KR100567501B1 - Ｘ선 발생장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 X선 발생장치에 관한 것으로서, X선 발생장치는 캐소드전극(15)과, 이 캐소드전극(15)이 발생한 전자빔(e)을 제어하는 그리드전극(17)과, 전자빔(e)을 집속하는 포커스전극(18)과, 전자빔(e)의 충돌에 의해 X선을 방출하는 양극 타겟(14)을 구비한다. 캐소드전극(15) 및 그리드전극(17) 사이에는 바이어스 전압발생부(20)로부터 바이어스 전압(Vb)이 인가되고, 양극타겟(13)에는 관전압 발생부(19)로부터 관전압(Vt)이 인가된다. 분압부(13)는 관전압(Vt)을 분압하여 포커스 전압(Vf)을 생성하고, 이와 같은 포커스 전압(Vf)을 포커스전극(18)에 인가하는 것에 의해 전자빔의 초점형성에 대한 전압변동의 영향을 억제할 수 있는 것을 특징으로 한다.

Description

Ｘ선 발생장치{X-RAY GENERATOR}
본 발명은 X선관 등을 구비한 X선 발생장치에 관한 것이다.
X선 발생장치는 X선을 방출하는 X선관을 조립한 장치이고, 의료용 또는 공업용 진단장치 등에 많이 이용되고 있다. X선관에 대해서도 X선 발생장치의 용도에 따라서 여러가지가 실용화되어 있다. 예를 들면 X선으로 검사대상물의 미세구조 등을 검사할 때에는 X선의 발생영역인 양극 타겟상의 전자빔의 초점 치수를 수㎛에서 10㎛정도로 한 X선관, 이른바 마이크로포커스 X선관이 이용되고 있다(예를 들면 일본특개2001-273860호 공보 참조).
상기한 마이크로포커스 X선관은, 예를 들면 X선을 방출하는 양극 타겟과 음극을 각각 진공용기 내에 배치한 구조를 갖고 있다. 음극은 히터에 의한 가열로 전자빔을 발생하는 캐소드전극, 관전류를 제어하는 그리드전극, 양극타겟상의 전자빔의 초점 치수를 제어하는 포커스전극 등으로 구성되어 있다.
이와 같은 구성을 갖는 X선관에서는, 예를 들면 캐소드전극, 양극타겟 또는 그리드전극을 접지전위로 설정하고, 양극 타겟에 소정의 관전압을 인가하는 것이 일반적이다. X선관의 동작 상태는 예를 들면 포커스전극이나 그리드전극에 인가하는 전압을 제어하는 것에 의해 조정된다. 포커스전극에 인가하는 전압을 제어하는 경우, 관전압을 생성하는 양극 타겟용 전원과는 별도로 포커스전극에 인가하는 포커스 전압을 발생하기 위한 포커스전극용 전원이 이용된다.
그러나, 포커스 전압을 제어하는 방식에서는 양극 타겟에 인가하는 관전압이나 포커스전극에 인가하는 포커스 전압에 맥동(脈動) 등의 변동이 있으면 전자빔의 초점 형상에 영향을 주어, 미소초점의 형성이 곤란해진다. 즉, 전자빔의 초점 형상을 최소로 하는 경우, 예를 들면 도 7의 부호(P)로 나타내는 관전압과 포커스 전압 사이의 비례관계를 유지하는 것이 중요하다. 관전압이나 포커스 전압이 변동하면 도 7과 같은 비례관계가 유지되지 않고, 미소초점의 형성이 곤란해진다. 본 발명자의 실험에 의하면 관전압과 포커스 전압의 비가 0.15% 변동하면 초점 직경에 크게 영향을 미치는 것이 확인되었다.
상기한 점에 대해, 예를 들면 일본 특개평7-29532호 공보에는 포커스전극을 접지전위로 설정하고, 또 양극 타겟에 인가하는 전압의 변화에 연동시켜, 일정한 비율로 캐소드전극에 인가하는 전압을 변화시키는 X선 발생장치가 기재되어 있다. 이와 같은 종래의 X선 발생장치에 의하면 포커스전극은 접지전위를 유지하여 변동하지 않기 때문에 양극 타겟에 인가하는 전압에 맥동 등이 생겨도 미소 초점을 안정적으로 유지할 수 있다.
그러나, 상기 공보에 기재된 X선 발생장치는 포커스전극을 접지전위로 설정할 필요가 있기 때문에 장치 구성 상의 제약이 크다. 예를 들면 종래의 X선 발생장치에서는 양극 타겟이나 그리드전극을 접지 전위로 설정하는 것이 일반적이지만, 이와 같은 X선 발생장치에는 상기 공보에 기재된 미소초점의 형성방법을 적용할 수 는 없다. 이와 같기 때문에 양극타겟이나 그리드전극을 접지전위로 설정하는 경우에도 전자빔의 미소 초점의 형성에 대해 전압 변동이 영향을 미치는 것을 억제할 수 있는 기술이 요구되고 있다.
또, 마이크로포커스 X선관에 있어서는 캐소드전극과 그리드전극 사이에 바이어스 전압을 인가하고, 이 바이어스 전압으로 X선을 발생시키는 전자빔의 전류(관전류)를 제어하고 있다. 이와 같은 관전류의 제어방식을 적용할 경우에는 바이어스 전압을 생성하기 위한 전원을 독립으로 설치하는 것이 일반적이다.
그러나, 상기한 관전류의 제어방식에서는 바이어스 전압용 전원이 고장난 경우 등에 있어서, X선관 내에 과대한 관전류가 흘러버린다. 이와 같은 과대한 관전류는 양극타겟의 용융 등의 원인이 되므로 X선관의 특성 열화, 또는 파괴 등을 초래해버린다. 따라서, 관전류를 캐소드전극에 인가하는 바이어스 전압으로 제어하는 경우에 있어서, 그 신뢰성이나 안전성을 높이는 것이 요구되고 있다.
본 발명의 목적은 양극타겟이나 그리드전극을 접지전위로 설정하는 경우에도 전자빔의 초점 형성에 대해 전압변동의 영향을 억제하는 것을 가능하게 한 X선 발생장치를 제공하는데 있다. 본 발명의 다른 목적은 관전류를 캐소드전극에 인가하는 바이어스 전압으로 제어하는 경우에 있어서, 과대한 관전류가 흐르는 것을 방지하는 것에 의해 신뢰성이나 안전성을 높인 X선 발생장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 X선 발생장치는 전자빔을 발생하는 캐소드전극과, 상기 캐소드전극이 발생한 상기 전자빔의 흐름을 제어하는 그리드전극과, 상기 전자빔을 집속하는 포커스전극과, 상기 포커스전극에 의해 집속된 상기 전자빔의 충돌에 의해 X선을 방출하는 양극타겟과, 상기 캐소드전극 및 상기 그리드전극 사이에 인가하는 바이어스 전압을 생성하는 바이어스 전압 발생부와, 상기 양극타겟에 인가하는 관전압을 생성하는 관전압 발생부와, 상기 관전압을 분압하여 포커스 전압을 생성하고, 이 포커스 전압을 상기 포커스전극에 인가하고, 또 상기 포커스 전압을 분압하여 캐소드전압을 생성하는 분압부를 구비하며, 상기 분압부에서 생성한 상기 캐소드 전압과 상기 바이어스 전압발생부에서 생성한 상기 바이어스 전압을 합성하고, 이 합성한 전압을 상기 캐소드전극에 인가하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 X선 발생장치에 있어서는 관전압을 분압하여 포커스 전압을 생성하고 있기 때문에 관전압에 맥동 등의 변동이 있어도 관전압과 포커스 전압의 비례관계를 유지할 수 있다. 따라서, 관전압의 변동이 전자빔의 초점 치수에 미치는 영향이 억제되고, 그 결과로서 전자빔의 미소초점을 재현성 좋게 형성하는 것이 가능해진다.
또, 본 발명의 X선 발생장치에 있어서 분압부에서는 포커스 전압을 분압하여 캐소드 전압을 생성하고, 이 캐소드 전압과 바이어스 전압발생부에서 생성한 바이어스 전압을 합성하고 있다. 이와 같은 경우에 있어서, 분압부에서 생성하는 캐소드 전압은 이것과 동일한 크기의 전압이 캐소드전극 및 그리드전극 사이에 인가된 경우에 관 전류가 흐르지 않는 크기로 설정된다. 이에 의해 X선 발생장치의 안전성을 높이는 것이 가능해진다.
본 발명의 다른 X선 발생장치는 전자빔을 발생하는 캐소드전극과, 상기 캐소드전극이 발생한 상기 전자빔의 흐름을 제어하는 그리드전극과, 상기 전자빔을 집속하는 포커스전극과, 상기 포커스전극에 의해 집속된 상기 전자빔의 충돌에 의해 X선을 방출하는 양극 타겟과, 상기 양극 타겟에 인가하는 관전압을 생성하는 관전압 발생부와, 상기 포커스전극에 인가하는 포커스 전압을 생성하는 포커스 전압발생부와, 상기 캐소드전극 및 상기 그리드전극 사이에 인가하는 바이어스 전압을 생성하는 바이어스 전압발생부와, 상기 포커스 전압을 분압하여 캐소드 전압을 생성하고, 이 캐소드 전압을 상기 바이어스 전압과 합성하여 상기 캐소드전극에 인가하는 분압부를 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 X선 발생장치의 개략구성 및 회로구성을 나타내는 도면,
도 2는 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 X선 발생장치의 개략구성 및 회로구성을 나타내는 도면,
도 3은 본 발명의 실시형태의 X선 발생장치의 관전압과 포커스 전압의 관계를 나타내는 특성도,
도 4는 본 발명의 제 2 실시형태의 X선 발생장치의 바이어스 전압발생부의 출력전압과 관전류의 관계를 나타내는 특성도,
도 5는 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 X선 발생장치의 개략구성 및 회로 구성을 나타내는 도면,
도 6은 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 X선 발생장치의 개략구성 및 회로구성을 나타내는 도면 및
도 7은 X선 발생장치의 관전압과 포커스 전압의 관계를 나타내는 특성도이 다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 설명한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 X선 발생장치의 구성을 나타내는 도면이다. 도 1에 도시한 X선 발생장치는 마이크로포커스 X선관(10)을 구비하고 있다. 마이크로포커스 X선관(10)은 전체가 진공용기(11)로 구성되어 있고, 진공용기(11)내의 한쪽 측에는 음극(12)이 배치되고, 또 다른쪽 측에는 양극(13)이 배치되어 있다. 양극(13)은 양극타겟(14)을 구비하고 있다.
음극(12)은 예를 들면 전자빔(e)을 발생하는 캐소드전극(15)과, 캐소드전극(15)을 가열하는 히터(16)와, 전자빔(e)의 흐름(예를 들면 관전류)을 제어하는 그리드전극(17)과, 전자빔(e)을 집속하여 양극타겟(14)상에 형성되는 전자빔의 초점 형상을 제어하는 포커스전극(18)으로 구성되어 있다.
이 실시형태의 X선 발생장치에서는 그리드전극(17)이 접지전위(G)로 되어 있다. 양극타겟(14)과 접지전위(G) 사이에는 출력 가변의 관전압 발생부(19)가 접속되어 있고, 양극타겟(14)에는 그리드전극(17)에 대해 양의 관전압(Vt)이 인가된다. 관전압(Vt)은 소정의 값으로 제어되어 있다.
또, 캐소드전극(15)과 접지전위(G) 사이에는 출력 가변의 바이어스 전압발생부(20)가 접속되어 있고, 캐소드전극(15)에는 그리드전극(17)에 대해 양의 바이어스 전압(Vb)이 인가된다. 이 캐소드전극(15)과 그리드전극(17) 사이의 바이어스 전압(Vb)에 의해 X선관(10)의 관전류가 제어된다. 히터(16)에는 히터전압발생부(21)로부터 DC 또는 AC의 소정 전력이 공급된다.
관전압 발생부(19)의 양단에는 분압부(31)가 병렬로 접속되어 있다. 분압부(31)는 2개의 저항(R1, R2)에 의해 구성되어 있다. 상기 2개의 저항(R1 , R2)은 직렬로 접속되어 있고, 예를 들면 관전압 발생부(19)의 전위가 높은 측에서 차례로 제 1 저항(R1) 및 제 2 저항(R2)으로 되어 있다. 제 1 저항(R1)과 제 2 저항(R2)의 접속점(a)은 포커스전극(18)에 접속되어 있고, 제 2 저항(R2)의 양단의 전압이 포커스 전압(Vf)을 형성하고 있다.
즉, 분압부(31)는 관전압(Vt)을 제 1 저항(R1) 및 제 2 저항(R2)에 기초하여 분압하고, 제 2 저항(R2)의 양단에 포커스 전압(Vf)을 생성하는 것이다. 그리고, 포커스전극(18)과 접지전위(G) 사이에는 분압부(31)에서 관전압(Vt)을 분압하는 것에 의해 생성한 포커스 전압(Vf)이 인가된다. 포커스전극(18)에는 그리드전극(17)에 대해 양의 포커스 전압(Vf)이 인가되어 있다.
상기 구성을 갖는 X선 발생장치에 있어서, 캐소드전극(15)에서 발생한 전자빔(e)은 그리드전극(17)에서 관전류가 제어되고, 또 포커스전극(18)에서 집속되어 양극타겟(14)상에 충돌한다. 양극타겟(14)으로의 전자빔(e)의 충돌에 의해 양극타겟(14)으로부터, 예를 들면 화살표(Y)방향으로 X선이 방출된다. 이 때, 포커스전극(18)에 인가되는 포커스 전압(Vf)은 관전압(Vt)의 관계에 있어서, 하기 수학식 1이 된다.
Figure 112003030058159-pct00001
상기 수학식 1에서 알 수 있는 바와 같이, 포커스 전압(Vf)과 관전압(Vt)은 도 7에 도시한 비례관계를 갖고 있다. 이 포커스 전압(Vf)과 관전압(Vt)의 비례관계는 기본적으로 관전압(Vt)에 맥동 등의 변동이 있어도 유지되므로 관전압(Vt)의 변동이 전자빔의 초점직경에 미치는 영향을 작게 할 수 있다. 그 결과로서, 양극타겟(14)상에 전자빔의 미소 초점을 재현성좋게 형성하는 것이 가능해진다.
이와 같이, 제 1 실시형태의 X선 발생장치에 의하면 전자빔의 초점 형성에 대해 전압변동의 영향을 작게 할 수 있고, 그에 의해 양극 타겟(14)상에 전자빔의 미소초점을 재현성좋게 형성하는 것이 가능해진다. 또, 분압부(31)에서 관전압(Vt)을 분압하여 포커스 전압(Vf)을 생성하고 있기 때문에 종래의 X선 발생장치와 같이 포커스 전압발생부를 관전압 발생부(19)와는 별도로 설치할 필요가 없어, X선 발생장치의 장치 구성을 간이화하는 것이 가능해진다. 또, 이 실시형태에서는 그리드전극(17)을 접지전위(G)로 설정했지만, 예를 들면 양극타겟(14)을 접지전위로 설정한 경우도 동일한 동작이 된다.
계속해서 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 X선 발생장치에 대해 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 X선 발생장치의 구성을 나타내는 도면이다. 또, 도 2에 있어서, 도 1과 대응하는 부분에는 동일부호를 붙이고, 중복되는 설명은 일부 생략한다.
도 2에 도시한 X선 발생장치에 있어서는 상기한 제 1 실시형태와 마찬가지로 관전압 발생부(19)의 양단에 분압부(31)가 병렬로 접속되어 있다. 단, 이 분압부(31)는 3개의 저항(R1, R21, R22)에 의해 구성되어 있다. 상기 3개의 저항(R1, R21, R22)은 직렬로 접속되어 있고, 예를 들면 관전압 발생부(19)의 전위가 높은 측에서 차례로 제 1 저항(R1), 제 2 저항(R21) 및 제 3 저항(R22)으로 되어 있다.
그리고, 제 1 저항(R1)과 제 2 저항(R21)의 접속점(a)은 제 1 실시형태와 마찬가지로 포커스전극(18)에 접속되어 있고, 2개의 저항(R21, R22)의 양단의 전압이 포커스 전압(Vf)으로서 포커스전극(18)과 접지전위(G)사이에 인가되어 있다. 포커스 전압(Vf)은 그리드전극(17)에 대해 양의 전압이다.
제 2 실시형태의 X선 발생장치에 있어서, 포커스 전압(Vf)의 생성에 관한 분압부(31)의 작용은 제 1 실시형태와 동일하고, 포커스 전압(Vf)은 관전압(Vt)에 대해 비례관계를 갖고 있다. 즉, 포커스 전압(Vf)은 관전압(Vt)의 관계에 있어서, 하기 수학식 2가 된다.
Figure 112003030058159-pct00002
이와 같이, 포커스 전압(Vf)과 관전압(Vt)은 도 7에 도시한 비례관계를 갖고 있고, 관전압(Vt)의 변동이 전자빔의 초점 직경에 미치는 영향을 작게 할 수 있다.
이 제 2 실시형태의 X선 발생장치에서는, 또 분압부(31)의 제 2 저항(R21)과 제 3 저항(R22)의 접속점(b)이 바이어스 전압발생부(20)를 통해 캐소드전극(15)에 접속되어 있다. 즉, 분압부(31)는 포커스 전압(Vf)을 제 2 저항(R21)과 제 3 저항(R22)에 기초하여 분압하고, 제 3 저항(R22)의 양단에 그리드전극(17)에 대해 캐소드전극(15)이 양전압이 되는 캐소드 전압(Vc)(도시하지 않음)을 생성하고 있다. 이 제 3 저항((R22)의 양단에 생성되는 캐소드 전압(Vc)은 바이어스 전압발생부(20)의 출력전압과 합성된다.
여기서, 도 2의 바이어스 전압발생부(20)는 그리드전극(17)에 대해 캐소드전극(15)이 음전압이 되도록 접속되어 있고, 캐소드전극(15)에 음의 출력전압(Vb′)(도시하지 않음)을 인가하고 있다. 그리고, 제 2 저항(R21)과 제 3 저항(R22)의 접속점(b)은 바이어스 전압발생부(20)의 양의 단자에 접속되어 있기 때문에 캐소드전극(15)에는 제 3 저항(R22)의 양단의 전압(캐소드 전압)(Vc)과 바이어스 전압발생부(20)의 출력전압(Vb′)의 차가 공급된다.
그런데, 마이크로포커스 X선관에 있어서는 상기한 바와 같이 캐소드전극(15)과 그리드전극(17) 사이의 바이어스 전압(Vb)에 의해 관전류가 제어된다. 또, 바이어스 전압(Vb)과 포커스 전압(Vf) 사이에는 도 3의 부호(Q)로 나타낸 관계가 있다. 도 3의 횡축은 포커스 전압[V], 종축은 바이어스 전압[V], 직선(Q)은 관전류 차단 바이어스 전압을 나타내고 있다.
도 3에 도시한 바와 같이 관전류 차단 바이어스 전압(Q)을 경계로 하여 그 윗쪽은 관전류가 흐르지 않는 영역, 아래쪽은 관전류가 흐르는 영역이 된다. 바꿔 말하면 임의의 포커스 전압(Vf)에 대해 관전류 차단 바이어스 전압(Q)보다 작은 바이어스 전압(Vb)이 아니면 관전류는 흐르지 않는다. 또, 부호(Q1)는 관전류가 40㎂인 경우를 나타내고 있다.
또, 7의 관계로 알 수 있는 바와 같이, 관전압(Vt)의 동작범위가 예를 들면 0∼80kV인 경우, 포커스 전압(Vf)의 조정범위는 0∼2000V가 된다. 이 경우, 도 3의 관계로부터 관전류가 흐르는 바이어스 전압(Vb)의 조정범위는 예를 들면 0∼150V가 된다. 도 1에 도시한 제 1 실시형태에 있어서는 이와 같은 범위(예를 들면 0∼150V)의 바이어스 전압(Vb)을 그리드전극(17)에 대해 캐소드전극(15)이 양의 전압이 되도록 접속한 바이어스 전압발생부(20)의 출력전압으로 직접적으로 조정하고 있다.
한편, 도 2에 도시한 제 2 실시형태의 분압부(31)에 있어서 제 3 저항(R22)의 양단에 생성되는 전압(캐소드 전압)(Vc)은 포커스 전압(Vf)에 비례한다. 즉, 제 2 저항(R21)과 제 3 저항(R22)의 접속점(b)의 전압(제 3 저항(R22)의 양단의 전압(Vc))은 하기 수학식 3이 되어 포커스 전압(Vf)에 비례하는 것을 알 수 있다.
Figure 112003030058159-pct00003
또, 포커스 전압(Vf)은 관전압(Vt)에 비례하고 있기 때문에 캐소드 전압(Vc)과 관전압(Vt)은 비례관계에 있다.
따라서, 제 2 실시형태의 X선 발생장치에 있어서는 제 3 저항(R22)의 양단에 생성되는 캐소드 전압(Vc)을 이것과 동일 크기의 전압이 캐소드전극(15) 및 그리드전극(17) 사이에 인가된 경우에 관전류가 흐르지 않는 크기, 즉 도 3에 도시한 관전류 차단 바이어스 전압(Q)으로 설정하고, 이 관전류 차단 캐소드 전압(Vc)과 바이어스 전압발생부(20)의 발생전압(Vb′)을 합성하여 캐소드전극(15)에 인가하고 있다. 이 경우, 관전류 차단 캐소드 전압(Vc)은, 예를 들면 관전류 차단 바이어스 전압(Q)(도 3)의 직선을 따라서 변화한다.
또, 도 3에 도시한 관계에서 알 수 있는 바와 같이 관전류를 흐르게 할 경우에는 바이어스 전압발생부(20)의 발생 전압(Vb′)은 관전류 차단 캐소드 전압(Vc)을 낮추는 방향으로만 제어하면 좋다. 즉, 양전압인 관전류 차단 캐소드 전압(Vc)과 음전압인 바이어스 전압발생부(20)의 발생전압(Vb′)을 합성하고, 이것들의 차를 캐소드전극(15)에 바이어스 전압(Vb(Vc-Vb′))으로서 인가하여 관전류를 제어하고 있다.
이 때문에 관전류의 제어에 필요한 바이어스 전압발생부(20)의 발생전압(Vb′)을, 예를 들면 0∼30V의 범위로 할 수 있다. 이와 같은 좁은 범위의 발생전압(Vb′)으로 관전류를 충분히 제어할 수 있다. 따라서 바이어스 전압발생부(20)의 구성이나 제어를 간소화하는 것이 가능해진다. 또, 바이어스 전압발생부(20)가 고장난 경우에 있어서도 캐소드전극(15)에는 관전류 차단 캐소드 전압(Vc)이 분압부(31)로부터 인가되므로 과대한 관전류가 흘러 양극 타겟(14)이 용융하는 사고의 발생을 방지할 수 있다.
