KR100679945B1 - 접점 부식방지방법 및 장치 - Google Patents

접점 부식방지방법 및 장치 Download PDF

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KR100679945B1 KR1020050028023A KR20050028023A KR100679945B1 KR 100679945 B1 KR100679945 B1 KR 100679945B1 KR 1020050028023 A KR1020050028023 A KR 1020050028023A KR 20050028023 A KR20050028023 A KR 20050028023A KR 100679945 B1 KR100679945 B1 KR 100679945B1
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마사히코 후지모토
코우지 오오니시
케이수케 키도
준이치 사와다
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후지쓰 텐 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 접점의 부식의 방지를 도모하고, 또한 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있는 접점 부식방지방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
접점(3)의 미세 슬라이딩 마모 등에 의해서 접촉저항이 증가하면, (b)에 나타내는 바와 같이, 시각 t1에서 입력신호라인(4)의 전위가 소정 전위(VX)를 넘고, (c)에 나타내는 바와 같이, 비교기(9)의 논리출력은 로레벨로 천이하고, 스위칭 소자(7)는 온 상태로 구동되고, 비교적 대전류의 부식 방지 전류가 접점(3)에 흐르고, 시각 t2까지 접촉저항을 감소시켜, 접점(3)을 회복시킨다. 소정 전위(VX)는
한계 레벨(VT)에 비교해서 비판정측으로 설정되어 있으므로, 전위 변화는 한계 레벨(VT)에 도달하지 않게 할 수 있고, 후단의 전자제어장치(5) 등에서의 오판정을 방지할 수 있다.

Description

접점 부식방지방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR PREVENTING CORROSION OF CONTACT POINTS}
도 1은 본 발명의 실시의 제1형태인 접점 부식방지장치(1)의 개략적인 전기적 구성을 나타내는 블록도 및 동작의 예를 나타내는 타임차트이다.
도 2는 본 발명의 실시의 제2형태인 접점 부식방지장치(11)의 개략적인 전기적 구성을 나타내는 블록도 및 동작의 예를 나타내는 타임차트이다.
도 3은 본 발명의 실시의 제3형태인 접점 부식방지장치(21)의 개략적인 전기적 구성을 나타내는 블록도이다.
도 4는 본 발명의 실시의 제4형태인 접점 부식방지장치(31)의 개략적인 전기적 구성을 나타내는 블록도이다.
도 5는 본 발명의 실시의 제5형태인 접점 부식방지장치(41)의 개략적인 전기적 구성을 나타내는 블록도이다.
도 6은 도 5의 입력신호라인(4)의 전위 변화의 예, 대응하는 비교기(9)의 논리 판정결과, 지연 회로(42)의 논리출력의 변화를 각각 나타내는 타임 차트이다.
도 7은 본 발명의 실시의 제6형태인 접점 부식방지장치(51)의 개략적인 전기적 구성을 나타내는 블록도이다.
도 8은 본 발명의 실시의 제7형태인 접점 부식방지장치(61)의 개략적인 전기 적 구성을 나타내는 블록도이다.
도 9는 본 발명의 실시의 제8형태인 접점 부식방지장치(71)의 개략적인 전기적 구성을 나타내는 블록도이다.
도 10은 본 발명의 실시의 제9형태인 접점 부식방지장치(81)의 개략적인 전기적 구성을 나타내는 블록도이다.
도 11은 본 발명의 실시의 제10형태인 접점 부식방지장치(91)의 개략적인 전기적 구성을 나타내는 블록도이다.
도 12는 도 12의 입력신호라인(4)의 전위 변화의 예, 및 전류공급수단(92)에 의해 공급할 수 있는 통전 패턴의 예를 각각 나타내는 타임 차트이다.
도 13은 본 발명의 실시의 제11형태인 접점 부식방지장치(101)의 개략적인 전기적 구성을 나타내는 블록도이다.
도 14는 도 13의 입력회로블록(102A)에 포함되는 부식방지장치(102Ax)의 개략적인 전기적 구성을 나타내는 블록도이다.
도 15는 도 13의 입력회로블록(102B)에 포함되는 부식방지장치(102Bx)의 개략적인 전기적 구성을 나타내는 블록도이다.
도 16은 도 13의 입력회로블록(102C)에 포함되는 부식방지장치(102Cx)의 개략적인 전기적 구성을 나타내는 블록도이다.
도 17은 본 발명의 실시의 제12형태인 접점 부식방지장치(201)의 개략적인 전기적 구성을 나타내는 블록도이다.
도 18은 도 16의 부식방지장치(102Cx)의 기능을 나타내는 도표다.
도 19는 도 18의 입력신호라인(4)의 전위 변화 및 임피던스 변화의 예를 각각 나타내는 타임 차트이다.
도 20은 본 발명의 실시의 제13형태인 접점 부식방지장치(211)의 개략적인 전기적 구성을 나타내는 블록도이다.
도 21은 본 발명의 실시의 제14형태인 접점 부식방지장치(221)의 개략적인 전기적 구성을 나타내는 블록도이다.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
1,11,21,31,41,51,61,71,81,91,101,102Ax,102Bx,102Cx,201,211,221
… 부식방지장치
2,12,158,159,161,162 … 스위치 3,13 … 접점
4,14 … 입력신호라인 6,106 … 전원
7,17,69a,69b,207 … 스위칭 소자
8,10a,10b,18,20a,20b,68a,68b,163,164,165 … 저항
9 … 비교기 10,20,160 … 기준전위원
22 … 아날로그/디지털 변환수단
23,33,53,63,83,93,109 … 처리수단 32 … 마스크 수단
42 … 지연 회로 72 … 신호 완화수단
82 … 카운터 92 … 전류공급수단
202,222 … 노이즈 검출수단 212 … 콘덴서
본 발명은, 스위치나 커넥터 등의 접점에 생기는 산화 피막을, 대전류를 흘려 파괴하여, 부식을 방지하는 접점 부식방지방법 및 장치에 관한 것이다.
종래부터, 스위치나 커넥터 등의 접점은, 도전성이 양호한 금속재료로 형성되고, 전기적인 접속시의 접촉저항이 작아지도록 되어 있다. 이와 같은 접점은, 오프의 비접속시에 접촉부분의 표면이 산화되어 접촉저항이 증가할 우려가 있다. 또한, 온의 접속시에도, 접촉부분의 주변에서 노출되어 있는 부분의 표면이 산화되어, 형성되는 산화물이 접촉부분에 휩쓸려져, 접촉저항을 증가시키는 미세 슬라이딩 마모가 진행될 우려도 있다. 접점이 산화에 의해 접촉저항이 증가하여도, 접촉상태와 비접촉상태가 적당 반복되고, 접촉상태에서 비교적 대전류가 흐르면, 전류에 의한 발열 등에 의해 산화물이 제거되어, 접촉저항의 증가를 방지할 수 있다.
접점에 부식 방지가 가능한 대전류를 항상 흘리도록 하는 것은, 전자기기에의 입력에 관해서는 일반적으로 필요하지 않고, 대전류의 단속에서는, 노이즈에 의한 오동작 등의 원인으로도 될 수 있다. 또한 접점에 대전류를 흘리면, 접점의 전기적 수명이 극도로 저하하거나, 접점이 용착할 우려도 있다. 이들 문제점을 해결하기 위해서, 접점의 접촉저항을 검출하여, 접촉저항이 미리 정하는 기준치 이상으로 되면 접점 간에 대전류를 흘려보내는 접점의 전류제어장치가 개시되어 있다(예컨대, 특허문헌1 참조).
대전류용 스위치를 전자화 유닛 등의 저전류화된 시스템에 사용할 때에, 스 위치의 접점이 온의 기간에 펄스상으로 대전류를 흘려보내는 스위치의 부식 방지회로도 개시되어 있다(예컨대, 특허문헌2 참조). 펄스상의 부식 방지 전류를, 콘덴서에의 충방전을 이용하여 주기적으로 흘려보내는 접점신호 판별장치도 개시되어 있다(예컨대, 특허문헌3 참조). 본건 출원인도, 스위치의 접점이 개방상태에서 폐쇄상태로 천이하는 시점으로부터 적어도 일정한 유지시간에는 부식방지용 대전류를 흘려보내고, 스위치의 접점이 개방상태일 때에는, 접점에 접속되는 입력신호라인의 임피던스를 낮게 하는 스위치의 접점 부식방지장치를 개시하고 있다(예컨대, 특허문헌4 참조).
[특허문헌1] 일본 특허공개 평2-297818호 공보
[특허문헌2] 일본 특허공개 평6-96637호 공보
[특허문헌3] 일본 특허공개 평7-14463호 공보
[특허문헌4] 일본 특허공개 2002-343171호 공보
특허문헌1~4에 개시되어 있는 선행기술에서는, 부식 방지 전류를 흘려서 접점의 부식방지동작을 행하고 있는 동안에, 접점의 개폐상태에 따라 동작하는 후단이 오동작하지 않도록 하는 것에 대해서는 고려되어 있지 않다. 예컨대 접점이 폐쇄상태로 되어 대전류의 부식 방지 전류가 흐르면, 접촉저항이 증가하고 있는 접점에서는 전압 하강에 의해 발생하는 전압도 커지고, 후단에서는 접점이 개방상태인 것으로 오판정할 우려가 있다. 또한, 부식 방지 전류가 펄스상으로 흐르면, 주위에 대해서 노이즈를 발생할 우려도 있다.
본 발명의 목적은, 접점의 부식의 방지를 도모하고, 또한 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있는 접점 부식방지방법 및 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은, 접점에 접속되는 입력신호라인의 전위를, 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식된 것으로 판정될 때에는, 접점에 부식 방지 전류를 흘리는 접점 부식방지방법에 있어서,
입력신호라인에는, 접점의 접속상태가 논리 판정되는 신호가 입력되고,
부식된 것으로 판정하는 소정 전위는, 논리 판정의 한계 레벨보다, 비판정측으로 설정하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지방법이다.
본 발명을 따르면, 접점에 접속되는 입력신호라인의 전위를, 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식인 것으로 판정될 때에는, 접점에 부식 방지 전류를 흘려서, 접점으로부터 산화물 등을 제거하고, 접촉저항을 감소시켜서 접점을 회복시켜, 부식 방지를 도모할 수 있다. 입력신호라인에는, 접점의 접속상태가 논리 판정되는 신호가 입력되고, 부식인 것으로 판정되는 소정 전위는, 논리 판정의 한계 레벨보다, 비판정측으로 설정한다. 예컨대 접점이 로사이드(low side)측의 스위치이면, 소정 전위를 한계 레벨보다 접지전위측으로 설정한다. 또한, 접점이 하이 사이드(high side)측의 스위치이면, 소정 전위를 한계 레벨보다 전원전위측으로 설정한다. 접점의 부식이 진행되지 않는 상태에서는, 스위치의 폐쇄상태에서, 입력신호라인의 전위는, 로사이드측의 스위치에서는 접지전위와 소정 전위 사이, 하이 사이드측의 스위치에서는 전원전위와 소정 전위 사이가 된다. 접점의 부식이 진행되면, 스위치의 폐쇄상태에서, 입력신호라인의 전위는, 로사이드측의 스위치에서는 소정 전위보다 높게 되어 한계 레벨의 접지전위측, 하이 사이드측의 스위치이면 소정 전위보다 낮게 되어 한계 레벨의 전원전위측이 된다. 접점에 부식 방지 전류가 흘러도, 입력신호라인의 전위는 논리 판정의 한계 레벨에 도달하지 않은 동안에 접촉저항이 감소하는 것으로 기대할 수 있어, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명은, 접점에 접속되고, 그 전위에 의해서, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인과,
입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저(低) 임피던스수단과,
입력신호라인에 접속되는 고(高) 임피던스수단과,
입력신호라인의 전위와 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
입력신호라인에는, 접점의 접속상태가 논리 판정되는 신호가 입력되고,
비교수단의 소정 전위는, 논리 판정의 한계 레벨보다, 비판정측으로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치이다.
본 발명을 따르면, 접점 부식방지장치는, 저 임피던스수단과 고 임피던스수단과 비교수단을 구비하고, 입력신호라인에는, 접점의 접속상태가 논리 판정되는 신호가 입력되고, 비교수단의 소정 전위는, 논리 판정의 한계 레벨보다, 비판정측으로 설정되어 있다. 저 임피던스수단은, 능동화됨으로써, 접점에 접속되는 입력신호라인의 임피던스를, 접점에 부식 방지 전류를 흘리는 것이 가능한 저 임피던스의 상태로 할 수 있다. 고 임피던스수단은, 입력신호라인의 임피던스를, 저 임피던스수단의 능동화에 의해 저 임피던스의 상태로 되지 않는 기간에, 그 저 임피던스보다 높은 임피던스로 유지한다. 비교수단은, 입력신호라인의 전위를, 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하여 입력신호라인이 저 임피던스의 상태가 되도록 하는 것이므로, 접점의 부식의 판정시에만 부식 방지 전류를 흘려서 접점의 부식방지를 도모할 수 있다. 입력신호라인에는, 접점의 접속이 논리 판정되는 신호가 입력되고, 부식된 것으로 판정하는 소정 전위는, 논리 판정의 한계 레벨보다, 비판정측으로 설정하는 것이므로, 접점에 부식 방지 전류가 흘러도, 입력신호라인의 전위는 논리 판정의 한계값에 도달하지 않는 동안에 접촉저항이 감소하는 것으로 기대할 수 있어, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명에서, 상기 입력신호라인에 입력되는 신호를 아날로그/디지털 변환하는 아날로그/디지털 변환수단과,
아날로그/디지털 변환수단의 변환결과를, 상기 소정 전위와 비교해서 상기 비교수단으로서의 동작과, 상기 한계 레벨과 비교한 상기 논리 판정의 동작을 행하는 처리수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 입력신호라인이 아날로그/디지털 변환수단의 입력으로 되 어 있는 경우, 개별적으로 비교수단과 논리 판정의 수단을 설치하는 필요가 없고, 아날로그/디지털 변환수단의 변환치를 유효하게 이용하여, 회로규모의 소형화를 도모할 수 있다.
또한 본 발명에서, 상기 소정 전위 및 상기 한계 레벨을 변경할 수 있는 레벨 변경수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명을 따르면, 소정 전위 및 한계 레벨을 변경할 수 있는 것이므로, 접점의 종류에 따라 최적의 소정 전위를 선택할 수 있게 된다. 또한, 부식 방지 전류를 흘리는 동작 빈도나, 동작 상황에 따라서, 동적으로 소정 전위를 변경할 수도 있게 된다. 예컨대, 시동시에는, 접점에 부식 방지 전류가 흐르는 빈도를 높이기 위해서, 소정 전위를 판정측, 예컨대 로사이드측의 스위치의 접점에서는 접지전위측, 하이 사이드측의 스위치의 접점에서는 전원전위측으로, 각각 변경할 수 있다.
