KR100881482B1

KR100881482B1 - 와이핑 필름

Info

Publication number: KR100881482B1
Application number: KR1020037009032A
Authority: KR
Inventors: 히로유끼 에구찌
Original assignee: 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니
Priority date: 2001-01-10
Filing date: 2001-12-28
Publication date: 2009-02-05
Also published as: EP1360038A1; CN1486234A; MY138087A; KR20030070911A; CN100406202C; JP2002224966A; WO2002055266A1; JP4885364B2; TW592897B

Abstract

본 발명은 가요성 필름형 기재 및 이 기재의 한 표면상에 형성된, 결합제와 그 중에 분산된 플라스틱 입자로 이루어진 와이핑층을 포함하는 와이핑 필름에 관한 것이다. 이 와이핑 필름은 자기 디스크의 표면 처리시 스크래치나 섬유 찌꺼기를 발생시키지 않으면서 이물 및 유리된 윤활제를 제거하는데 유용하다.

와이핑 필름, 와이핑층, 플라스틱 입자, 자기 디스크, 자기 기록 매체, 버니싱 처리

Description

와이핑 필름 {Wiping Film}

본 발명은 자기 기록 매체 표면의 마무리에 사용되는 재료에 관한 것으로, 특히 자기 디스크 표면의 클리닝 공정 및 버니싱(burnishing) 공정에 사용되는 와이핑 필름에 관한 것이다.

최근 컴퓨터 등의 정보 처리 기술의 발달에 따라 그의 외부 기억 장치로서 자기 디스크 등의 자기 기록 매체가 널리 사용되고 있다.

자기 디스크는 일반적으로 알루미늄 합금 기판이나 유리 기판 등의 비자성 기판에 랩 처리, 연마 처리 및 텍스쳐 처리 등 일련의 표면 처리를 실시하여 그 표면을 조면화한 후, 조면화 처리된 비자성 기판상에 자기 기록층을 제조하고, 또한 이 자기 기록층상에 탄소, SiO₂ 등으로 제조한 보호막을 더 형성한다.

보호막을 형성한 후 보호막 표면에 형성된 돌기나 자기 디스크 표면의 이물 등을 제거하기 위해서 필름 클리닝 공정이 행해진다. 이 필름 클리닝은 일반적으로는 연마 필름을 사용하여 실시된다.

클리닝 공정에 이어서, 보호막상에 플루오르카본계 윤활제를 도포하여 윤활막을 형성하고, 그 위에 버니싱을 행하여 자기 기록 매체 표면에 부착된 먼지 등의 부착물을 제거한다. 이 버니싱도 일반적으로는 연마 필름을 사용하여 실시된다. 그 후, 소정의 시험을 행하여 규격에 적합한 자기 기록 매체가 제조된다.

종래, 필름 클리닝이나 버니싱에 사용되는 필름으로는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리아미드 등의 재료로 제조한 필름상에 알루미나 입자, SiC 입자 등의 연마 연마 입자를 포함하는 랩핑 필름이 사용되고 있다. 예를 들면, 일본 특허 공개 제1997-85628호 공보, 동 제1998-71572호 공보 및 동 제1999-114837호 공보에는 이러한 구성의 랩핑 필름이 개시되어 있다.

최근 자기 디스크의 기억 용량을 증가시키기 위해서 보호막의 형성 기술이 향상되고 있고, 스퍼터링법으로부터 화학 증착(CVD)법으로 이행되어 오고 있다. 그에 따라 고밀도 및 매우 얇은 두께를 갖는 고정밀 및 고품질의 막을 제공하는 것이 가능하게 되었다. 또한, 막 형성 후 자기 디스크의 표면도 보다 균일하고 청정하게 되어 고품질의 디스크를 제공하는 것이 가능하게 되었다(비정상적으로 성장한 돌기나 필름 형성 중에 발생하는 먼지 입자의 수가 감소됨).

고품질의 형성막의 개발에 따라, 필름 클리닝이나 버니싱에 사용되는 랩핑 필름도 이러한 변화에 대응하기 위해, 사용되고 있는 연마 입자의 평균 입경을 과거 수 ㎛의 수준이었던 것에서 0.3 ㎛ 이하의 미세한 연마 입자로 개선되어 왔다.

그러나, 랩핑 필름에는 연마재로서 경질의 무기 입자가 함유되어 있기 때문에, 랩핑 필름 표면상에 불균일한 돌기가 있는 경우나 연마 입자의 탈리 등이 발생하면, 자기 디스크 표면에 스크래치를 발생시키는 결점이 있다. 또한, 디스크 표면상에 탈리된 연마 입자가 잔존한 채로 있으면 다음 공정에서 연마 입자의 디스크 로의 매립 등의 치명적 결함을 야기시킬 가능성도 있다.

따라서, 보호막의 형성 기술이 향상된 최근에는, 자기 디스크의 보호막을 표면 처리하는 테이프에는 보호막 표면을 연마하는 것보다도 스크래치를 유발하지 않고 닦음으로써 이물을 제거하는 기능이 요구되도록 하고 있다. 또한, 윤활막 형성 후에 버니싱을 행하는 경우, 필름은 유리된 윤활제를 제거하여 자기 디스크의 표면에 걸쳐 윤활막을 보다 균일화하기 위해서 흡유 특성을 가져야 한다.

즉, 자기 디스크 표면의 표면 마무리용 재료에 대하여 요구되는 품질은 막 품질의 향상, 사용 공정의 변화에 따라 변화하게 되었고, 스크래치를 발생하지 않으면서 이물 및 유리된 윤활제를 제거할 수 있는 기능을 갖는 재료가 요구되고 있다. 바꾸어 말하면, 종래의 연마 기능 중시로부터 이물 제거 (와이핑 기능) 중시로 이행되어 오고 있다.

일본 특허 공개 제1993-66179호 공보는 자기 기록 매체의 보호막을 표면 처리하기 위한 클리닝 필름을 개시하고 있다. 이 클리닝 필름은 극세 섬유의 직포로 구성되고, 랩핑 필름으로 연마 처리한 후에 먼지를 제거하는데 사용된다. 따라서, 상기 클리닝 필름은 연마 입자를 함유하지 않고, 자기 디스크 표면에 스크래치를 유발하지 않는다. 그러나, 극세 섬유는 장력이나 마찰에 의해 절단되기 쉽고, 절단된 경우에는 직포로부터 섬유 찌꺼기가 탈락된다. 따라서, 랩핑 필름 대신에 이 클리닝 필름을 사용하면 처리 표면이 섬유로 오염되는 문제를 유발한다. 그렇기 때문에 극세 섬유의 직포로 구성된 클리닝 필름은 자기 기록 매체의 보호막 표면을 처리하는 재료로서 아직 실용화되어 있지 않다.

본 발명은 처리 표면상에 스크래치를 생성하거나 섬유 찌꺼기를 퇴적시키지 않고 이물 및 유리된 윤활제를 제거하기 위한 와이핑 필름을 제공한다. 이 와이핑 필름은 자기 디스크 등의 처리에 사용될 수 있다.

<발명의 요약>

본 발명은 가요성 필름형 기재 및 이 기재의 한 표면상에 형성된, 결합제와 그 중에 분산된 플라스틱 입자를 갖는 와이핑층을 포함하는 와이핑 필름을 제공한다.

바람직한 실시 양태의 특징을 설명함에 있어서 도 1을 참조하기로 한다. 도 1은 본 발명의 와이핑 필름의 한 실시 양태의 단면도이다.

도 1은 본 발명의 와이핑 필름의 단면도이다. 필름형 기재 (1)의 표면상에 플라스틱 입자 (2)가 경화된 결합제 수지 (3)으로 접착되어 와이핑층 (4)를 제공한다. 이 와이핑 필름은 자기 기록 매체 표면, 주로 자기 디스크 표면에서 이물 및 유리된 윤활제를 제거하고, 자기 디스크 표면에 형성된 균일한 윤활막을 제공하는데 사용된다.

필름형 기재

필름형 기재는 테이프 클리닝이나 버니싱 공정에 충분히 견디는 강도와 제조 공정에서의 코팅 및 건조에 견디는 강도 및 내열성이 있고, 치수 변화가 적으며 가요성을 갖는 중합체 필름으로부터 적절하게 선택된다. 종래부터 랩핑 필름의 기재 로서 사용되어 온 중합체 필름이 바람직하게 사용된다.

