JPS5988393A - ３−５族化合物単結晶の製造方法 - Google Patents
３−５族化合物単結晶の製造方法Info
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- JPS5988393A JPS5988393A JP19775982A JP19775982A JPS5988393A JP S5988393 A JPS5988393 A JP S5988393A JP 19775982 A JP19775982 A JP 19775982A JP 19775982 A JP19775982 A JP 19775982A JP S5988393 A JPS5988393 A JP S5988393A
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は高品質１１＋ −Ｖ族化合物単結晶の製造方
法に関する。
法に関する。
Ｉｌｌ −Ｖ族化合物のうち、高純度のガリウム砒素（
ＧＩＬＡＩり 巣１色殊甚折抗が１０ΩすＩ＆以上の
半絶縁性物質であって、最近、超高速集積回路、オプト
エレクトロニクス集積回路の素子用結晶基板として注目
を浴びている。
ＧＩＬＡＩり 巣１色殊甚折抗が１０ΩすＩ＆以上の
半絶縁性物質であって、最近、超高速集積回路、オプト
エレクトロニクス集積回路の素子用結晶基板として注目
を浴びている。
しかしながら、現在知られている高圧封正引き上げ法で
作成１された無添加ＧａＡ＋＋ ｊｉｌ結晶は結晶内
の抵抗分布が不均一であって、比抵抗が１０６０・例・
以上で、且つ抵抗分布が均−ｉ単結晶を再現性よく製造
するととは困難であった。その理由としてはＧａＡｓ
溶融液の組成の検知及び制御技術が確立されていない
こと、溶融中のＧａＡｓ の品質を測定する方法が存
在していなかったとと等が挙げられる。
作成１された無添加ＧａＡ＋＋ ｊｉｌ結晶は結晶内
の抵抗分布が不均一であって、比抵抗が１０６０・例・
以上で、且つ抵抗分布が均−ｉ単結晶を再現性よく製造
するととは困難であった。その理由としてはＧａＡｓ
溶融液の組成の検知及び制御技術が確立されていない
こと、溶融中のＧａＡｓ の品質を測定する方法が存
在していなかったとと等が挙げられる。
仁の発明は上記に鑑みなされたものであって、Ｉｌｌ
−Ｖ族化合物の組成比の違いにより電流値が変化するこ
とに着目し、化合物溶融液に°ギ１圧を印加し、電流値
を測定することにより溶融液の組成比を知ることができ
、溶融液の組成を調整しながら電流値を測定し、所定値
に到達したら種結晶の引き上げ操作を行うことにより所
望の抵抗値を有する高品質のＩｌｌ −Ｖ族即結晶が得
られることになる。
−Ｖ族化合物の組成比の違いにより電流値が変化するこ
とに着目し、化合物溶融液に°ギ１圧を印加し、電流値
を測定することにより溶融液の組成比を知ることができ
、溶融液の組成を調整しながら電流値を測定し、所定値
に到達したら種結晶の引き上げ操作を行うことにより所
望の抵抗値を有する高品質のＩｌｌ −Ｖ族即結晶が得
られることになる。
以下、本発明を添付の図面に基き説明すると、＠１図は
即納晶製造装置の一例を示し、ｌは高圧容器であって、
この高圧容器／内にはその外周を炭素材料等の支持部材
ダで覆れ九石英、窒化ボロン等のルツボ３を設け、との
ルツボ３を回転支持軸乙により回転且つ一ヒ下動できる
ように支持し、ルツボ３の周囲にはヒーターコを設けて
、ルツボを所定の温Ｉｆに加熱、維持する。
即納晶製造装置の一例を示し、ｌは高圧容器であって、
この高圧容器／内にはその外周を炭素材料等の支持部材
ダで覆れ九石英、窒化ボロン等のルツボ３を設け、との
ルツボ３を回転支持軸乙により回転且つ一ヒ下動できる
ように支持し、ルツボ３の周囲にはヒーターコを設けて
、ルツボを所定の温Ｉｆに加熱、維持する。
