KR100483450B1 - 실리콘 단결정의 제조방법 및 장치 - Google Patents
실리콘 단결정의 제조방법 및 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100483450B1 KR100483450B1 KR10-2002-0002249A KR20020002249A KR100483450B1 KR 100483450 B1 KR100483450 B1 KR 100483450B1 KR 20020002249 A KR20020002249 A KR 20020002249A KR 100483450 B1 KR100483450 B1 KR 100483450B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- crucible
- melt
- magnetic field
- single crystal
- traveling magnetic
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/06—Non-vertical pulling
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
- C30B15/305—Stirring of the melt
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
Claims (9)
- 직경이 적어도 450㎜이면서 도가니 벽을 가지는 도가니 내에 함유된 실리콘 용융물에서 실리콘 단결정을 견인하는 단계;상기 도가니 위에 열차폐체를 배치하는 단계; 및상기 도가니 벽의 영역에서 상기 용융물에 거의 수직 방향으로 힘을 가하는 진행자기장의 영향에 상기 실리콘 용융물을 노출시키는 단계;를 포함하고,상기 실리콘 단결정은 적어도 200mm의 직경으로 견인되고,상기 용융물에는 상기 진행자기장 외에 다른 자기장은 전혀 가해지지 않는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 단결정은 최소한 5×1017 atoms/㎤의 산소농도로 견인되는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 진행자기장이 상기 도가니 벽에서 상기 용융물에 주로 하방으로 향하는 힘을 가하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조방법.
- 제 1항에 있어서,상기 진행자기장이 상기 도가니 벽에서 상기 용융물에 주로 상방으로 향하는 힘을 가하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조방법.
- 최소한 450㎜의 직경을 가진 도가니와, 상기 도가니 내에 함유된 용융물과, 상기 도가니 주위에 배치된 가열장치와, 상기 도가니 위에 배치된 열차폐체와, 상기 도가니 벽의 영역에서 상기 용융물에 거의 수직 방향으로 힘을 가하는 진행자기장을 생성하는 장치로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 견인장치.
- 제 5항에 있어서,상기 진행자기장을 생성하는 장치는 상기 도가니 주위에 배치되고, 상기 가열장치보다도 상기 도가니에서 멀리 떨어져 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 견인장치.
- 제 5항에 있어서,상기 진행자기장을 생성하는 상기 도가니 주위에 배치되고, 상기 가열장치보다도 상기 도가니에 인접되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 견인장치.
- 제 5항에 있어서,상기 진행자기장을 생성하는 장치는 최소한 2개의 코일로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 견인장치.
- 최소한 450㎜의 직경을 가진 도가니와, 상기 도가니 내에 함유된 용융물과, 나선형 다상유도기로 구성되고 상기 도가니 주위에 배치된 가열장치와, 상기 도가니 위에 배치된 열차폐체로 이루어진 실리콘 단결정의 견인장치에 있어서, 그 가열장치는 상기 도가니 벽의 영역에서 상기 용융물에 거의 수직 방향으로 힘을 가하는 진행자기장을 생성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 견인장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10102126A DE10102126A1 (de) | 2001-01-18 | 2001-01-18 | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Einkristalls aus Silicium |
DE10102126.7 | 2001-01-18 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020061535A KR20020061535A (ko) | 2002-07-24 |
KR100483450B1 true KR100483450B1 (ko) | 2005-04-15 |
Family
ID=7670967
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2002-0002249A KR100483450B1 (ko) | 2001-01-18 | 2002-01-15 | 실리콘 단결정의 제조방법 및 장치 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7771530B2 (ko) |
EP (1) | EP1225255B1 (ko) |
JP (1) | JP3811408B2 (ko) |
KR (1) | KR100483450B1 (ko) |
DE (2) | DE10102126A1 (ko) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100783646B1 (ko) * | 2002-11-11 | 2007-12-07 | 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 | 냉동기 냉각형 초전도 자석장치 |
DE10259588B4 (de) | 2002-12-19 | 2008-06-19 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls aus Silicium |
DE10339792B4 (de) * | 2003-03-27 | 2014-02-27 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristalls aus Silicium |
KR100588425B1 (ko) * | 2003-03-27 | 2006-06-12 | 실트로닉 아게 | 실리콘 단결정, 결정된 결함분포를 가진 실리콘 단결정 및 실리콘 반도체 웨이퍼의 제조방법 |
DE10328859B4 (de) * | 2003-06-20 | 2007-09-27 | Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen durch Zonenziehen |
US7229499B2 (en) | 2003-08-22 | 2007-06-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device and semiconductor wafer |
DE10349339A1 (de) * | 2003-10-23 | 2005-06-16 | Crystal Growing Systems Gmbh | Kristallzüchtungsanlage |
DE102006060359B4 (de) * | 2006-12-20 | 2013-09-05 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium |
DE102007028547B4 (de) | 2007-06-18 | 2009-10-08 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Vorrichtung zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen |
DE102007028548B4 (de) * | 2007-06-18 | 2009-07-16 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen |
DE102007046409B4 (de) | 2007-09-24 | 2009-07-23 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Vorrichtung zur Herstellung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen |
DE102008027359B4 (de) | 2008-06-04 | 2012-04-12 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Verfahren zur intensiven Durchmischung von elektrisch leitenden Schmelzen in Kristallisations- und Erstarrungsprozessen |
DE102008059521B4 (de) * | 2008-11-28 | 2011-11-17 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Verfahren zum Erstarren einer Nichtmetall-Schmelze |
DE102009027436B4 (de) | 2009-07-02 | 2014-07-17 | Calisolar Gmbh | Verfahren zur Züchtung von Kristallen aus elektrisch leitenden Schmelzen, die in der Diamant- oder Zinkblendestruktur kristallisieren |
DE102009045680B4 (de) | 2009-10-14 | 2012-03-22 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Siliziumblöcken aus der Schmelze durch gerichtete Erstarrung |
DE102009046845A1 (de) | 2009-11-18 | 2011-06-01 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Kristallisationsanlage und Kristallisationsverfahren |
DE102010041061B4 (de) | 2010-09-20 | 2013-10-24 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Kristallisationsanlage und Kristallisationsverfahren zur Herstellung eines Blocks aus einem Material, dessen Schmelze elektrisch leitend ist |
CN112095153B (zh) * | 2019-06-18 | 2021-05-11 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种半导体晶体生长装置 |
CN114672874A (zh) * | 2022-05-18 | 2022-06-28 | 宁夏中晶半导体材料有限公司 | 一种改善小角晶界缺陷的新型引晶方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR910018582A (ko) * | 1990-04-27 | 1991-11-30 | 야마시로 요시나리 | 실리콘 단결정 제조장치 |
JPH107486A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-01-13 | Mitsubishi Electric Corp | 磁界印加式単結晶製造装置 |
JPH10273376A (ja) * | 1997-03-29 | 1998-10-13 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 単結晶製造方法及び単結晶製造装置 |
JPH10279399A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-20 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 単結晶製造方法 |
JPH10310485A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-24 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶育成方法 |
JPH11246294A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-09-14 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 単結晶引上装置 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4949307B1 (ko) * | 1970-02-18 | 1974-12-26 | ||
JPS60264391A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-27 | Nec Corp | 結晶製造装置 |
JPS6129128A (ja) * | 1984-07-19 | 1986-02-10 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置 |
JPS6236096A (ja) * | 1985-08-07 | 1987-02-17 | Kawasaki Steel Corp | 単結晶の製造方法およびその装置 |
JPS6270286A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-31 | Toshiba Corp | 単結晶製造装置 |
JPS6360189A (ja) | 1986-08-28 | 1988-03-16 | Toshiba Corp | 半導体単結晶の製造方法 |
DE3701811A1 (de) * | 1987-01-22 | 1988-08-04 | Kawasaki Steel Co | Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines einkristalls |
JPS63210092A (ja) | 1987-02-26 | 1988-08-31 | Toshiba Corp | 単結晶製造法 |
US4808079A (en) * | 1987-06-08 | 1989-02-28 | Crowley Christopher J | Magnetic pump for ferrofluids |
US4905756A (en) * | 1988-10-18 | 1990-03-06 | United States Department Of Energy | Electromagnetic confinement and movement of thin sheets of molten metal |
JPH0351673A (ja) | 1989-07-19 | 1991-03-06 | Mitsubishi Electric Corp | ヒートポンプ式冷暖房装置 |
US5196085A (en) * | 1990-12-28 | 1993-03-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Active magnetic flow control in Czochralski systems |
US5178720A (en) | 1991-08-14 | 1993-01-12 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for controlling oxygen content of silicon crystals using a combination of cusp magnetic field and crystal and crucible rotation rates |
DE19529481A1 (de) * | 1995-08-10 | 1997-02-13 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen |
US5779791A (en) | 1996-08-08 | 1998-07-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Process for controlling thermal history of Czochralski-grown silicon |
JPH10167891A (ja) | 1996-12-04 | 1998-06-23 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 単結晶シリコンの製造装置および製造方法 |
JPH10297994A (ja) * | 1997-04-25 | 1998-11-10 | Sumitomo Sitix Corp | シリコン単結晶育成方法 |
US5922127A (en) * | 1997-09-30 | 1999-07-13 | Memc Electronic Materials, Inc. | Heat shield for crystal puller |
TW508378B (en) * | 1998-03-09 | 2002-11-01 | Shinetsu Handotai Kk | A method for producing a silicon single crystal wafer and a silicon single crystal wafer |
US6077343A (en) * | 1998-06-04 | 2000-06-20 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon single crystal wafer having few defects wherein nitrogen is doped and a method for producing it |
JP2000044387A (ja) * | 1998-07-27 | 2000-02-15 | Nippon Steel Corp | シリコン単結晶製造方法 |
JP3611236B2 (ja) | 1998-09-30 | 2005-01-19 | 東芝セラミックス株式会社 | シリコン単結晶ウエハの製造方法 |
US6284384B1 (en) * | 1998-12-09 | 2001-09-04 | Memc Electronic Materials, Inc. | Epitaxial silicon wafer with intrinsic gettering |
JP4422813B2 (ja) | 1999-03-26 | 2010-02-24 | シルトロニック・ジャパン株式会社 | シリコン単結晶の製造方法 |
JP3589119B2 (ja) | 1999-10-07 | 2004-11-17 | 三菱住友シリコン株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
US6636037B1 (en) * | 2000-03-31 | 2003-10-21 | Innovative Materials Testing Technologies | Super sensitive eddy-current electromagnetic probe system and method for inspecting anomalies in conducting plates |
-
2001
- 2001-01-18 DE DE10102126A patent/DE10102126A1/de not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-01-10 EP EP02000204A patent/EP1225255B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-10 DE DE50201595T patent/DE50201595D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-15 KR KR10-2002-0002249A patent/KR100483450B1/ko active IP Right Grant
- 2002-01-16 JP JP2002007395A patent/JP3811408B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-17 US US10/053,446 patent/US7771530B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR910018582A (ko) * | 1990-04-27 | 1991-11-30 | 야마시로 요시나리 | 실리콘 단결정 제조장치 |
JPH107486A (ja) * | 1996-06-20 | 1998-01-13 | Mitsubishi Electric Corp | 磁界印加式単結晶製造装置 |
JPH10273376A (ja) * | 1997-03-29 | 1998-10-13 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 単結晶製造方法及び単結晶製造装置 |
JPH10279399A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-20 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | 単結晶製造方法 |
JPH10310485A (ja) * | 1997-04-30 | 1998-11-24 | Sumitomo Sitix Corp | 単結晶育成方法 |
JPH11246294A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-09-14 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 単結晶引上装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3811408B2 (ja) | 2006-08-23 |
DE50201595D1 (de) | 2004-12-30 |
KR20020061535A (ko) | 2002-07-24 |
JP2002226294A (ja) | 2002-08-14 |
EP1225255B1 (de) | 2004-11-24 |
DE10102126A1 (de) | 2002-08-22 |
US7771530B2 (en) | 2010-08-10 |
EP1225255A1 (de) | 2002-07-24 |
US20020092461A1 (en) | 2002-07-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100483450B1 (ko) | 실리콘 단결정의 제조방법 및 장치 | |
KR100689958B1 (ko) | 실리콘 단결정, 결정된 결함분포를 가진 실리콘 단결정 및실리콘 반도체 웨이퍼 | |
EP1831436B1 (en) | Controlling melt-solid interface shape of a growing silicon crystal using a variable magnetic field | |
KR19990013581A (ko) | 결정결함을 가지지 않는 실리콘 단결정 제조방법과 장치, 및 이에의해 제조된 실리콘 단결정과 실리콘 웨이퍼 | |
EA017453B1 (ru) | Способ и устройство для получения монокристалла | |
CZ244792A3 (en) | Process for producing silicon single-crystal rods of preset diameter by employing czochralski method | |
JP2004196655A (ja) | シリコンからなる単結晶、前記単結晶から得られた半導体ウェハ、及び単結晶を製造する方法及び装置 | |
US5268063A (en) | Method of manufacturing single-crystal silicon | |
KR101193786B1 (ko) | 단결정 성장장치, 단결정 성장방법 및 이에 의해 성장된 단결정 잉곳 | |
JPH10130100A (ja) | 半導体単結晶の製造装置および製造方法 | |
JP4953386B2 (ja) | シリコン単結晶の引上げ方法 | |
JP2006327874A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
WO1998049378A1 (fr) | Procede de tirage de monocristal | |
JPS623091A (ja) | 単結晶引上装置 | |
JP2001019592A (ja) | 単結晶引き上げ装置 | |
KR100868192B1 (ko) | 가변 자기장을 이용한 반도체 단결정 제조 방법, 그 장치및 반도체 단결정 잉곳 | |
WO2007007479A1 (ja) | 単結晶の製造方法 | |
JP2023184253A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JPH09263481A (ja) | 単結晶引き上げ装置及び該装置を用いた単結晶引き上げ方法 | |
JP2000239097A (ja) | 半導体用シリコン単結晶の引上げ方法 | |
JP2023086621A (ja) | コイル、単結晶の製造装置用磁石、単結晶の製造装置および単結晶の製造方法 | |
JPH10167875A (ja) | 単結晶製造装置 | |
JPH05208891A (ja) | 単結晶成長装置 | |
JPH06227887A (ja) | 結晶引き上げ方法及び装置 | |
JPH0426584A (ja) | シリコン単結晶製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120402 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130328 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160324 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170323 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180329 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190328 Year of fee payment: 15 |