JPH10167891A - 単結晶シリコンの製造装置および製造方法 - Google Patents
単結晶シリコンの製造装置および製造方法Info
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- JPH10167891A JPH10167891A JP34050796A JP34050796A JPH10167891A JP H10167891 A JPH10167891 A JP H10167891A JP 34050796 A JP34050796 A JP 34050796A JP 34050796 A JP34050796 A JP 34050796A JP H10167891 A JPH10167891 A JP H10167891A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＺ法による単結晶シリコンの製造におい
て、酸素濃度が１０×１０17atoms/cm3 以下で、かつ、
軸方向酸素濃度の均一な単結晶シリコンを安定して製造
することができる単結晶シリコンの製造装置および製造
方法を提供する。 【解決手段】 単結晶シリコン製造装置に、磁場を印加
するコイル１０、１０と、育成中の単結晶シリコン１２
を取り巻く中空の逆円錐台形状または円筒状のガス整流
筒９とを設ける。この製造装置を用い、融液５に横磁場
を印加して融液対流を抑制する。また、融液５から蒸発
するＳｉＯx は、ガス整流筒９と融液５との隙間を通過
するＡｒ等の不活性ガスにより排出を促進する。これら
の相乗効果により、単結晶シリコン１２に取り込まれる
酸素濃度が減少し、軸方向酸素濃度の均一な極低酸素結
晶が得られる。
て、酸素濃度が１０×１０17atoms/cm3 以下で、かつ、
軸方向酸素濃度の均一な単結晶シリコンを安定して製造
することができる単結晶シリコンの製造装置および製造
方法を提供する。 【解決手段】 単結晶シリコン製造装置に、磁場を印加
するコイル１０、１０と、育成中の単結晶シリコン１２
を取り巻く中空の逆円錐台形状または円筒状のガス整流
筒９とを設ける。この製造装置を用い、融液５に横磁場
を印加して融液対流を抑制する。また、融液５から蒸発
するＳｉＯx は、ガス整流筒９と融液５との隙間を通過
するＡｒ等の不活性ガスにより排出を促進する。これら
の相乗効果により、単結晶シリコン１２に取り込まれる
酸素濃度が減少し、軸方向酸素濃度の均一な極低酸素結
晶が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、単結晶シリコンの
製造装置および製造方法に係り、特に詳しくは極低酸素
濃度の単結晶シリコンを得るに好適な製造装置および製
造方法に関する。
製造装置および製造方法に係り、特に詳しくは極低酸素
濃度の単結晶シリコンを得るに好適な製造装置および製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】単結晶シリコンは一般にＣＺ法を用いて
製造されている。ＣＺ法は、単結晶製造装置内に設置し
た石英るつぼに多結晶シリコンを充填し、石英るつぼの
周囲に設けたヒータによって原料を加熱溶解した上、シ
ードチャックに取り付けた種結晶を融液に浸漬し、シー
ドチャックおよび石英るつぼを互いに同方向または逆方
向に回転しつつシードチャックを引き上げて単結晶シリ
コンを所定の直径および長さに成長させる方法である。
製造されている。ＣＺ法は、単結晶製造装置内に設置し
た石英るつぼに多結晶シリコンを充填し、石英るつぼの
周囲に設けたヒータによって原料を加熱溶解した上、シ
ードチャックに取り付けた種結晶を融液に浸漬し、シー
ドチャックおよび石英るつぼを互いに同方向または逆方
向に回転しつつシードチャックを引き上げて単結晶シリ
コンを所定の直径および長さに成長させる方法である。
【０００３】石英るつぼの表面は融液と接触して溶解す
るため、石英るつぼの表面に含まれている酸素は融液に
溶け出し、融液と反応してＳｉＯx となる。前記ＳｉＯ
x の大部分は融液表面から蒸発し、単結晶製造装置内に
導入されたアルゴン等の不活性ガスとともに単結晶製造