ルツボ３の上部には下端に種結晶９を取イマ１けた導筒
、性の引き上げ軸３を設け、この引き上げ軸は回転する
と共に上下Ｑτ；Ｊするように構成する。
、性の引き上げ軸３を設け、この引き上げ軸は回転する
と共に上下Ｑτ；Ｊするように構成する。
そして、ルツボの支持部材ダと種結晶引き上げ軸Ｓには
リード線１０． ／／ をそれぞれ接続する。
リード線１０． ／／ をそれぞれ接続する。
上記の如き構成の装？！りにおいて、ルツボ３にはｌｉ
ｔ −Ｖ族化合物を構成する■族及び■族元素をそれぞ
れ所定端入れ、更に高圧封止剤として酸化ボロン（Ｂ２
０．） を所定、ｉｌ添加１７、ルツボを高圧容器ｌ
内に股部し、アルゴン、窒素等の不活性ガスにより容器
内を加圧し、ヒーターコにより原料元素の溶融温度以上
の温度で加熱してルツボ内の元素を溶融させる。ｏｒ−
ｖｙ化合物としてはＧａＡｓ、 ＩｎＰ、 ＧａＰ、
Ｇａｒｂ が挙けられ、これらを構成する元素を原料
として用いる。
ｔ −Ｖ族化合物を構成する■族及び■族元素をそれぞ
れ所定端入れ、更に高圧封止剤として酸化ボロン（Ｂ２
０．） を所定、ｉｌ添加１７、ルツボを高圧容器ｌ
内に股部し、アルゴン、窒素等の不活性ガスにより容器
内を加圧し、ヒーターコにより原料元素の溶融温度以上
の温度で加熱してルツボ内の元素を溶融させる。ｏｒ−
ｖｙ化合物としてはＧａＡｓ、 ＩｎＰ、 ＧａＰ、
Ｇａｒｂ が挙けられ、これらを構成する元素を原料
として用いる。
上述の加熱処理によりルツボ３内に於ては上層に高圧封
止剤としてＢ、０３ 溶融液ｇが、下層にはｎ＋ −
ｖ族化合物溶融液７が形成する。ルツボ内の原料が溶融
したら引き上げ軸３を下降させ種結晶ヂをルツボＪ内の
溶融液７と接軸させる。
止剤としてＢ、０３ 溶融液ｇが、下層にはｎ＋ −
ｖ族化合物溶融液７が形成する。ルツボ内の原料が溶融
したら引き上げ軸３を下降させ種結晶ヂをルツボＪ内の
溶融液７と接軸させる。
このような状卯で・リード線１０．／／を介してルツボ
支持体ｌと引き上げ軸！に電源／、２より交流電圧を印
加すると、結晶原料溶融液７は低抗体と見做され、ルツ
ボ３は絶縁体のためコンデンサーと考えることができ、
電流計／３には溶融液７の抵抗値に対応する電流値が表
示さ托ることになる。
支持体ｌと引き上げ軸！に電源／、２より交流電圧を印
加すると、結晶原料溶融液７は低抗体と見做され、ルツ
ボ３は絶縁体のためコンデンサーと考えることができ、
電流計／３には溶融液７の抵抗値に対応する電流値が表
示さ托ることになる。
上述の電気回路を流れる電流値はルツボ内に溶融してい
る■−■族化合物の組成比によって変る。例えばルツボ
を約１２（ＳＯｔ：’ で加熱した時のＧａＡｍ の
組成比の変化と雷、流値の変化は第２図のグラフに示す
ような関係があＦ） 、Ｇａが約５１．３％、Ａ！Ｉが
約４８．７％の組成比の時に最大雷１流値を示し、０．
２７〜ＤＪ ｍＡの範囲（図中の点線で示す範囲）の電
流が流れている場合は、ルツボ内の溶融ＧａＡ−の４＋
１戊比は結晶成長に最適な範囲内であるとととＡる。
る■−■族化合物の組成比によって変る。例えばルツボ
を約１２（ＳＯｔ：’ で加熱した時のＧａＡｍ の
組成比の変化と雷、流値の変化は第２図のグラフに示す
ような関係があＦ） 、Ｇａが約５１．３％、Ａ！Ｉが
約４８．７％の組成比の時に最大雷１流値を示し、０．
２７〜ＤＪ ｍＡの範囲（図中の点線で示す範囲）の電
流が流れている場合は、ルツボ内の溶融ＧａＡ−の４＋
１戊比は結晶成長に最適な範囲内であるとととＡる。
仁の電気信号は、また、ルツボ内のＩｌｌ −Ｖ族化合
物溶副液の温度によって変化する。即ち、第３図に示す
ように、ルツボ内のＧａＡｓ の組成比を一定として
（Ｇａ ５０％、Ａｓ ５０％）、ルツボの加熱湿度を
高めると、電流値は温度の上昇と共に増加する。このこ
とから、種付は時での電流値の変化は結晶を固化し始め
る温度を反訣しており、組成の変化により同化開始温度
と相関があるものと考えられる。
物溶副液の温度によって変化する。即ち、第３図に示す
ように、ルツボ内のＧａＡｓ の組成比を一定として
（Ｇａ ５０％、Ａｓ ５０％）、ルツボの加熱湿度を
高めると、電流値は温度の上昇と共に増加する。このこ
とから、種付は時での電流値の変化は結晶を固化し始め
る温度を反訣しており、組成の変化により同化開始温度
と相関があるものと考えられる。
この発明は上述の如く、結晶引き上げ操作を行う前に溶
融液の電流値を測定することにより浴融液の組成比を正
確に把握することができるのであるから、例えば溶融液
がＧａＡ＠の場合、Ｇａ ７５（過剰の場合はＡｉ＋を
ルツボ内溶融液へ供給して電流が所定値となったら結晶
引き上げ操作を行うととによシ所望の組成比の単結晶を
得ることができる。また、Ａ−が過剰の場合は高圧容器
内の圧力を所定の値だけ減圧してＡｓをルツボ内の結晶
原料溶融液より蒸散させることにょシミ流値が上昇する
ことになる。
融液の電流値を測定することにより浴融液の組成比を正
確に把握することができるのであるから、例えば溶融液
がＧａＡ＠の場合、Ｇａ ７５（過剰の場合はＡｉ＋を
ルツボ内溶融液へ供給して電流が所定値となったら結晶
引き上げ操作を行うととによシ所望の組成比の単結晶を
得ることができる。また、Ａ−が過剰の場合は高圧容器
内の圧力を所定の値だけ減圧してＡｓをルツボ内の結晶
原料溶融液より蒸散させることにょシミ流値が上昇する
ことになる。
Ｇａが過剰の溶融液の調整に使用するＡｓ供給装置の一
例を第４図について説明すると、高圧容器ｌの上部側壁
に開設した開口部ｌｌＩに盲部ｉｓの開口端を気密に接
続する。盲部／Ｓ内には先端が高圧容器ｌ内に突入する
支持棒／ｇがあり、支持棒先端には砒素収納容器／６を
固定し、この支持棒の後端には永久磁石コＯを設ける。
例を第４図について説明すると、高圧容器ｌの上部側壁
に開設した開口部ｌｌＩに盲部ｉｓの開口端を気密に接
続する。盲部／Ｓ内には先端が高圧容器ｌ内に突入する
支持棒／ｇがあり、支持棒先端には砒素収納容器／６を
固定し、この支持棒の後端には永久磁石コＯを設ける。
盲部／３の外周面には環状の永久磁石／９を嵌合させ、
この環状磁石／？は支持棒後端の磁石−〇と盲部の壁部
を挾んで互に吸引し、環状磁石／デを盲部外ＩＭに沿っ
て摺動させるとそれに伴って支持棒／ｌも盲部内を前後
に移動することになる。上記収納容器／６の支持ｎ／ｌ
の固定端近傍にはパイプ／７の一端を接続し、屈曲して
その先端は容器の前方に延び、支持棒が盲部内を下降し
たときにルツボ３内に突入するように構ｌｊ児する。容
器／ Ａの周囲にはヒーター、２／を設け、容器内を加
熱するように構成する。上述の容器、支持棒、盲部は石
英寸たはパイロリテックＶ化ボロンで形成されている。
この環状磁石／？は支持棒後端の磁石−〇と盲部の壁部
を挾んで互に吸引し、環状磁石／デを盲部外ＩＭに沿っ
て摺動させるとそれに伴って支持棒／ｌも盲部内を前後
に移動することになる。上記収納容器／６の支持ｎ／ｌ
の固定端近傍にはパイプ／７の一端を接続し、屈曲して
その先端は容器の前方に延び、支持棒が盲部内を下降し
たときにルツボ３内に突入するように構ｌｊ児する。容
器／ Ａの周囲にはヒーター、２／を設け、容器内を加
熱するように構成する。上述の容器、支持棒、盲部は石
英寸たはパイロリテックＶ化ボロンで形成されている。
上記の如き構成にて、容器／６内にはＡｓ を予しめ俤
哨し、環状磁石／デにょシ叉持俸／ｇを上端に引き上げ
て容器を開口部／ｙ、内に待機させておく。ルツボＪ内
に原１′・Ｆを入れ、周定の汗、力及び温度にし、ルツ
ボ内の原料が溶融したら、種結晶デをＦ降させ、結晶原
料溶融液７にＩＸ峡させて、電流値を１１１定する。
哨し、環状磁石／デにょシ叉持俸／ｇを上端に引き上げ
て容器を開口部／ｙ、内に待機させておく。ルツボＪ内
に原１′・Ｆを入れ、周定の汗、力及び温度にし、ルツ
ボ内の原料が溶融したら、種結晶デをＦ降させ、結晶原
料溶融液７にＩＸ峡させて、電流値を１１１定する。
ＮＩＩＪ定した電流値よりＡｓが不足していることが判
明しプヒら、盲部／！にｍ；合している環状磁石／ヂを
下降させ、その結果、Ａｓ Ｊｌ、Ｖ納容器／Ａはルツ
ボ３に近ずき、パイプ１７の先端は溶融液７に容入され
ることになる。高圧容器／内はＡｓの融点以上の温ＩＷ
でイ）るため、八−蒸気はパイプ／７先端よυ噴用して
おシ、結晶原料溶液中にＡｓが吹き込まれるととになる
。吹き込み暇が不足している場合はヒータ、２／により
容器／６を更に積極的に加熱することにょＶ） Ａｓ蒸
気の噴出）往は増加する。このように気化され九Ａ＠を
溶融液に吹込んで反応させ、電流値が所定の値に下がっ
たら、結晶の引き上げ操作を行う。
明しプヒら、盲部／！にｍ；合している環状磁石／ヂを
下降させ、その結果、Ａｓ Ｊｌ、Ｖ納容器／Ａはルツ
ボ３に近ずき、パイプ１７の先端は溶融液７に容入され
ることになる。高圧容器／内はＡｓの融点以上の温ＩＷ
でイ）るため、八−蒸気はパイプ／７先端よυ噴用して
おシ、結晶原料溶液中にＡｓが吹き込まれるととになる
。吹き込み暇が不足している場合はヒータ、２／により
容器／６を更に積極的に加熱することにょＶ） Ａｓ蒸
気の噴出）往は増加する。このように気化され九Ａ＠を
溶融液に吹込んで反応させ、電流値が所定の値に下がっ
たら、結晶の引き上げ操作を行う。
Ａｓが過剰の場合は高圧容器内の圧力を減圧すると圧力
のバランスを保つだめＡｓが蒸発するので、調整がＧａ
過剰の場合に殻べて容易である。
のバランスを保つだめＡｓが蒸発するので、調整がＧａ
過剰の場合に殻べて容易である。
第５図のグラフはＡｓの蒸発処理時間と電流値の関係を
示すグラフであって、溶融液の電流値を測定した結果、
約０．２０？ＦＩＡＯ値であったので、高圧容器内の圧
力を３０気圧、より１気圧に下げ１時間後、及び２時間
後の電流値を測定した結果、電流値は次第に上昇し、Ａ
ｓが次第に減少していることが判る。
示すグラフであって、溶融液の電流値を測定した結果、
約０．２０？ＦＩＡＯ値であったので、高圧容器内の圧
力を３０気圧、より１気圧に下げ１時間後、及び２時間
後の電流値を測定した結果、電流値は次第に上昇し、Ａ
ｓが次第に減少していることが判る。
この発明は上述の如く、結晶引き上げ操作を行う前に溶
融液の電流値を測定し、所定の範囲の組成比に相当する
電流値が得られない場合は、上述の如（、Ａｓを（、ｌ
Ｕ給したり、或は蒸散させて戸ハ堕の組成比に胴軸して
から結晶の引き上（げ操作を行うものであるから、高品
質のＩｌｌ −Ｖ族化合物単結晶が再現ｉ″よく得られ
、ＧａＡｇ 以外にＩｎＰ、 ＩｎＡｓ 等のＩｌｌ
−Ｖ族化合物単結晶の製造にも適用できる。
融液の電流値を測定し、所定の範囲の組成比に相当する
電流値が得られない場合は、上述の如（、Ａｓを（、ｌ
Ｕ給したり、或は蒸散させて戸ハ堕の組成比に胴軸して
から結晶の引き上（げ操作を行うものであるから、高品
質のＩｌｌ −Ｖ族化合物単結晶が再現ｉ″よく得られ
、ＧａＡｇ 以外にＩｎＰ、 ＩｎＡｓ 等のＩｌｌ
−Ｖ族化合物単結晶の製造にも適用できる。
次に本祈、明の″ｆ−旅例を述べる。
第１図に示１ような構造の坪結晶製造袈訪において、内
径１ｏｏｍｍ、深さ１ｏｏｍｍのパイロリテツク窒化ボ
ロン測ルツボにガリウム５００Ｌ！−１砒素５５０Ｌ？
、含水率１１００ｐｐの１浚化ボロン１８０１を入れ、
高圧容器内に設置してアルゴンガスを圧入し約５０気圧
にした後、ルツボ％１３ｏｏ″Ｃに７Ｊｌｌ 偽して上
にＢ２Ｏ３溶融液層が、下にＧＩＬＡ！！溶巖）夜層が
形成した時点でルツボの温度ｆ １２６ｎ Ｕに下げ、
容器内の１４：、力を２０気圧に下降して抽結晶をＧａ
Ａｓ＋ 溶融液に接融させ、１５Ｖの交流雷１圧を１
−１１力１１シ、た。この時の軍、済、イｉＮは０．６
２ｍＡであったので、第４図に示したＡｓ伊−給装置を
用いてデ２化し７’ｊＡｓ を溶融液に５０分間吹込
み、電流値が０．２９ ｍＡに下ったので、種結晶をＧ
ａＡｓ 溶融液に接触させ、１０ｍ１ＩＩ／時の速度
で引き上げ操作を行って、直径約５０１１１１１１．長
さ約１００ｍｍのＧａＡｓ即結晶全結晶。この単結晶を
Ｗ割りのウェハーにして結晶中の成長方向の抵抗分布な
詞べた結果を第６図のグラフに示す。グラフ中、曲線α
が本発明の方法により得られた結晶の抵抗値で結晶成長
方向全体について１０−８０・等以上の安定した高抵抗
値を示していた。参考寸でに、Ａｓの吹込み操作を行わ
ないで、製造した単結晶の縦割りウェハーの成長方向の
抵抗値は曲線りに示す如く、不均一で結晶端部でけＧＩ
Ｌ過剰の傾向を示し、急激に低下した。
径１ｏｏｍｍ、深さ１ｏｏｍｍのパイロリテツク窒化ボ
ロン測ルツボにガリウム５００Ｌ！−１砒素５５０Ｌ？
、含水率１１００ｐｐの１浚化ボロン１８０１を入れ、
高圧容器内に設置してアルゴンガスを圧入し約５０気圧
にした後、ルツボ％１３ｏｏ″Ｃに７Ｊｌｌ 偽して上
にＢ２Ｏ３溶融液層が、下にＧＩＬＡ！！溶巖）夜層が
形成した時点でルツボの温度ｆ １２６ｎ Ｕに下げ、
容器内の１４：、力を２０気圧に下降して抽結晶をＧａ
Ａｓ＋ 溶融液に接融させ、１５Ｖの交流雷１圧を１
−１１力１１シ、た。この時の軍、済、イｉＮは０．６
２ｍＡであったので、第４図に示したＡｓ伊−給装置を
用いてデ２化し７’ｊＡｓ を溶融液に５０分間吹込
み、電流値が０．２９ ｍＡに下ったので、種結晶をＧ
ａＡｓ 溶融液に接触させ、１０ｍ１ＩＩ／時の速度
で引き上げ操作を行って、直径約５０１１１１１１．長
さ約１００ｍｍのＧａＡｓ即結晶全結晶。この単結晶を
Ｗ割りのウェハーにして結晶中の成長方向の抵抗分布な
詞べた結果を第６図のグラフに示す。グラフ中、曲線α
が本発明の方法により得られた結晶の抵抗値で結晶成長
方向全体について１０−８０・等以上の安定した高抵抗
値を示していた。参考寸でに、Ａｓの吹込み操作を行わ
ないで、製造した単結晶の縦割りウェハーの成長方向の
抵抗値は曲線りに示す如く、不均一で結晶端部でけＧＩ
Ｌ過剰の傾向を示し、急激に低下した。
第１図は本発明の方法を実施するための単結晶製造装置
の一例を示す断面図、第２図はＧＩＬＡｌｌ 組成比
と電流値の関係の一例を示すグラフ。第６図はＧａＡ＋
ｓ 溶融液の温度と電１流値の関係を示すグラフ、第
４図はＡｓ供給装装置一例を示す断面図、第５図はＡｓ
の蒸散状態と市、流値の関係を示すグラフ。第６図は本
発明の方法によって得られ九ＧａＡｓ ４−結晶の抵
抗１■分布図である。 図中、ｌは高圧容器、コはヒーター、３はルツボ、Ｓは
引き上げ軸、７日、結晶原料溶融液、９日種結晶、ｌコ
は電源を示す。 特許用、願人 工葉技ｉ院長 第６１１ 固ａｔｒｑ （（１） ５０５
の一例を示す断面図、第２図はＧＩＬＡｌｌ 組成比
と電流値の関係の一例を示すグラフ。第６図はＧａＡ＋
ｓ 溶融液の温度と電１流値の関係を示すグラフ、第
４図はＡｓ供給装装置一例を示す断面図、第５図はＡｓ
の蒸散状態と市、流値の関係を示すグラフ。第６図は本
発明の方法によって得られ九ＧａＡｓ ４−結晶の抵
抗１■分布図である。 図中、ｌは高圧容器、コはヒーター、３はルツボ、Ｓは
引き上げ軸、７日、結晶原料溶融液、９日種結晶、ｌコ
は電源を示す。 特許用、願人 工葉技ｉ院長 第６１１ 固ａｔｒｑ （（１） ５０５
Claims (1)
- （１）引き上げ法にてＩｌｌ −Ｖ族化合物結晶を＊造
する方法において、Ｉｌｌ −Ｖ族化合物溶融液に交流
電圧を印加して電流値を測定し、結晶引き上げ時での￥
＝、流値より溶融液中のＩｌｌ −Ｖ族化合物の組成比
を検知し、Ｂ１定の組成比に調整して稗結晶の引き上げ
操作を行うことを特徴とするＩＩＩ −Ｖ族化合物単結
晶の製造方法。 （２１Ｉｌｌ −Ｖ族化合物はガリウム砒素化合物であ
ることを特徴とする特訂梢求の範囲第１項記載のＩｌｌ
−Ｖ族化合物単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19775982A JPS606919B2 (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | ３−５族化合物単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19775982A JPS606919B2 (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | ３−５族化合物単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5988393A true JPS5988393A (ja) | 1984-05-22 |
| JPS606919B2 JPS606919B2 (ja) | 1985-02-21 |
Family
ID=16379871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19775982A Expired JPS606919B2 (ja) | 1982-11-12 | 1982-11-12 | ３−５族化合物単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606919B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61151094A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 化合物半導体単結晶の製造方法 |
| JPS61205697A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-11 | Nec Corp | ３−５族化合物半導体の単結晶成長装置 |
| US4816240A (en) * | 1985-03-28 | 1989-03-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of synthesizing Group III element-phosphorus compound |
-
1982
- 1982-11-12 JP JP19775982A patent/JPS606919B2/ja not_active Expired
Cited By (4)
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| JPS61205697A (ja) * | 1985-03-07 | 1986-09-11 | Nec Corp | ３−５族化合物半導体の単結晶成長装置 |
| JPH0413319B2 (ja) * | 1985-03-07 | 1992-03-09 | Nippon Electric Co | |
| US4816240A (en) * | 1985-03-28 | 1989-03-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of synthesizing Group III element-phosphorus compound |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS606919B2 (ja) | 1985-02-21 |
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