后，如图4C所示，层叠阳极金属层并通过光刻和蚀刻而图案化，以形成第一电极40和伪电极45。此时，第一电极40和伪电极45上用于光刻的光刻胶408被保留而未被去除。
然后，通过湿刻法选择性地蚀刻钝化层14下方的辅助电极金属层333(第一W/E)。此时，蚀刻是受控的，从而使辅助电极金属层333呈锥形。因此，如图4D所示，钝化层14的下部呈底切形，且辅助电极31的第二层312仅在钝化层14的内侧，从而呈锥形。
然后，通过湿刻法选择性地蚀刻露在平坦化膜15外侧的钝化层14的端部(第二W/E)。此时，蚀刻是受控的，从而使钝化层14的端部呈倒锥形。
因此，如图4D所示，钝化层14的端部呈倒锥形，且位于钝化层14下方的辅助电极31的第二层312形成为锥形。辅助电极31的第一层311未被蚀刻，因此延伸至第二层312的外侧。
同时，根据设计，形成辅助电极金属层333和钝化层14，选择性地蚀刻辅助电极金属层333以形成辅助电极、平坦化膜15、第一电极40和伪电极45，并利用剩余的光刻胶PR将钝化层14的端部155形成为呈倒锥形。
在形成钝化层14的端部155后，去除剩余的光刻胶。
然后，形成堤绝缘膜43以限定像素区域。堤绝缘膜43包括聚酰亚胺或亚克力。
然后，将包括发光层的有机层41和第二电极依次沉积在堤绝缘膜43和第一电极40上。有机层41可形成为包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。
在基板10的一个完整表面上形成第二电极42。第二电极42可以由透明导电材料制成，例如ITO、IZO、IGZO或ZnO。可选的是，第二电极42可以由银(Ag)、钛(Ti)、铝(Al)和钼(Mp)或其合金中的任意一种制成。如上文所述，第二电极42在钝化层14的端部155下方接触辅助电极31的第一层311。可选的是，第二电极42接触辅助电极31的第一层311，也接触辅助电极31的第二层312的侧表面。
然后，在基板10的整个表面上形成密封层51。密封层51具有由SiOx或SiNx制成的单层结构。可选的是，密封层51具有交替层叠SiOx和SiNx的多层结构。
通过上述描述可明确的是，在按照本发明的有机发光显示器件中，辅助电极位于钝化层的倒锥形端部的下方，并与第二电极相连。在按照本发明的包括倒锥形钝化层的有机发光显示器件中，密封层能够填满钝化层下方的空间，由此不形成空隙。因此，发光显示器件可以避免出现问题，且有机发光显示器件的机械性能也能得到提高。
对于本领域技术人员而言显而易见的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变形。因此，本发明意在覆盖落在权利要求及其等同物的范围内的本发明的修改和变形。
上文所述的各个实施方式可以被组合，从而提供其它实施方式。本说明书中提及的和/或申请数据表中所列出的所有美国专利、美国专利公开、美国专利申请、外国专利、外国专利申请和非专利公开已通过引用而被全部并入本文。如果需要采用多个专利、申请和公开的概念以提供其它实施方式，则各个实施方式的各个方面可以被修改。
根据上文的详细描述，可以对各个实施方式进行这样或那样的修改。总体而言，在下文的权利要求中使用的术语不应被解释为将权利要求限制在本说明书和权利要求所公开的特定实施方式内，而应被解释为包括权利要求所包含的所有可能的实施方式以及等同物的全部范围。因此，权利要求不限于公开内容。
Claims (12)
1.一种有机发光显示器件，包括：
具有有源区域和非有源区域的基板；
在所述有源区域位于所述基板上的第一电极；
位于所述第一电极上且包括发光层的有机层；
位于所述有机层上的第二电极；
在所述非有源区域位于所述基板上的辅助电极；以及
位于所述辅助电极上的钝化层，所述钝化层具有位于所述辅助电极上方的倒锥形端部，
其中，所述第二电极与所述辅助电极电性连接，
其中，所述辅助电极在所述钝化层的下方具有锥形端部，
其中，在所述钝化层和所述辅助电极之间的分界处，所述辅助电极的所述锥形端部与所述钝化层的所述倒锥形端部对齐，并且
其中，所述钝化层被设置为与所述第一电极交叠。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示器件，其中，所述第二电极延伸至所述非有源区域从而与所述辅助电极电性连接。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示器件，进一步包括：
位于所述钝化层上的至少一个平坦化膜，从而露出所述倒锥形端部；以及
位于所述平坦化膜和所述倒锥形端部上方的伪电极。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示器件，其中，
所述第一电极位于所述平坦化膜上，且
所述第一电极和所述伪电极位于同一层上并由相同的材料制成。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示器件，进一步包括：
位于所述基板上的薄膜晶体管，其中，
所述钝化层和所述平坦化膜位于所述薄膜晶体管上，
所述第一电极通过接触孔连接所述薄膜晶体管，通过去除部分所述平坦化膜和所述钝化层以露出所述薄膜晶体管的源极和漏极中的任意一个可形成所述接触孔，且
所述辅助电极与所述薄膜晶体管的所述源极和所述漏极位于同一层上并由与所述薄膜晶体管的所述源极和所述漏极相同的材料制成。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示器件，其中，通过在所述基板上依次形成金属层和所述钝化层并通过第一湿刻处理选择性地蚀刻所述金属层，使所述辅助电极形成为具有所述锥形端部。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示器件，其中，通过在所述钝化层上依次形成至少一个所述平坦化膜和所述伪电极，以及在形成所述辅助电极之后通过第二湿刻处理选择性地蚀刻所述钝化层，使所述钝化层形成为具有所述倒锥形端部。
8.根据权利要求5所述的有机发光显示器件，其中，
通过在所述基板上依次形成金属层、所述钝化层、所述平坦化膜和所述伪电极，并通过第一湿刻处理选择性地蚀刻所述金属层，使所述辅助电极形成为仅在所述钝化层下方的部分区域呈锥形，以及
通过在形成所述辅助电极后通过第二湿刻处理选择性地蚀刻所述钝化层，使所述钝化层形成为具有所述倒锥形端部。
9.根据权利要求7所述的有机发光显示器件，其中，所述第一湿刻处理和所述第二湿刻处理是在形成所述伪电极后利用在所述伪电极上剩余的光刻胶执行的。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示器件，其中，
所述辅助电极包括多个层，
所述辅助电极的第一层由ITO和MoTi中的任意一种制成，且
所述辅助电极的第二层由Cu制成。
11.根据权利要求10所述的有机发光显示器件，其中，
所述辅助电极的第三层进一步位于所述辅助电极的所述第二层上，且
所述辅助电极的所述第三层由ITO和MoTi中的任意一种制成。
12.根据权利要求10所述的有机发光显示器件，其中，所述辅助电极的所述第一层延伸至比所述钝化层的所述端部更长，从而直接连接至所述第二电极。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2016-0162362 | 2016-11-30 | ||
| KR1020160162362A KR20180062284A (ko) | 2016-11-30 | 2016-11-30 | 유기 발광 표시 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108155299A CN108155299A (zh) | 2018-06-12 |
| CN108155299B true CN108155299B (zh) | 2020-01-07 |
Family
ID=60515193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711236144.7A Active CN108155299B (zh) | 2016-11-30 | 2017-11-30 | 有机发光显示器件 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10756293B2 (zh) |
| EP (1) | EP3331045A1 (zh) |
| KR (1) | KR20180062284A (zh) |
| CN (1) | CN108155299B (zh) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102405695B1 (ko) * | 2015-08-31 | 2022-06-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2017072678A1 (en) | 2015-10-26 | 2017-05-04 | Oti Lumionics Inc. | Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating |
| CN116583131A (zh) | 2017-04-26 | 2023-08-11 | Oti照明公司 | 用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置 |
| US11043636B2 (en) | 2017-05-17 | 2021-06-22 | Oti Lumionics Inc. | Method for selectively depositing a conductive coating over a patterning coating and device including a conductive coating |
| KR102083315B1 (ko) * | 2017-09-11 | 2020-03-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| US11508804B2 (en) * | 2017-11-29 | 2022-11-22 | Ordos Yuansheng Optoelectronics, Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
| JP7086582B2 (ja) * | 2017-12-11 | 2022-06-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102498288B1 (ko) * | 2017-12-22 | 2023-02-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법 |
| KR102457997B1 (ko) * | 2017-12-29 | 2022-10-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시장치 |
| US11751415B2 (en) | 2018-02-02 | 2023-09-05 | Oti Lumionics Inc. | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same |
| CN110323228B (zh) * | 2018-03-30 | 2022-04-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 基板及其制作方法、电子装置 |
| WO2019215591A1 (en) | 2018-05-07 | 2019-11-14 | Oti Lumionics Inc. | Method for providing an auxiliary electrode and device including an auxiliary electrode |
| JP7108478B2 (ja) * | 2018-06-21 | 2022-07-28 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102567299B1 (ko) * | 2018-09-14 | 2023-08-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102634180B1 (ko) * | 2018-09-18 | 2024-02-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 오버 코트층 상에 위치하는 발광 소자를 포함하는 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| CN109285872A (zh) * | 2018-10-18 | 2019-01-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机自发光二极管显示面板及其制作方法 |
| CN109473460B (zh) * | 2018-10-18 | 2020-09-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其封装方法及电子设备 |
| KR20200049115A (ko) | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법 |
| KR20200049336A (ko) * | 2018-10-31 | 2020-05-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102598834B1 (ko) * | 2018-10-31 | 2023-11-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN109962180B (zh) * | 2019-03-01 | 2020-11-10 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板的制备方法 |
| JP7390739B2 (ja) | 2019-03-07 | 2023-12-04 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
| CN110071225A (zh) * | 2019-04-08 | 2019-07-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及制作方法 |