또한 본 발명에서, 상기 비교수단은 상기 소정 전위에 히스테리시스를 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명을 따르면, 부식 방지 전류를 흘리기 위한 부식 판정의 소정 전위에 히스테리시스를 부가하고 있다. 히스테리시스를 부가하지 않으면, 스위치 등의 접점이 개폐시에 기계적으로 단속을 반복하는 채터링에 따라, 부식인 것으로의 판정에 의해 부식 방지 전류를 흘려보내는 것과, 부식이 아닌 것으로의 판정에 의해 부식 방지 전류를 흘리지 않는 것을 반복하고, 입력신호라인의 전위가 크게 변동하여 후단의 처리에 영향이 생길 우려가 있다. 소정 전위에 히스테리시스를 부가하면, 부식인 것으로의 판정에 의해 부식 방지 전류를 흘려서 접점의 부식방지를 도모할 때에 채터링이 생겨도, 부식 방지 전류가 반복해서 흐르는 것을 방지하여, 후단으로의 영향을 피할 수 있다.
또한 본 발명은, 접점에 접속되는 입력신호라인의 전위를, 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식된 것으로 판정될 때에는, 접점에 부식 방지 전류를 흘리는 접점 부식방지방법에 있어서,
부식 방지 전류가 흐르는 기간에는, 입력신호라인에 생기는 전위변동의 후단으로의 영향을 억제하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지방법이다.
본 발명을 따르면, 접점에 접속되는 입력신호라인의 전위를, 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식된 것으로 판정될 때에는, 접점에 부식 방지 전류를 흘려서, 접점으로부터 산화물 등을 제거하고, 접촉저항을 감소시켜서 접점을 회복시켜, 부식 방지를 도모할 수 있다. 부식 방지 전류가 흐르는 기간에는, 입력신호라인에 생기는 전위변동의 후단으로의 영향을 억제하므로, 부식 방지 전류를 흘려서 입력신호라인의 전위가 변동해도, 후단에는 영향을 주지 않도록 할 수 있어, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지하는 것인가 할 수 있다.
또한 본 발명은, 접점에 접속되고, 그 전위에 의해서, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인과,
입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단과,
입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단과,
입력신호라인의 전위와 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
비교수단에 의해 저 임피던스수단이 능동화된 경우에는 적어도 미리 정해지는 최소 시간은 상기 부식방지전류를 계속 흘리는 상태를 유지하는 전류유지수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치이다.
본 발명을 따르면, 접점 부식방지장치는, 저 임피던스수단과 고 임피던스수단과 비교수단을 구비하고, 전류 유지수단을 추가로 포함한다. 입력신호라인에는, 접점의 접속상태가 논리 판정되는 신호가 입력되고, 비교수단의 소정 전위는, 논리 판정의 한계레벨보다, 비판정측으로 설정되어 있다. 저 임피던스수단은, 능동화됨으로써, 접점에 접속되는 입력신호라인의 임피던스를, 접점에 부식방지전류를 흘릴 수 있는 저 임피던스의 상태로 할 수 있다. 고 임피던스수단은, 입력신호라인의 임피던스를, 저 임피던스수단의 능동화로 저 임피던스의 임피던스를, 저 임피던스수단의 능동화로 저 임피던스수단의 상태로 되지 않는 기간에, 그 저 임피던스보다 높은 임피던스로 유지된다. 비교수단은, 입력신호라인의 전위를, 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위와 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하여 입력신호라인이 저 임피던스의 상태로 되도록 하는 것이므로, 접점의 부식의 판정시에만 부식방지전류를 흘려서 접점의 부식방지를 도모할 수 있다. 접점 개방상태에서는, 입력신호라인의 전위는 비교수단의 소정 전위보다 부식으로 판정되는 판정측으로 되고, 비교수단은 접점이 부식되어 있는 것을 표시하는 신호를 출력한다. 이 상태가 최소 시간이상 계속되면, 저 임피던스수단이 능동화된다. 단, 접점이 개방상태이면 부식방지전류는 흐르지 않는다. 접점의 개방으로부터 폐쇄의 접속상태로 될 때에, 입력신호라인의 임피던스가 저 임피던스로 되어 있으면, 부식방지전류가 흐른다. 접점이 부식되어 있지 않거나 부식의 정도가 문제로 되지 않으면, 입력신호라인의 전위는 소정 전위에 도달하지 않으므로, 비교수단의 출력은, 접점이 부식되어 있지 않은 것을 표시하는 로레벨로 변화한다. 단, 이 신호의 변화는, 가령 지연회로에 의해서 지연시간만큼 지연되므로, 결과적으로 최소한, 지연시간은 부식방지전류가 유지되게 된다. 이 경우 지연회로의 지연시간이 미리 정해지는 최소시간에 상당한다. 즉, 전류유지수단은, 비교수단에 의해서 저 임피던스수단이 입력신호라인을 저 임피던스로 하도록 제어되어, 부식방지전류가 흐르는 시점에서, 미리 정해지는 최소 시간은 상기 부식방지전류를 계속 흘리는 상태를 유지한다. 비교수단이 부식으로 판정하여 부식방지전류가 흐르면, 입력신호라인의 전위가 변동하여, 부식인 것으로 판정하는 것을 반복하는 부식방지동작의 채터링이 생길 우려가 있다. 전류유지수단에 의해서, 미리 설정되는 최소 시간은 상기 부식방지전류를 계속 흘리는 상태를 유지하는 것이므로, 접점의 부식방지를 도모할 수 있고, 또한 부식방지동작의 채터링을 방지하고, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명은, 접점에 접속되고, 그 전위에 의해서, 후단에 접속되는 처리회로에 의해 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인과,
입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단과,
입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단과,
입력신호라인의 전위와 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
입력신호라인에 삽입되고, 비교수단에 의해 저 임피던스수단이 능동화되어서, 부식 방지 전류가 흐르는 시점에서, 상기 후단에 접속되는 처리회로의 출력을 고정하는 처리 저지수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치이다.
본 발명을 따르면, 접점 부식방지장치는, 저 임피던스수단과 고 임피던스수단과 비교수단을 구비하고, 처리 저지수단을 추가로 포함한다. 입력신호라인에는, 접점의 접속상태가 논리 판정되는 신호가 입력되고, 비교수단의 소정 전위는, 논리 판정의 한계 레벨보다, 비판정측으로 설정되어 있다. 저 임피던스수단은, 능동화됨으로써, 접점에 접속되는 입력신호라인의 임피던스를, 접점에 부식 방지 전류를 흘리는 것이 가능한 저 임피던스의 상태로 할 수 있다. 고 임피던스수단은, 입력신호라인의 임피던스를, 저 임피던스수단의 능동화에 의해 저 임피던스의 상태로 되지 않는 기간에, 그 저 임피던스보다 높은 임피던스로 유지한다. 비교수단은, 입력신호라인의 전위를, 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화해서 입력신호라인이 저 임피던스의 상태가 되도록 하는 것이므로, 접점의 부식의 판 정시에만 부식 방지 전류를 흘려서 접점의 부식방지를 도모할 수 있다. 처리 저지수단은, 입력신호라인에 삽입되고, 비교수단에 의해 저 임피던스수단이 능동화되어서, 부식 방지 전류가 흐르는 시점에서, 입력신호라인을 통한 후단에서의 처리회로로부터의 출력을 고정시키는 것이므로, 부식 방지 전류에 의한 일시적인 입력신호라인의 전위의 변동이 후단의 처리에 악영향을 주지 않게 하여 부식 방지 전류에 의한 접점의 부식방지를 도모하고, 또한, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명에서, 상기 입력신호라인의 후단에는 처리회로가 접속되고,
상기 처리 저지수단은, 상기 부식 방지 전류가 흐르는 기간에, 후단의 처리회로의 출력을 고정하는 것을 특징으로 한다.
본 발명을 따르면, 입력신호라인의 후단에는 처리회로가 접속되고, 처리 저지수단은, 부식 방지 전류가 흐르는 기간에, 후단의 처리회로의 출력을 고정하는 것이므로, 부식 방지 전류에 의한 일시적인 입력신호라인의 전위의 변동이 후단의 처리회로에 악영향을 주지 않도록 할 수 있다.
또한 본 발명에서, 상기 처리 저지수단은, 상기 부식 방지 전류가 흐르는 기간뿐만 아니라, 그 후, 미리 정하는 시간에는 상기 후단의 처리회로의 출력을 고정하는 것을 특징으로 한다.
본 발명을 따르면, 처리 저지수단은, 부식 방지 전류가 흐르는 기간뿐만 아니라, 그 후, 미리 정하는 시간에는 후단의 처리회로의 출력을 고정하므로, 부식 방지 전류의 통전종료후, 입력신호라인의 전위가 안정하기까지의 동안에는, 처리회 로의 출력을 고정하여, 입력 논리를 후단의 처리에 사용하지 않고, 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명은, 접점에 접속되고, 그 전위에 의해서, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인과,
입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단과,
입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단과,
입력신호라인의 전위와 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
고 임피던스수단은, 입력신호라인을 고 임피던스로 유지하는 임피던스를 복수 구비하고, 어느 하나 혹은 복수의 임피던스를 선택할 수 있는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치이다.
본 발명을 따르면, 접점 부식방지장치는, 저 임피던스수단과 고 임피던스수단과 비교수단을 구비한다. 입력신호라인에는, 접점의 접속상태가 논리 판정되는 신호가 입력되고, 비교수단의 소정 전위는, 논리 판정의 한계 레벨보다, 비판정측으로 설정되어 있다. 저 임피던스수단은, 능동화됨으로써, 접점에 접속되는 입력신호라인의 임피던스를, 접점에 부식 방지 전류를 흘리는 것이 가능한 저 임피던스의 상태로 할 수 있다. 고 임피던스수단은, 입력신호라인의 임피던스를, 저 임피던스수단의 능동화에 의해 저 임피던스의 상태로 되지 않는 기간에, 그 저 임피던스보 다 높은 임피던스로 유지한다. 비교수단은, 입력 신호라인의 전위를, 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화해서 입력신호라인이 저 임피던스의 상태가 되도록 하므로, 접점의 부식의 판정시에만 부식 방지 전류를 흘려서 접점의 부식방지를 도모할 수 있다. 고 임피던스수단은, 입력신호라인을 고 임피던스로 유지하는 임피던스를 복수 구비하고, 어느 하나 혹은 복수의 임피던스를 선택할 수 있다. 고 임피던스수단은, 입력신호라인이 접속되는 접점이 로사이드측의 스위치이면 풀업용 임피던스, 하이 사이드측의 스위치이면 풀다운용 임피던스를, 복수 구비하여 선택할 수 있다. 접점의 상태에 따라 복수의 임피던스를 선택하도록 하면, 접점 부식회로 동작시의 임피던스 변화를 작게 하여, 접점의 부식방지를 도모하고, 또한, 부식 방지 전류가 흐르는 시점에서의 전위변동을 억제하여, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명은, 접점에 접속되고, 그 전위에 의해서, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인과,
입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해서 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단과,
입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단과,
입력신호라인의 전위와 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
저 임피던스수단은, 비교수단이 부식인 것으로 판정할 때에 출력되는 신호에 의해 구동되는 스위칭 소자를 구비하고,
비교수단으로부터 스위칭 소자를 구동하는 신호의 변화를 완화하는 신호 완화수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치이다.
본 발명에 따르면, 접점 부식방지장치는, 저 임피던스수단과 고 임피던스와 비교수단을 구비하고, 추가로 신호 완화수단을 포함한다. 입력신호라인에는, 접점의 접속상태가 논리 판정되는 신호가 입력되고, 비교수단의 소정 전위는, 논리 판정의 한계 레벨보다, 비판정측으로 설정되어 있다. 저 임피던스수단은, 능동화됨으로써, 접점에 접속되는 입력신호라인의 임피던스를, 접점에 부식 방지 전류를 흘리는 것이 가능한 저 임피던스의 상태로 할 수 있다. 고 임피던스수단은, 입력신호라인의 임피던스를, 저 임피던스수단의 능동화에 의해 저 임피던스의 상태로 되지 않는 기간에, 그 저 임피던스보다 높은 임피던스로 유지한다. 비교수단은, 입력신호라인의 전위를, 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화해서 입력신호라인이 저 임피던스의 상태가 되도록 하는 것이므로, 접점의 부식의 판정시에만 부식 방지 전류를 흘려서 접점의 부식방지를 도모할 수 있다. 저 임피던스수단은 스위칭 소자를 구비한다. 저 임피던스수단의 스위칭 소자는, 비교수단이 부식인 것으로 판정할 때에 출력되는 신호에 의해 구동되고, 입력신호라인의 임피던스를 저 임피던스로 해서, 접점이 폐쇄상태이면 부식 방지 전류를 흘리고, 접점의 부식방지를 도모할 수 있다. 신호 완화수단은, 비교수단으로부터 스위칭 소자를 구 동하는 신호의 변화를 완화하는 것이므로, 스위칭 소자의 구동에 따르는 저 임피던스수단에서의 임피던스의 변화량을 작게 해서, 부식 방지 전류의 변화도 작게 하고, 산화막 파괴시의 접점 전위 변화량을 억제해서, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명은, 접점에 접속되는 입력신호라인의 전위를, 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식된 것으로 판정될 때에는, 접점에 부식 방지 전류를 흘리는 접점 부식방지방법에 있어서,
부식 방지 전류를 흘리는 회수를, 접점이 접속상태에서 부식인 것으로 판정되는 회수보다 저감하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지방법이다.
본 발명을 따르면, 접점에 접속되는 입력신호라인의 전위를, 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식된 것으로 판정될 때에는, 접점에 부식 방지 전류를 흘려서, 접점으로부터 산화물 등을 제거하고, 접촉저항을 감소시켜서 접점을 회복시켜, 부식 방지를 도모할 수 있다. 부식 방지 전류를 흘리는 회수를 부식인 것으로 판정되는 회수보다 저감하는 것이므로, 부식 방지 전류를 흘리는 동작에 따른 후단의 오동작의 빈도도 저감하여, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명은, 접점에 접속되고, 그 전위에 의해서, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인과,
입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단과,
입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단과,
입력신호라인의 전위와 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
비교수단이 부식인 것으로 판정할 때의 저 임피던스수단에 대한 능동화를, 부식의 판정이 미리 정하는 시간 계속된 후에 행하도록 지연시키는 지연수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치이다.
