JP2015124127A - 単結晶の引上げ方法 - Google Patents
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Description
図1に示すCZ炉10を用い、図2に示すフローチャート図に基づいてシリコン単結晶11を引上げた。具体的には、先ずCZ炉10のメインチャンバ12に収容されたルツボ13に360kgのシリコン原料を入れた。次いで上記ルツボ13内のシリコン原料をヒータ19で加熱して融解しシリコン融液16にした。このシリコン融液16から1本目のシリコン単結晶11を引上げる直前に、熱遮蔽体46のロアフランジ部46c上面のメインチャンバ12に対する鉛直方向の位置である熱遮蔽体46の初回位置P1を2次元CCDカメラ47により測定し、このロアフランジ部46c上面の初回位置P1をメモリ48aに記憶した。また、コントローラ48は、上記ロアフランジ部46c上面の位置P1を基準として、水平磁場の中心位置33をその設定位置に合せた。更に、コントローラ48は、ルツボ13内のシリコン融液16の表面位置と熱遮蔽体46のロアフランジ部46c下面とのギャップが40mmになるように、ルツボ駆動装置18によりルツボ13を昇降させて調整した。そしてコントローラ48は第1及び第2コイル31,32に通電してルツボ13内のシリコン融液16に水平磁場を印加し、全長が1800mmであって直胴部の直径が300mmである1本目のシリコン単結晶11を引上げた。ここで、熱遮蔽体46のロアフランジ部46cの内周縁とシリコン単結晶11の外周面との距離は30mmであった。
熱遮蔽体のロアフランジ部下面とシリコン融液表面との距離を70mmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、全長が1800mmであって直胴部の直径が300mmである1本目及び2本目のシリコン単結晶を順次引上げた。2本目のシリコン単結晶を実施例2とした。
熱遮蔽体のロアフランジ部の内周縁と引上げ中のシリコン単結晶の外周面との距離を50mmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、全長が1800mmであって直胴部の直径が300mmである1本目及び2本目のシリコン単結晶を順次引上げた。2本目のシリコン単結晶を実施例3とした。
先ず実施例1と同様にして、1本目のシリコン単結晶11を引上げた。次にCZ炉10のルツボ13に新たに360kgのシリコン原料を入れた後、このルツボ13内のシリコン原料をヒータ19で加熱して融解しシリコン融液にした。このシリコン融液16から2本目のシリコン単結晶11を引上げる直前に、熱遮蔽体46のロアフランジ部46c上面の現在位置P2を2次元CCDカメラ47により測定した。そして、コントローラ48は、上記現在位置P2から初回位置P1を引いた値δ(上方に2mm)を算出し、ロアフランジ部46cがずれた方向に上記ずれ量δ(上方に2mm)だけ第1及び第2コイル31,32を鉛直方向にずらした。これにより水平磁場の中心位置33のロアフランジ部46cに対する鉛直方向の相対位置を所定値に保った。また、コントローラ48は、ルツボ13内のシリコン融液16の表面位置と熱遮蔽体46のロアフランジ部46c下面とのギャップが40mmになるように、ルツボ駆動装置18によりルツボ13を昇降させて調整した。そしてコントローラ48は第1及び第2コイル31,32に通電してルツボ13内のシリコン融液16に水平磁場を印加し、全長が1800mmであって直胴部の直径が300mmである2本目のシリコン単結晶11を引上げた。この2本目のシリコン単結晶11を実施例4とした。なお、熱遮蔽体46のロアフランジ部46cの内周縁とシリコン単結晶11の外周面との距離は30mmであった。
熱遮蔽体のロアフランジ部下面とシリコン融液表面との距離を70mmとしたこと以外は、実施例4と同様にして、全長が1800mmであって直胴部の直径が300mmである1本目及び2本目のシリコン単結晶を順次引上げた。2本目のシリコン単結晶を実施例5とした。
熱遮蔽体のロアフランジ部の内周縁と引上げ中のシリコン単結晶の外周面との距離を50mmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、全長が1800mmであって直胴部の直径が300mmである1本目及び2本目のシリコン単結晶を順次引上げた。2本目のシリコン単結晶を実施例6とした。
2本目のシリコン単結晶を引上げる直前に、熱遮蔽体のロアフランジ部上面の現在位置P2が初回位置P1からずれていても、熱遮蔽体の鉛直方向の位置を調整しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、全長が1800mmであって直胴部の直径が300mmである1本目及び2本目のシリコン単結晶を順次引上げた。2本目のシリコン単結晶を比較例1とした。
2本目のシリコン単結晶を引上げる直前に、熱遮蔽体のロアフランジ部上面の現在位置P2が初回位置P1からずれていても、熱遮蔽体の鉛直方向の位置を調整しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、全長が1800mmであって直胴部の直径が300mmである1本目及び2本目のシリコン単結晶を順次引上げた。2本目のシリコン単結晶を比較例2とした。
熱遮蔽体のロアフランジ部の内周縁と引上げ中のシリコン単結晶の外周面との距離を50mmとしたこと以外は、比較例1と同様にして、全長が1800mmであって直胴部の直径が300mmである1本目及び2本目のシリコン単結晶を順次引上げた。2本目のシリコン単結晶を比較例3とした。
実施例1〜6及び比較例1〜3のシリコン単結晶の製品ロスを測定した。具体的には、各シリコン単結晶の直胴部において、無欠陥とならなかった部分、即ちCOP若しくは転位クラスタが存在する部分の体積を測定し、シリコン単結晶の直胴部全体を100質量%とするときの上記無欠陥とならなかった部分の体積割合を算出した。その結果を表1に示す。なお、表1において、「調整量」とは、2本目のシリコン単結晶を引上げる直前に、熱遮蔽体のロアフランジ部上面の現在位置P2から初回位置P1を引いた値δだけ、ロアフランジ部46cがずれた方向に第1及び第2コイル31,32を鉛直方向にずらした量である。また、表1において、「熱遮蔽体−液面」とは、熱遮蔽体のロアフランジ部下面とシリコン融液の表面との距離であり、「熱遮蔽体−単結晶」とは、熱遮蔽体のロアフランジ部内周面と引上げ中のシリコン単結晶の外周面との距離である。
11 シリコン単結晶(単結晶)
12 メインチャンバ(チャンバ)
13 ルツボ
16 シリコン融液(融液)
19 ヒータ
20 保温筒
24 プルチャンバ(チャンバ)
Claims (3)
- CZ炉のチャンバに収容されたルツボに原料を入れる工程と、このルツボ内の原料をヒータで加熱して前記ルツボに融液を貯留する工程と、このルツボ内の融液に水平磁場を印加した状態であって前記融液表面より上方に位置する熱遮蔽体が前記融液から引上げられる単結晶外周面を包囲してヒータによる前記単結晶外周面への輻射熱の照射を遮った状態で単結晶を引上げる方法において、
前記ヒータにより前記ルツボ内の融液を加熱した状態であって前記CZ炉での最初の単結晶の引上げ前に、前記熱遮蔽体の前記チャンバに対する鉛直方向の位置である前記熱遮蔽体の初回位置を測定する工程と、
前記熱遮蔽体の初回位置を基準として前記水平磁場の中心位置をその設定位置に合せる工程と、
前記ヒータにより前記ルツボ内の融液を加熱した状態であって前記CZ炉での2本目以降の単結晶の引上げ前又は引上げ中に、前記熱遮蔽体の鉛直方向の位置を測定して前記熱遮蔽体が前記初回位置から鉛直方向にずれた量を算出する工程と、
前記熱遮蔽体の鉛直方向へのずれ量に応じて前記水平磁場の中心位置を鉛直方向に調整する工程と
を含むことを特徴とする単結晶の引上げ方法。 - 前記熱遮蔽体の下端部下面と前記融液の表面との距離が70〜150mmの範囲内である請求項1記載の単結晶の引上げ方法。
- 前記ルツボの上部の内径をd1mmとし、前記引上げ中の単結晶の直胴部の直径をd2mmとし、前記熱遮蔽体の下端の半径方向の厚さをtmmとするとき、前記熱遮蔽体の下端部内周面と前記引上げ中の単結晶の外周面との距離が、50mm以上かつ[(d1−d2−2t)/2]mm以下である請求項1又は2記載の単結晶の引上げ方法。
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