装置から排出されるが、一部は育成中の単結晶シリコン
に取り込まれる。単結晶シリコン中の酸素濃度は単結晶
の育成初期に高く、固化率の上昇に伴って低下する傾向
がある。また、単結晶シリコンに取り込まれた酸素は、
半導体デバイス製造過程で極微量の重金属汚染を浄化す
るイントリンシックゲッタリング効果を発揮するが、ウ
ェーハ表面の活性層に存在する場合は酸素誘起積層欠陥
の形成核となり、半導体デバイスの電気的特性に悪影響
を与える。
るため、石英るつぼの表面に含まれている酸素は融液に
溶け出し、融液と反応してＳｉＯx となる。前記ＳｉＯ
x の大部分は融液表面から蒸発し、単結晶製造装置内に
導入されたアルゴン等の不活性ガスとともに単結晶製造
装置から排出されるが、一部は育成中の単結晶シリコン
に取り込まれる。単結晶シリコン中の酸素濃度は単結晶
の育成初期に高く、固化率の上昇に伴って低下する傾向
がある。また、単結晶シリコンに取り込まれた酸素は、
半導体デバイス製造過程で極微量の重金属汚染を浄化す
るイントリンシックゲッタリング効果を発揮するが、ウ
ェーハ表面の活性層に存在する場合は酸素誘起積層欠陥
の形成核となり、半導体デバイスの電気的特性に悪影響
を与える。
【０００４】単結晶シリコン中に所望の濃度の酸素を軸
方向に均一に分布させるため、たとえば、特開平６−５
６５７１号公報に開示された単結晶の酸素濃度制御方法
によれば、融液の上方に逆円錐台形状または円筒状の熱
遮蔽治具を配置し、融液面と前記熱遮蔽治具の下端との
隙間を変更することによって単結晶の酸素濃度を制御し
ている。
方向に均一に分布させるため、たとえば、特開平６−５
６５７１号公報に開示された単結晶の酸素濃度制御方法
によれば、融液の上方に逆円錐台形状または円筒状の熱
遮蔽治具を配置し、融液面と前記熱遮蔽治具の下端との
隙間を変更することによって単結晶の酸素濃度を制御し
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法では酸素濃度が１０×１０17atoms/cm3 以下の極低酸
素結晶を安定して得ることは困難である。特に近年で
は、単結晶シリコンの長大化に伴って石英るつぼのサイ
ズが大型化しているため、融液に接触する石英るつぼの
表面積が増大している。また、ヒータへの投入電力が増
大しているため、石英るつぼに加えられる熱量も増大し
ている。これらの点から融液に溶け込む酸素量が増加
し、前記極低酸素結晶の製造はますます困難になってい
る。
法では酸素濃度が１０×１０17atoms/cm3 以下の極低酸
素結晶を安定して得ることは困難である。特に近年で
は、単結晶シリコンの長大化に伴って石英るつぼのサイ
ズが大型化しているため、融液に接触する石英るつぼの
表面積が増大している。また、ヒータへの投入電力が増
大しているため、石英るつぼに加えられる熱量も増大し
ている。これらの点から融液に溶け込む酸素量が増加
し、前記極低酸素結晶の製造はますます困難になってい
る。
【０００６】本発明は上記従来の問題点に着目してなさ
れたもので、酸素濃度が１０×１０17atoms/cm3 以下
で、かつ、軸方向酸素濃度の均一な単結晶シリコンを安
定して製造することができる単結晶シリコンの製造装置
および製造方法を提供することを目的としている。
れたもので、酸素濃度が１０×１０17atoms/cm3 以下
で、かつ、軸方向酸素濃度の均一な単結晶シリコンを安
定して製造することができる単結晶シリコンの製造装置
および製造方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る単結晶シリコンの製造装置は、ＣＺ法
による単結晶シリコンの製造装置において、磁場印加手
段と、育成中の単結晶シリコンを取り巻く中空の逆円錐
台形状または円筒状の不活性ガス整流筒とを備えている
ことを特徴とする。
め、本発明に係る単結晶シリコンの製造装置は、ＣＺ法
による単結晶シリコンの製造装置において、磁場印加手
段と、育成中の単結晶シリコンを取り巻く中空の逆円錐
台形状または円筒状の不活性ガス整流筒とを備えている
ことを特徴とする。
【０００８】また、本発明に係る単結晶シリコンの製造
方法は、上記製造装置を用い、磁場印加による融液対流
の抑制と、不活性ガス整流筒による融液表面からのガス
排出能力向上との相乗効果により、育成する単結晶シリ
コンの酸素濃度を１０×１０17atoms/cm3 以下に制御す
ることを特徴とする。
方法は、上記製造装置を用い、磁場印加による融液対流
の抑制と、不活性ガス整流筒による融液表面からのガス
排出能力向上との相乗効果により、育成する単結晶シリ
コンの酸素濃度を１０×１０17atoms/cm3 以下に制御す
ることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態および実施例】上記構成によれば、
単結晶シリコンの製造装置に磁場印加手段と、単結晶シ
リコンを取り巻く不活性ガス整流筒とを設けたので、融
液の対流抑制と、融液から蒸発する酸素の不活性ガスに
よる排出とを平行して行うことができる。
単結晶シリコンの製造装置に磁場印加手段と、単結晶シ
リコンを取り巻く不活性ガス整流筒とを設けたので、融
液の対流抑制と、融液から蒸発する酸素の不活性ガスに
よる排出とを平行して行うことができる。
【００１０】融液に磁場を印加すると、磁力線に直交す
る導電体融液の有効動粘性係数が増大し、融液の対流が
抑制される。横磁場を印加した場合は石英るつぼの壁面
に沿う垂直方向の融液対流が抑制され、石英るつぼから
融液に溶け出す酸素量を抑制する。これにより、単結晶
シリコンに取り込まれる酸素量を減らすことができる。
また、不活性ガス整流筒の下端と融液面との隙間を適切
な値に保ち、この隙間を流れる不活性ガスによってＳｉ
Ｏx の排出を促進させれば、単結晶シリコンに取り込ま
れる酸素量が低減する。これらの相乗効果により、軸方
向酸素濃度が均一な極低酸素結晶が得られる。
る導電体融液の有効動粘性係数が増大し、融液の対流が
抑制される。横磁場を印加した場合は石英るつぼの壁面
に沿う垂直方向の融液対流が抑制され、石英るつぼから
融液に溶け出す酸素量を抑制する。これにより、単結晶
シリコンに取り込まれる酸素量を減らすことができる。
また、不活性ガス整流筒の下端と融液面との隙間を適切
な値に保ち、この隙間を流れる不活性ガスによってＳｉ
Ｏx の排出を促進させれば、単結晶シリコンに取り込ま
れる酸素量が低減する。これらの相乗効果により、軸方
向酸素濃度が均一な極低酸素結晶が得られる。
【００１１】次に、本発明に係る単結晶シリコンの製造
装置および製造方法の実施例について図面を参照して説
明する。図１は、単結晶シリコン製造装置の概略構成を
模式的に示した部分縦断面図である。メインチャンバ１
の中心部には、回転および昇降可能なるつぼ軸２の上端
に黒鉛るつぼ３が載置され、黒鉛るつぼ３に収容された
石英るつぼ４に多結晶シリコンの融液５が貯留されてい
る。黒鉛るつぼ３の周囲には円筒状のヒータ６と円筒状
の保温筒７とが設置され、保温筒７の上端には支持部材
８を介してガス整流筒９が装着されている。このガス整
流筒９は下端開口部より上端開口部が大きい中空の逆円
錐台形状の筒で、黒鉛またはＳｉＣからなる。メインチ
ャンバ１の上端は図示しないプルチャンバに接続され、
メインチャンバ１の底面には図示しない真空ポンプに接
続された排気孔１ａが設けられている。 また、メイン
チャンバ１の外側には環状のコイル１０、１０がそれぞ
れ垂直に立てた状態で設置されている。
装置および製造方法の実施例について図面を参照して説
明する。図１は、単結晶シリコン製造装置の概略構成を
模式的に示した部分縦断面図である。メインチャンバ１
の中心部には、回転および昇降可能なるつぼ軸２の上端
に黒鉛るつぼ３が載置され、黒鉛るつぼ３に収容された
石英るつぼ４に多結晶シリコンの融液５が貯留されてい
る。黒鉛るつぼ３の周囲には円筒状のヒータ６と円筒状
の保温筒７とが設置され、保温筒７の上端には支持部材
８を介してガス整流筒９が装着されている。このガス整
流筒９は下端開口部より上端開口部が大きい中空の逆円
錐台形状の筒で、黒鉛またはＳｉＣからなる。メインチ
ャンバ１の上端は図示しないプルチャンバに接続され、
メインチャンバ１の底面には図示しない真空ポンプに接
続された排気孔１ａが設けられている。 また、メイン
チャンバ１の外側には環状のコイル１０、１０がそれぞ
れ垂直に立てた状態で設置されている。
【００１２】石英るつぼ４に塊状の多結晶シリコンを充
填し、これをヒータ６によって加熱溶解して融液５とす
る。そして、シードチャック１１に取り付けた種結晶を
融液５に浸漬してなじませた後、シードチャック１１お
よび黒鉛るつぼ３を互いに同方向または逆方向に回転し
つつシードチャック１１を引き上げて単結晶シリコン１
２を成長させる。コイル１０、１０に通電した場合、融
液５を水平方向に横断する磁界が印加され、磁力線と直
交する上下方向の融液対流が抑制されるため、石英るつ
ぼ４の内壁から融液５に溶出する酸素量が抑制される。
填し、これをヒータ６によって加熱溶解して融液５とす
る。そして、シードチャック１１に取り付けた種結晶を
融液５に浸漬してなじませた後、シードチャック１１お
よび黒鉛るつぼ３を互いに同方向または逆方向に回転し
つつシードチャック１１を引き上げて単結晶シリコン１
２を成長させる。コイル１０、１０に通電した場合、融
液５を水平方向に横断する磁界が印加され、磁力線と直
交する上下方向の融液対流が抑制されるため、石英るつ
ぼ４の内壁から融液５に溶出する酸素量が抑制される。
【００１３】一方、プルチャンバから導入されたＡｒ等
の不活性ガスは育成中の単結晶シリコン１２とガス整流
筒９との隙間を流下し、更に融液５の表面とガス整流筒
９の下端との隙間を通過した後、石英るつぼ４の内壁と
ガス整流筒９との間を上昇する。そして、黒鉛るつぼ３
とヒータ６との隙間、あるいはヒータ６と保温筒７との
隙間を流下して排気孔１ａから排出される。不活性ガス
は、融液５の表面とガス整流筒９の下端との隙間を通過
する際に流速を速め、融液５から蒸発するＳｉＯx の排
出を促進する。ただし、融液５の表面とガス整流筒９の
下端との隙間が小さすぎると、石英るつぼ４の放射熱が
ガス整流筒９によって著しく遮断され、融液５の表面温
度が下がってＳｉＯx の蒸発が抑制される。その結果、
単結晶シリコン１２に取り込まれる酸素濃度が増加する
ので、前記隙間は５０mm程度とすることが望ましい。
の不活性ガスは育成中の単結晶シリコン１２とガス整流
筒９との隙間を流下し、更に融液５の表面とガス整流筒
９の下端との隙間を通過した後、石英るつぼ４の内壁と
ガス整流筒９との間を上昇する。そして、黒鉛るつぼ３
とヒータ６との隙間、あるいはヒータ６と保温筒７との
隙間を流下して排気孔１ａから排出される。不活性ガス
は、融液５の表面とガス整流筒９の下端との隙間を通過
する際に流速を速め、融液５から蒸発するＳｉＯx の排
出を促進する。ただし、融液５の表面とガス整流筒９の
下端との隙間が小さすぎると、石英るつぼ４の放射熱が
ガス整流筒９によって著しく遮断され、融液５の表面温
度が下がってＳｉＯx の蒸発が抑制される。その結果、
単結晶シリコン１２に取り込まれる酸素濃度が増加する
ので、前記隙間は５０mm程度とすることが望ましい。
【００１４】また、不活性ガスの流量は、融液５から蒸
発するＳｉＯx の排出能力を維持するとともに、融液５
の表面とガス整流筒９の下端との隙間を通過した不活性
ガスの乱流発生を抑制するため、メインチャンバ容量９
００〜２０００ｌに対して３５〜６５ｌ／min とするこ
とが望ましい。不活性ガスの流量が３５ｌ／min 未満の
場合は、ＳｉＯx の排出能力が不足して極低酸素結晶が
得られず、６５ｌ／min を超えると、乱流が発生してガ
ス整流筒９の外側面にアモルファスＳｉＯx が付着す
る。
発するＳｉＯx の排出能力を維持するとともに、融液５
の表面とガス整流筒９の下端との隙間を通過した不活性
ガスの乱流発生を抑制するため、メインチャンバ容量９
００〜２０００ｌに対して３５〜６５ｌ／min とするこ
とが望ましい。不活性ガスの流量が３５ｌ／min 未満の
場合は、ＳｉＯx の排出能力が不足して極低酸素結晶が
得られず、６５ｌ／min を超えると、乱流が発生してガ
ス整流筒９の外側面にアモルファスＳｉＯx が付着す
る。
【００１５】図２は、本発明の製造方法により得られた
単結晶シリコンと、従来技術によって得られた単結晶シ
リコンとについて、軸方向酸素濃度の測定結果を比較し
たグラフである。この実験では２４インチの石英るつぼ
に１２０ｋｇの多結晶シリコンを充填し、直径８インチ
の単結晶シリコンを育成した。図中、Ａは本発明による
実施例で、磁場強度４０００ガウス、チャンバ内圧２０
Ｔｏｒｒ、Ａｒ流量６０ｌ／min 、ガス整流筒と融液と
の隙間５０mmとした場合の軸方向酸素濃度の変動を示
す。ＢおよびＣは従来技術によるもので、ＢはＡと同一
条件の横磁場を印加する方法でガス整流筒のないもの、
Ｃは磁場印加手段がなく、ガス整流筒を有する装置を用
いた場合を示す。ＢおよびＣのチャンバ内圧は２０Ｔｏ
ｒｒ、Ａｒ流量は６０ｌ／min とした。また、Ｃの場合
のガス整流筒と融液表面との隙間は５０mmとした。
単結晶シリコンと、従来技術によって得られた単結晶シ
リコンとについて、軸方向酸素濃度の測定結果を比較し
たグラフである。この実験では２４インチの石英るつぼ
に１２０ｋｇの多結晶シリコンを充填し、直径８インチ
の単結晶シリコンを育成した。図中、Ａは本発明による
実施例で、磁場強度４０００ガウス、チャンバ内圧２０
Ｔｏｒｒ、Ａｒ流量６０ｌ／min 、ガス整流筒と融液と
の隙間５０mmとした場合の軸方向酸素濃度の変動を示
す。ＢおよびＣは従来技術によるもので、ＢはＡと同一
条件の横磁場を印加する方法でガス整流筒のないもの、
Ｃは磁場印加手段がなく、ガス整流筒を有する装置を用
いた場合を示す。ＢおよびＣのチャンバ内圧は２０Ｔｏ
ｒｒ、Ａｒ流量は６０ｌ／min とした。また、Ｃの場合
のガス整流筒と融液表面との隙間は５０mmとした。
【００１６】図２に示すように、本発明の製造方法によ
って得られた単結晶シリコンの酸素濃度は、軸方向の全
長にわたって１０×１０17atoms ／cm3 以下となり、か
つ、軸方向の濃度変動が小さい。これに対し、従来技術
による単結晶シリコンの酸素濃度は、特に直胴部前半に
おいて１０×１０17atoms ／cm3 をはるかに超え、更に
軸方向の濃度の変動が大きい。
って得られた単結晶シリコンの酸素濃度は、軸方向の全
長にわたって１０×１０17atoms ／cm3 以下となり、か
つ、軸方向の濃度変動が小さい。これに対し、従来技術
による単結晶シリコンの酸素濃度は、特に直胴部前半に
おいて１０×１０17atoms ／cm3 をはるかに超え、更に
軸方向の濃度の変動が大きい。
【００１７】上記実験結果から、２４インチ以上の大型
るつぼを用いて極低酸素濃度の単結晶シリコンを製造す
る場合、磁場印加による融液対流抑制と、融液からの蒸
発酸素のガス整流筒による排出促進との相乗効果によっ
てのみ達成が可能であることが分かった。
るつぼを用いて極低酸素濃度の単結晶シリコンを製造す
る場合、磁場印加による融液対流抑制と、融液からの蒸
発酸素のガス整流筒による排出促進との相乗効果によっ
てのみ達成が可能であることが分かった。
【００１８】本実施例ではホットゾーンに横磁場を印加
したが、これに限るものではなく、カスプ磁場を印加し
ても極低酸素濃度の単結晶シリコンを製造することがで
きる。
したが、これに限るものではなく、カスプ磁場を印加し
ても極低酸素濃度の単結晶シリコンを製造することがで
きる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、石
英るつぼから融液に溶出する酸素を磁場印加により抑制
する効果と、不活性ガスの流れを制御する整流筒により
融液から蒸発する酸素の排出を促進する効果との相乗効
果を利用して単結晶シリコンを育成することにしたの
で、融液中に含まれる酸素量が減少し、軸方向の全長に
わたって極低酸素濃度の単結晶シリコンが得られる。本
発明による製造装置ならびに製造方法は、特に直径８イ
ンチ以上の大径の単結晶シリコンを製造する場合に効果
を発揮する。
英るつぼから融液に溶出する酸素を磁場印加により抑制
する効果と、不活性ガスの流れを制御する整流筒により
融液から蒸発する酸素の排出を促進する効果との相乗効
果を利用して単結晶シリコンを育成することにしたの
で、融液中に含まれる酸素量が減少し、軸方向の全長に
わたって極低酸素濃度の単結晶シリコンが得られる。本
発明による製造装置ならびに製造方法は、特に直径８イ
ンチ以上の大径の単結晶シリコンを製造する場合に効果
を発揮する。
【図１】単結晶シリコン製造装置の概略構成を模式的に
示した部分縦断面図である。
示した部分縦断面図である。
【図２】単結晶シリコンの軸方向酸素濃度を比較したグ
ラフである。
ラフである。
１ メインチャンバ １ａ 排気孔 ４ 石英るつぼ ５ 融液 ９ ガス整流筒 １０ コイル １２ 単結晶シリコン
Claims (2)
- 【請求項１】 ＣＺ法による単結晶シリコンの製造装置
において、磁場印加手段と、育成中の単結晶シリコンを
取り巻く中空の逆円錐台形状または円筒状の不活性ガス
整流筒とを備えていることを特徴とする単結晶シリコン
の製造装置。 - 【請求項２】 上記製造装置を用い、磁場印加による融
液対流の抑制と、不活性ガス整流筒による融液表面から
のガス排出能力向上との相乗効果により、育成する単結
晶シリコンの酸素濃度を１０×１０17atoms/cm3 以下に
制御することを特徴とする単結晶シリコンの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34050796A JPH10167891A (ja) | 1996-12-04 | 1996-12-04 | 単結晶シリコンの製造装置および製造方法 |
| TW86114404A TW442580B (en) | 1996-12-04 | 1997-10-02 | Manufacturing apparatus and method for single crystal silicon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34050796A JPH10167891A (ja) | 1996-12-04 | 1996-12-04 | 単結晶シリコンの製造装置および製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10167891A true JPH10167891A (ja) | 1998-06-23 |
Family
ID=18337640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34050796A Pending JPH10167891A (ja) | 1996-12-04 | 1996-12-04 | 単結晶シリコンの製造装置および製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10167891A (ja) |
| TW (1) | TW442580B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7771530B2 (en) | 2001-01-18 | 2010-08-10 | Siltronic Ag | Process and apparatus for producing a silicon single crystal |
| JP2010265168A (ja) * | 2009-05-13 | 2010-11-25 | Siltronic Ag | 融液からシリコン単結晶を成長させるための方法及び装置 |
| JP2017075082A (ja) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | 上海新昇半導體科技有限公司 | 単結晶シリコンインゴットおよびウェーハの形成方法 |
-
1996
- 1996-12-04 JP JP34050796A patent/JPH10167891A/ja active Pending
-
1997
- 1997-10-02 TW TW86114404A patent/TW442580B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7771530B2 (en) | 2001-01-18 | 2010-08-10 | Siltronic Ag | Process and apparatus for producing a silicon single crystal |
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