JPS61151094A - 化合物半導体単結晶の製造方法 - Google Patents
化合物半導体単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPS61151094A JPS61151094A JP27339784A JP27339784A JPS61151094A JP S61151094 A JPS61151094 A JP S61151094A JP 27339784 A JP27339784 A JP 27339784A JP 27339784 A JP27339784 A JP 27339784A JP S61151094 A JPS61151094 A JP S61151094A
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- Japan
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- crystal
- crucible
- melt
- seed crystal
- single crystal
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は結晶内に形成するＥＬ２準位濃度を制御する
、特にＥＬ２準位濃度が高く、抵抗値の大きな半絶縁性
化合物半導体単結晶の製造方法に関するものである。
、特にＥＬ２準位濃度が高く、抵抗値の大きな半絶縁性
化合物半導体単結晶の製造方法に関するものである。
（従来の技術）
■−ｖ族化合物半導体の中でもガリウム砒素（ＧａＡａ
）は電子移動度が大きく、超高速集積回路、光−電子
集積回路、ホール素子などの基板結晶として、広く用い
られつつある。このようにＧａＡｓが注目を浴びている
のは半絶縁性の大型ウェハーが容易１造できるようにな
ったためである。このようなＧａＡｓ単結晶を製造する
方法としては、高圧容器内の坩堝に結晶原料及び液体封
止剤を所定量入れ、高温高圧下で結晶原料融液を合成し
、次いで種結晶を融液に接触させながら回転して引き上
げる高圧液体封止引き上げ法（ＬＢＯ法）が知られてい
る。最近においては上記のＬＩ！ｔｏ法において、結晶
原料融液に磁場を印加しながら結晶を引き上げる方法が
提案され、結晶原料融液の対流が抑制されて、不純物を
添加せずに高品質のＧａＡｓ単結晶が得られるようにな
った。
）は電子移動度が大きく、超高速集積回路、光−電子
集積回路、ホール素子などの基板結晶として、広く用い
られつつある。このようにＧａＡｓが注目を浴びている
のは半絶縁性の大型ウェハーが容易１造できるようにな
ったためである。このようなＧａＡｓ単結晶を製造する
方法としては、高圧容器内の坩堝に結晶原料及び液体封
止剤を所定量入れ、高温高圧下で結晶原料融液を合成し
、次いで種結晶を融液に接触させながら回転して引き上
げる高圧液体封止引き上げ法（ＬＢＯ法）が知られてい
る。最近においては上記のＬＩ！ｔｏ法において、結晶
原料融液に磁場を印加しながら結晶を引き上げる方法が
提案され、結晶原料融液の対流が抑制されて、不純物を
添加せずに高品質のＧａＡｓ単結晶が得られるようにな
った。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで、不純物無添加のＧ（ＩＡ１１単結晶を電子デ
バイスの基板として用いる場合は抵抗値を大きくし、絶
縁性の高いものが望ましい。この絶縁性のメカニズムは
深いエネルギー準位を有するＧａム１結晶内の固有欠陥
ＥＬ２準位（Ｇ（ＩＡＪＩ結晶の伽の位置に入り込んだ
んといわれている。）が関与するとされており、ＥＬ２
準位濃度が高くなるとその単結晶の抵抗値も大きくなる
とされている。しかしこれまで知られている一般的な条
件のＬＥＯ法により製造したＧａｐｓ単結晶のＥＬ２準
位濃度はほぼ２ Ｘ １０”、乙−であり、これまでの
技術では大幅なＥＬ２準位濃度を増加することは困難で
あった。
バイスの基板として用いる場合は抵抗値を大きくし、絶
縁性の高いものが望ましい。この絶縁性のメカニズムは
深いエネルギー準位を有するＧａム１結晶内の固有欠陥
ＥＬ２準位（Ｇ（ＩＡＪＩ結晶の伽の位置に入り込んだ
んといわれている。）が関与するとされており、ＥＬ２
準位濃度が高くなるとその単結晶の抵抗値も大きくなる
とされている。しかしこれまで知られている一般的な条
件のＬＥＯ法により製造したＧａｐｓ単結晶のＥＬ２準
位濃度はほぼ２ Ｘ １０”、乙−であり、これまでの
技術では大幅なＥＬ２準位濃度を増加することは困難で
あった。
この発明の目的は単結晶内のＥＬ２準位濃度を制御、特
にＫＬ２準位濃度を高くして抵抗値の大きい不純物無添
加の化合物半導体単結晶を製造する方法を提供すること
にある。
にＫＬ２準位濃度を高くして抵抗値の大きい不純物無添
加の化合物半導体単結晶を製造する方法を提供すること
にある。
（問題点を解決するための手段）
ＬＦｔＯ法により結晶原料融液に磁場を印加しながら単
結晶の引き上げを行う際に、結晶原料融液の組成比、種
結晶の引き上げ速度及び坩堝と種結晶の回転数等の条件
を変化させて結晶の引き上げを行うことによりＥＬ２準
位濃度を大幅に変化させた化合物半導体単結晶が得られ
ることを見出した。
結晶の引き上げを行う際に、結晶原料融液の組成比、種
結晶の引き上げ速度及び坩堝と種結晶の回転数等の条件
を変化させて結晶の引き上げを行うことによりＥＬ２準
位濃度を大幅に変化させた化合物半導体単結晶が得られ
ることを見出した。
即ち、この発明は磁界印加下でＬＦＩＯ法により化合物
半導体単結晶を製造する方法において、結晶原料融液の
組成比、種結晶の引き上げ速度、種結晶と坩堝の回転数
のうちの少くとも一つの条件を調整して成長する結晶中
のＥＬ２準位濃度を制御するようにしたことを特徴とす
る。
半導体単結晶を製造する方法において、結晶原料融液の
組成比、種結晶の引き上げ速度、種結晶と坩堝の回転数
のうちの少くとも一つの条件を調整して成長する結晶中
のＥＬ２準位濃度を制御するようにしたことを特徴とす
る。
以下、この発明を図面に基いて詳細に説明する０
第１図（（１）は１．Ｎｏ法による結晶成長装置の高圧
容器ｌの概略図を示し、容器ｌの外周には磁界発生装置
コが設けられ、矢印で示すように高圧容器内の坩堝を中
の結晶原料融液３に対して水平方向に磁界を印加するよ
うに構成されている。この坩堝ｔは回転支持軸７により
回転且つ上下動できるように支持され、坩堝の周囲には
ヒータ（図示せず）が設けられ、所定温度に加熱される
。坩堝ｔの上部には下端に種結晶を取付けた引き上げ軸
６を設け、この引き上げ軸は回転すると共に上下動する
ように構成する。
容器ｌの概略図を示し、容器ｌの外周には磁界発生装置
コが設けられ、矢印で示すように高圧容器内の坩堝を中
の結晶原料融液３に対して水平方向に磁界を印加するよ
うに構成されている。この坩堝ｔは回転支持軸７により
回転且つ上下動できるように支持され、坩堝の周囲には
ヒータ（図示せず）が設けられ、所定温度に加熱される
。坩堝ｔの上部には下端に種結晶を取付けた引き上げ軸
６を設け、この引き上げ軸は回転すると共に上下動する
ように構成する。
第１図（６）は高圧容器／内の坩堝ｊに対して矢印に示
すように、垂直な方向に磁界を印加するように磁場発生
装置２を設けた実施例を示し、高圧容器ｌ内の構成は第
１図（α）と実質的に同一である。
すように、垂直な方向に磁界を印加するように磁場発生
装置２を設けた実施例を示し、高圧容器ｌ内の構成は第
１図（α）と実質的に同一である。
上記の装置を用いて、−例として、Ｇαム８単結晶の製
造に適用して説明すると、坩堝ｒには−とんをそれぞれ
所定量入れ、更に液体封止剤を入れた上、坩堝を高圧容
器／内に設置し、アルゴン、窒素等の不活性ガスにより
容器内を加圧し、ヒータにより結晶原料の溶融温度以上
の温度で加熱して坩堝内の結晶原料及び封止剤を溶融さ
せる。
造に適用して説明すると、坩堝ｒには−とんをそれぞれ
所定量入れ、更に液体封止剤を入れた上、坩堝を高圧容
器／内に設置し、アルゴン、窒素等の不活性ガスにより
容器内を加圧し、ヒータにより結晶原料の溶融温度以上
の温度で加熱して坩堝内の結晶原料及び封止剤を溶融さ
せる。
上述の加熱処理により坩堝内により上層に液体封止剤溶
融液層≠が、下層にはＧａＡａ融液層３Ｊ、ン耳４±
＋ −２ｒ ／Ｎ〜轟−勘ンｉは□ 昭２−
ｔゆ 日日° ナー ω柚 １ ヘ ユＪら引き上げ軸
ｔを下降させ種結晶を坩堝内の融液３と接触させ、種結
晶と坩堝を所定の速度で回転させながら引き上げてＧα
ム８結晶ｊを成長させる。
融液層≠が、下層にはＧａＡａ融液層３Ｊ、ン耳４±
＋ −２ｒ ／Ｎ〜轟−勘ンｉは□ 昭２−
ｔゆ 日日° ナー ω柚 １ ヘ ユＪら引き上げ軸
ｔを下降させ種結晶を坩堝内の融液３と接触させ、種結
晶と坩堝を所定の速度で回転させながら引き上げてＧα
ム８結晶ｊを成長させる。
内径１００■、深さ１００■の坩堝を用いて結晶の引き
上げを行うときの一般的な条件としては結晶原料融液中
のｈの含有率は５０Ｘ前後、高圧容器内の圧力は２０〜
７０気圧、温度は１２６０℃近傍、印加する磁界の強さ
は１０００ガウス以上、種結晶の回転速度は１分間５〜
１０同種度、種結晶の引き上げ速度は８〜１０−笥であ
って、形成されるＧａム１単結晶のＫＬ２準位濃度はほ
ぼ２ Ｘ １０”／ａｄであった。このＥ［，２準位濃
度はＧａＡａ単結晶を光デバイスの基板として用いると
きは低い程発光効率が良いとされているが、電子デバイ
スの基板として用いるときはｉ２単位濃度を高くして抵
抗値を増した方が望ましい。
上げを行うときの一般的な条件としては結晶原料融液中
のｈの含有率は５０Ｘ前後、高圧容器内の圧力は２０〜
７０気圧、温度は１２６０℃近傍、印加する磁界の強さ
は１０００ガウス以上、種結晶の回転速度は１分間５〜
１０同種度、種結晶の引き上げ速度は８〜１０−笥であ
って、形成されるＧａム１単結晶のＫＬ２準位濃度はほ
ぼ２ Ｘ １０”／ａｄであった。このＥ［，２準位濃
度はＧａＡａ単結晶を光デバイスの基板として用いると
きは低い程発光効率が良いとされているが、電子デバイ
スの基板として用いるときはｉ２単位濃度を高くして抵
抗値を増した方が望ましい。
（作用）
磁界を印加しながらＬＦｉＯ法により化合物半導体単結
ＪＬ引きトげを行う恣に、枯品劇キμげ条件中、（１）
ＧｚＡａ融液の組成比：、 （Ｉ＋）種結晶の引き上げ
速度、（冊結晶と坩堝の回転数のうちの少くとも一つの
条件を変えることにより、ＥＬ２準位濃度が増加した単
結晶が形成する。具体的にはＧａｐｓ融液の組成比を」
がリッチになるように調整すると、ＥＬ２準位濃度が増
加した結晶が成長する傾向を示す。種結晶の引き上げ速
度については、速度を早めると、ＥＬ２準位濃度が高い
結晶が形成する傾向を示す。更に、種結晶と坩堝の回転
数についてはそれぞれを反対方向に回転数を増加させる
と、ＫＬ２準位濃度の高い結晶が成長する傾向を示す。
ＪＬ引きトげを行う恣に、枯品劇キμげ条件中、（１）
ＧｚＡａ融液の組成比：、 （Ｉ＋）種結晶の引き上げ
速度、（冊結晶と坩堝の回転数のうちの少くとも一つの
条件を変えることにより、ＥＬ２準位濃度が増加した単
結晶が形成する。具体的にはＧａｐｓ融液の組成比を」
がリッチになるように調整すると、ＥＬ２準位濃度が増
加した結晶が成長する傾向を示す。種結晶の引き上げ速
度については、速度を早めると、ＥＬ２準位濃度が高い
結晶が形成する傾向を示す。更に、種結晶と坩堝の回転
数についてはそれぞれを反対方向に回転数を増加させる
と、ＫＬ２準位濃度の高い結晶が成長する傾向を示す。
上記の三つの条件はそれぞれ単独で充分効果があるが、
二つ成るいは三つの条件を併用して実施することもでき
る。
二つ成るいは三つの条件を併用して実施することもでき
る。
上述のように、結晶引き上げ条件を適宜に選択、設定し
て結晶の引き上げを行うことにより、形成する単結晶中
のＥＬ２準位濃度を制御することができ、使用目的に最
適なＥＬ２準位濃度の不純物無添加化合物半導体単結晶
を得ることができる。
て結晶の引き上げを行うことにより、形成する単結晶中
のＥＬ２準位濃度を制御することができ、使用目的に最
適なＥＬ２準位濃度の不純物無添加化合物半導体単結晶
を得ることができる。
（実施例）
実施例１
第１図（α）に示すような水平方向に磁場を印加する結
晶成長装置の高圧容器内の石英製坩堝（内径１００１１
１１％深さ１００ｍ）に［有］とＭと液体封止剤として
Ｂ、Ｏ，を充填し、アルゴンガス７０気圧下で１２５０
℃で加熱してＧａｐｓ融液を合成した。その後、容器内
の圧力を２０気圧に減圧し、種結晶をＧα人彦融液に接
触させて９ ｍ／ｖｆの速度で結晶の引き上げを行った
。この時の種結晶の回転速度は１分間に５回、坩堝も種
結晶と同方向で１分間に６回の割合で行った。磁界発生
装置よりは１０００ガウスの磁界を坩堝に対して水平方
向に印加した。
晶成長装置の高圧容器内の石英製坩堝（内径１００１１
１１％深さ１００ｍ）に［有］とＭと液体封止剤として
Ｂ、Ｏ，を充填し、アルゴンガス７０気圧下で１２５０
℃で加熱してＧａｐｓ融液を合成した。その後、容器内
の圧力を２０気圧に減圧し、種結晶をＧα人彦融液に接
触させて９ ｍ／ｖｆの速度で結晶の引き上げを行った
。この時の種結晶の回転速度は１分間に５回、坩堝も種
結晶と同方向で１分間に６回の割合で行った。磁界発生
装置よりは１０００ガウスの磁界を坩堝に対して水平方
向に印加した。
坩堝に充填する［有］とｈの割合を融液の組成比（Ａｓ
／ （Ｇａ＋Ａａ ） ）が０．４８ 、０．５０
、０．５１となるように変え、他は同一条件で結晶の引
き上げを行い、形成したそれぞれの結晶の肩部から結晶
片を切り出し、ＤＩ、’Ｉ’８法（Ｄｇｇｐ Ｌｅｖｅ
ｌ Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ８ｐａｃｔｒｏｓｅｏｐｙ ）
によってＥＬ２準位の濃度測定を行った。ＤＬＴＳスペ
クトルをＥＬ２準位濃度に換算した結果を第２図のグラ
フに示す。
／ （Ｇａ＋Ａａ ） ）が０．４８ 、０．５０
、０．５１となるように変え、他は同一条件で結晶の引
き上げを行い、形成したそれぞれの結晶の肩部から結晶
片を切り出し、ＤＩ、’Ｉ’８法（Ｄｇｇｐ Ｌｅｖｅ
ｌ Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ８ｐａｃｔｒｏｓｅｏｐｙ ）
によってＥＬ２準位の濃度測定を行った。ＤＬＴＳスペ
クトルをＥＬ２準位濃度に換算した結果を第２図のグラ
フに示す。
上記のグラフより明らかなように、伽が過剰の融液から
形成した単結晶はＥＬ２濃度が低く、ん過剰の融液から
形成した単結晶はＥＬ２濃度が増加していることが判る
。
形成した単結晶はＥＬ２濃度が低く、ん過剰の融液から
形成した単結晶はＥＬ２濃度が増加していることが判る
。
実施例２
第１図（６）に示すような重置方向に磁界を印加する結
晶成長装置の高圧容器内の坩堝に結晶原料融液の組成比
（ムａ ／ （Ｇｇ ＋ Ａ＃ ） ） が０．５１
となるように伽とｈとを充填し、種結晶と坩堝の回転速
度以外は実施例１と実質的に同じ条件で結晶の引き上げ
操作を行った。
晶成長装置の高圧容器内の坩堝に結晶原料融液の組成比
（ムａ ／ （Ｇｇ ＋ Ａ＃ ） ） が０．５１
となるように伽とｈとを充填し、種結晶と坩堝の回転速
度以外は実施例１と実質的に同じ条件で結晶の引き上げ
操作を行った。
種結晶と坩堝の回転については、形成した結晶の頭部よ
り約２０箇（頭部も含む）は種結晶のみを１分間５回の
割合で回転し、坩堝は静止した状態で結晶成長を行い、
次の約１５瓢は種結晶を１分間５回、坩堝を反対方向に
１分間５回の速度で回転させながら結晶成長を行い、残
りの約１０ｍについては種結晶を１分間５回、坩堝を同
方向に１分間６回の割合で回転させて結晶の成長を行っ
た。形成した単結晶を成長方向と平行に切り出し、その
結晶片をＤＬＴＳ法により測定した結果、第３図のグラ
フに示す如くであった。即ち、種結晶と坩堝の回転が５
：０，５：６の時は結晶内のＫＬ２準位濃度が低く、５
ニー５の条件になると顕著に高くなった。このことは融
液と結晶の固液界面における融液のゆらぎがＥＬ２準位
形成に関与しているものと考えられる。
り約２０箇（頭部も含む）は種結晶のみを１分間５回の
割合で回転し、坩堝は静止した状態で結晶成長を行い、
次の約１５瓢は種結晶を１分間５回、坩堝を反対方向に
１分間５回の速度で回転させながら結晶成長を行い、残
りの約１０ｍについては種結晶を１分間５回、坩堝を同
方向に１分間６回の割合で回転させて結晶の成長を行っ
た。形成した単結晶を成長方向と平行に切り出し、その
結晶片をＤＬＴＳ法により測定した結果、第３図のグラ
フに示す如くであった。即ち、種結晶と坩堝の回転が５
：０，５：６の時は結晶内のＫＬ２準位濃度が低く、５
ニー５の条件になると顕著に高くなった。このことは融
液と結晶の固液界面における融液のゆらぎがＥＬ２準位
形成に関与しているものと考えられる。
実施例３
実施例１と同じ結晶成長装置を用い、印加する磁界の強
度を１２５０ガウスとし、坩堝内の結晶原料融液の組成
比を０．５０に調整し、他は実施例１と同じ条件で種結
晶の回転速度を１分間６回、坩堝を静止した状態で結晶
の引き上げを行った。
度を１２５０ガウスとし、坩堝内の結晶原料融液の組成
比を０．５０に調整し、他は実施例１と同じ条件で種結
晶の回転速度を１分間６回、坩堝を静止した状態で結晶
の引き上げを行った。
種結晶のダ［き上げ速度は９冒膚と２７−膚と二回変え
て結晶成長を行った結果、第４図のグラフに示すように
、結晶の引き上げ速度を速くすると、形成した結晶のＥ
Ｌ２準位濃度が明らかに増加することが判る。
て結晶成長を行った結果、第４図のグラフに示すように
、結晶の引き上げ速度を速くすると、形成した結晶のＥ
Ｌ２準位濃度が明らかに増加することが判る。
（発明の効果）
以上説明したよ５に、この発明は磁界印加下においてＬ
ＥＣ法により結晶成長を行う際に、結晶原料融液の組成
比、種結晶の引き上げ速度及び結晶の坩堝の回転条件を
変えることにより形成する単結晶中のＥＬ２準位濃度？
制御できるようになる。従って、目的としたデバイスに
応じて、所定の固有欠陥（ＥＬ２） 濃度の基板χ提供
することができることになる。
ＥＣ法により結晶成長を行う際に、結晶原料融液の組成
比、種結晶の引き上げ速度及び結晶の坩堝の回転条件を
変えることにより形成する単結晶中のＥＬ２準位濃度？
制御できるようになる。従って、目的としたデバイスに
応じて、所定の固有欠陥（ＥＬ２） 濃度の基板χ提供
することができることになる。
なお、実施例においては、［有］Ｍについて示したが、
ＧａＭ以外のＬＥＣ法により製造される化合物半導体、
例えば、 Ｉ？ＬＰ、 ＧａＰなどの結晶成長に於ける
欠陥制御についても本発明は適用できる。
ＧａＭ以外のＬＥＣ法により製造される化合物半導体、
例えば、 Ｉ？ＬＰ、 ＧａＰなどの結晶成長に於ける
欠陥制御についても本発明は適用できる。
第１図（ａ）は結晶成長装置の高圧容器に水平方向に磁
界を印加、した状態を示す概略図、第１図（６）は高圧
容器に垂直方向に磁界を印加した状態？示す概略図、第
２図は原料融液の組成比と形成した結晶のＥＬ２準位濃
度の関・係？示すグラフ、第３図は結晶成長中の種結晶
と坩堝の相対回転関係と形成した結晶のＥＬ２準位濃度
の関係を示すグラフ、第４図は種結晶のσ１き上げ速度
と成長した結晶のＥＬ２準位濃度の関係を示すグラフで
ある。 ｌ・・・高圧容器、２・・・磁界発生装置、３・・・結
晶′原料融液、弘・・・液体封止剤、！・・・成長結晶
、６・・・引き上げ軸、７・・・回転支持軸、ｔ・・・
坩堝。
界を印加、した状態を示す概略図、第１図（６）は高圧
容器に垂直方向に磁界を印加した状態？示す概略図、第
２図は原料融液の組成比と形成した結晶のＥＬ２準位濃
度の関・係？示すグラフ、第３図は結晶成長中の種結晶
と坩堝の相対回転関係と形成した結晶のＥＬ２準位濃度
の関係を示すグラフ、第４図は種結晶のσ１き上げ速度
と成長した結晶のＥＬ２準位濃度の関係を示すグラフで
ある。 ｌ・・・高圧容器、２・・・磁界発生装置、３・・・結
晶′原料融液、弘・・・液体封止剤、！・・・成長結晶
、６・・・引き上げ軸、７・・・回転支持軸、ｔ・・・
坩堝。
Claims (2)
- （１）磁界印加下で高圧液体封止引き上げ法により化合
物半導体単結晶を製造する方法において、結晶原料融液
の組成比、種結晶の引き上げ速度、種結晶と坩堝の回転
数のうちの少くとも一つの条件を調整して成長する結晶
中のＥＬ＿２準位濃度を制御するようにしたことを特徴
とする化合物半導体単結晶の製造方法。 - （２）化合物半導体単結晶はガリウム砒素単結晶である
特許請求の範囲第１項記載の化合物半導体単結晶の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27339784A JPS61151094A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27339784A JPS61151094A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61151094A true JPS61151094A (ja) | 1986-07-09 |
Family
ID=17527325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27339784A Pending JPS61151094A (ja) | 1984-12-26 | 1984-12-26 | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61151094A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS638290A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-14 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 半導体単結晶製造装置 |
| JPS63195199A (ja) * | 1987-02-05 | 1988-08-12 | Dowa Mining Co Ltd | ガリウム砒素結晶の製造方法 |
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| JP2011527280A (ja) * | 2008-07-11 | 2011-10-27 | フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 低い光吸収係数を有するドープされた砒化ガリウム基板ウエハを製造するための方法 |
| US8815392B2 (en) | 2008-07-11 | 2014-08-26 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Process for producing doped gallium arsenide substrate wafers having low optical absorption coefficient |
| JP2015078122A (ja) * | 2008-07-11 | 2015-04-23 | フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングＦｒｅｉｂｅｒｇｅｒ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｇｍｂｈ | 低い光吸収係数を有するドープされた砒化ガリウム単結晶 |
Citations (4)
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