KR100667113B1 - 전자 회로 장치 - Google Patents
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 230
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 14
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013599 spices Nutrition 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008399 tap water Substances 0.000 description 1
- 235000020679 tap water Nutrition 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/081—Microstriplines
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B62B—HAND-PROPELLED VEHICLES, e.g. HAND CARTS OR PERAMBULATORS; SLEDGES
- B62B3/00—Hand carts having more than one axis carrying transport wheels; Steering devices therefor; Equipment therefor
- B62B3/02—Hand carts having more than one axis carrying transport wheels; Steering devices therefor; Equipment therefor involving parts being adjustable, collapsible, attachable, detachable or convertible
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
- H01L23/5286—Arrangements of power or ground buses
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/66—High-frequency adaptations
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/026—Coplanar striplines [CPS]
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- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
- H01L2223/64—Impedance arrangements
- H01L2223/66—High-frequency adaptations
- H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
- H01L2223/6627—Waveguides, e.g. microstrip line, strip line, coplanar line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1903—Structure including wave guides
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Transportation (AREA)
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Abstract
Description
Claims (16)
- 전원선과 제1 접지선을 절연층을 개재하여 대향 배치하여 이루어지는 전원 접지 페어 전송 선로와, 드라이버 트랜지스터와, 상기 드라이버 트랜지스터의 출력 신호에 의해 구동되며, 신호선과 제2 접지선을 절연층을 개재하여 대향 배치하여 이루어지는 신호 접지 페어 전송 선로를 구비하며,상기 전원 접지 페어 전송 선로의 전원선은 상기 드라이버 트랜지스터의 드레인층에 직접 접속됨과 함께, 상기 전원 접지 페어 전송 선로의 제1 접지선은 상기 드라이버 트랜지스터의 기판에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 회로 장치.
- 제1항에 있어서,상기 신호 접지 페어 전송 선로의 배선 길이는 상기 드라이버 트랜지스터의 동작 펄스 주파수의 10배 고조파의 1/4 파장보다 긴 것을 특징으로 하는 전자 회로 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 신호 접지 페어 전송 선로의 신호선은 상기 드라이버 트랜지스터의 소스층에 직접 접속됨과 함께, 상기 신호 접지 페어 전송 선로의 제2 접지선은 상기 드라이버 트랜지스터의 기판에 직접 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 회로 장치.
- 제3항에 있어서,상기 전원 접지 페어 전송 선로의 특성 임피던스는 상기 신호 접지 페어 전송 선로의 특성 임피던스보다 크거나, 혹은 동일한 것을 특징으로 하는 전자 회로 장치.
- 제1항에 있어서,상기 전원 접지 페어 전송 선로의 제1 접지선과 상기 신호 접지 페어 전송 선로의 제2 접지선은 상기 드라이버 트랜지스터의 기판에 형성된 저저항층을 통해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 회로 장치.
- 원 전원 접지 페어 전송 선로와, 상기 원 전원 접지 페어 전송 선로로부터 분기된 복수의 분기 전원 접지 페어 전송 선로와, 상기 분기 전원 접지 페어 전송 선로에 각각 접속된 드라이버 트랜지스터와, 상기 드라이버 트랜지스터의 출력 신호에 의해 구동되는 신호 접지 페어 전송 선로와, 상기 신호 접지 페어 전송 선로로부터 전송되는 신호를 수신하는 리시버 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자 회로 장치.
- 제6항에 있어서,상기 분기 전원 접지 페어 전송 선로의 수를 n으로 하며, 상기 원 전원 접지 페어 전송 선로의 특성 임피던스를 Z0ps로 하고, 상기 분기 전원 접지 페어 전송 선로의 특성 임피던스를 Z0pt로 하면,Z0ps≤Z0pt/n≤1.2Z0ps가 되는 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 전자 회로 장치.
- 제6항에 있어서,상기 복수의 분기 전원 접지 페어 전송 선로는 각각 복수의 배선에 방사형으로 분기하여 네트워크 배선을 구성하며, 상기 네트워크 배선은 상기 원 전원 접지 페어 전송 선로에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 회로 장치.
- 제8항에 있어서,상기 네트워크 배선을 구성하는 모든 배선은 동일한 길이의 배선인 것을 특징으로 하는 전자 회로 장치.
- 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 원 전원 접지 페어 전송 선로의 종단에 복수의 바이패스 캐패시터가 접속되며, 또한 상기 종단으로부터 하나의 전원 접지 페어 전송 선로가 추출되고, 상기 전원 접지 페어 전송 선로의 전원선과 접지선 사이에 컨덴서가 접속되고, 또한 상기 전원 접지 페어 전송 선로는 전원 회로에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 회로 장치.
- 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 원 전원 접지 페어 전송 선로의 분기 부분의 근방에서, 상기 분기 전원 접지 페어 전송 선로의 전원선과 접지선과의 사이에, 한쌍의 캐패시터와 상기 한쌍의 캐패시터를 접속하는 저항 소자로 이루어지는 캐패시터 저항 회로를 설치하는 것을 특징으로 하는 전자 회로 장치.
- 제11항에 있어서,상기 한쌍의 캐패시터는, 상기 캐패시터 저항 회로의 상기 원 전원 접지 페어 전송 선로에 전송 방향을 따른 치수와 동일한 치수의 상기 원 전원 접지 페어 전송 선로 부분이 갖는 용량값의 50배 이상의 용량값을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 회로 장치.
- 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 원 전원 접지 페어 전송 선로의 분기 부분의 근방에서, 상기 분기 전원 접지 페어 전송 선로의 전원선과 접지선과의 사이에 삽입된 한쌍의 캐패시터 전극과, 상기 한쌍의 캐패시터 전극 간을 접속하는 저항 소자로 이루어지는 캐패시터 저항 회로를 설치하는 것을 특징으로 하는 전자 회로 장치.
- 제13항에 있어서,상기 한쌍의 캐패시터 전극과 상기 원 전원 접지 페어 전송 선로와의 사이에서 형성되는 캐패시터는, 상기 캐패시터 저항 회로의 상기 원 전원 접지 페어 전송 선로에 전송 방향을 따른 치수와 동일한 치수의 상기 원 전원 접지 페어 전송 선로 부분이 갖는 용량값의 50배 이상의 용량값을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 회로 장치.
- 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,상기 원 전원 접지 페어 전송 선로의 분기점 근방에, 상기 원 전원 접지 페어 전송 선로에 인접하여 페어 선로로 이루어지는 방향성 결합기가 배치되며, 상기 방향성 결합기의 페어 선로 간이 종단 저항에 의해 결합되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 회로 장치.
- 제15항에 있어서,상기 원 전원 접지 페어 전송 선로와 상기 방향성 결합기의 갭 치수는 상기 방향성 결합기를 구성하는 도체의 두께 이하인 것을 특징으로 하는 전자 회로 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003045422A JP4192009B2 (ja) | 2003-02-24 | 2003-02-24 | 電子回路装置 |
JPJP-P-2003-00045422 | 2003-02-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040076215A KR20040076215A (ko) | 2004-08-31 |
KR100667113B1 true KR100667113B1 (ko) | 2007-01-11 |
Family
ID=33112224
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040011942A KR100667113B1 (ko) | 2003-02-24 | 2004-02-23 | 전자 회로 장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6961229B2 (ko) |
JP (1) | JP4192009B2 (ko) |
KR (1) | KR100667113B1 (ko) |
CN (1) | CN100336225C (ko) |
TW (1) | TWI252580B (ko) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7292091B1 (en) * | 2000-10-11 | 2007-11-06 | Silicon Laboratories Inc. | Method and apparatus for reducing interference |
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JP5410664B2 (ja) | 2007-09-04 | 2014-02-05 | 寛治 大塚 | 半導体集積回路パッケージ、プリント配線板、半導体装置および電源供給配線構造 |
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- 2004-02-17 CN CNB200410005220XA patent/CN100336225C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-20 US US10/781,942 patent/US6961229B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-02-23 KR KR1020040011942A patent/KR100667113B1/ko active IP Right Grant
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11284126A (ja) | 1998-03-31 | 1999-10-15 | Kanji Otsuka | 電子装置 |
JP2000174505A (ja) | 1998-12-08 | 2000-06-23 | Kanji Otsuka | 電子装置 |
JP2002026272A (ja) | 2000-07-11 | 2002-01-25 | Kanji Otsuka | 半導体回路装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1525564A (zh) | 2004-09-01 |
JP2004259722A (ja) | 2004-09-16 |
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US20040207432A1 (en) | 2004-10-21 |
KR20040076215A (ko) | 2004-08-31 |
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TWI252580B (en) | 2006-04-01 |
US6961229B2 (en) | 2005-11-01 |
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