KR100641704B1 - 반도체 메모리 소자 및 그 비트라인 센스앰프 옵셋전압측정방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (26)
- 데이터 리드시에 메모리 셀에 기록된 데이터가 실리는 비트라인 및 반전비트라인의 전위차를 증폭하기 위한 비트라인 센스앰프;하나 이상의 스위치를 경유하여 상기 비트라인 및 반전비트라인에 연결되는 코어영역 내부의 데이터 입출력 라인 및 반전 데이터 입출력 라인;상기 데이터 입출력 라인에 제1 외부 테스트 전압을 인가하기 위한 제1 외부 전위 공급 패드;상기 반전 데이터 입출력 라인에 제2 외부 테스트 전압을 인가하기 위한 제2 외부 전위 공급 패드; 및상기 데이터 입출력 라인 및 상기 반전 데이터 입출력 라인과 상기 제1 및 제2 외부 전위 공급 패드의 연결을 제어하기 위한 외부 전위 공급 제어부를 구비하는 반도체 메모리 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 외부 전위 공급 제어부는,상기 데이터 입출력 라인과 제1 외부 전위 공급 패드를 연결시키기 위한 제1 스위치;상기 반전 데이터 입출력 라인과 제2 외부 전위 공급 패드를 연결시키기 위한 제2 스위치; 및상기 제1 스위치 및 제2 스위치를 턴온시키는 외부 전위 공급 명령을 생성하기 위한 외부 전위 공급 명령 발생부를 포함하는 반도체 메모리 소자.
- 제2항에 있어서, 상기 제1 스위치 및 제2 스위치는,모스트랜지스터인 반도체 메모리 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 외부 전위 공급 패드 및 제2 외부 전위 공급 패드는,일반적인 메모리 칩의 데이터, 명령 또는 어드레스 입/출력을 위한 외부 단자 연결용 패드와 구별되는 별도의 패드인 반도체 메모리 소자.
- 제4항에 있어서, 상기 외부 전위 공급 명령 발생부는,메모리 소자 내에서 생성되는 로액티브 펄스와 테스트 모드 신호를 입력받아 상기 외부 전위 공급 명령를 인에이블시키기 위한 인에이블 트리거;메모리 소자 내에서 생성되는 라이트 카스 신호를 입력받아 상기 외부 전위 공급 명령를 디스에이블시키기 위한 디스에이블 트리거; 및상기 외부 전위 공급 명령의 출력 타이밍을 조절하기 위한 타이밍 제어부를 포함하는 반도체 메모리 소자.
- 제5항에 있어서, 상기 타이밍 제어부는,상기 외부 전위 공급 명령의 폴링 에지를 소정시간 지연시키기 위한 폴링 에지 지연기를 포함하는 반도체 메모리 소자.
- 제1항에 있어서,옵셋전압 테스트를 수행토록 하는 테스트 수행 명령을 출력하기 위한 테스트 모드 설정부를 더 포함하는 반도체 메모리 소자.
- 제1항에 있어서,글로벌 입출력(GIO) 라인에 실린 데이터를 상기 데이터 입출력 라인 및 반전 데이터 입출력 라인에 전달하기 위한 라이트 드라이버를 더 포함하며, 상기 라이트 드라이버는 옵셋전압 테스트를 수행할 때에는 비활성화되는 반도체 메모리 소자.
- 제1항에 있어서,메모리 소자 내에서 생성되는 라이트 카스 신호를 입력받아 라이트 드라이버 인에이블 신호를 출력하는 라이트 드라이버 단속부를 더 포함하며,상기 라이트 드라이버 인에이블 신호는 옵셋전압 테스트를 수행할 때에는 디스에이블되는 반도체 메모리 소자.
- 제1항에 있어서,상기 외부 전위 공급 제어부가 연결 동작을 수행할 때에는 센스앰프 인에이블 신호 - 센스앰프에 대한 구동 제어 신호임 - 를 비활성화시키는 센스앰프 단속부를 더 포함하는 반도체 메모리 소자.
- 제1항에 있어서,옵셋전압 테스트시 별도의 외부 입력신호에 의해 센스앰프 인에이블 신호 - 센스앰프에 대한 구동 제어 신호임 - 를 발생시키는 센스앰프 단속부를 더 포함하는 반도체 메모리 소자.
- 제1항에 있어서,옵셋전압 테스트시 비활성화되는 X 디코더 - 활성화된 상기 X 디코더는 액세스할 메모리 셀을 선택함 - 를 더 포함하는 반도체 메모리 소자.
- 제1항에 있어서,메모리 셀들을 가지고 있는 상위 비트라인과 상기 비트라인 센스앰프를 연결하기 위한 상위 비트라인 선택 스위치;메모리 셀들을 가지고 있는 하위 비트라인과 상기 비트라인 센스앰프를 연결하기 위한 하위 비트라인 선택 스위치; 및옵셋전압 테스트를 수행할 때에는 상기 상위 비트라인 선택 스위치 및 상기 하위 비트라인 선택 스위치를 모두 차단하는 비트라인 선택 스위치 제어부를 더 포함하는 반도체 메모리 소자.
- 외부와 연결되는 접촉패드로부터 코어 영역 내부 데이터 입출력 라인에 테스트 전압을 인가하고, 상기 데이터 입출력 라인에 대한 균등화신호를 비활성화시키며, 테스트할 센스앰프에 연결된 다수의 메모리 셀 중 테스트할 메모리 셀을 선택하는 단계(S120);상기 테스트 전압의 인가를 중단시키는 단계(S140);센스앰프를 활성화시키는 단계(S160); 및상기 센스앰프에 의해 증폭된 데이터를 메모리 소자의 리드 경로를 이용하여 리드하는 단계(S180)를 포함하는 센스앰프의 옵셋전압 측정방법.
- 제14항에 있어서, 상기 S120단계 이후에,테스트할 상기 센스앰프를 상기 데이터 입출력 라인과 연결시키는 단계(S130)를 더 포함하는 센스앰프의 옵셋전압 측정방법.
- 제15항에 있어서,상기 S140단계는 상기 데이터 입출력 라인과 상기 테스트할 센스앰프의 연결을 차단하는 단계(S142)를 포함하고,상기 S140단계 이후, 상기 데이터 입출력 라인에 대한 프리차지를 수행하는 단계(S150); 및상기 S160단계 이후, 상기 데이터 입출력 라인과 테스트할 센스앰프를 다시 연결시키는 단계(S170)를 더 포함하는 센스앰프의 옵셋전압 측정방법.
- 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,상기 S120단계는 외부의 액티브 명령에 따라 수행되며,상기 S180단계는 외부의 리드 명령에 따라 수행되는 센스앰프의 옵셋전압 측정방법.
- 제14항 내지 제16항중 어느 한 항에 있어서, 상기 S160단계는 외부 명령에 따라 수행되는 센스앰프의 옵셋전압 측정방법.
- 제14항 내지 제16항중 어느 한 항에 있어서, 상기 S120단계는,테스트할 센스앰프에 상하로 연결된 비트라인 중 테스트할 메모리 셀이 연결된 비트라인을 선택하는 단계(S122)를 더 포함하는 센스앰프의 옵셋전압 측정방법.
- 외부와 연결되는 접촉패드로부터 코어 영역 내부 데이터 입출력 라인에 테스트 전압을 인가하고, 상기 데이터 입출력 라인에 대한 균등화신호를 비활성화시키며, 테스트할 센스앰프에 연결된 모든 메모리 셀을 차단하는 단계(S120);상기 테스트 전압의 인가를 중단시키는 단계(S140);센스앰프를 활성화시키는 단계(S160); 및상기 센스앰프에 의해 증폭된 데이터를 메모리 소자의 리드 경로를 이용하여 리드하는 단계(S180)를 포함하는 센스앰프의 옵셋전압 측정방법.
- 제20항에 있어서, 상기 S120단계 이후에,테스트할 상기 센스앰프를 상기 데이터 입출력 라인과 연결시키는 단계(S130)를 더 포함하는 센스앰프의 옵셋전압 측정방법.
- 제21항에 있어서,상기 S140단계는 상기 데이터 입출력 라인과 상기 테스트할 센스앰프의 연결을 차단하는 단계(S142)를 포함하고,상기 S140단계 이후, 상기 데이터 입출력 라인에 대한 프리차지를 수행하는 단계(S150); 및상기 S160단계 이후, 상기 데이터 입출력 라인과 테스트할 센스앰프를 다시 연결시키는 단계(S170)를 더 포함하는 센스앰프의 옵셋전압 측정방법.
- 제20항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서,상기 S120단계는 외부의 액티브 명령에 따라 수행되며,상기 S180단계는 외부의 리드 명령에 따라 수행되는 센스앰프의 옵셋전압 측정방법.
- 제20항 내지 제22항중 어느 한 항에 있어서, 상기 S160단계는 외부 명령에 따라 수행되는 센스앰프의 옵셋전압 측정방법.
- 제20항 내지 제22항중 어느 한 항에 있어서, 상기 S120단계는,테스트할 센스앰프에 상하로 연결된 비트라인 중 하나를 선택하는 단계(S122)를 더 포함하는 센스앰프의 옵셋전압 측정방법.
- 제20항 내지 제22항중 어느 한 항에 있어서, 상기 S120단계는,테스트할 센스앰프에 상하로 연결된 비트라인 모두를 차단하는 단계(S122')를 더 포함하는 센스앰프의 옵셋전압 측정방법.
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