JPS6236096A - 単結晶の製造方法およびその装置 - Google Patents
単結晶の製造方法およびその装置Info
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- JPS6236096A JPS6236096A JP60173939A JP17393985A JPS6236096A JP S6236096 A JPS6236096 A JP S6236096A JP 60173939 A JP60173939 A JP 60173939A JP 17393985 A JP17393985 A JP 17393985A JP S6236096 A JPS6236096 A JP S6236096A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
- C30B15/305—Stirring of the melt
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
、〔産業上の利用分野〕
本発明は、引上げ法によるＳｉやＧａＡｓなどの半導体
あるいは無機化合物質などの単結晶の製造方法およびそ
の装置に関するものである。
あるいは無機化合物質などの単結晶の製造方法およびそ
の装置に関するものである。
引上げ法は、チョクラルスキー法とも言われ、大径の単
結晶インゴットが得やすいなどの利点があるためＳｉや
ＧａＡｓなどの単結晶の製造に実用されている。しかし
ながら、この方法では、引上げの進行につれ、ＰやＢな
どのドーピング元素が融液中に濃縮されるため、単結晶
の下方にいくに従い、抵抗値が大幅に低下するという欠
点があった。
結晶インゴットが得やすいなどの利点があるためＳｉや
ＧａＡｓなどの単結晶の製造に実用されている。しかし
ながら、この方法では、引上げの進行につれ、ＰやＢな
どのドーピング元素が融液中に濃縮されるため、単結晶
の下方にいくに従い、抵抗値が大幅に低下するという欠
点があった。
この欠点を解決する方法として例えば、第３図に示す方
法が知られている。 （Ｇｅｏｒｇｅ Ｆｉｅｇｌ；
５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ７．
＾ｕｇｕｓｔ、 １ ９ ８ ３） この方
法によれば、融解用ルツボ３ａから、単結晶ｌの引上げ
用ルツボ３に融液輸送管１０を用いてＳｉ融液４を補給
することにより、引上げ用ルツボ３内のＳｉ融液中のド
ーピング元素の濃度が上昇するのを防１トすることがで
きる。
法が知られている。 （Ｇｅｏｒｇｅ Ｆｉｅｇｌ；
５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇ７．
＾ｕｇｕｓｔ、 １ ９ ８ ３） この方
法によれば、融解用ルツボ３ａから、単結晶ｌの引上げ
用ルツボ３に融液輸送管１０を用いてＳｉ融液４を補給
することにより、引上げ用ルツボ３内のＳｉ融液中のド
ーピング元素の濃度が上昇するのを防１トすることがで
きる。
しかしながら、この方法では、融液輸送管１０温度制御
が難かしいこと、２つのルツボ３．３ａを加熱および温
度制御するコストが高いことなどの欠点があった。
が難かしいこと、２つのルツボ３．３ａを加熱および温
度制御するコストが高いことなどの欠点があった。
既に説明した従来法の欠点を解決するために、融液輸送
管１０や融解用ルツボ３ａを使用セず、第４図に示すよ
うに多結晶Ｓｉ原料２を引七げ用ルツボ３に直接補給す
る実験を行った。その結果、第４図に示す方法では、？
ｉ結品ｌのインゴツト面内のドーピング元素濃度、言い
換えると抵抗値のばらつきが非常に大きくなるという欠
点があることがわかった０本発明はこの欠点を解決し、
原料の直接補給を可１近にする方法を提供する。
管１０や融解用ルツボ３ａを使用セず、第４図に示すよ
うに多結晶Ｓｉ原料２を引七げ用ルツボ３に直接補給す
る実験を行った。その結果、第４図に示す方法では、？
ｉ結品ｌのインゴツト面内のドーピング元素濃度、言い
換えると抵抗値のばらつきが非常に大きくなるという欠
点があることがわかった０本発明はこの欠点を解決し、
原料の直接補給を可１近にする方法を提供する。
本発明は、溶融物質から引りげ方法にて単結晶を製造す
る方法において、収容容器内の溶融物質に進行磁場を印
加しながら、かつ該溶融物質原料を該収容容器側壁近傍
の溶融物質に供給しながら種結晶の引上げにより結品成
長を行うことを特徴とする単結晶の製造方法とである。
る方法において、収容容器内の溶融物質に進行磁場を印
加しながら、かつ該溶融物質原料を該収容容器側壁近傍
の溶融物質に供給しながら種結晶の引上げにより結品成
長を行うことを特徴とする単結晶の製造方法とである。
また１本発明の装置は上記方法の実施に用いるものであ
って。
って。
ｌ）加熱装置を備え溶融物質を収容する容器、２）該容
器の側壁の外周を取り囲んで設けられ容器内の溶融物質
にＦ向きの進行磁場を印加する手段。
器の側壁の外周を取り囲んで設けられ容器内の溶融物質
にＦ向きの進行磁場を印加する手段。
３）該溶融物質の原料を固体もしくは液体の状態で前記
収容容器側壁近傍の溶融物質に上方から供給する手段、 を設けたことを特徴とする単結晶の製造装置である。
収容容器側壁近傍の溶融物質に上方から供給する手段、 を設けたことを特徴とする単結晶の製造装置である。
容器内に進行磁場を印加する手段は、溶融物質収納容器
の側壁を取り囲む電磁石とこれに低周波交？ｉ、電流を
供給する電ｖ、（図示しない）とから成る。
の側壁を取り囲む電磁石とこれに低周波交？ｉ、電流を
供給する電ｖ、（図示しない）とから成る。
本発明者らは、第４図に示す方法では、単結晶インゴツ
ト面内のドーピング元素濃度のばらつきが大きい理由に
つき以丁のように推論した。
ト面内のドーピング元素濃度のばらつきが大きい理由に
つき以丁のように推論した。
第５図に示すように、加熱されるルツボ３（溶融物質収
納容器）内の融液４には熱対流１１が発生する。従来の
技術では、引七げ単結晶ｌを回転し、強制対流１２を発
生させることにより、熱射ｉｌｌが固／液界面１３に到
達するのを防いでいる。
納容器）内の融液４には熱対流１１が発生する。従来の
技術では、引七げ単結晶ｌを回転し、強制対流１２を発
生させることにより、熱射ｉｌｌが固／液界面１３に到
達するのを防いでいる。
しかし、熱対流１１、強制対流１２は乱流であり、流れ
のゆらぎがあるため、熱対流１１の一部が固／液界面１
３に時々達するものと考えられる。従ってＳｉ原料の供
給位置を通過した熱対流ｌｌが固／液界面１３に達する
とそれに対応する結晶面のドーピング元素の濃度が他の
部分より著しく低くなるものと推定した。そこで、ルツ
ボ３内の融液４に進行磁場を印加し、該融液に下向きの
駆動力を与え、熱対流１１を抑止した。この状態で原料
多結晶Ｓｉもしくは、液状のＳｉをＳｉ融液４の表面近
くに添加する方法によれば、単結晶１面内のドーピング
元素濃度のばらつきは増大しないことを見出した。すな
わち、本発明の要点は、ルツボ３内の融液４に進行磁場
を印加することにより、ルツボ側壁近くのＬ昇熱対流１
１を弱めるかあるいは抑ＩＬシたＬで、あるいは熱対流
に打ちかつ下向きの力を享えてむしろｆ向きの流れをか
えた状態で、固体または液体の原料を添加することにあ
る。
のゆらぎがあるため、熱対流１１の一部が固／液界面１
３に時々達するものと考えられる。従ってＳｉ原料の供
給位置を通過した熱対流ｌｌが固／液界面１３に達する
とそれに対応する結晶面のドーピング元素の濃度が他の
部分より著しく低くなるものと推定した。そこで、ルツ
ボ３内の融液４に進行磁場を印加し、該融液に下向きの
駆動力を与え、熱対流１１を抑止した。この状態で原料
多結晶Ｓｉもしくは、液状のＳｉをＳｉ融液４の表面近
くに添加する方法によれば、単結晶１面内のドーピング
元素濃度のばらつきは増大しないことを見出した。すな
わち、本発明の要点は、ルツボ３内の融液４に進行磁場
を印加することにより、ルツボ側壁近くのＬ昇熱対流１
１を弱めるかあるいは抑ＩＬシたＬで、あるいは熱対流
に打ちかつ下向きの力を享えてむしろｆ向きの流れをか
えた状態で、固体または液体の原料を添加することにあ
る。
第１図と第２図に、本発明の装置の構成図を示す、ヒー
タ５を備え、溶融物質（融液）４を収納したルツボ溶融
物質収納容器３から単結晶１を引上げる装置が設けられ
ている。これを取り囲むチェンバ外壁７の外周に、電磁
石８を設ける０円筒状の電磁石８は進行磁場を発生し、
これをルツボ内の融液４に印加し、融液４に下向きの駆
動力を４える。［料多結晶２の供給手段はその内容を問
わないが上方からルツボ３内に固体状の原料多結晶２（
第１図）、または入射窓９から例えばレーザ光などの輻
射光を照射されて液状とした原料多結晶２（第２図）を
融液４に供給する。これにより、多結晶原料は融液４内
を下降して混合され融液４中へのドーピング元素の濃縮
を抑止する。第１図に示す構成では、原料多結晶が直接
融液４に供給されており、第２図に示す構成では、原料
多結晶２を湯面上に供給し、この下端部付近に入射窓９
からレーザ光を照射して徐々に融解し、原料２を液体状
態で融液４に供給する構成が示されている。
タ５を備え、溶融物質（融液）４を収納したルツボ溶融
物質収納容器３から単結晶１を引上げる装置が設けられ
ている。これを取り囲むチェンバ外壁７の外周に、電磁
石８を設ける０円筒状の電磁石８は進行磁場を発生し、
これをルツボ内の融液４に印加し、融液４に下向きの駆
動力を４える。［料多結晶２の供給手段はその内容を問
わないが上方からルツボ３内に固体状の原料多結晶２（
第１図）、または入射窓９から例えばレーザ光などの輻
射光を照射されて液状とした原料多結晶２（第２図）を
融液４に供給する。これにより、多結晶原料は融液４内
を下降して混合され融液４中へのドーピング元素の濃縮
を抑止する。第１図に示す構成では、原料多結晶が直接
融液４に供給されており、第２図に示す構成では、原料
多結晶２を湯面上に供給し、この下端部付近に入射窓９
からレーザ光を照射して徐々に融解し、原料２を液体状
態で融液４に供給する構成が示されている。
第２に示す実施態様については、レーザ光以外に例えば
キセノンランプの光を集光した輻射光線を用いることも
できる。
キセノンランプの光を集光した輻射光線を用いることも
できる。
実施例１
第１図に示す装置を用いてＰドープｎ型Ｓｉ単結晶の引
上げを行った（実施例１）、進行磁場の周波数は１００
Ｈｚとし、磁場の強さを２０〜２００ガウスに変化させ
た。
上げを行った（実施例１）、進行磁場の周波数は１００
Ｈｚとし、磁場の強さを２０〜２００ガウスに変化させ
た。
なお、比較例として磁場刃（磁場印加なし）で多結晶添
加を行わない場合（比較例１）と行う場合（比較例２）
についても引上げを行った。実施例１、比較例２では単
結晶ｌおよびルツボ３をそれぞれ２０ｒｐｍおよび２ｒ
ｐｍで逆向きに回転した。一方、比較例１では、＠結晶
およびルツボ３をそれぞれ２０ｒｐｐｘおよび１０ｒｐ
ｍで逆向きに回転した。
加を行わない場合（比較例１）と行う場合（比較例２）
についても引上げを行った。実施例１、比較例２では単
結晶ｌおよびルツボ３をそれぞれ２０ｒｐｍおよび２ｒ
ｐｍで逆向きに回転した。一方、比較例１では、＠結晶
およびルツボ３をそれぞれ２０ｒｐｐｘおよび１０ｒｐ
ｍで逆向きに回転した。
また、単結晶のショルダリング（肩付け）が終Ｙし、引
りげが定常に入った時点より、弔結晶引Ｊ―げ速度（ｍ
Ｉｊ：換算の速度）の局の速度で多結晶Ｓｉを添加し
た。
りげが定常に入った時点より、弔結晶引Ｊ―げ速度（ｍ
Ｉｊ：換算の速度）の局の速度で多結晶Ｓｉを添加し
た。
なお、実施例１および比較例２では、引りげ結晶の長さ
が比較例１と同じになるように、始めにルツボ内に装入
するＳｉ多結晶の晶、を少なくした。
が比較例１と同じになるように、始めにルツボ内に装入
するＳｉ多結晶の晶、を少なくした。
Ｓｉ多結晶追加添加の効果を調べるため、単結晶の軸方
向の抵抗変化を調査した。
向の抵抗変化を調査した。
単結晶インゴットの肩部および尾部を除いた定常引抜き
期の長さに対し、抵抗値が１３３％の範囲内に入る部分
の長さの比率が、比較例１では、６０％であるのに対し
、実施例１および比較例２では８０％に増加した。すな
わち、Ｓｉ多結晶を追加添加することにより軸方向の抵
抗変化を少なくすることができる。
期の長さに対し、抵抗値が１３３％の範囲内に入る部分
の長さの比率が、比較例１では、６０％であるのに対し
、実施例１および比較例２では８０％に増加した。すな
わち、Ｓｉ多結晶を追加添加することにより軸方向の抵
抗変化を少なくすることができる。
次に単結晶インゴットを加工してＳｉウェハを製造し、
該ウェハ面内の抵抗値を測定した結果第６図を得た。進
行磁場を印加せずに多結晶を追加添加した比較例２では
抵抗値のばらつきが１７％と非常に大きく、実用上の障
害となった。これに対し１本発明の実施例１は、多結晶
を追加しない通常の引上げ条件である比較例１と比較し
て抵抗値のばらつきが同等もしくはむしろ小さい値とな
った。
該ウェハ面内の抵抗値を測定した結果第６図を得た。進
行磁場を印加せずに多結晶を追加添加した比較例２では
抵抗値のばらつきが１７％と非常に大きく、実用上の障
害となった。これに対し１本発明の実施例１は、多結晶
を追加しない通常の引上げ条件である比較例１と比較し
て抵抗値のばらつきが同等もしくはむしろ小さい値とな
った。
実施例２
第２図の装置を用いてＳｉ単結晶の引上げを行った。
進行磁場の周波数は５０Ｈｚ、磁場の強さを１６０ガウ
スとした。また、単結晶ｌおよびルツボ３をそれぞれ２
０ｒｐｍおよび１０ｒｐｍで逆向きに回転した。また、
定常引上げ期には、実施例１の場合と同様引上げ速度の
局の速度で多結晶Ｓｉを融液表面上に供給し、その下端
近くにレーザ光を照射し、該多結晶Ｓｉを融解してＳｉ
融液上に落とした。
スとした。また、単結晶ｌおよびルツボ３をそれぞれ２
０ｒｐｍおよび１０ｒｐｍで逆向きに回転した。また、
定常引上げ期には、実施例１の場合と同様引上げ速度の
局の速度で多結晶Ｓｉを融液表面上に供給し、その下端
近くにレーザ光を照射し、該多結晶Ｓｉを融解してＳｉ
融液上に落とした。
この実施例２でも、抵抗値が１３３％の範囲に入る部分
の長さの比率は、実施例１と同様８０％であった。また
、第６図に示すように、ウェハ面内の抵抗値のばらつき
も４％と低い値が得られた。
の長さの比率は、実施例１と同様８０％であった。また
、第６図に示すように、ウェハ面内の抵抗値のばらつき
も４％と低い値が得られた。
本発明により、単結晶面内の抵抗値の均一性を悪化する
ことなく、単結晶軸方向の抵抗値の変化量を少なくする
ことができる。
ことなく、単結晶軸方向の抵抗値の変化量を少なくする
ことができる。
本発明はＳｉ以外の単結晶の引１げにも適用することが
できる０例えば、ＧａＡｓ単結品引上げの際にＩｎやＣ
ｒをドープする場合がある。この場合にも、本発明を適
用することにより、Ｉｎｅ度やＣｒＱ度の軸方向の変化
量を少なくすることができる。
できる０例えば、ＧａＡｓ単結品引上げの際にＩｎやＣ
ｒをドープする場合がある。この場合にも、本発明を適
用することにより、Ｉｎｅ度やＣｒＱ度の軸方向の変化
量を少なくすることができる。
第１図は本発明の構成を示す模式断面図、第２図は本発
明の構成を示す模式断面図、第３図、第４図はそれぞれ
原料多結晶を追加添加する従来法の１例の説明図、第５
図はルツボ内融液流動の模式図、第６図は実施例と比較
例のウェハ面内の抵抗値のばらつきを示すグラフである
。
明の構成を示す模式断面図、第３図、第４図はそれぞれ
原料多結晶を追加添加する従来法の１例の説明図、第５
図はルツボ内融液流動の模式図、第６図は実施例と比較
例のウェハ面内の抵抗値のばらつきを示すグラフである
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 溶融物質から引上げ方法にて単結晶を製造する方法
において、収容容器内の溶融物質に進行磁場を印加しな
がら、かつ該溶融物質原料を該収容容器側壁近傍の溶融
物質に供給しながら種結晶の引上げにより結晶成長を行
うことを特徴とする単結晶の製造方法。 ２ 加熱装置を備え溶融物質を収容する容器と、該容器
の側壁の外周を取り囲んで設けられ、容器内の溶融物質
に下向きの進行磁場を印加する手段と、該溶融物質の原
料を固体もしくは液体の状態で前記収容容器側壁近傍の
溶融物質に上方から供給する手段とを設けたことを特徴
とする単結晶の製造装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60173939A JPS6236096A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | 単結晶の製造方法およびその装置 |
| DE19873701733 DE3701733A1 (de) | 1985-08-07 | 1987-01-22 | Verfahren und vorrichtung zum zuechten von czochralski-einkristallen |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60173939A JPS6236096A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | 単結晶の製造方法およびその装置 |
| DE19873701733 DE3701733A1 (de) | 1985-08-07 | 1987-01-22 | Verfahren und vorrichtung zum zuechten von czochralski-einkristallen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6236096A true JPS6236096A (ja) | 1987-02-17 |
| JPH0329751B2 JPH0329751B2 (ja) | 1991-04-25 |
Family
ID=39339893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60173939A Granted JPS6236096A (ja) | 1985-08-07 | 1985-08-07 | 単結晶の製造方法およびその装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6236096A (ja) |
| DE (1) | DE3701733A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01212293A (ja) * | 1988-02-19 | 1989-08-25 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 結晶成長方法 |
| JPH0248492A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-19 | Osaka Titanium Co Ltd | 単結晶成長装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0431386A (ja) * | 1990-05-25 | 1992-02-03 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体単結晶引上方法 |
| US5196085A (en) * | 1990-12-28 | 1993-03-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Active magnetic flow control in Czochralski systems |
| DE10102126A1 (de) * | 2001-01-18 | 2002-08-22 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Einkristalls aus Silicium |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55100296A (en) * | 1979-01-18 | 1980-07-31 | Osaka Titanium Seizo Kk | Production of silicon single crystal |
| JPS5645889A (en) * | 1979-09-20 | 1981-04-25 | Sony Corp | Growing method of semiconductor single crystal |
| JPS59141578U (ja) * | 1983-03-09 | 1984-09-21 | 株式会社日立製作所 | 単結晶引上装置 |
| JPS6036392A (ja) * | 1983-08-05 | 1985-02-25 | Toshiba Corp | 単結晶引上装置 |
-
1985
- 1985-08-07 JP JP60173939A patent/JPS6236096A/ja active Granted
-
1987
- 1987-01-22 DE DE19873701733 patent/DE3701733A1/de not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55100296A (en) * | 1979-01-18 | 1980-07-31 | Osaka Titanium Seizo Kk | Production of silicon single crystal |
| JPS5645889A (en) * | 1979-09-20 | 1981-04-25 | Sony Corp | Growing method of semiconductor single crystal |
| JPS59141578U (ja) * | 1983-03-09 | 1984-09-21 | 株式会社日立製作所 | 単結晶引上装置 |
| JPS6036392A (ja) * | 1983-08-05 | 1985-02-25 | Toshiba Corp | 単結晶引上装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01212293A (ja) * | 1988-02-19 | 1989-08-25 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 結晶成長方法 |
| JPH0248492A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-19 | Osaka Titanium Co Ltd | 単結晶成長装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3701733A1 (de) | 1988-08-04 |
| JPH0329751B2 (ja) | 1991-04-25 |
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