본 발명을 따르면, 접점 부식방지장치는, 저 임피던스수단과 고 임피던스수단과 비교수단을 구비하고, 입력신호라인에는, 접점의 접속상태가 논리 판정되는 신호가 입력되고, 비교수단의 소정 전위는, 논리 판정의 한계 레벨보다, 비판정측으로 설정되어 있다. 저 임피던스수단은, 능동화됨으로써, 접점에 접속되는 입력신호라인의 임피던스를, 접점에 부식 방지 전류를 흘리는 것이 가능한 저 임피던스의 상태로 할 수 있다. 고 임피던스수단은, 입력신호라인의 임피던스를, 저 임피던스수단의 능동화에 의해 저 임피던스의 상태로 되지 않는 기간에, 그 저 임피던스보다 높은 임피던스로 유지한다. 비교수단은, 입력신호라인의 전위를, 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하여 입력신호라인이 저 임피던스의 상태가 되도록 하는 것이므로, 접점의 부식의 판정시에만 부식 방지 전류를 흘려서 접점의 부식방지를 도모할 수 있다. 저 임피던스수단으로 입력신호라인을 저 임피던스로 하여 접점 부식 방지 전류를 흘릴 수 있는 상태로 하는 제어를, 부식의 판 정이 미리 정하는 시간 계속된 후에 행하도록 지연수단에 의해 지연시키는 것이므로, 부식 방지동작의 과잉한 반응을 방지하고, 동작 빈도를 줄 일 수 있어, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명은, 접점에 접속되고, 그 전위에 의해서, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인과,
입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단과,
입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단과,
입력신호라인의 전위와 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
비교수단은, 입력신호라인의 전위가 소정 전위를 넘는 회수를 계수하는 카운터를 구비하고, 카운터의 계수치가 규정 회수에 도달하면, 저 임피던스수단을 능동화하여 부식 방지 전류가 흐르도록 제어하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치이다.
본 발명을 따르면, 접점 부식방지장치는, 저 임피던스수단과 고 임피던스수단과 비교수단을 구비하고, 입력신호라인에는, 접점의 접속상태가 논리 판정되는 신호가 입력되고, 비교수단의 소정 전위는, 논리 판정의 한계 레벨보다, 비판정측으로 설정되어 있다. 저 임피던스수단은, 능동화됨으로써, 접점에 접속되는 입력신호라인의 임피던스를, 접점에 부식 방지 전류를 흘리는 것이 가능한 저 임피던스의 상태로 할 수 있다. 고 임피던스수단은, 입력신호라인의 임피던스를, 저 임피던스수단의 능동화에 의해 저 임피던스의 상태로 되지 않는 기간에, 그 저 임피던스보다 높은 임피던스로 유지한다. 비교수단은, 입력신호라인의 전위를, 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하여 입력신호라인이 저 임피던스의 상태가 되도록 하는 것이므로, 접점의 부식의 판정시에만 부식 방지 전류를 흘려서 접점의 부식방지를 도모할 수 있다. 비교수단은 카운터를 구비한다. 카운터는, 입력신호라인의 전위가 소정 전위를 넘는 회수를 계수한다. 비교수단은, 카운터의 계수치가 규정 회수에 도달하면, 저 임피던스수단을 능동화하여 부식 방지 전류가 흐르도록 제어하므로, 부식 방지동작의 과잉한 반응을 방지하고, 동작 빈도를 줄일 수 있어, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또 본 발명에서, 상기 비교수단은, 상기 카운터로, 미리 정하는 시간당 회수를 계수하는 것을 특징으로 한다.
본 발명을 따르면, 비교수단은, 카운터로, 미리 정하는 시간당 회수를 계수하는 것이므로, 미리 정하는 시간에 부식의 판정이 많게 될 때에, 실제로 부식이 생기고 있는 것으로 판정하여, 부식 방지 전류를 흘리도록 할 수 있다.
또한 본 발명은, 접점에 접속되고, 그 전위에 의하여, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인과,
입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단과,
입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단과,
입력신호라인의 전위와 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
부식 방지 전류를, 매끄럽게 변화하는 맥류로서 공급하는 전류공급수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치이다.
본 발명에 따르면, 접점 부식방지장치는, 저 임피던스수단과 고 임피던스수단과 비교수단을 구비하고, 전류공급수단을 추가로 포함한다. 입력신호라인에는, 접점의 접속상태가 논리 판정되는 신호가 입력되고, 비교수단의 소정 전위는, 논리 판정의 한계 레벨보다, 비판정측으로 설정되어 있다. 저 임피던스수단은, 능동화됨으로써, 접점에 접속되는 입력신호라인의 임피던스를, 접점에 부식 방지 전류를 흘리는 것이 가능한 저 임피던스의 상태로 할 수 있다. 고 임피던스수단은, 입력신호라인의 임피던스를, 저 임피던스수단의 능동화에 의해 저 임피던스의 상태로 되지 않는 기간에, 그 저 임피던스보다 높은 임피던스로 유지한다. 비교수단은, 입력신호라인의 전위를, 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화해서 입력신호라인이 저 임피던스의 상태가 되도록 하는 것이므로, 접점의 부식의 판정시에만 부식 방지 전류를 흘려서 접점의 부식방지를 도모할 수 있다. 전류공급수단은, 부식 방지 전류를, 매끄럽게 변화하는 맥류로서 공급하는 것이므로, 부식 방지 전류를 접점에 공급해서 부식 방지를 도모하고, 또한, 부식 방지 전류를 매끄럽 게 변화하는 맥류로서 공급해서 부식 방지동작의 저노이즈화를 도모할 수 있다. 부식 방지동작시의 저노이즈화에 의해서, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명은, 접점에 접속되고, 그 전위에 의해서, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인과,
입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단과,
입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단과,
입력신호라인의 전위와 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
부식 방지 전류를, 군발(群發)적인 펄스상으로 공급하는 전류공급수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치이다.
본 발명을 따르면, 접점 부식방지장치는, 저 임피던스수단과 고 임피던스수단과 비교수단을 구비하고, 전류공급수단을 추가로 포함한다. 입력신호라인에는, 접점의 접속상태가 논리 판정되는 신호가 입력되고, 비교수단의 소정 전위는, 논리 판정의 한계 레벨보다, 비판정측으로 설정되어 있다. 저 임피던스수단은, 능동화됨으로써, 접점에 접속되는 입력신호라인의 임피던스를, 접점에 부식 방지 전류를 흘리는 것이 가능한 저 임피던스의 상태로 할 수 있다. 고 임피던스수단은, 입력신호라인의 임피던스를, 저 임피던스수단의 능동화에 의해 저 임피던스의 상태로 되지 않는 기간에, 그 저 임피던스보다 높은 임피던스로 유지한다. 비교수단은, 입력신호라인의 전위를, 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화해서 입력신호라인이 저 임피던스의 상태가 되도록 하는 것이므로, 접점의 부식의 판정시에만 부식 방지 전류를 흘려서 접점의 부식방지를 도모할 수 있다. 전류공급수단은, 부식 방지 전류를, 군발적인 펄스상으로 공급하는 것이므로, 접점 부식으로 판정될 때의 접점의 회복을 확실하게 행하고, 부식 방지동작의 빈도를 저하시켜, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명은, 접점에 접속되고, 그 전위에 의해서, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인과,
입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단과,
입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단과,
입력신호라인의 전위와 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스, 수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
부식 방지 전류를, 통전 패턴을 변경해서 공급할 수 있는 전류공급수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치이다.
본 발명을 따르면, 접점 부식방지장치는, 저 임피던스수단과 고 임피던스수단과 비교수단을 구비하고, 전류공급수단을 추가로 포함한다. 입력신호라인에는, 접점의 접속상태가 논리 판정되는 신호가 입력되고, 비교수단의 소정 전위는, 논리 판정의 한계 레벨보다, 비판정측으로 설정되어 있다. 저 임피던스수단은, 능동화됨으로써, 접점에 접속되는 입력신호라인의 임피던스를, 접점에 부식 방지 전류를 흘리는 것이 가능한 저 임피던스의 상태로 할 수 있다. 고 임피던스수단은, 입력신호라인의 임피던스를, 저 임피던스수단의 능동화에 의해 저 임피던스의 상태로 되지 않는 기간에, 그 저 임피던스보다 높은 임피던스로 유지한다. 비교수단은, 입력신호라인의 전위를, 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화해서 입력신호라인이 저 임피던스의 상태가 되도록 하는 것이므로, 접점의 부식의 판정시에만 부식 방지 전류를 흘려서 접점의 부식방지를 도모할 수 있다. 전류공급수단은, 부식 방지 전류를, 통전 패턴을 변경해서 공급할 수 있으므로, 통전 패턴을 접점의 종류에 따라 선택하거나, 접점을 회복할 수 없을 때에 다른 통전 패턴으로 전환하는 것도 가능하게 되어, 확실한 부식 방지를 도모할 수 있다. 접점의 부식방지를 확실하게 함으로써, 부식 방지 전류가 흐르는 빈도를 저하시켜, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명은, 접점에 접속되는 입력신호라인의 전위를, 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식된 것으로 판정될 때에는, 접점에 부식 방지 전류를 흘리는 접점 부식방지방법에 있어서,
노이즈를 검출하면, 입력신호라인의 임피던스를 저하시키는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지방법이다.
본 발명을 따르면, 접점에 접속되는 입력신호라인의 전위를, 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식된 것으로 판정될 때에는, 접점에 부식 방지 전류를 흘려서, 접점으로부터 산화물 등을 제거하고, 접촉저항을 감소시켜서 접점을 회복시켜, 부식 방지를 도모할 수 있다. 노이즈를 검출하면, 입력신호라인의 임피던스를 저하시키므로, 내노이즈성을 향상시키고, 노이즈에 의한 입력신호라인의 전위변동을 억제하여, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명은, 접점에 접속되고, 그 전위에 의해서, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인과,
입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단과,
입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단과,
입력신호라인의 전위와 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
입력신호라인의 노이즈를 검출하는 노이즈 검출수단을 추가로 포함하고,
노이즈 검출수단이 노이즈를 검출할 때에, 상기 제 2 저 임피던스수단을 능동화시켜서, 입력신호라인의 임피던스를, 접점이 부식된 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단이 능동화되는 상태에서의 임피던스보다 더욱 저하시키는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치이다.
본 발명을 따르면, 접점 부식방지장치는, 저 임피던스수단과 고 임피던스수단과 비교수단을 구비하고, 노이즈 검출수단과 제 2 저 임피던스수단을 추가로 포함한다. 입력신호라인에는, 접점의 접속상태가 논리 판정되는 신호가 입력되고, 비교수단의 소정 전위는, 논리 판정의 한계 레벨보다, 비판정측으로 설정되어 있다. 저 임피던스수단은, 능동화됨으로써, 접점에 접속되는 입력신호라인의 임피던스를, 접점에 부식 방지 전류를 흘리는 것이 가능한 저 임피던스의 상태로 할 수 있다. 고 임피던스수단은, 입력신호라인의 임피던스를, 저 임피던스수단의 능동화에 의해 저 임피던스의 상태로 되지 않는 기간에, 그 저 임피던스보다 높은 임피던스로 유지한다. 비교수단은, 입력신호라인의 전위를, 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화해서 입력신호라인이 저 임피던스의 상태가 되도록 하는 것이므로, 접점의 부식의 판정시에만 부식 방지 전류를 흘려서 접점의 부식방지를 도모할 수 있다. 노이즈 검출수단은, 입력 신호라인의 노이즈를 검출하고, 제 2 저 임피던스수단은, 노이즈 검출수단이 노이즈를 검출할 때에, 저 임피던스수단에 의해서 저 임피던스에 제어되는 입력신호라인의 임피던스를 더욱 저하시키는 것이므로, 내노이즈성을 향상시키고, 노이즈에 의한 입력신호라인의 전위변동을 억제하여, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다. 노이즈 검출수단이 노이즈를 검출하지 않으면, 제 2 저 임피던스수단에 의한 입력신호라인의 임피던스 저하는 생기지 않으므로, 항상 임피던스를 저하시키지 않도록 할 수 있다. 항상 임피던스를 저하시키면, 부식 방지 전류가 증가하기 때문에, 접점이나 후단의 처리회 로에서의 신뢰성 저하를 초래할 우려가 있다. 노이즈가 검출되어서, 임피던스의 저하가 필요한 상태에서만, 제 2 임피던스수단이 입력신호라인의 임피던스를 저 임피던스수단에 의한 저 임피던스보다 저하시켜서, 필요한 상태에서만 임피던스를 내릴 수 있다.
또 본 발명에서, 상기 비교수단의 소정 전위는, 상기 접점이 폐소상태에서 부식이 생기지 않을 때의 입력신호라인의 전위와, 접점의 폐소상태에서의 입력신호라인의 전위 사이로 설정되고,
상기 노이즈 검출수단은, 상기 소정 전위와 상기 접점의 개방상태에서의 입력신호라인의 전위 사이로 설정되는 기준 레벨에 기초하여 노이즈의 유무를 판정하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 노이즈 검출수단은, 비교수단의 소정 전위와 접점의 개방상태에서의 입력신호라인의 전위 사이로 설정되는 기준 레벨에 기초하여 노이즈 검출의 유무를 판정한다. 예컨대, 접점이 로사이드측의 스위치에 의한 것이면, 스위치가 폐쇄상태에서의 부식을 판정하는 소정 전위는 접지전위측으로 설정되고, 스위치가 개방상태에서의 노이즈 레벨을 검출하는 기준 레벨은 전원전위측으로 설정하고, 노이즈에 의해 입력신호라인의 전위가 기준 레벨보다 저하하는 것을 검출할 수 있다.
또한 본 발명은, 접점에 접속되는 입력신호라인의 임피던스를, 접점에 부식 방지 전류를 흘리는 것이 접점에 접속되고, 그 전위에 의해서, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인과,
입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단과,
입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단과,
입력신호라인의 전위와 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
입력신호라인에 접속되고, 고주파에서는, 저 임피던스수단의 능동화에 의해 저하하는 입력신호라인의 임피던스를 더욱 저하시킬 수 있는 고주파 저 임피던스 소자를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치이다.
본 발명에 따르면, 접점 부식방지장치는, 저 임피던스수단과 고 임피던스수단과 비교수단을 구비하고, 고주파 저 임피던스 소자를 추가로 포함한다. 입력신호라인에는, 접점의 접속상태가 논리 판정되는 신호가 입력되고, 비교수단의 소정 전위는, 논리 판정의 한계 레벨보다, 비판정측으로 설정되어 있다. 저 임피던스수단은, 능동화됨으로써, 접점에 접속되는 입력신호라인의 임피던스를, 접점에 부식 방지 전류를 흘리는 것이 가능한 저 임피던스의 상태로 할 수 있다. 고 임피던스수단은, 입력신호라인의 임피던스를, 저 임피던스수단의 능동화에 의해 저 임피던스의 상태로 되지 않는 기간에, 그 저 임피던스보다 높은 임피던스로 유지한다. 비교수단은, 입력신호라인의 전위를, 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화해서 입력신호라인이 저 임피던스의 상태가 되도록 하는 것이므로, 접점 의 부식의 판정시에만 부식 방지 전류를 흘려서 접점의 부식방지를 도모할 수 있다. 고주파 저 임피던스 소자는, 입력신호라인에 접속되고, 고주파에서는, 저 임피던스수단의 능동화에 의해 저하되는 입력신호라인의 임피던스를, 더욱 낮게 할 수 있으므로, 입력신호라인에 고주파의 노이즈가 혼입해도, 전위가 높게 되지 않도록 하여, 노이즈의 영향을 받지 않도록 내노이즈성을 향상시켜, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명은, 접점에 접속되고, 그 전위에 의해서, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인과,
입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단과,
입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단과,
입력신호라인의 전위와 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해서 상기 입력신호라인의 임피던스를, 상기 저 임피던스수단의 임피던스보다 더욱 낮은 임피던스로 하는 제 2 저 임피던스수단과,
전자파 장해를 검출하는 장해검출수단을 추가로 포함하고,
장해검출수단이 전자파 장해를 검출할 때에, 상기 제 2 저 임피던스수단을 능동화시켜서, 입력신호라인의 임피던스를, 접점이 부식된 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단이 능동화되는 상태에서의 임피던스보다 더욱 저하시키는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치이다.
