JP2001354499A - ＧａＡｓ単結晶ウエハ - Google Patents
ＧａＡｓ単結晶ウエハInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】シリコンドープ型ウエハ並みに平均転位密度を
低く抑制し、これによって光ピックアップ用半導体レー
ザの基板等への適用を可能にしたＺｎドープＧａＡｓ単
結晶ウエハを提供する。 【解決手段】ＺｎドープＧａＡｓ中に、１×１０17〜２
×１０18ｃｍ-3の濃度のシリコンと１×１０18〜５×１
０18ｃｍ-3の濃度のホウ素を含有させる。
低く抑制し、これによって光ピックアップ用半導体レー
ザの基板等への適用を可能にしたＺｎドープＧａＡｓ単
結晶ウエハを提供する。 【解決手段】ＺｎドープＧａＡｓ中に、１×１０17〜２
×１０18ｃｍ-3の濃度のシリコンと１×１０18〜５×１
０18ｃｍ-3の濃度のホウ素を含有させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＧａＡｓ単結晶ウ
エハに関し、特に、平均転位密度の低いＺｎドープ型Ｇ
ａＡｓ単結晶ウエハに関する。
エハに関し、特に、平均転位密度の低いＺｎドープ型Ｇ
ａＡｓ単結晶ウエハに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＤあるいはＤＶＤ等の光ピックアップ
等に使用される半導体レーザには、垂直ブリッジマン法
（ＶＢ法あるいはＶＧＦ法）により成長させた低転位密
度のＧａＡｓウエハを基板とし、この上に所定のエピタ
キシャル層を成長させたものが使用されており、通常、
このための基板としては、Ｚｎドープのｐ型ウエハおよ
びシリコンドープのｎ型ウエハのなかから、特に、シリ
コンをドープしたｎ型ウエハが選択されて使用されるこ
とが多い。
等に使用される半導体レーザには、垂直ブリッジマン法
（ＶＢ法あるいはＶＧＦ法）により成長させた低転位密
度のＧａＡｓウエハを基板とし、この上に所定のエピタ
キシャル層を成長させたものが使用されており、通常、
このための基板としては、Ｚｎドープのｐ型ウエハおよ
びシリコンドープのｎ型ウエハのなかから、特に、シリ
コンをドープしたｎ型ウエハが選択されて使用されるこ
とが多い。
【０００３】シリコンは、不純物を硬化させる性質を有
しており、従って、シリコンをドープするだけで平均転
位密度が１００個／ｃｍ2 以下という優れた特性のＧａ
Ａｓ単結晶を容易に成長させることができ、このため、
低転位密度を特に要求される光ピッアップ用半導体レー
ザの基板としては、この低転位密度を有したｎ型ＧａＡ
ｓ単結晶ウエハが多く用いられている。
しており、従って、シリコンをドープするだけで平均転
位密度が１００個／ｃｍ2 以下という優れた特性のＧａ
Ａｓ単結晶を容易に成長させることができ、このため、
低転位密度を特に要求される光ピッアップ用半導体レー
ザの基板としては、この低転位密度を有したｎ型ＧａＡ
ｓ単結晶ウエハが多く用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＧａＡ
ｓ単結晶ウエハによると、Ｚｎをドープしてｐ型ウエハ
とし、これを光ピッアップ用半導体レーザの基板に適用
しようとするとき、転位密度の高さからこの種用途への
適用を難しくする。
ｓ単結晶ウエハによると、Ｚｎをドープしてｐ型ウエハ
とし、これを光ピッアップ用半導体レーザの基板に適用
しようとするとき、転位密度の高さからこの種用途への
適用を難しくする。
【０００５】即ち、ＺｎをドープしたＧａＡｓ単結晶
は、これをＶＢ法によって成長させたとしても、その転
位密度は１，０００個／ｃｍ2 程度にしか減少しない。
これは、Ｚｎが不純物硬化作用を有していないことによ
るもので、このように大きな転位密度は、半導体レーザ
の通電特性を劣化させるように作用し、この種用途には
適さない。
は、これをＶＢ法によって成長させたとしても、その転
位密度は１，０００個／ｃｍ2 程度にしか減少しない。
これは、Ｚｎが不純物硬化作用を有していないことによ
るもので、このように大きな転位密度は、半導体レーザ
の通電特性を劣化させるように作用し、この種用途には
適さない。
【０００６】従って、本発明の目的は、シリコンドープ
型ウエハ並みに平均転位密度を低く抑制し、これによっ
て光ピッアップ用半導体レーザの基板等への適用を可能
にしたＺｎドープ型ＧａＡｓ単結晶ウエハを提供するこ
とにある。
型ウエハ並みに平均転位密度を低く抑制し、これによっ
て光ピッアップ用半導体レーザの基板等への適用を可能
にしたＺｎドープ型ＧａＡｓ単結晶ウエハを提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、ＧａＡｓにＺｎをドープした単結晶ウエ
ハより構成され、前記単結晶ウエハは、濃度が１×１０
17〜２×１０18ｃｍ-3のシリコン（Ｓｉ）と、濃度が１
×１０18〜５×１０18ｃｍ-3のホウ素（Ｂ）を含有する
ことを特徴とするＧａＡｓ単結晶ウエハを提供するもの
である。
達成するため、ＧａＡｓにＺｎをドープした単結晶ウエ
ハより構成され、前記単結晶ウエハは、濃度が１×１０
17〜２×１０18ｃｍ-3のシリコン（Ｓｉ）と、濃度が１
×１０18〜５×１０18ｃｍ-3のホウ素（Ｂ）を含有する
ことを特徴とするＧａＡｓ単結晶ウエハを提供するもの
である。
【０００８】本発明においてＳｉとＢを併用する理由
は、以下による。即ち、ＺｎドープのＧａＡｓに対して
Ｓｉの混入だけで所定の低転位密度とするためには、多
量のＳｉの混入が必要となるところを、これをＢと併用
することによって、比較的少ないＳｉ量による低転位密
度化を可能にするものである。このための前提が上記し
たＳｉおよびＢの濃度範囲であり、その設定理由は、以
下の通りである。
は、以下による。即ち、ＺｎドープのＧａＡｓに対して
Ｓｉの混入だけで所定の低転位密度とするためには、多
量のＳｉの混入が必要となるところを、これをＢと併用
することによって、比較的少ないＳｉ量による低転位密
度化を可能にするものである。このための前提が上記し
たＳｉおよびＢの濃度範囲であり、その設定理由は、以
下の通りである。
【０００９】まず、Ｓｉの濃度を１×１０17〜２×１０
18ｃｍ-3に設定する理由は、濃度がこの範囲を下廻る
と、Ｓｉによる不純物硬化作用が不足して低転位密度化
の効果が不充分となり、逆に、この範囲を超過すると、
Ｓｉの格子間析出によるシャローピットが発生して製品
化を難しくするためである。
18ｃｍ-3に設定する理由は、濃度がこの範囲を下廻る
と、Ｓｉによる不純物硬化作用が不足して低転位密度化
の効果が不充分となり、逆に、この範囲を超過すると、
Ｓｉの格子間析出によるシャローピットが発生して製品
化を難しくするためである。
【００１０】また、Ｂの濃度を１×１０18〜５×１０18
ｃｍ-3に設定する理由は、Ｂの濃度が１×１０18ｃｍ-3
未満になると、Ｓｉと同様に不純物硬化作用を有するＢ
の混入効果に充分なものが得られず、逆に、５×１０18
ｃｍ-3を超えると、ＢとＡｓの化合物が発生して固液界
面のメニスカスを乱し、この化合物が多結晶成長の核と
なって、単結晶成長の歩留まりを低下させるように作用
するためである。
ｃｍ-3に設定する理由は、Ｂの濃度が１×１０18ｃｍ-3
未満になると、Ｓｉと同様に不純物硬化作用を有するＢ
の混入効果に充分なものが得られず、逆に、５×１０18
ｃｍ-3を超えると、ＢとＡｓの化合物が発生して固液界
面のメニスカスを乱し、この化合物が多結晶成長の核と
なって、単結晶成長の歩留まりを低下させるように作用
するためである。
【００１１】なお、以上のＳｉとＢの併用効果は、Ｂの
側から見た場合にも同様のことがいえ、Ｂ単独によって
低転位密度化を図ることは、やはり、多量のＢの混入を
必要とし、上記と同じ多量混入による悪影響を招くこと
になるので好ましくない。
側から見た場合にも同様のことがいえ、Ｂ単独によって
低転位密度化を図ることは、やはり、多量のＢの混入を
必要とし、上記と同じ多量混入による悪影響を招くこと
になるので好ましくない。
【００１２】以上のＳｉ濃度およびＢ濃度を有するＺｎ
ドープ型ＧａＡｓ単結晶ウエハは、１００個／ｃｍ2 以
下の平均転位密度を有することによって特徴づけられ、
これにより従来困難であった光ピッアップ用半導体レー
ザの基板等への適用が保証される。また、このウエハに
おけるキャリア濃度としては、１×１０19ｃｍ-3以上に
設定することが好ましく、キャリア濃度がこれより少な
くなると、比抵抗が高くなり、電流密度の高い使い方を
する半導体レーザ用としては好ましくない。
ドープ型ＧａＡｓ単結晶ウエハは、１００個／ｃｍ2 以
下の平均転位密度を有することによって特徴づけられ、
これにより従来困難であった光ピッアップ用半導体レー
ザの基板等への適用が保証される。また、このウエハに
おけるキャリア濃度としては、１×１０19ｃｍ-3以上に
設定することが好ましく、キャリア濃度がこれより少な
くなると、比抵抗が高くなり、電流密度の高い使い方を
する半導体レーザ用としては好ましくない。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に、本発明によるＧａＡｓ単結
晶ウエハの実施の形態を説明する。図１は、ウエハの成
長に使用されたＶＢ装置を示し、１は結晶成長用高温
炉、２はＡｓ圧制御用低温炉を示す。３は上方の大径部
３ａを高温炉１内に配置し、Ａｓ圧制御用Ａｓ４を収容
した小径部３ｂの先端を低温炉２内に配置した石英アン
プルを示し、炉１および２内を上下に昇降するように構
成されている。５は下端の小径部５ａ内に種結晶６を収
容し、その上方にＧａＡｓ多結晶材７を収容したＰＢＮ
るつぼを示す。
晶ウエハの実施の形態を説明する。図１は、ウエハの成
長に使用されたＶＢ装置を示し、１は結晶成長用高温
炉、２はＡｓ圧制御用低温炉を示す。３は上方の大径部
３ａを高温炉１内に配置し、Ａｓ圧制御用Ａｓ４を収容
した小径部３ｂの先端を低温炉２内に配置した石英アン
プルを示し、炉１および２内を上下に昇降するように構
成されている。５は下端の小径部５ａ内に種結晶６を収
容し、その上方にＧａＡｓ多結晶材７を収容したＰＢＮ
るつぼを示す。
【００１４】この実施の形態のＧａＡｓ単結晶ウエハの
成長は、以下のように行われた。
成長は、以下のように行われた。
【実施例１】石英アンプル３の小径部３ｂの先端にＡｓ
圧制御用Ａｓ４を５ｇ入れる一方、ＰＢＮるつぼ５内の
種結晶６の上に３，０００ｇのＧａＡｓ多結晶材７を収
容し、さらに、この多結晶材７の中に、ドーパントとし
てのＺｎを１．５ｇ、Ｓｉを０．４ｇ、およびＢを１．
５ｇ混入した。
圧制御用Ａｓ４を５ｇ入れる一方、ＰＢＮるつぼ５内の
種結晶６の上に３，０００ｇのＧａＡｓ多結晶材７を収
容し、さらに、この多結晶材７の中に、ドーパントとし
てのＺｎを１．５ｇ、Ｓｉを０．４ｇ、およびＢを１．
５ｇ混入した。
【００１５】次に、高温炉１と低温炉２をそれぞれ約
１，２００℃と約６００℃に昇温させるとともに、高温
炉１の内部に上方が高く下方が低い約５．０ｄｅｇ／ｃ
ｍの温度勾配を形成し、引き続き、炉を昇温ざせること
によってＧａＡｓ多結晶材７を溶解し、溶解した多結晶
材７を種結晶６にシード付けした後、石英アンプル３を
２．０ｍｍ／ｈｒの速度で下降させ、これによって種結
晶４上にＧａＡｓ単結晶８を成長させた。
１，２００℃と約６００℃に昇温させるとともに、高温
炉１の内部に上方が高く下方が低い約５．０ｄｅｇ／ｃ
ｍの温度勾配を形成し、引き続き、炉を昇温ざせること
によってＧａＡｓ多結晶材７を溶解し、溶解した多結晶
材７を種結晶６にシード付けした後、石英アンプル３を
２．０ｍｍ／ｈｒの速度で下降させ、これによって種結
晶４上にＧａＡｓ単結晶８を成長させた。
【００１６】次いで、単結晶８が全長にわたり成長した
後、炉１および２を５〜５０ｄｅｇ／ｈｒの速度で室温
まで冷却し、単結晶８を外部に取り出した。得られた直
径３インチおよび長さ１００ｍｍの単結晶ウエハの種結
晶側とテール側からサンプルを切り出し、その転位密度
を測定したところ、いずれの側のサンプルも平均１００
個／ｃｍ2 以下の良好な転位密度を示した。
後、炉１および２を５〜５０ｄｅｇ／ｈｒの速度で室温
まで冷却し、単結晶８を外部に取り出した。得られた直
径３インチおよび長さ１００ｍｍの単結晶ウエハの種結
晶側とテール側からサンプルを切り出し、その転位密度
を測定したところ、いずれの側のサンプルも平均１００
個／ｃｍ2 以下の良好な転位密度を示した。
【００１７】また、パウ法によるキャリア濃度測定を実
施した結果、結晶長さ方向に対してｎp ＝１．２〜３．
５×１０19ｃｍ-3の濃度分布を示していることが確認さ
れ、さらに、ＳｉおよびＢの濃度も、種結晶側において
ｎSi＝４×１０17ｃｍ-3およびｎB ＝１．１×１０18ｃ
ｍ-3を示し、テール側においてｎSi＝２×１０18ｃｍ-3
およびｎB ＝５．０×１０18ｃｍ-3を示した。いずれ
も、本発明が規定する濃度範囲内であり、また、結晶全
長にわたって、ＢとＡｓの化合物、あるいはシャローピ
ット等の欠陥発生は認められなかった。
施した結果、結晶長さ方向に対してｎp ＝１．２〜３．
５×１０19ｃｍ-3の濃度分布を示していることが確認さ
れ、さらに、ＳｉおよびＢの濃度も、種結晶側において
ｎSi＝４×１０17ｃｍ-3およびｎB ＝１．１×１０18ｃ
ｍ-3を示し、テール側においてｎSi＝２×１０18ｃｍ-3
およびｎB ＝５．０×１０18ｃｍ-3を示した。いずれ
も、本発明が規定する濃度範囲内であり、また、結晶全
長にわたって、ＢとＡｓの化合物、あるいはシャローピ
ット等の欠陥発生は認められなかった。
【００１８】
【実施例２】実施例１において、Ｓｉ量を０．１ｇに設
定し、他を同じ条件とすることにより単結晶８の成長を
行った。結果は、目標の上限である約１００個／ｃｍ2
の平均転位密度を示した。Ｓｉ濃度の測定結果は、１×
１０17ｃｍ-3であり、この濃度が、１００個／ｃｍ2 以
下の転位密度を得るための下限値であることが確認され
た。この下限値を下廻ることは、１００個／ｃｍ2 を超
える転位密度の増大を招くことになり、避けなければな
らない。
定し、他を同じ条件とすることにより単結晶８の成長を
行った。結果は、目標の上限である約１００個／ｃｍ2
の平均転位密度を示した。Ｓｉ濃度の測定結果は、１×
１０17ｃｍ-3であり、この濃度が、１００個／ｃｍ2 以
下の転位密度を得るための下限値であることが確認され
た。この下限値を下廻ることは、１００個／ｃｍ2 を超
える転位密度の増大を招くことになり、避けなければな
らない。
【００１９】
【比較例１】実施例１において、ＧａＡｓ多結晶材７に
Ｂを混入せず、他を同じ条件に設定することにより単結
晶８の成長を行った。結果は、種結晶側の平均転位密度
が約５００個／ｃｍ2 を示し、目標値１００個／ｃｍ2
以下をクリアできなかった。
Ｂを混入せず、他を同じ条件に設定することにより単結
晶８の成長を行った。結果は、種結晶側の平均転位密度
が約５００個／ｃｍ2 を示し、目標値１００個／ｃｍ2
以下をクリアできなかった。
【００２０】
【比較例２】実施例１において、Ｓｉ量を１．０ｇと
し、Ｂ量をゼロとした以外、他を同じ条件に設定して単
結晶８の成長を行った。種結晶側において１００個／ｃ
ｍ2 以下の転位密度が得られたが、結晶の成長後半にシ
ャローピット現象が発生し、製品に供する水準の品質が
得られなかった。
し、Ｂ量をゼロとした以外、他を同じ条件に設定して単
結晶８の成長を行った。種結晶側において１００個／ｃ
ｍ2 以下の転位密度が得られたが、結晶の成長後半にシ
ャローピット現象が発生し、製品に供する水準の品質が
得られなかった。
【００２１】
【比較例３】実施例１において、Ｂの混入量を３．０ｇ
とした以外、他を同一条件に設定することによって単結
晶８の成長を行ったところ、１００個／ｃｍ2 以下の平
均転位密度が得られた。しかし、ＢとＡｓの化合物と思
われる析出物が結晶８の肩部ｃに付着し、固液界面のメ
ニスカスを乱したため、単結晶の成長を望めないことが
確認された。Ｂ濃度は、種結晶側においてｎB ＝２×１
０18ｃｍ-3を示し、テール側でｎB ＝２×１０19ｃｍ-3
を示した。この例より、過剰なＢの混入は避ける必要が
あり、Ｂ濃度としては、種結晶側で２×１０18ｃｍ-3よ
り低く押える必要がある。
とした以外、他を同一条件に設定することによって単結
晶８の成長を行ったところ、１００個／ｃｍ2 以下の平
均転位密度が得られた。しかし、ＢとＡｓの化合物と思
われる析出物が結晶８の肩部ｃに付着し、固液界面のメ
ニスカスを乱したため、単結晶の成長を望めないことが
確認された。Ｂ濃度は、種結晶側においてｎB ＝２×１
０18ｃｍ-3を示し、テール側でｎB ＝２×１０19ｃｍ-3
を示した。この例より、過剰なＢの混入は避ける必要が
あり、Ｂ濃度としては、種結晶側で２×１０18ｃｍ-3よ
り低く押える必要がある。
【００２２】表１は、以上の実施例および比較例の内容
と実施結果をまとめたものであり、データは、結晶の種
結晶側の値を示している。
と実施結果をまとめたものであり、データは、結晶の種
結晶側の値を示している。
【００２３】
【表１】
【００２４】表１によれば、ＺｎドープのもとにＳｉと
Ｂを併用し、しかも、前者の濃度を１×１０17〜２×１
０18ｃｍ-3に設定し、後者の濃度を１×１０18〜５×１
０18ｃｍ-3に設定したものが、ＢおよびＡｓの化合物あ
るいはシャローピット等の欠陥を発生させることなく１
００個／ｃｍ2 以下の平均転位密度を達成できることが
実証されており、本発明による効果が充分に現れてい
る。
Ｂを併用し、しかも、前者の濃度を１×１０17〜２×１
０18ｃｍ-3に設定し、後者の濃度を１×１０18〜５×１
０18ｃｍ-3に設定したものが、ＢおよびＡｓの化合物あ
るいはシャローピット等の欠陥を発生させることなく１
００個／ｃｍ2 以下の平均転位密度を達成できることが
実証されており、本発明による効果が充分に現れてい
る。
【００２５】なお、前述の実施例においては、Ｂを単品
の形で混入したが、Ｂの代わりにＢ 2Ｏ3を混入してもよ
い。Ｂ2Ｏ3 をＳｉとともに混入することによってＢ2Ｏ
3がＳｉで還元され、この結果、Ｂが生成して所定のＢ
ドープが行われることになる。従って、この場合のＳｉ
の混入量としては、還元に消費される分を想定しておく
必要がある。
の形で混入したが、Ｂの代わりにＢ 2Ｏ3を混入してもよ
い。Ｂ2Ｏ3 をＳｉとともに混入することによってＢ2Ｏ
3がＳｉで還元され、この結果、Ｂが生成して所定のＢ
ドープが行われることになる。従って、この場合のＳｉ
の混入量としては、還元に消費される分を想定しておく
必要がある。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるＧａ
Ａｓ単結晶ウエハによれば、ＺｎドープＧａＡｓに１×
１０17〜２×１０18ｃｍ-3の濃度のＳｉと１×１０18〜
５×１０18ｃｍ-3の濃度のＢを含有させることによっ
て、平均転位密度が１００個／ｃ ｍ2 以下の優れた特
性を有したＺｎドープ型ＧａＡｓ単結晶ウエハを提供す
るものであり、従って、ＣＤあるいはＤＶＤのピッアッ
プのためのレーザ用半導体のｐ型基板等へのＺｎドープ
型ＧａＡｓ単結晶ウエハの適用を実現するうえにおい
て、その有用性は大である。
Ａｓ単結晶ウエハによれば、ＺｎドープＧａＡｓに１×
１０17〜２×１０18ｃｍ-3の濃度のＳｉと１×１０18〜
５×１０18ｃｍ-3の濃度のＢを含有させることによっ
て、平均転位密度が１００個／ｃ ｍ2 以下の優れた特
性を有したＺｎドープ型ＧａＡｓ単結晶ウエハを提供す
るものであり、従って、ＣＤあるいはＤＶＤのピッアッ
プのためのレーザ用半導体のｐ型基板等へのＺｎドープ
型ＧａＡｓ単結晶ウエハの適用を実現するうえにおい
て、その有用性は大である。
【図１】本発明によるＧａＡｓ単結晶ウエハの実施の形
態において使用された垂直ブリッジマン法成長装置を示
す説明図。
態において使用された垂直ブリッジマン法成長装置を示
す説明図。
１ 結晶成長用高温炉 ２ Ａｓ圧制御用低温炉 ３ 石英アンプル ４ Ａｓ圧制御用Ａｓ ５ ＰＢＮるつぼ ６ 種結晶 ７ ＧａＡｓ多結晶材 ８ 単結晶
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大西 正哉 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社日高工場内 (72)発明者 井谷 賢哉 茨城県日立市日高町５丁目１番１号 日立 電線株式会社日高工場内 Ｆターム(参考） 4G077 AB01 CD04 EB01 EB05 5F073 CB02 CB19 DA02 DA35 EA29
Claims (2)
- 【請求項１】ＧａＡｓにＺｎをドープした単結晶ウエハ
より構成され、 前記単結晶ウエハは、濃度が１×１０17〜２×１０18ｃ
ｍ-3のシリコンと、濃度が１×１０18〜５×１０18ｃｍ
-3のホウ素を含有することを特徴とするＧａＡｓ単結晶
ウエハ。 - 【請求項２】前記単結晶ウエハは、１００個／ｃｍ2 以
下の平均転位密度と、１×１０19ｃｍ-3以上のキャリア
濃度を有することを特徴とする請求項１項記載のＧａＡ
ｓ単結晶ウエハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000177292A JP3818023B2 (ja) | 2000-06-13 | 2000-06-13 | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000177292A JP3818023B2 (ja) | 2000-06-13 | 2000-06-13 | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001354499A true JP2001354499A (ja) | 2001-12-25 |
| JP3818023B2 JP3818023B2 (ja) | 2006-09-06 |
Family
ID=18678910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000177292A Expired - Lifetime JP3818023B2 (ja) | 2000-06-13 | 2000-06-13 | ＧａＡｓ単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3818023B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011527280A (ja) * | 2008-07-11 | 2011-10-27 | フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | 低い光吸収係数を有するドープされた砒化ガリウム基板ウエハを製造するための方法 |
| CN103361713A (zh) * | 2007-06-06 | 2013-10-23 | 弗赖贝格化合物原料有限公司 | 晶体 |
| US8771560B2 (en) | 2005-07-01 | 2014-07-08 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Process for the manufacture of doped semiconductor single crystals, and III-V semiconductor single crystal |
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2000
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