이러한 중합체 필름의 예로는 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트 등의 폴리에스테르계 수지, 고밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀계 수지, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리비닐 알코올, 에틸렌-비닐알코올 공중합체, 폴리아크릴로니트릴, 폴리아미드, 아크릴산 에스테르 또는 메타크릴산 에스테르를 주성분으로 하는 아크릴계 수지; 폴리아세탈, 셀룰로오스 트리아세테이트, 셀룰로오스 디아세테이트 등의 셀룰로오스 유도체; 및 폴리카보네이트를 포함하는 연신 또는 미연신 필름을 들 수 있다. 특히, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 나일론의 이축 연신 필름 및 폴리이미드 필름은 와이핑 필름의 코팅 특성, 후가공 특성 및 실제 기기에서의 취급이 우수하여 바람직하게 사용된다.

이 필름형 기재는 적당한 가요성을 나타내는 것이 바람직하다. 예를 들면, 이 필름형 기재는 굴곡 탄성률은 두께 1 mm의 시험편을 사용하여 JIS K 6911에 기초하여 측정한 경우에 500 내지 2000 kg/mm²를 나타내는 것이 바람직하다.

필름형 기재의 두께는 일반적으로 5 내지 125 ㎛, 바람직하게는 14 내지 75 ㎛이다.

플라스틱 입자

자기 기록 매체 표면의 테이프 클리닝이나 버니싱 공정에 통상적으로 사용되어 온 랩핑 필름에는 연마층 성분으로서 알루미나 등의 무기 재료를 사용하였다. 그러나, 피처리면에서의 스크래치의 발생을 방지하기 위해서, 본 발명의 와이핑 필름에는 무기 입자보다도 연질인 플라스틱 입자를 사용한다. 이러한 플라스틱 입자와 결합제를 조합함으로써 와이핑층의 표면이 불균일한 요철 구조가 되므로, 피연마물에 스크래치를 유발하지 않고 미세한 이물 및 입자를 받아들이는 작용 및 유리된 윤활제를 흡수하는 작용이 제공된다.

이 플라스틱 입자의 경도는 록웰(Rockwell) 경도로 바람직하게는 M10 내지 M130, 더욱 바람직하게는 M85 내지 M105이다. 플라스틱 입자의 록웰 경도가 M10 미만이면 와이핑 필름 사용시 플라스틱 입자가 편평화되어 표면의 요철 구조를 유지하기가 불가능해진다. 이 경우, 와이핑 효과를 얻을 수 없다. 또한, 록웰 경도가 M130을 초과하면 피처리면에서 스크래치가 발생하기 쉽다.

플라스틱 입자의 형상에는 특별히 제한은 없지만 구형이 바람직하다. 이러한 형태는 피처리면에서 스크래치가 발생하는 것을 방지한다. 입자의 크기로서는 평균 입경이 0.01 내지 100 ㎛인 것이 바람직하고, 0.1 ㎛ 내지 10 ㎛인 것이 더욱 바람직하다. 입자의 평균 입경이 0.01 ㎛ 미만이면 필름의 와이핑층 표면에 제품 설계상 요구되는 표면 조도에 상응하는 요철을 형성할 수 없다. 입자의 평균 입경이 100 ㎛를 초과하면 필름의 와이핑층 표면 조도가 커져 제품으로서 요구되는 와이핑 기능이 저하된다. 특히, nm 수준의 미세한 입자를 받아들이는 것이 곤란해진다.

플라스틱 입자의 재료는 적당한 경도의 수지로부터 바람직하게 선택할 수 있다. 상기 재료의 예로는 폴리메타크릴산 에스테르, 폴리스티렌, 폴리올레핀, 페놀 계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 수지, 고밀도 폴리에틸렌 수지, 요소 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리염화비닐, 폴리아미드 및 폴리카보네이트를 들 수 있다. 또한, 이러한 미립자에 표면 개질 처리 등을 수행하여 수득한 재료, 예를 들면 상기 미립자를 금속으로 코팅하거나 미립자에 관능기를 도입하여 수득한 재료를 사용할 수 있다. 또한, 상기 플라스틱 입자를 기재상에 확실하게 담지시키기 위해서 플라스틱 입자에 구형 유리, 구형 세라믹 등의 무기 입자를 혼합할 수도 있다.

시판되는 플라스틱 입자를 사용할 수도 있다. 예를 들면, 소켄 가가꾸사(Soken Chemical & Engineering Co., Ltd.) 제조의 CHEMISNOW(상품명) 등을 들 수 있다.

결합제

결합제로서는 종래 공지된 열가소성 수지, 열경화성 수지, 반응형 수지, 전자선 경화형 수지, 자외선 경화형 수지, 가시광선 경화형 수지나 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 종래부터 랩핑 필름의 결합제로서 사용되어 온 재료가 바람직하게 사용된다.

이들 결합제는 열경화성인 경우에는 실온에서 경화 후에 쇼어 D 경도로 바람직하게는 15 내지 90, 바람직하게는 50 내지 85의 경도를 갖는 결합제가 사용된다.

열가소성 수지를 결합제로 사용하는 경우에는 연화 온도가 150 ℃ 이하, 평균 분자량이 10,000 내지 300,000, 중합도가 적어도 50 내지 200, 특히 200 내지 700인 것이 바람직하게 사용된다.

구체적으로는 염화비닐-아세트산비닐 공중합체, 염화비닐 공중합체, 염화비닐-아세트산비닐-비닐알코올 공중합체, 염화비닐-비닐알코올 공중합체, 염화비닐-염화비닐리덴 공중합체, 염화비닐-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-아크릴로니트릴 공중합체, 아크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 아크릴산에스테르-스티렌 공중합체, 메타크릴산에스테르-아크릴로니트릴 공중합체, 메타크릴산에스테르-염화비닐리덴 공중합체, 메타크릴산에스테르-스티렌 공중합체, 우레탄 엘라스토머, 나일론-실리콘계 수지, 니트로셀룰로오스-폴리아미드 수지, 폴리불화비닐, 염화비닐리덴-아크릴로니트릴 공중합체, 부타디엔-아크릴로니트릴 공중합체, 폴리아미드 수지, 폴리비닐부티랄, 셀룰로오스 유도체(셀룰로오스 아세테이트 부티레이트, 셀룰로오스 디아세테이트, 셀룰로오스 트리아세테이트, 셀룰로오스 프로피오네이트, 니트로셀룰로오스, 에틸 셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 프로필 셀룰로오스, 메틸에틸 셀룰로오스, 카르복시메틸 셀룰로오스, 아세틸 셀룰로오스 등), 스티렌-부타디엔 공중합체, 폴리에스테르 수지, 폴리카보네이트 수지, 클로로비닐에테르-아크릴산에스테르 공중합체, 아미노산 수지, 각종 합성 고무, 열가소성 수지 및 이들의 혼합물이 사용된다.

한편, 열경화성 수지 또는 반응형 수지를 결합제로 사용하는 경우, 200,000 이하의 분자량을 갖고, 코팅 및 건조 후에 가열 가습함으로써 축합 부가 등의 반응에 의해 분자량이 무한대가 되는 코팅액이 바람직하게 사용된다. 또한, 이러한 수지 중에서, 수지가 열분해하기까지 그 사이에 연화 또는 용융하지 않는 것이 바람직하게 사용된다.

구체적으로는, 예를 들면 페놀계 수지, 페녹시 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 폴리카보네이트 수지, 요소 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 실리콘 수지, 아크릴계 반응 수지(전자선 경화 수지), 에폭시-폴리아미드 수지, 니트로셀룰로오스-멜라민 수지, 고분자량 폴리에스테르 수지와 이소시아네이트 예비중합체의 혼합물, 메타크릴산에스테르 공중합체와 디이소시아네이트 예비중합체의 혼합물, 폴리에스테르 폴리올과 폴리이소시아네이트와의 혼합물, 요소 포름알데히드 수지, 저분자량 글리콜/고분자량 디올/트리페닐메탄 트리이소시아네이트의 혼합물, 폴리아민 수지, 폴리이민 수지 등 및 이들의 혼합물을 들 수 있다.

열경화성 수지의 경화제로서는 폴리이소시아네이트를 사용하는 것이 바람직하다. 폴리이소시아네이트의 구체예로서는 톨릴렌디이소시아네이트, 4,4'-디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 크실릴렌디이소시아네이트, 나프틸렌-1,5-디이소시아네이트, O-톨루이딘디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 트리페닐메탄트리이소시아네이트 등의 이소시아네이트류, 또는 상기 이소시아네이트류와 폴리알코올과의 반응 생성물, 또는 이소시아네이트쇄의 축합에 의해 생성된 2량체 내지 10량체의 폴리이소시아네이트, 또는 폴리이소시아네이트와 폴리우레탄과의 생성물로 말단 관능기가 이소시아네이트인 것을 들 수 있다. 이들 폴리이소시아네이트류의 수평균 분자량은 100 내지 20,000이다.

와이핑 필름의 제조

본 발명의 와이핑 필름은 기재 필름의 한 표면에 플라스틱 입자 및 결합제를 함유하는 와이핑층을 형성하고 이 층을 경화시킴으로써 제조한다. 와이핑층은 일반적으로 플라스틱 입자를 결합제 용액에 혼합 분산시켜 도포 용액을 미리 제조하고, 이 도포 용액을 기재 필름의 표면에 도포하여 건조시킴으로써 형성된다.

플라스틱 입자와 결합제는 바람직하게는 비휘발성 성분(즉 용매를 제거한 상태, 예를 들면 실시예에서 메틸 에틸 케톤 및 톨루엔을 제거한 상태임)의 중량비로 70/100 내지 350/100, 더욱 바람직하게는 100/100 내지 200/100의 중량비로 혼합된다. 이 혼합비가 70/100 미만이면 필름의 와이핑층 표면의 대부분은 결합제로 덮이게 되어 제품에 요구되는 충분한 요철 구조가 얻어지지 않게 된다. 혼합비가 350/100을 초과하면 와이핑층으로부터 플라스틱 입자가 쉽게 탈리된다.

혼합시에 결합제는 복수종을 조합하여 사용할 수 있고, 필요하다면 첨가제로서 분산제, 커플링제, 윤활제, 대전 방지제, 산화 방지제, 곰팡이 방지제, 착색제, 용제 등 통상의 첨가제가 첨가될 수 있다. 각 성분의 첨가 순서, 분산 온도(0 내지 80 ℃) 등은 바람직하게 설정할 수 있다.

예를 들면, 상기 첨가제의 첨가 순서는 플라스틱 입자와 결합제와의 혼합 개시시에 커플링제와 분산제를 첨가하여 균일한 분산물이 형성된 후 윤활제, 대전 방지제 등을 동시에 첨가한다. 분산 온도는, 예를 들면 도포 용액에 함유된 용매의 비점을 고려하여 결정된다. 예를 들어 분산 공정은 메틸 에틸 케톤 또는 톨루엔을 주 용매로 사용하는 경우에는 20 내지 50℃로 유지함으로써 수행할 수 있다. 도포 용액의 제조는 통상의 혼련기를 사용하여 수행할 수 있다.

도포 용액을 기재 필름에 코팅하는 방법으로서는 도포 용액의 점도를 적당하 게 조정한 후 그라비아 코터, 에어 닥터 코터, 블레이드 코터, 로드 코터, 나이프 코터, 스퀴즈 코터, 함침기, 리버스 롤 코터, 트랜스퍼 롤 코터, 키스 롤 코터, 캐스트 코터, 스프레이 코터, 슬롯 오리피스 코터(커튼 코터, 파운틴 코터), 정전 분체 코터, 전착 코팅, 분체 전착 코팅, 진공 도금법, 압출 코터, 마이크로 레플리케이션법, PVD법, CVD법, 각종 증착법 등으로 코팅된다.

이들 방법의 구체적인 설명은 문헌[마끼 서점(Maki Book Store) 발행의 "Coating System" (1979년 10월 30일 발행) 및 공업 조사회(Industrial Research Association) 발행의 "New Trend of Thin-Film Techniques" (1997년 7월 15일 발행) 제65 내지 135 페이지]에 기재되어 있다. 각종 코팅 장치를 사용하여 도포하기 위한 도포 용액의 바람직한 점도의 예는 다음과 같다.

코팅 장치	점도(cps)
그라비아 코터	50 내지 10,000
에어 닥터 코터	50 내지 500
블레이드 코터	1,000 내지 50,000
로드 코터	25 내지 100
나이프 코터	500 내지 10,000
스퀴즈 코터	50 내지 500
리버스 롤 코터	50 내지 100,000
트랜스퍼 롤 코터	500 내지 4,000
키스 롤 코터	50 내지 400
캐스트 코터	30,000 내지 50,000
스프레이 코터	50 내지 400
커튼 코터	200 내지 10,000
파운틴 코터	100,000 이하
전착 코터(결합제만)	100 내지 10,000
추출 코터	50 내지 100,000
마이크로 레플리케이션법	10 내지 100,000

이들 도포액의 도포 순서는 희망에 따라 선택할 수 있고, 원하는 용액의 코팅 전에 하도층을 설치하거나 필름형 기재와의 부착 강도를 향상시키기 위해 코로 나 방전 공정 등을 행할 수도 있다.

필름형 기재에 코팅액을 도포한 후, 이것을 건조하여 결합제를 경화시켜 와이핑 필름을 얻을 수 있다. 결합제의 경화 공정은 일반적으로 가열에 의해 수행된다.

얻어진 와이핑 필름에 있어서, 와이핑층의 두께는 1 내지 200 ㎛, 보다 바람직하게는 2 내지 20 ㎛이다. 와이핑층의 두께가 1 ㎛ 미만이면 기재상에 형성된 와이핑층이 층간 박리 등을 일으키기 쉬워지고, 200 ㎛를 초과하면 얻어지는 와이핑층의 기능에 비하여 플라스틱 입자, 결합제 등의 재료의 소비량이 커져 이 용도의 필름으로서는 고가인 것이 된다.

또한, 와이핑층 표면의 중심선 평균 표면 조도(Ra)는 50 ㎛ 이하, 바람직하게는 0.01 내지 5 ㎛(컷오프값: 80 ㎛)이다. 표면 조도가 50 ㎛를 초과하면 필름의 와이핑층 표면이 너무 거칠어진다. 여기서, 자기 디스크 등의 와이핑 처리 대상물에 있어서, 표면 조도를 나노 수준 또는 옹스트롬 수준으로 감소시키는 것이 요구되고, 이러한 요구에 대응하여 필름의 와이핑층의 표면 조도는 당연히 고정밀도로 조정할 필요가 있다.

바람직한 실시 양태의 특징을 하기의 비제한적인 실시예를 들어 보다 상세히 설명하기로 한다.

이하 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않는다. 또한, 실시예 중 "부" 및 "％"는 특별히 언급하지 않는 한 " 중량부" 및 "중량％"이다.

<실시예 1>

표 2에 나타낸 재료 A 내지 D를 탱크에 투입하고, 고속 믹서를 이용하여 1800 rpm에서 60 분간 분산 및 혼련하여 플라스틱 입자가 균일하게 분산된 것을 확인하였다. 그 후, 재료 E를 투입하여 15 분간 더 교반하였다. 그 후, 여과하여 고형분 농도 35.0 ％의 도포 용액을 얻었다.

도포 용액의 재료		배합량(부)
A) 수지 입자	폴리메틸메타크릴레이트 고가교체 분말, 소켄 가가꾸사제, 상품명: CHEMISNOW-MR-2HG, 형상: 구형, 평균 입경: 2 ㎛, 겔 분율: 99 ％ 이상, 진비중: 1.19, 굴절율:1.49	30.0
B) 결합제	포화 폴리에스테르 수지, 도요보세끼사 (Toyobo)제 상품명: Vylon 65HS, 고형분: 35.5 ％, 용매: MEK(32.5 ％) + TOL(32.5 ％), 인장 파단 강도: 57 g/cm², 인장 파단 신도: 720 ％, 경도(D): 57, 비중: 1.210, 극한 점도: 0.77 dl/g, 분자량: 20,000 내지 25000, Tg: 14 ℃, 연화점: 128 ℃, 색상: 담황색	62.9
C) 용매	메틸 에틸 케톤	28.7
D) 용매	톨루엔	29.0
F) 경화제	폴리이소시아네이트, 닛본 폴리우레탄 고교사 (Nippon Polyurethane K.K.)제, 상품명: Colonate-L, NCO 함량: 12.7 내지 13.7 ％, 외관: 담황색 액체, 점도(Gardner): W-Y, 비중: 1.16 내지 1.18, 고형분: 74.0 내지 76.0 ％, 용매: 에틸아세테이트	1.0

필름형 기재로서 평균 두께: 23.3 ㎛, 파단 강도: 종방향 28 kg/mm²-횡방향 29 kg/cm², 파단 신도: 종방향 125 ％-횡방향 110 ％, 표면 조도(Ra): 0.023 ㎛, 열수축률(150 ℃×30 분): 종방향 1.8 ％-횡방향 0.3 ％, 헤이즈: 3.0 ％, 마찰 계 수: 정지 0.35-이동 0.33의 특성을 갖는 데이진사 (Teijin K.K.) 제조의 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름 시리얼 번호: G2-24를 사용하였다.

이 필름형 기재의 표면에 코팅 용액을 직접 그라비아 코팅법에 의해 도포하였다. 도포량은 경화 공정후 와이핑층의 두께가 6 ㎛가 되는 양으로 설정하였다. 이어서, 이것을 40 내지 130 ℃의 분위기 하에서 5 초 내지 300 초간 두어 코팅된 용액을 건조시키고, 그 후 와이핑층을 경화시켰다. 경화 공정후, 와이핑층의 표면 조도(Ra)를 측정한 바 0.203 ㎛이었다.

얻어진 와이핑 필름을 히다찌 덴시 엔지니어링사 (Hitachi Electronics Engineering K.K.) 제조의 텍스쳐링 연마기에 설치하였다. 그리고, 3.5 인치 NI-P 도금 처리 알루미늄제 기판의 표면을 표 3에 나타낸 조건으로 와이핑 처리하였다. 처리 전후에 기재의 표면 조도를 측정하였다. 결과를 표 4에 나타내었다.

압축 압력(선형 압력)	13 g/mm
필름 공급량	200 mm/분
처리 시간	60 초

<비교예 1>

종래의 랩핑 필름(연마 입자: 평균 입경 0.3 ㎛의 산화알루미늄, 연마층 표면의 Ra: 0.045 ㎛)을 사용하는 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 3.5 인치 NI-P 도금 처리 알루미늄제 기판의 표면을 연마 처리하였다.

처리 전후에 기판의 표면 조도를 측정하였다. 결과를 표 4에 나타내었다.

<비교예 2>

종래의 랩핑 필름(연마 입자: 평균 입경 1 ㎛의 산화알루미늄, 연마층 표면의 Ra: 0.162 ㎛)을 사용하는 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 3.5 인치 NI-P 도금 처리 알루미늄제 기판의 표면을 연마 처리하였다.

<비교예 3>

종래의 랩핑 필름(연마 입자: 평균 입경 2 ㎛의 산화알루미늄, 연마층 표면의 Ra: 1.56 ㎛)를 사용하는 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 3.5 인치 NI-P 도금 처리 알루미늄제 기판의 표면을 연마 처리하였다.

	연마 전		연마 후
	Ra(nm)	Rz(nm)	Ra(nm)	Rz(nm)
실시예	2.3	24.3	2.3	22.9
비교예 1	2.3	24.3	3.1	45.3
비교예 2	2.3	24.3	6.4	80.4
비교예 3	2.3	24.3	10.3	115.1

실시예의 와이핑 필름을 사용한 표면 처리에서는 처리 전후에 기판의 표면 조도는 변화하지 않고, 피처리면에 스크래치 등의 손상이 없다는 것을 확인하였다.

본 발명의 와이핑 필름은 무기 입자나 섬유 재료를 함유하지 않으므로, 피처리면에 스크래치나 섬유 찌꺼기를 발생시키지 않는다. 또한, 표면이 불균일한 요철 구조이므로 피처리면에서 이물 및 유리된 윤활제를 제거하는 것이 가능하다.

Claims

가요성 중합체 필름형 기재, 및

이 기재의 한 표면상에 형성된 와이핑층을 포함하며,

상기 와이핑층은 결합제와 그 중에 분산된 플라스틱 입자를 포함하고, 상기 플라스틱 입자의 평균 입도는 0.1 내지 10 ㎛이고, 상기 와이핑층 표면의 중심선 평균 표면 조도(Ra)는 0.01 내지 5 ㎛이며, 상기 플라스틱 입자와 결합제의 중량비는 70/100 내지 350/100인, 자기 기록 매체의 표면 처리를 위한 와이핑 필름.
제1항에 있어서, 플라스틱 입자의 록웰(Rockwell) 경도가 M10 내지 M130인 와이핑 필름.
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