본 발명을 따르면, 접점 부식방지장치는, 저 임피던스수단과 고 임피던스수단과 비교수단을 구비하고, 장해검출수단과 제 2 저 임피던스수단을 추가로 포함한다. 입력신호라인에는, 접점의 접속상태가 논리 판정되는 신호가 입력되고, 비교수단의 소정 전위는, 논리 판정의 한계 레벨보다, 비판정측으로 설정되어 있다. 저 임피던스수단은, 능동화됨으로써, 접점에 접속되는 입력신호라인의 임피던스를, 접점에 부식 방지 전류를 흘리는 것이 가능한 저 임피던스의 상태로 할 수 있다. 고 임피던스수단은, 입력신호라인의 임피던스를, 저 임피던스수단의 능동화에 의해 저 임피던스의 상태로 되지 않는 기간에, 그 저 임피던스보다 높은 임피던스로 유지한다. 비교수단은, 입력신호라인의 전위를, 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화해서 입력신호라인이 저 임피던스의 상태가 되도록 하는 것이므로, 접점의 부식의 판정시에만 부식 방지 전류를 흘려서 접점의 부식방지를 도모할 수 있다. 장해검출수단은, EMI(Electro-Magnetic Interference) 등의 전자파 장해를 검출하고, 제 2 저 임피던스수단은, 장해검출수단이 전자파 장해를 검출할 때에, 저 임피던스수단의 능동화에 의해 저하되는 입력신호라인의 임피던스를 더욱 저하시킨다. 장해검출수단이 전자파 장해를 검출하지 않으면, 제 2 저 임피던스수단에 의한 입력신호라인의 임피던스 저하는 생기지 않으므로, 항상 임피던스를 저하시키지 않도록 할 수 있다. 항상 임피던스를 저하시키면, 부식 방지 전류가 증가 하기 때문에, 접점이나 후단의 처리회로에서의 신뢰성 저하를 초래할 우려가 있다. 노이즈가 검출되어서, 임피던스의 저하가 필요한 상태에서만, 제 2 저 임피던스수단이 입력신호라인의 임피던스를 저 임피던스수단에 의한 저 임피던스보다 저하시켜서, 필요한 상태에서만 임피던스를 내릴 수 있다.
이하, 본 발명의 실시의 각 형태에 대해서, 도면을 참조해서 설명한다. 실시의 각 형태에서, 선행해서 설명하고 있는 부분에 대응하는 기능을 갖는 부분에는 동일한 참조부호를 붙여서, 중복하는 설명을 생략한다. 단, 동일의 참조부호가 붙여져 있는 부분은 완전히 동일한 구성을 갖고 있는 것으로 한정하지 않고, 각종 변형 형태를 포함하는 것은 물론이다. 또 실시의 각 형태는, 특징부분을 다른 실시형태와 조합시킬 수도 있다.
도 1은, 본 발명의 실시의 제1형태인 접점 부식방지장치(1)의 개략적인 전기적 구성 및 동작의 예를 나타낸다. (a)는 전기적 구성을 나타내고, 접점 부식방지장치(1)는, 스위치(2)의 접점(3)의 부식 방지의 기능을 갖는다. 접점(3)은, 입력신호라인(4)을 통해서 후단의 전자제어장치(5)의 입력측에 접속된다. 접점(3)은, 커넥터 등의 접점이어도 좋다. 접점 부식방지장치(1)는, 대규모 반도체 집적회로(LSI)의 일부로서 실현된다. 전원(6)은, LSI의 외부로부터 공급되는 전력으로부터 논리회로 동작용 전원전압을 생성해서, LSI의 내부에 공급한다. 논리회로 동작용 전원전압은, 예컨대 5V나 3.3V이다. 이 전원전압은, 로사이드측을 접지하여 하이 사이드측에 출력된다. 또, 스위치(2)나 커넥터의 형식이나 구조에 따라서, 접점(3)의 수나 구조도 다르다. 어떻든 간에, 접점(3)의 접촉저항은, 서로 접촉해서 전기 적 접속이 되는 표면부분 간의 전기저항이다.
스위치(2)는 전원(6)의 로사이드측에 접속되고, 스위치(2)가 온이 되면, 접점(3)은 접지전위에 접속된다. 입력신호라인(4)에는, 저 임피던스수단인 스위칭 소자(7) 및 고 임피던스수단인 저항(8)이 전원(6)의 하이 사이드측에 접속된다. 스위칭 소자(7)는, 예컨대 P채널 MOS트랜지스터로 실현되고, 그 게이트에는 비교기(9)가 입력신호라인(4)의 전위를 기준전위원(10)에 의해 주어지는 소정 전위(VX)와 비교해서, 전위가 소정 전위(VX)보다 높은 것으로 판정될 때에 출력하는 구동신호가 주어진다. 소정 전위는, 접점(3)의 부식이 될 수 있는 전위로서 설정된다. 비교기(9)는, 반전 입력단자가 입력신호라인(4)에 접속되고, 비반전 입력단자가 기준전위원(10)에 의해 주어지는 소정 전위(VX)에 접속된다. 기준전위원(10)은, 예컨대 저항(10a,10b)에 의한 분압회로에 의해, 전원전위(VB)를 분압하도록 형성된다. 입력신호라인(4)의 전위가 소정 전위(VX)보다 접지전위측으로 낮을 경우, 비교기(9)로부터는 하이레벨(Hi)의 논리출력이 구동신호로서 도출되고, P채널 M0S트랜지스터인 스위칭 소자(7)가 오프 상태로 된다. 입력신호라인(4)의 전위가 소정 전위(VX)보다 전원(6)의 하이 사이드측으로 높을 경우, 비교기(9)로부터는 로레벨(Lo)의 논리출력이 도출되고, P채널 MOS트랜지스터인 스위칭 소자(7)는 온 상태가 된다. 스위치(2)가 오프이면, 입력신호라인(4)의 전위는 소정 전위(VX)보다 높게 되고, 스위칭 소자(7)는 온 상태가 된다. 스위칭 소자(7)가 온 동작이 되므로, 입력신호라인(4)의 임피던스는, 스위칭 소자(7)의 오프 동작시보다 낮게 되지만, 스위치(2)는 오프이므로, 접점(3)에는 전류가 흐르지 않고, 소비전력이 증가할 일은 없다.
스위칭 소자(7)의 온 동작시에는, 저항(8)의 저항치보다 낮은 임피던스에서, 입력신호라인(4)과 전원(6)의 하이 사이드측을 접속한다. 이때 스위치(2)가 온이면, 접점(3)에는 산화물을 제거할 수 있는 부식 방지 전류가 흐른다. 스위칭 소자(7)가 오프일 때에는, 스위칭 소자(7)의 임피던스는 저항(8)의 저항치보다 높게 되고, 입력신호라인(4)과 전원(6)의 하이 사이드측 사이의 임피던스도 높게 되고, 스위치(2)가 온이 되어도, 접점(3)에 흐르는 전류는 작고, 산화물의 제거의 기능은 없게 되지만, 소비전력은 저감된다.
(b)는 입력신호라인(4)의 전위 변화를 나타내고, (c)는 비교기(9)의 논리출력의 변화를 나타낸다. (b)에 나타내는 바와 같이, 스위치(2)가 로사이드측에 접속될 때에, 기준전위원(10)으로부터 비교기(9)에 주어지는 소정 전위(VX)는, 후단의 전자제어장치(5)에서 논리 판정을 행하는 한계 레벨(VT)보다 접지전위측으로 설정된다. 예컨대, 시각 t0까지는 스위치(2)가 오프 상태이면, 접점(3)에 접속되는 입력신호라인(4)의 전위는, 거의 전원전위(VB)에 가깝게 되고, (c)에 나타내는 비교기(9)의 논리출력은 로레벨로 되고, 스위칭 소자(7)는 온으로 구동된다. 스위치(2)가 시각 t0에서 온 상태로 조작되면, (b)에 나타내는 바와 같이, 입력신호라인(4)의 전위는 접지전위 부근까지 저하한다. 이 전위는, 소정 전위(VX)보다 낮으므로, (c)에 나타내는 바와 같이, 비교기(9)의 논리출력은 하이레벨로 되고, 스위칭 소자(7)는 오프로 구동된다. 따라서, 입력신호라인(4)의 임피던스는 저항(8)의 저항치에 의한 고 임피던스의 상태로 되고, 스위치(2)의 접점(3)을 통해서 흐르는 전류는 작게 된다.
접점(3)의 미세 슬라이딩 마모 등에 의해 접촉저항이 증가하고, (b)에 나타내는 바와 같이, 시각 t1에서 입력신호라인(4)의 전위가 소정 전위(VX)를 넘을 경우를 상정한다. (c)에 나타내는 바와 같이, 비교기(9)의 논리 출력은 로레벨로 천이하므로, 스위칭 소자(7)는 온 상태로 구동되고, 비교적 대전류의 부식 방지 전류가 스위칭 소자(7)를 통해서 접점(3)에 흐르고, 산화물 등을 제거해서, 시각 t2까지 접촉저항을 감소시켜, 접점(3)을 회복시킨다. (b)에 나타내는 바와 같이, 시각 t1과 시각 t2 사이는, 접점(3)에 비교적 대전류가 흐르므로, 입력신호라인(4)의 전위는 더욱 상승한다. 그러나, 소정 전위(VX)는 한계 레벨(VT)에 비교해서 비판정측으로 설정되어 있으므로, 전위 변화는 한계 레벨(VT)에 도달하지 않게 할 수 있어, 후단의 전자제어장치(5) 등에서의 오판정을 방지할 수 있다.
도 2는, 본 발명의 실시의 제2형태인 접점 부식방지장치(11)의 개략적인 전기적 구성 및 동작의 예를 나타낸다. (a)는 전기적 구성을 나타내고, 접점 부식방지장치(11)는, 스위치(12)의 접점(13)의 부식 방지의 기능을 갖는다. 접점(13)은, 입력신호라인(14)을 통해서 후단의 전자제어장치(5)의 입력측에 접속된다. 접점(13)은, 커넥터 등의 접점이어도 좋다. 접점 부식방지장치(11)는, LSI의 일부로서 실현된다. 전원(6)은, LSI의 외부로부터 공급되는 전력으로부터 논리회로 동작용 전원전압을 생성해서, LSI의 내부에 공급한다. 논리회로 동작용 전원전압은, 예컨대 5V나 3.3V이다. 이 전압은, 로사이드측을 접지해서 하이 사이드측에 출력된다. 또, 스위치(12)나 커넥터의 형식이나 구조를 따라서, 접점(13)의 수나 구조도 다르다. 어떻든 간에, 접점(13)의 접촉저항은, 서로 접촉해서 전기적 접속이 이루어지 는 표면부분 간의 전기저항이다.
스위치(12)는 전원(6)의 하이 사이드측에 접속되고, 스위치(12)가 온이 되면, 접점(13)은 전원전위(VB)에 접속된다. 입력신호라인(14)에는, 저 임피던스수단인 스위칭 소자(17) 및 고 임피던스수단인 저항(18)이 전원(6)의 로사이드측에 접속된다. 스위칭 소자(17)는, 예컨대 N채널 MOS트랜지스터로 실현되고, 그 게이트에는 비교기(9)가 입력신호라인(14)의 전위를 기준전위원(20)에 의해 주어지는 소정 전위(VX)와 비교해서, 전위가 소정 전위(VX)보다 낮다고 판정할 때에 출력하는 구동신호가 주어진다. 비교기(9)는, 반전 입력단자가 입력신호라인(14)에 접속되고, 비반전 입력단자가 기준전위원(20)에 의해 주어지는 소정 전위(VX)에 접속된다. 기준전위원(20)은, 예컨대 저항(20a,20b)에 의한 분압회로에 의해, 전원전위(VB)를 분압하도록 형성된다. 입력신호라인(14)의 전위가 소정 전위(VX)보다 전원전위(VB)측으로 높은 경우, 비교기(9)로부터는 로레벨의 논리출력이 구동신호로서 도출되고, N채널 MOS트랜지스터인 스위칭 소자(17)는 오프 상태가 된다. 입력신호라인(14)의 전위가 소정 전위(VX)보다 전원(6)의 로사이드측으로 낮은 경우, 비교기(9)로부터는 하이레벨의 논리출력이 도출되고, N채널 MOS트랜지스터인 스위칭 소자(17)는 온 상태가 된다. 스위치(12)가 오프이면, 입력신호라인(14)의 전위는 소정 전위(VX)보다 낮게 되고, 스위칭 소자(17)는 온 상태가 된다. 스위칭 소자(17)가 온 동작으로 되므로, 입력신호라인(14)의 임피던스는, 스위칭 소자(17)의 오프 동작시보다 낮게 되지만, 스위치(12)는 오프이므로, 접점(13)에는 전류가 흐르지 않고, 소비전력이 증가할 일은 없다.
스위칭 소자(17)의 온 동작시에는, 저항(18)의 저항치보다 낮은 임피던스에서, 입력신호라인(14)과 전원(6)의 로사이드측인 접지 사이를 접속한다. 이때 스위치(12)가 온이면, 접점(13)에는 산화물을 제거할 수 있는 부식 방지 전류가 흐른다. 스위칭 소자(17)가 오프일 때에는, 스위칭 소자(17)의 임피던스는 저항(18)의 저항치보다 높게 되고, 입력신호라인(14)과 전원(6)의 로사이드측 사이의 임피던스도 높게 되고, 스위치(12)가 온이 되어도, 접점(13)에 흐르는 전류는 작고, 산화물의 제거의 기능은 없게 되지만, 소비전력은 저감된다.
(b)는 입력신호라인(14)의 전위 변화를 나타내고, (c)는 비교기(9)의 논리출력의 변화를 나타낸다. (b)에 나타내는 바와 같이, 스위치(12)가 하이 사이드측에 접속될 때에, 기준전위원(20)로부터 비교기(9)에 주어지는 소정 전위(VX)는, 후단의 전자제어장치(5)에서 논리 판정을 행하는 한계 레벨(VT)보다 전원전위(VB)측으로 설정된다. 예컨대, 시각 t10까지는 스위치(12)가 오프 상태이면, 접점(13)에 접속되는 입력신호라인(14)의 전위는, 거의 접지전위에 가깝게 되고, (c)에 나타내는 비교기(9)의 논리출력은 하이레벨로 되고, 스위칭 소자(17)는 온으로 구동된다. 스위치(12)가 시각 t10에서 온 상태로 조작되면, (b)에 나타내는 바와 같이, 입력신호라인(4)의 전위는 전원전위(VB) 부근까지 상승한다. 이 전위는, 소정 전위(VX)보다 높으므로, (c)에 나타내는 바와 같이, 비교기(9)의 논리출력은 로레벨이 되고, 스위칭 소자(17)는 오프로 구동된다. 따라서, 입력신호라인(14)의 임피던스는 저항(18)의 저항치에 의한 고 임피던스의 상태로 되고, 스위치(12)의 접점(13)을 통해서 흐르는 전류는 작게 된다.
접점(13)의 미세 슬라이딩 마모 등에 의하여 접촉저항이 증가하고, (b)에 나타내는 바와 같이, 시각 t11에서 입력신호라인(14)의 전위가 소정 전위(VX)보다 저하할 경우를 상정한다. (c)에 나타내는 바와 같이, 비교기(9)의 논리출력은 하이레벨로 천이하므로, 스위칭 소자(17)는 온 상태로 구동되고, 비교적 대전류의 부식 방지 전류가 스위칭 소자(17)를 통해서 접점(13)에 흐르고, 산화물 등을 제거해서, 시각 t12까지 접촉저항을 감소시켜, 접점(13)을 회복시킨다. (b)에 나타내는 바와 같이, 시각 t11과 시각 t12 사이는, 접점(13)에 비교적 대전류가 흐르므로, 입력신호라인(14)의 전위는 더욱 하강한다. 그러나, 소정 전위(VX)는 한계 레벨(VT)에 비교해서 비판정측으로 설정되어 있으므로, 전위 변화는 한계 레벨(VT)에 도달하지 않게 할 수 있어, 후단의 전자제어장치(5) 등에서의 오판정을 방지할 수 있다.
도 3은, 본 발명의 실시의 제3형태인 접점 부식방지장치(21)의 개략적인 전기적 구성을 나타낸다. 접점 부식방지장치(21)는, 입력신호라인(4)에 입력되는 신호를 아날로그/디지털 변환하는 아날로그/디지털 변환(A/D)수단(22)과, 아날로그/디지털 변환수단(22)의 변환결과를, 소정 전위(VX)와 비교해서 비교수단으로서의 동작과, 한계 레벨(VT)과 비교한 논리 판정의 동작을 행하는 처리수단(23)을 포함한다. 입력신호라인(4)이 아날로그/디지털 변환수단(22)의 입력이 되는 경우, 개별적으로 비교수단과 논리 판정의 수단을 설치하는 필요가 없고, 아날로그/디지털 변환수단(22)의 변환치를 유효하게 이용하여, 회로규모의 소형화를 도모할 수 있다.
또, 스위치(2)는, 도 1과 마찬가지로 로사이드측에 설치하고 있지만, 도 2와 같은 하이 사이드측에 설치하는 스위치(12)를 접속하는 경우에는, 도 1과 같은 하 이 사이드측의 스위칭 소자(7) 및 저항(8) 대신에, 로사이드측에 스위칭 소자(17) 및 저항(18)을 접속하면 좋다. 이하에 나타내는 실시의 다른 형태에서도, 로사이드측 또는 하이 사이드측의 한쪽에 대해서 설명하고 있더라도, 다른쪽에 대해서도 마찬가지의 구성이 가능하다.
또 처리수단(23)은, 소정 전위(VX) 및 한계 레벨(VT)을 변경할 수 있는, 레벨 변경수단으로서 기능시킬 수도 있다. 소정 전위(VX) 및 한계 레벨(VT)을 변경할 수 있으므로, 접점(3)의 종류에 따라서 최적의 소정 전위(VX)를 선택할 수 있게 된다. 또한, 부식 방지 전류를 흘리는 동작 빈도나, 동작 상황에 따라서, 동적으로 소정 전위(VX)를 변경하는 것도 가능하게 된다. 예컨대, 시동시에는, 접점(3)에 부식 방지 전류가 흐르는 빈도를 높이기 때문에, 소정 전위(VX)를 판정측, 예컨대 로사이드측의 스위치(2)의 접점(3)에서는 접지전위측, 하이 사이드측의 스위치(12)의 접점(13)이면 전원전위측으로, 각각 변경할 수 있다.
또, 도 1 및 도 2의 비교기(9)나 도 3의 처리수단(23)에 의한 비교수단은, 소정 전위(VX)에 히스테리시스를 갖는 것이 바람직하다. 비교기(9)로서는, 히스테리시스 비교기를 사용하면 좋다. 처리수단(23)에서는, 프로그램 처리로 비교기의 기능을 실현할 수 있다. 부식 방지 전류를 흘리기 위한 부식 판정의 소정 전위(VX)에 히스테리시스를 부가하지 않으면, 스위치(2)의 접점(3)이 개폐시에 기계적으로 단속을 반복하는 채터링에 따라, 부식의 판정으로 부식 방지 전류를 흘려보내는 것과, 부식이 아니라는 판정으로 부식 방지 전류를 흘리지 않는 것을 반복하고, 입력신호라인(4)의 전위가 크게 변동해서 후단의 처리에 영향이 생길 우려가 있다. 소 정 전위(VX)에 히스테리시스를 부가하면, 부식이라는 판정으로 부식 방지 전류를 흘려서 접점(3)의 부식 방지를 도모함으로써 채터링이 생기더라도, 부식 방지 전류가 반복해서 흐르는 것을 방지하여, 후단으로의 영향을 피할 수 있다. 또한, 부식의 판정은, 아날로그/디지털 변환수단(22)의 변환치에 기초해서 행하고 있지만, 도 1 및 도 2와 같은 비교기(9)를 사용해도 되는 것은 물론이다. 이하에 설명하는 실시의 각 형태에서도, 부식의 판정은, 비교기에서 비교해서 행해도, 전위의 아날로그/디지털 변환치를 처리함으로써 행해도 되는 것은 물론이다.
도 4는, 본 발명의 실시의 제4형태인 접점 부식방지장치(31)의 개략적인 전기적 구성을 나타낸다. 접점 부식방지장치(31)는, 입력신호라인(4)에 처리 저지수단인 마스크 수단(32)이 삽입된다. 아날로그/디지털 변환수단(22)에 의한 전위의 변환치가 소정 전위(VX)를 넘고 있는 것으로 처리수단(33)이 판정하면, 스위칭 소자(7)가 온 상태로 구동되어 저 임피던스 상태로 되고, 또한 접점(3)이 폐쇄로 되어 부식 방지 전류가 흐르는 기간, 마스크 수단(32)이 후단의 전자제어장치(5) 등으로의 영향을 저지한다. 즉, 접점(3)에 접속되는 입력신호라인(4)의 전위를, 접점(3)의 부식이 될 수 있는 소정 전위(VX)와 비교해서, 접점(3)이 부식된 것으로 판정될 때에는, 접점(3)에 부식 방지 전류를 흘리는 접점 부식방지방법에 있어서, 부식 방지 전류가 흐르는 기간에는, 입력신호라인(4)에 생기는 전위변동의 후단으로의 영향을, 마스크 수단(32)으로 억제할 수 있다. 접점(3)에 접속되는 입력신호라인(4)의 전위를, 예컨대 접점(3)의 부식에 의한 접촉저항의 증가에 대응해서 미리 설정되는 소정 전위(VX)와 비교해서, 접점(3)이 부식된 것으로 판정되는 때에는, 접점(3)에 부식 방지 전류를 흘려서, 접점(3)으로부터 산화물 등을 제거하고, 접촉저항을 감소시켜서 접점(3)을 회복시켜, 부식 방지를 도모할 수 있다. 부식 방지 전류를 흘리는 기간에는, 입력신호라인(4)에 생기는 전위변동의 후단으로의 영향을 억제하므로, 부식 방지 전류를 흘려서 입력신호라인(4)의 전위가 변동하여도, 후단에는 영향을 주지 않게 할 수 있고, 접점(3)의 개폐상태를 후단의 전자제어장치(5) 등에서 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다. 또한, 마스크 수단(32) 대신에, 필터 등을 처리 저지수단으로서 사용할 수도 있다.
도 5는, 본 발명의 실시의 제5형태인 접점 부식방지장치(41)의 개략적인 전기적 구성을 나타낸다. 접점 부식방지장치(41)는, 비교기(9)의 논리출력과 스위칭 소자(7)의 제어신호전극 사이에 지연 회로(42)를 설치하고 있다. 지연 회로(42)는, 비교수단인 비교기(9)에 의해 저 임피던스수단인 스위칭 소자(7)가 온으로 되고, 입력신호라인(4)을 저 임피던스로 하도록 제어되어서, 부식 방지 전류가 흐르는 시점에서, 미리 설정되는 최소 시간에는 상기 부식 방지 전류가 계속 흐르는 상태를 유지하는 전류 유지수단으로서 기능한다.
도 6은, 도 5에 나타내는 지연 회로(42)의 동작을 나타낸다. (a)는 비교기(9)에 입력되는 입력신호선(4)의 전위의 변화를 나타내고, (b)는 비교기(9)의 논리출력을 나타내고, (c)는 지연 회로(42)의 출력을 나타낸다. (a)에 나타내는 바와 같이, 시각 t20에서부터 시각 t21까지, 비교기(9)의 입력이 소정 전위(VX)를 넘으면, (b)에 나타내는 바와 같이 비교기(9)의 출력은 로레벨로 된다. 지연 회로(42)는, 예컨대 5㎲ 정도의 지연시간(td)을 갖고, 또한 이 지연시간(td) 동안 계속해서 동일한 논리로 될 경우에, 지연시간(td) 후에 그 논리를 출력하도록 형성된다. 따라서, (c)에 나타내는 바와 같이, 시각 t20으로부터 지연시간(td) 경과 후에, 지연 회로(42)의 출력은 로레벨로 되고, 파선으로 나타내는 바와 같이, 최소시간(tmin)으로서, 지연시간(td)과 동일한 시간은 하이레벨을 계속한다. 시각 t20으로부터 시각 t21까지의 시간이 지연시간(td)보다 길면, 시각 t21로부터 지연시간(td) 경과 후의 시각에 지연 회로(42)의 출력은 하이레벨로 변화한다.
지연 회로(42)는, 전류 유지수단으로서, 비교기(9)에 의해 스위칭 소자(7)가 입력신호라인(4)을 저 임피던스로 하도록 제어되어서, 부식 방지 전류가 흐르는 시점에서, 미리 설정되는 최소시각(tmin)은 상기 부식 방지 전류가 계속 흐르는 상태를 유지한다. 비교기(9)가 부식으로 판정하여 부식 방지 전류가 흐르면, 입력신호라인(4)의 전위가 변동해서, 부식으로 판정하는 것을 반복하는 부식 방지동작의 채터링이 생길 우려가 있다. 지연 회로(42)에 의해, 미리 설정되는 최소시간(tmin)은 상기 부식 방지 전류를 계속해서 흘리는 상태를 유지하므로, 접점(3)의 부식 방지를 도모할 수 있고, 또한 부식 방지동작의 채터링을 방지하여, 접점(3)의 개폐상태를 후단의 전자제어장치(5) 등에서 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
도 5의 지연 회로(42)는, 비교수단인 비교기(9)가 부식으로 판정할 때의 저 임피던스수단인 스위칭 소자(7)에 대한 제어를, 부식의 판정이 미리 정하는 시간 계속된 후에 행하도록 지연시키는 지연수단으로서도 기능한다. 저 임피던스수단으로 입력신호라인(4)을 저 임피던스로 하여 접점 부식 방지 전류를 흘릴 수 있는 상태로 하는 제어를, 부식의 판정이 미리 정하는 시간 계속된 후에 행하도록 지연 회 로(42)에 의해 지연시키므로, 부식 방지동작의 과잉한 반응을 방지하고, 동작 빈도를 줄일 수 있어, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
도 7은, 본 발명의 실시의 제6형태인 접점 부식방지장치(51)의 개략적인 전기적 구성을 나타낸다. 접점 부식방지장치(51)는, 처리수단(53)을 포함한다. 처리수단(53)은, 비교수단으로서 스위칭 소자(7)의 제어를 행함과 아울러, 입력신호라인(4)의 후단에 접속되는 전자제어장치(55) 등의 처리회로를 제어하는 처리 저지수단으로서도 기능한다. 처리 저지수단으로서의 처리수단(53)은, 부식 방지 전류가 흐르는 기간에, 후단의 처리회로의 출력을 고정한다. 부식 방지 전류가 흐르는 기간에, 후단의 처리회로의 출력을 고정하므로, 부식 방지 전류에 의한 일시적인 입력신호라인(4)의 전위의 변동이 후단의 처리회로에 악영향을 주지 않게 할 수 있다.
또한, 처리 저지수단으로서의 처리수단(53)은, 부식 방지 전류가 흐르는 기간뿐만 아니라, 그 후, 미리 정하는 시간에는 후단의 처리회로의 출력을 고정하는 것이 바람직하다. 부식 방지 전류의 통전종료후, 입력신호라인(4)의 전위가 안정하기까지의 동안에는, 처리회로의 출력을 고정하면, 입력 논리를 후단의 처리에 사용하지 않으므로, 오동작을 방지할 수 있다.
도 8은, 본 발명의 실시의 제7형태인 접점 부식방지장치(61)의 개략적인 전기적 구성을 나타낸다. 접점 부식방지장치(61)는, 처리수단(63)을 포함하고, 고 임피던스수단으로서 복수의 저항(68a,68b)을 포함한다. 저항(68a,68b)은, 편의적으로 2개를 나타내고 있지만, 3이상이어도 되는 것은 물론이다. 처리수단(63)은, 복수의 저항(68a,68b)을, 스위칭 소자(69a,69b)를 선택적으로 구동해서, 선택할 수 있다. 처리수단(63)은, 접점(3)에 접속되는 입력신호라인(4)의 전위를, 아날로그/디지털 변환수단(22)에 의한 변환치로서, 접점의 부식으로 될 수 있는 소정 전위(VX)와 비교해서, 접점(3)이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단인 스위칭 소자(7)를 온으로 구동하여, 입력신호라인(4)이 저 임피던스가 되도록 제어하는 비교수단으로서도 기능한다.
접점 부식방지장치(61)는, 저 임피던스수단과 고 임피던스수단과 비교수단을 구비하고, 고 임피던스수단은, 입력신호라인(4)을 고 임피던스로 유지하는 임피던스를 복수 구비하고, 어느 하나의 임피던스를 선택할 수 있다. 고 임피던스수단은, 도시하고 있는 바와 같이, 입력신호라인(4)이 접속되는 접점(3)이 로사이드측의 스위치(2)이면 풀업용 임피던스, 도시하지 않은 하이 사이드측의 스위치이면 풀다운용 임피던스를, 복수 구비해서 선택하는 것이 가능하다. 접점의 상태에 따라 복수의 임피던스를 선택하도록 하면, 접점 부식회로 동작시의 임피던스 변화를 작게 하고, 접점의 부식방지를 도모하고, 또한, 부식 방지 전류가 흐르는 시점에서의 전위변동을 억제하여, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
도 9는, 본 발명의 실시의 제8형태인 접점 부식방지장치(71)의 개략적인 전기적 구성을 나타낸다. 접점 부식방지장치(71)는, 신호 완화수단(72)을 포함한다. 신호 완화수단(72)은, 비교수단인 비교기(9)로부터 저 임피던스수단인 스위칭 소자(7)를 구동하는 신호의 변화를 완화한다. 스위칭 소자(7)는, 비교수단으로서의 비교기(9)가 부식인 것으로 판정할 때에 출력되는 신호에 의해 구동되고, 입력신호라 인(7)의 임피던스를 저 임피던스로 하여, 접점(3)이 폐쇄상태이면 부식 방지 전류를 흘려, 접점(3)의 부식 방지를 도모할 수 있다. 신호 완화수단(72)은, 비교기(9)로부터 스위칭 소자(7)를 구동하는 신호의 변화를 완화하므로, 스위칭 소자(7)의 구동에 따른 저 임피던스수단에서의 임피던스의 변화량을 작게 하여, 부식 방지 전류의 변화도 작게 하고, 산화막 파괴시의 접점 전위 변화량을 억제하여, 접점(3)의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
스위칭 소자(7)가 MOS트랜지스터일 때는, 게이트-채널간의 입력 용량이 비교적 크게 되고, 접점(3)이 개방상태에서 온으로 구동되어도 부식 방지 전류가 흐르지 않는 경우이더라도, 입력 용량을 통해서 입력되는 구동신호가 입력신호라인(4)에 들어가, 노이즈가 될 우려도 있다. 신호 완화수단(72)으로 구동신호의 변화를 완화하므로, 노이즈의 발생을 억제할 수도 있다.
도 10은, 본 발명의 실시의 제9형태인 접점 부식방지장치(81)의 개략적인 전기적 구성을 나타낸다. 접점 부식방지장치(81)는, 카운터(82)를 구비하는 처리수단(83)이 비교수단으로서 기능한다. 카운터(82)는, 입력신호라인(4)의 전위가 소정 전위(VX)를 넘는 회수를 계수한다. 처리수단(83)은, 카운터(82)의 계수치가 규정 회수에 도달하면, 저 임피던스수단인 스위칭 소자(7)를 제어해서 부식 방지 전류를 흐르게 제어한다. 비교수단으로서의 처리수단(83)은, 카운터(82)의 계수치가 규정 회수에 도달하면, 스위칭 소자(7)를 제어해서 부식 방지 전류를 흘릴 수 있는 온에 제어하므로, 부식 방지동작의 과잉한 반응을 방지하고, 동작 빈도를 줄일 수 있어, 접점(3)의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 카운터(82)는, 미리 정하는 시간당 회수를 계수하도록 하여도 좋다. 비교수단으로서의 처리수단(83)은, 카운터(82)로, 미리 정하는 시간당 회수를 계수하므로, 미리 정하는 시간에 부식의 판정이 많게 될 때에, 실제로 부식이 생기고 있는 것으로 판정하여, 부식 방지 전류를 흐르게 할 수 있다.
이상과 같이, 접점(3)에 접속되는 입력신호라인(4)의 전위를, 접점(3)의 부식이 될 수 있는 소정 전위(VX)와 비교해서, 접점(3)이 부식된 것으로 판정될 때에는, 접점(3)에 부식 방지 전류를 흘리는 접점 부식방지방법으로, 부식 방지 전류가 흐르는 빈도를 저감시킴으로써, 부식 방지 전류를 흘리는 동작에 따른 후단의 오동작의 빈도도 저감하여, 접점(3)의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
도 11은, 본 발명의 실시의 제10형태인 접점 부식방지장치(91)의 개략적인 전기적 구성을 나타낸다. 접점 부식방지장치(91)는, 전류공급수단(92) 및 처리수단(93)을 포함한다. 처리수단(93)은, 입력신호라인(4)의 전위를, 접점(3)의 부식이 될 수 있는 소정 전위(VX)와 비교해서, 접점(3)이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단인 스위칭 소자(7)에 의해 입력신호라인(4)이 저 임피던스로 되도록 제어하는 비교수단으로서 기능한다. 전류공급수단(92)은, 부식 방지 전류를, 처리수단(93)에 의한 제어로, 통전 패턴을 변경해서 공급할 수 있다.
도 12는, 전류공급수단(92)에 의해 실현되는 통전 패턴의 예를 나타낸다. (a)는 입력신호라인(4)에서의 전위 변화를 나타내고, 시각 t30에서 전위가 소정 전 위(VX)를 넘고, 시각 t31에서 소정 전위(VX)보다 저하하는 경우를 상정한다. (b)는, 전류공급수단(92)이 맥류를 부식 방지 전류로서 공급하는 통전 패턴을 나타낸다. (c)는 전류공급수단(92)이 버스트상으로 부식 방지 전류를 공급하는 통전 패턴을 나타낸다. 전류공급수단(92)은, 부식 방지 전류를, 통전 패턴을 변경해서 공급할 수 있으므로, 통전 패턴을 접점(3)의 종류에 따라 선택하거나, 접점(3)을 회복하는 것이 가능하지 않을 때에 다른 통전 패턴으로 전환하는 것도 가능하게 되어, 확실한 부식 방지를 도모할 수 있다. 접점의 부식방지를 확실하게 함으로써, 부식 방지 전류가 흐르는 빈도를 저하시켜, 접점(3)의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
전류공급수단(92)이 부식 방지 전류를 매끄럽게 변화하는 맥류로서 공급하는 경우에는, 부식 방지동작의 저노이즈화를 도모할 수 있다. 부식 방지동작시의 저노이즈화에 의해서, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다. 전류공급수단(92)이 부식 방지 전류를, 버스트상으로 공급하는 전류공급수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 경우에는, 접점 부식으로 판정될 때의 접점의 회복을 확실하게 행하고, 부식 방지동작의 빈도를 저하시켜, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
도 13은, 본 발명의 실시의 제11형태인 접점 부식방지장치(101)의 개략적인 전기적 구성을 나타낸다. 접점 부식방지장치(101)는, 복수의 입력신호를 선택하는 기능을 갖는 LSI로서 형성되어 있다. 즉, 복수의 채널을 갖는 입력회로블록(102)을 갖고, 입력회로블록(102)으로부터의 복수 채널의 출력을 멀티플렉서(103)로 선택하 여, 비교기(104)로 논리 판정하고, 판정 결과를 출력한다. 입력회로블록(102)은, 회로구성이 다른 입력회로블록(A102A), 입력회로블록(B102B) 및 입력회로블록(C102C)을 갖는다. 멀티플렉서(103)는, 입력회로블록(A102A)의 채널을 선택하는 MPX103A, 입력회로블록(B102B)의 채널을 선택하는 MPX103B, 및 입력회로블록(C102C)의 채널을 선택하는 MPX103C를 갖는다. MPX103A, 103B, 103C에서 각각 선택된 입력은, 비교기(104) 내의 비교기(104A,104B,104C)에서 각각 논리값으로서 판정된다. 멀티플렉서(103)에서의 채널의 선택은, 디코더(105)로부터의 출력에 따라 행해진다.
입력회로블록(102)에는, 전원(106)으로부터 양의 전원전위(VB)가 공급된다. 비교기(104)에는, 전원(106)으로부터 +5V인 논리회로용 전원전위(VOM5)가 공급된다. 전원(106)에 근접해서, 과열검지수단(107) 및 이상판정수단(108)이 설치된다. 과열검지수단(107)의 검지 결과 및 이상판정수단(108)의 판정 결과는, 처리수단(109)에 주어지고, 보호 동작으로서, 외부단자(110)로의 이상신호출력을 포함하는 동작이 행해진다.
입력회로블록(A102A)의 복수의 입력채널은, 입력단자(111,112,113,…)에 각각 접속된다. 입력회로블록(B102B)의 복수의 입력채널은, 입력단자(121,122,123,…)에 각각 접속된다. 입력회로블록(C102C)의 복수의 입력채널은, 입력단자(131,132,133,…)에 각각 접속된다.
도 14는, 입력회로블록(102A)의 1개의 채널의 접점 부식방지장치(102Ax)의 개략적인 전기적 구성을 나타낸다. 입력신호라인(4)이 접속되는 입력단자(11x)는, 전원의 로사이드측의 접점에 접속해서 사용하는 것을 상정하고 있다. 입력신호라인(4)은, 비교기(104A)에 최종적으로는 접속되는 것이며, 그 전위에 의해 스위치나 커넥터 등의 온ㆍ오프 판정이 된다. 입력신호라인(4)에는 감쇠회로(140)가 삽입된다. 고 임피던스수단인 저항(8)에는, 직렬로 다이오드(8d)가 접속되고, 역방향의 전류를 저지한다. 비교수단인 비교기(9)의 출력은, 지연 회로(42) 및 게이트 회로(141)를 통해서 스위칭 소자(7)에 주어진다. 스위칭 소자(7)가 P채널 MOS트랜지스터로 실현될 때, 드레인과 입력신호라인(4) 사이에는 다이오드(7d)가 접속되어, 역방향의 전류를 저지한다. P 채널 MOS트랜지스터의 백 게이트와 전원전위(VB) 사이에도 다이오드(7e)가 접속된다. 도 13의 처리수단(109)으로부터의 과열검지신호는, 게이트 회로(141)의 1개의 입력에 주어진다. 과열검지신호는, 과열상태가 검지되지 않으면 로레벨이며, 과열상태가 검지되면 하이레벨이 되고, 스위칭 소자(7)를 온으로 하는 것이 금지된다. 게이트 회로(141)는, OR 회로와 등가이다.
도 15는, 입력회로블록(102B)의 1개의 채널의 접점 부식방지장치(102Bx)의 개략적인 전기적 구성을 나타낸다. 입력신호라인(14)이 접속되는 입력단자(12x)는, 전원의 하이 사이드측의 접점에 접속해서 사용하는 것을 상정하고 있다. 입력신호라인(14)은, 비교기(104B)에 최종적으로는 접속되는 것이고, 그 전위에 의해 스위치나 커넥터 등의 온, 오프 판정이 된다. 저 임피던스수단으로서의 스위칭 소자(17), N채널 MOS트랜지스터로 실현되고, 고 임피던스수단인 저항(18)과 함께, 입력신호라인(14)과 접지 사이에 접속된다. 스위칭 소자(17)인 N채널 MOS트랜지스터의 드레인과 입력신호라인(14) 사이에는, 직렬로 다이오드(17d)가 접속되어, 역방향의 전류를 저지한다. 비교수단인 비교기(9)의 출력은, 지연 회로(42) 및 게이트 회로(142)를 통해서 스위칭 소자(17)에 주어진다. 도 13의 처리수단(109)으로부터의 과열검지신호는, 게이트 회로(142)의 1개의 입력에 주어진다. 과열검지신호는, 과열상태가 검지되지 않으면 로레벨이며, 과열상태가 검지되면 하이레벨로 되어서, 스위칭 소자(17)를 온으로 되게 하는 것이 금지된다.
도 16은, 입력회로블록(102C)의 1개의 채널의 접점 부식방지장치(102Cx)의 개략적인 전기적 구성을 나타낸다. 입력신호라인(4)이 접속되는 입력단자(13x)는, 전원의 로사이드측뿐만 아니라 하이 사이드측의 접점에 접속해서 사용하는 것도 상정하고 있다. 입력신호라인(4)은, 비교기(104C)에 최종적으로는 접속되는 것이고, 그 전위에 의해 스위치나 커넥터 등의 온, 오프 판정이 된다. 비교기(9)의 논리출력은, 스위칭 소자(7)에는 지연 회로(42)로부터의 출력이 1개의 입력으로서 주어지는 NAND 회로(151)를 통해서 주어진다. NAND 회로(151)의 다른 입력에는, AND 회로(152)로부터의 출력이 주어진다. 비교기(9)의 논리출력은, 스위칭 소자(17)에는 지연 회로(42)로부터의 출력이 1개의 입력으로서 주어지는 NOR 회로(153)를 통해서 주어진다. NOR 회로(153)의 다른 입력에는, OR 회로(154)로부터의 출력이 주어진다. AND 회로(152)에는, 게이트 회로(155)로부터의 출력과 SEL1의 입력이 주어진다. OR 회로(154)에는, 게이트 회로(155)의 출력을 인버터(156)로 논리반전한 신호와, SEL2의 입력을 인버터(157)로 논리반전한 신호가 주어진다. 게이트 회로(155)에는, SEL3의 입력신호와, 과열검지신호가 주어진다.
SEL1의 입력이 하이레벨로되면, 스위치(158)가 온으로 되어서, 저항(8)이 입 력신호라인(4)과 전원전위(VB) 사이에 고 임피던스수단으로서 접속된다. SEL2의 입력이 하이레벨로되면, 스위치(159)가 온으로 되어서, 저항(18)이 입력신호라인(4)과 접지 사이에 고 임피던스수단으로서 접속된다. SEL2 및 SEL1은, 하이레벨로되면, 기준전위원(160)의 스위치(161,162)를 각각 온으로 한다. 이것에 의해, 저항(163,164,165)에서 형성하는 분압회로를 전환하여, 비교기(9)의 소정 전위를 변화시킬 수 있다.
도 17은, 도 16의 3개의 선택신호(SEL1,SEL2,SEL3)에 의한 입력회로블록(102C)에서의 기능의 선택상태를 나타낸다. SEL1을 하이레벨로 하면, 입력회로블록(102A)과 마찬가지로, 로사이드측에 스위치를 접속할 수 있다. SEL2를 하이레벨로 하면, 입력회로블록(102B)과 마찬가지로, 하이 사이드측에 스위치를 접속할 수 있다. SEL3을 하이레벨로 하면, 접점 부식방지기능을 갖게 할 수 있다.
이상과 같이, 부식방지장치(101)에서는, 복수의 접점의 각 접점마다 입력신호라인(4,14)이 접속되는 채널을 구비된다. 과열검지수단(107)은, 어느 하나의 채널의 입력신호라인(4)에 부식 방지 전류가 흐르는 기간에, 미리 정하는 과열상태로 되어 있는지의 여부를 검지한다. 부식 방지 전류가 흐르지 않을 때에는, 발열은 거의 없으므로, 과열상태로는 되지 않는다. 처리수단(109)은, 과열검지수단(107)의 검지 결과에 응답하고, 과열검지수단(107)에 의해 과열상태가 검지될 때에, 부식 방지 전류를 흘리고 있는 채널의 저 임피던스수단인 스위칭 소자(7,17)가 상기 부식 방지 전류를 흘려보내는 동작을 금지하도록 제어하는 동작 금지수단으로서 기능한다. 제어수단(109)은, 각 채널마다 부식 방지 전류가 흐르고 있는지의 여부를 검 지하는 기능과, 과열검지신호를, 부식 방지 전류가 흐르고 있는 채널만 하이레벨로 하는 기능을 구비하고 있다. 부식 방지 전류가 계속해서 흐르는 이상동작시에는, 그 부식 방지 전류가 흐르지 않게 하여, 발열을 저감하기 위한 보호 동작을 행하고, 또한 다른 접점에 대해서는 부식 방지 기능이 무효로 되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 이상판정수단(108)은, 전원(106)으로부터 각 입력신호라인(4,14)에 흐르는 부식 방지 전류를 감시하고, 복수의 입력신호라인(4,14)에서, 부식 방지 전류가 흐르는 기간 중 적어도 일부가 중복하면 이상으로 판정한다. 또한, 스위칭 소자(7,17)의 구동신호를 감시해서, 스위칭 소자(7,17)를 능동화하는 구동신호가 중복하면 이상으로 판정하게 하여도 좋다. 본래, 부식 방지 전류의 통전빈도는 낮으므로, 빈번히 복수의 접점에서 부식 방지 전류가 중복해서 흐를 일은 없을 것이다. 접점이상시는 복수의 접점에 대한 부식 방지동작이 각각 독립해서 행해지고, 시간적으로 중복될 가능성이 있다. 이상판정수단은, 각 입력신호라인에 흐르는 부식 방지 전류를 감시하고, 복수의 입력신호라인에서, 부식 방지 전류가 흐르는 기간, 또는 흐를 수 있는 기간 중 적어도 일부가 중복하면 이상으로 판정하므로, 접점의 이상판정을 용이하게 행할 수 있다.
도 18은, 본 발명의 실시의 제12형태인 접점 부식방지장치(201)의 개략적인 전기적 구성을 나타낸다. 접점 부식방지장치(201)는, 노이즈 검출수단(202) 및 스위칭 소자(207)를 추가로 포함한다. 노이즈 검출수단(202)은, 입력신호라인(4)의 노이즈를 검출한다. 스위칭 소자(207)는, 노이즈 검출수단(202)이 노이즈를 검출할 때에, 저 임피던스수단인 스위칭 소자(7)에 의해 저 임피던스에 제어되는 입력신호라인(4)의 임피던스를 더욱 저하시키는 임피던스 저하수단으로서 기능한다. 임피던스 저하수단으로서의 스위칭 소자(207)는, 노이즈 검출수단(202)이 노이즈를 검출할 때에, 입력신호라인(4)의 임피던스를 더욱 저하시키므로, 내노이즈성을 향상시키고, 노이즈에 의한 입력신호라인의 전위변동을 억제하여, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다. 노이즈 검출수단(202)이 노이즈를 검출하지 않으면, 스위칭 소자(207)에 의한 입력신호라인(4)의 임피던스 저하는 생기지 않으므로, 항상 임피던스를 저하시키는 것은 피할 수 있다. 항상 임피던스를 저하시키면, 부식 방지 전류가 증가하기 때문에, 접점이나 후단의 처리회로에서의 신뢰성 저하를 초래할 우려가 있다. 노이즈가 검출되어서, 임피던스의 저하가 필요한 상태에서만, 입력신호라인(4)의 임피던스를 저 임피던스수단의 능동화에 의해 저하시키는 것보다도, 더욱 저하시킬 수 있다.
도 19는, 스위치(2)가 오프 상태에서의 입력신호라인(4)의 전위 변화와 임피던스 변화의 관계의 예를 나타낸다. (a)는 전위 변화를 나타내고, (b)는 임피던스 변화를 나타낸다. 스위치의 오프 상태에서는, 스위칭 소자(7)가 온으로 되므로, 입력신호라인(4)의 임피던스는 저 임피던스의 상태가 된다. 스위치(2)의 접점은 개방상태이므로, 입력신호라인의 전위는 한계 레벨(VT)보다 높고, 전원전위(VB) 부근이 된다. 입력신호라인(4)에 노이즈가 중첩되면, 전위는 저하하고, 시각 t40에서 노이즈 검출수단(202)의 기준 레벨(VN)보다 저하하면, 스위칭 소자(207)도 온으로 되어, 입력신호라인(4)의 임피던스는 더욱 저하한다. 즉, 입력신호라인(4)의 전위가 기준 레벨(VN)보다 저하하는 시각 t40에서부터 t41까지의 사이, 및 시각 t42에서부터 t43까지의 사이, 각각 입력신호라인(4)의 임피던스가 저하한다.
또한, 도 19(a)에 나타내는 바와 같이, 노이즈 검출수단(202)은, 비교수단인 비교기(9)의 소정 전위(VX)에 대하여 역방향으로 설정되는 기준 레벨(VN)에 기초하여 노이즈 검출의 유무를 판정한다. 도 19(a)와 같이, 접점(3)이 로사이드측의 스위치(2)에 의한 것이면, 스위치(2)가 폐쇄상태에서의 부식을 판정하는 소정 전위(VX)는 접지전위측으로 설정되고, 스위치(2)가 개방상태에서의 노이즈 레벨을 검출하는 기준 레벨(VN)은 전원전위(VB)측으로 설정하고, 노이즈에 의해 입력신호라인(4)의 전위가 기준 레벨(VN)보다 저하하는 것을 검출할 수 있다.
도 20은, 본 발명의 실시의 제13형태인 접점 부식방지장치(211)의 개략적인 전기적 구성을 나타낸다. 접점 부식방지장치(211)는, 입력신호라인(4)에 접속되고, 고주파에서는, 저 임피던스수단의 능동화에 의해 저하하는 임피던스보다, 입력신호라인(4)의 임피던스를 더욱 낮게 할 수 있는 고주파 저 임피던스 소자로서의 콘덴서(212)를 추가로 포함한다. 접점(3)의 부식이 진행되면, 입력신호라인(4)의 전위가 소정 전위(VX)를 넘어서, 비교수단인 비교기(9)에 의해 부식 방지 전류가 흐르는 상태의 저 임피던스로 제어되어, 부식 방지 전류가 흐르면 접점(3)의 부식의 진행을 방지하여, 부식으로부터의 회복을 도모할 수 있다. 고주파 저 임피던스 소자로서의 콘덴서(212)는, 고주파에서는, 저 임피던스수단인 스위칭 소자(7)의 능동화에 의해 저하하는 임피던스보다 입력신호라인(4)의 임피던스를 더욱 낮게 할 수 있으므로, 입력신호라인(4)에 고주파의 노이즈가 혼입하더라도, 전위가 높게 되지 않 도록 하여, 노이즈의 영향을 받지 않도록 내노이즈성을 향상시켜, 접점(3)의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
도 21은, 본 발명의 실시의 제14형태인 접점 부식방지장치(221)의 개략적인 전기적 구성을 나타낸다. 접점 부식방지장치(221)는, 스위칭 소자(207) 및 노이즈 검출수단(222)을 추가로 포함한다. 노이즈 검출수단(222)은, 외부의 RF 검출수단(223)으로부터의 RF 검출신호가 입력되고, 전자파 장해를 검출하는 장해검출수단으로서 기능한다. 스위칭 소자(207)는, 노이즈 검출수단(222)이 전자파 장해를 검출할 때에, 저 임피던스수단인 스위칭 소자(7)의 능동화에 의해 저하되는 입력신호라인(4)의 임피던스를 더욱 저하시키는 임피던스 저하수단으로서 기능한다. 노이즈 검출수단(222)이 전자파 장해를 검출하지 않으면, 스위칭 소자(207)에 의한 입력신호라인(4)의 임피던스 저하는 생기지 않으므로, 항상 임피던스를 저하시키는 것은 피할 수 있다. 항상 임피던스를 저하시키면, 부식 방지 전류가 증가하기 때문에, 접점(3)이나 후단의 처리회로에서의 신뢰성 저하를 초래할 우려가 있다.
이상과 같이, 접점(3)에 접속되는 입력신호라인(4)의 전위를, 접점(3)의 부식이 될 수 있는 소정 전위(VX)와 비교해서, 접점(3)이 부식된 것으로 판정될 때에는, 접점(3)에 부식 방지 전류를 흘리는 접점 부식방지방법에서, 입력신호라인(4)의 임피던스를, 노이즈에 대해서 저하시키므로, 내노이즈성을 향상시키고, 노이즈에 의한 입력신호라인(4)의 전위변동을 억제하여, 접점(3)의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
본 발명에 의하면, 부식방지방법으로서, 접점에 접속되는 입력신호라인의 전위를 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식되어 있는 것으로 판정할 때에는, 접점에 부식 방지 전류를 흘려서 부식 방지를 도모할 수 있다. 부식으로 판정되는 소정 전위는, 논리 판정의 한계 레벨보다, 비판정측으로 설정되므로, 접점에 부식 방지 전류가 흘러도, 입력신호라인의 전위는 논리 판정의 한계 레벨에 도달하지 않은 동안에 접촉저항이 감소하는 것으로 기대할 수 있어, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 접점 부식방지장치로서, 비교수단이 입력신호라인의 전위를 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단의 능동화에 의해 입력신호라인이 저 임피던스가 되도록 제어하므로, 접점의 부식의 판정시에만 부식 방지 전류를 흘려서 접점의 부식방지를 도모할 수 있다. 부식으로 판정되는 소정 전위는, 논리 판정의 한계 레벨보다, 비판정측으로 설정되므로, 접점에 부식 방지 전류가 흘러도, 입력신호라인의 전위는 논리 판정의 한계값에 도달하지 않은 동안에 접촉저항이 감소하는 것으로 기대할 수 있어, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 입력신호라인에 아날로그/디지털 변환수단을 설치하면, 개별적으로 비교수단과 논리 판정의 수단을 설치할 필요가 없게 되어, 회로규모의 소형화를 도모할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 접점의 종류에 따라서 최적의 소정 전위가 선택가능하게 되고, 부식 방지 전류를 흘려보내는 동작 빈도나, 동작 상황에 따라서, 동적 으로 소정 전위를 변경하는 것도 가능하게 된다.
또한 본 발명에 의하면, 부식 방지 전류를 흘리기 위한 부식 판정의 소정 전위에 히스테리시스를 부가하여, 채터링이 생겨서 부식 방지 전류가 반복해서 흐르는 것을 방지하여, 후단으로의 영향을 피할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 접점 부식방지방법으로서, 접점이 부식된 것으로 판정될 때에는, 접점에 부식 방지 전류를 흘려서, 접점으로부터 산화물 등을 제거하고, 접촉저항을 감소시켜서 접점을 회복시켜, 부식 방지를 도모하는 기간에는, 입력신호라인에 생기는 전위변동의 후단으로의 영향을 억제하므로, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 접점 부식방지장치로서, 비교수단이 부식인 것으로 판정하여 부식 방지 전류가 흐르면, 전류 유지수단에 의해, 미리 정해지는 최소 시간에는 상기 부식 방지 전류를 계속해서 흘리는 상태를 유지하므로, 접점의 부식방지를 도모할 수 있고, 또한 부식 방지동작의 채터링을 방지하여, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 접점 부식방지장치로서, 부식 방지 전류가 흐르는 시점에서, 입력신호라인을 통한 후단에서의 처리회로의 출력을 고정시키는 것이므로, 부식 방지 전류에 의한 일시적인 입력신호라인의 전위의 변동이 후단의 처리에 악영향을 주지 않도록 하여, 부식 방지 전류에 의한 접점의 부식방지를 도모하고, 또한, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또 본 발명에 의하면, 처리 저지수단은, 부식 방지 전류가 흐르는 기간에, 후단의 처리회로의 출력을 고정하므로, 부식 방지 전류에 의한 일시적인 입력신호라인의 전위의 변동이 후단의 처리회로에 악영향을 주지 않도록 할 수 있다.
또 본 발명에 의하면, 부식 방지 전류가 흐르면, 입력신호라인의 전위가 안정되기까지의 사이에는, 처리회로의 출력을 고정하여, 오동작을 막을 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 접점 부식방지장치로서, 고 임피던스수단은, 입력신호라인의 임피던스를, 복수 구비하여 어느 하나 또는 복수를 선택할 수 있다. 접점의 상태에 따라 복수의 임피던스 중 1 또는 복수의 임피던스를 선택하고, 접점 부식회로 동작시의 임피던스 변화를 작게 하여, 접점의 부식방지를 도모하고, 또한, 부식 방지 전류가 흐르는 시점에서의 전위변동을 억제하여, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 접점 부식방지장치로서, 저 임피던스수단의 스위칭 소자를 구동하는 신호의 변화를 완화하므로, 스위칭 소자의 구동에 따른 저 임피던스수단에서의 임피던스의 변화량을 작게 하여, 부식 방지 전류의 변화도 작게 하고, 산화막 파괴시의 접점 전위 변화량을 억제하여, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 접점 부식방지방법으로서, 접점에 접속되는 입력신호라인의 전위를 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식된 것으로 판정될 때에는, 접점에 부식 방지 전류를 흘려서 부식 방지를 도모하는 회수를 부식인 것으로 판정되는 회수보다 저감하는 것이므로, 부식 방지 전류를 흘리는 동작에 따른 후단의 오동작의 빈도도 저감하여, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있 다.
또한 본 발명에 의하면, 접점 부식방지장치로서, 비교수단이 부식인 것으로 판정할 때의 저 임피던스수단에 대한 제어를, 부식의 판정이 미리 규정하는 시간 계속된 후에 행하도록 지연수단에 의해 지연시키므로, 부식 방지동작의 과잉한 반응을 방지하고, 동작 빈도를 줄일 수 있어, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 접점 부식방지장치로서, 비교수단은, 카운터의 계수치가 규정 회수에 도달하면, 저 임피던스수단을 제어해서 부식 방지 전류를 흘리도록 제어하므로, 부식 방지동작의 과잉한 반응을 방지하고, 동작 빈도를 줄일 수 있어, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또 본 발명에 의하면, 미리 정하는 시간에 부식의 판정이 많게 될 때에, 실제로 부식이 생기고 있는 것으로 판정하여, 부식 방지 전류를 흘리도록 할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 접점 부식방지장치로서, 전류공급수단은, 부식 방지 전류를, 매끄럽게 변화하는 맥류로서 공급하므로, 부식 방지 전류를 접점에 공급해서 부식 방지를 도모하고, 또한, 부식 방지동작시의 저노이즈화에 의하여, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 접점 부식방지장치로서, 부식 방지 전류를 군발적인 펄스상으로 공급하므로, 접점 부식으로 판정될 때의 접점의 회복을 확실하게 행하고, 부식 방지동작의 빈도를 저하시켜, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 접점 부식방지장치로서, 부식 방지 전류를, 통전 패턴을 변경해서 공급할 수 있으므로, 접점의 부식방지를 확실하게 행하고, 부식 방지 전류가 흐르는 빈도를 저하시켜, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 접점 부식방지방법으로서, 접점에 접속되는 입력신호라인의 전위를 소정 전위와 비교해서, 접점이 부식된 것으로 판정될 때에는, 접점에 부식 방지 전류를 흘려서, 부식 방지를 도모하고, 노이즈의 검출시에는, 입력신호라인의 임피던스를 적하시키므로, 내노이즈성을 향상시킬 수 있다. 노이즈에 의한 입력신호라인의 전위변동을 억제하여, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 접점 부식방지장치로서, 입력신호라인의 노이즈를 검출할 때에, 입력신호라인의 임피던스를, 저 임피던스수단의 능동화에 의한 저하보다 더욱 저하시키므로, 내노이즈성을 향상시켜, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 노이즈에 의한 오동작을 방지할 수 있다.
또 본 발명에 의하면, 노이즈 검출수단은, 비교수단의 소정 전위에 대하여 역방향으로 설정되는 기준 레벨에 기초하여 노이즈 검출의 유무를 판정하므로, 후단측에서의 논리 판정의 오동작이 생기는 전에, 접점 부식방지동작을 행하게 할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 접점 부식방지장치로서, 접점의 부식이 진행하면, 부식 방지 전류를 흘려서, 부식으로부터의 회복을 도모할 수 있음과 아울러, 입력신호라인에 고주파의 노이즈가 혼입해도, 노이즈의 영향을 받지 않도록 내노이즈성을 향상시켜, 접점의 개폐상태를 이용할 때의 오동작을 방지할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 접점 부식방지장치로서, EMI 등의 전자파 장해를 검출할 때에, 입력신호라인의 임피던스를, 제 2 저 임피던스수단에 의해서, 더욱 저하시켜, 후단의 처리에의 영향을 방지할 수 있다.

Claims (24)

  1. 접점에 접속되는 입력신호라인의 전위를, 전원전압과 접지전압을 분압하여 얻어지는 전위로서 접점의 폐쇄상태시의 전위와 개방상태시의 전위 사이에서 접점이 부식상태로 될 수 있는 하나의 미리 설정된 전위와 비교해서,
    접점이 부식된 것으로 판정될 때에는, 접점에 부식 방지 전류를 흘리는 접점 부식방지방법에 있어서,
    입력신호라인에는, 접점의 접속상태가 논리 판정되는 신호가 입력되고,
    상기 미리 설정된 전위는, 입력신호라인의 전위를 논리 판정하는 한계 레벨과 비교하여, 접점의 접촉저항의 감소에 대응하는 전위의 변화방향측으로 설정하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지방법.
  2. 접점에 접속되고, 그 전위에 의해서, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인;
    입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단;
    입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단; 및
    입력신호라인의 전위와, 전원전압과 접지전압을 분압하여 얻어지는 전위로서 접점의 폐쇄상태시의 전위와 개방상태시의 전위 사이에서 접점이 부식상태로 될 수 있는 하나의 미리 설정된 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
    입력신호라인에는, 접점의 접속상태가 논리 판정되는 신호가 입력되고,
    비교수단의 미리 설정된 전위는, 입력신호라인의 전위를 논리 판정하는 한계 레벨과 비교하여, 접점의 접촉저항의 감소에 대응하는 전위의 변화방향측으로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 입력신호라인에 입력되는 신호를 아날로그/디지털 변환하는 아날로그/디지털 변환수단; 및
    아날로그/디지털 변환수단의 변환결과를, 상기 미리 설정된 전위와 비교해서 접점의 부식여부를 판정하는 상기 비교수단으로서의 동작과, 입력신호라인의 전위를 논리판정하는 한계 레벨과 비교하여 접점의 접속상태를 판정하는 동작을 행하는 처리수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 미리 설정된 전위 및 상기 한계 레벨을 변경할 수 있는 레벨 변경수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치.
  5. 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 비교수단은 상기 미리 설정된 전위에 히스테리시스를 갖는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치.
  6. 접점에 접속되는 입력신호라인의 전위를, 전원전압과 접지전압을 분압하여 얻어지는 전위로서 접점의 폐쇄상태시의 전위와 개방상태시의 전위 사이에서 접점이 부식상태로 될 수 있는 하나의 미리 설정된 전위와 비교해서, 접점이 부식된 것으로 판정될 때에는, 접점에 부식 방지 전류를 흘리는 접점 부식방지방법에 있어서,
    상기 접점이 부식된 것으로 판정되어, 상기 접점에 부식 방지 전류가 흐르는 동안에는, 입력신호라인에 생기는 전위변동의 후단으로의 영향을 억제하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지방법.
  7. 접점에 접속되고, 그 전위에 의해서, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인;
    입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단;
    입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단; 및
    입력신호라인의 전위와, 전원전압과 접지전압을 분압하여 얻어지는 전위로서 접점의 폐쇄상태시의 전위와 개방상태시의 전위 사이에서 접점이 부식상태로 될 수 있는 하나의 미리 설정된 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
    비교수단에 의해 저 임피던스수단이 능동화된 경우에는, 적어도 미리 정해지는 최소 시간은 상기 부식 방지 전류를 계속 흘리는 상태를 유지하는 전류 유지수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치.
  8. 접점에 접속되고, 그 전위에 의해서, 후단에 접속되는 처리회로에 의해 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인;
    입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단;
    입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단; 및
    입력신호라인의 전위와, 전원전압과 접지전압을 분압하여 얻어지는 전위로서 접점의 폐쇄상태시의 전위와 개방상태시의 전위 사이에서 접점이 부식상태로 될 수 있는 하나의 미리 설정된 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
    입력신호라인에 삽입되고, 비교수단에 의해 저 임피던스수단이 능동화되어서, 부식 방지 전류가 흐르는 시점에서, 상기 후단에 접속되는 처리회로의 출력을 고정하는 처리 저지수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 입력신호라인의 후단에는 처리회로가 접속되고,
    상기 처리 저지수단은, 상기 부식 방지 전류가 흐르는 기간에, 후단의 처리회로의 출력을 고정하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 처리 저지수단은, 상기 부식 방지 전류가 흐르는 기간뿐만 아니라, 그 후, 미리 정하는 시간에는 상기 후단의 처리회로의 출력을 고정하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치.
  11. 접점에 접속되고, 그 전위에 의해서, 접점의 접속 상태를 판정하기 위한 입력신호라인;
    입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단;
    입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단; 및
    입력신호라인의 전위와, 전원전압과 접지전압을 분압하여 얻어지는 전위로서 접점의 폐쇄상태시의 전위와 개방상태시의 전위 사이에서 접점이 부식상태로 될 수 있는 하나의 미리 설정된 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
    고 임피던스수단은, 입력신호라인을 고 임피던스로 유지하는 임피던스를 복수 구비하고, 어느 하나 혹은 복수의 임피던스를 선택할 수 있는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치.
  12. 접점에 접속되고, 그 전위에 의하여, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인;
    입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단;
    입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단; 및
    입력신호라인의 전위와, 전원전압과 접지전압을 분압하여 얻어지는 전위로서 접점의 폐쇄상태시의 전위와 개방상태시의 전위 사이에서 접점이 부식상태로 될 수 있는 하나의 미리 설정된 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
    저 임피던스수단은, 비교수단이 부식인 것으로 판정할 때에 상기 비교수단으로부터 출력되는 신호에 의해 구동되는 스위칭 소자를 구비하고,
    비교수단으로부터 스위칭 소자를 구동하는 신호의 변화를 완화하는 신호 완화수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치.
  13. 접점에 접속되는 입력신호라인의 전위를, 전원전압과 접지전압을 분압하여 얻어지는 전위로서 접점의 폐쇄상태시의 전위와 개방상태시의 전위 사이에서 접점이 부식상태로 될 수 있는 하나의 미리 설정된 전위와 비교해서, 접점이 부식된 것으로 판정될 때에는, 접점에 부식 방지 전류를 흘리는 접점 부식방지방법에 있어서,
    부식 방지 전류를 흘리는 회수를, 접점이 접속상태에서 부식으로 판정되는 회수보다 저감하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지방법.
  14. 접점에 접속되고, 그 전위에 의하여, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인;
    입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단;
    입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단; 및
    입력신호라인의 전위와, 전원전압과 접지전압을 분압하여 얻어지는 전위로서 접점의 폐쇄상태시의 전위와 개방상태시의 전위 사이에서 접점이 부식상태로 될 수 있는 하나의 미리 설정된 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
    비교수단이 부식인 것으로 판정할 때의 저 임피던스수단에 대한 능동화를, 부식의 판정이 미리 정하는 시간 계속된 후에 행하도록 지연시키는 지연수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치.
  15. 접점에 접속되고, 그 전위에 의해서, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인;
    입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단;
    입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단; 및
    입력신호라인의 전위와, 전원전압과 접지전압을 분압하여 얻어지는 전위로서 접점의 폐쇄상태시의 전위와 개방상태시의 전위 사이에서 접점이 부식상태로 될 수 있는 하나의 미리 설정된 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
    비교수단은, 입력신호라인의 전위가 미리 설정된 전위를 넘는 회수를 계수하는 카운터를 구비하고, 카운터의 계수치가 규정 회수에 도달하면, 저 임피던스수단을 능동화하여 부식 방지 전류가 흐르도록 제어하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 비교수단은, 상기 카운터로, 미리 정하는 시간당 회수를 계수하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치.
  17. 접점에 접속되고, 그 전위에 의해서, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인;
    입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단;
    입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단; 및
    입력신호라인의 전위와, 전원전압과 접지전압을 분압하여 얻어지는 전위로서 접점의 폐쇄상태시의 전위와 개방상태시의 전위 사이에서 접점이 부식상태로 될 수 있는 하나의 미리 설정된 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
    부식 방지 전류를, 매끄럽게 변화하는 맥류로서 공급하는 전류공급수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치.
  18. 접점에 접속되고, 그 전위에 의해서, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인;
    입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단;
    입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단; 및
    입력신호라인의 전위와, 전원전압과 접지전압을 분압하여 얻어지는 전위로서 접점의 폐쇄상태시의 전위와 개방상태시의 전위 사이에서 접점이 부식상태로 될 수 있는 하나의 미리 설정된 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
    부식 방지 전류를, 군발적인 펄스상으로 공급하는 전류공급수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치.
  19. 접점에 접속되고, 그 전위에 의하여, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인;
    입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단;
    입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단; 및
    입력신호라인의 전위와, 전원전압과 접지전압을 분압하여 얻어지는 전위로서 접점의 폐쇄상태시의 전위와 개방상태시의 전위 사이에서 접점이 부식상태로 될 수 있는 하나의 미리 설정된 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
    부식 방지 전류를, 통전 패턴을 변경해서 공급할 수 있는 전류공급수단을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치.
  20. 접점에 접속되는 입력신호라인의 전위를, 전원전압과 접지전압을 분압하여 얻어지는 전위로서 접점의 폐쇄상태시의 전위와 개방상태시의 전위 사이에서 접점이 부식상태로 될 수 있는 하나의 미리 설정된 전위와 비교해서, 접점이 부식된 것으로 판정될 때에는, 접점에 부식 방지 전류를 흘리는 접점 부식방지방법에 있어서,
    입력신호라인의 노이즈를 검출하기 위해 마련되는 노이즈 검출 수단에 의해 노이즈가 검출되면, 입력신호라인의 임피던스를 저하시키는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지방법.
  21. 접점에 접속되고, 그 전위에 의하여, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인;
    입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단;
    입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단; 및
    입력신호라인의 전위와, 전원전압과 접지전압을 분압하여 얻어지는 전위로서 접점의 폐쇄상태시의 전위와 개방상태시의 전위 사이에서 접점이 부식상태로 될 수 있는 하나의 미리 설정된 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
    입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해서 상기 입력신호라인의 임피던스를, 상기 저 임피던스수단의 임피던스보다 더욱 낮은 임피던스로 하는 제 2 저 임피던스수단; 및
    입력신호라인의 노이즈를 검출하는 노이즈 검출수단을 추가로 포함하고,
    노이즈 검출수단이 노이즈를 검출할 때에, 상기 제 2 저 임피던스수단을 능동화시켜서, 입력신호라인의 임피던스를, 접점이 부식된 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단이 능동화되는 상태에서의 임피던스보다 더욱 저하시키는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 비교수단의 미리 설정된 전위는, 상기 접점이 폐쇄상태에서 부식을 발생하고 있지 않을 때의 입력신호라인의 전위와, 접점의 개방상태에서의 입력신호라인의 전위 사이로 설정되고,
    상기 노이즈 검출수단은, 상기 미리 설정된 전위와 상기 접점의 개방상태에서의 입력신호라인의 전위 사이로 설정되는 기준 레벨에 기초하여, 노이즈의 유무를 판정하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치.
  23. 접점에 접속되고, 그 전위에 의해서, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인;
    입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단;
    입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단; 및
    입력신호라인의 전위와, 전원전압과 접지전압을 분압하여 얻어지는 전위로서 접점의 폐쇄상태시의 전위와 개방상태시의 전위 사이에서 접점이 부식상태로 될 수 있는 하나의 미리 설정된 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
    입력신호라인에 접속되어, 고주파의 노이즈가 혼입되어 상기 입력신호라인이 고주파로 되는 경우에는, 저 임피던스수단의 능동화에 의해 저하되는 입력신호라인의 임피던스를 더욱 저하시킬 수 있는 고주파 저 임피던스 소자를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치.
  24. 접점에 접속되고, 그 전위에 의해서, 접점의 접속상태를 판정하기 위한 입력신호라인;
    입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해 입력신호라인에 접점의 부식방지 전류를 흘리는 것이 가능한 상태로 되는 저 임피던스수단;
    입력신호라인에 접속되는 고 임피던스수단; 및
    입력신호라인의 전위와, 전원전압과 접지전압을 분압하여 얻어지는 전위로서 접점의 폐쇄상태시의 전위와 개방상태시의 전위 사이에서 접점이 부식상태로 될 수 있는 하나의 미리 설정된 전위를 비교하여, 접점이 부식인지의 여부를 판정하고, 부식인 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단을 능동화하는 비교수단을 구비하는 접점 부식방지장치에 있어서,
    입력신호라인에 접속되고, 능동화에 의해서 상기 입력신호라인의 임피던스를, 상기 저 임피던스수단의 임피던스보다 더욱 낮은 임피던스로 하는 제 2 저 임피던스수단; 및
    전자파 장해를 검출하는 장해검출수단을 추가로 포함하고,
    장해검출수단이 전자파 장해를 검출할 때에, 상기 제 2 저 임피던스수단을 능동화시켜서, 입력신호라인의 임피던스를, 접점이 부식된 것으로 판정될 때에 저 임피던스수단이 능동화되는 상태에서의 임피던스보다 더욱 저하시키는 것을 특징으로 하는 접점 부식방지장치.
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