여기서, 포커스 전압(Vf)을 변하게 한 경우의 관전류와 바이어스 전압발생부(20)의 발생전압(Vb′)의 관계에 대해 도 4를 참조하여 설명한다. 도 4의 종축은 관전류[㎂], 횡축은 바이어스 전압발생부(20)의 발생전압(Vb′[V])이고, 부호(V1)는 포커스 전압(Vf)이 400V인 경우, 부호(V2)는 포커스 전압이 1000V인 경우이다. 이와 같이 바이어스 전압발생부(20)의 발생전압(Vb′)의 범위가 예를 들면 0∼30V의 좁은 범위라도 관전류를 필요한 범위로 제어할 수 있다.
상기한 제 2 실시형태의 X선발생장치에 의하면 분압부(31)에서 관전압(Vt)을 분압하여 포커스 전압(Vf)을 생성하고 있기 때문에 전자빔의 초점형성에 대해 전압변동의 영향을 적게 할 수 있다. 또, 분압부(31)에서 생성한 관전류 차단 캐소드 전압(Vc)과 바이어스 전압발생부(20)의 발생전압(Vb′)의 차를 바이어스 전압(Vb)으로서 캐소드전극(15)에 인가하고 있기 때문에 바이어스 전압발생부(20)의 구성이나 제어를 간소화할 수 있다.
또, 바이어스 전압발생부(20)가 고장난 경우에 있어서도 캐소드전극(15)에는 관전류차단 캐소드 전압(Vc)이 분압부(31)로부터 인가되므로, 과대한 관전류에 의한 X선관(10)의 특성 열화나 파괴를 방지하는 것이 가능해진다. 즉, X선발생장치의 신뢰성이나 안전성을 대폭 높일 수 있다. 또, 이 실시형태에서는 그리드전극(17)을 접지전위(G)로 설정한 경우에 대해 설명했지만, 예를 들면 양극타겟(14)을 접지전위로 설정한 경우도 동일한 동작이 된다.
계속해서, 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 X선 발생장치에 대해 도 5를 참조하여 설명한다. 도 5는 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 X선 발생장치의 구성을 나타내는 도면이다. 또, 도 5에 있어서 도 1 및 도 2와 대응하는 부분에는 동일부 호를 붙이고 중복되는 설명을 일부 생략한다.
제 3 실시형태의 X선 발생장치는 양극 타겟(14), 즉 애노드(13)가 접지(G)되어 있다. 또, 마이크로포커스 X선관(10)에 공급하는 전원전압을 발생하는 고전압발생부(22) 및 이 고전압발생부(22)를 제어하는 제어부(30) 등이 설치되고, 고전압발생부(22)는 예를 들면 절연물에 수납되어 있다. 분압부(31)의 작용은 상기한 제 2 실시형태와 동일하다.
이 제 3 실시형태에 있어서는 관전압 발생부(19)에서 발생한 음전압이 그리드전극(17)에 인가되어 있다. 또, 관전압 발생부(19)의 출력 전압이 관전압검출부(32)에서 검출된다. 관전압검출부(32)에서 검출된 관전압값(V1)과 설정된 관전압설정값(V0)이 관전압비교부(33)에서 비교된다. 이 비교데이터가 관전압 제어부(34)로 보내지고, 관전압 제어부(34)에 의해 관전압값(V1)과 관전압설정값(V0)이 같아지도록 관전압 발생부(19)가 제어된다.
또, 캐소드전극(15) 및 양극타겟(14) 사이를 흐르는 관전류(I1)는 관전류검출부(35)에서 검출된다. 관전류검출부(35)에서 검출된 관전류값(T1)과 설정된 관전류설정값(I0)이 관전류비교부(36)에서 비교된다. 이 비교데이터가 바이어스 전압제어부(37)로 보내지고, 바이어스 전압제어부(37)에 의해 관전류값(I1)과 관전류설정값(I0)이 같아지도록 바이어스 전압발생부(20)가 제어된다. 히터전압발생부(21)는 히터전압제어부(38)에 의해 제어된다.
상기한 구성을 갖는 X선 발생장치에 있어서, 히터(16)에 의한 가열로 캐소드전극(15)에서 전자(e)가 방출하여 관전류가 흐른다. 캐소드전극(15)에서 방출된 전자빔(e)은 그리드전극(17)에서 관전류가 제어되고, 또 포커스전극(18)에서 집속되어 양극타겟(14) 상에 충돌하고, 양극타겟(14)에서 화살표 Y방향으로 X선이 방출된다.
상기한 제 3 실시형태의 X선 발생장치에 의하면 양극타겟(14)의 전압이 맥동 등에 의해 변화해도 포커스전극(18)에 최적인 포커스 전압을 인가할 수 있다. 이에 의해 양극타겟(14)상에 전자빔의 미소초점을 재현성 좋게 형성하는 것이 가능해진다. 또, 상기한 제 2 실시형태와 마찬가지로 바이어스 전압의 제어범위를 작게 할 수 있고, 간단한 제어회로 고분해능의 관전류를 안정적으로 제어하는 것이 가능해진다.
계속해서 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 X선 발생장치에 대해 도 6을 참조하여 설명한다. 도 6은 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 X선 발생장치의 구성을 나타내는 도면이다. 또, 도 6에 있어서 도 1 및 도 2와 대응하는 부분에는 동일부호를 붙이고, 중복되는 설명을 일부 생략한다.
이 제 4 실시형태의 X선 발생장치는 그리드전극(17)이 접지전위(G)로 되어 있다. 양극타겟(14)과 접지전위(G)사이에는 출력 가변의 관전압 발생부(19)가 접속되어 있고, 양극타겟(14)에는 그리드전극(17)에 대해 양의 관전압(Vt)이 인가된다. 포커스전극(18)과 접지전위(G) 사이에는 출력 가변의 포커스 전압발생부(23)가 접속되어 있고, 포커스전극(18)에는 그리드전극(17)에 대해 양의 포커스 전압(Vf)이 인가된다. 바이어스 전압발생부(20)는 캐소드전극(15)에 음의 전압(출력전압(Vb′)(도시하지 않음))을 인가하도록 캐소드전극(15)과 접지전위(G)사이에 접속되어 있다.
포커스 전압발생부(23)의 양단에는 분압부(41)가 병렬로 접속되어 있다. 이 분압부(41)는 2개의 저항(R21, R22)에 의해 구성되어 있다. 상기 2개의 저항(R21 , R22)은 직렬로 접속되어 있고, 예를 들면 포커스 전압(Vf23)의 전위가 높은 측에서 차례로 제 1 저항(R21) 및 제 2 저항(R22)으로 되어 있다. 그리고, 분압부(41)의 제 1 저항(R21)과 제 2 저항(R22)의 접속점(b)이 바이어스 전압발생부(20)를 통해 캐소드전극(15)에 접속되어 있다.
즉, 분압부(41)는 포커스 전압(Vf)을 제 1 저항(R21)과 제 2 저항(R22)에 기초하여 분압하고, 제 2 저항(R22)의 양단에 그리드전극(17)에 대해 캐소드전극(15)이 양의 전압이 되는 캐소드 전압(Vc)(도시하지 않음)을 생성하고 있다. 이 제 2 저항(R22)의 양단에 생성되는 캐소드 전압(Vc)은 바이어스 전압발생부(20)의 출력전압(Vb′)과 합성된다. 제 1 저항(R21)과 제 2 저항(R22)의 접속점(b)은 바이어스 전압발생부(20)의 양의 단자에 접속되어 있기 때문에 캐소드전극(15)에는 제 2 저항(R22)의 양단의 전압(캐소드 전압)(Vc)과 바이어스 전압발생부(20)의 출력전압(Vb′)의 차가 공급된다.
이 제 4 실시형태의 X선 발생장치에 있어서는 상기한 제 2 실시형태와 마찬가지로 제 2 저항(R22)의 양단에 생성되는 캐소드 전압(Vc)을 이것과 동일 크기의 전압이 캐소드전극(15) 및 그리드전극(17) 사이에 인가된 경우에 관전류가 흐르지 않는 크기로 설정하고 있다. 캐소드전극(15)에는 관전류 차단 캐소드 전압(양전압)(Vc)과 바이어스 전압발생부(20)의 발생전압(음전압)(Vb′)의 차(Vc-Vb′)가 바이어스 전압(Vb)으로서 인가되고, 이 바이어스 전압(Vb(=Vc-Vb′)에 의해 관전류를 제어하고 있다.
이와 같이 제 4 실시형태의 X선 발생장치에 의하면 제 2 실시형태와 마찬가지로 관전류의 제어에 필요한 바이어스 전압발생부(20)의 조정범위를 좁게 할 수 있다. 이에 의해 바이어스 전압발생부(20)의 구성이나 제어를 간소화하는 것이 가능해진다. 또, 바이어스 전압발생부(20)가 고장난 경우에 있어서도 캐소드전극(15)에는 관전류차단 캐소드 전압(Vc)이 분압기(31)로부터 인가되므로 과대한 관전류에 의한 X선관(10)의 특성 열화나 파괴를 방지하는 것이 가능해진다. 즉, X선 발생장치의 신뢰성이나 안전성을 대폭 높일 수 있다.
또, 이 실시형태에서는 그리드전극(17)을 접지전위(G)로 설정한 경우에 대해 설명했지만 예를 들면 양극타겟(14)을 접지전위로 설정한 경우도 동일한 동작이 된다.
본 발명의 X선 발생장치에 의하면 전자빔의 초점 형성에 대한 전압변동의 영향을 억제할 수 있다. 따라서, 양극타겟 상에 전자빔의 미소 초점을 재현성좋게 형성하는 것이 가능해진다. 또, X선 발생장치의 신뢰성이나 안전성을 높일 수 있다. 이와 같은 본 발명의 X선 발생장치는 의료용이나 공업용 진단장치 등으로서 유효하게 이용되는 것이다.

Claims (10)

  1. 전자빔(e)을 생성하는 캐소드전극(15);
    상기 캐소드전극(15)이 생성한 상기 전자빔(e)의 흐름을 제어하는 그리드전극(17);
    상기 전자빔(e)을 집속하는 포커스전극(18);
    상기 포커스전극(18)에 의해 집속된 상기 전자빔(e)의 충돌에 의해 X선을 방출하는 양극타겟(14);
    상기 캐소드전극(15) 및 상기 그리드전극(17) 사이에 인가되는 바이어스 전압(Vb)을 생성하는 바이어스 전압발생부(20);
    상기 양극타겟(14)에 인가되는 관전압(Vt)을 생성하는 관전압 발생부(19); 및
    상기 관전압(Vt)을 분압하여 포커스 전압(Vf)을 생성하고, 이 포커스 전압(Vf)을 상기 포커스전극(18)에 인가하고, 또 상기 포커스 전압(Vf)을 분압하여 캐소드 전압(Vc)을 생성하는 분압부(31)를 구비하며,
    상기 분압부(31)에서 생성한 상기 캐소드 전압(Vc)과 상기 바이어스 전압발생부(20)에서 생성한 상기 바이어스 전압(Vf)을 합성하고, 이 합성한 전압을 상기 캐소드전극(15)에 인가하는 것을 특징으로 하는 X선 발생장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 분압부(31)에서 생성하는 상기 캐소드 전압(Vc)은 동일한 크기의 전압이 상기 캐소드전극(15) 및 상기 그리드전극(17) 사이에 인가된 경우에 관전류가 흐르지 않는 크기로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 X선 발생장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 분압부(31)는 상기 관전압 발생부(19)에 대해 병렬로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 X선 발생장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 분압부(31)는 상기 관전압 발생부(19)의 전위가 높은 측에서 차례로 제 1 저항(R1), 제 2 저항(R21) 및 제 3 저항(R22)이 직렬로 접속되어 구성되어 있고, 상기 제 1 저항(R1)과 상기 제 2 저항(R21)의 접속점(a)이 상기 포커스전극(18)에 접속되고, 상기 제 2 저항(R21)과 상기 제 3 저항(R22)의 접속점(b)이 상기 바이어스 전압발생부(20)의 양의 단자에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 X선 발생장치.
  6. 전자빔(e)을 생성하는 캐소드전극(15)과, 상기 캐소드전극(15)이 생성한 전자빔(e)의 흐름을 제어하는 그리드전극(17)과, 상기 전자빔(e)을 집속하는 포커스전극(18)과, 상기 포커스전극(18)에 의해 집속된 전자빔(e)의 충돌에 의해 X선을 방출하는 양극타겟(14)을 갖는 마이크로포커스 X선관(10);
    상기 캐소드전극(15) 및 상기 그리드전극(17) 사이에 인가되는 바이어스 전압(Vb)을 생성하는 바이어스 전압발생부(20);
    상기 X선관(10)에 흐르는 관전류를 검출하고, 검출한 상기 관전류(11)와 관전류설정값(I0)을 비교하여 상기 바이어스 전압발생부(20)가 생성하는 상기 바이어스 전압(Vb)을 제어하는 바이어스 전압제어부(37);
    상기 양극타겟(14)에 인가되는 관전압을 생성하는 관전압 발생부(19);
    상기 관전압 발생부(19)가 생성하는 상기 관전압을 검출하고, 검출한 상기 관전압(V1)과 관전압설정값(V0)을 비교하여 상기 관전압(Vt)을 제어하는 관전압 제어부(34); 및
    상기 관전압(Vt)을 분압하여 포커스 전압(Vf)을 생성하고, 이 포커스 전압(Vf)을 상기 포커스전극(18)에 인가하고, 또 상기 포커스 전압(Vf)을 분압하여 캐소드 전압(Vc)을 생성하는 분압부(31)를 구비하며,
    상기 분압부(31)에서 생성한 상기 캐소드 전압(Vc)과 상기 바이어스 전압발생부(20)에서 생성한 상기 바이어스 전압(Vb)을 합성하고, 이 합성한 전압을 상기 캐소드전극(15)에 인가하는 것을 특징으로 하는 X선 발생장치.
  7. 삭제
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 분압부(31)에서 생성하는 상기 캐소드 전압(Vc)은 동일한 크기의 전압이 상기 캐소드전극(15) 및 상기 그리드전극(17) 사이에 인가된 경우에 관전류가 흐르지 않는 크기로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 X선 발생장치.
  9. 전자빔(e)을 생성하는 캐소드전극(15);
    상기 캐소드전극(15)이 생성한 상기 전자빔(e)의 흐름을 제어하는 그리드전극(17);
    상기 전자빔(e)을 집속하는 포커스전극(18);
    상기 포커스전극(18)에 의해 집속된 상기 전자빔(e)의 충돌에 의해 X선을 방출하는 양극타겟(14);
    상기 양극타겟에 인가되는 관전압(Vt)을 생성하는 관전압 발생부(19);
    상기 포커스전극(18)에 인가되는 포커스 전압(Vf)을 생성하는 포커스 전압발생부(23);
    상기 캐소드전극(15) 및 상기 그리드전극(17) 사이에 인가되는 바이어스 전압(Vb)을 생성하는 바이어스 전압발생부(20); 및
    상기 포커스 전압(Vf)을 분압하여 캐소드 전압(Vc)을 생성하고, 이 캐소드 전압(Vc)을 상기 바이어스 전압발생부(20)가 생성하는 상기 바이어스 전압(Vb)과 합성하여 상기 캐소드전극(15)에 인가하는 분압부(41)를 구비하는 것을 특징으로 하는 X선 발생장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 분압부(41)에서 생성하는 상기 캐소드 전압(Vc)은 동일한 크기의 전압이 상기 캐소드전극(15) 및 상기 그리드전극(17) 사이에 인가된 경우에 관전류가 흐르지 않는 크기로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 X선 발생장치.
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10352334B4 (de) * 2003-11-06 2010-07-29 Comet Gmbh Verfahren zur Regelung einer Mikrofokus-Röntgeneinrichtung
EP3865864A1 (en) * 2006-02-09 2021-08-18 Leidos Security Detection & Automation, Inc. Radiation scanning systems and methods
US20080095317A1 (en) * 2006-10-17 2008-04-24 General Electric Company Method and apparatus for focusing and deflecting the electron beam of an x-ray device
CN101536135A (zh) * 2006-11-21 2009-09-16 株式会社岛津制作所 X射线发生装置
US9305735B2 (en) 2007-09-28 2016-04-05 Brigham Young University Reinforced polymer x-ray window
JP5201017B2 (ja) * 2009-03-10 2013-06-05 株式会社島津製作所 Ｘ線発生装置、およびそれを備えたｘ線撮影装置
FR2947691B1 (fr) * 2009-07-06 2016-12-16 Gen Electric Procede pour le controle de l'emission d'un faisceau d'electrons dans une cathode, cathode, tube et systeme d'imagerie correspondants
DE102009037688B4 (de) 2009-08-17 2011-06-16 Siemens Aktiengesellschaft Vorrichtung und Verfahren zur Steuerung eines Elektronenstrahls für die Erzeugung von Röntgenstrahlung sowie Röntgenröhre
DE102009038687B4 (de) * 2009-08-24 2015-10-15 Siemens Aktiengesellschaft Vorrichtung sowie Verfahren zur Steuerung eines Elektronenstrahls bei einer Röntgenröhre
DE102009051633B4 (de) * 2009-11-02 2015-10-22 Siemens Aktiengesellschaft Spannungsstabilisierung für gittergesteuerte Röntgenröhren
US8401151B2 (en) * 2009-12-16 2013-03-19 General Electric Company X-ray tube for microsecond X-ray intensity switching
US8526574B2 (en) * 2010-09-24 2013-09-03 Moxtek, Inc. Capacitor AC power coupling across high DC voltage differential
JP5661432B2 (ja) * 2010-11-17 2015-01-28 キヤノン株式会社 Ｘ線発生装置
JP5893350B2 (ja) * 2011-11-10 2016-03-23 キヤノン株式会社 放射線管及びそれを用いた放射線発生装置
CN103260327B (zh) * 2012-02-15 2015-05-20 南京普爱射线影像设备有限公司 用于栅控冷阴极x射线球管的管电流稳流装置
CN103260325A (zh) * 2012-02-15 2013-08-21 南京普爱射线影像设备有限公司 一种用于牙科机栅控冷阴极x射线管的电源装置
US9069092B2 (en) 2012-02-22 2015-06-30 L-3 Communication Security and Detection Systems Corp. X-ray imager with sparse detector array
CN102592927B (zh) * 2012-03-29 2014-10-15 中国科学院西安光学精密机械研究所 一种任意波形x射线发生装置及产生方法
JP5763032B2 (ja) * 2012-10-02 2015-08-12 双葉電子工業株式会社 Ｘ線管
US9484179B2 (en) 2012-12-18 2016-11-01 General Electric Company X-ray tube with adjustable intensity profile
US9224572B2 (en) 2012-12-18 2015-12-29 General Electric Company X-ray tube with adjustable electron beam
TWI456620B (zh) * 2012-12-28 2014-10-11 Delta Electronics Inc X光管電源裝置、具該裝置之電源系統及其操作方法
JP6168770B2 (ja) * 2012-12-28 2017-07-26 キヤノン株式会社 放射線発生ユニット及び放射線撮影システム
US9173623B2 (en) 2013-04-19 2015-11-03 Samuel Soonho Lee X-ray tube and receiver inside mouth
JP6188470B2 (ja) * 2013-07-24 2017-08-30 キヤノン株式会社 放射線発生装置及びそれを用いた放射線撮影システム
JP6441015B2 (ja) * 2014-10-06 2018-12-19 キヤノンメディカルシステムズ株式会社 Ｘ線診断装置及びｘ線管制御方法
KR101648063B1 (ko) * 2015-03-31 2016-08-12 주식회사 쎄크 X선 발생장치 및 그 제어방법
KR101869753B1 (ko) * 2016-10-28 2018-06-22 테크밸리 주식회사 전자빔제어수단을 포함하는 엑스선 발생장치
DE102016222365B3 (de) * 2016-11-15 2018-04-05 Siemens Healthcare Gmbh Verfahren, Computerprogrammprodukt, computerlesbares Medium und Vorrichtung zur Erzeugung von Röntgenpulsen bei einer Röntgenbildgebung
FR3073702A1 (fr) * 2017-11-10 2019-05-17 General Electric Company Systemes permettant d'ameliorer le fonctionnement de generateurs de rayons x
JP6543377B1 (ja) * 2018-04-12 2019-07-10 浜松ホトニクス株式会社 Ｘ線発生装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2844757A (en) * 1956-07-02 1958-07-22 Gen Electric Bias for electron beam apparatus
US3034009A (en) * 1960-01-18 1962-05-08 Gen Electric Pin seal accelerator tubes
US3395311A (en) * 1966-05-23 1968-07-30 Rca Corp Regulated power supply
US3603839A (en) * 1968-06-04 1971-09-07 Victor Company Of Japan Color television picture tube of the single electron gun type
US4104526A (en) * 1973-04-24 1978-08-01 Albert Richard D Grid-cathode controlled X-ray tube
US3962583A (en) * 1974-12-30 1976-06-08 The Machlett Laboratories, Incorporated X-ray tube focusing means
US4007375A (en) * 1975-07-14 1977-02-08 Albert Richard D Multi-target X-ray source
US4334153A (en) 1980-09-29 1982-06-08 General Electric Company X-Ray tube grid bias supply
JPS60254538A (ja) * 1984-05-31 1985-12-16 Toshiba Corp Ｘ線管装置
JPS6224543A (ja) * 1985-07-24 1987-02-02 Toshiba Corp Ｘ線管装置
JPH0682540B2 (ja) * 1986-06-27 1994-10-19 株式会社東芝 厚膜抵抗素子及びそれを内蔵する電子管
EP0251137B1 (en) 1986-06-27 1991-12-04 Kabushiki Kaisha Toshiba A resistor and an electron tube incorporating the same
JPH02276142A (ja) * 1989-04-15 1990-11-13 Toshiba Corp Ｘ線イメージ管
JPH0684664U (ja) * 1993-05-17 1994-12-02 横河電機株式会社 劣化検出機能付きｘ線管
JP2634369B2 (ja) 1993-07-15 1997-07-23 浜松ホトニクス株式会社 Ｘ線装置
JP4026976B2 (ja) * 1999-03-02 2007-12-26 浜松ホトニクス株式会社 Ｘ線発生装置、ｘ線撮像装置及びｘ線検査システム
JP3571568B2 (ja) * 1999-03-03 2004-09-29 日本電子株式会社 質量分析装置のフォーカス電圧源
JP2001167724A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Rigaku Corp Ｘ線発生装置
JP2001273860A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Hitachi Medical Corp マイクロフォーカスｘ線管装置

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