KR20070088968A - 돌기형 전극을 구비한 반도체 디바이스 및 이를 이용한반도체 패키지 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 돌기형 전극을 구비한 반도체 디바이스 및 이를 이용한 반도체 패키지을 개시한다. 본 발명에 따른 돌기형 전극을 구비한 반도체 디바이스는, 반도체 실장 기술에 이용되는 접착 필름의 상면 또는 하면에 접속(Bonding)되고, 소정 패턴의 미세 피치(Pitch)로 다수 배열된 전극을 구비한 반도체 디바이스에 있어서, 접착 필름의 접속면과 대향하는 전극의 일측면에 다수의 반구형 돌기가 배열된 것을 특징으로 한다.
본 발명은 반도체 디바이스에 구비된 전극의 표면상에 다수의 반원형 돌기를 배열함으로써, 반도체 패키징시 도전성 입자가 제외된 NCF(Non-Conductive Film)에 의해 상호 접속되는 반도체 디바이스 간의 전극 접속 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
돌기형, 전극, 접착, 필름, 반도체, 디바이스
Description
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 종래 기술에 따른 이방성 도전 필름을 이용한 반도체 디바이스 간의 전기적 접속을 설명하기 위한 분해 단면도.
도 2는 종래 기술에 따른 이방성 도전 필름을 이용한 반도체 디바이스 간의 전기적 접속을 설명하기 위한 접속 단면도.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 패키지를 도시하는 단면도.
도 4 및 도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제 1 반도체 디바이스의 돌기형 전극을 도시하는 사시도.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 패키지를 도시하는 단면도.
도 6은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 반도체 패키지를 도시하는 단면도.
도 7 및 도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제 2 반도체 디바이스의 돌기형 전극을 도시하는 사시도.
도 9는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 디바이스 간의 전기적 접속을 설명하기 위한 분해 사시도.
도 10은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 디바이스 간의 전기적 접속을 설명하기 위한 접속 단면도.
<도면의 주요 참조 부호에 대한 설명>
100, 100'...제 1 반도체 디바이스 110, 110'...제 1 전극
200, 200'...제 2 반도체 디바이스 210, 210'...제 2 전극
111a, 211a...반구형 돌기 300...접착 필름
400...가압 수단
본 발명은 돌기형 전극을 구비한 반도체 디바이스에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 실장 기술에서 접착 필름에 의해 상호 접속되는 반도체 디바이스 간의 전기적 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있는 돌기형 전극을 구비한 반도체 디바이스 및 이를 이용한 반도체 패키지에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 실장 기술을 이용한 배선 기판(Substrate) 및 마이크로칩(Microchip)의 전기적 접속은 이방성 도전 필름에 의해 이루어진다. 이방성 도전 필름(Anistropic Conductive Film : ACF)은 기판의 재질이 특수하거나 신호 배선의 피치가 세밀하여 배선 기판과 마이크로칩을 솔더링(Soldering) 방식으로 부착할 수 없을 경우에 사용하는 필름형 접속 재료이다. 즉, 마이크로칩의 전극과 배선 기판의 전극은 미소한 피치 간격으로 형성되어 있기 때문에 납땜 등의 수단을 사용하는 것이 곤란하며, 이러한 이유로 배선 기판 및 마이크로칩을 포함하는 반도체 디바이스(Semiconductor Device) 상호간을 전기적으로 접속하는 이방성 도전 필름이 사용된다.
이러한 이방성 도전 필름은 열에 의해 경화되는 접착제와 그 내부에 미세한 도전구(導電救)를 혼합시킨 접착층의 편면 또는 양면에 접착층의 면적과 동일한 박리 필름을 형성한다. 여기서, 접착층은 고온의 압력을 가하면 회로 패턴의 패드가 맞닿는 부분의 도전볼이 파괴되면서 파괴된 도전볼이 패드간의 통전(예컨데, LCD 패널의 IT0 전극과 FPC 전극간의 통전)을 하게 되고, 패드 부분외의 요철면에 나머지 접착제가 충진 및 경화되어 서로 절연을 유지하며 접착되도록 한다.
최근, 이방성 도전 필름은 LCD 패널의 접속 재료로서 널리 사용되고 있으며, 휴대폰이나 컴퓨터에 사용되는 액정표시장치(LCD)용 드라이버 집적회로칩(Driver IC Chip)과 LCD 패널을 상호 접속시키는 실장 기술에 널리 애용된다.
도 1 및 도 2는 종래 기술에 따른 이방성 도전 필름을 이용한 반도체 디바이스 간의 전기적 접속을 설명하기 위한 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 이방성 도전 필름(30)은 절연성 접착제(40)에 도전성 입자(50)를 분산시킨 것으로서, 반도체 디바이스(10, 20) 사이에 개재된다. 이때, 소정의 온도와 압력으로 열 압착하는 가압착(Pre-Bonding) 및 본압착(Post-Bonding)에 의해 상기 반도체 디바이스(10, 20)는 이방성 도전 필름(30)에 의해 견고하게 적층됨과 동시에 전기적으로 접속된다.
도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 디바이스(10, 20)의 전기적 접속은 도전성 입자(50)가 대향하는 두 전극(11, 21) 사이에 개재됨으로써 이루어진다. 이때, 이웃하는 전극과 전극 사이에는 상호 이격된 도전성 입자로 인해 절연성이 유지된다. 즉, X-Y 평면상으로는 절연성이 유지되고 Z축으로는 도전성이 유지된다.
그러나, 전술한 압착 공정에서 이방성 도전 필름의 도전성 입자가 서로 뭉침에 의해 반도체 디바이스의 전극간 단락이 유발되는 문제점이 있다. 이와 같은 뭉침 현상에 의한 전극간 단락의 확률은 미세 피치를 갖는 전극일수록 높다
또한, 일정 수준이하의 저항을 유지하기 위해서는 전극간에 개재되는 도전성 입자의 개수가 많아야 하는데, 도전성 입자는 이방성 도전 필름의 제조에 있어 가격적으로 큰 비중을 차지하는 문제점이 있다.
아울러, 이방성 도전 필름의 구성 요소인 접착 성분에 따라 전극간에 개재되는 도전성 입자의 눌림 강도가 일정치 않아 전기적 접속 신뢰도가 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 반도체 디 바이스에 구비된 전극을 구조적으로 개선하여, 반도체 패키징시 반도체 디바이스의 전극간 접속 신뢰도를 향상시키는 돌기형 전극을 구비한 반도체 디바이스 및 이를 이용한 반도체 패키지를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 돌기형 전극을 구비한 반도체 디바이스는, 반도체 실장 기술에 이용되는 접착 필름의 상면 또는 하면에 접속(Bonding)되고, 소정 패턴의 미세 피치(Pitch)로 다수 배열된 전극을 구비한 반도체 디바이스에 있어서, 상기 접착 필름의 접속면과 대향하는 전극의 일측면에 다수의 반구형 돌기가 배열된 것을 특징으로 한다.
바람직하게, 상기 접착 필름은 도전성 입자를 제외한 접착 수지 혼합물로 이루어진 NCF(Non-Conductive Film)이다. 또한, 상기 다수의 반구형 돌기는 규칙 또는 불규칙하게 배열된다. 아울러, 상기 반구형 돌기의 직경은 4 내지 10㎛ 범위를 만족한다.
본 발명에 따르면, 상기 전극은 주석(Sn) 도금 후 금(Au) 도금된다. 바람직하게, 상기 전극은 스트랩(Strap) 전극 또는 범프(Bump) 전극이다.
본 발명에 있어서, 상기 반도체 디바이스는 배선 기판(Substrate) 또는 마이크로칩(Microchip)이다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 소정 패턴의 미세 피치(Pitch)로 다수 배열된 제 1 전극을 구비한 제 1 반도체 디바이스; 상기 제 1 전극과 동일한 패턴으로 다수 배열된 제 2 전극을 구비한 제 2 반도체 디바이스; 및 상기 제 1 및 제 2 반 도체 디바이스 사이에 개재되어 제 1 및 제 2 전극을 접속(Bonding)하는 접착 필름;을 포함하고, 상기 접착 필름에 의해 미세 피치 영역은 절연 접속되고 전극 접속 영역은 통전 접속되도록, 상기 접착 필름의 접속면과 대향하는 제 1 또는 제 2 전극의 일측면에 다수의 반구형 돌기가 배열되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지를 제공한다.
바람직하게, 상기 제 1 전극은 범프(Bump) 전극이고, 상기 제 1 반도체 디바이스는 마이크로칩(Microchip)이다.
또한, 상기 제 2 전극은 스트랩(Strap) 전극이고, 상기 제 2 반도체 디바이스는 배선 기판(Substrate)이다.
본 발명에 따르면, 상기 접착 필름의 접속면과 대향하는 제 1 및 제 2 전극의 일측면에 다수의 반구형 돌기가 배열된다.
이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따러서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
본 발명에 따른 반도체 디바이스(Semiconductor Device)는 배선 기판(Substrate) 및 마이크로칩(Microchip)으로 분류되며, 접착 필름을 이용하여 배선 기판상에 마이크로칩을 실장하는 반도체 패키지는 COF(Chip On Glass), COG(Chip On Glass), COB(Chip On Board), TAB(Tape Automated Bonding) 및 TCP(Tape Automated Bonding)를 포함하는 반도체 실장 기술에 의해 구현된다.
이때, 본 발명에 따른 반도체 디바이스는 접착 필름에 대향하는 전극의 일측면에 다수의 반구형 돌기를 배열하여 종래의 도전성 입자를 대체하며, 이에 따라 상기 접착 필름은 ACF(Anistropic Conductive Film)가 아닌 도전성 입자가 제외된 NCF(Non-Conductive Film)가 이용되는데, 도 3 내지 도 8을 참조로 돌기형 전극을 구비한 반도체 디바이스를 설명하면 다음과 같다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 패키지는 제 1 전극(110)을 구비한 제 1 반도체 디바이스(100), 제 2 전극(210)을 구비한 제 2 반도체 디바이스(200) 및 상기 제 1 및 제 2 반도체 디바이스(100, 200) 사이에 개재되어 제 1 및 제 2 전극(110, 210)을 전기적으로 접속(Bonding)하는 접착 필름(300)을 포함한다.
상기 제 1 반도체 디바이스(100)는 반도체 실장 공정에 의해 제 2 반도체 디바이스(200)상에 실장되는 마이크로칩이며, 상기 제 1 전극(110)은 소정 패턴의 미세 피치(Pitch)로 다수 배열된 범프(Bump) 전극이다.
상기 제 2 반도체 디바이스(200)는 반도체 실장 공정에 의해 제 1 반도체 디바이스(100)와 전기적으로 접속되는 배선 기판이며, 상기 제 2 전극(210)은 제 1 전극(110)과 동일한 패턴으로 다수 배열된 스트랩(Strap) 전극이다.
상기 접착 필름(300)은 도전성 입자가 제외된 접착 수지 혼합물로 이루어진 NCF이며, 열가소성 또는 열경화성 접착 수지의 특성을 구비한다. 본 발명의 실시예에서, 상기 접착 필름(300)은 반도체 실장을 위한 압착 공정에서 가해지는 열 및 압력에 의해 제 1 및 제 2 반도체 디바이스 사이에서 용융 접착된다.
본 발명의 실시예에서, 상기 접착 필름(300)의 접속면에 대향하고, 제 2 전극(210)과 전기적으로 접속하는 제 1 전극(110)의 일측면에 다수의 반구형 돌기가 배열되는데, 상기 범프 전극(111)의 일측면 상에 반구형 돌기(111a)를 다수 형성하여 반도체 실장을 위한 접착 필름(300)의 가압착(Pre-Bonding) 및 본압착(Post-Bonding)시 반구형 돌기(111a)가 접착 필름(300)을 뚫고 스트랩 전극(211)의 일측면에 전기적으로 접속될 수 있도록 한다. 이때, 상기 반구형 돌기(111a)와 스트랩 전극(211)의 접속면을 제외한 나머지 영역은 접착 필름의 접착력에 의해 절연 접속된다.
상기 제 1 전극(110)에 구비된 다수의 반구형 돌기는 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 범프 전극(111)의 일측면상에 불규칙적으로 배열되나 이에 한정되지 않는다. 예컨데, 도 5에 도시된 바와 같이, 다수의 반구형 돌기가 범프 전극(111)의 일측면상에 규칙적으로 배열될 수 있다.
한편, 전술한 반도체 패키지에서 반구형 돌기가 제 1 반도체 디바이스에 구비된 제 1 전극이 아닌 제 2 반도체 디바이스에 구비된 제 2 전극에 배열될 수 있는데, 도 6을 참조로 설명하면 다음과 같다.
도 6에 도시된 바와 같이, 상기 반도체 패키지는 제 1 전극(110')을 구비한 제 1 반도체 디바이스(100'), 제 2 전극(210')을 구비한 제 2 반도체 디바이스(200') 및 상기 제 1 및 제 2 반도체 디바이스(100', 200') 사이에 개재되어 제 1 및 제 2 전극(110', 210')을 전기적으로 접속(Bonding)하는 접착 필름(300)을 포함한다.
본 발명의 실시예에서, 상기 접착 필름(300)의 접속면에 대향하고, 제 1 전극(110')과 전기적으로 접속하는 제 2 전극(210')의 일측면에 다수의 반구형 돌기가 배열된다. 여기서, 상기 제 2 전극(210')은 제 1 전극(110')과 동일한 패턴으로 다수 배열된 스트랩(Strap) 전극을 구비하며, 상기 스트랩 전극(211')의 일측면 상에 반구형 돌기(211a)를 다수 형성하여 반도체 실장을 위한 접착 필름(300)의 가압착 및 본압착시 반구형 돌기(211a)가 접착 필름(300)을 뚫고 범프 전극(111')의 일측면에 전기적으로 접속될 수 있도록 한다. 이때, 상기 반구형 돌기(211a)와 범프 전극(111')의 접속면을 제외한 나머지 영역은 접착 필름의 접착력에 의해 절연 접속된다.
상기 제 2 전극(210')에 구비된 다수의 반구형 돌기는 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 스트랩 전극(211')의 일측면상에 불규칙적으로 배열되나 이에 한정되지 않는다. 예컨데, 도 8에 도시된 바와 같이, 다수의 반구형 돌기가 스트랩 전극(211')의 일측면상에 규칙적으로 배열될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 반구형 돌기는 이방성 도전 필름의 역할을 대체할 수 있도록 직경이 4 내지 10㎛인 범위를 만족한다.
여기서, 반구형 돌기가 일측면에 다수 배열된 제 1 또는 제 2 전극의 제조 과정은 표면에 다수의 반구형 돌기가 규칙 또는 불규칙적으로 배열된 롤(Roll)로 동박 플레이트를 압연하고, 상기 압연된 동박을 제 1 또는 제 2 전극의 일측면에 적층하고, 상기 동박이 적층된 전극에 주석(Sn) 도금 및 금(Au) 도금을 순차적으로 실시함으로써 구현된다. 이때, 상기 주석 및 금 도금으로 인하여 전극의 전기 전도도가 향상됨은 자명하다. 또한, 반도체 패키징시 제 1 전극 또는 제 2 전극 중 선택된 어느 하나의 전극에만 다수의 반구형 돌기를 형성하여 제 1 및 제 2 반도체 디바이스를 패키징하였으나 이에 한정되지 않는다. 예컨데, 다수의 반구형 돌기를 제 1 전극 및 제 2 전극에 모두 배열하여 제 1 및 제 2 반도체 디바이스를 패키징할 수 있다.
전술한 제 1 및 제 2 반도체 디바이스는 가압 수단에 의한 압착 공정에서 도전성 입자가 제거된 접착 필름 즉, NCF에 의해 패키징되는데, 도 9 및 도 10을 참조로 패키징 과정을 설명하면 다음과 같다. 여기서, 도면 참조 부호는 도 6과 동일하며, 반도체 실장 기술 중 COG를 적용한다.
도 9를 참조하면, 상기 접착 필름(300)을 이용한 제 1 및 제 2 반도체 디바이스(100', 200')의 전기적 접속은 가압 수단(400)에 의한 가압착 및 본압착 공정에 의해 이루어진다. 이때, 상기 제 1 반도체 디바이스(100')는 마이크로칩을 포함하는 연성 회로(FPC)이고, 제 2 반도체 디바이스(200')는 투명 전극이 형성된 글래스(Glass) 기판이다.
상기 패키징 공정은 먼저, 접착 필름(300)이 테이블(미도시)상에 고정된 제 2 반도체 디바이스(200')로 이송되고, 상기 가압 수단(400)에 의해 접착 필름(300) 이 제 2 반도체 디바이스(200')상에 가압착된다. 이후, 상기 제 1 반도체 디바이스(100')가 접착 필름(300)을 매개로 제 2 반도체 디바이스(200')상에 적층된다. 이때, 제 1 및 제 2 반도체 디바이스(100', 200')에 구비된 제 1 및 제 2 전극(110', 210')이 전극 정렬된다. 다음으로, 상기 적층된 제 1 반도체 디바이스(100')는 가압 수단(400)에 의해 제 2 반도체 디바이스(200')에 견고하게 본압착된다.
본 발명의 실시예에서, 상기 제 1 및 제 2 전극(110', 210')은 본압착에 의해 전기적으로 견고하게 접속되는데, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 전극(110', 210')이 맞닿는 도통 영역에서 제 2 전극(210')상에 배열된 다수의 반구형 돌기가 압착 공정에서 용융된 접착 필름(300)을 뚫고 제 1 전극(110')에 전기적으로 통전 접속되고, 상기 전극(110', 210')이 맞닿지 않는 비도통 영역에서는 접착 필름만이 개재되어 절연 접속된다.
이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 반도체 디바이스에 구비된 전극의 표면상에 다수의 반원형 돌기를 배열함으로써, 반도체 패키징시 도전성 입자가 제외된 NCF(Non-Conductive Film)에 의해 상호 접속되는 반도체 디바이스 간의 전극 접속 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
또한, 반도체 패키징시 도전성 입자가 포함된 ACF(Anistropic Conductive Film)보다 상대적으로 저렴한 NCF를 이용함으로써 제조 원가가 절감된다.
아울러, 전극의 표면상에 배열된 다수의 반원형 돌기는 종래의 도전성 입자의 역할을 대체함으로써, 전극간 단락의 우려가 없으며 가격대비 전기적 신뢰도를 향상시킬 수 있다.
Claims (17)
- 반도체 실장 기술에 이용되는 접착 필름의 상면 또는 하면에 접속(Bonding)되고, 소정 패턴의 미세 피치(Pitch)로 다수 배열된 전극을 구비한 반도체 디바이스에 있어서,상기 접착 필름의 접속면과 대향하는 전극의 일측면에 다수의 반구형 돌기가 배열된 것을 특징으로 하는 돌기형 전극을 구비한 반도체 디바이스.
- 제1항에 있어서,상기 접착 필름은 도전성 입자를 제외한 접착 수지 혼합물로 이루어진 NCF(Non-Conductive Film)인 것을 특징으로 하는 돌기형 전극을 구비한 반도체 디바이스.
- 제1항에 있어서,상기 다수의 반구형 돌기는 규칙 또는 불규칙하게 배열되는 것을 특징으로 하는 돌기형 전극을 구비한 반도체 디바이스.
- 제1항 또는 제3항에 있어서,상기 반구형 돌기의 직경은 4 내지 10㎛ 범위를 만족하는 것을 특징으로 하는 돌기형 전극을 구비한 반도체 디바이스.
- 제1항에 있어서,상기 전극은 주석(Sn) 도금 후 금(Au) 도금된 것을 특징으로 하는 돌기형 전극을 구비한 반도체 디바이스.
- 제1항 또는 제5항에 있어서,상기 전극은 스트랩(Strap) 전극 또는 범프(Bump) 전극인 것을 특징으로 하는 돌기형 전극을 구비한 반도체 디바이스.
- 제1항에 있어서,상기 반도체 디바이스는 배선 기판(Substrate) 또는 마이크로칩(Microchip)인 것을 특징으로 하는 돌기형 전극을 구비한 반도체 디바이스.
- 소정 패턴의 미세 피치(Pitch)로 다수 배열된 제 1 전극을 구비한 제 1 반도체 디바이스;상기 제 1 전극과 동일한 패턴으로 다수 배열된 제 2 전극을 구비한 제 2 반도체 디바이스; 및상기 제 1 및 제 2 반도체 디바이스 사이에 개재되어 제 1 및 제 2 전극을 접속(Bonding)하는 접착 필름;을 포함하고,상기 접착 필름에 의해 미세 피치 영역은 절연 접속되고 전극 접속 영역은 통전 접속되도록, 상기 접착 필름의 접속면과 대향하는 제 1 또는 제 2 전극의 일측면에 다수의 반구형 돌기가 배열되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
- 제8항에 있어서,상기 제 1 전극은 범프(Bump) 전극인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
- 제8항에 있어서,상기 제 1 반도체 디바이스는 마이크로칩(Microchip)인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
- 제8항에 있어서,상기 제 2 전극은 스트랩(Strap) 전극인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
- 제8항에 있어서,상기 제 2 반도체 디바이스는 배선 기판(Substrate)인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
- 제8항에 있어서,상기 접착 필름은 도전성 입자를 제외한 접착 수지 혼합물로 이루어진 NCF(Non-Conductive Film)인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
- 제8항에 있어서,상기 접착 필름의 접속면과 대향하는 제 1 및 제 2 전극의 일측면에 다수의 반구형 돌기가 배열되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
- 제8항 또는 제14항에 있어서,상기 다수의 반구형 돌기는 규칙 또는 불규칙하게 배열되는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
- 제8항, 제14항 또는 제15항에 있어서,상기 반구형 돌기의 직경은 4 내지 10㎛의 범위를 만족하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
- 제8항에 있어서,상기 전극은 주석(Sn) 도금 후 금(Au) 도금된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지.
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