JPS60254538A - Ｘ線管装置 - Google Patents
Ｘ線管装置Info
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- JPS60254538A JPS60254538A JP59111905A JP11190584A JPS60254538A JP S60254538 A JPS60254538 A JP S60254538A JP 59111905 A JP59111905 A JP 59111905A JP 11190584 A JP11190584 A JP 11190584A JP S60254538 A JPS60254538 A JP S60254538A
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- electron beam
- ray tube
- electron
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- H01J35/24—Tubes wherein the point of impact of the cathode ray on the anode or anticathode is movable relative to the surface thereof
- H01J35/30—Tubes wherein the point of impact of the cathode ray on the anode or anticathode is movable relative to the surface thereof by deflection of the cathode ray
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/06—Cathodes
- H01J35/064—Details of the emitter, e.g. material or structure
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/06—Cathodes
- H01J35/066—Details of electron optical components, e.g. cathode cups
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/14—Arrangements for concentrating, focusing, or directing the cathode ray
- H01J35/147—Spot size control
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/14—Arrangements for concentrating, focusing, or directing the cathode ray
- H01J35/153—Spot position control
Landscapes
- X-Ray Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、微小焦点を実現するとともにこの焦゛点の
大きさを比較的相似形のまま任意に変化させうるＸ線管
装置に関する。
大きさを比較的相似形のまま任意に変化させうるＸ線管
装置に関する。
一般にＸｍ管装置は例えばＸ線診断として医療用に利用
されているが、胃の検診などの場合には従来第１図に示
すようなＸ線管が用いられている。このｘｌ管はいわゆ
る回転陽極型といわれるもので、真空外囲器１内に陰極
構体且と傘形陽極ターゲット３が管軸から偏心して対向
配設されている。そして陽極ターゲット３は、ステータ
４により電磁訪導で回転駆動されるロータ５により回転
するようになっている。
されているが、胃の検診などの場合には従来第１図に示
すようなＸ線管が用いられている。このｘｌ管はいわゆ
る回転陽極型といわれるもので、真空外囲器１内に陰極
構体且と傘形陽極ターゲット３が管軸から偏心して対向
配設されている。そして陽極ターゲット３は、ステータ
４により電磁訪導で回転駆動されるロータ５により回転
するようになっている。
従来一般のＸ線管の陰極構体りは第２図に示すように構
成され、集束電極１０２の集束溝１０６内に陰極フィラ
メント１０１が配設されている。この陰極フィラメント
１０１は熱電子を放出するためタングステンコイルから
なり、熱電子を上記集束電極１０２により集束させる。
成され、集束電極１０２の集束溝１０６内に陰極フィラ
メント１０１が配設されている。この陰極フィラメント
１０１は熱電子を放出するためタングステンコイルから
なり、熱電子を上記集束電極１０２により集束させる。
このためフィラメント１０１と集束電極１０２は同電位
とされる。尚、図中、点線１０３は集束電極１０２の近
傍の等電位曲線を表わし、１０４は陰極フィラメントｌ
Ｏ１のほぼ中央部から放出された電子の軌跡を表わし、
１０５は陰極フィラメント１０１の側面に近い所から放
出された電子の軌跡を表わしている。
とされる。尚、図中、点線１０３は集束電極１０２の近
傍の等電位曲線を表わし、１０４は陰極フィラメントｌ
Ｏ１のほぼ中央部から放出された電子の軌跡を表わし、
１０５は陰極フィラメント１０１の側面に近い所から放
出された電子の軌跡を表わしている。
ところで上記従来の陰極構体且においては、陰極フィラ
メント１０ノをほぼ温度制限領域で使用するため、陰極
フィラメント１０ノの近傍の電界を強くする目的で陰極
の一部を集束電極１０２の中に突出させている。このた
め陰極フィラメント１０１の近傍の等電位面は、点線１
０３で示すように陰極フィラメント１０１の中央でふく
らんだ形となり、陰極フィラメント１０１の略側壁から
放出された電子１０５は側方、に向うこととなる。この
電子１０５と、陰極フィラメントｌＯ１の略中央部から
放出されて前方に向う電子１０４とを同一方向に集束さ
せることができなく、図示したようにこれらの軌跡は軸
上で交差する。従って、およそ全ての電子をある程度集
束させた位置では、図示したように双峰性の電子強度分
布１０７を示す。
メント１０ノをほぼ温度制限領域で使用するため、陰極
フィラメント１０ノの近傍の電界を強くする目的で陰極
の一部を集束電極１０２の中に突出させている。このた
め陰極フィラメント１０１の近傍の等電位面は、点線１
０３で示すように陰極フィラメント１０１の中央でふく
らんだ形となり、陰極フィラメント１０１の略側壁から
放出された電子１０５は側方、に向うこととなる。この
電子１０５と、陰極フィラメントｌＯ１の略中央部から
放出されて前方に向う電子１０４とを同一方向に集束さ
せることができなく、図示したようにこれらの軌跡は軸
上で交差する。従って、およそ全ての電子をある程度集
束させた位置では、図示したように双峰性の電子強度分
布１０７を示す。
ところが上記のように、陰極フィラメント１０１から放
出された電子を集束電極１０２によって十分小さく集束
できないので、陽極ターダ、ト３の位置で小さな焦点を
得るためには、小さな陰極を用いる必要がある。従って
、陰極温度を高めないと十分な高密度の電子を得ること
ができず、陰極フィラメント−１０１の信頼性に問題が
あった。
出された電子を集束電極１０２によって十分小さく集束
できないので、陽極ターダ、ト３の位置で小さな焦点を
得るためには、小さな陰極を用いる必要がある。従って
、陰極温度を高めないと十分な高密度の電子を得ること
ができず、陰極フィラメント−１０１の信頼性に問題が
あった。
又、陽極ターゲット３の位置での電子の進行方向が揃わ
ないため、微小焦点が得られず、また電子分布にシャー
プさがなく、所望した電子分布を得ることができない。
ないため、微小焦点が得られず、また電子分布にシャー
プさがなく、所望した電子分布を得ることができない。
このために十分な高解像度を得ることと、陽極ターゲッ
ト３上での電子入射による温度上昇の最高値を低下させ
て、入射電子量を増大させることとを両立させることが
できない。これらは、陽極ターグツト３から発生するＸ
線によって投影画像を作る場合に、解像度の増大とフオ
トレノイズの減少の防害となり、十分に鮮明な画像を得
ることができない。
ト３上での電子入射による温度上昇の最高値を低下させ
て、入射電子量を増大させることとを両立させることが
できない。これらは、陽極ターグツト３から発生するＸ
線によって投影画像を作る場合に、解像度の増大とフオ
トレノイズの減少の防害となり、十分に鮮明な画像を得
ることができない。
この欠点を除去する方法としては、平板状の陰極フィラ
メントを使用することが考えられる。
メントを使用することが考えられる。
この例として特開昭５５−６８０５６号公報に開示され
る提案がある。
る提案がある。
このような帯状平板からなる陰極フィラメントを有する
第３図の従来例について述べ′る。同図中の符号２０１
は帯状平板からなり口状に形成された陰極フィラメント
で、フィラメント支柱（図示せず）Ｋ取付けられており
、通電により直熱され熱電子を放出する。２０２は集束
溝の深さく６）が浅い集束電極であり、上記陰極フィラ
メント２０１から出てきた電子を集束する。
第３図の従来例について述べ′る。同図中の符号２０１
は帯状平板からなり口状に形成された陰極フィラメント
で、フィラメント支柱（図示せず）Ｋ取付けられており
、通電により直熱され熱電子を放出する。２０２は集束
溝の深さく６）が浅い集束電極であり、上記陰極フィラ
メント２０１から出てきた電子を集束する。
２０３は集束電極２０２の近傍の等電位曲線である。２
０８で示す陽極ター’ｉ” ｙ ）は陰極フィラメント
２０１及び集束電極２０２に対して正の高電位に保たれ
、その位置は集束電極２０２の電子レンズの焦点距離ｆ
と等しくしである。
０８で示す陽極ター’ｉ” ｙ ）は陰極フィラメント
２０１及び集束電極２０２に対して正の高電位に保たれ
、その位置は集束電極２０２の電子レンズの焦点距離ｆ
と等しくしである。
ところがこの従来例では、以下に述べる欠点を有してい
る。その第１は、電子の集束に限界があることである。
る。その第１は、電子の集束に限界があることである。
即ち、陽極ターゲット２０８上の電子ビームの広がりの
幅Ｗは Ｗ＝２ｆ＠”ｉノ可 ・・・・・・・◆・（１）で与え
られることが知られている。ここで、ｖ。
幅Ｗは Ｗ＝２ｆ＠”ｉノ可 ・・・・・・・◆・（１）で与え
られることが知られている。ここで、ｖ。
は電子の初速エネルギー（ｅｖ）でｖａは陽極電位でち
る。ところが実際に使用される値を考えると、ｆ ＝
１５ ｔｔｍ、Ｖｏ＝０．２ ｅＶ 、Ｖ８＝ ３０ｋ
ｅＶを上式（１）に代入すると、Ｗ＝ ０．０８ ｖａ
ｎとなり、十分な微小焦点が得られない。
る。ところが実際に使用される値を考えると、ｆ ＝
１５ ｔｔｍ、Ｖｏ＝０．２ ｅＶ 、Ｖ８＝ ３０ｋ
ｅＶを上式（１）に代入すると、Ｗ＝ ０．０８ ｖａ
ｎとなり、十分な微小焦点が得られない。
欠点の第２は、陰極フィラメント２０１の側面から出た
電子２０５が中央から出た電子２０４とその軌道が大き
く異なシ、陽極ターゲット２０８上の電子分布２０７は
、図示したごとく副焦点を持つことになる。この原因は
、第３図と同一箇所に同一符号を付した第４図に示す如
く、帯状平板からなる陰極アイ２メン１２０１の端部よ
り出た電子の軌跡は線２０９の如くになる。なお点線２
１θはこの陰極フィラメント２０１の表面にごく近い位
置での等電位曲線を表わす。２１０は図示したように陰
極フィラメント２０１の端部と集束電極２０２との間隙
２１１で凹形分布となり、局部的な凹レンズを形成する
。このために、陰極フイラメン） ２０１の端部近傍か
ら発した電子の軌跡２θ９は、等電位曲＃２１０が一様
な場合よりも集束電極２、０２の壁に近づく。一方、集
束電極２０２内の等電位曲＃２０３は集束電極２０２の
壁に近い部分において、集束電極２０２の中央部におけ
るよりも曲率が大きくなり、軌跡２０９は２０４よシも
焦点距離が短かくなり収差を生じる。このようにして十
分な集束度を得ることができない。電流値が大きい場合
には、空間電荷の影響で上記の値よりも大きな幅Ｗを有
している。
電子２０５が中央から出た電子２０４とその軌道が大き
く異なシ、陽極ターゲット２０８上の電子分布２０７は
、図示したごとく副焦点を持つことになる。この原因は
、第３図と同一箇所に同一符号を付した第４図に示す如
く、帯状平板からなる陰極アイ２メン１２０１の端部よ
り出た電子の軌跡は線２０９の如くになる。なお点線２
１θはこの陰極フィラメント２０１の表面にごく近い位
置での等電位曲線を表わす。２１０は図示したように陰
極フィラメント２０１の端部と集束電極２０２との間隙
２１１で凹形分布となり、局部的な凹レンズを形成する
。このために、陰極フイラメン） ２０１の端部近傍か
ら発した電子の軌跡２θ９は、等電位曲＃２１０が一様
な場合よりも集束電極２、０２の壁に近づく。一方、集
束電極２０２内の等電位曲＃２０３は集束電極２０２の
壁に近い部分において、集束電極２０２の中央部におけ
るよりも曲率が大きくなり、軌跡２０９は２０４よシも
焦点距離が短かくなり収差を生じる。このようにして十
分な集束度を得ることができない。電流値が大きい場合
には、空間電荷の影響で上記の値よりも大きな幅Ｗを有
している。
又１集束電極をフィラメントと同電位とした上で、より
一層集束効果を持たせるために集束電極２０２の深さＨ
を大きくしてｆを小さくする場合には、陰極フィラメン
ト２０１の近傍の電界が弱くなり、空間電荷制限状態と
なって陽極電位によって電流値が変化する。又、陽極電
圧ｖａが３０ｋＶ程度では、電流値が１０ｍＡ以上とれ
ない場合がある。
一層集束効果を持たせるために集束電極２０２の深さＨ
を大きくしてｆを小さくする場合には、陰極フィラメン
ト２０１の近傍の電界が弱くなり、空間電荷制限状態と
なって陽極電位によって電流値が変化する。又、陽極電
圧ｖａが３０ｋＶ程度では、電流値が１０ｍＡ以上とれ
ない場合がある。
なお、集束電極２０２又は少し前方に浅い集束溝をもつ
電極を置きこれに陰極フィラメント２０１に対して正の
バイアス電圧を印加する例もあるが、この場合には、陰
極フィラメントの長手方向（第３図と直角の方向）Ｋお
ける電子ビームの集束性が悪くなることが考えられる。
電極を置きこれに陰極フィラメント２０１に対して正の
バイアス電圧を印加する例もあるが、この場合には、陰
極フィラメントの長手方向（第３図と直角の方向）Ｋお
ける電子ビームの集束性が悪くなることが考えられる。
もつとも、前記公開公報に示される技術−は焦点形状の
相似的変化を得る目的での実現方策は何ら示されていな
い。
相似的変化を得る目的での実現方策は何ら示されていな
い。
この発明の目的は、陽極ターゲット上で十分小さな焦点
が得られ、しかも電子ビーム整形電極のバイアス電位に
より焦点形状を相似的に且つ大きさを任意に変えうるＸ
線管装置を提供することである。
が得られ、しかも電子ビーム整形電極のバイアス電位に
より焦点形状を相似的に且つ大きさを任意に変えうるＸ
線管装置を提供することである。
この発明は、真空外囲器内に陽極ターゲットおよび陰極
構体が相対向して設けられ、上記陰極構体が平板状フィ
ラメントおよびその前方に電子ビーム制限孔および集束
溝を有する電子ビーム整形電極が絶縁して配設されてな
るＸ線管と、このＸ線管の上記フィラメントに対して電
子ビーム整形電極に正のバイアス電位を与えるバイアス
電源とを具備し、上記電子ビーム整形電極と陽極ターゲ
ツト面との対向面間の距離ｄ。
構体が相対向して設けられ、上記陰極構体が平板状フィ
ラメントおよびその前方に電子ビーム制限孔および集束
溝を有する電子ビーム整形電極が絶縁して配設されてな
るＸ線管と、このＸ線管の上記フィラメントに対して電
子ビーム整形電極に正のバイアス電位を与えるバイアス
電源とを具備し、上記電子ビーム整形電極と陽極ターゲ
ツト面との対向面間の距離ｄ。
と集束溝の深さｄ２との比が、
ｓ
０．５≦−≦３．０
ｄ。
を満足する関係に設定されてなることを特徴とするＸ線
管装置である。
管装置である。
この発明を例えば乳房撮影用として陽極電圧３０ｋＶ、
最大陽極電流２０ ｍ Ａ％Ｘ線焦点が５０μｍ乃至１
鵡の範囲を変えられるＸ線管に適用した場合を例に示す
。これは第５図（ａ） ＃ （ｂ） ｊ （ｅ） Ｆ（
ｄ）に示すように構成され、Ｘ線管の図示しない真空外
囲器内に陽極ターゲット３及びこれに対向して陰極構体
り互Ｊが設けられている。この陰極構体は、直熱型陰極
フィラメント３０１がフィラメント支柱３０２．３０２
に取付けられている。この場合、陰極フィラメント３０
１は帯状平板、例えば幅Ｄ が約２ｍで、厚さが０．０
３園程度のタングステン薄板からなシ、中央部が電子放
射面３０１＆となるように平坦に形成され、その両側は
直角に折曲げられて脚部となシ、さらにＵ字状に曲げら
れて折返し部３０ ｌ ｂ、３０ ｌ ｂが形成され、
各端部は外方へ直角に延長され上記電子放射面３０１ａ
に近い高さのところでフィラメント支柱３０２，３０２
に取付けられ電気的に接続されている。
最大陽極電流２０ ｍ Ａ％Ｘ線焦点が５０μｍ乃至１
鵡の範囲を変えられるＸ線管に適用した場合を例に示す
。これは第５図（ａ） ＃ （ｂ） ｊ （ｅ） Ｆ（
ｄ）に示すように構成され、Ｘ線管の図示しない真空外
囲器内に陽極ターゲット３及びこれに対向して陰極構体
り互Ｊが設けられている。この陰極構体は、直熱型陰極
フィラメント３０１がフィラメント支柱３０２．３０２
に取付けられている。この場合、陰極フィラメント３０
１は帯状平板、例えば幅Ｄ が約２ｍで、厚さが０．０
３園程度のタングステン薄板からなシ、中央部が電子放
射面３０１＆となるように平坦に形成され、その両側は
直角に折曲げられて脚部となシ、さらにＵ字状に曲げら
れて折返し部３０ ｌ ｂ、３０ ｌ ｂが形成され、
各端部は外方へ直角に延長され上記電子放射面３０１ａ
に近い高さのところでフィラメント支柱３０２，３０２
に取付けられ電気的に接続されている。
このような陰極フィラメント３０１を取囲むように、円
形カップ状の電子ビーム整形電極３０３が配設され、こ
の電子ビーム整形電極３０３に上記フィラメント支柱３
０２，３０２が絶縁性支持体（図示せず）を介して固定
されている。電子ビーム整形電極３０３には、上記、陰
極フィラメント３０１の電子放射面３０１ａに対向して
、電子ビーム制限孔３０４が形成されている。この電子
ビーム制限孔３０４は、上記電子放射面３０１ａの面積
より小さい面積の例えは長方形にして、電子放射面３０
１１Ｌの約０．７ ｔｔａｎ（寸゛法ｄ１）前方に位置
しており、電子放射面３０１＆側の開口面は電子放射面
３０１ａと実質的に平行となっている。このような電子
ビーム制限孔３０４に沿って、更に集束溝３０５が電子
ビーム整形電極３０３に連設されている。この集束溝３
０５は上記電子ビーム制限孔３０４より径大な例えば長
方形にして、電子ビーム制限孔３０４、電子放射面３０
１ａと共に同軸的に形成され深さｄ２が十分深い寸法に
形成されている。
形カップ状の電子ビーム整形電極３０３が配設され、こ
の電子ビーム整形電極３０３に上記フィラメント支柱３
０２，３０２が絶縁性支持体（図示せず）を介して固定
されている。電子ビーム整形電極３０３には、上記、陰
極フィラメント３０１の電子放射面３０１ａに対向して
、電子ビーム制限孔３０４が形成されている。この電子
ビーム制限孔３０４は、上記電子放射面３０１ａの面積
より小さい面積の例えは長方形にして、電子放射面３０
１１Ｌの約０．７ ｔｔａｎ（寸゛法ｄ１）前方に位置
しており、電子放射面３０１＆側の開口面は電子放射面
３０１ａと実質的に平行となっている。このような電子
ビーム制限孔３０４に沿って、更に集束溝３０５が電子
ビーム整形電極３０３に連設されている。この集束溝３
０５は上記電子ビーム制限孔３０４より径大な例えば長
方形にして、電子ビーム制限孔３０４、電子放射面３０
１ａと共に同軸的に形成され深さｄ２が十分深い寸法に
形成されている。
そして集束溝３０５の底面は制限孔３０４にかけてチー
／ｆ状に形成されている。このテーパ面の軸Ｃ）方向に
沿う寸法は深さｄ２に対して数分の１以下のわずかな寸
法となるように形成されている。
／ｆ状に形成されている。このテーパ面の軸Ｃ）方向に
沿う寸法は深さｄ２に対して数分の１以下のわずかな寸
法となるように形成されている。
さて、ターグット３が、電子ビームｅの中心軸（この例
では管軸Ｃと一致する）とターグツト面とが交わる角度
をβとし、ターグツト面とＸ線をとり出す方向のＸ線放
射軸Ｘとの交わる角度をθとする。またターゲツト面上
の電子ビーム断面形状ｅ。の短辺をｔＸ、長辺を１．と
する。
では管軸Ｃと一致する）とターグツト面とが交わる角度
をβとし、ターグツト面とＸ線をとり出す方向のＸ線放
射軸Ｘとの交わる角度をθとする。またターゲツト面上
の電子ビーム断面形状ｅ。の短辺をｔＸ、長辺を１．と
する。
そしてＸ線放射軸方釣からみた焦点形状Ｘ。が、当該分
野で広く認められているように長辺と短辺との比が１４
以下に保たれるようにする場合を考える。この比が１．
０となれば焦点形状が正方形であり最も好ましい状態で
ある。そのようになるために、ターゲツト面上の電子ビ
ーム射突面形状が次の条件を満足するように設定される
。
野で広く認められているように長辺と短辺との比が１４
以下に保たれるようにする場合を考える。この比が１．
０となれば焦点形状が正方形であり最も好ましい状態で
ある。そのようになるために、ターゲツト面上の電子ビ
ーム射突面形状が次の条件を満足するように設定される
。
なお、上記のようにＸ線放射軸方向からみた焦点形状は
、短、長辺比が約１．４マで許容されるので、ビーム焦
点ｅ０の長、短辺比は次の範囲にあれば十分である。
、短、長辺比が約１．４マで許容されるので、ビーム焦
点ｅ０の長、短辺比は次の範囲にあれば十分である。
そして所定ビーム電流において最小の焦点（例えば−辺
が５０μｍ）を得るとき、ビームウェストすなわち電子
ビームｅの断面寸法が最小となる位置が丁度ターグツト
面に一致するように形成されている。なお、電子ビーム
ｅはビームウェストの下流では電子の相互反発で次第に
広がり、断面寸法が増大してゆく。なおビーム焦点形状
の長手方向がＸ線放射軸Ｘと一致する方向にする。
が５０μｍ）を得るとき、ビームウェストすなわち電子
ビームｅの断面寸法が最小となる位置が丁度ターグツト
面に一致するように形成されている。なお、電子ビーム
ｅはビームウェストの下流では電子の相互反発で次第に
広がり、断面寸法が増大してゆく。なおビーム焦点形状
の長手方向がＸ線放射軸Ｘと一致する方向にする。
そこで、ターグツト上のビーム焦点ｅの電流密度分布が
均一となるようにするために、ビーム焦点ｅ０の形状と
ビーム整形電極３０３のビーム制限孔３０４の平面形状
を相似形とする。細長い制限孔３０４を出た電子ビーム
が、その短手方向Ｘも長手方向ｙも、ともにターゲット
面一ヒにビームウェスト位置が一致するようにしなくて
はならない。これを溝道する次めに、各部の寸法を次の
ように設定している。
均一となるようにするために、ビーム焦点ｅ０の形状と
ビーム整形電極３０３のビーム制限孔３０４の平面形状
を相似形とする。細長い制限孔３０４を出た電子ビーム
が、その短手方向Ｘも長手方向ｙも、ともにターゲット
面一ヒにビームウェスト位置が一致するようにしなくて
はならない。これを溝道する次めに、各部の寸法を次の
ように設定している。
まず、集束溝３０５の深さ寸法ｄ２は、製作が容易とな
るようにＸ方向にもＸ方向にも等しい寸法にしてあり、
この電極３０３からターゲット焦点位置までの距離ｄ３
に対して１／？３乃至１／１．５の範囲となるように構
成する。すなわちまた、制限孔３０４と集束溝３０５の
平面形状、寸法関係を次のように定めている。制限孔の
開口長辺をＤｙ、短辺をＤＸとし、また矩形状集束溝の
長辺をＳｙ、短辺をＳＸとして、Ｓｙ／ＤｙをＰ１ＳＸ
／ＤｘをＱとしたとき、 ０．７＜すく１．０ となる範囲に設定している。つ壕り、制限孔の矩形に対
して集束溝はその長辺寸法が相対的に短かくなるように
している。なお、制限孔３０４の側壁の厚さは、溝３０
５の深さｄ２の１／１０以下、好ましくは１／」程度に
極めて薄く形成しである。
るようにＸ方向にもＸ方向にも等しい寸法にしてあり、
この電極３０３からターゲット焦点位置までの距離ｄ３
に対して１／？３乃至１／１．５の範囲となるように構
成する。すなわちまた、制限孔３０４と集束溝３０５の
平面形状、寸法関係を次のように定めている。制限孔の
開口長辺をＤｙ、短辺をＤＸとし、また矩形状集束溝の
長辺をＳｙ、短辺をＳＸとして、Ｓｙ／ＤｙをＰ１ＳＸ
／ＤｘをＱとしたとき、 ０．７＜すく１．０ となる範囲に設定している。つ壕り、制限孔の矩形に対
して集束溝はその長辺寸法が相対的に短かくなるように
している。なお、制限孔３０４の側壁の厚さは、溝３０
５の深さｄ２の１／１０以下、好ましくは１／」程度に
極めて薄く形成しである。
前述の動作条件で好ましい各部の寸法例を示すと次のよ
うになる。
うになる。
Ｄ＝１．２咽 Ｄｙ＝ ３．０端
Ｓ ＝ ５．２ｍ Ｓｙ＝ １２．０ｍ＋ｄ、＝４．１
６ ｄｌ＝７．４ｍｍ 制限開口の側壁厚さ＝０．２ｔｌＩＩＩＩ β＝７０°
、θ＝２００そしてフィラメント３０１にフィラメント
電源３０６から加熱電力を与え直熱する。またフィラメ
ントに対してビーム整形電極３０ ’３に正の５０〜１
００ＯＶの範囲を可変できるバイアス電＠３０７からバ
イアス電位を与え、さらに陽極ターグット３に正の３０
ｋＶ程度の陽極電圧を電源３０８から与えて動作させ
る。これによってバイアス電位が約２００Ｖ付近で電子
ビームｅのビームウェストがターグツト面に合致する。
６ ｄｌ＝７．４ｍｍ 制限開口の側壁厚さ＝０．２ｔｌＩＩＩＩ β＝７０°
、θ＝２００そしてフィラメント３０１にフィラメント
電源３０６から加熱電力を与え直熱する。またフィラメ
ントに対してビーム整形電極３０ ’３に正の５０〜１
００ＯＶの範囲を可変できるバイアス電＠３０７からバ
イアス電位を与え、さらに陽極ターグット３に正の３０
ｋＶ程度の陽極電圧を電源３０８から与えて動作させ
る。これによってバイアス電位が約２００Ｖ付近で電子
ビームｅのビームウェストがターグツト面に合致する。
そしてターダット面上の電子ビーム焦点ｅの大きさは、
短辺ｔｘが約５０１１ｍ ｓ長辺／−ｙが約１２５μｍ
となり、Ｘ線放射軸Ｘの方向からみた実効焦点Ｘ０は一
辺が約５０相のほぼ正方形となり、均等な電子密度分布
が得られた。
短辺ｔｘが約５０１１ｍ ｓ長辺／−ｙが約１２５μｍ
となり、Ｘ線放射軸Ｘの方向からみた実効焦点Ｘ０は一
辺が約５０相のほぼ正方形となり、均等な電子密度分布
が得られた。
また、バイアス電位を５０Ｖから１００ＯＶの範囲で変
化することにより焦点形状をほぼ相似的にして大きさを
一辺が約５０μｍから約１■の寸法まで変化させること
ができた。
化することにより焦点形状をほぼ相似的にして大きさを
一辺が約５０μｍから約１■の寸法まで変化させること
ができた。
しかも上述の各寸法関係の範囲にすることにより、陽極
電圧を最大１５０ｋＶ、陽極電流を２００ｍＡまでの範
囲で使用するＸ線管に適用して、実効焦点を長、短辺比
が約１．４以下にとどめることができた。バイアス電位
と電子ビーム焦点の短辺ｔＸ９長辺ｔｙの関係は第６図
に示すようになり、Ｘ線実効焦点Ｘ０の辺の比はおよそ
１．４以下にとどめることができる。
電圧を最大１５０ｋＶ、陽極電流を２００ｍＡまでの範
囲で使用するＸ線管に適用して、実効焦点を長、短辺比
が約１．４以下にとどめることができた。バイアス電位
と電子ビーム焦点の短辺ｔＸ９長辺ｔｙの関係は第６図
に示すようになり、Ｘ線実効焦点Ｘ０の辺の比はおよそ
１．４以下にとどめることができる。
上記実施１３’ｌＪの電子ビーム集束状部を電子計算機
によるシミュレーションの結果を第７図に示して説明す
る。即ち、第７図は第５図（ａ）に相当する断面図であ
る。そして、既述のように陰極フィラメント３０１は幅
が略２ｍ程度で、厚さが０．０３ｍｍ程度のタングステ
ン薄板からできており、フィラメント支柱３０２を通し
て通電され加熱される。陰極フィラメント３０１の表面
から放出された熱電子は、電子ビーム制限孔３０４と陰
極フィラメント３０１の間に印加されたバイアス電圧に
よってできる電界によって加速され、電子ビーム制限孔
３０４に到達する。
によるシミュレーションの結果を第７図に示して説明す
る。即ち、第７図は第５図（ａ）に相当する断面図であ
る。そして、既述のように陰極フィラメント３０１は幅
が略２ｍ程度で、厚さが０．０３ｍｍ程度のタングステ
ン薄板からできており、フィラメント支柱３０２を通し
て通電され加熱される。陰極フィラメント３０１の表面
から放出された熱電子は、電子ビーム制限孔３０４と陰
極フィラメント３０１の間に印加されたバイアス電圧に
よってできる電界によって加速され、電子ビーム制限孔
３０４に到達する。
この際、陰極フィラメント３０１０表面と電子ビーム制
限孔３０４の表面が略平行となっているため、その間の
等電位曲線３１０は略平行となり、電子ビーム制限孔３
０４の端部を通る電子軌道をあまり乱さない。又、陰極
フィラメント３０ノの端部及び側面よシ出た電子３１２
は電子ビーム制限孔３０４の壁に吸収され、集束溝３０
５に入らない。
限孔３０４の表面が略平行となっているため、その間の
等電位曲線３１０は略平行となり、電子ビーム制限孔３
０４の端部を通る電子軌道をあまり乱さない。又、陰極
フィラメント３０ノの端部及び側面よシ出た電子３１２
は電子ビーム制限孔３０４の壁に吸収され、集束溝３０
５に入らない。
従って、陰極フィラメント３０１の中央部より出たフリ
ンジング効果を含まない電子ビームのみ陽極ターグット
３に達することになる。電子ビーム制限孔３０４と陰極
フィラメント３０１の距離ｄｌは、陰極フィラメント３
０１の表面から出た電子がバイアス電圧によって温度制
限領域で動作するように決められている。従って、電子
ビーム制限孔３０４を通過する電子の量は、陰極フィラ
メント３０ノの温度のみによって決まシ、陽極ターケ゛
ット３上での電子密度分布の大きさは、バイアス電圧に
よって電流値と独立に可変できるようになっている。電
子ビーム制限孔３０４によって制限された電子３１２は
内壁３１３を加熱するが、内壁３１３は電子ビーム整形
電極３０３の放射方向にテーパ状に厚くなっており、十
分熱伝導を良くして局部過熱とならない。電子ビーム制
限孔３０４を通過した電子は、距離ｄｌを通過する間に
、その間の凹レンズ作用によって拡散させられるが、そ
の電子ビーム密度は極めて均一となっている。この電子
ビームは、十分深くて強い凸レンズ作用を有する集束溝
３０５によって強く集束され、短径、長径の両方ともそ
のビームウェストが陽極ターグット３の表面に位置する
。
ンジング効果を含まない電子ビームのみ陽極ターグット
３に達することになる。電子ビーム制限孔３０４と陰極
フィラメント３０１の距離ｄｌは、陰極フィラメント３
０１の表面から出た電子がバイアス電圧によって温度制
限領域で動作するように決められている。従って、電子
ビーム制限孔３０４を通過する電子の量は、陰極フィラ
メント３０ノの温度のみによって決まシ、陽極ターケ゛
ット３上での電子密度分布の大きさは、バイアス電圧に
よって電流値と独立に可変できるようになっている。電
子ビーム制限孔３０４によって制限された電子３１２は
内壁３１３を加熱するが、内壁３１３は電子ビーム整形
電極３０３の放射方向にテーパ状に厚くなっており、十
分熱伝導を良くして局部過熱とならない。電子ビーム制
限孔３０４を通過した電子は、距離ｄｌを通過する間に
、その間の凹レンズ作用によって拡散させられるが、そ
の電子ビーム密度は極めて均一となっている。この電子
ビームは、十分深くて強い凸レンズ作用を有する集束溝
３０５によって強く集束され、短径、長径の両方ともそ
のビームウェストが陽極ターグット３の表面に位置する
。
又、集束溝３０５はその内部の等電位曲線３１４が中央
部の電子軌跡３１５と端部の電子軌跡３１ノで収差をほ
とんど生じない０以上、第５図−）に示す長辺がわにつ
いて述べたが、第５図（ｂ）に示す短辺がわでも同様の
動作が得られる。
部の電子軌跡３１５と端部の電子軌跡３１ノで収差をほ
とんど生じない０以上、第５図−）に示す長辺がわにつ
いて述べたが、第５図（ｂ）に示す短辺がわでも同様の
動作が得られる。
この発明によれば、次のような優れた効果が得られる。
■ 陰極フィラメント３０ノの中央部からの電子のみを
加速するため、収差の少ないエツジがシャープな微小焦
点を得ることができる。
加速するため、収差の少ないエツジがシャープな微小焦
点を得ることができる。
又、陰極フィラメント３０ノの側面から出た電子ビーム
が、電子ビーム制限孔３０４にてカットされるため、副
焦点を生じない。
が、電子ビーム制限孔３０４にてカットされるため、副
焦点を生じない。
■ Ｘ線焦点の形状を常にほぼ一定に保ちながら、その
大きさをバイアス電圧の制御によってｆｌｕｆｆ御でき
る。そして陽陰′工流を増大し“でも焦点形状および電
子密度分布が劣化しない。
大きさをバイアス電圧の制御によってｆｌｕｆｆ御でき
る。そして陽陰′工流を増大し“でも焦点形状および電
子密度分布が劣化しない。
ところで上記実施例によれば、陰極フィラメント３０ノ
の熱変形が少なく、熱電子放出面３０１ａの温度が均一
であるため、安定した動作を行なう。即ち、第８図は従
来の帯状平板からなる陰極フィラメント２０ノであり、
フィラメント支柱２０６に取付けられているが、通電に
より陰極フィラメント２０１の温度が高くなると、その
熱膨張によυ破線２０１′で示すように、中央部（熱電
子放出［）が弯曲すると共に上方に大きくずれるため、
上記特性の安定性が得られない。しかし、この発明では
第９図に示すように、陰極フィラメント３０１の脚部の
熱膨張は折返し部３０１ｂ、３０１ｂによって殆ど打ち
消され、破線で示すように熱電子放出面３０１ａの移動
が少ない。又、熱電子放出面３０１ａの膨張は脚部の折
返し部３０１ｂ、３０１ｂで吸収されるため、弯曲する
ことはない。更に、脚部の強度が十分あり、自身の重量
が少ないため、外部振動によるゆれも少ない。このよう
にして、電子集束特性を常に良好に保つことができる。
の熱変形が少なく、熱電子放出面３０１ａの温度が均一
であるため、安定した動作を行なう。即ち、第８図は従
来の帯状平板からなる陰極フィラメント２０ノであり、
フィラメント支柱２０６に取付けられているが、通電に
より陰極フィラメント２０１の温度が高くなると、その
熱膨張によυ破線２０１′で示すように、中央部（熱電
子放出［）が弯曲すると共に上方に大きくずれるため、
上記特性の安定性が得られない。しかし、この発明では
第９図に示すように、陰極フィラメント３０１の脚部の
熱膨張は折返し部３０１ｂ、３０１ｂによって殆ど打ち
消され、破線で示すように熱電子放出面３０１ａの移動
が少ない。又、熱電子放出面３０１ａの膨張は脚部の折
返し部３０１ｂ、３０１ｂで吸収されるため、弯曲する
ことはない。更に、脚部の強度が十分あり、自身の重量
が少ないため、外部振動によるゆれも少ない。このよう
にして、電子集束特性を常に良好に保つことができる。
上記実施例では、電子ビーム制限孔３０４及び集束溝３
０５はいずれも長方形に形成されていたが、第１０図に
示すように、電子ビーム制限孔３０４及び集束溝３０５
をいずれも楕円形に形成してもよい。そしてそれらの短
径ＤＸ、ＳＸ。
０５はいずれも長方形に形成されていたが、第１０図に
示すように、電子ビーム制限孔３０４及び集束溝３０５
をいずれも楕円形に形成してもよい。そしてそれらの短
径ＤＸ、ＳＸ。
長径Ｄｙ、Ｓｙを前述の関係式の範囲を満足するように
構成する。これにより上記実施例と同様効果が得られる
。この場合、陽極ターグツト上での電子ビーム焦点は長
軸が短軸の１７ｓ＊０ になる楕円形となる。従って、
Ｘ線管のＸ線放射口から見たＸ＃ｊ焦点Ｘ０はほぼ真円
形となる。又、ノクイアス電圧を変えた場合は、Ｘ線焦
点は常に円形を保ちながらその大きさを変えることにな
る。
構成する。これにより上記実施例と同様効果が得られる
。この場合、陽極ターグツト上での電子ビーム焦点は長
軸が短軸の１７ｓ＊０ になる楕円形となる。従って、
Ｘ線管のＸ線放射口から見たＸ＃ｊ焦点Ｘ０はほぼ真円
形となる。又、ノクイアス電圧を変えた場合は、Ｘ線焦
点は常に円形を保ちながらその大きさを変えることにな
る。
上記した関係はバイアス電圧等の設定条件を変れる。
尚、上記実施例及び変形例において、陰極フィラメント
３０１の脚部の幅は、′亀子放出面３０１ａよりも広く
てもよい。
３０１の脚部の幅は、′亀子放出面３０１ａよりも広く
てもよい。
又、電子ビーム制限孔３０４，３０７と集束溝３０５，
３０８とは必ずしも一体構造である必要はない。
３０８とは必ずしも一体構造である必要はない。
又、陰極フィラメント３０ノの電子放出面３０１ａの幅
は、電子ビーム制限孔３０４，３０７の幅よりも狭くて
も、上記と同様の効果を持たせることができる。
は、電子ビーム制限孔３０４，３０７の幅よりも狭くて
も、上記と同様の効果を持たせることができる。
又、管電流が変化した場合に、それに対応してバイアス
電圧を変えることによって、管電流の変化にも拘らず、
所望の焦点の大きさを得ることができる。
電圧を変えることによって、管電流の変化にも拘らず、
所望の焦点の大きさを得ることができる。
第１図は従来のＸ線管を示す概略構成図、第２図及び第
３図は従来の陰極構体の２例を示す断面図、第４図は第
３図の陰極構体における欠点を説明するために用いる断
面図、第５図（ａ）。 （ｂ） ｔ （ｅ） Ｆ （ｄ）はこの発明の一実施例
に係るＸ線管を示す各々の断面図、上面図および要部斜
視図、第６図はこの発明のＸ線管におけるバイアス電圧
と陽極ターゲット上での電子ビーム焦点の辺長さとの関
係を示す特性曲線図、第７図はこの発明のＸ線管の動作
モードを説明するために用いる断面図、第８図は従来の
フィラメント構造図、第９図はこの発明におけるフィラ
メントを示す概略断面図、第１０図はこの発明の変形例
を示す平面図である。 １・・・真空外囲器、旦・・・陰極構体、３・・・陽極
ターグツ）１，９１７＋７・・・陰極構体、３０１・・
・陰極フィラメント、３０１＆・・・電子放射面、３０
１ｂ・・・折返し部、３０２・・・フィラメント支柱、
３０３・・・電子ビーム整形電極、３０４・・・電子ビ
ームｊｈｌＪ限孔、３０５・・・集束溝、３０７・・・
バイアス制御電源。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図 第５図 （Ｃ） （ｄ） 第６図 １＼゛イアス覧尻 −一一 第８図 第９図 第１０図 手続補正書 昭和 早５）、１讃１９１−。 特許庁長官 志 骨 学 殿 １、・１１件の表示 特願昭５９−１１１９０５号 ２ 発明の名称 Ｘ 線 物 装 置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７）株式会社 東芝 ４、代Ｊｉｉ！人 ７、補正の内容 （１１願書添付明細書中、第１頁の［２、特許請求の範
囲）の項全文を別紙の如く訂正する。 （３） 同じく第１０頁第７行目及び第１５頁第１行目
に （４） 同じく第１４頁第１９行目に「％乃至イ、５」
とあるのち「％乃至１．０」と訂正する。 （５） 同じく第１５頁第８行目に 「０７くて（１，０ｊとあるのを （６） 同じく第１５頁第１８行目にｒ ８ ｙ ＝
１２．０馴」とあるのをｒ Ｓ ｙ＝６．ｏＢＪ と訂
正する。 （７） 同じく第１５頁第１９行目にｒｄ３＝７，４助
」とあるのを［（１，＝８．ＱｗＲＪと訂正する。 （８） 同じく第２３頁第４行目及び第８行目の１３．
０７Ｊを削除する。 （９） 同じく第２３頁第５行口の１３０８−１を削除
する。 ２、特許請求の範囲 ＋ＩＩ 頁空外囲γ、内に陽極ターゲツトおよび陰極桟
体が相対向して設けられ、上記陰極構体が平板状フィラ
メントおよびその前方Ｃ：電子ビーム制限孔および集束
溝を有する電子ビーム整形′ｒ［１極が抱絡して配設さ
れてなるＸ線管と、このＸ ＃ｉ１％ｒの上記フィラメ
ントに対して止子ビーム整形電極に正のバイアス電位を
与えるパイアース電源とを具イ＋ｉｉ＋ Ｌ、上記電子
ビーム整形電極と陽極ターｒ））而との対向面間の距離
ｄ３と集束溝の深さｄ２との比が、 を満足する関係に設定されてなることを特徴とするＸ線
管装置。 （２） 電子ビーム制限孔は、長方形又は楕円形状を有
し、その短辺（径）をＤｘ、長辺（径）をＤｙ、集束溝
は前記制限孔に概略対応する長方形又は楕円形状を有し
、その短辺（径）をＳＸ＋長、辺（径）をｓｙとし、そ
れらの比Ｓ、／Ｄ、をＰ、Ｓｘ／Ｉ）ｘをＱとしたとき
、 旦（てく土窯 を満足する範囲に設定されてなる特許請求の範囲第１］
ｌｊ！記載のＸ線管装置。
３図は従来の陰極構体の２例を示す断面図、第４図は第
３図の陰極構体における欠点を説明するために用いる断
面図、第５図（ａ）。 （ｂ） ｔ （ｅ） Ｆ （ｄ）はこの発明の一実施例
に係るＸ線管を示す各々の断面図、上面図および要部斜
視図、第６図はこの発明のＸ線管におけるバイアス電圧
と陽極ターゲット上での電子ビーム焦点の辺長さとの関
係を示す特性曲線図、第７図はこの発明のＸ線管の動作
モードを説明するために用いる断面図、第８図は従来の
フィラメント構造図、第９図はこの発明におけるフィラ
メントを示す概略断面図、第１０図はこの発明の変形例
を示す平面図である。 １・・・真空外囲器、旦・・・陰極構体、３・・・陽極
ターグツ）１，９１７＋７・・・陰極構体、３０１・・
・陰極フィラメント、３０１＆・・・電子放射面、３０
１ｂ・・・折返し部、３０２・・・フィラメント支柱、
３０３・・・電子ビーム整形電極、３０４・・・電子ビ
ームｊｈｌＪ限孔、３０５・・・集束溝、３０７・・・
バイアス制御電源。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図 第５図 （Ｃ） （ｄ） 第６図 １＼゛イアス覧尻 −一一 第８図 第９図 第１０図 手続補正書 昭和 早５）、１讃１９１−。 特許庁長官 志 骨 学 殿 １、・１１件の表示 特願昭５９−１１１９０５号 ２ 発明の名称 Ｘ 線 物 装 置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７）株式会社 東芝 ４、代Ｊｉｉ！人 ７、補正の内容 （１１願書添付明細書中、第１頁の［２、特許請求の範
囲）の項全文を別紙の如く訂正する。 （３） 同じく第１０頁第７行目及び第１５頁第１行目
に （４） 同じく第１４頁第１９行目に「％乃至イ、５」
とあるのち「％乃至１．０」と訂正する。 （５） 同じく第１５頁第８行目に 「０７くて（１，０ｊとあるのを （６） 同じく第１５頁第１８行目にｒ ８ ｙ ＝
１２．０馴」とあるのをｒ Ｓ ｙ＝６．ｏＢＪ と訂
正する。 （７） 同じく第１５頁第１９行目にｒｄ３＝７，４助
」とあるのを［（１，＝８．ＱｗＲＪと訂正する。 （８） 同じく第２３頁第４行目及び第８行目の１３．
０７Ｊを削除する。 （９） 同じく第２３頁第５行口の１３０８−１を削除
する。 ２、特許請求の範囲 ＋ＩＩ 頁空外囲γ、内に陽極ターゲツトおよび陰極桟
体が相対向して設けられ、上記陰極構体が平板状フィラ
メントおよびその前方Ｃ：電子ビーム制限孔および集束
溝を有する電子ビーム整形′ｒ［１極が抱絡して配設さ
れてなるＸ線管と、このＸ ＃ｉ１％ｒの上記フィラメ
ントに対して止子ビーム整形電極に正のバイアス電位を
与えるパイアース電源とを具イ＋ｉｉ＋ Ｌ、上記電子
ビーム整形電極と陽極ターｒ））而との対向面間の距離
ｄ３と集束溝の深さｄ２との比が、 を満足する関係に設定されてなることを特徴とするＸ線
管装置。 （２） 電子ビーム制限孔は、長方形又は楕円形状を有
し、その短辺（径）をＤｘ、長辺（径）をＤｙ、集束溝
は前記制限孔に概略対応する長方形又は楕円形状を有し
、その短辺（径）をＳＸ＋長、辺（径）をｓｙとし、そ
れらの比Ｓ、／Ｄ、をＰ、Ｓｘ／Ｉ）ｘをＱとしたとき
、 旦（てく土窯 を満足する範囲に設定されてなる特許請求の範囲第１］
ｌｊ！記載のＸ線管装置。
Claims (3)
- （１）真空外−器内に陽極ターゲットおよび陰極構体が
相対向して設けられ、上記陰極構体が平板状フィラメン
トおよびその前方に電子ビーム制限孔および集束溝を有
する電子ビーム整形電極が絶縁して配設されてなるＸ線
管と、このＸ線管の上記フィラメントに対して電子ビー
ム整形電極に正のバイアス電位を与えるバイアス電源と
を具備し、上記電子ビーム整形電極と陽極ターゲツト面
との対向面間の距離ｄ３と集束溝の深さｄ２との比が、 を満足する関係に設定されてなることを特徴とするＸ線
管装置。 - （２）電子ビーム制限孔は、長方形又は楕円形状を有し
、その短辺（径）をＤＸ、長辺（径）をＤｙ、集束溝は
前記制限孔に概略対応する長方形又は楕円形状を有し、
その短辺（径）をＳＸ、長辺（８）をＳｙとし、それら
の比Ｓｙ／ＤｙをＰ１ＳＸ／ＤｘをＱとしたとき、 を満足する範囲に設定されてなる特許請求の範囲第１項
記載のＸ線管装置。 - （３）陰極フィラメントは、帯状平板で形成されその中
央部が電子放射面となり、その両側が脚部にしてＵ字状
折返し部を有し、電子放射面の近傍の高さで外方に曲げ
られてフィラメント支柱に取付けられてなる特許請求の
範囲第１項又は第２項記載のＸ線管装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59111905A JPS60254538A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | Ｘ線管装置 |
| US06/739,101 US4698835A (en) | 1984-05-31 | 1985-05-30 | X-ray tube apparatus |
| EP85106753A EP0164665B1 (en) | 1984-05-31 | 1985-05-31 | X-ray tube apparatus |
| DE8585106753T DE3572083D1 (en) | 1984-05-31 | 1985-05-31 | X-ray tube apparatus |
| DE8585106754T DE3565194D1 (en) | 1984-05-31 | 1985-05-31 | X-ray tube apparatus |
| EP85106754A EP0163321B1 (en) | 1984-05-31 | 1985-05-31 | X-ray tube apparatus |
| US07/031,207 US4730353A (en) | 1984-05-31 | 1987-03-30 | X-ray tube apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59111905A JPS60254538A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | Ｘ線管装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60254538A true JPS60254538A (ja) | 1985-12-16 |
Family
ID=14573060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59111905A Pending JPS60254538A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | Ｘ線管装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4730353A (ja) |
| EP (1) | EP0163321B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60254538A (ja) |
| DE (1) | DE3565194D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001297892A (ja) * | 2000-04-11 | 2001-10-26 | General Electric Co <Ge> | ターゲットの熱負荷当りのｘ線管パワーを増加する装置及び方法 |
Families Citing this family (118)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6224543A (ja) * | 1985-07-24 | 1987-02-02 | Toshiba Corp | Ｘ線管装置 |
| US4868842A (en) * | 1987-03-19 | 1989-09-19 | Siemens Medical Systems, Inc. | Cathode cup improvement |
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