KR100558639B1 - 접착제,액정장치,액정장치의제조방법및전자기기 - Google Patents

접착제,액정장치,액정장치의제조방법및전자기기 Download PDF

Info

Publication number
KR100558639B1
KR100558639B1 KR1019980708616A KR19980708616A KR100558639B1 KR 100558639 B1 KR100558639 B1 KR 100558639B1 KR 1019980708616 A KR1019980708616 A KR 1019980708616A KR 19980708616 A KR19980708616 A KR 19980708616A KR 100558639 B1 KR100558639 B1 KR 100558639B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
adhesive
adhesive layer
electrode terminal
adherend
layer
Prior art date
Application number
KR1019980708616A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20000065057A (ko
Inventor
켄지 우치야마
Original Assignee
세이코 엡슨 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세이코 엡슨 가부시키가이샤 filed Critical 세이코 엡슨 가부시키가이샤
Publication of KR20000065057A publication Critical patent/KR20000065057A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100558639B1 publication Critical patent/KR100558639B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J9/00Adhesives characterised by their physical nature or the effects produced, e.g. glue sticks
    • C09J9/02Electrically-conducting adhesives
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13452Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R4/00Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
    • H01R4/04Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation using electrically conductive adhesives
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H05K3/323Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29075Plural core members
    • H01L2224/2908Plural core members being stacked
    • H01L2224/29083Three-layer arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/291Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/2919Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199Material of the matrix
    • H01L2224/2929Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29301Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29311Tin [Sn] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29301Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29316Lead [Pb] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339Silver [Ag] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29344Gold [Au] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29347Copper [Cu] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/29198Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298Fillers
    • H01L2224/29299Base material
    • H01L2224/293Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29355Nickel [Ni] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/831Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
    • H01L2224/83101Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83851Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013Fully indexed content
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01049Indium [In]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0105Tin [Sn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/0665Epoxy resin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/0781Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
    • H01L2924/07811Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203Fillers and particles
    • H05K2201/0206Materials
    • H05K2201/0239Coupling agent for particles
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1189Pressing leads, bumps or a die through an insulating layer
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/36Assembling printed circuits with other printed circuits
    • H05K3/361Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/389Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a coupling agent, e.g. silane

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

재질이 다른 2종류의 피접착물에 접착되는 경우라도, 각 피접착물과의 접착력을 각각 향상시킬 수 있는 접착제를 제공하는 것을 목적으로 하며, 이를 해결하기 위하여, 본 발명에서는, 2개의 피접착물 사이에 배치되는 접착제(1)의 절연성 접착 재료를, 한쪽의 피접착물에 접착되는 제 1 절연성 접착 재료(4)와, 다른 쪽의 피접착물에 접착되는 제 2 절연성 접착 재료(5)와의 2층 구조로 한다. 각 접착제(4, 5)는, 첨가하는 커플링제의 종류를 바꾸는 경우 등으로, 그 접착제가 접착되는 피접착물에 따른 접착 특성을 갖게 한다. 이것에 의해서, 각 접착제(4, 5)의 피접착물과의 접착력을 각각 향상시킬 수 있고, 종래의 1종류의 절연성 접착 재료를 사용한 경우에 비해서 이방도전성 접착제의 피접착물과의 접착력을 향상시킬 수 있다.

Description

접착 구조, 액정 장치 및 전자 기기{ADHERING STRUCTURE, LIQUID CRYSTAL DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS}
본 발명은 접착제 특히, 도전 입자를 함유하는 이방도전성 접착제에 관한 것이다. 또한, 액정 패널과 외부 회로 기판 또는 반도체 소자와의 접속에 이방도전성 접착제를 사용한 액정 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 또한, 이 액정 장치를 표시부로서 구비한 전자 기기에 관한 것이다.
액정 패널의 글라스 기판 상에 설치된 입력 단자와 TCP(Tape Carrier Package)의 단자(단자 상에 범프가 형성되어 있는 경우도 있음)와의 접속과 같이, 미세(fine) 피치의 단자 사이의 접속에는 이방도전성의 접착제가 사용되고 있다.
종래의 이방도전성의 접착제는, 에폭시 수지 등의 열경화성 또는 열가소성의 절연성 접착 재료와, 이 접착제 내에 배치된 복수의 도전 입자로 구성되어 있다. 여기서, 절연성 접착 재료는 피접착물, 즉 글라스 기판과 폴리이미드 제의 TCP와의 접착을 위해서, 이들의 재질과 다른 피접착물의 어느 것에도 소정의 접착력으로 접착할 수 있도록 범용성 높은 접착제를 사용하고 있다.
그러나, 범용성이 있는 접착제는 어떤 재질의 피접착물에 대하여도 일정 레벨의 접착력이 얻어지지만, 한쪽의 피접착물에 대하여 일정 레벨 이상의 접착력을 구하면, 다른 쪽의 피접착물과의 접착력이 저하해 버리는, 전체로서는 일정 레벨 이상의 접착력이 얻어지지 않는다고 하는 문제가 있다.
특히, 액정 패널에 글라스 기판을 사용하여, 그 글라스 기판과 외부 회로 기판인 고분자 기판을 접속하는 경우에 있어서는, 양자의 접착 특성이 현저하게 다른 경우가 있다. 그 때문에, 접착 탈리(peeling)에 기인하는 불량이 글라스 기판과 고분자 기판 중 어느 한쪽에만 일어나기 쉬운 경향이 있다.
본 발명의 목적은 재질이 다른 2종류의 피접착물에 접착되는 경우라도, 각 피접착물과의 접착력을 각각 향상시킬 수 있는 이방도전성 접착제를 실현하고, 접속 불량이 생기지 않는 액정 장치 및 그 제조 방법을 실현하는 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 사용하는 접착제의 단면을 나타내는 도면.
도 2는 제 1 실시예에 있어서의 액정 패널 기판과 TCP 기판과의 접속부분의 단면을 나타내는 도면.
도 3은 본 발명에 있어서의 액정 장치의 사시도.
도 4는 본 발명에 있어서의 휴대 전화의 사시도.
도 5는 본 발명에 있어서의 노소콘을 나타내는 사시도.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 있어서의 접착제의 단면을 나타내는 도면.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 있어서의 액정 패널 기판과 반도체 소자와의 접속 부분의 단면을 나타내는 도면.
본 발명의 접착제는 제 1 피접착물과, 상기 제 1 피접착물과는 다른 재료로 이루어지는 제 2 피접착물을 접착하는 접착제이고, 상기 제 1 피접착물에 따른 접착 특성을 갖는 제 1 접착층과, 상기 제 2 피접착물에 따른 접착 특성을 갖는 제 2 접착층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 접착제를 사용하여, 제 1 피접착물과 제 2 피접착물을 접착하는 경우에 있어서는, 제 1 접착층과 제 1 피접착물을 접촉시키고, 제 2 접착층과 제 2 피접착물을 접착시킬 수 있다. 그렇게 함으로써, 각 피접착물이 각각에 따른 접착 특성 하에서, 다른 쪽의 피접착물과 접착되기 때문에, 피접착물끼리의 접착이 강고(强固)해 진다.
또한, 상기 제 1 접착층은 제 1 절연성 접착 재료와 복수의 도전 입자를 함유하고 있고, 상기 제 2 접착층은 제 2 절연성 접착 재료를 함유하고 있는 것을 특징으로 한다.
제 1 피접착물과 제 2 피접착물과의 사이에서 전기적 접속을 행할 필요가 있는 경우에 있어서는, 본 발명과 같이 제 1 접촉층 중에 도전 입자를 혼입시키면 좋다. 물론, 제 2 접착층 안에도 도전 입자를 혼입하여도 괜찮지만, 통상, 제 1 피접착물과 제 2 피접착물과의 사이에서 전기적 접속을 하는 경우에 있어서는 제 1 피접착물과 제 2 피접착물을 서로 눌러서 접착한다. 그 때문에, 제 1 접착층 안에만 도전 입자를 혼입시키면 전기적 접속은 가능하다.
제 1 접착층 안에만 도전 입자를 배치하면, 도전 입자의 수 및 배치를 관리하기 쉽기 때문에, 용이하게 이방도전성의 접착제를 제조할 수 있다. 이 경우에 있어서, 제 2 접착층은 제 2 피접착물과의 접착에만 이용할 수 있으면 좋기 때문에, 제 1 접착층에 비해서 접착층의 두께를 엷게 형성할 수 있다.
또한, 상기 제 1 접착층과 상기 제 2 접착층과의 사이에, 절연성 접착 재료와 복수의 도전 입자를 함유하는 도전층을 설치하여도 제 1 피접착물과 제 2 피접착물과의 사이에서 전기적 접속을 할 수 있다.
이 경우, 도전 입자가 배치되는 제 1 접착층은 피접착물에 직접 접촉하지 않기 때문에, 피접착물에 일치시켜 재질을 선정할 필요가 없다. 이 때문에, 접착제가 어떠한 피접착물에 접착되는 경우라도, 그들의 피접착물에 따라서 제 1 및 제 2 접착층의 접착 특성만을 설정하면 좋고, 도전층의 절연성 접착 재료는 공통하여 이용할 수 있기 때문에, 다양한 접착 특성을 갖는 이방도전성의 접착제를 제조하는데 있어서 제조 효율을 향상시킬 수 있고 비용도 저감할 수 있다.
제 1 및 제 2 접착층의 접착 특성을 조정하는 구체적인 수단으로서는,
(1) 제 1 접착층 내의 절연성 접착 재료의 주성분과 제 2 접착층 내의 절연성 접착 재료의 주성분을 다른 것으로 함,
(2) 제 1 접착층 및 제 2 접착층과 다른 커플링제를 첨가함,
(3) 절연성 접착 재료의 주성분 및 첨가하는 커플링제를 제 1 접착층과 제 2 접착층에서 다른 것을 이용함
등이 고려되지만, 제 1 접착층과 제 2 접착층으로 동일한 절연성 접착 재료를 사용하여, 그래서 제 1 접착층에는 제 1 피접착물에 따른 제 1 커플링제를 첨가하며, 제 2 접착층에는 제 2 피접착물에 따른 제 2 커플링제를 첨가하면, 커플링제의 종류를 바꾸는 것만으로 접착제의 특성을 변화시킬 수 있기 때문에, 사용하는 절연성 접착 재료의 종류를 적게 할 수 있고, 제조 효율을 향상시킬 수 있으며 비용도 저감할 수 있다.
본 발명의 액정 장치는 한 쌍의 기판 사이에 액정이 봉입되어 있고, 적어도 한쪽의 상기 기판에는 전극 단자가 형성되어 있는 액정 패널과, 전극 단자가 형성되어 있고, 상기 한쪽의 기판과 접속된 회로 기판을 구비하는 액정 장치로서, 상기 한쪽의 기판과 상기 회로 기판 중 어느 기판에 따른 접착 특성을 갖는 제 1 접착층과, 다른 쪽의 기판에 따른 접착 특성을 갖는 제 2 접착층을 갖는 접착제에 의해서, 상기 한쪽의 기판과 상기 회로 기판이 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 액정 장치에 의하면, 액정 패널용 기판(주로, 글라스 기판)과, 회로 기판(주로, 고분자 기판)과의 접속에, 각각의 기판에 따른 접착 특성을 갖는 복수의 접착층이 있는 접착제를 사용한다. 그 결과, 쌍방의 기판의 접착력이 균일하게 강고해지고, 액정 장치의 접속 신뢰성이 향상한다.
또한, 상기 한쪽의 기판에 형성된 상기 전극 단자와, 상기 회로 기판에 형성된 상기 전극 단자에서는 전극 단자의 두께가 다르고, 상기 제 1 접착층은, 제 1 절연성 접착 재료와 복수의 도전 입자를 포함하고 있고, 상기 한쪽의 기판과 상기 회로 기판 중 상기 두께가 엷은 전극 단자를 갖는 쪽의 기판과 접하고 있고, 상기 제 2 접착층은 제 2 절연성 접착 재료를 포함하고 있고, 상기 한쪽의 기판과 상기 회로 기판 중, 상기 두께가 두꺼운 전극 단자를 갖는 쪽의 기판과 접촉하고 있는 것을 특징으로 한다.
일반적으로, 액정 패널 기판과 외부 회로 기판과의 접속은 압착에 의해 행한다. 이 압착 시에는, 전극 단자에 의해서 접착제가 밀려나게 된다. 당연한 일이지만, 전극 단자의 두께가 두꺼운 전극 단자에 의해서 밀려나는 접착제 양(量)이, 두께가 엷은 전극 단자에 의해서 밀려나는 접착제의 양보다 많다. 액정 패널 기판과 외부 회로 기판과의 사이에서 확실한 전기적 접속을 하기 위해서는, 도전 입자의 유출을 없애는 것이 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 도전 입자가 혼입된 제 1 층과, 전극 단자 두께가 엷은 전극 단자가 형성된 기판을 접촉시키기 때문에, 압착 때의 도전 입자의 유출을 방지할 수 있다.
일반적으로는, 액정 패널 기판에 형성된 전극 단자는 투명 도전막(ITO)이고, 회로 기판에 형성된 전극 단자는 금속막인 경우가 많고, 그 경우에 있어서는, 제 1 접착층은 액정 패널 기판과 접촉하고, 제 2 접착층은 상기 회로 기판과 접촉시키면 좋다. 왜냐하면, 통상 ITO는 금속막보다 엷게 형성되기 때문이다.
또한, 한 쌍의 기판 사이에 액정이 봉입되어 있고, 적어도 한쪽의 상기 기판에는 전극 단자가 형성되어 있는 액정 패널과, 전극 단자가 형성되어 있고, 상기 한쪽의 기판과 접속된 회로 기판을 구비하는 액정 장치이고, 상기 한쪽의 기판과 상기 회로 기판 중 어느 것인가의 기판에 따른 접착 특성을 갖는 제 1 접착층과, 다른 쪽의 기판에 따른 접착 특성을 갖는 제 2 접착층과, 상기 제 1 접착층과 상기 제 2 접착층과의 사이에 배치되어 있고, 절연성 접착 재료와 복수의 도전 입자를 함유하는 도전층을 갖는 접착제에 의해서 상기 회로 기판과 상기 한쪽의 기판이 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 액정 장치에 의하면, 액정 패널용 기판(주로, 글라스 기판)과, 외부회로 기판(주로, 고분자 기판)과의 접속에, 각각의 기판에 따른 접착 특성을 갖는 복수의 접착층, 및 제 1 접착층과 제 2 접착층과의 사이에 배치되어 도전 입자를 포함하는 도전층이 있는 접착제를 사용한다. 그 결과, 쌍방의 기판의 접착력이 균일하게 강고해지고, 액정 장치의 접속 신뢰성이 향상한다.
또한, 한 쌍의 기판 사이에 액정이 봉입되어 있고, 적어도 한쪽의 상기 기판에는 반도체 소자가 설치되어 있는 액정 장치이며, 상기 반도체 소자와 상기 한쪽의 기판과는 상기 한쪽의 기판 또는 반도체 소자중 한쪽에 따른 접착 특성을 갖는 제 1 접착층과, 상기 한쪽의 기판 또는 상기 반도체 소자중 다른 쪽에 따른 접착 특성을 갖는 제 2 접착층을 구비하는 접착제에 의해서 접속되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 액정 패널 기판 상에 반도체 소자를 직접 설치하는 소위 COG(Chip on Glass) 방식의 액정 장치에 있어서, 액정 패널 기판과 반도체 소자와의 접속을 강고하게 할 수 있다.
본 발명의 전자 기기는 상술한 액정 장치를 표시부로서 구비하고, 또한 상기 표시부가 수납되는 본체를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 전자 기기란 예를 들면, 휴대전화, 손목 시계, 노트 퍼스널 컴퓨터 등이고, 액정 장치와 외부 회로 또는 반도체 소자와의 접착에 본 발명의 접착제를 사용하고 있기 때문에, 액정 패널과 외부 회로 또는 반도체 소자의 접착력을 향상시킬 수 있고, 액정 장치나 전자 기기의 불량품의 발생율을 저감할 수 있고 제조 비용도 저감할 수 있다.
본 발명의 액정 장치의 제조 방법은 한 쌍의 기판 사이에 액정이 봉입되어, 적어도 한쪽의 상기 기판에는 제 1 전극 단자가 형성되어 있는 액정 패널과, 제 2 전극 단자가 형성되어 있고, 상기 한쪽의 기판과 접속된 회로 기판을 접착제에 의해서 접속하는 액정 장치의 제조 방법으로서, 상기 한쪽의 기판과 상기 회로 기판중 어느 한쪽의 기판에 따른 접착 특성을 갖는 제 1 접착층과, 다른 쪽의 기판에 따른 접착 특성을 갖는 제 2 접착층을 갖는 접착제를, 상기 한쪽의 기판과 상기 회로 기판과의 사이에 배치하는 공정과, 상기 한쪽의 기판과 상기 회로기판을 압착 함으로써 접속하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 액정 장치의 제조 방법에 의하면, 액정 패널용 기판(주로, 글라스 기판)과, 외부 회로 기판(주로, 고분자 기판)과의 접속을, 각각의 기판에 따른 접착 특성을 갖는 복수의 접착층이 있는 접착제를 사용하기 때문에, 쌍방의 기판의 접착력이 균일하게 강고해 진다.
또한, 상기 제 1 접착층은 제 1 절연성 접착 재료와 복수의 도전 입자를 함유하고 있고, 상기 제 2 접착층은 제 2 절연성 접착 재료를 함유하고 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 한 쌍의 기판 사이에 액정이 봉입된 액정 패널의 적어도 한쪽의 상기 기판 상에 반도체 소자를 설치하는 액정 장치의 제조 방법이고, 상기 한쪽의 기판 또는 반도체 소자중 한쪽에 따른 접착 특성을 갖는 제 1 접착층과, 다른 쪽에 따른 접착 특성을 갖는 제 2 접착층을 구비하는 접착제를 상기 한쪽의 기판과 상기 반도체 소자와의 사이에 배치하는 공정과, 상기 한쪽의 기판과 상기 반도체 소자를 압착함으로써 접속하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 액정 장치의 제조 방법에 의하면, 액정 패널 기판 상에 반도체 소자를 직접 설치하는 소위 COG(Chip on Glass) 방식의 액정 장치에 있어서, 액정 패널 기판과 반도체 소자와의 접속이 강고한 액정 장치가 실현된다.
이하, 도면에 나타낸 본 발명의 실시예를 참조하면서 더욱 자세히 설명한다.
(제 1 실시예)
도 1에는 본 발명의 제 1 실시예의 접착제(1)가 도시되어 있다. 접착제(1)는 복수의 도전 입자(3)가 배치된 제 1 접착층(4)과, 이 제 1 접착층(4) 위에 적층된 제 2 접착층(5)을 구비하고 있다.
도전 입자(3)는 땜납 입자, Ni, Au, Ag, Cu, Pb, Sn 등의 단독 금속입자나, 복수의 금속의 혼합물, 합금, 도금 등에 의한 복합 금속입자라도 좋고, 플라스틱 입자(폴리스티렌계, 폴리카보네이트계, 아크릴계, 디비닐벤젠계 수지)에 Ni, Au, Cu, Fe 등의 단독 또는 복수의 도금을 한 입자나 카본 입자 등이라도 좋다.
또한, 제 1 접착층(4)과 제 2 접착층(5)에는, 각 접착층(4, 5)이 접착되는 피접착물과의 접착력이 높은 절연성 접착 재료가 주성분으로서 사용되고 있다.
예를 들면, 도 2에 도시하는 바와 같이, 접착제(1)가, 액정 패널의 글라스 기판(11)상에 설치된 전극 단자(12)와, TCP(13)의 전극 단자(14) 사이에 배치되는 경우, 제 1 접착층(4)은, 글라스 기판(11) 및 ITO 등으로 이루어지는 단자(12)와의 접착력이 높은 절연성 접착 재료를 주성분으로 하고, 제 2 접착층(5)은 폴리이미드제의 TCP(13) 및 동(銅)의 표면에 주석 도금을 실시한 전극 단자(14)와의 접착력이 높은 절연성 접착 재료를 주성분으로서 사용하고 있다.
또한, 제 1 접착층(4)은 글라스 기판(11) 및 전극 단자(12)에 접착되지만, 보다 접착 면적이 큰 것은 글라스 기판(11)과의 접착이기 때문에, 글라스 기판(11)과의 접착력이 보다 커지는 것 같은 절연성 접착 재료를 주성분으로서 사용하여도 좋다.
이와 같이, 제 2 접착층(5)도 접착 면적이 큰 TCP(13)(폴리이미드제)와의 접착력이 보다 커지는 것 같은 절연성 접착 재료를 주성분으로서 사용하여도 좋다.
각 접착층(4, 5)의 주성분으로서 사용되는 절연성 접착 재료는 구체적으로는, 스티렌 부타디엔 스티렌(SBS)계, 엑폭시계, 아크릴계, 폴리에스테르계, 우레탄계 등의 단독 또는 복수의 혼합물 또는 화합물 등이다. 이 때, 각 접착층(4, 5)의 주성분으로서, 다른 종류의 절연성 접착 재료를 사용하여도 좋지만, 본 실시예에서는 같은 종류의 절연성 접착 재료를 사용하고, 첨가하는 커플링제의 종류를 바꾸어 접착 특성을 바꾸고 있다.
접착층(4)에 사용하는 구체적인 커플링제로서는 디메틸디메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있지만, 관능기로서 메톡시기 또는 에톡시기를 많이 포함하는 커플링제라면 글라스와의 접착 강도를 높일 수 있다.
또한, 접착층(5)에 사용하는 구체적인 커플링제로서는, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, γ글리시드키프로필트리메톡시시란 등을 들 수 있지만, 관능기로서 아미노기, 엑폭시기를 많이 포함하는 커플링제라면 폴리이미드와의 접착 강도를 높일 수 있다.
이러한 구성의 접착제(1)는 예를 들면, 도전 입자(3)가 배합된 제 1 접착층(4)을 제조용 베이스판이나 세퍼레이터 상에 적층하고, 그 위에, 제 2 접착층(5)을 적층하는 것 등으로 제조된다.
이와 같이 구비된 접착제(1)는 도 2에 도시하는 바와 같이, 액정 패널의 글라스 기판(11)과, TCP(13)와의 사이에 배치된다. 그리고, 각 전극 단자(12, 14)를 열압착 등에 의해서 접착제(1) 측에 밀어 넣고, 각 전극 단자(12, 14) 사이에 도전입자(3)를 개재시켜서 도통하는 동시에, 각 접착층(4, 5)에서 글라스 기판(11) 및 TCP(13)을 접착한다.
이러한 순서에 의해, 도 3에 도시하는 바와 같이, 액정 패널(10)과, 액정 드라이버 IC(15)가 탑재된 TCP(13)이 접착제(1)로 접착된 액정 장치(100)가 구성된다.
이 액정 장치(100)는, 각종의 전자 기기의 본체에 조립되어 이용된다. 예를 들면, 도 5에 도시하는 바와 같이, 휴대 전화(200)의 본체(201) 내에 조립되거나, 도 6에 도시하는 바와 같이, 노트 퍼스널 컴퓨터(300)의 본체(301) 내에 조립되어 이용된다.
이러한 제 1 실시예에 있어서는, 다음과 같은 효과가 있다.
① 제 1 및 제 2 종류의 접착층(4, 5)을 적층하여 접착제(1)를 구성하였기 때문에, 글라스 기판(11)이나 전극 단자(12)에 접착되는 제 1 접착층(4)을 이들의 글라스 기판(11) 등과의 접착력이 높은 종류의 접착층으로 하여, TCP(13)나 단자(14)에 접착되는 제 2 접착층(5)을 이들의 TCP(13)등과의 접착력이 높은 종류의 접착층으로 구성할 수 있다. 이 때문에, 종래와 같이, 1종류의 접착층으로 글라스 기판(11), TCP(13)을 접착시키는 경우에 비해서, 각 피접착물(11, 13)과의 접착력을 향상시킬 수 있고, 접착 특성에 뛰어난 접착제(1)로 할 수 있다.
② 도전 입자(3)는 제 1 접착층(4)에만 포함되고 있기 때문에, 각 접착층(4, 5)의 양쪽에 도전 입자(3)를 배치하는 경우에 비해서, 도전 입자(3)의 수나 배치를 관리하기 쉽고, 용이하게 제조할 수 있다.
③ 제 2 접착층(5)은 도전 입자(3)가 배치되지 않기 때문에, 제 1 접착제(4)에 비해서 막 두께를 엷게 형성할 수 있고, 그 만큼, 접착층(5)의 사용량이 적어져 비용도 저감할 수 있다.
④ 각 접착층(4, 5)의 접착 특성을 바꾸는 데에 있어서, 절연성 접착 재료의 종류를 바꾸지 않고서 첨가하는 커플링제의 종류를 바꾸고 있기 때문에, 각 접착층(4, 5)의 접착 특성을 저 비용이면서 용이하게 설정할 수 있다.
(제 2 실시예)
다음에, 본 발명의 제 2 실시예를, 도 6, 7을 참조하여 설명한다. 또한, 본 실시예에 있어서, 상기 제 1 실시예와 동일 또는 같은 구성 부분에 대해서는 동일 부호를 붙이고, 그 설명을 생략 또는 간략하게 한다.
제 2 실시예의 접착제(1)(이방도전성 접착제)는 복수의 도전 입자(3)가 배치된 도전층(7)과, 이 도전층(7)의 아래에 적층된 제 1 접착층(4)과, 도전층(7) 위에 적층된 제 2 접착층(5)을 구비하고 있다.
여기서, 도전층(7)은 도전 입자(3)를 배합하기 쉬운 접착제로 구성되며, 또한, 도전 입자(3)가 막 두께 방향으로는 1열(1층)로 되도록 비교적 얇게 형성되어 있다. 도전 입자가 1층이라면, 접착시에 단자 사이에 이동하는 도전 입자의 양도 적어져서, 단자 사이가 쇼트할 가능성도 더욱 저하한다.
또한, 제 1 및 제 2 접착층(4, 5)은 상기 제 1 실시예에 있어서의 접착층(4, 5)과 마찬가지로, 각 접착층(4, 5)이 접착되는 피접착물과의 접착력이 높은 접착층으로 구성되어 있다.
예를 들면, 도 7에 도시하는 바와 같이, 접착제(1)가, 액정 패널의 글라스 기판(11)상에 설치된 전극 단자(12)와, IC(21)의 단자(범프)(22)와의 사이에 배치되는 경우, 제 1 접착층(4)은 글라스 기판(11) 및 ITO 등으로 이루어지는 전극 단자(12)와의 접착력이 높은 접착층이 사용되고, 제 2 접착층(5)은 세라믹 등으로 이루어지는 IC(21)의 패키지 및 금 도금을 실시한 단자(22)와의 접착력이 높은 접착층이 사용된다.
또한, 본 실시예에 있어서도, 제 1 접착층(4)은 글라스 기판(11)과의 접착 면적이 크기 때문에, 글라스 기판(11)과의 접착력이 보다 커지는 것 같은 접착층을 사용하여도 좋고, 제 2 접착층(5)도 접착 면적이 큰 IC(21)과의 접착력이 보다 커지는 것 같은 접착층을 사용하여도 된다. 또한, 각 접착층(4, 5) 및 도전층(7)에 주성분으로서 사용하는 절연성 접착 재료는 상기 제 1 실시예와 같고, 첨가하는 커플링제의 종류를 바꾸어 접착 특성을 변화시키고 있다.
이러한 구성의 접착제(1)는 예를 들면, 제 1 접착층(4)을 제조용 베이스판이나 세퍼레이터 상에 적층하고, 그 위에, 도전 입자(3)가 배합된 도전층(7) 및 제 2의 접착층(5)을 차례로 적층하는 경우 등으로 제조된다.
이와 같이 구성된 접착제(1)는 도 7에 도시하는 바와 같이, 액정 패널의 글라스 기판(11)과 IC(21)와의 사이에 배치된다. 그리고, 각 전극 단자(12, 22)를 열압착 등에 의해서 접착제(1) 측에 밀어 넣고, 각 단자(12, 22) 사이에 도전 입자(3)를 개재시켜서 도통하는 동시에, 각 접착층(4, 5)에 글라스 기판(11) 및 IC(21)를 접착한다. 또한, IC(21)에 신호를 입력하기 위해서, IC(21)의 입력 단자에 접속되어 있는 전극 단자(12)에 플렉시블 기판을 접속하지만, 그 플렉시블 기판과 글라스 기판 상의 전극 단자(12)와의 접속에는 제 1 실시예에 나타낸 접착제를 사용하는 것이 바람직하다.
이러한 제 2 실시예에 있어서도, 상기 ① 내지 ④와 같은 효과가 있다.
즉, ① 제 1 접착층(4), 제 2 접착층(5) 및 도전층(7)의 3개 층을 적층하여 접착제(1)를 구성하였기 때문에, 글라스 기판(11)이나 전극 단자(12)에 접착되는 제 1 접착층(4)을 이들의 글라스 기판(11) 등과의 접착력이 높은 종류의 접착층으로 하고, IC(21)나 전극 단자(22)에 접착되는 제 2 접착층(5)을 이들의 IC(21) 등과의 접착력이 높은 종류의 접착층으로 구성할 수 있다. 이 때문에, 종래와 같이, 1종류의 접착층으로 글라스 기판(11), IC(21)과 접착시키는 경우에 비해서, 각 피접착물과의 접착력을 향상시킬 수 있고, 접착 특성에 뛰어 난 접착제(1)로 할 수 있다.
② 도전 입자(3)는 도전층(7)에만 포함되어 있기 때문에, 접착층(4, 5) 및 도전층(7)에 도전 입자(3)를 배치하는 경우에 비해서, 도전 입자(3)의 수나 배치를 관리하기 쉽고, 용이하게 제조할 수 있다.
③ 제 1 및 제 2 접착층(4, 5)은 도전 입자(3)가 배치되지 않기 때문에, 도전층(7)에 비해서 막 두께를 엷게 형성할 수 있고, 그 만큼, 절연성 접착 재료의 사용량이 적어져서 비용도 저감할 수 있다.
④ 각 접착층(4, 5)의 접착 특성은 첨가하는 커플링제의 종류로 변화시키고 있기 때문에, 각 접착층(4, 5)의 접착 특성을 저 비용이면서 용이하게 설정할 수 있다.
⑤ 또한, 제 2 실시예에 의하면, 도전 입자(3)가 포함되는 도전층(7)은 접착제(1)의 중간에 배치되어 피접착물에 직접 접촉하지 않기 때문에, 피접착물(11, 21)에 맞추어 재질을 선정할 필요가 없다. 이 때문에, 접착제(1)가 어떠한 피접착물에 접착되는 경우라도, 그들의 피접착물에 따라서 제 1 접착층(4) 및 제 2 접착층(5)을 설정하면 좋고, 도전층(7)은 공통하여 이용할 수 있기 때문에, 다양한 접착 특성을 갖는 접착제(1)를 제조하는 데에 있어서, 제조 효율을 향상시킬 수 있고 비용도 저감할 수 있다.
⑥ 도전 입자(3)는 접착제(1)의 막 두께 방향으로는 1열(1층)이 되도록 배치되어 있기 때문에, 각 전극 단자(12, 22) 사이에 개재되는 도전 입자(3)의 수는 각 전극 단자(12, 22)의 접속면의 면적과, 도전 입자(3)의 단위 면적당의 살포수로 용이하게 관리할 수 있고, 각 전극 단자(12, 22) 사이에 개재되는 도전 입자(3)의 수, 즉 도통 성능을 고정밀도로 조정, 설정할 수 있다.
또한, 본 발명은 상술한 각 실시예에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 목적을 달성할 수 있는 범위에서의 변형, 개량 등은 본 발명에 포함되는 것이다.
예를 들면, 상기 각 실시예에서는, 도전 입자(3)는 제 1 실시예에 있어서의 제 1 접착층 또는 제 2 실시예에 있어서의 도전층(7)에만 포함되어 있지만, 다른 층, 예를 들면 제 1 실시예에 있어서의 제 2 접착층(5)이나 제 2 접착층(5)에도 포함시키는, 또는, 제 1 실시예에 있어서의 제 1 접착층(4) 또는 제 2 실시예에 있어서의 도전층(7)에는 도전 입자를 포함시키지 않고, 다른 층, 예를 들면 제 1 실시예에 있어서의 제 2 접착층(5)이나 제 2 접착층(5)에만 도전 입자를 포함시키는 구성을 채용하여도, 접착 강도라는 점에 있어서는 제 1 또는 제 2 실시예와 같은 효과를 얻을 수 있다.
또한, 도전 입자(3)는 도 1에 도시하는 바와 같이, 막 두께가 비교적 두꺼운 접착제층에 균일하게 배치하여도 좋고, 도 6에 도시하는 바와 같이, 막 두께가 비교적 엷은 접착제층에 막 두께 방향으로는 1 내지 2열 정도가 되도록 배치하여도 좋다.
또한, 접착제(1)로서는 4층 이상의 적층 구조를 갖는 것이라도 좋다. 이 경우에는, 글라스 기판(11)이나 TCP(13), IC(21)에 접착되는 접착제 이외에, 각 전극 단자(12, 14, 22)에 접착되는 접착층을 별도로 설치하고, 각각의 접착층을 피접착물(12, 14, 22)에 알맞은 것을 이용할 수 있고, 접착제와 피접착물과의 접착력을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 제 2 실시예의 3층 구조의 접착제(1)를, 제 1 실시예의 액정 패널용 글라스 기판(11)의 전극 단자(12)와, TCP(13)의 전극 단자(14)와의 도통 접속에 사용하여도 좋고, 반대로, 제 1 실시예의 2층 구조의 접착제(1)를, 제 2 실시예의 글라스 기판(11) 및 IC(21)의 접착에 사용하여도 좋다.
또한, 본 발명의 접착제는 액정 패널용의 부품의 접착에 한정되지 않고, 각종 전기 부품끼리의 도통에 널리 이용할 수 있다. 또한, 각 접착층(4, 5) 및 도전층(7)의 접착 특성을 설정하기 위해서는, 커플링제를 첨가하는 경우에 한정되지 않고, 절연성 접착 재료의 주성분의 종류 자체를 바꾸어 설정하여도 좋으며, 다른 첨가물 등을 적당히 첨가하여 설정하여도 좋다.
결국, 접착제(1)의 접착층(4, 5) 및 도전층(7)이나 도전 입자(3)의 재질(절연성 접착 재료의 주성분의 종류나 첨가하는 커플링제의 종류), 크기(막 두께나 입자 직경) 등은 적용하는 피접착물의 종류에 따라서 적당히 설정하면 좋다. 따라서, 본 발명의 접착제(1)를 사용한 전자 기기로서도, 휴대 전화(200)나 노트 퍼스널 컴퓨터(300)와 같이 액정 장치(100)를 표시부로서 구비하는 데에 한정되지 않고, 액정 장치를 구비하지 않은 각종 전자 기기에도 적용할 수 있다.

Claims (11)

  1. 액정을 사이에 끼운 한 쌍의 기판과, 상기 한 쌍의 기판 중 한쪽의 기판에 접착제에 의해 접착되는 회로 기판을 구비하는 액정 장치로서,
    상기 한쪽의 기판에 형성된 제 1 전극 단자, 및 상기 회로 기판에 형성된 제 2 전극 단자를 갖고,
    상기 접착제는 제 1 접착층과 제 2 접착층이 적층되어 이루어지고,
    상기 제 1 접착층은 도전성 입자를 포함하여 이루어지고,
    상기 제 1 접착층은 상기 한쪽의 기판에 대한 접착력이 상기 제 1 전극 단자에 대한 접착력보다도 높고,
    상기 제 2 접착층은 상기 회로 기판과의 접착력이 상기 제 2 전극 단자에 대한 접착력보다도 높고,
    상기 제 1 접착층은 상기 한쪽의 기판과 접착하고 있고,
    상기 제 2 접착층은 상기 회로 기판과 접착하고 있고,
    상기 접착제 이외에 제 3 접착층과 제 4 접착층이 별도로 더 설치되고,
    상기 제 3 접착층은 상기 제 1 전극 단자와 접착하고 있고,
    상기 제 4 접착층은 상기 제 2 전극 단자와 접착하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  2. 액정을 사이에 끼운 한 쌍의 기판과, 상기 한 쌍의 기판 중 한쪽의 기판에 접착제에 의해 접착되는 반도체 소자를 갖는 액정 장치로서,
    상기 한쪽의 기판에 형성된 제 1 전극 단자, 및 상기 반도체 소자에 형성된 제 2 전극 단자를 갖고,
    상기 접착제는 제 1 접착층과 제 2 접착층이 적층되어 이루어지고,
    상기 제 1 접착층은 도전성 입자를 포함하여 이루어지고,
    상기 제 1 접착층은 상기 한쪽의 기판에 대한 접착력이 상기 제 1 전극 단자에 대한 접착력보다도 높고,
    상기 제 2 접착층은 상기 반도체 소자에 대한 접착력이 상기 제 2 전극 단자에 대한 접착력보다도 높고,
    상기 제 1 접착층은 상기 한쪽의 기판과 접착하고 있고,
    상기 제 2 접착층은 상기 반도체 소자와 접착하고 있고,
    상기 접착제 이외에 제 3 접착층과 제 4 접착층이 별도로 더 설치되고,
    상기 제 3 접착층은 상기 제 1 전극 단자와 접착하고 있고,
    상기 제 4 접착층은 상기 제 2 전극 단자와 접착하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 액정 장치를 사용한 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  4. 제 1 피접착물과 제 2 피접착물이 접착제에 의해 접착된 접착 구조로서,
    상기 제 1 피접착물에 형성된 제 1 전극 단자, 및 상기 제 2 피접착물에 형성된 제 2 전극 단자를 갖고,
    상기 접착제는 제 1 접착층과 제 2 접착층이 적층되어 이루어지고,
    상기 제 1 접착층은 도전성 입자를 포함하여 이루어지고,
    상기 제 1 접착층은 상기 제 1 피접착물에 대한 접착력이 상기 제 1 전극 단자에 대한 접착력보다도 높고,
    상기 제 2 접착층은 상기 제 2 피접착물에 대한 접착력이 상기 제 2 전극 단자에 대한 접착력보다도 높고,
    상기 제 1 접착층은 상기 제 1 피접착물과 접착하고 있고,
    상기 제 2 접착층은 상기 제 2 피접착물과 접착하고 있고,
    상기 접착제 이외에 제 3 접착층과 제 4 접착층이 별도로 더 설치되고,
    상기 제 3 접착층은 상기 제 1 전극 단자와 접착하고 있고,
    상기 제 4 접착층은 상기 제 2 전극 단자와 접착하고 있는 것을 특징으로 하는 접착 구조.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 1 접착층은 상기 제 1 피접착물에 대한 접착력이 상기 제 2 접착층보다도 높고, 상기 제 2 접착층은 상기 제 2 피접착물에 대한 접착력이 상기 제 1 접착층보다도 높은 것을 특징으로 하는 접착 구조.
  6. 제 1 피접착물과 제 2 피접착물이 접착제에 의해 접착된 접착 구조에 있어서,
    상기 제 1 피접착물에 형성된 제 1 전극 단자, 및 상기 제 2 피접착물에 형성된 제 2 전극 단자를 갖고,
    상기 제 1 전극 단자의 상기 제 1 피접착물의 표면으로부터의 두께는 상기 제 2 전극 단자의 상기 제 2 피접착물의 표면으로부터의 두께보다도 얇고,
    상기 접착제는 제 1 접착층과 제 2 접착층이 적층되어 이루어지고,
    상기 제 1 접착층은 도전성 입자를 포함하여 이루어지고,
    상기 제 1 접착층의 두께는 상기 도전성 입자의 직경보다 두껍고,
    상기 제 1 접착층은 상기 제 1 피접착물에 대한 접착력이 상기 제 2 접착층보다도 높고,
    상기 제 2 접착층은 상기 제 2 피접착물에 대한 접착력이 상기 제 1 접착층보다도 높고,
    상기 제 1 접착층은 상기 제 1 피접착물과 접착하고 있고,
    상기 제 2 접착층은 상기 제 2 피접착물과 접착하고 있는 것을 특징으로 하는 접착 구조.
  7. 제 1 피접착물과 제 2 피접착물이 접착제에 의해 접착된 접착 구조에 있어서,
    상기 제 1 피접착물에 형성된 제 1 전극 단자, 및 상기 제 2 피접착물에 형성된 제 2 전극 단자를 갖고,
    상기 제 1 전극 단자의 상기 제 1 피접착물의 표면으로부터의 두께는 상기 제 2 전극 단자의 상기 제 2 피접착물의 표면으로부터의 두께보다 얇고,
    상기 접착제는 제 1 접착층과 제 2 접착층과 도전층이 적층되어 이루어지고,
    상기 도전층은 도전성 입자를 포함하고, 또한 상기 제 1 접착층과 상기 제 2 접착층 사이에 적층되어 있고,
    상기 제 2 접착층의 두께는 상기 제 1 접착층의 두께보다 두껍고,
    상기 제 1 접착층은 상기 제 1 피접착물에 대한 접착력이 상기 제 2 접착층보다도 높고,
    상기 제 2 접착층은 상기 제 2 피접착물에 대한 접착력이 상기 제 1 접착층보다도 높고,
    상기 제 1 접착층은 상기 제 1 피접착물과 접착하고 있고,
    상기 제 2 접착층은 상기 제 2 피접착물과 접착하고 있는 것을 특징으로 하는 접착 구조.
  8. 액정을 사이에 끼운 한 쌍의 기판과, 상기 한 쌍의 기판 중 한쪽의 기판에 접착되는 회로 기판을 갖는 액정 장치에 있어서,
    상기 한쪽의 기판에 형성된 제 1 전극 단자, 및 상기 회로 기판에 형성된 제 2 전극 단자를 갖고,
    상기 제 1 전극 단자의 상기 한쪽의 기판의 표면으로부터의 두께는 상기 제 2 전극 단자의 상기 회로 기판의 표면으로부터의 두께보다 얇고,
    상기 접착제는 제 1 접착층과 제 2 접착층이 적층되어 이루어지고,
    상기 제 1 접착층은 도전성 입자를 포함하여 이루어지고,
    상기 제 1 접착층의 두께는 상기 도전성 입자의 직경보다 두껍고,
    상기 제 1 접착층은 상기 한쪽의 기판에 대한 접착력이 상기 제 2 접착층보다도 높고,
    상기 제 2 접착층은 상기 회로 기판에 대한 접착력이 상기 제 1 접착층보다도 높고,
    상기 제 1 접착층은 상기 한쪽의 기판과 접착하고 있고,
    상기 제 2 접착층은 상기 회로 기판과 접착하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  9. 액정을 사이에 끼운 한 쌍의 기판과, 상기 한 쌍의 기판 중 한쪽의 기판에 접착되는 반도체 소자를 갖는 액정 장치에 있어서,
    상기 한쪽의 기판에 형성된 제 1 전극 단자, 및 상기 반도체 소자에 형성된 제 2 전극 단자를 갖고,
    상기 제 1 전극 단자의 상기 한쪽의 기판의 표면으로부터의 두께는 상기 제 2 전극 단자의 상기 반도체 소자의 표면으로부터의 두께보다 얇고,
    상기 접착제는 제 1 접착층과 제 2 접착층이 적층되어 이루어지고,
    상기 제 1 접착층은 도전성 입자를 포함하여 이루어지고,
    상기 제 1 접착층의 두께는 상기 도전성 입자의 직경보다 두껍고,
    상기 제 1 접착층은 상기 한쪽의 기판에 대한 접착력이 상기 제 2 접착층보다도 높고,
    상기 제 2 접착층은 상기 반도체 소자에 대한 접착력이 상기 제 1 접착층보다도 높고,
    상기 제 1 접착층은 상기 한쪽의 기판과 접착하고 있고,
    상기 제 2 접착층은 상기 반도체 소자와 접착하고 있는 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 전극 단자는 투명 도전막이고, 상기 제 2 전극 단자는 금속막인 것을 특징으로 하는 액정 장치.
  11. 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 기재된 접착 구조를 사용한 것을 특징으로 하는 전자 기기.
KR1019980708616A 1997-02-27 1998-02-16 접착제,액정장치,액정장치의제조방법및전자기기 KR100558639B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP97-44386 1997-02-27
JP4438697 1997-02-27
PCT/JP1998/000647 WO1998038261A1 (en) 1997-02-27 1998-02-16 Adhesive, liquid crystal device, method of manufacturing liquid crystal device, and electronic apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000065057A KR20000065057A (ko) 2000-11-06
KR100558639B1 true KR100558639B1 (ko) 2006-06-28

Family

ID=12690079

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019980708616A KR100558639B1 (ko) 1997-02-27 1998-02-16 접착제,액정장치,액정장치의제조방법및전자기기

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6583834B1 (ko)
JP (1) JP3530980B2 (ko)
KR (1) KR100558639B1 (ko)
CN (1) CN1103803C (ko)
TW (2) TW581800B (ko)
WO (1) WO1998038261A1 (ko)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11195860A (ja) * 1997-12-27 1999-07-21 Canon Inc 接着部材、該接着部材を備えたマルチチップモジュール、及び該接着部材による接着方法
KR100402154B1 (ko) * 1999-04-01 2003-10-17 미쯔이카가쿠 가부시기가이샤 이방 도전성 페이스트
US6864932B2 (en) * 2001-04-16 2005-03-08 Nitto Denko Corporation Optical member and liquid-crystal display device
KR100398314B1 (ko) * 2001-07-19 2003-09-19 한국과학기술원 고접착력 3층 구조 aca 필름
JP3687610B2 (ja) * 2002-01-18 2005-08-24 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、回路基板及び電子機器
DE10297818T5 (de) * 2002-11-29 2006-03-16 Infineon Technologies Ag Anbringen von Flipchips an Substraten
JP5196703B2 (ja) * 2004-01-15 2013-05-15 デクセリアルズ株式会社 接着フィルム
DE102005028906A1 (de) * 2005-06-22 2006-12-28 Giesecke & Devrient Gmbh Vorrichtung für die Prüfung von Banknoten
WO2008056773A1 (en) * 2006-11-10 2008-05-15 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive film, and connection structure and connecting method for circuit member
JP5311772B2 (ja) * 2007-06-27 2013-10-09 デクセリアルズ株式会社 接着フィルム
KR100889002B1 (ko) * 2007-12-27 2009-03-19 엘지전자 주식회사 연성 필름
CN102131882B (zh) * 2008-08-27 2013-10-30 日立化成株式会社 感光性粘接剂组合物、膜状感光性粘接剂、粘接剂图案、带粘接剂的半导体晶片、半导体装置及电子部件
JP2010007076A (ja) * 2009-08-07 2010-01-14 Hitachi Chem Co Ltd 異方導電性接着フィルム
KR101142530B1 (ko) * 2009-08-14 2012-05-07 도레이첨단소재 주식회사 이방성 도전 필름의 제조방법
CN102687603B (zh) * 2009-12-24 2015-07-15 住友电木株式会社 导电连接材料、电子部件的生产方法以及具有导电连接材料的电子构件和电子部件
KR101351617B1 (ko) * 2010-12-23 2014-01-15 제일모직주식회사 이방 도전성 필름
JP5912741B2 (ja) 2012-03-27 2016-04-27 日東電工株式会社 接合シート、電子部品およびその製造方法
JP2013216785A (ja) * 2012-04-09 2013-10-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 光学部品実装構造、波長選択デバイス、及び光学部品実装構造の製造方法
JP6133069B2 (ja) * 2013-01-30 2017-05-24 デクセリアルズ株式会社 加熱硬化型接着フィルム
JP6358535B2 (ja) * 2013-04-26 2018-07-18 パナソニックIpマネジメント株式会社 配線板間接続構造、および配線板間接続方法
KR102069288B1 (ko) * 2013-08-28 2020-01-23 삼성디스플레이 주식회사 액정 배향제 및 액정 표시 장치
KR101628440B1 (ko) 2013-10-31 2016-06-08 제일모직주식회사 이방성 도전 필름 및 이를 이용한 반도체 장치
JP2015135878A (ja) * 2014-01-16 2015-07-27 デクセリアルズ株式会社 接続体、接続体の製造方法、接続方法、異方性導電接着剤
KR20160046977A (ko) * 2014-10-20 2016-05-02 삼성디스플레이 주식회사 이방성 도전입자
CN106318244A (zh) * 2015-07-02 2017-01-11 玮锋科技股份有限公司 核层技术异方性导电胶膜
US11557489B2 (en) * 2018-08-27 2023-01-17 Intel Corporation Cavity structures in integrated circuit package supports
CN113410203A (zh) * 2020-03-17 2021-09-17 群创光电股份有限公司 电子装置
CN113451491B (zh) * 2020-09-29 2022-04-29 重庆康佳光电技术研究院有限公司 显示面板及其制作方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04366630A (ja) * 1991-06-13 1992-12-18 Sharp Corp 異方性導電接着テープ
JPH0625621A (ja) * 1992-07-09 1994-02-01 Murata Mfg Co Ltd 接着シート及びそれを用いて製造した電子部品

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0462714A (ja) * 1990-06-29 1992-02-27 Three Bond Co Ltd 異方導電性接着剤
JPH05273532A (ja) 1992-01-31 1993-10-22 Canon Inc 液晶素子
JPH0625627A (ja) * 1992-03-30 1994-02-01 Aica Kogyo Co Ltd 水分散型接着剤組成物
JP3364695B2 (ja) * 1993-12-28 2003-01-08 ソニーケミカル株式会社 回路接続部の再生方法
TW277152B (ko) * 1994-05-10 1996-06-01 Hitachi Chemical Co Ltd
JPH08188760A (ja) * 1995-01-10 1996-07-23 Sony Chem Corp 異方性導電接着剤及びそれを用いた異方性導電接着剤シート
JP3656768B2 (ja) 1995-02-07 2005-06-08 日立化成工業株式会社 接続部材および該接続部材を用いた電極の接続構造並びに接続方法
JP3801666B2 (ja) 1995-05-22 2006-07-26 日立化成工業株式会社 電極の接続方法およびこれに用いる接続部材
JPH09161543A (ja) 1995-12-13 1997-06-20 Toshiba Chem Corp 異方性導電膜及びその使用方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04366630A (ja) * 1991-06-13 1992-12-18 Sharp Corp 異方性導電接着テープ
JPH0625621A (ja) * 1992-07-09 1994-02-01 Murata Mfg Co Ltd 接着シート及びそれを用いて製造した電子部品

Also Published As

Publication number Publication date
CN1217737A (zh) 1999-05-26
CN1103803C (zh) 2003-03-26
JP3530980B2 (ja) 2004-05-24
TW581800B (en) 2004-04-01
WO1998038261A1 (en) 1998-09-03
US6583834B1 (en) 2003-06-24
KR20000065057A (ko) 2000-11-06
TW560535U (en) 2003-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100558639B1 (ko) 접착제,액정장치,액정장치의제조방법및전자기기
KR900008665B1 (ko) 반도체장치의 제조방법
US5180888A (en) Conductive bonding agent and a conductive connecting method
EP1895585A2 (en) Chip film package and display panel assembly having the same
US6518097B1 (en) Method for fabricating wafer-level flip chip package using pre-coated anisotropic conductive adhesive
JP3800631B2 (ja) 異方導電性接着剤の製造方法、接続構造体の製造方法及び液晶装置の製造方法
EP0794451B1 (en) Liquid crystal device, method of manufacturing the same and electronic apparatus
JP3296306B2 (ja) 異方導電性接着剤および接着用膜
US8749041B2 (en) Thee-dimensional integrated semiconductor device and method for manufacturing same
KR100581243B1 (ko) 도전 접착제, 실장 구조체, 액정 장치, 전자기기 및 실장구조체, 액정 장치, 전자기기의 제조 방법
JP4214416B2 (ja) 接着方法及び液晶装置の製造方法
TW539904B (en) Tape carrier, manufacturing method for the tape carrier, and manufacturing method
JP3876993B2 (ja) 接着構造、液晶装置、及び電子機器
JPH10199930A (ja) 電子部品の接続構造および接続方法
Masuda et al. Chip on glass technology for large capacity and high resolution LCD
JPH11148058A (ja) 異方導電性接着剤、それを用いた液晶表示装置および電子機器
JP3336531B2 (ja) 異方性導電部材
CN217405124U (zh) 新型异方性导电膜
JP2959641B2 (ja) 液晶表示装置
JP3224848B2 (ja) 液晶表示装置
CN100390618C (zh) 载具和电接合结构
EP0622839A2 (en) Process for connecting an integrated circuit to an external circuit
JPS63299242A (ja) 半導体装置の接続方法
KR20070088968A (ko) 돌기형 전극을 구비한 반도체 디바이스 및 이를 이용한반도체 패키지
JPH11212496A (ja) 表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130222

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140221

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150223

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160222

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee