JPH0474789A - 半導体単結晶引上方法 - Google Patents

半導体単結晶引上方法

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JPH0474789A
JPH0474789A JP18565990A JP18565990A JPH0474789A JP H0474789 A JPH0474789 A JP H0474789A JP 18565990 A JP18565990 A JP 18565990A JP 18565990 A JP18565990 A JP 18565990A JP H0474789 A JPH0474789 A JP H0474789A
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泉 布施川
Hirotoshi Yamagishi
浩利 山岸
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    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、成長縞が低減化された半導体単結晶を得るこ
とができる半導体単結晶引上方法に関する。
[従来の技術] 従来より半導体単結晶をチョクラルスキー法(Czoc
hralski Method : CZ法)にて成長
させた場合に、半導体結晶材料の融体の熱対流、振動な
どにより、−旦成長した半導体結晶が部分的に再融解し
、あるいはルツボから溶出した酸素が成長過程で不規則
に取り込まれるために、結晶欠陥や成長縞を発生するこ
とはよ(知られている。
そこで、熱対流や振動などの融体の不要な動きを抑制し
つつ結晶を引上げる方法として磁場印加チョクラルスキ
ー法(MCZ法)が提案され、結晶中の成長縞の発生を
抑制するのに有効であることが報告されている(K、H
o5hi、 T、5uzuki。
Y、0kubo and N、 Isawa : Ex
tended Abstracts ofElectr
ochem、、1980. p、811)。
上記MCZ法によって単結晶を引上げる場合、ルツボの
周囲に配置された加熱手段による熱中心のずれを補償す
るためにルツボを回転しながら結晶引上げを行ない、真
円断面形状を有する単結晶を得る方法が採用されている
。従って、ルツボの回転によって温度の高低を経ること
になって引上げ育成された単結晶にルツボ回転に基づ(
成長縞が発生し、成長縞の発生防止はいまだ不十分であ
った。
上記ルツボの回転に基づ(成長縞の発生を抑制しつつ、
熱中心のずれを補正して成長縞のない真円断面の結晶を
育成する方法として、特公昭61−21195号公報は
、結晶材料の融液または溶液が収容される容器の外周部
に該容器の垂直方向に沿って互いに分割され独立に制御
されて上記融液または溶液の水平方向の温度分布を均一
にする発熱体(分割ヒーター)で加熱し、磁場を印加し
ながら単結晶を引上げる方法を開示している。
[発明が解決しようとする課題] ところが、上記のような分割ヒーターで水平方向の温度
分布を均一にしようとしても、その制御は非常に困難で
あり、水平方向の熱バランスをとれず、結晶が異常成長
して真円断面のものが得られず、また、制御性の悪い加
熱による温度の高低を経ることによる成長縞の発生が新
たに生じるという問題がある。
本発明は上記の点を解決しようとするもので、その目的
は、真円断面状の半導体単結晶を成長縞が極限にまで低
減化された状態で得ることができる半導体単結晶引上方
法を提供することにある。
[課題を解決するための手段] 本発明は、容器中に収容された半導体結晶材料の融体よ
り当該半導体結晶を引上げる磁場印加弓上法において、
当該容器の回転速度を0.2〜5rpmとし、融体に印
加される磁場の強度を2000〜5000ガウスとした
ことを特徴とするものである。
本発明においては、半導体結晶材料の融体を収容する容
器を回転速度0.2〜5rpmの回転速度で回転させる
。容器を5 rpmを超える回転速度で回転させると融
体に強制流や振動が生じ、−旦成長した結晶が部分的に
再溶解し、成長縞や結晶欠陥発生の原因となり、また、
ルツボ内壁と融体との間の摩擦によりルツボから融体内
に混入する酸素濃度が高くなる。一方、ルツボを全く回
転させないと融体の熱分布の対称性が悪(なり、結晶の
異常成長をもたらし、真円断面状の半導体単結晶を得る
ことができないことから0.2rpm以上の回転速度の
ルツボ回転が必要となる。
また、本発明においては、融体に2000〜5000ガ
ウスの磁場を印加する。2000ガウス未満では融体の
実行的粘性を高め熱対流やルツボ回転により生じる強制
流を抑制することができない。
なお、熱対流の流れ方向に対し磁場を直交させると熱対
流の抑制に効果的であり、この意味で水平磁場を印加す
るのが好ましい。
次に、図面を参照しつつ本発明を更に詳細に説明する。
第1図は本発明の方法に用いるシリコン単結晶引上げの
ための装置例の概要を示す軸断面図である。
第1図において、8はルツボである。ルツボ8は、密閉
炉2の中央内部に配置され、上方側が開口し、石英(S
in、)で形成されている。そして、ルツボ8の内部に
は、シリコンが収容される。ルツボ8の周囲には加熱手
段9が配置されており、ルツボ8内のシリコンを加熱溶
融して融液状にする。なお、シリコンの融点は約142
0℃のため、加熱手段9は少なくともシリコンを前記融
点にまで加熱し得る加熱電力を有するものが必要となる
シリコンの融体10の表面には、の単結晶シリコンより
なる種結晶11が接触して配置される。種結晶11は引
上げチャック12を介して回転軸13に連結する。回転
軸13にはウオームギヤ14が固定され、モータ15に
連結するピニオンギヤ16により回転駆動される。回転
により融体の種結晶接触部には拡散層が形成される。一
方、回転軸13は軸受I7等を介し、引上げ具18に係
着支持される。引上げ具18は外周に細目ねじが形成さ
れている。細目ねじには、モータ20およびピニオンギ
ヤ21で回転されるウオームねじ17が螺合する。以上
の構造により、種結晶11はモータ15により回転駆動
されると共に、モータ20による引上げ具18の軸線方
向(上下方向)の移動により回転軸線方向に引上げ、ま
たは引き下げ方向に移動される。
ルツボ8は密閉炉2の底面に回転可能に支持され、その
底面に載置されるモータ22により回転される。
一方、密閉炉2の外側には直流磁場を発生する電磁石等
からなる磁場発生手段23が配置されている。なお、磁
場発生手段23は種結晶Hの回転軸方向に直交する水平
磁場を形成するように配設される。
ルツボ8内の融体10中にはルツボ8から酸素が溶出し
、この融体中の酸素は一部SiOガスとして融体10の
表面から密閉炉12内に蒸発する。
密閉炉2内には、アルゴンガスが供給されようになって
いる。アルゴンガスはアルゴンガス供給源3からモータ
5で駆動されるポンプ4により、供給口6を介して密閉
炉2内に供給され、密閉炉2に充満しているSiOガス
を伴い、排出ロアから排出される。
シリコン単結晶棒1を引上げるには、まず、密閉炉2内
にアルゴンガスを通過させると共に、ルツボ8のまわり
に水平磁場を形成する。同時にルツボ8内のシリコンを
加熱手段9により加熱し適温の融体lOを形成する。次
に、ルツボ8を0.2〜5rpmの範囲の中の所定の回
転速度で回転させる。
そして、種結晶11をルツボ回転と逆方向に回転しつつ
低速で引上げ方向に移動する。以上の動作によりシリコ
ン単結晶棒1が形成されることになる。種結晶11を引
き上げる速度については特に数値限定するものではない
が、例えば7.5cm/時程度以下のごく低速の引き上
げ速度が採用される。
[作用コ 磁場印加引上法において、半導体結晶材料を収容する容
器の回転速度を0.2〜5 rpmという低い値に設定
することにより融体に強制流や振動を生じるのを抑え、
−旦成長した結晶が部分的に再溶解したりすることが防
止され、また、2000〜5000ガウスの磁場が印加
されているために、上記強制流や振動の抑制はより効果
的に達成されるため、成長縞や結晶欠陥の発生が低減化
される。
さらに、0.2〜5 rpmという回転速度で容器を回
転しているために熱分布の対称性が良く、結晶が異常成
長したりすることがなく、真円断面状の半導体単結晶を
得ることができる。
また、2000〜5000ガウスという強い磁場を印加
し熱対流、強制流、振動等を抑制し、しかも容器を0.
2〜5 rpmという低速度で回転しているために、融
体と容器の壁面との摩擦による容器構成成分の溶解混入
を防止することができ、例えば、半導体結晶材料がシリ
コンで容器が石英ルツボの場合に、シリコン単結晶に導
入される酸素原子濃度を非常に低いレベルにまで低下さ
せることができる。
[実施例] 次に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。
実施例1 直径450mmの石英ルツボに60Kgのシリコンをチ
ャージし、直径150 mmのp型(〜1oΩ・cm)
結晶を育成した。磁場印加方向は水平方向で印加磁場の
強度は3000ガウスで一定とし、結晶回転は20rp
mで一定として、石英ルツボの回転を結晶回転とは逆方
向に0.5 、1.0.2.0.4.Orpmの4段階
にふり単結晶を育成した。成長縞の評価は縦割りにした
試料をN a N Osを溶解したHF水溶液中で可視
光を当てながらエツチングし、その後、光学顕微鏡によ
り成長縞を観察した。石英ルツボ回転0.5rpmの場
合の結果を代表例として第2図に示す。
比較例1 磁場を印加せず、ルツボ回転速度を0.5rpmとし、
その他については実施例1と同様にして、結晶を育成し
、実施例と同様にして成長縞の観察を行なった。その結
果を第3図に示す。
比較例2 印加磁場の強度を3000ガウスとし、ルツボ回転速度
を8 rpmとし、その他については実施例1と同様に
して結晶を育成し、実施例1と同様にして成長縞の観察
を行なった。その結果を第4図に示す。
〈成長縞の観察結果〉 第3図から、無磁界中で育成した結晶(比較例1)では
、エツチング法により、規則的な約50μm間隔の成長
縞と不規則で長周期(約500μm程度)の2段階の成
長縞が観察された。0.5rpmのルツボ回転で300
0ガウスの磁界を印加すると(実施例1)、第2図に示
したように規則的な短周期の成長縞のみ観察された。さ
らに、印加磁場強度3000ガウスにおいてルツボの回
転速度を8 rpmとすると(比較例2)、第3図から
無磁界中で育成した結晶と同様に不規則で長周期の成長
縞と規則的な短周期の成長縞の2種類が観察された。
以上のことから、ルツボを低速回転させても無磁界であ
れば、熱対流などの流れを抑制できないために成長縞の
発生は防止することができず(比較例1)、一方300
0ガウスという高強度の磁場を印加してもルツボの回転
速度が大きい場合には、ルツボ回転により生じる流れを
抑制することができないことがわかる。これに対し、高
磁場印加の下でルツボ回転を低速度とした場合(実施例
1)は、熱対流、振動、ルツボ回転等に基づく強制流を
抑制することができ、これらの原因から生じる成長縞の
発生を防止することができることがわかる。
[発明の効果] 以上の説明で明らかなように本発明によれば、真円断面
状の半導体単結晶を、成長縞が極限にまで低減化された
状態で得ることができる。また、容器の構成成分の単結
晶中への取り込みが少なく、例えば、半導体結晶材料が
シリコンで容器が石英ルツボの場合、低酸素濃度のシリ
コン単結晶を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の方法に使用される装置の概要構造を示
す一部断面図、 第2図は実施例1で得られた結晶の成長縞の光学顕微鏡
による観察結果をスケッチした説明図、第3図は比較例
1で得られた結晶の成長縞の光学顕微鏡による観察結果
をスケッチした説明図、第4図は比較例2で得られた結
晶の成長縞の光学顕微鏡による観察結果をスケッチした
説明図である。 1・・・シリコン単結晶棒、2・・ 密閉炉、3・・ 
アルゴンガス供給源、4  ポンプ、5 、15.20
.22・・・モータ、6・・ 供給口、7・・・排出口
、8・・・ルツボ、 9・・・加熱手段、lO・・・融体、11・・種結晶、
12・・・引上げチャック、13・・・回転軸、14・
・・ウオームギヤ、16.21・・ピニオンギヤ、17
・ 軸受、18・・引上げ具、 19・・・ウオームねじ、23・・磁場発生手段、24
・・ 熱対流。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  容器中に収容された半導体結晶材料の融体より当該半
    導体結晶を引上げる磁場印加引上法において、当該容器
    の回転速度を0.2〜5rpmとし、融体に印加される
    磁場の強度を2000〜5000ガウスとしたことを特
    徴とする半導体単結晶引上方法。
JP2185659A 1990-07-13 1990-07-13 シリコン単結晶の引上方法 Expired - Lifetime JP2767074B2 (ja)

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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3449128B2 (ja) * 1996-08-30 2003-09-22 信越半導体株式会社 単結晶成長方法
JP4092993B2 (ja) * 2002-09-13 2008-05-28 信越半導体株式会社 単結晶育成方法
CN101400834B (zh) 2007-05-30 2012-06-27 胜高股份有限公司 硅单晶提拉装置
KR100906284B1 (ko) * 2007-11-02 2009-07-06 주식회사 실트론 산소농도 특성이 개선된 반도체 단결정의 제조방법
DE102019215575A1 (de) 2019-10-10 2021-04-15 Siltronic Ag Vorrichtung und Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls aus Halbleitermaterial

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5874594A (ja) * 1981-10-26 1983-05-06 Sony Corp 結晶成長方法
JPS6033289A (ja) * 1983-07-29 1985-02-20 Toshiba Corp シリコン単結晶の製造方法
JPS60251193A (ja) * 1984-05-28 1985-12-11 Toshiba Corp 単結晶の製造方法および装置
JPS61151094A (ja) * 1984-12-26 1986-07-09 Agency Of Ind Science & Technol 化合物半導体単結晶の製造方法
JPS645992A (en) * 1987-06-29 1989-01-10 Sony Corp Method for growing crystal
JPS6424090A (en) * 1987-07-20 1989-01-26 Toshiba Ceramics Co Method and apparatus for producing single crystal

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0135676A3 (en) * 1983-06-30 1989-02-01 International Business Machines Corporation Apparatus for growing czochralski crystals and growth method using such apparatus
EP0194051B1 (en) * 1985-02-14 1990-04-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing single crystal

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5874594A (ja) * 1981-10-26 1983-05-06 Sony Corp 結晶成長方法
JPS6033289A (ja) * 1983-07-29 1985-02-20 Toshiba Corp シリコン単結晶の製造方法
JPS60251193A (ja) * 1984-05-28 1985-12-11 Toshiba Corp 単結晶の製造方法および装置
JPS61151094A (ja) * 1984-12-26 1986-07-09 Agency Of Ind Science & Technol 化合物半導体単結晶の製造方法
JPS645992A (en) * 1987-06-29 1989-01-10 Sony Corp Method for growing crystal
JPS6424090A (en) * 1987-07-20 1989-01-26 Toshiba Ceramics Co Method and apparatus for producing single crystal

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EP0466457A1 (en) 1992-01-15

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