JP2011527280A - 低い光吸収係数を有するドープされた砒化ガリウム基板ウエハを製造するための方法 - Google Patents
低い光吸収係数を有するドープされた砒化ガリウム基板ウエハを製造するための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011527280A JP2011527280A JP2011517001A JP2011517001A JP2011527280A JP 2011527280 A JP2011527280 A JP 2011527280A JP 2011517001 A JP2011517001 A JP 2011517001A JP 2011517001 A JP2011517001 A JP 2011517001A JP 2011527280 A JP2011527280 A JP 2011527280A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gallium arsenide
- single crystal
- concentration
- melt
- boron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/02—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method without using solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B15/04—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt adding doping materials, e.g. for n-p-junction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
[先行技術文献]
「チョクラルスキー成長に対するn型GaAsのトータルエミッタンスの測定の適用」
応用物理ジャーナル51、4(1980)2218〜2227頁
[2] ダブリュ・ジー・スピッツァ、ジェイ・エム・ウェラン著
「n型砒化ガリウムにおける赤外吸収及び電子有効質量」
フィジカル・レビュー誌114、1(1959)59〜63頁
[3] ジェイ・エス・ブレイクモア著
「砒化ガリウムの半導体特性及び他の主要な特性」
応用物理ジャーナル53、10(1982)R123〜R180頁
[4] ジー・エム・マーティン著
「バルク反絶縁性GaAsにおける主電子トラップの光評価」
応用物理学会レター誌39、9(1981)747〜748頁
[5] ケイ・エリオット、アール・ティー・チェン、エス・ジー・グリーンバウム、アール・ジェイ・ワグナー著
「液体カプセル状チョクラルスキーGaAsのAsGaアンチサイト欠陥の特定」
応用物理学会レター誌44、9(1984)907〜909頁
[6] エム・バウムラー、ユー・カウフマン、ジェイ・ウィンズシャイフ著
「成長時GaAsのアンチサイト欠陥の光応答」
応用物理学会レター誌45、8(1985)781〜783頁
[7] ピー・シルバーベルク、ピー・オムリング、エル・サミュルソン著
「GaAs中のEL2の正孔の光イオン化断面積」
応用物理学会レター誌52、20(1988)1689〜1691頁
[8] ジー・エム・マーティン、ジェイ・ピー・ファージ、ジー・ジェイコブ、ジェイ・ピー・ハライス著
「GaAsの補償機構」
応用物理ジャーナル51、5(1980)2840〜2852頁
[9] 特開平11−268998号
「GaAs単結晶インゴットおよびその製造方法ならびにそれを用いたGaAs単結晶ウエハ」
[10] ディー・イー・ホームズ、アール・ティー・チェン、ケイ・アール・エリオット、シー・ジー・カークパトリック著
「液体カプセル状チョクラルスキーGaAsの化学量論的に制御する補償」
応用物理学会レター誌40、1(1982)46〜48頁
[11] ジェイ・ラゴスキー、エイチ・シー・ガトス、ジェイ・エム・パルセイ、ケイ・ワダ、エム・カミンスカ、ダブリュ・ワルキヴィッツ著
「GaAs中の0.82eV電子トラップの原因と表層ドナーによるその消滅」
応用物理学会レター誌40、4(1982)342〜344頁
[12] ディー・ティー・ジェイ・ハール著
「砒化ガリウムの固有の点欠陥とドーパント溶解性の包括的熱力学解析」
応用物理ジャーナル85、10(1999)6597〜7022頁
[13] エム・ウィカート著
「GaAs基板の均質化した電気的特性の物理構造」
アルバート・ルードウィック大学数物理学部論文、フライバーグ、1998
[14] 米国特許第7214269号
「SiドープしたGaAs単結晶基板」
[15] 特開2000−086398
「p型GaAs単結晶およびその製造方法」
[16] 米国出願第2004/0187768号
「P型GaAs単結晶及びその製造方法」
[17] 米国特許第5612014号
「半導体結晶組成」
[18] ジェイ・ステンチェンベルガー、ティー・ブンガー、エフ・ボーナー、エス・アイヒラー、ティー・フレード、アール・ハマー、エム・ユーリッヒ、ユー・クレツァー、エス・タイカート、ビー・ワイナート著
「VGF法によって200mm成長したSiGaAs結晶の成長及び特性」
結晶成長ジャーナル250(2003)57〜61頁
図1は、実施例において、シリコンドープされた2つの砒化ガリウム単結晶から製造されたウエハの、転位密度の測定値として用いられる局所的なエッチピット密度のトポグラフを示している。この場合、両方のウエハは、同程度の電荷キャリア濃度を有するが、追加のホウ素、および化学量論を超える追加のガリウムが添加されていないか(左側の比較図)、または化学量論を超えるホウ素およびガリウムが、適切な量でそれぞれ意図的に添加されている(右側の本発明の方法の一実施形態による図)という点で異なる。
図2は、砒素のモル比xAs/(xAs+xGa)が0.50および0.48の溶融物からそれぞれ凝固した、シリコンドープされた2つの砒化ガリウム単結晶の電荷キャリア濃度nに対する光透過係数αtの依存性を示している。
図3は、図2に示した2つの結晶の電荷キャリア濃度に対するEL2欠陥の濃度の依存性を示している。
従来の方法に従って、シリコンドープされた砒化ガリウム結晶を製造するために、化学量論的な9kgの多結晶砒化ガリウム、および1.3gのシリコン元素を、熱分解堆積された窒化ホウ素(pBN)製で片側が閉じられた円筒形状のルツボ内に充填した。このルツボは、前記閉端側にテーパ状部を備え、テーパ状部は、より小さな直径を有する先端の円筒部につながっており、この円筒部に砒化ガリウム種結晶を配置した。ルツボ充填部は酸化ホウ素の円筒状プレートによって覆った。垂直温度勾配凝固(VGF)において、[18]に記載されているような結晶成長装置、ルツボおよびその内容物が、ルツボの外部に設けられたヒータによって加熱され、その結果、多結晶砒化ガリウムおよび酸化ホウ素が溶融し、シリコンが砒化ガリウム溶融物に溶解した。次に、ルツボ内の温度勾配がヒータの適切な制御によって変化させられた結果、種結晶を起点として、砒化ガリウム溶融物の方向性凝固が生じた。凝固した結晶は室温に冷却され、その結晶の円筒部分はウエハに加工された。結晶柱(インゴット)の種部分に近接するウエハは、1.0x1017cm−3の電荷キャリア濃度、3820cm−2のエッチピット密度(図1の左図参照)、1.5x1017cm−3のホウ素含有量、および1046nmの波長で2.2cm−3の光吸収係数を有した。
左図:EPDの平均値=3820cm−2、電荷キャリア濃度n=1.0x1017cm−3、ホウ素含有量=1.5x1017cm−3
右図:EPDの平均値=470cm−2、電荷キャリア濃度n=1.3x1017cm−3、ホウ素含有量=2.1x1018cm−3
Claims (15)
- 砒化ガリウム出発原料を溶融し、次いで砒化ガリウム溶融物を凝固させることによって、ドープされた砒化ガリウム単結晶を製造する方法において、
前記砒化ガリウム溶融物は、化学量論的組成に対して過剰なガリウムを含み、
前記溶融物又は得られる結晶のホウ素濃度は、少なくとも5x1017cm−3である
ことを特徴とするドープされた砒化ガリウム単結晶を製造する方法。 - n型導電性を有する、ドープされた砒化ガリウム単結晶を製造することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記溶融及び凝固は、砒化ガリウムからなる種結晶を使用してルツボ内で行われることを特徴とする請求項1又は2に記載の方法。
- 前記ホウ素濃度を得るために、前記出発原料には適切な量のホウ素を含めること、及び/又は、前記砒化ガリウム溶融物にホウ素を添加すること、前記砒化ガリウムの上に、酸化ホウ素の被覆溶融物の添加を任意に追加すること、を特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の方法。
- 前記砒化ガリウム溶融物中の過剰なガリウムは、凝固が開始する前で、0.01〜2モル%の範囲であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の方法。
- 得られたドープされた砒化ガリウム単結晶は、砒化ガリウム基板ウエハに個別化されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載の方法。
- 少なくとも1x1015cm−3、最大で1x1018cm−3の電荷キャリア濃度と、1000nmの波長で最大2.0cm−1、1100nmの波長で最大1.4cm−1、および1200nmの波長で最大0.8cm−1の光吸収係数とを有することを特徴とする砒化ガリウム単結晶。
- 少なくとも1x1015cm−3、最大で1x1018cm−3の電子濃度と、1000nmの波長で最大2.0cm−1、1100nmの波長で最大1.4cm−1、および1200nmの波長で最大0.8cm−1の光吸収係数とを有することを特徴とする砒化ガリウム単結晶。
- 最大5x1017cm−3の電荷キャリア濃度を有することを特徴とする請求項7又は8に記載の砒化ガリウム単結晶。
- 前記電荷キャリア濃度は、前記電子濃度に相当し、n型の導電性を有する請求項7乃至9のいずれか1つに記載の砒化ガリウム単結晶。
- ホウ素含有量が、少なくとも1x1018cm−3であることを特徴とする請求項7〜10のいずれか1つに記載の砒化ガリウム単結晶。
- 結晶軸に垂直な断面においてエッチピット密度が、1500cm−2を超えないことを特徴とする請求項7〜11のいずれか1つに記載の砒化ガリウム単結晶。
- 結晶軸に垂直な断面においてエッチピット密度が、500cm−2を超えないことを特徴とする請求項7〜11のいずれか1つに記載の砒化ガリウム単結晶。
- 請求項7乃至13のいずれか1つに記載の砒化ガリウム単結晶からなることを特徴とする砒化ガリウム基板ウエハ。
- 光電子デバイスを製造するために請求項14に記載の砒化ガリウム基板ウエハを使用する方法であって、生成された放射物は、前記ウエハの表面に平行又は垂直に基板ウエハを通過することを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US7990208P | 2008-07-11 | 2008-07-11 | |
DE102008032628.3 | 2008-07-11 | ||
US61/079,902 | 2008-07-11 | ||
DE102008032628A DE102008032628A1 (de) | 2008-07-11 | 2008-07-11 | Verfahren zur Herstellung von dotierten Galliumarsenidsubstratwafern mit niedrigem optischen Absorptionskoeffizienten |
PCT/EP2009/004717 WO2010003573A1 (de) | 2008-07-11 | 2009-06-30 | Verfahren zur herstellung von dotierten galliumarsenidsubstratwafern mit niedrigem optischen absorptionskoeffizierten |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015012042A Division JP6336920B2 (ja) | 2008-07-11 | 2015-01-26 | 低い光吸収係数を有するドープされた砒化ガリウム単結晶 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011527280A true JP2011527280A (ja) | 2011-10-27 |
JP6018382B2 JP6018382B2 (ja) | 2016-11-02 |
Family
ID=41428485
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011517001A Active JP6018382B2 (ja) | 2008-07-11 | 2009-06-30 | 低い光吸収係数を有するドープされた砒化ガリウム基板ウエハを製造するための方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2276878B1 (ja) |
JP (1) | JP6018382B2 (ja) |
CN (1) | CN102089467B (ja) |
DE (1) | DE102008032628A1 (ja) |
WO (1) | WO2010003573A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022075112A1 (ja) * | 2020-10-05 | 2022-04-14 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | GaAsウエハ及びGaAsインゴットの製造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013002637A1 (de) * | 2013-02-15 | 2014-08-21 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Galliumarsenidsubstrats, Galliumarsenidsubstrat und Verwendung desselben |
CN103397386A (zh) * | 2013-07-25 | 2013-11-20 | 新乡市神舟晶体科技发展有限公司 | 一种用于n型低阻砷化镓单晶生长的掺杂工艺 |
CN106536795B (zh) * | 2014-07-17 | 2020-07-31 | 住友电气工业株式会社 | GaAs晶体 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61151094A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
JPH06219900A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-09 | Dowa Mining Co Ltd | Siドープn型ガリウム砒素単結晶の製造方法 |
JPH06302857A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-10-28 | Hewlett Packard Co <Hp> | 発光ダイオードの製造方法 |
JPH0848592A (ja) * | 1994-08-10 | 1996-02-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体結晶の製造方法 |
JPH08162378A (ja) * | 1994-12-05 | 1996-06-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体結晶基板 |
JPH1044139A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-17 | Rohm Co Ltd | 基板分割方法およびその基板分割を用いた発光素子製 造方法 |
JPH11268998A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaAs単結晶インゴットおよびその製造方法ならびにそれを用いたGaAs単結晶ウエハ |
JP2001354499A (ja) * | 2000-06-13 | 2001-12-25 | Hitachi Cable Ltd | GaAs単結晶ウエハ |
JP2002255697A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Hitachi Cable Ltd | ガリウム砒素単結晶及びガリウム砒素ウェハ並びにガリウム砒素単結晶の製造方法 |
JP2004115339A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Dowa Mining Co Ltd | 縦型ボート法によるGaAs単結晶の製造方法及び縦型ボート法によるGaAs単結晶の製造装置 |
JP2004137096A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Dowa Mining Co Ltd | 化合物原料及び化合物単結晶とその製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1207497B (it) * | 1985-05-29 | 1989-05-25 | Montedison Spa | Monocristalli di arseniuro di gallio a bassa densita' di dislocazioni e di elevata purezza. |
US5186784A (en) * | 1989-06-20 | 1993-02-16 | Texas Instruments Incorporated | Process for improved doping of semiconductor crystals |
DE69230962T2 (de) * | 1991-08-22 | 2000-10-05 | Raytheon Co., Lexington | Kristallzüchtungsverfahren zur Herstellung von grossflächigen GaAs und damit hergestellte Infrarot-Fenster/Kuppel |
US5612014A (en) | 1994-08-10 | 1997-03-18 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Compound semiconductor crystal |
JP3797824B2 (ja) | 1998-07-07 | 2006-07-19 | 三菱化学株式会社 | p型GaAs単結晶およびその製造方法 |
JP2004099390A (ja) * | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Hitachi Cable Ltd | 化合物半導体単結晶の製造方法及び化合物半導体単結晶 |
US7175707B2 (en) | 2003-03-24 | 2007-02-13 | Hitachi Cable Ltd. | P-type GaAs single crystal and its production method |
US7214269B2 (en) | 2004-10-15 | 2007-05-08 | Hitachi Cable, Ltd. | Si-doped GaAs single crystal substrate |
-
2008
- 2008-07-11 DE DE102008032628A patent/DE102008032628A1/de not_active Withdrawn
-
2009
- 2009-06-30 EP EP09776890.7A patent/EP2276878B1/de active Active
- 2009-06-30 CN CN200980126246.0A patent/CN102089467B/zh active Active
- 2009-06-30 JP JP2011517001A patent/JP6018382B2/ja active Active
- 2009-06-30 WO PCT/EP2009/004717 patent/WO2010003573A1/de active Application Filing
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61151094A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
JPH06219900A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-09 | Dowa Mining Co Ltd | Siドープn型ガリウム砒素単結晶の製造方法 |
JPH06302857A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-10-28 | Hewlett Packard Co <Hp> | 発光ダイオードの製造方法 |
JPH0848592A (ja) * | 1994-08-10 | 1996-02-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体結晶の製造方法 |
JPH08162378A (ja) * | 1994-12-05 | 1996-06-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体結晶基板 |
JPH1044139A (ja) * | 1996-08-07 | 1998-02-17 | Rohm Co Ltd | 基板分割方法およびその基板分割を用いた発光素子製 造方法 |
JPH11268998A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | GaAs単結晶インゴットおよびその製造方法ならびにそれを用いたGaAs単結晶ウエハ |
JP2001354499A (ja) * | 2000-06-13 | 2001-12-25 | Hitachi Cable Ltd | GaAs単結晶ウエハ |
JP2002255697A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Hitachi Cable Ltd | ガリウム砒素単結晶及びガリウム砒素ウェハ並びにガリウム砒素単結晶の製造方法 |
JP2004115339A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Dowa Mining Co Ltd | 縦型ボート法によるGaAs単結晶の製造方法及び縦型ボート法によるGaAs単結晶の製造装置 |
JP2004137096A (ja) * | 2002-10-16 | 2004-05-13 | Dowa Mining Co Ltd | 化合物原料及び化合物単結晶とその製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6013031818; W.G.SPITZER: 'INFRARED ABSORPTION AND ELECTRON EFFECTIVE MASS IN' PHYSICAL REVIEW V114 N1, 19590401, P.59-63 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022075112A1 (ja) * | 2020-10-05 | 2022-04-14 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | GaAsウエハ及びGaAsインゴットの製造方法 |
JP2022060960A (ja) * | 2020-10-05 | 2022-04-15 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | GaAsウエハ及びGaAsインゴットの製造方法 |
JP7138682B2 (ja) | 2020-10-05 | 2022-09-16 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | GaAsウエハ及びGaAsインゴットの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2276878B1 (de) | 2014-11-19 |
WO2010003573A1 (de) | 2010-01-14 |
EP2276878A1 (de) | 2011-01-26 |
DE102008032628A1 (de) | 2010-01-28 |
JP6018382B2 (ja) | 2016-11-02 |
CN102089467B (zh) | 2014-11-12 |
CN102089467A (zh) | 2011-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8771560B2 (en) | Process for the manufacture of doped semiconductor single crystals, and III-V semiconductor single crystal | |
FR3004467A1 (fr) | Fabrication d'une elpasolite stoechiometrique | |
Schilz et al. | Bulk growth of silicon-germanium solid solutions | |
JP6018382B2 (ja) | 低い光吸収係数を有するドープされた砒化ガリウム基板ウエハを製造するための方法 | |
US8815392B2 (en) | Process for producing doped gallium arsenide substrate wafers having low optical absorption coefficient | |
JP6336920B2 (ja) | 低い光吸収係数を有するドープされた砒化ガリウム単結晶 | |
Gao et al. | High quality InAs grown by liquid phase epitaxy using gadolinium gettering | |
Woolley et al. | Some Properties of GeTe‐PbTe Alloys | |
Wen et al. | Investigation of point defects and electrical properties of the In-doped CdMnTe grown by traveling heater method | |
Nawwar et al. | Controlling barrier height and spectral responsivity of p–i–n based GeSn photodetectors via arsenic incorporation | |
Saucedo et al. | Heavy metal doping of CdTe crystals | |
Chase et al. | Effect of MgO on the Crystal‐Growth Defects and Optical Absorption of Flux‐Grown In2O3 | |
Štěpánek et al. | Sulphur-doped GaSb single crystals | |
Mohmad et al. | Room temperature photoluminescence intensity enhancement in GaAs1‐xBix alloys | |
Luchechko et al. | Growing features and luminescence of Bi3+ ions in Gd3Ga5O12 epitaxial films | |
Swain et al. | Approach to Defect-Free Lifetime and High Electron Density in CdTe | |
Kamijoh et al. | Heat treatment of semi‐insulating InP: Fe with phosphosilicate glass encapsulation | |
Fiederle et al. | Semi-insulating cadmium telluride at low impurity concentrations | |
Zhuravlev et al. | Properties of manganese-doped gallium arsenide layers grown by liquid-phase epitaxy from a bismuth melt | |
Mycielski et al. | Very high quality crystals of wide-gap II-VI semiconductors: What for? | |
Chiu et al. | Photoluminescence of undoped and Er-doped 1.1-μm InGaAsP layers grown by liquid-phase epitaxy | |
Wakita et al. | Resonant Raman effect on a CuGaSe2 crystal grown by the traveling heater method | |
Babentsov et al. | Doping, compensation, and photosensitivity of detector grade CdTe | |
Mondal | Interface band alignment engineering of ZnO/Si heterojunction solar cells with high open circuit voltage | |
Bilgi | Photoluminescence study of ge-implanted gase and inse single crystals grown by bridgman method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120417 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130619 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130702 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130916 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130925 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131127 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140106 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140930 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20150127 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150217 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20150410 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160512 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160930 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6018382 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |