JP2017075082A - 単結晶シリコンインゴットおよびウェーハの形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】溶融した多結晶シリコンに、重水素原子を含むガスを導入して、格子間部位に重水素原子を受け止めさせて、磁場印加チョクラルスキー法を用いて単結晶インゴットを形成する。その結果、シリコンインゴットに含有される酸素、炭素、および他の不純物を減少させることができ、このシリコンインゴットにより形成されたウェーハ上に半導体装置を形成する場合、シリコンウェーハの格子間重水素原子が拡散して、ダングリングボンドと結合してダングリングボンドを減少させ、ホットキャリアに対する抵抗性を増強し、リーク電流を減少させ、そして半導体装置の性能および信頼性を向上させることができる。
【選択図】図1
Description
ルツボ中、所定の温度で、配合した多結晶シリコン片を溶融する工程。溶融した多結晶シリコン片に着液した種結晶を、所定の引上げ速度で引上げて、単結晶を育成し、単結晶のネック長が所定の長さに達したら、引上げ速度を減速し、これにより肩段階へと移行する工程。肩段階において減速した引上げ速度で、線形冷却率を維持し、これによりインゴットについて予め定めた直径を形成させ、次いで直胴部の育成段階に移行する工程。インゴットの直径が所定の直径に到達したら、冷却しながら、ただし線形冷却は止めて、単結晶を迅速に引上げ、ルツボをある持上げ速度で持上げ、これにより直径の変化率に従って引上げ速度をゆっくりと調整し、自動直胴部育成プログラムを実行し、これにより、インゴットの直径を安定させた後に、自動直胴部育成段階に移行する工程。
インゴット中の格子間重水素原子によって、インゴットを形成するためのチョクラルスキー法中に配合される酸素、炭素原子、および他の不純物の含有量が低下し、格子間重水素原子は、溶融した多結晶シリコン片に導入される、重水素原子含有ガスに由来すること。
半導体装置を形成する工程において、格子間重水素原子が拡散することでダングリングボンドと結合してダングリングボンドを減少させることによって、ホットキャリアに対する抵抗性を増強し、リーク電流を減少させ、および半導体装置の性能および信頼性を向上させること。
図面は具体的な尺度に制限されず、同様な参照番号が、同様な要素を表すために用いられる。本開示および添付の請求項で使用される場合、「例示の実施形態」、「模範的な実施形態」、および「本実施形態」という用語は、その実施形態は1つかもしれないが、必ずしも1つの実施形態を示すのではなく、本開示の範囲または精神から逸脱することなく、様々な例示の実施形態を容易に組み合わせたり、相互交換したりしてもよい。そのうえ、用語は、本明細書中使用される場合、例示の実施形態を説明することのみを目的とし、本開示を制限することを意図しない。
これに関して、本明細書中使用される場合、「〜中において(in)」という用語は、「〜中において(in)」および「〜上において(on)」を含むことができ、また不定冠詞および定冠詞の「a」、「an」、および「the」は、単数および複数についての記述を含むことができる。そのうえ、本明細書中使用される場合、「〜により(by)」という用語は、文脈によって「〜から(from)」という意味も表すことができる。そのうえ、本明細書中使用される場合、「もし(if)」という用語は、文脈によって「〜するとき(when)」または「〜する際(upon)」という意味も表すことができる。そのうえ、本明細書中使用される場合、「および/または」という語は、付随して列挙される項目の1つまたは複数による任意のおよび全ての可能な組み合わせを示すとともにそれら組み合わせを包含できる。
半導体装置を形成するプロセスにおいて格子間重水素原子が拡散することでダングリングボンドと結合してダングリングボンドを減少させることによって、ホットキャリアに対する抵抗性を増強し、リーク電流を減少させ、および半導体装置の性能および信頼性を向上させる可能性がある。
Claims (9)
- 単結晶シリコンインゴットを形成するための方法であって、
ルツボ中、重水素原子を含むガスを導入しながら、多結晶シリコン片を溶融する工程、および、
磁場印加チョクラルスキー法を用いてインゴットを形成する工程、を含む、
方法。 - 前記ガスは、重水素ガスであることを特徴とする、請求項1に記載の単結晶シリコンインゴットを形成するための方法。
- 前記ガスは、重水素ガスとアルゴンガスの混合物であることを特徴とする、請求項1に記載の単結晶シリコンインゴットを形成するための方法。
- 前記ガス中の前記重水素ガスとアルゴンガスの比率は、0.1%〜99%内であることを特徴とする、請求項3に記載の単結晶シリコンインゴットを形成するための方法。
- 磁場印加チョクラルスキー法を用いてインゴットを形成する前記工程は、さらに、前記ルツボ中、所定の温度で、前記ガスを配合した前記多結晶シリコン片を溶融する工程、該溶融した多結晶シリコン片に着液した種結晶を、所定の引上げ速度で引上げて、単結晶を育成し、および該単結晶のネック長が所定の長さに達したら、該引上げ速度を減速し、これにより肩段階へと移行する工程、該肩段階において該減速した引上げ速度で、線形冷却率を維持し、これにより、該インゴットについて予め定めた直径を形成させ、次いで直胴部の育成段階に移行する工程、および、該インゴットの該直径が該所定の直径に到達したら、冷却しながら、ただし線形冷却は止めて、該単結晶を迅速に引上げ、ルツボをある持上げ速度で持上げ、これにより該直径の変化率に従って該引上げ速度をゆっくりと調整し、自動直胴部育成プログラムを実行し、これにより、該インゴットの該直径を安定させた後に、自動直胴部育成段階に移行する工程、を含むことを特徴とする、請求項1に記載の単結晶シリコンインゴットを形成するための方法。
- 前記インゴットの直径は、前記引上げ速度および前記所定の温度を通じて制御されることを特徴とする、請求項5に記載の単結晶シリコンインゴットを形成するための方法。
- 前記磁場印加チョクラルスキー法で用いられる磁場の強度は、1000〜5000ガウス内であることを特徴とする、請求項5に記載の単結晶シリコンインゴットを形成するための方法。
- 単結晶シリコンウェーハを形成するための方法であって、請求項1に記載の方法に従って形成されたインゴットを材料に用いて、重水素原子が配合されたウェーハを形成することを特徴とする、方法。
- スライス工程、研削工程、研磨工程、表面形状測定工程、および洗浄工程を行ってインゴットをウェーハにする工程をさらに含む、請求項8に記載の単結晶シリコンウェーハを形成する方法。
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