| KR20200120804A (ko) * | 2019-04-11 | 2020-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| US11043651B2 (en) * | 2019-05-13 | 2021-06-22 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | OLED display panel and manufacturing method thereof |
| CN110112146B (zh) * | 2019-05-17 | 2021-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、其制备方法及显示面板 |
| KR20200145954A (ko) | 2019-06-21 | 2020-12-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| WO2020261191A1 (en) | 2019-06-26 | 2020-12-30 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
| US11832473B2 (en) | 2019-06-26 | 2023-11-28 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
| CN110311056B (zh) * | 2019-07-26 | 2021-11-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN114342068A (zh) | 2019-08-09 | 2022-04-12 | Oti照明公司 | 包含辅助电极和分区的光电子装置 |
| CN110556406A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-12-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
| CN110911461B (zh) * | 2019-11-26 | 2023-06-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
| KR20210086306A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP7081628B2 (ja) * | 2020-08-06 | 2022-06-07 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、および電子機器 |
| KR20220042815A (ko) * | 2020-09-28 | 2022-04-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광표시패널 및 이를 이용한 발광표시장치 |
| JP2022080003A (ja) * | 2020-11-17 | 2022-05-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| WO2022123431A1 (en) | 2020-12-07 | 2022-06-16 | Oti Lumionics Inc. | Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating |
| CN115606330A (zh) * | 2021-04-21 | 2023-01-13 | 京东方科技集团股份有限公司（Cn） | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
| CN113327937B (zh) * | 2021-05-27 | 2022-06-10 | Tcl华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示面板制作方法 |
| CN114420725A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-04-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及显示装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1645979A (zh) * | 2003-11-28 | 2005-07-27 | 三星电子株式会社 | 有机发光显示器及其制造方法 |
| EP3026724A1 (en) * | 2014-11-25 | 2016-06-01 | LG Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7579771B2 (en) * | 2002-04-23 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| KR100683791B1 (ko) * | 2005-07-30 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 구비한 평판 디스플레이장치 |
| CN102903734B (zh) * | 2006-06-19 | 2015-07-15 | 索尼株式会社 | 发光显示装置及其制造方法 |
| US8692455B2 (en) * | 2007-12-18 | 2014-04-08 | Sony Corporation | Display device and method for production thereof |
| KR101415794B1 (ko) * | 2008-06-12 | 2014-07-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| JP2010062003A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| KR101652996B1 (ko) * | 2009-06-12 | 2016-09-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치와 그의 제조방법 |
| US9178174B2 (en) * | 2012-03-27 | 2015-11-03 | Sony Corporation | Display device and method of manufacturing the same, method of repairing display device, and electronic apparatus |
| KR102090555B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2020-03-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
| US9478591B2 (en) | 2013-12-23 | 2016-10-25 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and repair method thereof |
| KR102118676B1 (ko) * | 2014-02-05 | 2020-06-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 |
| US9806279B2 (en) * | 2014-07-08 | 2017-10-31 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device comprising auxiliary electrode having void therein and manufacturing method thereof |
| KR102394427B1 (ko) | 2015-04-02 | 2022-05-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 이를 제조하는 방법 |
-
2016
- 2016-11-30 KR KR1020160162362A patent/KR20180062284A/ko not_active Application Discontinuation
-
2017
- 2017-11-29 EP EP17204348.1A patent/EP3331045A1/en active Pending
- 2017-11-29 US US15/826,577 patent/US10756293B2/en active Active
- 2017-11-30 CN CN201711236144.7A patent/CN108155299B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1645979A (zh) * | 2003-11-28 | 2005-07-27 | 三星电子株式会社 | 有机发光显示器及其制造方法 |
| EP3026724A1 (en) * | 2014-11-25 | 2016-06-01 | LG Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108155299A (zh) | 2018-06-12 |
| KR20180062284A (ko) | 2018-06-08 |
| US10756293B2 (en) | 2020-08-25 |
| EP3331045A1 (en) | 2018-06-06 |
| US20180151831A1 (en) | 2018-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108155299B (zh) | 有机发光显示器件 | |
| US10644269B2 (en) | Organic light-emitting display device | |
| US20200219770A1 (en) | Organic Light Emitting Diode Display Device and Method of Fabricating the Same | |
| JP6458103B2 (ja) | 有機発光表示装置 | |
| KR102500271B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| US10181573B2 (en) | Organic light-emitting diode display device and method of fabricating the same | |
| JP4844617B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板および表示装置 | |
| KR101155903B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| US20130320314A1 (en) | Organic light emitting diode display | |
| US9349996B2 (en) | Method of manufacturing capacitor, method of manufacturing organic light emitting display device including the capacitor, and organic light emitting display device manufactured by using the method | |
| US8633479B2 (en) | Display device with metal oxidel layer and method for manufacturing the same | |
| KR20150041511A (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| TWI627744B (zh) | 有機發光顯示裝置及製造該有機發光顯示裝置的方法 | |
| JP6019507B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 | |
| JP5825812B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
| JP5737550B2 (ja) | 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 | |
| JPWO2014147964A1 (ja) | 薄膜半導体基板、発光パネル及び薄膜半導体基板の製造方法 | |
| US20150171153A1 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR20210086247A (ko) | 표시 장치 | |
| US8940613B2 (en) | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same | |
| US11901398B2 (en) | Display apparatus having a substrate hole | |
| EP3723131A2 (en) | Conductive line for display device, display device including the same, and method of manufacturing display device including the same | |
| CN113130555B (zh) | 具有基板孔的显示设备 | |
| US20240016012A1 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
| WO2023137709A1 (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |